JPH09511792A - 負圧又は真空中において材料蒸気によつて基板を被覆する装置 - Google Patents
負圧又は真空中において材料蒸気によつて基板を被覆する装置Info
- Publication number
- JPH09511792A JPH09511792A JP8515641A JP51564196A JPH09511792A JP H09511792 A JPH09511792 A JP H09511792A JP 8515641 A JP8515641 A JP 8515641A JP 51564196 A JP51564196 A JP 51564196A JP H09511792 A JPH09511792 A JP H09511792A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- anode
- cathode
- material vapor
- source
- reaction gas
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000000463 material Substances 0.000 title claims abstract description 122
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 50
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 title claims abstract description 39
- 238000000576 coating method Methods 0.000 title claims abstract description 39
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 claims abstract description 25
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 claims abstract description 25
- 238000010891 electric arc Methods 0.000 claims abstract description 23
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 claims description 52
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 34
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 28
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 claims description 27
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 claims description 11
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims description 8
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 4
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 claims description 4
- 230000006698 induction Effects 0.000 claims description 4
- 238000002207 thermal evaporation Methods 0.000 claims description 4
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 25
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 21
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 12
- 230000008569 process Effects 0.000 description 12
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 10
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 10
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 9
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 9
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 8
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 6
- 239000010405 anode material Substances 0.000 description 6
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 6
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 6
- 238000005457 optimization Methods 0.000 description 6
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 6
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 5
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 4
- 239000010406 cathode material Substances 0.000 description 4
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 4
- 238000009833 condensation Methods 0.000 description 4
- 230000005494 condensation Effects 0.000 description 4
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 4
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 4
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 4
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 4
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 3
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005299 abrasion Methods 0.000 description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 2
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 239000002800 charge carrier Substances 0.000 description 2
- 230000001143 conditioned effect Effects 0.000 description 2
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 2
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 2
- 230000003111 delayed effect Effects 0.000 description 2
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 2
- 238000007733 ion plating Methods 0.000 description 2
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 238000010309 melting process Methods 0.000 description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 2
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 2
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 description 2
- 238000012856 packing Methods 0.000 description 2
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 2
- 230000007480 spreading Effects 0.000 description 2
- 238000003892 spreading Methods 0.000 description 2
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 2
- 241001676573 Minium Species 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
- H01J37/32422—Arrangement for selecting ions or species in the plasma
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
Description
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 材料蒸気源(1)、 及び陽極(4’)と陰極(4”)との間にプラズマ(7)を発生しかつ材料蒸 気によって援助されるアーク放電内において材料蒸気(6)をイオン化するため に冷陽極(4’)と冷陰極(4”)とからなるイオン化装置(4)が設けられて おり、 その際、材料蒸気源(1)とイオン化装置(4)の陽極(4’)及び陰極( 4”)とが、互いに電気的に切離されている、 負圧又は真空中において材料蒸気(6)によって基板(3)を被覆する装置 。 2 陽極(4’)及び/又は陰極(4”)が、その所望の冷却状態を達成するた めに冷却可能又は加熱可能であることを特徴とする、請求項1記載の装置。 3 陽極(4’)が、導電する溶融しにくいかつ高温に耐える材料からなること を特徴とする、請求項1又は2記載の装置。 4 陽極(4’)の範囲に追加的な磁界が加えられていることを特徴とする、請 求項1ないし3の1つに記載の装置。 5 陽極(4’)及び陰極(4”)のための電源がパルス状であることを特徴と する、請求項1ないし4の1つに記載の装置。 6 陰極焼失を均一化することによって陰極安定性を増加する追加的な装置が設 けられていることを特徴とする、1ないし5の1つに記載の装置。 7 アーク放電を点弧する追加的な点弧装置が設けられていることを特徴とする 、請求項1ないし6の1つに記載の装置。 8 イオンを加速する追加的な装置が設けられていることを特徴とする、請求項 1ないし7の1つに記載の装置。 9 材料蒸気源(1)と被覆すべき基板(3)との間にイオン化装置(4)が配 置されていることを特徴とする、請求項1ないし8の1 つに記載の装置。 10 イオン化装置(4)の位置及び/又は被覆すべき基板(3)の位置及び/ 又は材料蒸気源(1)の位置の間の距離が可変であることを特徴とする、請求項 1ないし9の1つに記載の装置。 11 材料蒸気源(1)として、抵抗、誘導又は電子ビーム加熱されるるつぼに よる熱蒸発による、スパッタリング技術による、陽極又は陰極アーク蒸発による 材料蒸気発生器、又は適当なガス又はガス混合気を有する材料蒸気供給部が設け られていることを特徴とする、請求項1ないし10の1つに記載の装置。 12 適当な供給部を介してイオン化領域に、追加的な反応ガス又は反応ガス混 合気が供給可能であることを特徴とする、請求項1ないし11の1つに記載の装 置。 13 陽極(4’)が、反応ガス又は反応ガス混合気のための供給部として構成 されていることを特徴とする、請求項12記載の装置。 14 反応ガス又は反応ガス混合気のための供給部として、陽極(4’)が、開 口を有する管の形に構成されていることを特徴とする、請求項12又は13記載 の装置。 15 請求項1ないし14の1つに記載の装置を利用して被覆された基板。
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE4440521A DE4440521C1 (de) | 1994-11-12 | 1994-11-12 | Vorrichtung zum Beschichten von Substraten mit einem Materialdampf im Unterdruck oder Vakuum |
| DE4440521.9 | 1994-11-12 | ||
| PCT/DE1995/001577 WO1996015544A1 (de) | 1994-11-12 | 1995-11-09 | Vorrichtung zum beschichten von substraten mit einem materialdampf im unterdruck oder vakuum |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09511792A true JPH09511792A (ja) | 1997-11-25 |
| JP3555033B2 JP3555033B2 (ja) | 2004-08-18 |
Family
ID=6533201
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP51564196A Expired - Fee Related JP3555033B2 (ja) | 1994-11-12 | 1995-11-09 | 負圧又は真空中において材料蒸気によつて基板を被覆する装置 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6302056B1 (ja) |
| EP (1) | EP0791226B1 (ja) |
| JP (1) | JP3555033B2 (ja) |
| DE (2) | DE4440521C1 (ja) |
| WO (1) | WO1996015544A1 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010528179A (ja) * | 2007-05-25 | 2010-08-19 | エーリコン・トレイディング・アーゲー・トリューバッハ | 真空処理装置及び真空処理方法 |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE19807331C2 (de) * | 1998-02-20 | 2002-03-21 | Borsi Kg F | Verfahren zum Beschichten einer klaren Acrylglasplatte mit einem metallischen Materialdampf |
| DE10065156C1 (de) | 2000-12-23 | 2002-02-21 | Huf Huelsbeck & Fuerst Gmbh | Verfahren zum Herstellen von mindestens zwei oberflächenmäßig unterschiedlichen Typen von Handhaben aus Kunststoffmaterial |
| CN102869183A (zh) * | 2011-07-08 | 2013-01-09 | 王殿儒 | 一种获得电离金属蒸气的方法 |
| CN107236933B (zh) * | 2017-08-03 | 2024-02-02 | 肇庆市科润真空设备有限公司 | 一种柔性基材镀厚膜用的镀膜设备及方法 |
Family Cites Families (22)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB1209026A (en) * | 1966-10-26 | 1970-10-14 | Atomic Energy Authority Uk | Improvements in or relating to cold cathode, glow discharge device |
| GB1447754A (en) * | 1972-06-15 | 1976-09-02 | Secr Defence | Apparatus for and process of metal coating |
| DD145283A1 (de) * | 1979-08-06 | 1980-12-03 | Helmut Bollinger | Verfahren zur herstellung von verschleissfesten und korrosionsbestaendigen schichten |
| US4336277A (en) * | 1980-09-29 | 1982-06-22 | The Regents Of The University Of California | Transparent electrical conducting films by activated reactive evaporation |
| JPS61238958A (ja) * | 1985-04-15 | 1986-10-24 | Hitachi Ltd | 複合薄膜形成法及び装置 |
| CH671407A5 (ja) | 1986-06-13 | 1989-08-31 | Balzers Hochvakuum | |
| US4960072A (en) * | 1987-08-05 | 1990-10-02 | Ricoh Company, Ltd. | Apparatus for forming a thin film |
| DE3941202A1 (de) | 1989-12-14 | 1990-06-07 | Fried. Krupp Gmbh, 4300 Essen | Verfahren zur erzeugung von schichten aus harten kohlenstoffmodifikationen und vorrichtung zur durchfuehrung des verfahrens |
| JP2758999B2 (ja) * | 1991-04-10 | 1998-05-28 | 株式会社神戸製鋼所 | 真空アーク蒸着装置 |
| JP2526182B2 (ja) | 1991-05-24 | 1996-08-21 | 株式会社日本製鋼所 | 化合物薄膜の形成方法及び装置 |
| JPH05117843A (ja) | 1991-10-28 | 1993-05-14 | Nissin Electric Co Ltd | 薄膜形成装置 |
| CH683776A5 (de) * | 1991-12-05 | 1994-05-13 | Alusuisse Lonza Services Ag | Beschichten einer Substratfläche mit einer Permeationssperre. |
| DE4200429A1 (de) * | 1992-01-10 | 1993-07-15 | Ehrich Plasma Coating | Verfahren zur ionisation thermisch erzeugter materialdaempfe und vorrichtung zur durchfuehrung des verfahrens |
| US5227203A (en) * | 1992-02-24 | 1993-07-13 | Nkk Corporation | Ion-plating method and apparatus therefor |
| JP2833372B2 (ja) | 1992-08-19 | 1998-12-09 | 日本電気株式会社 | ワイヤーボンディング装置 |
| DE4235199C1 (ja) | 1992-10-19 | 1993-04-22 | Fraunhofer-Gesellschaft Zur Foerderung Der Angewandten Forschung Ev, 8000 Muenchen, De | |
| JPH0790557A (ja) | 1993-09-28 | 1995-04-04 | Asahi Glass Co Ltd | 高品質膜の製膜装置 |
| JPH07151901A (ja) | 1993-11-26 | 1995-06-16 | Asahi Glass Co Ltd | 高品質多層膜およびその製造方法 |
| DE4343042C1 (de) | 1993-12-16 | 1995-03-09 | Fraunhofer Ges Forschung | Verfahren und Einrichtung zum plasmaaktivierten Bedampfen |
| JPH07188909A (ja) | 1993-12-28 | 1995-07-25 | Asahi Glass Co Ltd | 真空製膜装置及びそれにより製造された膜 |
| DE4425221C1 (de) * | 1994-07-16 | 1995-08-24 | Dresden Vakuumtech Gmbh | Verfahren und Einrichtung zum plasmagestützten Beschichten von Substraten in reaktiver Atmosphäre |
| US5587207A (en) * | 1994-11-14 | 1996-12-24 | Gorokhovsky; Vladimir I. | Arc assisted CVD coating and sintering method |
-
1994
- 1994-11-12 DE DE4440521A patent/DE4440521C1/de not_active Expired - Fee Related
-
1995
- 1995-11-09 JP JP51564196A patent/JP3555033B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 1995-11-09 EP EP95937758A patent/EP0791226B1/de not_active Expired - Lifetime
- 1995-11-09 DE DE59507711T patent/DE59507711D1/de not_active Expired - Fee Related
- 1995-11-09 US US08/849,433 patent/US6302056B1/en not_active Expired - Fee Related
- 1995-11-09 WO PCT/DE1995/001577 patent/WO1996015544A1/de not_active Ceased
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010528179A (ja) * | 2007-05-25 | 2010-08-19 | エーリコン・トレイディング・アーゲー・トリューバッハ | 真空処理装置及び真空処理方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0791226A1 (de) | 1997-08-27 |
| DE4440521C1 (de) | 1995-11-02 |
| JP3555033B2 (ja) | 2004-08-18 |
| WO1996015544A1 (de) | 1996-05-23 |
| US6302056B1 (en) | 2001-10-16 |
| EP0791226B1 (de) | 2000-01-26 |
| DE59507711D1 (de) | 2000-03-02 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3652702B2 (ja) | プラズマ処理用線形アーク放電発生装置 | |
| US5614273A (en) | Process and apparatus for plasma-activated electron beam vaporization | |
| RU2472869C2 (ru) | Установка вакуумной обработки и способ вакуумной обработки | |
| TWI411696B (zh) | 沉積電絕緣層之方法 | |
| JPH02285072A (ja) | 加工物表面のコーティング方法及びその加工物 | |
| US6352627B2 (en) | Method and device for PVD coating | |
| JPH1060659A (ja) | プラズマ処理装置 | |
| JP3345009B2 (ja) | 加熱により製造された材料蒸気のイオン化方法及び該方法を実施する装置 | |
| JPH0122729B2 (ja) | ||
| KR100356565B1 (ko) | 증가된 박막 성장 속도로 산화 마그네슘 박막을 형성할 수 있는박막 성장 방법 및 장치 | |
| JP3555033B2 (ja) | 負圧又は真空中において材料蒸気によつて基板を被覆する装置 | |
| US6083356A (en) | Method and device for pre-treatment of substrates | |
| JP2024522797A (ja) | 中空物品の内部表面をコーティングするための装置及び方法 | |
| US6869509B2 (en) | Source for vacuum treatment process | |
| JP3717655B2 (ja) | プラズマ発生装置及び薄膜形成装置 | |
| JPH04198474A (ja) | イオンプレーティング方法および装置 | |
| JP2857743B2 (ja) | 薄膜形成装置および薄膜形成方法 | |
| JPS5941509B2 (ja) | 強付着性の特に硬質炭素層を大きな面積に蒸着するための装置 | |
| JP3330159B2 (ja) | ダイナミックミキシング装置 | |
| JP4792571B2 (ja) | Pvdコーティング装置 | |
| JPH08260132A (ja) | 真空アーク蒸着方法及び装置 | |
| Zimmermann et al. | Gas Discharge Electron Sources—Powerful Tools for Thin-Film Technologies | |
| JP2504426B2 (ja) | cBN薄膜の形成方法及び形成装置 | |
| RU2423754C2 (ru) | Способ и устройство для изготовления очищенных подложек или чистых подложек, подвергающихся дополнительной обработке | |
| JP3452458B2 (ja) | 薄膜形成装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20031119 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20040406 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20040428 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090521 Year of fee payment: 5 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |