JPH0951019A

JPH0951019A - 半導体装置及びその製造方法

Info

Publication number: JPH0951019A
Application number: JP7204227A
Authority: JP
Inventors: Shigeharu Tsunoda; 重晴角田; Junichi Saeki; 準一佐伯; Kunihiko Nishi; 邦彦西
Original assignee: Hitachi Ltd
Current assignee: Hitachi Ltd
Priority date: 1995-08-10
Filing date: 1995-08-10
Publication date: 1997-02-18

Abstract

(57)【要約】【目的】本発明は、半導体プラスチックパッケージの製
造において、特にＢＧＡパッケージを製造するための好
適なパッケージ構造、製造方法を提供することにある。【構成】ＩＣチップ１、配線フィルム２、３３よりなる
半導体部品を固定支持するための支持フレーム５、３４
を用い、それをレジン１１で封止した構成とすることで
低価格で高信頼のレジン封止型ＢＧＡパッケージ化が達
成できる。【効果】ＢＧＡ構成品をレジン封止することで、従来構
造より大幅に信頼性を向上できる効果がある。放熱効率
の大きいパッケージを得られる効果がある。支持フレー
ムを用いることで、配線フィルムの変形を防止できる効
果がある。本発明のＢＧＡパッケージ構造であれば、成
形工程の自動化、省人化が容易であり生産効率の向上、
安定生産が可能となり低価格で高信頼のレジン封止型Ｂ
ＧＡパッケージが得られる効果がある。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、半導体プラスチックパ
ッケージの製造において、特に、ＢＧＡパッケージの構
成部品の固定支持方式及び製造方法に関するものであ
る。

【０００２】

【従来の技術】半導体パッケージの構造は、高密度実装
化を図るために小型・薄型化する方向に進んでいる。ま
た、１チップ当りの情報処理量も増大する傾向にあり、
１パッケージ当りの入出力用のピン数が増加する傾向に
ある。しかし、パッケージのサイズを余り大きくするこ
とはできないためにピン数が増加することにより、各リ
ードピン間隔が非常に狭くなる傾向にある。このため、
回路基板上に実装する上で高度な実装技術が求められて
いるのが現状である。この実装性を容易にすべく、近年
において、パッケージの外部接続形態が従来の構造とは
違うＰＧＡ（ピングリッドアレイ）やＢＧＡ（ボール
グリッドアレイ）といった外部接続構造をもつパッ
ケージが見られるようになってきた。このＢＧＡパッケ
ージは、フェースダウンタイプとしては米国特許５，１
４８，２６５号明細書に見られる構造例がある。この構
造を例として、図１９、図２０を用いて説明する。図１
９に、ＢＧＡパッケージの斜視図を示す。構成として
は、ＩＣチップ１００の回路面上にシリコーンゴムなど
の挿入物１０１を置きその上に配線パターンのある配線
フィルム１０２を置いたものから構成されている。ＩＣ
チップ１００と配線フィルム１０２はワイヤボンディン
グ１０３にて結線している。

【０００３】図２０に、接続部の拡大断面図を示す。挿
入物１０１は、柔軟性のあるシリコーンレジン等を用い
ている。この構成品のＩＣチップ１００と配線フィルム
上の電極１０４を除いた部分をシリコーンレジン等の柔
軟なレジン１０５で蓋うことで保護しパッケージ形状の
完成となっている。このとき、生産性の面から見てみる
と成形をするときに金型内に複数個のキャビティを設置
してレジン充填を行うことが通常である。このため、こ
の構造では金型内での位置決めが困難になること、成形
品の取り出し工程が非常に複雑になる等の問題がある。
これらの要因により生産コストの上昇も考えられ高額品
となる問題がある。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】上記従来技術は、レジ
ン成形に用いる成形金型内での上記部品の位置決めが困
難である問題があった。また、成形工程が複雑になるな
ど自動化、省人化を図りにくいという問題があった。シ
リコーンレジンによる封止のため水分などの透過が早く
耐湿性に劣るという問題があった。これらの要因によ
り、製品が高価格化するという問題があった。

【０００５】本発明は、上記欠点をなくし、生産性が高
く低価格となりえるＢＧＡパッケージ構造並びに製造法
を提供することを目的とする。

【０００６】

【課題を解決するための手段】本発明は、上記目的を達
成するために、ＩＣチップ、配線フィルムを固定支持す
る支持フレームを用いたＢＧＡパッケージ構造とする。
ＩＣチップ、配線フィルムをレジンで覆うＢＧＡパッケ
ージ構造とする。

【０００７】

【作用】上記した手段を用いれば、金型キャビティ内で
の位置決めが容易となり成形工程での多数個取りができ
る。支持フレームに放熱板としての作用を持たせるこ
と、ＩＣチップ、配線フィルムをレジンで封止すること
による耐湿信頼性の向上が図れる。併せて、支持フレー
ムを用いることで各工程の自動化が容易となり生産性の
効率向上ができる。

【０００８】

【実施例】本発明の実施例を、図１〜図１８を用いて説
明する。

【０００９】図１は、第１の実施例のＢＧＡパッケージ
構造の概略を表す断面図を示す。このＢＧＡパッケージ
の構成は、ＩＣチップ１、配線フィルム２、配線フィル
ム実装面上にある外部導通用の電極３とそれと接合して
外部の電極となる金属バンプ４及びそれらを固定するた
めの支持フレーム５より成り立っている。すなわち、支
持フレーム５は、外枠６とタブ吊りリード７とタブ８よ
り構成されている。ＩＣチップ１は、タブ８部に接着剤
などにより接着固定されている。配線フィルム２は、支
持フレーム外枠６部に接着固定されている。ＩＣチップ
１のパッド９と配線フィルム２は配線フィルム２上より
張り出したインナーリード１０で電気的に接続されてい
る。これら、ＩＣチップ、配線フィルム２はレジン１１
により封止して保護したパッケージ形状となっている。

【００１０】図２は、図１を上方より見たときの平面図
を示す。ここでは、レジン１１で封止する前の状態を示
す。インナーリード１０で接続された配線フィルム２上
の電気配線１２はフィルム裏面のそれぞれの電極３へと
スルホール１３を介して配線されている。これら電気配
線は絶縁物（図示せず）で保護されていることは云うま
でもない。

【００１１】図３に、図１を下方から見たときの平面図
を示す。スルーホール１３は、配線フィルム裏面へと接
続し、各々の電極３へと接続されている。そして、この
電極３は格子状あるいは千鳥状に配置されている。レジ
ン封止後、この電極３へ金属バンプ例えばはんだボール
などを接合し電気配線は完了となり製品となる。

【００１２】図４〜図１２に製造プロセスの概略とそれ
ぞれの概略図を併せて示す。レジン成形は、多数個取り
の成形が通常行われており、この場合の製造プロセスに
ついて以降説明する。図４は、構成部品であるＩＣチッ
プ１、配線フィルム２、支持フレーム５を組み立てると
きの工程の概略（ａ）を示したものである。すなわち、
支持フレーム５は複数個の成形ができるように多連とな
り（ｄ）に示すような構造となる。このリードフレーム
５（ｄ）上のタブ８部にＩＣチップ１（ｃ）を搭載し接
着する。次に、ＩＣチップ上のパット部（図示せず）と
配線フィルム上のインナーリード１０を位置合わせ後、
各ＩＣチップ１毎に配線フィルム２を外枠６部に接着固
定する。その後、インナーリード１０とＩＣチップ上の
パッド部とを直接加熱接合あるいは金属性ボールを介し
ての加熱接合あるいはボンディングワイヤでの接続ある
いは導電性樹脂による接着接続をして配線を完了する。
これにより、チップ／配線フィルム搭載支持フレーム１
４（ｅ）の完成となる。このチップ／配線フィルム搭載
支持フレーム１４（ｅ）の外枠上には各製造プロセスを
自動的に行うためのガイド穴（図示せず）を設けている
ことは云うまでもない。

【００１３】図５に、チップ／配線フィルム搭載支持フ
レーム１４を用いてレジン成形する工程の概略（ａ）を
示す。ここでは、熱硬化型樹脂であるエポキシレジンを
用いてトランスファ成形する場合について説明する。成
形金型１５（ｃ）内に設けられたキャビティ１６内にチ
ップ／配線フィルム搭載支持フレーム１４（ｂ）を設置
する。この時、成形金型１５（ｃ）は、エポキシレジン
が硬化する温度に加熱した状態にある。次に、成型加工
されたレジンタブレット（図示せず）を金型内のポット
部（図示せず）に投入しプランジャ（図示せず）にて押
圧する。プランジャ（図示せず）にて押圧されたレジン
１１は加熱溶融し金型内のランナ１７→ゲート１８を流
動しキャビティ１６内へと流入し硬化反応により硬化し
成形品となる。キャビティ１６内の状態を拡大図（ｄ）
にて説明する。すなわち、上型１９と下型２０の間に支
持フレーム１４並びに外枠６上に接着してある配線フィ
ルム２を挟みキャビティ１６内にチップ／配線フィルム
を搭載したタブ８部を設置する。このとき、ＩＣチップ
１の周囲の配線フィルム２は上型キャビティ面に接した
状態となっている。そして、チップ／配線フィルム搭載
支持フレーム１４の位置は、支持フレーム上に設けた位
置決め穴（図示せず）と金型内の位置決めピン（図示せ
ず）によりキャビティ１６内での位置決めをすることは
云うまでもない。このように、キャビティ１６内に設置
した状態でレジンを流入させレジン封止を完成する。

【００１４】図６に、成形品〜完成品までの工程の概略
（ａ）を示す。レジン封止した成形品２１（ｂ）は、レ
ジン成形後不用となる支持フレーム外枠６部分並びにゲ
ート１８、ランナ１７部分を、切断金型２２（ｃ）にて
切断され成形品２１から分離される。分離された切断成
形品２３（ｄ）は次に、外部電極部を形成するための工
程（ｅ）へと進む。すなわち、配線フィルム実装面の電
極部３へ例えばボール状のはんだ４を供給し加熱接合し
最終的な外部電極部２４を完成させて全ての工程を完了
しレジン封止型のＢＧＡパッケージ（ｆ）を完成する。
このように、チップ／配線フィルム搭載支持フレーム１
４を用いることでレジン封止工程は、現状行われている
一般的なトランスファ成形手法でできるため生産コスト
の低減、生産効率の向上が図れる。また、成形圧力を加
えることにより、配線フィルムの平坦度を確保すること
が実装する上で信頼性の向上が図れる。さらに、高放熱
性が必要となる場合は、先に切断した支持フレーム外枠
６部分を切断せずに放熱板として用いることもできる特
徴がある。先に述べたＩＣチップ上のパッド部と配線フ
ィルムのインナーリード部の結線方法について図７〜図
１２に示す。

【００１５】本発明の第２の実施例を図７〜図１２に示
す。図７は、配線フィルムの断面図を示したものであ
る。この配線フィルム２をインナーリード部を結線する
ときに用いる加熱治具２６に吸引密着させる。

【００１６】図８に、加熱治具の断面図を示す。すなわ
ち、支持フレーム固定用の下側加熱治具２５と上側固定
加熱吸着治具２６より構成されている。上側固定加熱吸
着治具２６は、配線フィルム２を吸引密着させるための
吸引穴２７が設けられている。さらに、その吸引穴２７
の先、配線フィルム２面と接する部分には多孔性金属２
８を用いて均等な吸引力となるようにし吸着時に発生し
やすい配線フィルムの変形を防止する構造となってい
る。このときの多孔性金属２８の孔径は直径０．１mm以
下が望ましいと考えられる。また、下側加熱治具２５に
は、支持フレーム５が設置されている。この下側加熱治
具２５の上に配線フィルム２を吸引密着した上側固定加
熱吸着治具２６を配し、インナーリード１０とＩＣチッ
プ上のパッド部（図示せず）の位置合わせをした後加熱
治具２５、２６の間に挟持し加熱を行い配線フィルム２
を支持フレーム外枠６部に接着する。所定部分にあらか
じめ接着剤を塗布しておくことは云うまでもない。

【００１７】図９に、インナーリードをボンディングす
る状態の断面図を示す。上側固定加熱吸着治具２６に設
けられているインナーリードボンディング用の窓よりイ
ンナーリードボンディング用の治具２９を差し込みイン
ナーリード１０とＩＣチップ上のパッド部（図示せず）
を加熱接合して結線する。

【００１８】本発明の第３の実施例を図１０〜図１２に
示す。図１０に、配線フィルムの断面図を示したもので
ある。配線フィルム２は、インナーリード１０の両端部
に柱状の突起部３０を設けたものである。この突起物３
０は電気配線を絶縁するための絶縁物を部分的に厚く塗
布するなどして形成したものである。そして、突起物３
０の厚さは、ＩＣチップ１の上面に封止するれレジン厚
さ相当としたものである。

【００１９】図１１に、加熱治具の断面図を示す。上側
固定加熱吸着治具２６は、第２の実施例で用いたものと
同様のものであり、この配線フィルム２をインナーリー
ド部を結線するときに用いる上側固定加熱吸着治具２６
に吸着し、インナーリード１０とＩＣチップ上のパッド
部（図示せず）の位置合わせをした後加熱治具２５、２
６の間に挟持し加熱を行い配線フィルム２を支持フレー
ム外枠６部並びにチップ上の位置となる突起部３０´を
接着する。また、下側加熱治具２５には、支持フレーム
５が設置されている。このとき接着剤は、外枠６にあた
る部分並びにチップ上の位置となる突起部３０´の部分
にあらかじめ塗布しておく。また、下側加熱治具２５に
は、支持フレーム５が設置されている。この下側加熱治
具３１は、ＩＣチップ１を搭載したタブ８部を除く部分
の深さを浅くした形状となっている。これは、インナー
リード１０の両側に柱状の突起部３０を設けた配線フィ
ルム２の平面度を保つためにＩＣチップ外側の突起部３
０との高さを合せた形状のものである。

【００２０】図１２に、インナーリードをボンディング
する状態の断面図を示す。インナーリードボンディング
用の治具２９によりインナーリード１０とＩＣチップ上
のパッド部（図示せず）を加熱接合して結線する。この
とき、外枠６部分並びにチップ上の位置となる突起部３
０´が先に接着固定されることより、上側固定加熱吸着
治具２６を取り外すことができ、インナーリードボンデ
ィング用の治具２９の自由度が増すことでリードの数が
多いものにも対応できる特徴がある。ここでは、ＩＣチ
ップ上のパット部とインナーリードの結線を直接行う場
合について説明したが結線方式は、ボンディングワイ
ヤ、金属性ボール、導電性樹脂による方式でもなんら問
題のないことは云うまでもない。

【００２１】第１の実施例で用いた支持フレームの１成
形品部分のパターンを図１３に示す。支持フレーム５の
外枠６とタブ８は、タブ吊りリード７により連結された
構造となっている。そのタブ吊りリード７は折り曲げら
れ、外枠６より下の位置にある構造となっている。ここ
では、タブ吊りリードの連結を４ヶ所で行ったものにつ
いて述べたが必要に応じて連結するリードの数を増減し
ても良い。また、支持フレームは、例えば、Ｆｅ−Ｎｉ
合金、Ｃｕ合金等の金属材料を用いても良い。そして、
支持フレーム５の外枠６部には、各製造プロセスでの位
置決めをするためのガイド穴３２を設けた構造となって
いる。

【００２２】本発明の第４の実施例を図１４に示す。こ
のＢＧＡパッケージの構成は、ＩＣチップ１、配線フィ
ルム３３、配線フィルム実装面上にある外部導通用の電
極３とそれを接合して外部の電極となる金属バンプ４及
びそれらを固定するための支持フレーム５より成り立
ち、支持フレーム３４は、外枠６とタブ吊りリード７と
タブ８より構成されている。配線フィルム実装面上にあ
る電気配線（図示せず）並びに外部導通用の電極３の配
置個所は、ＩＣチップ１上の領域部分にある構造となっ
ている。ＩＣチップ１は、タブ８部に接着剤などにより
接着固定されている。配線フィルム３３は、支持フレー
ム外枠６部に接着固定されている。ＩＣチップ１のパッ
ド９と配線フィルム３３は配線フィルム３３上より張り
出したインナーリード１０で電気的に接続されている。
これら、ＩＣチップ、配線フィルム３３はレジン１１に
より封止して保護したパッケージ形状となっている。配
線フィルム３３は、図１０で述べたような突起部のある
ものを用いてもなんら問題のないことは云うまでもな
い。

【００２３】図１５は、図１４を上方より見たときの平
面図を示す。ここでは、レジンで封止する前の状態を示
す。インナーリード１０で接続されたＩＣチップ１上の
配線フィルム２の電気配線１２はフィルム裏面のそれぞ
れの電極３へとスルホール１３を介して配線されてい
る。これら電気配線は絶縁物（図示せず）で保護されて
いることは云うまでもない。

【００２４】図１６に、図１４を下方から見たときの平
面図を示す。この電極３は格子状あるいは千鳥状に配置
されている。レジン封止後、この電極３へ金属バンプ例
えばはんだボールなどを接合し電気配線は完了となり製
品となる。

【００２５】図１７に、レジン成形工程を示す。その他
の製造プロセスは、第１の実施例の図４で説明したと同
じ工程を取る。図１７（ａ）に、チップ／配線フィルム
搭載支持フレーム３５を示す。この支持フレーム３５
は、タブ吊りリード（図示せず）は短くタブ部（図示せ
ず）と接近している。レジン成形は、図１７の（ｂ）に
示す成形金型３６の物と入れ替えれば良い。また、図６
（ｃ）に示す切断金型２２は成形品形状により入れ替え
ることは云うまでもない。キャビティ３７内の状態を拡
大図（ｃ）にて説明する。すなわち、上型３８と下型３
９の間に支持フレーム３５並びに外枠６上に接着してあ
る配線フィルム３３を挟みキャビティ３７内にチップ／
配線フィルムを搭載したタブ８部を設置する。このと
き、ＩＣチップ１上の配線フィルムは上型キャビティ面
に接した状態となっている。そして、チップ／配線フィ
ルム搭載支持フレーム３５の位置は、支持フレーム上に
設けた位置決め穴（図示せず）と金型内の位置決めピン
（図示せず）によりキャビティ１６内での位置決めをす
ることは云うまでもない。このように、キャビティ１６
内に設置した状態でレジンを流入させレジン封止を完成
する。このように、ＩＣチップ１上に電極部を配置する
パッケージ構造とすることで小型化ができる効果があ
る。また、外枠部で配線フィルムを接着固定することで
配線フィルムの変形を防ぐ効果がある。

【００２６】第４の実施例で用いた支持フレームの１成
形品部分のパターンを図１８に示す。支持フレーム３４
の外枠６とタブ８は、タブ吊りリード７により連結され
た構造となっている。そのタブ吊りリード７は折り曲げ
られ、外枠６より下の位置にある構造となっている。さ
らに、タブ吊りリードは短くパッケージを小型化できる
構造となっている。ここでは、タブ吊りリードの連結を
４ヶ所で行ったものについて述べたが必要に応じて連結
するリードの数を増減しても良い。また、支持フレーム
は、例えば、Ｆｅ−Ｎｉ合金、Ｃｕ合金等の金属材料を
用いても良い。そして、支持フレーム３４の外枠６部に
は、各製造プロセスでの位置決めをするためのガイド穴
３２を設けた構造となっている。

【００２７】

【発明の効果】本発明によれば、支持フレームを用いる
ことで生産性の向上、低価格化を図ることが容易とな
る。また、ＢＧＡ阻止をレジン封止することで耐湿信頼
性などの大幅な向上が図れる。支持フレームを用いるこ
とで、通常行われている成形手法を取り入れることで成
形工程の自動化、省人化が容易であり、生産効率の向
上、安定生産が可能となる。

【図面の簡単な説明】

【図１】第１の実施例のＢＧＡパッケージ構造の断面図
である。

【図２】図１を上側から見た平面図である。

【図３】図１を下側から見た平面図である。

【図４】チップ／配線フィルム搭載支持フレーム完成ま
での工程図である。

【図５】レジン成形するまでの工程図である。

【図６】成形品から完成までの工程図である。

【図７】配線フィルムの断面図である。

【図８】第２の実施例の加熱治具の断面図である。

【図９】第２の実施例のインナーリードをボンディング
する状態の断面図である。

【図１０】第３の実施例の配線フィルムの断面図であ
る。

【図１１】第３の実施例の加熱治具の断面図である。

【図１２】第３の実施例のインナーリードをボンディン
グする状態の断面図である。

【図１３】第１の実施例で用いた支持フレームの形状図
である。

【図１４】第４の実施例のＢＧＡパッケージ構造の断面
図である。

【図１５】図１４を上側から見た平面図である。

【図１６】図１４を下側から見た平面図である。

【図１７】第４の実施例のレジン成形するまでの工程図
である。

【図１８】第４の実施例で用いた支持フレームの形状図
である。

【図１９】従来のフェースダウンのＢＧＡパッケージの
斜視図である。

【図２０】図１９の接続部分を拡大した断面図である。

【符号の説明】

１…ＩＣチップ２…配線フィルム３…電極４…金属バンプ５…支持フレーム６…外枠７…タブ吊りリード８…タブ９…パッド１０…インナーリード１１…レジン１２…電気配線１３…スルーホール１４…チップ／配線フィルム搭載支持フレーム１５…成形金型３３…配線フィルム３４…支持フレーム３５…チップ／配線フィルム搭載支持フレーム３６…成形金型

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】ＩＣチップとそれを搭載・接続する絶縁性
基材上に配線パターンを形成した配線フィルム(以降、
配線フィルムと略す)とそれらの電気回路部品を外部と
接続する電極部を設け、その電極部に金属性バンプを形
成してなる半導体装置において、前記ＩＣチップ、配線
フィルムを固定支持する支持フレームを有し、電極部以
外を有機物で封止したことを特徴とする半導体装置。
【請求項２】請求項１において、上記支持フレームを金
属材料で構成したことを特徴とする半導体装置。
【請求項３】請求項１において、上記支持フレームは、
ＩＣチップ、配線フィルムを固定支持することを特徴と
する半導体装置。
【請求項４】ＩＣチップとそれを搭載・接続する絶縁性
基材上に配線パターンを形成した配線フィルム(以降、
配線フィルムと略す)とそれらの電気回路部品を外部と
接続する電極部を設け、その電極部に金属性バンプを形
成してなる半導体装置において、前記ＩＣチップ、配線
フィルムを固定支持する支持フレームを放熱板とするこ
とを特徴とする半導体装置。
【請求項５】ＩＣチップとそれを搭載・接続する絶縁性
基材上に配線パターンを形成した配線フィルム(以降、
配線フィルムと略す)とそれらの電気回路部品を外部と
接続する電極部を設け、その電極部に金属性バンプを形
成してなる半導体装置において、前記ＩＣチップ、配線
フィルムを固定支持する支持フレームの外枠を取外した
ことを特徴とした半導体装置。
【請求項６】請求項１において、ＩＣチップと配線フィ
ルムを固定支持し、ＩＣチップと配線フィルムの結線
は、配線フィルムのインナーリードとの直接の金属接合
あるいはボンディングワイヤあるいは金属バンプを介し
ての金属接合あるいは導電性樹脂による接着接合で接続
したことを特徴とする半導体装置。
【請求項７】請求項６において、インナーリードとＩＣ
チップとの結線方式は、ＩＣチップと配線フィルムを固
定支持した支持フレームを上下加熱治具の間に挟みイン
ナーリードボンディング用治具にて加熱接合することを
特徴とする半導体装置。
【請求項８】請求項７において、加熱治具の形態は、上
型加熱治具では配線フィルムを吸着する機構があり、そ
の配線フィルムと接する吸着面には多孔性金属を用い、
その孔径は直径０．１mm以下としたことを特徴とするイ
ンナーリードボンディング用加熱治具。
【請求項９】配線フィルムのインナーリードの両端部に
突起物を設けたことを特徴とする配線フィルム。
【請求項１０】ＩＣチップとインナーリードの両端部に
突起物を設けた配線フィルムを用いて前記ＩＣチップ、
配線フィルムを固定支持する支持フレームを有し、電極
部以外を有機物で封止したことを特徴とする半導体装
置。
【請求項１１】請求項１において、有機物で封止する形
態は、ＩＣチップと配線フィルムを金属接合あるいは導
電性樹脂で接続して構成したＩＣチップと配線フィルム
の搭載面を封止することを特徴とする半導体装置。
【請求項１２】ＩＣチップと配線フィルムを支持フレー
ム上に搭載し、接続手段でＩＣチップと配線フィルムを
電気的に接続した後、有機物で所定部分を充填封止し、
はんだバンプを形成して製造する半導体装置の製造方
法。
【請求項１３】請求項１１において、成形金型を用いて
有機材料の樹脂を充填、封止したことを特徴とする半導
体装置の製造方法。
【請求項１４】請求項１３において、成形金型は、ＩＣ
チップと配線フィルムを支持フレーム上に搭載し、接続
手段でＩＣチップと配線フィルムを電気的に接続した支
持フレームを上型、下型の間に挟持し、樹脂押圧装置で
樹脂を押圧して封止することを特徴とする半導体装置の
樹脂封止方法。