JPH0952762A - アルミナ質磁器組成物 - Google Patents
アルミナ質磁器組成物Info
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- JPH0952762A JPH0952762A JP7205751A JP20575195A JPH0952762A JP H0952762 A JPH0952762 A JP H0952762A JP 7205751 A JP7205751 A JP 7205751A JP 20575195 A JP20575195 A JP 20575195A JP H0952762 A JPH0952762 A JP H0952762A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】アルミナ主成分の磁器において、低誘電損失を
維持したまま、共振周波数の温度係数を小さくすること
が困難であった。 【解決手段】Ａｌ2 Ｏ3 、ＴｉＯ2 およびＮｂ2 Ｏ5 を
主成分とし、各成分のモル比による組成比が、図１のＡ
ｌ2 Ｏ3 −ＴｉＯ2 −Ｎｂ2 Ｏ5 ３成分組成図における
線分Ａ−Ｂ−Ｃ−Ｄ−Ａで囲まれた範囲内なるように調
製し、結晶相として、少なくともα−Ａｌ2 Ｏ3 とＴｉ
Ｏ2 を析出させることにより、測定周波数８ＧＨｚにお
ける誘電損失が１×１０-3以下、共振周波数の２５〜８
５℃における温度係数の絶対値｜τｆ｜が３０ｐｐｍ以
下の優れた誘電特性を得る。
維持したまま、共振周波数の温度係数を小さくすること
が困難であった。 【解決手段】Ａｌ2 Ｏ3 、ＴｉＯ2 およびＮｂ2 Ｏ5 を
主成分とし、各成分のモル比による組成比が、図１のＡ
ｌ2 Ｏ3 −ＴｉＯ2 −Ｎｂ2 Ｏ5 ３成分組成図における
線分Ａ−Ｂ−Ｃ−Ｄ−Ａで囲まれた範囲内なるように調
製し、結晶相として、少なくともα−Ａｌ2 Ｏ3 とＴｉ
Ｏ2 を析出させることにより、測定周波数８ＧＨｚにお
ける誘電損失が１×１０-3以下、共振周波数の２５〜８
５℃における温度係数の絶対値｜τｆ｜が３０ｐｐｍ以
下の優れた誘電特性を得る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、誘電体共振器、マ
イクロ波導波路、マイクロ波コンデンサ、マイクロ波Ｉ
Ｃ基板、ＩＣパッケージ、誘電体アンテナ等の電気通信
分野またはマイクロ波透過窓等の核融合関係設備分野な
どの高周波用として好適に利用されるアルミナ質磁器組
成物に関する。
イクロ波導波路、マイクロ波コンデンサ、マイクロ波Ｉ
Ｃ基板、ＩＣパッケージ、誘電体アンテナ等の電気通信
分野またはマイクロ波透過窓等の核融合関係設備分野な
どの高周波用として好適に利用されるアルミナ質磁器組
成物に関する。
【０００２】
【従来技術】近年、通信網の急激な発展に伴って、通信
に使用する周波数が拡大すると同時に、マイクロ波領域
やミリ波領域などの高周波領域にまで及びつつある。一
方、誘電体磁器は、コンデンサなどの他に、誘電体共振
器や集積回路基板、誘電体アンテナ、各種高周波回路の
インピーダンス整合等に応用されており、これらについ
てもマイクロ波やミリ波に対しても適応可能なものが望
まれている。例えば、フィルタやガンまたはＦＥＴマイ
クロ波発振器の周波数安定化のために必要となり、その
需要が増大している。
に使用する周波数が拡大すると同時に、マイクロ波領域
やミリ波領域などの高周波領域にまで及びつつある。一
方、誘電体磁器は、コンデンサなどの他に、誘電体共振
器や集積回路基板、誘電体アンテナ、各種高周波回路の
インピーダンス整合等に応用されており、これらについ
てもマイクロ波やミリ波に対しても適応可能なものが望
まれている。例えば、フィルタやガンまたはＦＥＴマイ
クロ波発振器の周波数安定化のために必要となり、その
需要が増大している。
【０００３】マイクロ波回路素子の大きさは、電磁波の
波長が基準となっており、誘電体を用いたマイクロ波立
体回路内を電磁波が伝搬するときのその波長は、真空中
の波長をλ0 、比誘電率をεとするとλ0 ／ε1/2 とな
る。
波長が基準となっており、誘電体を用いたマイクロ波立
体回路内を電磁波が伝搬するときのその波長は、真空中
の波長をλ0 、比誘電率をεとするとλ0 ／ε1/2 とな
る。
【０００４】一方、セラミックスとして最も一般に使用
されているアルミナは、サファイア単結晶の場合、誘電
率が１０前後、誘電損失は１０-6（８ＧＨｚ）と低損失
であるが、非常に高価である。これに対して、アルミナ
粉末に各種の焼結助剤を添加し焼結したアルミナ質焼結
体は、機械的強度が高く、低コストであるため上述した
ような電気通信分野での利用が大いに期待されている。
されているアルミナは、サファイア単結晶の場合、誘電
率が１０前後、誘電損失は１０-6（８ＧＨｚ）と低損失
であるが、非常に高価である。これに対して、アルミナ
粉末に各種の焼結助剤を添加し焼結したアルミナ質焼結
体は、機械的強度が高く、低コストであるため上述した
ような電気通信分野での利用が大いに期待されている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、アルミ
ナを主成分とする磁器は、そもそも共振周波数の温度係
数（以下、τｆと記す）が約−５５ｐｐｍ／℃と大きい
ため使用用途が極めて制限されるという問題があった。
このτｆを制御する方法としては、τｆが正の成分と負
の成分を適宜組み合わせることにより調整することが可
能であるが、誘電損失が大きくなるなど、高周波におけ
る低損失を維持しつつ、τｆを小さくすることは困難で
あった。また、サファイア（Ａｌ2 Ｏ3 ）などの単結晶
の誘電損失が非常に低いが、アルミナ質焼結体に比較し
て非常に高いという問題がある。
ナを主成分とする磁器は、そもそも共振周波数の温度係
数（以下、τｆと記す）が約−５５ｐｐｍ／℃と大きい
ため使用用途が極めて制限されるという問題があった。
このτｆを制御する方法としては、τｆが正の成分と負
の成分を適宜組み合わせることにより調整することが可
能であるが、誘電損失が大きくなるなど、高周波におけ
る低損失を維持しつつ、τｆを小さくすることは困難で
あった。また、サファイア（Ａｌ2 Ｏ3 ）などの単結晶
の誘電損失が非常に低いが、アルミナ質焼結体に比較し
て非常に高いという問題がある。
【０００６】そのため、サファイアと同程度の低誘電損
失を有しつつ、しかもτｆの小さい安価な磁器が要求さ
れていた。
失を有しつつ、しかもτｆの小さい安価な磁器が要求さ
れていた。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、まず、ア
ルミナのτｆの絶対値を低下させるためには、アルミナ
と逆の符号の温度係数を持つ化合物を添加する必要があ
ることを前提に種々検討した結果、アルミナへの添加物
として、ＴｉＯ2 とＮｂ2 Ｏ5 とを特定の範囲で組み合
わせて添加した結果、低誘電損失と、τｆの絶対値を低
減できることを見いだし、本発明に至った。
ルミナのτｆの絶対値を低下させるためには、アルミナ
と逆の符号の温度係数を持つ化合物を添加する必要があ
ることを前提に種々検討した結果、アルミナへの添加物
として、ＴｉＯ2 とＮｂ2 Ｏ5 とを特定の範囲で組み合
わせて添加した結果、低誘電損失と、τｆの絶対値を低
減できることを見いだし、本発明に至った。
【０００８】即ち、本発明のアルミナ質磁器組成物は、
Ａｌ2 Ｏ3 、ＴｉＯ2 およびＮｂ2Ｏ5 を主成分とし、
各成分のモル比による組成比が、図１のＡｌ2 Ｏ3 −Ｔ
ｉＯ2 −Ｎｂ2 Ｏ5 ３成分組成図における の点による線分Ａ−Ｂ−Ｃ−Ｄ−Ａで囲まれた範囲内に
あることを特徴とするものであり、さらには、結晶相と
して、少なくともα−Ａｌ2 Ｏ3 とＴｉＯ2 を含み、測
定周波数８ＧＨｚにおける誘電損失が１×１０-3以下、
共振周波数の２５〜８５℃における温度係数の絶対値｜
τｆ｜が３０ｐｐｍ以下の優れた誘電特性を有するもの
である。
Ａｌ2 Ｏ3 、ＴｉＯ2 およびＮｂ2Ｏ5 を主成分とし、
各成分のモル比による組成比が、図１のＡｌ2 Ｏ3 −Ｔ
ｉＯ2 −Ｎｂ2 Ｏ5 ３成分組成図における の点による線分Ａ−Ｂ−Ｃ−Ｄ−Ａで囲まれた範囲内に
あることを特徴とするものであり、さらには、結晶相と
して、少なくともα−Ａｌ2 Ｏ3 とＴｉＯ2 を含み、測
定周波数８ＧＨｚにおける誘電損失が１×１０-3以下、
共振周波数の２５〜８５℃における温度係数の絶対値｜
τｆ｜が３０ｐｐｍ以下の優れた誘電特性を有するもの
である。
【０００９】
【作用】本発明によれば、Ａｌ2 Ｏ3 に対して、ＴｉＯ
2 とＮｂ2 Ｏ5 の複合添加により生成されるＴｉＯ2 に
より温度係数τｆを正側に移行させることができる。そ
の結果、測定周波数８ＧＨｚにおいて誘電損失が１×１
０-3以下を維持しつつ、τｆの絶対値を３０ｐｐｍ／℃
以下に制御することが可能となり、これにより高周波領
域の電気通信分野での広範囲の利用ができるようになっ
た。
2 とＮｂ2 Ｏ5 の複合添加により生成されるＴｉＯ2 に
より温度係数τｆを正側に移行させることができる。そ
の結果、測定周波数８ＧＨｚにおいて誘電損失が１×１
０-3以下を維持しつつ、τｆの絶対値を３０ｐｐｍ／℃
以下に制御することが可能となり、これにより高周波領
域の電気通信分野での広範囲の利用ができるようになっ
た。
【００１０】なお、Ａｌ2 Ｏ3 量が、上記の組成範囲よ
りも過剰となるとτｆが負に大きくなり、逆に上記の組
成範囲よりも少ないとτｆは正に大きくなるか、あるい
は誘電損失が１×１０-3を越えてしまう。また、アルミ
ナ含有量が範囲内であっても、Ｎｂ2 Ｏ5 とＴｉＯ2 と
の比率が上記組成範囲を逸脱すると、Ａｌ2 ＴｉＯ５ま
たはＡｌＮｂＯ４ が過剰に析出し、誘電損失が１×１
０-3を越えてしまうか、共振周波数の温度係数の絶対値
が３０ｐｐｍ／℃を越えてしまう。
りも過剰となるとτｆが負に大きくなり、逆に上記の組
成範囲よりも少ないとτｆは正に大きくなるか、あるい
は誘電損失が１×１０-3を越えてしまう。また、アルミ
ナ含有量が範囲内であっても、Ｎｂ2 Ｏ5 とＴｉＯ2 と
の比率が上記組成範囲を逸脱すると、Ａｌ2 ＴｉＯ５ま
たはＡｌＮｂＯ４ が過剰に析出し、誘電損失が１×１
０-3を越えてしまうか、共振周波数の温度係数の絶対値
が３０ｐｐｍ／℃を越えてしまう。
【００１１】
【発明の実施の形態】本発明のアルミナ質磁器組成物
は、Ａｌ2 Ｏ3 、ＴｉＯ2 およびＮｂ2 Ｏ5 、あるいは
焼成により前記酸化物を形成しえる炭酸塩、硝酸塩など
の塩を用いて、図１の組成範囲になるように秤量混合し
た後、これを所望の成形手段、例えば、ドクターブレー
ド法などのシート成形法、金型プレス法、冷間静水圧プ
レス法、押出し成形法、圧延法等により任意の形状に成
形する。その後、この成形体を、大気中などの酸化性雰
囲気中で１４００〜１７００℃の温度で焼成することに
より相対密度９８％以上に緻密化することができる。
は、Ａｌ2 Ｏ3 、ＴｉＯ2 およびＮｂ2 Ｏ5 、あるいは
焼成により前記酸化物を形成しえる炭酸塩、硝酸塩など
の塩を用いて、図１の組成範囲になるように秤量混合し
た後、これを所望の成形手段、例えば、ドクターブレー
ド法などのシート成形法、金型プレス法、冷間静水圧プ
レス法、押出し成形法、圧延法等により任意の形状に成
形する。その後、この成形体を、大気中などの酸化性雰
囲気中で１４００〜１７００℃の温度で焼成することに
より相対密度９８％以上に緻密化することができる。
【００１２】なお、本発明の磁器組成物においては、上
記Ａｌ2 Ｏ3 、ＴｉＯ2 、Ｎｂ2 Ｏ5 の成分以外に、例
えば、Ｍｇ、Ｓｉ、Ｆｅ、Ｃａ、Ｎａ、Ｇａなどの元素
が不可避不純物あるいは製造工程中において混入する場
合があるが、これらの成分は、酸化物換算で全量中０．
２重量％以下であれば、とりわけ本発明の効果に影響を
及ぼすことはない。
記Ａｌ2 Ｏ3 、ＴｉＯ2 、Ｎｂ2 Ｏ5 の成分以外に、例
えば、Ｍｇ、Ｓｉ、Ｆｅ、Ｃａ、Ｎａ、Ｇａなどの元素
が不可避不純物あるいは製造工程中において混入する場
合があるが、これらの成分は、酸化物換算で全量中０．
２重量％以下であれば、とりわけ本発明の効果に影響を
及ぼすことはない。
【００１３】
【実施例】純度９９．９％のＡｌ2 Ｏ3 粉末、ＴｉＯ2
粉末およびＮｂ2 Ｏ5 粉末を表１、表２の組成となるよ
うに秤量し、この混合粉末を、純度９９．９％のアルミ
ナボール、イソプロピルアルコール（ＩＰＡ）と共に５
００ｍｌポリポットに投入し、２４時間回転ミルにて混
合した。混合後のスラリーを８０℃大気中にて乾燥し８
０メッシュを通し評価粉末を得た。
粉末およびＮｂ2 Ｏ5 粉末を表１、表２の組成となるよ
うに秤量し、この混合粉末を、純度９９．９％のアルミ
ナボール、イソプロピルアルコール（ＩＰＡ）と共に５
００ｍｌポリポットに投入し、２４時間回転ミルにて混
合した。混合後のスラリーを８０℃大気中にて乾燥し８
０メッシュを通し評価粉末を得た。
【００１４】この粉末を金型プレスにて１０００ｋｇ／
ｃｍ2 で直径２０ｍｍ、厚み１０ｍｍに成形し、その後
３０００ｋｇ／ｃｍ2 で冷間静水圧成形（ＣＩＰ）を行
って成形した。そして、成形体は大気中、１５５０℃で
２時間保持して焼成した。
ｃｍ2 で直径２０ｍｍ、厚み１０ｍｍに成形し、その後
３０００ｋｇ／ｃｍ2 で冷間静水圧成形（ＣＩＰ）を行
って成形した。そして、成形体は大気中、１５５０℃で
２時間保持して焼成した。
【００１５】得られた焼結体を直径１５ｍｍ、厚み７．
５ｍｍに加工研磨した。そして、測定周波数８ＧＨｚで
の測定によって、誘電率（εｒ）、誘電損失（ｔａｎ
δ）、および２５〜８５℃における共振周波数の温度係
数（τｆ）を測定した。また、波長λ＝１．５４１８Å
のＣｕＫα線によるＸ線回折により試料の結晶相を同定
した。これらの測定結果は、表１、表２に示した。
５ｍｍに加工研磨した。そして、測定周波数８ＧＨｚで
の測定によって、誘電率（εｒ）、誘電損失（ｔａｎ
δ）、および２５〜８５℃における共振周波数の温度係
数（τｆ）を測定した。また、波長λ＝１．５４１８Å
のＣｕＫα線によるＸ線回折により試料の結晶相を同定
した。これらの測定結果は、表１、表２に示した。
【００１６】
【表１】
【００１７】
【表２】
【００１８】表１、表２の結果によれば、Ａｌ2 Ｏ3 含
有量が過多の試料Ｎo.１５、２０では、τｆの絶対値が
３０ｐｐｍ／℃を越え、Ａｌ2 Ｏ3 含有量が上記組成範
囲より少ない試料Ｎo.１１〜１３、２１もτｆの絶対値
が３０ｐｐｍ／℃を越えるものであった。また、ＴｉＯ
2 とＮｂ2 Ｏ5 の比率が本発明の範囲を逸脱する試料Ｎ
o.１０、１３、１４、１５では、τｆの絶対値がいずれ
も３０ｐｐｍ／℃を越えるか、誘電損失が１×１０-3を
越えるものであった。
有量が過多の試料Ｎo.１５、２０では、τｆの絶対値が
３０ｐｐｍ／℃を越え、Ａｌ2 Ｏ3 含有量が上記組成範
囲より少ない試料Ｎo.１１〜１３、２１もτｆの絶対値
が３０ｐｐｍ／℃を越えるものであった。また、ＴｉＯ
2 とＮｂ2 Ｏ5 の比率が本発明の範囲を逸脱する試料Ｎ
o.１０、１３、１４、１５では、τｆの絶対値がいずれ
も３０ｐｐｍ／℃を越えるか、誘電損失が１×１０-3を
越えるものであった。
【００１９】これに対して、本発明における組成範囲の
試料は、いずれも結晶相としてα−Ａｌ2 Ｏ3 と、Ｔｉ
Ｏ2 が析出しており、誘電率９〜２０、測定周波数８Ｇ
Ｈｚにおける誘電損失が１×１０-3以下、共振周波数の
２５〜８５℃における温度係数の絶対値｜τｆ｜が３０
ｐｐｍ／℃以下の優れた特性を示した。
試料は、いずれも結晶相としてα−Ａｌ2 Ｏ3 と、Ｔｉ
Ｏ2 が析出しており、誘電率９〜２０、測定周波数８Ｇ
Ｈｚにおける誘電損失が１×１０-3以下、共振周波数の
２５〜８５℃における温度係数の絶対値｜τｆ｜が３０
ｐｐｍ／℃以下の優れた特性を示した。
【００２０】これらの中でも、図１中、線分Ｅ−Ｆ−Ｇ
−Ｈ−Ｅで囲まれた領域内では、誘電率９〜２０、測定
周波数８ＧＨｚにおける誘電損失が１×１０-3以下、共
振周波数の２５〜８５℃における温度係数の絶対値｜τ
ｆ｜が１０ｐｐｍ／℃以下の優れた特性を示した。
−Ｈ−Ｅで囲まれた領域内では、誘電率９〜２０、測定
周波数８ＧＨｚにおける誘電損失が１×１０-3以下、共
振周波数の２５〜８５℃における温度係数の絶対値｜τ
ｆ｜が１０ｐｐｍ／℃以下の優れた特性を示した。
【００２１】
【発明の効果】以上詳述したように、本発明のアルミナ
質磁器組成物は、Ａｌ2 Ｏ3 に対して、ＴｉＯ2 および
Ｎｂ2 Ｏ5 を所定の関係を満足するように配合すること
により、低い誘電損失を維持したまま、共振周波数の温
度係数の絶対値を低減することができ、これにより、マ
イクロ波やミリ波に適応した誘電体共振器、マイクロ波
導波路、マイクロ波コンデンサ、マイクロ波ＩＣ基板、
ＩＣパッケージ、誘電体アンテナ等への応用が可能とな
った。
質磁器組成物は、Ａｌ2 Ｏ3 に対して、ＴｉＯ2 および
Ｎｂ2 Ｏ5 を所定の関係を満足するように配合すること
により、低い誘電損失を維持したまま、共振周波数の温
度係数の絶対値を低減することができ、これにより、マ
イクロ波やミリ波に適応した誘電体共振器、マイクロ波
導波路、マイクロ波コンデンサ、マイクロ波ＩＣ基板、
ＩＣパッケージ、誘電体アンテナ等への応用が可能とな
った。
【図１】本発明のアルミナ質磁器組成物のＡｌ2 Ｏ3 、
ＴｉＯ2 、Ｎｂ2 Ｏ5 の含有量を表す三成分系組成図で
ある。
ＴｉＯ2 、Ｎｂ2 Ｏ5 の含有量を表す三成分系組成図で
ある。
Claims (2)
- 【請求項１】Ａｌ2 Ｏ3 、ＴｉＯ2 およびＮｂ2 Ｏ5 を
主成分とし、各成分のモル比による組成比が、図１のＡ
ｌ2 Ｏ3 −ＴｉＯ2 −Ｎｂ2 Ｏ5 ３成分組成図における
線分Ａ−Ｂ−Ｃ−Ｄ−Ａで囲まれた範囲内にあることを
特徴とするアルミナ質磁器組成物。 - 【請求項２】結晶相として、少なくともα−Ａｌ2 Ｏ3
とＴｉＯ2 を含み、測定周波数８ＧＨｚにおける誘電損
失が１×１０-3以下、共振周波数の２５〜８５℃におけ
る温度係数の絶対値｜τｆ｜が３０ｐｐｍ以下の請求項
１記載のアルミナ質磁器組成物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20575195A JP3220361B2 (ja) | 1995-08-11 | 1995-08-11 | アルミナ質磁器組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20575195A JP3220361B2 (ja) | 1995-08-11 | 1995-08-11 | アルミナ質磁器組成物 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0952762A true JPH0952762A (ja) | 1997-02-25 |
| JP3220361B2 JP3220361B2 (ja) | 2001-10-22 |
Family
ID=16512061
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20575195A Expired - Fee Related JP3220361B2 (ja) | 1995-08-11 | 1995-08-11 | アルミナ質磁器組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3220361B2 (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2001021546A1 (en) * | 1999-09-21 | 2001-03-29 | Cts Corporation | Dielectric ceramic composition |
| US6242376B1 (en) * | 1999-09-21 | 2001-06-05 | Cts Corporation | Dielectric ceramic composition |
| US6549094B2 (en) | 2000-09-08 | 2003-04-15 | Murata Manufacturing Co. Ltd | High frequency ceramic compact, use thereof, and method of producing the same |
| US6559083B2 (en) | 2001-04-17 | 2003-05-06 | Cts Corporation | Dielectric ceramic composition |
| KR100426219B1 (ko) * | 2001-05-18 | 2004-04-06 | 홍국선 | 유전체 세라믹 조성물 및 이를 이용한 적층부품의 제조방법 |
| JP2020113631A (ja) * | 2019-01-10 | 2020-07-27 | 国立大学法人山梨大学 | 高周波用超伝導積層体 |
| CN115461854A (zh) * | 2020-05-28 | 2022-12-09 | 黑崎播磨株式会社 | 静电卡盘用电介质 |
-
1995
- 1995-08-11 JP JP20575195A patent/JP3220361B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2001021546A1 (en) * | 1999-09-21 | 2001-03-29 | Cts Corporation | Dielectric ceramic composition |
| US6242376B1 (en) * | 1999-09-21 | 2001-06-05 | Cts Corporation | Dielectric ceramic composition |
| US6549094B2 (en) | 2000-09-08 | 2003-04-15 | Murata Manufacturing Co. Ltd | High frequency ceramic compact, use thereof, and method of producing the same |
| US6559083B2 (en) | 2001-04-17 | 2003-05-06 | Cts Corporation | Dielectric ceramic composition |
| KR100426219B1 (ko) * | 2001-05-18 | 2004-04-06 | 홍국선 | 유전체 세라믹 조성물 및 이를 이용한 적층부품의 제조방법 |
| JP2020113631A (ja) * | 2019-01-10 | 2020-07-27 | 国立大学法人山梨大学 | 高周波用超伝導積層体 |
| CN115461854A (zh) * | 2020-05-28 | 2022-12-09 | 黑崎播磨株式会社 | 静电卡盘用电介质 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3220361B2 (ja) | 2001-10-22 |
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