JPH09505355A - 電極の持続的自己スパッタリング及び蒸発のために高周波電極自身の蒸気中で放電を発生させる方法及び装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 持続的自己スパッタリング及び蒸発のために高周波電極自身の蒸気中で放電を発生させる方法及び装置は、（ａ）中空の高周波電極の内部に中空陰極放電を開始するのに必要な圧力で放電領域中に導入される補助ガス中の中空の高周波電極によって高周波放電を発生させ、中空の高周波電極の表面のスパッタリング及び／又は蒸発を引き起こす工程と、（ｂ）中空の高周波電極への高周波出力を増大させ、補助ガスの流入を止めてガスのポンピングを自己持続的放電の維持に必要な値に調節した後に自己持続的放電を維持する密度まで、高周波により生じた中空陰極放電中におけるスパッタリング及び／又は蒸発によって中空の高周波電極から放出される粒子を含む蒸気の密度を高める工程とからなる。中空の高周波電極は補助ガスの入口として作用することができる。

Description

【発明の詳細な説明】 電極の持続的自己スパッタリング及び蒸発のために高周波電極自身の蒸気中で 放電を発生させる方法及び装置発明の技術分野 本発明は、高周波（radio frequency、ＲＦ）電極の持続的自己スパッタリン グのために高周波電極自身の蒸気中に放電を発生させる方法及び装置に関する。発明の背景 高周波電極自身の蒸気中におけるイオン衝撃による高周波電極の陰極の自己ス パッタリングは、持続的自己スパッタリング（sustained self-sputtering）と も呼ばれている。この持続的自己スパッタリングは、イオン衝撃及び電極のスパ ッタリングに必要なイオンを発生させる放電がこの電極自身の蒸気中に維持され る異常なスパッタリング方式である。この方式では、これらの放電に典型的な極 めて高い出力密度によって電極表面が高温になるため、電極材料の蒸発がスパッ タリングに寄与する。陰極表面への重いイオンの衝撃及び電子の激しい放出と関 係する高い電流密度は、その系で発生する特定の種類のプラズマアークと仮定す ることができる。陰極金属の蒸気の全体的な生成に対する種々の放電方式の寄与 は、実験条件、特に、（ｉ）放電の発生に使用される出力、（ii）電極の冷却、 （iii）電極の材料及び形状寸法に依存する。この方式は１９８０年に細川らに よって最初に報告された（Anelva Corp．日本）。彼らの報告 では、円筒形の銅のターゲットが円筒形の直流マグネトロン（magnetron）中に 発生したアルゴン放電中でスパッタされるものであった。直流マグネトロン中に 供給される直流の出力が特定の閾値に達すると、ターゲットの全イオン衝撃に対 する銅イオンの寄与は、アルゴンを用いないで放電を維持するために、銅の蒸気 の高い分圧を生ずるのに十分に高いものであった。この場合、アルゴンの流入は 止められており、放電は、銅のイオン自体の衝撃によって銅のターゲットの電極 から放出される純粋な銅の蒸気中においてのみ維持されていた。ククラら（Kukl a et al.）は、ターゲットの浸食領域を増大するために特に最適化した磁場を利 用して、銅のターゲットをも備えたプレーナマグネトロン（planar magnetron） 中におけるこの持続的自己スパッタリングを観察した（1990年，Leybold AG，ド イツ）。彼らは、持続的自己スパッタリングを開始するのに必要な最小のターゲ ットの直流の出力が約８０Ｗ／ｃｍ²であることを報告した。ポサドウスキー（P osadowski）（1993年）及びシングウバラら（1993年）の最近の報告では、約１ ００乃至２５０Ｗ／ｃｍ²の出力密度で銅の持続的自己スパッタリングを行うた めに同様のマグネトロン装置を用いていた。銅以外のターゲット材料は、持続的 自己スパッタリングに適当なターゲット材料として報告されなかった。その理由 は、他の材料についてのイオン衝撃における銅のスパッタリング収量が高いため である。通常のスパッタリング装置と比較して、低い動作圧力下でターゲットの 電極（陰極）表面における放電の磁場による閉込めによりスパッタリング速度が 比較的速いマグネトロン以外では、自己スッパタリン方式を生ずるためのスパッ タリング装置 は報告されていない。この低い動作圧力は、ターゲットに必要な蒸発温度が低圧 ほど低く、従って、作動ガス中の蒸気の相対密度をより高くすることができるた め、金属蒸気の蒸発温度を維持するために重要である。マグネトロンのこの利点 にかかわらず、持続的自己スパッタリングの形態は、銅及び銀のターゲットのみ によって行われていた。 本発明では、中空の基板及び管中にスパッタリングするフィルムのために本発 明の発明者の一人によって最近開発されたスパッタリング及び蒸発原理を利用し ている。このスパッタリングは、中空の高周波電極内を流れる作動ガス中におい て高周波により生ずるプラズマジェット内で行われる。この中空の高周波電極が 「中空陰極」の役割を果たすとともに、「陽極」は高周波プラズマ自体である。 この中空の高周波電極は、プラズマジェット中に発生したイオンによってスパッ タされるターゲットとしての役割を果たすことができる。電極材料は、プラズマ ジェット中の活性ガスと反応することができ、この反応の生成物を薄膜として基 板表面上に析出させることができる。 発明の概要 従って、本発明は、上記の従来技術の発見及び欠点を克服し、高周波電極の持 続的自己スパッタリング及び蒸発のために高周波電極の蒸気中で放電を発生させ る改良された方法及び装置を提供することを目的とする。 本発明の第１の見地では、高周波電極の持続的自己スパッタリング及び蒸発の ために高周波電極自身の蒸気中に放電を発生させる方 法は、 （ａ）放電領域中に導入され且つ中空の高周波電極の内部に中空陰極放電を開始 するのに必要な圧力にポンピングされる補助ガスの中で中空の高周波電極によっ て高周波放電を発生させ、中空の高周波電極の表面のスパッタリング及び／又は 蒸発を引き起こす工程と、 （ｂ）中空の高周波電極への高周波出力を増大させ、補助ガスの流入を止めて放 電領域からのガスのポンピングを自己持続的放電の維持に必要な値に調節した後 に自己持続的放電を維持する密度まで、高周波により生じた中空陰極放電中にお けるスパッタリング及び／又は蒸発によって中空の高周波電極から放出される粒 子を含む蒸気の密度を高める工程とからなる。 本発明の第２の見地では、中空の高周波電極は、補助ガスの入口として作用す る。 本発明の第３の見地では、真空ポンプによってポンピングされる反応器と、イ ンピーダンス整合ユニットを有する高周波発生器と、ガス容器とからなり、第１ 及び第２の見地による電極の持続的自己スパッタリングのために高周波電極自身 の蒸気中に放電を発生させる装置は、真空貫通端子を貫通して反応器内に密閉し て取り付けられるとともに端部に中空のターゲットが設けられた少なくとも一つ の中空の高周波電極と、ガス弁を介してガス容器から反応器内の中空のターゲッ トの中に導入される補助ガスと、反応器をポンピングするために反応器と真空ポ ンプとの間に設けられた制御弁と、インピーダンス整合ユニットを介して高周波 発生器から高周波電極に供給される高周波出力と、高周波電極と対電極との間で 高周波プラズ マを発生させる高周波発生器に接続された対電極と、補助ガスと、中空ターゲッ トの内側部分のスパッタリング及び／又は蒸発によって生じた蒸気との混合物中 において、中空の高周波電極の中空ターゲットの内部で高周波出力及びラジオ出 力プラズマによって発生した中空陰極放電とからなる。 本発明の第４の見地では、中空陰極放電は、中空ターゲットの激しいスパッタ リング及び／又は蒸発を引き起こすのに十分な高周波出力の値で発生し、中空陰 極放電が補助ガスなしで維持され、それによってガス弁が閉じられるとともに制 御弁によって排気速度が減少する。 本発明の第５の見地では、中空の高周波電極は管状であり、補助ガスは中空の 高周波電極を介して中空ターゲットの中に導入される。 本発明の第６の見地では、対電極が、反応器の壁部又は基板を備えた基板ホル ダーによって与えられる。 本発明の第７の見地では、中空ターゲット中の中空陰極放電は、磁石又は電磁 コイルによって生ずる磁場中で発生する。 図面の簡単な説明 上述した本発明の目的、特徴及び利点は、以下の図面とともに記載された本発 明の説明から明らかになる。 図１（ａ）は、本発明による方法の工程（ａ）の概略図であり、放電領域中に 導入され且つ中空の高周波電極の内部で中空陰極放電を開始するのに必要な圧力 にポンピングされる補助ガス内において中空の高周波電極によって高周波放電が 発生して、電極の表面のスパッタリング及び／又は蒸発が起こることを示してい る。 図１（ｂ）は、本発明による方法の工程（ｂ）の概略図であり、中空の高周波 電極への高周波出力が増大すると、補助ガスを流入しないで、自己持続的放電の 維持に必要な値にポンピングを調節して、中空陰極放電中におけるスパッタリン グ及び／又は蒸発によって高周波電極から放出される粒子を含む蒸気内に自己持 続的放電を引き起こすことを示している。 図２は、本発明による実施例の概略的な平面図であり、本発明の方法によって 高周波電極の持続的自己スパッタリングを行うために高周波電極自身の蒸気中で 放電を発生させる装置の例を示している。 図３は、本発明による実施例の概略図であり、本発明の装置の中空の高周波電 極に取り付けられる種々の形状の中空のターゲットを示している。 詳細な説明 図１（ａ）及び図１（ｂ）を参照すると、本発明による方法は、それぞれの工 程（ａ）及び（ｂ）に記載できる。本発明による方法の工程（ａ）に対応する図 １（ａ）では、端部に中空のターゲット２を備えた中空の高周波電極１に高周波 出力３が供給される。高周波電極１は、補助ガス５中に高周波放電４を発生させ 、排気速度６は、中空の高周波電極１の中空のターゲット２の内部に中空陰極放 電７を開始するために必要な圧力に調整される。この中空陰極放電７は、仮想陽 極の役割を果たす高周波プラズマ４について自動的に生ずる中空の高周波電極１ の負の電位（これはセルフバイアスとしても知られている）によって発生する。 中空陰極放電７は、この放電と接触する電極内面、即ち、高周波電極１の端部に ある中空のタ ーゲット２の内側部分のスパッタリング及び／又は蒸発を引き起こす。従って、 中空陰極放電７は、事実上補助ガス５と中空のターゲット２のスパッタ及び／又 は蒸発される材料との混合物中で励起される。中空のターゲット２から放出され る蒸気の密度は、高周波出力３によって影響される中空陰極放電中に生ずるイオ ンによるイオン衝撃の強さに依存する。ターゲット２が中空形状のため、中空陰 極放電７中のイオン密度は、通常のスパッタリング装置と比較して、比較的低い 出力３で高くすることができる。同一の高周波出力３でも、この効果は、より小 さい高周波電極１及び／又はターゲット２についてより高くすることができる。 高周波プラズマ４の領域及び中空の高周波電極１の中空のターゲット２への補助 ガス５の流入は、幾つかの方法により行うことができる。しかし、高周波放電４ 中に補助ガス５を導入するために管状の高周波電極１を使用すれば、より都合よ く中空陰極放電７を発生させることができる。 本発明による方法の工程（ｂ）に対応する図１（ｂ）には、この方法の工程（ ａ）の後に続く手順が示されている。高周波電極に供給する高周波出力３を増大 させると、中空のターゲット２のスパッタリング及び／又は蒸発が高められ、イ オン衝撃によって中空のターゲット２の浸食領域８を過熱することができる。こ れは、浸食領域８からの電子の放出を増加し、続いて追加のイオン化が生ずると ともに、この部分のイオン衝撃が高まる。このような電子なだれプロセスは、自 己持続的中空陰極放電９が中空のターゲットから放出される蒸気中で燃焼するこ とができ且つ（図１（ａ）に示すように）補助ガス５の流入を止めることができ る場合に、質的に新しいプロ セスまでターゲット材料を含む蒸気の生成を非常に高める。このような条件で、 自己持続的中空陰極放電９を維持するために排気速度６が調節される。殆どの場 合には、補助ガスの流入を止めた後に、蒸気の生成に依存して排気速度６を減少 させ、即ち、ポンピングを止めなければならない。蒸気の生成を増大するために 高周波出力３を増加することができるが、その最大値は、中空のターゲット２の 過熱される浸食部分８の温度安定性によって制限される。 図２は、上述した方法によって電極の持続的自己スパッタリング及び蒸発のた めに高周波電極の蒸気中の放電を発生させる装置の例として本発明による実施例 を示している。端部に中空のターゲット２が設けられた中空の高周波電極１は、 絶縁された真空貫通端子１４を貫通して反応器１６内に密閉して取り付けられて いる。補助ガス５は、ガス容器１０からガス弁１１を介して反応器１６内の中空 のターゲット２中に導入され、反応器内の全体のガス圧力は、反応器１６と真空 ポンプ１７との間に設けられた制御弁１８によって制御される。高周波出力３は 、直列のコンデンサ１３を備えたインピーダンス整合ユニットを介して高周波発 生器１２の出力極から高周波電極１に供給される。高周波回路は、高周波発生器 １２の対極に接続された対電極１５によって完成し、高周波プラズマ４は、高周 波電極１と対電極１５との間に発生する。十分な出力３では、中空陰極放電９は 、補助ガス５と、中空陰極放電９による中空のターゲット２の内側部分のスパッ タリング及び／又は蒸発によって生ずる蒸気との混合物中において中空のターゲ ット２の内部に発生する。中空のターゲット２の激しいスパッタリング及び／又 は蒸発を引き 起こすのに十分に高い高周波出力で発生させることができ、その結果この中空陰 極放電９は、中空陰極放電９が中空のターゲット２から放出されるそれ自身の蒸 気中のみに維持される。これらの条件では、ガス弁１１が閉じられ、制御弁１８ によって排気速度が減少する。中空の高周波電極１と中空のターゲット２のいず れも管状にすることができ、反応器１６への補助ガス５の入口として使用するこ とができる。多くの場合には、対電極１５は反応器の壁部と取り替えることがで きる。この装置を基板への膜の蒸発のために使用する場合には、基板１９を保持 する基板ホルダーが対電極１５の役割を果たす。中空のターゲット２内の中空陰 極放電９は、磁石又は電磁コイル２０によって生ずる磁場内に発生させることが できる。この装置では、中空のターゲット２の内部の中空陰極放電の密度は、磁 場による閉込めによって高めることができる。また、この装置は、磁場がない場 合よりも低い蒸気圧で中空陰極放電９の安定化のためにも使用される。 図３は、本発明による高周波電極１の持続的自己スパッタリング及び蒸発のた めに高周波電極自身の蒸気中に放電を発生させる装置の中空の高周波電極１の端 部に設けられた中空のターゲット２の形状の例を示している。 図３（ａ）では、中空のターゲット２は円筒形であり、中空の高周波電極１の 出口に取り付けられている。高周波出力３は、直列のコンデンサ１３を備えたイ ンピーダンス整合ユニットを介して高周波発生器１２の出力極から高周波電極１ に供給され、補助ガス５は、ガス弁１１を介して中空のターゲット２の中に導入 される。 図３（ｂ）では、中空のターゲット２は、中空の高周波電極１に取り付けられ た一組の円筒形のターゲットからなり、図３（ｃ）では、中空のターゲット２は 、スパッタ及び／又は蒸発されるべき物質の少なくとも２つの平行な板からなる 。例 本発明による方法及び装置は、銅及び銀以外の金属についても持続的自己スパ ッタリングのためにそれ自身の蒸気中に放電を発生させるために使用できる。（ ０．１乃至１ｍｍのオーダーの）小さい直径の管状の電極中に高周波の中空陰極 放電を発生させる可能性があるため、単位表面当たりの平均出力は、既に１００ Ｗのオーダーの高周波出力でＫＷ／ｃｍ²のオーダーまで相当に高くなる可能性 がある。従って、激しいイオン衝撃によるターゲットからスパッタ及び／又は蒸 発される物質の寄与により、Ｔｉのような超硬合金についてもアーク型の自己持 続的放電を維持するために十分に高い蒸気圧が生ずる。Ｔｉについてそれ自身の 蒸気中に放電するための典型的な一組のプロセスパラメータの例は以下の通りで ある。 （１）電気的に接地された金属反応器内に取り付けられた管状の高周波電極の端 部には、外径５ｍｍ、内径２ｍｍの寸法を有するＴｉ管状ターゲットが設けられ ている。 （２）１５０Ｗの高周波出力は、反応器内に高周波プラズマを発生し、連続的な ポンピングによって約０．５Ｔｏｒｒの圧力に維持された反応器内のＴｉターゲ ットを介して高周波電極中を流れるアルゴン内のＴｉターゲットの内部に中空陰 極放電を起こす。 （３）２５０Ｗを超える高周波出力では、Ｔｉターゲットはかなり 高温になり、Ｔｉターゲットの出口の回りに集中した自己維持放電は、アルゴン の流入を止めて排気速度が実質的に減少した後も安定したままである。 （４）これらの条件では、放電からの発光により純粋なチタンのみの存在が確認 される。 他の例では、管状のＭｇターゲットを備えた高周波電極は、外径１０ｍｍ、内 径３ｍｍを有する。この場合、Ａｒ中の放電の発生に必要な出力は５０Ｗ以上で ある。純粋なマグネシウム蒸気中の放電は、１００Ｗ以上の高周波出力で維持で きる。 本発明による電極自身の蒸気中の放電は、中空の電極中に流れ込む少量の反応 ガスと組み合わせるのが好ましい。ターゲットの金属蒸気の全体的な生成へのこ のガスの寄与は無視できるが、その主な役割は、ターゲットの金属の化合物の生 成である。この反応プロセスは、従来の装置よりもかなり低いガス圧力で、Ａｒ のような不活性のキャリアガスが存在しなくても行うことができる。さらに、こ の少量の反応ガスは、容易に活性化、即ちイオン化し、その結果生ずるプラズマ 化学反応の速度を速める。 本発明による電極自身の蒸気中の放電は、中空陰極放電の高周波の発生の代わ りに直流についても行うことができる。しかし、高周波の場合は、高周波プラズ マが中空陰極放電のために安定した自己前期イオン化（self Pre-ionization） を引き起こすため、直流放電は高周波の場合よりも安定性が悪い。さらに、直流 を発生させる場合には、中空陰極電極のすぐ近くに対応する陽極を配置しなけれ ばならない。高周波を発生させる場合には、高周波プラズマ自身が陽 極の役割を果たす。 本発明による方法及び装置は、基板表面の局部的な中空部を異常な純度の膜に よって蒸発しなければならない場合の応用例に特に利点がある。本発明による装 置は、中空基板及び管の内部に膜を蒸発させるために利用できるのみならず、広 い面積の膜蒸発に応用するための多電極装置又は平面平行電極の形状のいずれに も利用できる。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (81)指定国 ＥＰ(ＡＴ，ＢＥ，ＣＨ，ＤＥ， ＤＫ，ＥＳ，ＦＲ，ＧＢ，ＧＲ，ＩＥ，ＩＴ，ＬＵ，Ｍ Ｃ，ＮＬ，ＰＴ，ＳＥ)，ＯＡ(ＢＦ，ＢＪ，ＣＦ，ＣＧ ，ＣＩ，ＣＭ，ＧＡ，ＧＮ，ＭＬ，ＭＲ，ＮＥ，ＳＮ， ＴＤ，ＴＧ)，ＡＰ(ＫＥ，ＭＷ，ＳＤ，ＳＺ)，ＡＭ， ＡＴ，ＡＵ，ＢＢ，ＢＧ，ＢＲ，ＢＹ，ＣＡ，ＣＨ，Ｃ Ｎ，ＣＺ，ＤＥ，ＤＫ，ＥＥ，ＥＳ，ＦＩ，ＧＢ，ＧＥ ，ＨＵ，ＪＰ，ＫＥ，ＫＧ，ＫＰ，ＫＲ，ＫＺ，ＬＫ， ＬＲ，ＬＴ，ＬＵ，ＬＶ，ＭＤ，ＭＧ，ＭＮ，ＭＷ，Ｎ Ｌ，ＮＯ，ＮＺ，ＰＬ，ＰＴ，ＲＯ，ＲＵ，ＳＤ，ＳＥ ，ＳＩ，ＳＫ，ＴＪ，ＴＴ，ＵＡ，ＵＳ，ＵＺ，ＶＮ (72)発明者 バランコヴァ、ハナ スウェーデン国 エス―756 43 ウプサ ラ ウレラケルスヴェーゲン 64 (72)発明者 ベルグ、セーレン スウェーデン国 エス―756 45 ウプサ ラ ピラヴェーゲン 12ビー

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １．（ａ）放電領域中に導入され且つ中空の高周波電極（1）の内部に中空陰極 放電（7）を開始するのに必要な圧力にポンピングされる補助ガスの（5）中で前 記中空の高周波電極（1）によって高周波放電（4）を発生させ、前記中空の高周 波電極（1）の表面のスパッタリング及び蒸着又はスパッタリング若しくは蒸発 を引き起こす工程と、 （ｂ）前記中空の高周波電極（1）への高周波出力（3）を増大させ、前記補助ガ ス（5）の流入を止めて前記放電領域からのガスのポンピングを自己持続的放電 の維持に必要な値に調節した後に前記自己持続的放電を維持する密度まで、高周 波により生じた中空陰極放電（9）中における前記スパッタリング及び蒸発又は スパッタリング若しくは蒸発によって前記中空の高周波電極（1）から放出され る粒子を含む蒸気の密度を高める工程とからなる、高周波電極の持続的自己スパ ッタリング及び蒸発のために高周波電極自身の蒸気中に放電を発生させる方法。 ２．前記工程（ａ）の前記中空の高周波電極（1）が前記補助ガス（5）の入口と して作用することを特徴とする、請求項１に記載の方法。 ３．絶縁された真空貫通端子（14）を貫通して前記反応器内（16）に密閉して取 り付けられるとともに端部に中空のターゲット（2）が設けられた少なくとも一 つの中空の高周波電極（1）と、 ガス弁（11）を介して前記ガス容器（10）から前記反応器（16）内の前記中空 のターゲット（2）の中に導入される補助ガス（5）と、 前記反応器（16）をポンピングするために前記反応器（16）と前記真空ポンプ （17）との間に設けられた制御弁（18）と、 前記インピーダンス整合ユニット（13）を介して高周波発生器（12）から前記 高周波電極（1）に供給される高周波出力（3）と、 前記高周波電極（1）と対電極との間で高周波プラズマ（4）を発生させる前記 高周波発生器に接続された対電極（15）と、 前記補助ガス（5）と、前記中空ターゲット（2）の内側部分のスパッタリング 及び蒸発又はスパッタリング若しくは蒸発によって生じた蒸気との混合物中にお いて、前記中空の高周波電極の前記中空ターゲットの内部に前記高周波出力（3 ）及び前記ラジオ出力プラズマ（4）によって発生した中空陰極放電（9）とから なることを特徴として 真空ポンプ（17）によってポンピングされる反応器（16）と、インピーダンス 整合ユニット（13）を有する高周波発生器（12）と、ガス容器（10）とからなる 請求項１及び２の方法による電極の持続的自己スパッタリングのために高周波電 極（1）自身の蒸気中に放電を発生させる装置。 ４．前記中空陰極放電（4）が、前記中空ターゲット（2）の激しいスパッタリン グ及び蒸発又はスパッタリング若しくは蒸発を引き起こすのに十分な高周波出力 の値で発生し、前記中空陰極放電（9）が前記補助ガス（5）なしで維持され、そ れによって前記ガス弁（11）が 閉じられるとともに前記制御弁（18）によって排気速度が減少することを特徴と する、請求項１乃至３のいずれかに記載の装置。 ５．前記中空の高周波電極（1）が管状であり、前記補助ガス（5）が前記中空の 高周波電極（1）を介して前記中空ターゲット（2）の中に導入されることを特徴 とする、請求項１乃至４のいずれかに記載の装置。 ６．前記対電極（15）が、前記反応器（16）の壁部又は基板（19）を備えた基板 ホルダーによって与えられることを特徴とする、請求項１乃至５のいずれかに記 載の装置。 ７．前記中空ターゲット（2）中の前記中空陰極放電が、磁石又は電磁コイル（2 0）によって生ずる磁場中で発生することを特徴とする、請求項１乃至６のいず れかに記載の装置。