JPH0952940A - エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 高流動性で、耐半田リフロー性、耐熱性、耐
吸湿性に優れた硬化物を与え、この硬化物で封止するこ
とにより信頼性の高い半導体装置を与えるエポキシ樹脂
組成物を得る。 【解決手段】 エポキシ樹脂、硬化剤及び無機質充填剤
を含有するエポキシ樹脂組成物において、エポキシ樹脂
の一部又は全部として下記一般式（１）で示されるブロ
ム化エポキシ樹脂を配合する。 【化１】 （但し、式中Ｒは水素原子又はメチル基であり、ｎは０
以上の整数であるが、ｎが０及び１のものの合計量が６
０重量％以上である。）

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、表面実装用パッケ
ージの成形時において高い信頼性を有する硬化物を与え
るエポキシ樹脂組成物及びこの硬化物で封止された半導
体装置に関する。

【０００２】

【従来の技術及び発明が解決しようとする課題】現在、
半導体産業の中では樹脂封止型のダイオード、トランジ
スター、ＩＣ、ＬＳＩ、超ＬＳＩが主流となっており、
中でもエポキシ樹脂、硬化剤及びこれに各種添加剤を配
合したエポキシ樹脂組成物は、一般に他の熱硬化性樹脂
に比べ成形性、接着性、電気特性、機械特性、耐湿性等
に優れているため、エポキシ樹脂組成物で半導体装置を
封止することが多く行われている。

【０００３】最近においては、これらの半導体装置は集
積度が益々大きくなり、それに応じてチップ寸法も大き
くなりつつある。一方、これに対してパッケージ外形寸
法は電子機器の小型化、軽量化の要求に伴い、小型化、
薄型化が進んでいる。更に、半導体部品を回路基板へ取
り付ける方法も、基板上の部品の高密度化のため半導体
部品の表面実装が幅広く行われるようになってきた。

【０００４】しかしながら、半導体装置を表面実装する
場合、半導体装置全体を半田槽に浸漬するか又は半田が
溶融する高温ゾーンを通過させる方法が一般的である
が、その際の熱衝撃により封止樹脂層にクラックが発生
したり、リードフレームやチップと封止樹脂との界面に
剥離が生じたりする。このようなクラックや剥離は、半
導体装置の信頼性を大きく損なうという問題がある。し
かし、実際の作業工程においては、封止用エポキシ樹脂
層の吸湿は避けられないため、低吸湿性のエポキシ樹脂
組成物に対する要求が高まり、種々の試みが行われてい
る。具体的にエポキシ樹脂組成物を低吸湿性とする取組
みとしては、低粘度のエポキシ樹脂、フェノール樹脂を
用い、シリカを高充填することで耐リフロー性を改善す
る努力がなされている。

【０００５】一方、エポキシ樹脂組成物を難燃化するた
めブロム化エポキシ樹脂、例えばノボラックタイプのブ
ロム化エポキシ樹脂やハイブロムタイプのエポキシ樹脂
が主に使用されている。しかし、従来のノボラックタイ
プのエポキシ樹脂は、粘度が高いためトランスファー成
形用のエポキシ樹脂組成物に添加した場合、フィラーを
高充填化できず、また液状のエポキシ樹脂組成物に添加
した場合は組成物の粘度が高くなり流動性に欠けるもの
となってしまう。また、ハイブロムタイプのブロム化エ
ポキシ樹脂は、重合度をある程度自由にコントロールで
きることから組成物の粘度を低くすることができるが、
この種のブロム化エポキシ樹脂を高温で放置した場合、
容易にブロム原子が遊離しやすい欠点がある。

【０００６】更に、最近、エポキシ樹脂組成物は耐リフ
ロー性を改善すべくフィラーを高充填化するためエポキ
シ樹脂、硬化剤とも低粘度品が使用されるようになって
きている。ブロム化エポキシ樹脂もこのため低粘度化品
が望まれ、主にハイブロムタイプがエポキシ樹脂組成物
のブロム化エポキシ樹脂として採用されるようになって
きている。しかし、一方で低粘度樹脂の使用により硬化
物のガラス転移温度が低下し、この種のエポキシ樹脂組
成物で封止した半導体装置は高温保管下において金線と
アルミ配線の結合部において金属間化合物を生じ、抵抗
が増大したり断線するといった信頼性の低下が大きな問
題となっており、この点の改善が望まれていた。

【０００７】本発明は、上記事情に鑑みなされたもの
で、高流動性で、耐半田リフロー性、耐熱性、耐吸湿性
に優れた硬化物を与え、この硬化物で封止することによ
り信頼性の高い半導体装置を与えるエポキシ樹脂組成物
及びこの組成物の硬化物で封止された半導体装置を提供
することを目的とする。

【０００８】

【課題を解決するための手段及び発明の実施の形態】本
発明者は上記目的を達成するため鋭意検討を重ねた結
果、エポキシ樹脂、硬化剤及び無機質充填剤を含有する
エポキシ樹脂組成物において、エポキシ樹脂の一部又は
全部として下記一般式（１）で示される２核体及び３核
体を主体とするブロム化エポキシ樹脂を配合することに
より、高流動性で、耐半田リフロー性、耐熱性、耐吸湿
性に優れた硬化物を与えるエポキシ樹脂組成物が得ら
れ、このエポキシ樹脂組成物の硬化物で封止した半導体
装置は、高温保管において金線とアルミ配線の結合部で
抵抗が増大したり断線するといったことがなく、信頼性
が高く高品質であることを知見し、本発明をなすに至っ
たものである。

【０００９】

【化２】 （但し、式中Ｒは水素原子又はメチル基であり、ｎは０
以上の整数であるが、ｎが０及び１のものの合計量が６
０重量％以上である。）

【００１０】従って、本発明は、エポキシ樹脂、硬化剤
及び無機質充填剤を含有するエポキシ樹脂組成物におい
て、エポキシ樹脂の一部又は全部として上記一般式
（１）で示されるブロム化エポキシ樹脂を含有すること
を特徴とするエポキシ樹脂組成物、及びこのエポキシ樹
脂組成物の硬化物で封止された半導体装置を提供する。

【００１１】以下、本発明につき更に詳細に説明する
と、本発明のエポキシ樹脂組成物は、エポキシ樹脂、硬
化剤及び無機質充填剤を配合してなるエポキシ樹脂組成
物において、エポキシ樹脂の一部又は全部として下記一
般式（１）で示されるブロム化エポキシ樹脂を含有する
ことを特徴とするものであり、これにより従来のブロム
化エポキシノボラック樹脂を用いた場合よりも良好な流
動性が得られ、また従来のハイブロムタイプのビスフェ
ノールＡ型エポキシ樹脂を使用した場合に比べ、耐熱性
の良好な特性を得ることができる。

【００１２】

【化３】 （但し、式中Ｒは水素原子又はメチル基であり、ｎは０
以上の整数であるが、ｎが０及び１のものの合計量が６
０重量％以上である。）

【００１３】ここで、上記式（１）のブロム化エポキシ
樹脂は、予めフェノール誘導体とホルマリンからノボラ
ック樹脂を合成した後、臭素化することで得られる臭素
化フェノール樹脂をエポキシ化することにより合成する
ことができ、このブロム化エポキシ樹脂はグリシジル変
性されたフェノール骨格を２個有する、いわゆる２核体
の単独あるいは３核体の単独でもよく、また２核体と３
核体との混合物であってもよい。即ち、ｎは０以上の整
数であるが、ｎが０のもの及び／又は１のものを主体と
し、ｎが０のもの、ｎが１のものとの総合計量が、ｎが
０のもの、１のもの及び２以上のものの総合計量の６０
％（重量％、以下同様）以上であることが必要である。

【００１４】通常、このような方法で合成した臭素化エ
ポキシ樹脂は、２核体や３核体におけるフェノール骨格
上のグリシドキシ基に対する臭素原子の結合位置として
オルソ／パラ比が０．５〜２のものである。

【００１５】このようにして得られる上記式（１）のブ
ロム化エポキシ樹脂は、いずれも従来の臭素化エポキシ
ノボラック樹脂と異なり、室温（例えば５〜３０℃）で
液状又は高粘度液状の樹脂で軟化点が非常に低く容易に
液状化でき、かつ低粘度のものである。なお、上記式
（１）のブロム化エポキシ樹脂は、２５℃における粘度
が０．１〜１．８ポイズ、特に０．５〜１．２ポイズ、
軟化点が４０〜７０℃、特に４５〜６０℃の範囲である
ことが望ましい。

【００１６】また、臭素原子の置換数としては、いずれ
の場合もフェニル核に１個を超えてあってはならず、２
個以上の臭素原子を導入すると耐熱性の低下となってし
まう。

【００１７】上記式（１）のブロム化エポキシ樹脂は、
上述したように、２核体単独や３核体単独でも、更に２
核体と３核体の混合物として使用してもよいが、低粘度
化を目的とすることから、樹脂中に占める２核体と３核
体の合計量は全体の６０％以上、特に８０％以上、とり
わけ９０％以上である。いずれの場合も７核体以上のも
のが実質的に存在しないことが望ましい。最も望ましく
は２核体又は３核体のみなからなるものであってそれぞ
れ単独で又は混合して使用することが好ましい。

【００１８】上記式（１）の難燃化エポキシ樹脂として
具体的には、下記化合物を挙げることができる。

【００１９】

【化４】

【００２０】

【化５】

【００２１】本発明において上記式（１）のブロム化エ
ポキシ樹脂は、全樹脂組成（通常はエポキシ樹脂と硬化
剤の合計）１００部（重量部、以下同様）に対して１〜
１２部、特に３〜８部の範囲で使用することが好まし
く、１部未満では十分な難燃性が得られないことがあ
り、１２部を超えると耐熱性を十分満足できない場合が
ある。

【００２２】本発明では、上記式（１）のブロム化エポ
キシ樹脂以外にその他のエポキシ樹脂を配合することが
できる。ここで、その他のエポキシ樹脂としては、１分
子中にエポキシ基を少なくとも２個以上有するものであ
ればその分子構造、分子量等は特に限定されず、具体的
にはフェノ−ルノボラック型エポキシ樹脂、ビフェニル
型エポキシ樹脂、ビスフェノール型エポキシ樹脂、アラ
ルキル型エポキシ樹脂、多官能型エポキシ樹脂、ジシク
ロペンタジエン含有エポキシ樹脂、ナフタレン環含有エ
ポキシ樹脂、複素環型エポキシ樹脂、これらに臭素以外
のハロゲン原子を導入したエポキシ樹脂等を例示するこ
とができる。

【００２３】本発明では、上記エポキシ樹脂として特に
室温（例えば５〜３０℃）で結晶性を持ち、かつメタク
レゾールに３０重量％の濃度で溶解させた場合の２５℃
における粘度が８０センチポイズ（ｃｐ）以下のエポキ
シ樹脂が好ましく使用される。粘度が８０ｃｐ以下のエ
ポキシ樹脂を使用すると、シリカ等の無機質充填剤の高
充填化が可能になり、これにより低吸水率、低線膨張係
数の硬化物を与えるエポキシ樹脂組成物を得ることがで
きるが、粘度が８０ｃｐを超えると無機質充填剤による
高充填化は期待できず、このため上記特性が得られない
場合がある。また、上記エポキシ樹脂において溶解状態
が８０ｃｐ以下であっても室温で結晶性を持たいないも
のは、作業性や他成分との分散性に劣る場合がある。

【００２４】上記エポキシ樹脂として具体的には、以下
のものを挙げることができ、特に下記式（２）で示され
るビフェニル型エポキシ樹脂が好適に用いられる。

【００２５】

【表１】

【００２６】

【化６】

【００２７】上記式（２）のビフェニル型エポキシ樹脂
の配合割合は、組成物中に配合するエポキシ樹脂全体の
２０％以上、特に５０％以上の範囲とすることが好まし
い。式（２）のビフェニル型エポキシ樹脂の配合量が２
０％に満たないと、低吸湿化が得られず、吸湿後の熱衝
撃時の耐クラック性が十分改善されない上、高流動性が
得られず、成形性、硬化特性等に劣る場合がある。

【００２８】また、液状エポキシ樹脂組成物の場合は、
ビスフェノールＡ型又はＦ型エポキシ樹脂が主に好適に
使用される。

【００２９】次に、硬化剤としては、１分中にエポキシ
基と反応する官能基を２個以上有する化合物である限
り、分子構造、分子量は特に限定されず、無水トリメリ
ット酸、無水テトラヒドロフタル酸等の無水物や、アミ
ン系硬化物、フェノ−ルノボラック樹脂、レゾール型フ
ェノール樹脂、トリフェノールアルカン型樹脂、多官能
型フェノール樹脂、ジシクロペンタジエン型フェノール
樹脂、ナフタレン環含有フェノ−ル樹脂、フェノールア
ラルキル樹脂等のフェノール樹脂などが挙げられるが、
これらの中でもフェノール樹脂、特にナフタレン環含有
フェノール樹脂、フェノールアラルキル樹脂が好適に使
用される。

【００３０】ナフタレン環含有フェノール樹脂、フェノ
ールアラルキル樹脂としては、それぞれ下記化合物を挙
げることができる。

【００３１】

【化７】 （但し、Ｒ¹は水素原子、塩素、臭素等のハロゲン原子
又は炭素数１〜５のアルキル基を示し、ｍは０〜３の整
数、ｋ及びｇは０又は１以上の整数、ｐは１以上の整数
である。）

【００３２】

【化８】

【００３３】ここで、ナフタレン環含有フェノール樹
脂、フェノールアラルキル樹脂の配合量は、フェノール
樹脂全体の１０〜９０％、特に２０〜７０％での使用が
好ましく、配合量が１０％に満たないと低吸湿性が得ら
れない場合があり、９０％を超えるとガラス転移温度が
低下し、耐熱性に劣る場合がある。

【００３４】本発明において、硬化剤の配合量は常用量
であるが、硬化剤としてフェノール樹脂を使用した場
合、全エポキシ樹脂中のエポキシ基の量（ｃ）とフェノ
−ル性水酸基の量（ｄ）とのモル比を（ｃ）／（ｄ）＝
０．５〜１．５、特に０．８〜１．２の範囲とした配合
が好ましく、配合比が上記範囲外になると硬化性、耐ク
ラック性、吸湿性に劣る場合がある。

【００３５】本発明では、硬化触媒を配合することがで
きる。硬化触媒しては、エポキシ樹脂と硬化剤の反応を
促進するものであれば分子量、分子構造は特に限定され
ず、例えばイミダゾール化合物、アミン系硬化促進剤、
リン系化合物等が挙げられるが、耐湿信頼性の高いエポ
キシ樹脂組成物を得るためにはリン系化合物を用いるこ
とが望ましい。また、硬化触媒の配合量は特に制限はな
いが、エポキシ樹脂及び硬化剤の合計量１００部に対し
て０．２〜５部、特に０．４〜３部とすることが好まし
い。

【００３６】本発明で使用される無機質充填剤として
は、通常エポキシ樹脂組成物に配合されるものを使用す
ることができる。具体的には、結晶性シリカ、溶融シリ
カ、窒化アルミニウム、窒化珪素、炭化珪素、アルミ
ナ、ボロンナイトライド、酸化チタン、ガラス繊維等が
挙げられ、中でも溶融シリカが好適である。これら無機
質充填剤の平均粒径や形状は特に限定されないが、平均
粒径が３〜１５μｍであるものが好ましく、また高充填
化やチップ表面に対する応力を小さくするため球状のも
のが好ましく使用される。なお、無機質充填剤は樹脂と
その表面の結合強度を強くするため、シランカップリン
グ剤、チタネートカップリング剤等のカップリング剤で
予め表面処理したものを使用することが低吸水性、耐熱
衝撃性及び耐クラック性を向上させる点で好ましい。

【００３７】上記無機質充填剤は１種を単独で使用して
も２種以上を併用してもよく、その配合量は特に制限さ
れないが、エポキシ樹脂及び硬化剤の合計量１００部に
対して１００〜１３００部、特に２００〜１０００部の
範囲とすることが好ましい。

【００３８】本発明の組成物には、本発明の目的に反し
ない限度において、更に必要に応じてその他の各種添加
剤を配合することができる。添加剤は用途に応じて適宜
選択されるが、例えば熱可塑性樹脂、熱可塑性エラスト
マー、有機合成ゴム、シリコーン系の金属塩等の低応力
剤、カルナバワックス等のワックス類、ステアリン酸等
の脂肪酸やそのエステル、金属塩等の離型剤、カーボン
ブラック、コバルトブルー、ベンガラ等の顔料、酸化ア
ンチモン、ハロゲン化合物等の難燃化剤、グリシドキシ
プロピルトリメトキシシラン等のシランカップリング
剤、アルキルチタネート類等の表面処理剤、老化防止
剤、その他の添加剤の１種又は２種以上を配合すること
ができる。

【００３９】本発明のエポキシ樹脂組成物を成形材料と
して調製する場合の一般的な方法としては、上記の必須
成分とその他の添加剤を所定の組成比で配合し、これを
ミキサー等によって十分混合した後、熱ロール、ニーダ
ー、エクストルーダー等による溶融混合処理を行い、次
いで冷却固化させ、適当な大きさに粉砕して成形材料と
することができる。このようにして得られた成形材料
は、半導体装置をはじめとする電子部品又は電気部品の
封止、被覆に用いれば高温高湿下での優れた信頼性を付
与させることができる。

【００４０】本発明の半導体装置は、上記の封止用樹脂
組成物を用いて半導体素子を封止することにより容易に
製造することができる。ここで、封止を行う半導体素子
としては、例えば集積回路、演算回路、トランジスタ、
サイリスタ、ダイオード等を挙げることができるが、特
に限定されるものではない。封止の最も一般的な方法と
しては、トランスファー成形法が挙げられる。この場
合、エポキシ樹脂組成物の成形温度は１５０〜１８０℃
で３０〜１８０秒間、ポストキュアーは１５０〜１８０
℃で２〜１６時間行うことが望ましい。

【００４１】

【発明の効果】本発明のエポキシ樹脂組成物は、流動性
が良好であると共に、耐熱性、低吸湿性で耐リフロー性
に優れた硬化物を与え、このエポキシ樹脂組成物の硬化
物でＩＣ、トランジスタ等のパッケージを封止すると、
成形性に優れた信頼性の高い半導体製品を生産性良く製
造することができる。

【００４２】

【実施例】以下、実施例及び比較例を示して本発明を具
体的に説明するが、本発明は下記実施例に制限されるも
のではない。なお、各例中の部はいずれも重量部であ
る。

【００４３】〔実施例１〜５、比較例１〜４〕表２に示
すブロム化エポキシ樹脂、表３に示すエポキシ樹脂及び
フェノール樹脂を表４に示す割合で使用し、硬化触媒と
してトリフェニルホスフィン１部、三酸化アンチモン１
０部、カルナバワックス１．２部、γ−グリシドキシプ
ロピルトリメトキシシラン１．５部、カーボンブラック
１部、下記に示す溶融球状シリカ（Ｉ）４００部、溶融
球状シリカ（ＩＩ）４００部、溶融球状シリカ（ＩＩ
Ｉ）８０部を熱２本ロールにて均一に溶融混合し、冷
却、粉砕してエポキシ樹脂組成物を得た。

【００４４】

【表２】

【００４５】

【表３】 硬化触媒：１，８−ジアザビシクロ（５．４．０）ウン
デセン−７とフェノールノボラック樹脂（ＴＤ２１３
１、大日本インキ社製）とを重量比で２０／８０の割合
で混合し、１３０℃で３０分間加熱溶融した後、５０μ
ｍ以下に粉砕したもの。溶融球状シリカ： （Ｉ）比表面積１．４ｍ²／ｇ，平均粒径１５μｍの球
状シリカ （ＩＩ）比表面積２．５ｍ²／ｇ，平均粒径１０μｍの
球状シリカ （ＩＩＩ）比表面積１０ｍ²／ｇ，平均粒径１．０μｍ
の球状シリカ

【００４６】得られた組成物につき、以下の諸試験を行
った。結果を表４に示す。 （イ）スパイラルフロー ＥＭＭＩ規格に準じた金型を使用して１７５℃、７０ｋ
ｇ／ｃｍ²の条件で測定した。 （ロ）溶融粘度 島津製作所社製の高化式フローテスターを用いて、ノズ
ル寸法直径１ｍｍ×長さ１０ｍｍ、荷重１０ｋｇ、サン
プル量３ｇ、温度１７５℃にてフローレートを測定し、
最低溶融粘度を求めた。 （ハ）曲げ強度及び曲げ弾性率 ＪＩＳ−Ｋ６９１１に準じて１８０℃、７０ｋｇ／ｃｍ
²、成形時間２分の条件で１０×４×１００ｍｍの曲げ
試験片を成形し、１８０℃で４時間ポストキュアーした
ものについて２１５℃で測定した。 （ニ）膨張係数、ガラス転移温度 直径４ｍｍ、長さ１５ｍｍの試験片を用いて、ＴＭＡ法
により毎分５℃の速さで昇温したときの値を測定した。 （ホ）接着性 ４２アロイ板に直径１５ｍｍ、高さ５ｍｍの円筒成形品
を１７５℃、７０ｋｇ／ｃｍ²、成形時間２分の条件で
成形し、１８０℃で４時間ポストキュアーした後、プッ
シュプルゲージで成形物と４２アロイ板との剥離量を測
定した。 （ヘ）吸湿後の耐半田クラック性（耐リフロー性） ７×７×０．４ｍｍの大きさのシリコーンチップを１０
×１４×１．４ｍｍの大きさのＱＦＰ用リードフレーム
（４２アロイ）に接着し、これにエポキシ樹脂組成物を
成形条件１７５℃、７０ｋｇ／ｃｍ²、成形時間２分で
成形し、１８０℃で４時間ポストキュアーした。これを
８５℃／８５％ＲＨの雰囲気中に４８時間及び７２時間
放置した後、２４０℃の半田浴に３０秒間浸漬し、パッ
ケージクラック数／総数を測定した。 （ト）耐湿性 ４ＭＲＡＭチップを２０ピンのＳＯＪフレームに接着
し、これにエポキシ樹脂組成物を成形条件１７５℃、７
０ｋｇ／ｃｍ²、成形時間２分で成形し、１８０℃で４
時間ポストキュアーした。これを１２１℃／１００％Ｒ
Ｈの雰囲気中に２４時間放置して吸湿させた後、２６０
℃の半田浴に１０秒間浸漬し、更に１２１℃／１００％
ＲＨ雰囲気中に３００時間放置したときのＡｌ配線断線
数／総数を測定した。 （チ）吸水率 成形時間１７５℃、７０ｋｇ／ｃｍ²、成形時間２分の
条件で成形し、１８０℃で４時間ポストキュアーした直
径５０ｍｍ、厚さ２ｍｍの円板を１２１℃／１００％Ｒ
Ｈの雰囲気中に２４時間放置し、吸水率を測定した。 （リ）難燃性 それぞれの組成物を用いて１２７×１２．７×１．６ｍ
ｍの試験片を１７５℃、７０ｋｇ／ｃｍ²、成形時間２
分の条件でトランスファー成形した後、１８０℃で４時
間、後硬化させた。この試験片を２３＋２℃、５０％Ｒ
Ｈの雰囲気中に４８時間放置した後、ＵＬ９４に規定さ
れている方法に準じて測定を行い、基準内であれば合格
とした。 （ヌ）耐熱性 シリコーンチップ上にＡｌ配線を形成した模擬素子と部
分金メッキされた４２アロイリードフレームとを太さ３
０μｍの金線でボンディングし、１７５℃、７０ｋｇ／
ｃｍ²、成形時間１２０秒の条件で１４ピンＤＩＰを形
成した。１８０℃で４時間ポストキュアーしたものを２
００℃の乾燥機に放置した後、樹脂硬化物を発煙硝酸で
溶かし、チップ側のボンディング部の剪断強度を測定し
た。

【００４７】

【表４】

【００４８】〔実施例６、比較例５〕上記に示すブロム
化エポキシ樹脂、主成分のエポキシ樹脂としてビスフェ
ノールＡ型エポキシ樹脂（ＲＥ３１０、日本化薬社
製）、硬化剤として下記に示す酸無水物（ＭＨ７００、
日本理化社製）を表５に示す割合で使用し、硬化触媒と
して２−フェニルイミダゾール（ノバキュアＨＸ−３７
４２１、旭化成社製）を１．５部、三酸化アンチモン１
０部、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン１
部、カーボンブラック１部、比表面積１．４ｍ²／ｇ、
平均粒径１５μｍの溶融球状シリカ３００部を均一に混
合してエポキシ樹脂組成物を得た。

【００４９】

【化９】

【００５０】これらのエポキシ樹脂組成物につき、以下
の（イ）〜（ニ）の特性を測定した。結果を表５に示
す。 （イ）粘度 ＢＨ型回転粘度計を用いて４ｒｐｍの回転数で２５℃に
おける粘度を測定した。 （ロ）ゲル化時間 １５０℃の熱板の上にエポキシ樹脂組成物を乗せ、硬化
の始まる時間を測定した。 （ハ）ガラス転移温度、膨張係数 ５×５×１５ｍｍの試験片を用いて、ディライトメータ
ーにより毎分５℃の速さで昇温したときの値を測定し
た。 （ニ）充填性 ２４×２５×２ｍｍのＰＰＧＡのパッケージを用い、８
０℃においてエポキシ樹脂組成物が充填するまでの時間
を測定した。

【００５１】

【表５】

【００５２】表４，５の結果より、本発明の特定構造を
有するブロム化エポキシ樹脂を配合したエポキシ樹脂組
成物は、流動性が良好で、耐熱性、低吸湿性、耐リフロ
ー性に優れた硬化物を与え、特に硬化物の封止で信頼性
の高い半導体装置が得られることが確認された。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁶ 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 23/29 Ｈ０１Ｌ 23/30 Ｒ 23/31 (72)発明者 浅野 英一 群馬県碓氷郡松井田町大字人見１番地10 信越化学工業株式会社シリコーン電子材料 技術研究所内 (72)発明者 塩原 利夫 群馬県碓氷郡松井田町大字人見１番地10 信越化学工業株式会社シリコーン電子材料 技術研究所内

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 エポキシ樹脂、硬化剤及び無機質充填剤
   を含有するエポキシ樹脂組成物において、エポキシ樹脂
   の一部又は全部として下記一般式（１）で示されるブロ
   ム化エポキシ樹脂を含有することを特徴とするエポキシ
   樹脂組成物。 【化１】 （但し、式中Ｒは水素原子又はメチル基であり、ｎは０
   以上の整数であるが、ｎが０及び１のものの合計量が６
   ０重量％以上である。）
2. 【請求項２】 エポキシ樹脂として、室温で結晶性を持
   ち、かつメタクレゾールに３０重量％の濃度で溶解させ
   た場合の２５℃における粘度が８０センチポイズ以下の
   エポキシ樹脂を式（１）のブロム化エポキシ樹脂と併用
   した請求項１記載のエポキシ樹脂組成物。
3. 【請求項３】 請求項１又は２記載のエポキシ樹脂組成
   物の硬化物で封止された半導体装置。