JPH095444A - Ｘ線検出器およびその製造方法 - Google Patents
Ｘ線検出器およびその製造方法Info
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- JPH095444A JPH095444A JP7148615A JP14861595A JPH095444A JP H095444 A JPH095444 A JP H095444A JP 7148615 A JP7148615 A JP 7148615A JP 14861595 A JP14861595 A JP 14861595A JP H095444 A JPH095444 A JP H095444A
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Landscapes
- Measurement Of Radiation (AREA)
- Apparatus For Radiation Diagnosis (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 経時的な特性劣化が少なくかつチャネル間の
クロストークが少ないシンチレータ型Ｘ線検出器および
その製造方法を実現することである。 【構成】 複数のシンチレータブロックが配列されたシ
ンチレータアレイ３と、前記シンチレータアレイの各シ
ンチレータブロックの間に設けられた第１の光反射部材
３２と、前記シンチレータアレイのＸ線入射面に設けら
れた第２の光反射部材３４と、複数の光検出器が配列さ
れたアレイであって前記シンチレータアレイのＸ線入射
面とは反対側に設けられた光検出器アレイ２とを有する
Ｘ線検出器において、前記第１の光反射部材のＸ線入射
側の端面を覆うＸ線遮蔽部材４を具備することを特徴と
する。
クロストークが少ないシンチレータ型Ｘ線検出器および
その製造方法を実現することである。 【構成】 複数のシンチレータブロックが配列されたシ
ンチレータアレイ３と、前記シンチレータアレイの各シ
ンチレータブロックの間に設けられた第１の光反射部材
３２と、前記シンチレータアレイのＸ線入射面に設けら
れた第２の光反射部材３４と、複数の光検出器が配列さ
れたアレイであって前記シンチレータアレイのＸ線入射
面とは反対側に設けられた光検出器アレイ２とを有する
Ｘ線検出器において、前記第１の光反射部材のＸ線入射
側の端面を覆うＸ線遮蔽部材４を具備することを特徴と
する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、Ｘ線検出器およびその
製造方法に関する。さらに詳しくは、本発明は、経時的
な特性劣化が少なくかつチャネル間のクロストーク(cro
ss talk)が少ないシンチレータ(scintillator)型Ｘ線検
出器およびその製造方法に関する。
製造方法に関する。さらに詳しくは、本発明は、経時的
な特性劣化が少なくかつチャネル間のクロストーク(cro
ss talk)が少ないシンチレータ(scintillator)型Ｘ線検
出器およびその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】図７にＸ線断層撮影装置等において用い
られるシンチレータ型のＸ線検出器の従来例を示す。図
７において、１は基板でその上にフォトダイオードアレ
イ(photo-diode array) ２が形成され、このフォトダイ
オードアレイ２の上にシンチレータアレイ３が載置され
ている。シンチレータアレイ３の上面は上面反射層３４
で覆われている。
られるシンチレータ型のＸ線検出器の従来例を示す。図
７において、１は基板でその上にフォトダイオードアレ
イ(photo-diode array) ２が形成され、このフォトダイ
オードアレイ２の上にシンチレータアレイ３が載置され
ている。シンチレータアレイ３の上面は上面反射層３４
で覆われている。
【０００３】フォトダイオードアレイ２は複数のフォト
ダイオードをｘ方向に並べた１次元アレイとして形成さ
れる。Ｘ線の入射方向はｙ方向である。フォトダイオー
ドはｚ方向に長い受光面を持っている。シンチレータア
レイ３もフォトダイオードアレイ２に対応して複数のシ
ンチレータブロック(scintillator block)をｘ方向に並
べて構成される。個々のシンチレータブロックもｚ方向
に長い構造をもっている。
ダイオードをｘ方向に並べた１次元アレイとして形成さ
れる。Ｘ線の入射方向はｙ方向である。フォトダイオー
ドはｚ方向に長い受光面を持っている。シンチレータア
レイ３もフォトダイオードアレイ２に対応して複数のシ
ンチレータブロック(scintillator block)をｘ方向に並
べて構成される。個々のシンチレータブロックもｚ方向
に長い構造をもっている。
【０００４】図８にＸ線検出器の詳細な構成を示す。図
８は図７のＸ線検出器の１チャネル分についてのｘｙ断
面図である。図８において、３１はシンチレータブロッ
クである。シンチレータブロック３１の材料としてはＸ
線に対してシンチレーション効果を有する物質、例えば
カドミウム・タングステン・オキサイド(Cd W O4) が用
いられる。
８は図７のＸ線検出器の１チャネル分についてのｘｙ断
面図である。図８において、３１はシンチレータブロッ
クである。シンチレータブロック３１の材料としてはＸ
線に対してシンチレーション効果を有する物質、例えば
カドミウム・タングステン・オキサイド(Cd W O4) が用
いられる。
【０００５】シンチレータブロック３１の下面はフォト
ダイオード２１に接している。シンチレータブロック３
１の両側面には側面反射層３２が設けられる。側面反射
層３２はシンチレーション光に対して高い反射率を有す
る物質例えば酸化チタン(TiO 2)を用いて構成される。図
示していないがシンチレータブロック３１のｚ方向の両
端面も同様な反射層で覆われている。
ダイオード２１に接している。シンチレータブロック３
１の両側面には側面反射層３２が設けられる。側面反射
層３２はシンチレーション光に対して高い反射率を有す
る物質例えば酸化チタン(TiO 2)を用いて構成される。図
示していないがシンチレータブロック３１のｚ方向の両
端面も同様な反射層で覆われている。
【０００６】側面反射層３２は具体的には酸化チタン入
りの光接着剤またはエポキシ(epoxi) 樹脂によって形成
される。なお、光接着剤とは光学機器においてレンズ等
の光学系を接着するのに用いられる光学的特性（例えば
透明度）の優れた接着剤のことである。
りの光接着剤またはエポキシ(epoxi) 樹脂によって形成
される。なお、光接着剤とは光学機器においてレンズ等
の光学系を接着するのに用いられる光学的特性（例えば
透明度）の優れた接着剤のことである。
【０００７】他の全てのチャネルも同様な構成になって
いる。隣接するチャネルの間には遮光層３３が設けられ
る。遮光層３３はチャネル間の光の漏れを防止するもの
であり金属箔等が用いられる。
いる。隣接するチャネルの間には遮光層３３が設けられ
る。遮光層３３はチャネル間の光の漏れを防止するもの
であり金属箔等が用いられる。
【０００８】このようなシンチレータアレイ３の上面に
は上面反射層３４が設けられる。上面反射層３４は酸化
チタン入りの塗料を塗布することによって形成される。
Ｘ線はｙ方向から入射してシンチレータブロック３１内
にシンチレーション光を発生させる。フォトダイオード
２１はその光を検出してＸ線検出信号を生じる。側面反
射層３２と上面反射層３４はそれぞれ側面および上面に
向かうシンチレーション光を反射して光の損失を防ぐ。
は上面反射層３４が設けられる。上面反射層３４は酸化
チタン入りの塗料を塗布することによって形成される。
Ｘ線はｙ方向から入射してシンチレータブロック３１内
にシンチレーション光を発生させる。フォトダイオード
２１はその光を検出してＸ線検出信号を生じる。側面反
射層３２と上面反射層３４はそれぞれ側面および上面に
向かうシンチレーション光を反射して光の損失を防ぐ。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】ｙ方向から入射するＸ
線はチャネル間の側面反射層３２と遮光層３３が設けら
れている部分にも入射する。このため側面反射層３２に
含まれている光接着剤やエポキシ樹脂がＸ線に曝され
る。光接着剤やエポキシ樹脂のような高分子化合物はＸ
線に弱いので時間の経過とともに変質しその光学的特性
が劣化する。
線はチャネル間の側面反射層３２と遮光層３３が設けら
れている部分にも入射する。このため側面反射層３２に
含まれている光接着剤やエポキシ樹脂がＸ線に曝され
る。光接着剤やエポキシ樹脂のような高分子化合物はＸ
線に弱いので時間の経過とともに変質しその光学的特性
が劣化する。
【００１０】具体的には透明度の低下となって現れ、こ
れが側面反射層３２内での光吸収量を増やすから反射率
が低下する。反射率が低下すると光の損失が増えてＸ線
検出感度が低下するという問題がある。
れが側面反射層３２内での光吸収量を増やすから反射率
が低下する。反射率が低下すると光の損失が増えてＸ線
検出感度が低下するという問題がある。
【００１１】感度の低下はチャネル毎に異なり、また同
一チャネルでもｚ方向の位置によって異なる。このよう
な感度の低下は補正が難しくＸ線断層撮影装置の再構成
画像にリングアーチファクト(ring artifact) を生じさ
せる原因となる。
一チャネルでもｚ方向の位置によって異なる。このよう
な感度の低下は補正が難しくＸ線断層撮影装置の再構成
画像にリングアーチファクト(ring artifact) を生じさ
せる原因となる。
【００１２】また、側面反射層３２と遮光層３３が設け
られている部分に入射したＸ線はあまり吸収されずに基
板１に到達する。このＸ線は基板１で散乱してフォトダ
イオード２１に達しそれを被曝させる。半導体で構成さ
れるフォトダイオードはＸ線に弱いのでこのようなＸ線
の被曝によってフォトダイオード２１が劣化し光検出の
感度が低下するという問題がある。
られている部分に入射したＸ線はあまり吸収されずに基
板１に到達する。このＸ線は基板１で散乱してフォトダ
イオード２１に達しそれを被曝させる。半導体で構成さ
れるフォトダイオードはＸ線に弱いのでこのようなＸ線
の被曝によってフォトダイオード２１が劣化し光検出の
感度が低下するという問題がある。
【００１３】なお、シンチレータブロック３１に入射し
たＸ線はそこで完全に吸収されるのでフォトダイオード
２１に害を与えない。また、シンチレーション発光の１
０％程度は上面反射層３４を通じて逃げて行き、その一
部が隣のチャネルに侵入してクロストークを生じるとい
う問題がある。
たＸ線はそこで完全に吸収されるのでフォトダイオード
２１に害を与えない。また、シンチレーション発光の１
０％程度は上面反射層３４を通じて逃げて行き、その一
部が隣のチャネルに侵入してクロストークを生じるとい
う問題がある。
【００１４】本発明は上記問題点を解決するためになさ
れたもので、その目的は、経時的な特性劣化が少なくか
つチャネル間のクロストークが少ないシンチレータ型Ｘ
線検出器およびその製造方法を実現することである。
れたもので、その目的は、経時的な特性劣化が少なくか
つチャネル間のクロストークが少ないシンチレータ型Ｘ
線検出器およびその製造方法を実現することである。
【００１５】
【課題を解決するための手段】前記の課題を解決する第
１の手段は、複数のシンチレータブロックが配列された
シンチレータアレイと、前記シンチレータアレイにおけ
る各シンチレータブロックの間に設けられた第１の光反
射部材と、前記シンチレータアレイのＸ線入射面に設け
られた第２の光反射部材と、複数の光検出器が配列され
たアレイであって前記シンチレータアレイのＸ線入射面
とは反対側に設けられた光検出器アレイとを有するＸ線
検出器において、前記第１の光反射部材のＸ線入射側の
端面を覆うＸ線遮蔽部材を具備することを特徴とするＸ
線検出器である。
１の手段は、複数のシンチレータブロックが配列された
シンチレータアレイと、前記シンチレータアレイにおけ
る各シンチレータブロックの間に設けられた第１の光反
射部材と、前記シンチレータアレイのＸ線入射面に設け
られた第２の光反射部材と、複数の光検出器が配列され
たアレイであって前記シンチレータアレイのＸ線入射面
とは反対側に設けられた光検出器アレイとを有するＸ線
検出器において、前記第１の光反射部材のＸ線入射側の
端面を覆うＸ線遮蔽部材を具備することを特徴とするＸ
線検出器である。
【００１６】前記の課題を解決する第２の手段は、複数
のシンチレータブロックが１次元配列されたシンチレー
タアレイと、前記シンチレータアレイにおける各シンチ
レータブロックの間に設けられた第１の光反射部材と、
前記シンチレータアレイのＸ線入射面に設けられた第２
の光反射部材と、複数の光検出器が１次元配列されたア
レイであって前記シンチレータアレイのＸ線入射面とは
反対側に設けられた光検出器アレイとを有するＸ線検出
器において、前記第１の光反射部材のＸ線入射側の端面
を覆うＸ線遮蔽部材を具備することを特徴とするＸ線検
出器である。
のシンチレータブロックが１次元配列されたシンチレー
タアレイと、前記シンチレータアレイにおける各シンチ
レータブロックの間に設けられた第１の光反射部材と、
前記シンチレータアレイのＸ線入射面に設けられた第２
の光反射部材と、複数の光検出器が１次元配列されたア
レイであって前記シンチレータアレイのＸ線入射面とは
反対側に設けられた光検出器アレイとを有するＸ線検出
器において、前記第１の光反射部材のＸ線入射側の端面
を覆うＸ線遮蔽部材を具備することを特徴とするＸ線検
出器である。
【００１７】前記の課題を解決する第３の手段は、複数
のシンチレータブロックが２次元配列されたシンチレー
タアレイと、前記シンチレータアレイにおける各シンチ
レータブロックの間に設けられた第１の光反射部材と、
前記シンチレータアレイのＸ線入射面に設けられた第２
の光反射部材と、複数の光検出器が２次元配列されたア
レイであって前記シンチレータアレイのＸ線入射面とは
反対側に設けられた光検出器アレイとを有するＸ線検出
器において、前記第１の光反射部材のＸ線入射側の端面
を覆うＸ線遮蔽部材を具備することを特徴とするＸ線検
出器である。
のシンチレータブロックが２次元配列されたシンチレー
タアレイと、前記シンチレータアレイにおける各シンチ
レータブロックの間に設けられた第１の光反射部材と、
前記シンチレータアレイのＸ線入射面に設けられた第２
の光反射部材と、複数の光検出器が２次元配列されたア
レイであって前記シンチレータアレイのＸ線入射面とは
反対側に設けられた光検出器アレイとを有するＸ線検出
器において、前記第１の光反射部材のＸ線入射側の端面
を覆うＸ線遮蔽部材を具備することを特徴とするＸ線検
出器である。
【００１８】前記の課題を解決する第４の手段は、シン
チレータ部材の層と光反射部材の層を交互に積層してシ
ンチレータ積層体を形成する工程と、前記シンチレータ
積層体からシンチレータアレイを切り出す工程と、前記
シンチレータアレイの一方の面の側において前記光反射
部材の端面にＸ線遮蔽部材を取り付ける工程と、前記シ
ンチレータアレイの一方の面の側に光反射部材を設ける
工程と、前記シンチレータアレイのに他方の面の側に光
検出器アレイを結合する工程とを具備するＸ線検出器の
製造方法である。
チレータ部材の層と光反射部材の層を交互に積層してシ
ンチレータ積層体を形成する工程と、前記シンチレータ
積層体からシンチレータアレイを切り出す工程と、前記
シンチレータアレイの一方の面の側において前記光反射
部材の端面にＸ線遮蔽部材を取り付ける工程と、前記シ
ンチレータアレイの一方の面の側に光反射部材を設ける
工程と、前記シンチレータアレイのに他方の面の側に光
検出器アレイを結合する工程とを具備するＸ線検出器の
製造方法である。
【００１９】課題を解決する第１〜第４の手段におい
て、Ｘ線遮蔽部材は第１の光反射部材の厚みの１〜３倍
の遮蔽幅を持つことがＸ線遮蔽とＸ線検出との兼ね合い
の点で好ましい。
て、Ｘ線遮蔽部材は第１の光反射部材の厚みの１〜３倍
の遮蔽幅を持つことがＸ線遮蔽とＸ線検出との兼ね合い
の点で好ましい。
【００２０】課題を解決する第１〜第４の手段におい
て、Ｘ線遮蔽部材はタングステン線であることが構成を
簡易にする点で好ましい。
て、Ｘ線遮蔽部材はタングステン線であることが構成を
簡易にする点で好ましい。
【００２１】
【作用】課題を解決する第１〜第４の手段では、Ｘ線遮
蔽部材がＸ線を阻止することにより第１の光反射部材と
光検出器をＸ線から保護して特性の劣化を防止し、また
第２の光反射部材を通じてのチャネル間の光のクロスト
ークを阻止する。
蔽部材がＸ線を阻止することにより第１の光反射部材と
光検出器をＸ線から保護して特性の劣化を防止し、また
第２の光反射部材を通じてのチャネル間の光のクロスト
ークを阻止する。
【００２２】
【実施例】以下、図面を参照して本発明の実施例を詳細
に説明する。図１は本発明実施例のＸ線検出器の外観図
である。
に説明する。図１は本発明実施例のＸ線検出器の外観図
である。
【００２３】図１において、１は基板でその上にフォト
ダイオードアレイ２が形成され、このフォトダイオード
アレイ２の上にシンチレータアレイ３が載置されてい
る。フォトダイオードアレイ２は複数のフォトダイオー
ドをｘ方向に並べた１次元アレイとして形成される。ｙ
方向はＸ線の入射方向である。個々のフォトダイオード
はｚ方向に長い構造をもっている。フォトダイオードア
レイ２は本発明における光検出器アレイの一実施例であ
る。
ダイオードアレイ２が形成され、このフォトダイオード
アレイ２の上にシンチレータアレイ３が載置されてい
る。フォトダイオードアレイ２は複数のフォトダイオー
ドをｘ方向に並べた１次元アレイとして形成される。ｙ
方向はＸ線の入射方向である。個々のフォトダイオード
はｚ方向に長い構造をもっている。フォトダイオードア
レイ２は本発明における光検出器アレイの一実施例であ
る。
【００２４】シンチレータアレイ３もフォトダイオード
アレイ２に対応して複数のシンチレータブロックをｘ方
向に並べて構成される。個々のシンチレータブロックも
ｚ方向に長い構造をもっている。シンチレータアレイ３
は本発明におけるシンチレータアレイの一実施例であ
る。
アレイ２に対応して複数のシンチレータブロックをｘ方
向に並べて構成される。個々のシンチレータブロックも
ｚ方向に長い構造をもっている。シンチレータアレイ３
は本発明におけるシンチレータアレイの一実施例であ
る。
【００２５】シンチレータアレイ３の上面には各シンチ
レータブロックの境界部分の上にワイヤ(wire)４が取り
付けられている。ワイヤ４はシンチレータアレイ３のｚ
方向の長さと同じ長さを有する。ワイヤ４はＸ線吸収率
の高い材料で構成される。そのような材料としてはタン
グステンが機械的強度と化学的安定度の点で好ましい。
その他には鉛が経済性の点で好ましい。ワイヤ４は本発
明におけるＸ線遮蔽部材の一実施例である。
レータブロックの境界部分の上にワイヤ(wire)４が取り
付けられている。ワイヤ４はシンチレータアレイ３のｚ
方向の長さと同じ長さを有する。ワイヤ４はＸ線吸収率
の高い材料で構成される。そのような材料としてはタン
グステンが機械的強度と化学的安定度の点で好ましい。
その他には鉛が経済性の点で好ましい。ワイヤ４は本発
明におけるＸ線遮蔽部材の一実施例である。
【００２６】図２に図１のＸ線検出器の詳細な構成を示
す。図２は図１のＸ線検出器の１チャネル分についての
ｘｙ断面図である。図２において、３１はシンチレータ
ブロックである。その材料としてはＸ線に対してシンチ
レーション効果を有する物質例えばカドミウム・タング
ステン・オキサイドが用いられる。その他にビスマス・
ゲルマニウム・オキサイド(B.G.O) 等適宜のシンチレー
ション物質を用いることができる。
す。図２は図１のＸ線検出器の１チャネル分についての
ｘｙ断面図である。図２において、３１はシンチレータ
ブロックである。その材料としてはＸ線に対してシンチ
レーション効果を有する物質例えばカドミウム・タング
ステン・オキサイドが用いられる。その他にビスマス・
ゲルマニウム・オキサイド(B.G.O) 等適宜のシンチレー
ション物質を用いることができる。
【００２７】シンチレータブロック３１の下面はフォト
ダイオード２１に接している。フォトダイオード２１は
本発明における光検出器の一実施例である。シンチレー
タブロック３１の両側面には側面反射層３２が設けられ
る。側面反射層３２はシンチレーション光に対して高い
反射率を有する物質例えば酸化チタン(TiO2)を用いて構
成される。図示していないがシンチレータブロック３１
のｚ方向の両端面も同様な反射層で覆われている。
ダイオード２１に接している。フォトダイオード２１は
本発明における光検出器の一実施例である。シンチレー
タブロック３１の両側面には側面反射層３２が設けられ
る。側面反射層３２はシンチレーション光に対して高い
反射率を有する物質例えば酸化チタン(TiO2)を用いて構
成される。図示していないがシンチレータブロック３１
のｚ方向の両端面も同様な反射層で覆われている。
【００２８】側面反射層３２は具体的には酸化チタン入
りの光接着剤またはエポキシ(epoxi) 樹脂を塗布したプ
ラスチックフィルム(plastic film)によって形成され
る。側面反射層３２は本発明における第１の光反射部材
の一実施例である。
りの光接着剤またはエポキシ(epoxi) 樹脂を塗布したプ
ラスチックフィルム(plastic film)によって形成され
る。側面反射層３２は本発明における第１の光反射部材
の一実施例である。
【００２９】他の全てのチャネルも同様な構成になって
いる。隣接するチャネルとの間には遮光層３３が設けら
れる。遮光層３３は隣合うチャネル間の光の漏れを阻止
するものであり金属箔が用いられる。金属箔は光の反射
率の高いものが望ましく、そのような材料としてアルミ
ニウム箔が経済性の点で好ましい。コストが許容できる
なら金箔が化学的安定性の点でさらに好ましい。
いる。隣接するチャネルとの間には遮光層３３が設けら
れる。遮光層３３は隣合うチャネル間の光の漏れを阻止
するものであり金属箔が用いられる。金属箔は光の反射
率の高いものが望ましく、そのような材料としてアルミ
ニウム箔が経済性の点で好ましい。コストが許容できる
なら金箔が化学的安定性の点でさらに好ましい。
【００３０】隣合う各シンチレータブロックの間には遮
光層３３とその両側の側面反射層３２の厚みの合計に相
当する間隔ができる。ワイヤ４はこの間隔を塞ぐように
遮光層３３の端面に接して取り付けられる。取り付けは
接着等により行われる。
光層３３とその両側の側面反射層３２の厚みの合計に相
当する間隔ができる。ワイヤ４はこの間隔を塞ぐように
遮光層３３の端面に接して取り付けられる。取り付けは
接着等により行われる。
【００３１】ワイヤ４の太さはシンチレータブロックの
間隔すなわち遮光層３３とその両側の側面反射層３２の
厚みの合計の１〜３倍の範囲に選ばれる。１倍より細い
と間隔を塞ぎきれず３倍より太いとシンチレータブロッ
クのＸ線入射面の開口を狭めてＸ線検出感度を悪くす
る。
間隔すなわち遮光層３３とその両側の側面反射層３２の
厚みの合計の１〜３倍の範囲に選ばれる。１倍より細い
と間隔を塞ぎきれず３倍より太いとシンチレータブロッ
クのＸ線入射面の開口を狭めてＸ線検出感度を悪くす
る。
【００３２】シンチレータブロック３１の上面には上面
反射層３４が設けられる。上面反射層３４は例えば酸化
チタン入りの塗料を塗布することによって形成される。
上面反射層３４はワイヤ４によってチャネル毎に分離さ
れる。上面反射層３４は本発明における第２の光反射部
材の一実施例である。
反射層３４が設けられる。上面反射層３４は例えば酸化
チタン入りの塗料を塗布することによって形成される。
上面反射層３４はワイヤ４によってチャネル毎に分離さ
れる。上面反射層３４は本発明における第２の光反射部
材の一実施例である。
【００３３】次に、このように構成されたＸ線検出器の
動作を説明する。Ｘ線はｙ方向から入射してシンチレー
タブロック３１内にシンチレーション光を発生させる。
フォトダイオード２１はその光を検出してＸ線検出信号
を生じる。側面反射層３２と上面反射層３４はそれぞれ
側面および上面に向かうシンチレーション光を反射して
光の損失を防ぐ。
動作を説明する。Ｘ線はｙ方向から入射してシンチレー
タブロック３１内にシンチレーション光を発生させる。
フォトダイオード２１はその光を検出してＸ線検出信号
を生じる。側面反射層３２と上面反射層３４はそれぞれ
側面および上面に向かうシンチレーション光を反射して
光の損失を防ぐ。
【００３４】ワイヤ４の上に入射したＸ線はワイヤ４で
吸収される。したがってその陰に入る遮光層３３と側面
反射層３２にはＸ線が当たらない。ワイヤ４の影の幅が
遮蔽幅を決める。影の幅はワイヤ４の太さで決まる。ワ
イヤ４の太さはシンチレータブロックの間隔の１〜３倍
の範囲に選ばれているので、適切なＸ線遮蔽が行われ
る。このため側面反射層３２はＸ線に被曝せずフォトダ
イオード２１も散乱Ｘ線に被曝することがない。
吸収される。したがってその陰に入る遮光層３３と側面
反射層３２にはＸ線が当たらない。ワイヤ４の影の幅が
遮蔽幅を決める。影の幅はワイヤ４の太さで決まる。ワ
イヤ４の太さはシンチレータブロックの間隔の１〜３倍
の範囲に選ばれているので、適切なＸ線遮蔽が行われ
る。このため側面反射層３２はＸ線に被曝せずフォトダ
イオード２１も散乱Ｘ線に被曝することがない。
【００３５】したがって側面反射層３２に含まれる光接
着剤やエポキシ樹脂およびフォトダイオード２１がＸ線
で劣化することが防止される。ワイヤ４はまた上面反射
層３４を通じて隣のチャネルに漏洩しようとする光を阻
止する。これによってチャネル間のクロストークが防止
される。
着剤やエポキシ樹脂およびフォトダイオード２１がＸ線
で劣化することが防止される。ワイヤ４はまた上面反射
層３４を通じて隣のチャネルに漏洩しようとする光を阻
止する。これによってチャネル間のクロストークが防止
される。
【００３６】次に、本発明実施例のＸ線検出器の製造方
法についてその一例を説明する。図３〜図６に製造過程
における加工物を示す。先ず、図３に示すように一定の
板厚のシンチレータ板３００を光反射部材５００を間に
挟んで所定枚数（例えば１６枚）接着積層しシンチレー
タ積層体６００を構成する。シンチレータ板３００の板
厚は例えば約１ｍｍである。この板厚はＸ線検出器のチ
ャネル幅を決める。
法についてその一例を説明する。図３〜図６に製造過程
における加工物を示す。先ず、図３に示すように一定の
板厚のシンチレータ板３００を光反射部材５００を間に
挟んで所定枚数（例えば１６枚）接着積層しシンチレー
タ積層体６００を構成する。シンチレータ板３００の板
厚は例えば約１ｍｍである。この板厚はＸ線検出器のチ
ャネル幅を決める。
【００３７】シンチレータ板３００は本発明におけるシ
ンチレータ部材の一実施例である。光反射部材５００は
本発明における光反射部材の一実施例である。シンチレ
ータ積層体６００は本発明におけるシンチレータ積層体
の一実施例である。
ンチレータ部材の一実施例である。光反射部材５００は
本発明における光反射部材の一実施例である。シンチレ
ータ積層体６００は本発明におけるシンチレータ積層体
の一実施例である。
【００３８】光反射部材５００は金属箔の両面に酸化チ
タンの反射層を形成したもので、図２における遮光層３
３とその両側の側面反射層３２に相当する。光反射部材
５００の厚みは例えば１００μｍである。シンチレータ
板３００の積層ピッチ(pitch) は例えば１ｍｍである。
タンの反射層を形成したもので、図２における遮光層３
３とその両側の側面反射層３２に相当する。光反射部材
５００の厚みは例えば１００μｍである。シンチレータ
板３００の積層ピッチ(pitch) は例えば１ｍｍである。
【００３９】次に、このようなシンチレータ積層体６０
０から図４に示すようにシンチレータアレイ３を切り出
す。１つのシンチレータ積層体６００から複数のシンチ
レータアレイを切り出す。切り出し後シンチレータアレ
イ３の両面を研磨してその厚みを例えば２ｍｍとする。
０から図４に示すようにシンチレータアレイ３を切り出
す。１つのシンチレータ積層体６００から複数のシンチ
レータアレイを切り出す。切り出し後シンチレータアレ
イ３の両面を研磨してその厚みを例えば２ｍｍとする。
【００４０】次に、図５に示すようにワイヤ４をシンチ
レータアレイ３の上面の光反射部材５００の端面部分に
接着する。次に、図６に示すようにシンチレータアレイ
３のチャネルの上面に酸化チタン入りの塗料を塗り上面
反射層３４を形成する。また、フォトダイオードアレイ
２が形成された基板１をシンチレータアレイ３の下面に
取り付ける。取り付けに際してはアレイ同士の位置合わ
せが行われる。
レータアレイ３の上面の光反射部材５００の端面部分に
接着する。次に、図６に示すようにシンチレータアレイ
３のチャネルの上面に酸化チタン入りの塗料を塗り上面
反射層３４を形成する。また、フォトダイオードアレイ
２が形成された基板１をシンチレータアレイ３の下面に
取り付ける。取り付けに際してはアレイ同士の位置合わ
せが行われる。
【００４１】これによって１６チャネルのＸ線検出器ユ
ニット(unit)７００が完成する。この検出器ユニット７
００の上に通常はコリメータ(collimater)が取り付けら
れる。コリメータの取り付けに際してはコリメータ板を
Ｘ線検出器ユニット７００の各チャネルの境界部分の真
上に来るように正確に位置決めする必要がある。Ｘ線検
出器ユニット７００においてはその上面のワイヤ４がチ
ャネルの境界の位置を示しているので容易にコリメータ
の位置決めすることができる。
ニット(unit)７００が完成する。この検出器ユニット７
００の上に通常はコリメータ(collimater)が取り付けら
れる。コリメータの取り付けに際してはコリメータ板を
Ｘ線検出器ユニット７００の各チャネルの境界部分の真
上に来るように正確に位置決めする必要がある。Ｘ線検
出器ユニット７００においてはその上面のワイヤ４がチ
ャネルの境界の位置を示しているので容易にコリメータ
の位置決めすることができる。
【００４２】このようなＸ線検出器ユニット７００を１
次元方向に複数個配列して例えば１０００チャネルのＸ
線検出器が構成される。Ｘ線断層撮影装置用のＸ線検出
器を構成する場合は円弧状の１次元アレイを形成するよ
うにＸ線検出器ユニット７００が配列される。またＸ線
検出器ユニット７００を２次元的に配列して２次元検出
器を構成することもできる。
次元方向に複数個配列して例えば１０００チャネルのＸ
線検出器が構成される。Ｘ線断層撮影装置用のＸ線検出
器を構成する場合は円弧状の１次元アレイを形成するよ
うにＸ線検出器ユニット７００が配列される。またＸ線
検出器ユニット７００を２次元的に配列して２次元検出
器を構成することもできる。
【００４３】なお、本発明は上記の実施例に限定される
ものではなく、以下に列挙する変形例も本発明の範囲に
含まれる。Ｘ線遮蔽部材として用いるワイヤは断面が矩
形のものであっても良い。その場合は円形断面のものに
較べてシンチレータアレイへの接合性が良くなる。また
このワイヤの側面を磨き面にすると上面反射層内の光の
反射性を良くする効果も得られる。
ものではなく、以下に列挙する変形例も本発明の範囲に
含まれる。Ｘ線遮蔽部材として用いるワイヤは断面が矩
形のものであっても良い。その場合は円形断面のものに
較べてシンチレータアレイへの接合性が良くなる。また
このワイヤの側面を磨き面にすると上面反射層内の光の
反射性を良くする効果も得られる。
【００４４】シンチレーション光の検出にはフォトトラ
ンジスタ(photo-transistor)や光可変抵抗等の適宜の光
検出器を用いて良い。シンチレータアレイと光検出器ア
レイは２次元アレイとしても良い。
ンジスタ(photo-transistor)や光可変抵抗等の適宜の光
検出器を用いて良い。シンチレータアレイと光検出器ア
レイは２次元アレイとしても良い。
【００４５】
【発明の効果】以上詳細に説明したように、本発明は、
前述したような課題を解決する手段により、経時的な特
性劣化が少なくかつチャネル間のクロストークが少ない
シンチレータ型Ｘ線検出器およびその製造方法を実現す
ることができる。
前述したような課題を解決する手段により、経時的な特
性劣化が少なくかつチャネル間のクロストークが少ない
シンチレータ型Ｘ線検出器およびその製造方法を実現す
ることができる。
【図１】本発明実施例の装置の外観図である。
【図２】本発明実施例の装置の詳細な構成を示す断面図
である。
である。
【図３】本発明実施例の製造方法の説明図である。
【図４】本発明実施例の製造方法の説明図である。
【図５】本発明実施例の製造方法の説明図である。
【図６】本発明実施例の製造方法の説明図である。
【図７】従来例の外観図である。
【図８】従来例の詳細を示す断面図である。
１ 基板 ２ フォトダイオードアレイ ３ シンチレータアレイ ４ ワイヤ ２１ フォトダイオード ３１ シンチレータブロック ３２ 側面反射層 ３３ 遮光層 ３４ 上面反射層 ３００ シンチレータ板 ５００ 光反射部材 ６００ シンチレータ積層体 ７００ Ｘ線検出器ユニット
Claims (4)
- 【請求項１】 複数のシンチレータブロックが配列され
たシンチレータアレイと、前記シンチレータアレイにお
ける各シンチレータブロックの間に設けられた第１の光
反射部材と、前記シンチレータアレイのＸ線入射面に設
けられた第２の光反射部材と、複数の光検出器が配列さ
れたアレイであって前記シンチレータアレイのＸ線入射
面とは反対側に設けられた光検出器アレイとを有するＸ
線検出器において、前記第１の光反射部材のＸ線入射側
の端面を覆うＸ線遮蔽部材を具備することを特徴とする
Ｘ線検出器。 - 【請求項２】 複数のシンチレータブロックが１次元配
列されたシンチレータアレイと、前記シンチレータアレ
イにおける各シンチレータブロックの間に設けられた第
１の光反射部材と、前記シンチレータアレイのＸ線入射
面に設けられた第２の光反射部材と、複数の光検出器が
１次元配列されたアレイであって前記シンチレータアレ
イのＸ線入射面とは反対側に設けられた光検出器アレイ
とを有するＸ線検出器において、前記第１の光反射部材
のＸ線入射側の端面を覆うＸ線遮蔽部材を具備すること
を特徴とするＸ線検出器。 - 【請求項３】 複数のシンチレータブロックが２次元配
列されたシンチレータアレイと、前記シンチレータアレ
イにおける各シンチレータブロックの間に設けられた第
１の光反射部材と、前記シンチレータアレイのＸ線入射
面に設けられた第２の光反射部材と、複数の光検出器が
２次元配列されたアレイであって前記シンチレータアレ
イのＸ線入射面とは反対側に設けられた光検出器アレイ
とを有するＸ線検出器において、前記第１の光反射部材
のＸ線入射側の端面を覆うＸ線遮蔽部材を具備すること
を特徴とするＸ線検出器。 - 【請求項４】 シンチレータ部材の層と光反射部材の層
を交互に積層してシンチレータ積層体を形成する工程
と、前記シンチレータ積層体からシンチレータアレイを
切り出す工程と、前記シンチレータアレイの一方の面の
側において前記光反射部材の端面にＸ線遮蔽部材を取り
付ける工程と、前記シンチレータアレイの一方の面の側
に光反射部材を設ける工程と、前記シンチレータアレイ
の他方の面の側に光検出器アレイを結合する工程とを具
備するＸ線検出器の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7148615A JPH095444A (ja) | 1995-06-15 | 1995-06-15 | Ｘ線検出器およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7148615A JPH095444A (ja) | 1995-06-15 | 1995-06-15 | Ｘ線検出器およびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH095444A true JPH095444A (ja) | 1997-01-10 |
Family
ID=15456752
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7148615A Pending JPH095444A (ja) | 1995-06-15 | 1995-06-15 | Ｘ線検出器およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH095444A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6304626B1 (en) | 1998-10-20 | 2001-10-16 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Two-dimensional array type of X-ray detector and computerized tomography apparatus |
| JP2001296364A (ja) * | 2000-02-07 | 2001-10-26 | General Electric Co <Ge> | シンチレータ間反射体の自己アラインメント式ｘ線損傷シールド及びその製造方法 |
| JP2002062359A (ja) * | 2000-08-21 | 2002-02-28 | Aloka Co Ltd | 放射線測定装置 |
| US7053380B2 (en) | 2002-02-08 | 2006-05-30 | Kabushiki Kaisha Toshiba | X-ray detector and method for producing X-ray detector |
| AU2004233490B2 (en) * | 2003-11-28 | 2009-08-06 | Toyo Ink Mfg. Co., Ltd. | Pigment composition and printing ink containing the same |
| JP2013088368A (ja) * | 2011-10-21 | 2013-05-13 | Nippon Electric Glass Co Ltd | 放射線遮蔽物品 |
-
1995
- 1995-06-15 JP JP7148615A patent/JPH095444A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6304626B1 (en) | 1998-10-20 | 2001-10-16 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Two-dimensional array type of X-ray detector and computerized tomography apparatus |
| JP2001296364A (ja) * | 2000-02-07 | 2001-10-26 | General Electric Co <Ge> | シンチレータ間反射体の自己アラインメント式ｘ線損傷シールド及びその製造方法 |
| JP2002062359A (ja) * | 2000-08-21 | 2002-02-28 | Aloka Co Ltd | 放射線測定装置 |
| US7053380B2 (en) | 2002-02-08 | 2006-05-30 | Kabushiki Kaisha Toshiba | X-ray detector and method for producing X-ray detector |
| AU2004233490B2 (en) * | 2003-11-28 | 2009-08-06 | Toyo Ink Mfg. Co., Ltd. | Pigment composition and printing ink containing the same |
| JP2013088368A (ja) * | 2011-10-21 | 2013-05-13 | Nippon Electric Glass Co Ltd | 放射線遮蔽物品 |
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