JPH095197A - 半導体圧力センサ - Google Patents
半導体圧力センサInfo
- Publication number
- JPH095197A JPH095197A JP17435495A JP17435495A JPH095197A JP H095197 A JPH095197 A JP H095197A JP 17435495 A JP17435495 A JP 17435495A JP 17435495 A JP17435495 A JP 17435495A JP H095197 A JPH095197 A JP H095197A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pressure
- sensor element
- pressure sensor
- semiconductor
- organic solvent
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 24
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 claims abstract description 15
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 6
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 4
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims abstract description 4
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims abstract description 3
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims abstract description 3
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 18
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 18
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 abstract description 21
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 abstract description 9
- 239000000843 powder Substances 0.000 abstract description 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 14
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- 230000008961 swelling Effects 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 3
- ATUOYWHBWRKTHZ-UHFFFAOYSA-N Propane Chemical compound CCC ATUOYWHBWRKTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 2
- 230000008602 contraction Effects 0.000 description 2
- VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N methane Chemical compound C VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000012466 permeate Substances 0.000 description 2
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 2
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 2
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 125000000118 dimethyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 description 1
- 229920001971 elastomer Polymers 0.000 description 1
- 150000002222 fluorine compounds Chemical class 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001771 impaired effect Effects 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 description 1
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 1
- 239000001294 propane Substances 0.000 description 1
- 239000005060 rubber Substances 0.000 description 1
- 229920002379 silicone rubber Polymers 0.000 description 1
- 239000004945 silicone rubber Substances 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- 230000001629 suppression Effects 0.000 description 1
- 229920003051 synthetic elastomer Polymers 0.000 description 1
- 239000005061 synthetic rubber Substances 0.000 description 1
- -1 trifluoropropylmethyl Chemical group 0.000 description 1
Landscapes
- Measuring Fluid Pressure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 温度の変化など外部からの影響によるノイズ
が少なく、かつ有機溶媒ガスにも使用することができる
ようにする。 【構成】 半導体のセンサ素子20と、被測定圧を導入
する圧力導入筒25とが気密状態に接合されている。こ
の接合状態は、センサ素子20と圧力導入筒25の間
に、ほぼ等しい径の球状のシリコン、セラミックス、又
はシリカ粉からなるスペーサ30が複数個、一層に挟持
されており、その間隙にフロロシリコン樹脂32が充填
され接続されている。
が少なく、かつ有機溶媒ガスにも使用することができる
ようにする。 【構成】 半導体のセンサ素子20と、被測定圧を導入
する圧力導入筒25とが気密状態に接合されている。こ
の接合状態は、センサ素子20と圧力導入筒25の間
に、ほぼ等しい径の球状のシリコン、セラミックス、又
はシリカ粉からなるスペーサ30が複数個、一層に挟持
されており、その間隙にフロロシリコン樹脂32が充填
され接続されている。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】この発明は、流体圧力を半導体の
ダイアフラムにより受けて、圧力を電気信号に変換して
出力する半導体圧力センサに関する。
ダイアフラムにより受けて、圧力を電気信号に変換して
出力する半導体圧力センサに関する。
【0002】
【従来の技術】従来、例えば流体の圧力を精度良く測る
ことのできる小型圧力センサとして半導体式圧力センサ
が提供されている。ここで、センサ素子とそれを取り付
ける基台との間の熱膨係数の差等で生ずるノイズを解消
する半導体圧力センサが、特開昭59−102131号
公報等に開示されている。この半導体圧力センサは、セ
ンサ素子と基台との間にゲル状シリコン樹脂を介在させ
て、センサ素子と基台との間に力が伝わりにくくし、セ
ンサ素子と基台との間に熱膨張係数の違いによって発生
する伸び縮みの差を吸収させることにより、温度変化に
伴うノイズを解消するものである。
ことのできる小型圧力センサとして半導体式圧力センサ
が提供されている。ここで、センサ素子とそれを取り付
ける基台との間の熱膨係数の差等で生ずるノイズを解消
する半導体圧力センサが、特開昭59−102131号
公報等に開示されている。この半導体圧力センサは、セ
ンサ素子と基台との間にゲル状シリコン樹脂を介在させ
て、センサ素子と基台との間に力が伝わりにくくし、セ
ンサ素子と基台との間に熱膨張係数の違いによって発生
する伸び縮みの差を吸収させることにより、温度変化に
伴うノイズを解消するものである。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】上記従来の半導体圧力
センサは、メタンガス、プロパンガス、ガソリン等の有
機溶媒ガスの圧力測定に使用すると、有機溶媒ガスがゲ
ル状シリコン樹脂中に浸透し、図5に示す状態から、図
6に示すように、しだいにシリコン樹脂の接着層28が
膨潤してセンサ素子20のダイアフラムにひずみが生
じ、それに伴い出力信号にノイズが発生する。そして、
膨潤が接着層28全体に行き渡ると、図7に示すよう
に、センサ素子20のひずみは解消する。このため、有
機溶媒ガス等の測定にはシリコン樹脂の接着剤は不向き
であった。従って有機溶媒ガスに使用することができる
半導体圧力センサのセンサ素子と基台との間のダイボン
デイング材としては、金属ロウ等の無機系接合部材又
は、耐溶剤性合成ゴム等の有機系接合部材に限られてい
た。しかしこれら接合材も半導体圧力センサ素子の要求
接合条件に必ずしもマッチせず、精度、直線性、温度特
性等のセンサ素子特性を犠牲にしているものであった。
センサは、メタンガス、プロパンガス、ガソリン等の有
機溶媒ガスの圧力測定に使用すると、有機溶媒ガスがゲ
ル状シリコン樹脂中に浸透し、図5に示す状態から、図
6に示すように、しだいにシリコン樹脂の接着層28が
膨潤してセンサ素子20のダイアフラムにひずみが生
じ、それに伴い出力信号にノイズが発生する。そして、
膨潤が接着層28全体に行き渡ると、図7に示すよう
に、センサ素子20のひずみは解消する。このため、有
機溶媒ガス等の測定にはシリコン樹脂の接着剤は不向き
であった。従って有機溶媒ガスに使用することができる
半導体圧力センサのセンサ素子と基台との間のダイボン
デイング材としては、金属ロウ等の無機系接合部材又
は、耐溶剤性合成ゴム等の有機系接合部材に限られてい
た。しかしこれら接合材も半導体圧力センサ素子の要求
接合条件に必ずしもマッチせず、精度、直線性、温度特
性等のセンサ素子特性を犠牲にしているものであった。
【0004】この発明は、上記従来の技術の問題年に鑑
みて成されたもので、温度の変化など外部からの影響に
よるノイズが少なく、かつ有機溶媒ガスにも使用するこ
とができる半導体圧力センサを提供することを目的とす
る。
みて成されたもので、温度の変化など外部からの影響に
よるノイズが少なく、かつ有機溶媒ガスにも使用するこ
とができる半導体圧力センサを提供することを目的とす
る。
【0005】
【課題を解決するための手段】この発明は、半導体のセ
ンサ素子と、被測定圧を導入する圧力導入筒とが気密状
態に接合されているものであって、上記センサ素子と上
記圧力導入筒の間に、フロロシリコン樹脂が充填され接
続された半導体圧力センサである。さらに、その間に、
ほぼ等しい径の球状のシリコン、セラミックス、又はシ
リカ粉からなるスペーサが複数個、一層に挟持され、そ
の間隙にフロロシリコン樹脂が充填され接続された半導
体圧力センサである。
ンサ素子と、被測定圧を導入する圧力導入筒とが気密状
態に接合されているものであって、上記センサ素子と上
記圧力導入筒の間に、フロロシリコン樹脂が充填され接
続された半導体圧力センサである。さらに、その間に、
ほぼ等しい径の球状のシリコン、セラミックス、又はシ
リカ粉からなるスペーサが複数個、一層に挟持され、そ
の間隙にフロロシリコン樹脂が充填され接続された半導
体圧力センサである。
【0006】
【作用】この発明の圧力センサは、被測定圧力媒体であ
る有機溶媒ガスが圧力導入筒を経て、半導体の圧力セン
サ素子の裏面側に直接侵入し、このとき圧力センサ素子
と圧力導入筒の接合層に有機溶媒ガスが接触するが、接
合層のダイホンディング材であるフロロシリコン樹脂
は、有機溶媒による膨潤が少なく、圧力センサに歪みを
与えないものである。さらに、球状のスペーサが圧力セ
ンサ素子及び圧力導入筒との間に極めて薄いダイボンデ
ィング材層を形成するので、接合層の垂直方向の変形を
極めて小さい値に抑制することができるものである。こ
れにより、温度変化によりセンサ素子へ及ぶひずみを最
小限に抑制するものである。
る有機溶媒ガスが圧力導入筒を経て、半導体の圧力セン
サ素子の裏面側に直接侵入し、このとき圧力センサ素子
と圧力導入筒の接合層に有機溶媒ガスが接触するが、接
合層のダイホンディング材であるフロロシリコン樹脂
は、有機溶媒による膨潤が少なく、圧力センサに歪みを
与えないものである。さらに、球状のスペーサが圧力セ
ンサ素子及び圧力導入筒との間に極めて薄いダイボンデ
ィング材層を形成するので、接合層の垂直方向の変形を
極めて小さい値に抑制することができるものである。こ
れにより、温度変化によりセンサ素子へ及ぶひずみを最
小限に抑制するものである。
【0007】
【実施例】以下、この発明の一実施例について図面に基
づいて説明する。この実施例の圧力センサは、図1に示
すように、Si半導体センサ素子20がセンサケース2
1内に設けられ、センサ素子20とリードフレーム端子
22の基端部22aとが金線23によりワイヤボンディ
ングされている。センサケース21は、リードフレーム
端子22と、圧力導入部である圧力導入筒25がインサ
ート成型により、一体に設けられており、この圧力導入
筒25は基端部にはセンサ取付用のフランジ部26が形
成されている。センサ素子20は、接合層28でフラン
ジ部26に気密状態に接着されている。
づいて説明する。この実施例の圧力センサは、図1に示
すように、Si半導体センサ素子20がセンサケース2
1内に設けられ、センサ素子20とリードフレーム端子
22の基端部22aとが金線23によりワイヤボンディ
ングされている。センサケース21は、リードフレーム
端子22と、圧力導入部である圧力導入筒25がインサ
ート成型により、一体に設けられており、この圧力導入
筒25は基端部にはセンサ取付用のフランジ部26が形
成されている。センサ素子20は、接合層28でフラン
ジ部26に気密状態に接着されている。
【0008】そしてリードフレーム端子22は 図4に
示すように、基板40にハンダ付けられ、基板40に取
り付けられた外部接続端子42に電気的に接続される。
ここで図4において中心線の右側がリードフレーム端子
22の延手方向の縦断面であり、中心線の左側は、上記
リードフレーム端子22の延手方向と直交する方向の縦
断面である。基板40が固定されたセンサケース21
は、外装ケース本体41に取り付けられ、圧力導入筒2
5と外装ケース本体41の内壁面との間には、例えば耐
有機溶媒性ゴムのOリング46が緊密に嵌め込まれてい
る。また、外装ケース本体41には蓋部材48が取り付
けられ、蓋部材48には大気圧側に接続される大気圧導
入口49が形成されている。
示すように、基板40にハンダ付けられ、基板40に取
り付けられた外部接続端子42に電気的に接続される。
ここで図4において中心線の右側がリードフレーム端子
22の延手方向の縦断面であり、中心線の左側は、上記
リードフレーム端子22の延手方向と直交する方向の縦
断面である。基板40が固定されたセンサケース21
は、外装ケース本体41に取り付けられ、圧力導入筒2
5と外装ケース本体41の内壁面との間には、例えば耐
有機溶媒性ゴムのOリング46が緊密に嵌め込まれてい
る。また、外装ケース本体41には蓋部材48が取り付
けられ、蓋部材48には大気圧側に接続される大気圧導
入口49が形成されている。
【0009】本実施例では、図1〜図3に示すように、
センサ素子20とフランジ部26との間の接合層28に
は、センサ素子20とフランジ部26との間隔を一定に
設定するための球状のスペーサ30が複数個、一層に並
べられ、このスペーサを包むようにフロロシリコン樹脂
32が充填され、センサ素子20とフランジ部26の接
着が成されている。このフロロシリコン樹脂32は、ジ
メチルシリコンゴムの側鎖のメチル基の全てないしは一
部をトリフロロプロピルメチル等のフッ素化合物で置換
したものであり、この樹脂は通常のシリコン樹脂の持つ
特徴を全て持ち、加えて著しく耐溶剤性を向上させたも
のである。
センサ素子20とフランジ部26との間の接合層28に
は、センサ素子20とフランジ部26との間隔を一定に
設定するための球状のスペーサ30が複数個、一層に並
べられ、このスペーサを包むようにフロロシリコン樹脂
32が充填され、センサ素子20とフランジ部26の接
着が成されている。このフロロシリコン樹脂32は、ジ
メチルシリコンゴムの側鎖のメチル基の全てないしは一
部をトリフロロプロピルメチル等のフッ素化合物で置換
したものであり、この樹脂は通常のシリコン樹脂の持つ
特徴を全て持ち、加えて著しく耐溶剤性を向上させたも
のである。
【0010】しかし、フロロシリコン樹脂も、図5〜図
7に示すように、有機溶媒ガスに接触すると少々ではあ
るが膨潤を生ずるものであり、有機溶媒ガスが浸透、拡
散するまで信号はドリフトし続けるものである。その対
策として球状のスペーサ30が、センサ素子20とフラ
ンジ部26との間のフロロシリコン樹脂32の層の中に
挟持されており、スペーサ30はセンサ素子20及びフ
ランジ部26との間に極めて薄いフロロシリコン樹脂層
を形成して固定されているものである。よってフロロシ
リコン樹脂32が有機溶媒ガスに接触し、膨潤しても、
この極めて薄い層により、信号にノイズをあたえる程垂
直方向の変化が生ぜず、ひずみを最小に抑えることがで
きる。従って信号のドリフトはかなり抑制することがで
きる。尚、抑制量はスペーサの充填率、センサ素子20
の剛性で決まるものである。
7に示すように、有機溶媒ガスに接触すると少々ではあ
るが膨潤を生ずるものであり、有機溶媒ガスが浸透、拡
散するまで信号はドリフトし続けるものである。その対
策として球状のスペーサ30が、センサ素子20とフラ
ンジ部26との間のフロロシリコン樹脂32の層の中に
挟持されており、スペーサ30はセンサ素子20及びフ
ランジ部26との間に極めて薄いフロロシリコン樹脂層
を形成して固定されているものである。よってフロロシ
リコン樹脂32が有機溶媒ガスに接触し、膨潤しても、
この極めて薄い層により、信号にノイズをあたえる程垂
直方向の変化が生ぜず、ひずみを最小に抑えることがで
きる。従って信号のドリフトはかなり抑制することがで
きる。尚、抑制量はスペーサの充填率、センサ素子20
の剛性で決まるものである。
【0011】この実施例の圧力センサの使用方法は、ま
ず圧力導入部45と被測定圧力側に接続し、大気圧導入
口49を大気圧側に開放する。圧力測定する有機溶媒ガ
ス等は、圧力導入部45を通り、圧力導入筒25を経
て、センサ素子20の裏面側に直接接触し、センサ素子
20は、圧力により歪みが生じ、それに伴い変化するセ
ンサ素子20の抵抗値を検出し、有機溶媒ガス等の圧力
を測定する。
ず圧力導入部45と被測定圧力側に接続し、大気圧導入
口49を大気圧側に開放する。圧力測定する有機溶媒ガ
ス等は、圧力導入部45を通り、圧力導入筒25を経
て、センサ素子20の裏面側に直接接触し、センサ素子
20は、圧力により歪みが生じ、それに伴い変化するセ
ンサ素子20の抵抗値を検出し、有機溶媒ガス等の圧力
を測定する。
【0012】この実施例の圧力センサに使用しているフ
ロロシリコン樹脂は、通常のシリコン樹脂の特徴を有し
ているので、センサ素子20の電気特性を損なわず、ま
た温度変化によって、センサ素子20とフランジ部26
との間に生ずる伸び縮みの差を吸収することができる。
そしてこの圧力センサは接合層28に球状のスペーサ3
0を挟入することにより、フロロシリコン樹脂の有機溶
媒により膨潤から生ずる歪みを最小に抑制することがで
き、また作業性を犠牲にすることなく均一の厚みを有す
る結合層28を形成することが可能であり、優れた再現
性を有するものである。
ロロシリコン樹脂は、通常のシリコン樹脂の特徴を有し
ているので、センサ素子20の電気特性を損なわず、ま
た温度変化によって、センサ素子20とフランジ部26
との間に生ずる伸び縮みの差を吸収することができる。
そしてこの圧力センサは接合層28に球状のスペーサ3
0を挟入することにより、フロロシリコン樹脂の有機溶
媒により膨潤から生ずる歪みを最小に抑制することがで
き、また作業性を犠牲にすることなく均一の厚みを有す
る結合層28を形成することが可能であり、優れた再現
性を有するものである。
【0013】
【発明の効果】この発明の圧力センサは、被測定流体が
有機溶媒ガスであっても、有機溶媒ガスのフロロシリコ
ン樹脂への浸透によるセンサのノイズが極めて少なく、
センサ素子の精度、直線性、温度特性という電気特性が
きわめて良好なものである。さらに、スペーサにより、
フロロシリコン樹脂に膨潤が生じても、それによる歪み
がセンサ素子に影響せず、測定値の精度が高いものであ
る。
有機溶媒ガスであっても、有機溶媒ガスのフロロシリコ
ン樹脂への浸透によるセンサのノイズが極めて少なく、
センサ素子の精度、直線性、温度特性という電気特性が
きわめて良好なものである。さらに、スペーサにより、
フロロシリコン樹脂に膨潤が生じても、それによる歪み
がセンサ素子に影響せず、測定値の精度が高いものであ
る。
【図1】この発明の一実施例の圧力センサの縦断面図で
ある。
ある。
【図2】この実施例の圧力センサのセンサ素子とフラン
ジ部の接合層の拡大縦断面図である。
ジ部の接合層の拡大縦断面図である。
【図3】図2のスペーサとフランジ部との接合部分の拡
大図である。
大図である。
【図4】この実施例の圧力センサを外装ケースに取り付
けた状態の縦断面図である。
けた状態の縦断面図である。
【図5】有機溶媒ガス環境下でのシリコン樹脂の挙動を
示す模式図である。
示す模式図である。
【図6】有機溶媒ガス環境下でのシリコン樹脂の挙動を
示す模式図である。
示す模式図である。
【図7】有機溶媒ガス環境下でのシリコン樹脂の挙動を
示す模式図である。
示す模式図である。
20 センサ素子 25 圧力導入筒 28 接合層 30 スペーサ 32 フロロシリコン樹脂
Claims (3)
- 【請求項1】 半導体の圧力センサ素子と被測定圧を導
入する圧力導入部とが気密状態に接合された半導体圧力
センサにおいて、上記圧力センサ素子と上記圧力導入部
の間にフロロシリコン樹脂が充填され接着されたことを
特徴とする半導体圧力センサ。 - 【請求項2】 半導体の圧力センサ素子と被測定圧を導
入する圧力導入部とが気密状態に接合された半導体圧力
センサにおいて、上記圧力センサ素子と上記圧力導入部
の間に球状のスペーサが複数個一層に挟持されており、
上記圧力センサ素子と圧力導入部筒とスペーサの間隙に
フロロシリコン樹脂が充填され接着されたことを特徴と
する半導体圧力センサ。 - 【請求項3】 上記スペーサは、シリコン、セラミック
ス、又はシリカてある請求項2記載の半導体圧力セン
サ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17435495A JPH095197A (ja) | 1995-06-15 | 1995-06-15 | 半導体圧力センサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17435495A JPH095197A (ja) | 1995-06-15 | 1995-06-15 | 半導体圧力センサ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH095197A true JPH095197A (ja) | 1997-01-10 |
Family
ID=15977167
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17435495A Pending JPH095197A (ja) | 1995-06-15 | 1995-06-15 | 半導体圧力センサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH095197A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH11108782A (ja) * | 1997-10-02 | 1999-04-23 | Denso Corp | 半導体力学量センサ |
| US6390539B2 (en) | 1997-06-18 | 2002-05-21 | Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha | Automotive impact energy absorbing structure |
| US6450565B2 (en) | 2000-05-29 | 2002-09-17 | Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha | Side wall construction of vehicle body with door reinforced longitudinally |
-
1995
- 1995-06-15 JP JP17435495A patent/JPH095197A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6390539B2 (en) | 1997-06-18 | 2002-05-21 | Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha | Automotive impact energy absorbing structure |
| US6394536B2 (en) | 1997-06-18 | 2002-05-28 | Toyota Jidosha Kabushi Kaisha | Automotive impact energy absorbing structure |
| JPH11108782A (ja) * | 1997-10-02 | 1999-04-23 | Denso Corp | 半導体力学量センサ |
| US6450565B2 (en) | 2000-05-29 | 2002-09-17 | Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha | Side wall construction of vehicle body with door reinforced longitudinally |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR102406604B1 (ko) | 압력 센서의 보정을 위한 방법 및 장치 | |
| US8297125B2 (en) | Media isolated differential pressure sensor with cap | |
| US8230745B2 (en) | Wet/wet differential pressure sensor based on microelectronic packaging process | |
| CN105953970B (zh) | 具有多个传感器元件的封装的传感器 | |
| JP4044307B2 (ja) | 圧力センサ | |
| US3697917A (en) | Semiconductor strain gage pressure transducer | |
| US5412994A (en) | Offset pressure sensor | |
| US20250116540A1 (en) | Temperature-pressure sensor | |
| KR20080093434A (ko) | 실리콘 프릿으로 접착된 캡을 구비한 압력 센서 | |
| US5335549A (en) | Semiconductor pressure sensor having double diaphragm structure | |
| US9739680B2 (en) | Flat covered leadless pressure sensor assemblies suitable for operation in extreme environments | |
| JPH07103837A (ja) | 物理量検出センサ | |
| US7698951B2 (en) | Pressure-sensor apparatus | |
| US20190204174A1 (en) | Filling body for reducing a volume of a pressure measurement chamber | |
| US7597005B2 (en) | Pressure sensor housing and configuration | |
| JPH095197A (ja) | 半導体圧力センサ | |
| JP3593397B2 (ja) | 半導体圧力センサ | |
| JPH02196938A (ja) | 圧力センサ | |
| JPH04370726A (ja) | 半導体圧力センサ | |
| JPS6141252Y2 (ja) | ||
| JPH0749275A (ja) | 圧力センサ用の出力回路装置 | |
| JP2000002607A (ja) | ガス圧力検知装置 | |
| JPS6155264B2 (ja) | ||
| JPH01114731A (ja) | 半導体圧力トランスデューサ | |
| JPS5847013B2 (ja) | 圧力検出装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20040130 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Effective date: 20040310 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20040507 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Effective date: 20050615 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 |