JPH095607A - Ｍ×ｎ個の薄膜アクチュエーテッドミラーアレイ、及びその製造方法 - Google Patents
Ｍ×ｎ個の薄膜アクチュエーテッドミラーアレイ、及びその製造方法Info
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- JPH095607A JPH095607A JP8116131A JP11613196A JPH095607A JP H095607 A JPH095607 A JP H095607A JP 8116131 A JP8116131 A JP 8116131A JP 11613196 A JP11613196 A JP 11613196A JP H095607 A JPH095607 A JP H095607A
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- G02B26/08—Optical devices or arrangements for the control of light using movable or deformable optical elements for controlling the direction of light
- G02B26/0816—Optical devices or arrangements for the control of light using movable or deformable optical elements for controlling the direction of light by means of one or more reflecting elements
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- Mounting And Adjusting Of Optical Elements (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【課題】 光投射システムで用いられ、ストレスを除去
し得るM × N個の薄膜アクチュエーテッドミラーアレイ
及びその製造方法を提供する。 【解決手段】 薄膜アクチュエーテッドミラーアレイ３
１１は、能動マトリックス２１０及び駆動構造のアレイ
を含み、各駆動構造は第２薄膜電極、電気的に変形可能
な薄膜部及び第１薄膜電極を含み、薄膜犠牲層２２４に
空スロットのアレイを形成し、弾性層２３０にコンジッ
ト２２６のアレイを形成し、第２薄膜電極２４５を形成
し、第２薄膜層２４５にストライプ２８０を形成し、第
１薄膜層２６０、電気的に変形可能な層、第２薄膜層２
４０及び弾性層２３０をパターニングして、アクチュエ
ーテッドミラーアレイを形成し、薄膜保護層２７０を形
成し、薄膜犠牲層２２４を除去し、この薄膜保護層２７
０を除去して薄膜アクチュエーテッドミラーアレイ３１
１を完成する。
し得るM × N個の薄膜アクチュエーテッドミラーアレイ
及びその製造方法を提供する。 【解決手段】 薄膜アクチュエーテッドミラーアレイ３
１１は、能動マトリックス２１０及び駆動構造のアレイ
を含み、各駆動構造は第２薄膜電極、電気的に変形可能
な薄膜部及び第１薄膜電極を含み、薄膜犠牲層２２４に
空スロットのアレイを形成し、弾性層２３０にコンジッ
ト２２６のアレイを形成し、第２薄膜電極２４５を形成
し、第２薄膜層２４５にストライプ２８０を形成し、第
１薄膜層２６０、電気的に変形可能な層、第２薄膜層２
４０及び弾性層２３０をパターニングして、アクチュエ
ーテッドミラーアレイを形成し、薄膜保護層２７０を形
成し、薄膜犠牲層２２４を除去し、この薄膜保護層２７
０を除去して薄膜アクチュエーテッドミラーアレイ３１
１を完成する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、投射型画像表示装
置に関し、特に、投射型画像表示装置用Ｍ×Ｎ個の薄膜
アクチュエーテッドミラーアレイ、及びこれを製造する
改善された方法に関する。
置に関し、特に、投射型画像表示装置用Ｍ×Ｎ個の薄膜
アクチュエーテッドミラーアレイ、及びこれを製造する
改善された方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】画像表示装置は表示方法によって直視型
画像表示装置と投射型画像表示装置とに分けられるが、
投射型画像表示装置は大画面（ｌａｒｇｅ ｓｃａｌ
ｅ）における高画質ビデオディスプレーを提供すること
が知られている。このような投射型画像表示装置では、
ランプから投射される光は、例えば、Ｍ×Ｎ個のアクチ
ュエーテッドミラーアレイ上に一様に照射されるが、か
かる光路調節装置には各ミラーが各々にアクチュエータ
に結合されている。アクチュエータは、アクチュエータ
に印加される電界に応答して、変形する圧電材料または
電歪材料の電気的に変形可能な物質で形成されている。
画像表示装置と投射型画像表示装置とに分けられるが、
投射型画像表示装置は大画面（ｌａｒｇｅ ｓｃａｌ
ｅ）における高画質ビデオディスプレーを提供すること
が知られている。このような投射型画像表示装置では、
ランプから投射される光は、例えば、Ｍ×Ｎ個のアクチ
ュエーテッドミラーアレイ上に一様に照射されるが、か
かる光路調節装置には各ミラーが各々にアクチュエータ
に結合されている。アクチュエータは、アクチュエータ
に印加される電界に応答して、変形する圧電材料または
電歪材料の電気的に変形可能な物質で形成されている。
【０００３】これらの各々のミラーから反射された光ビ
ームは、例えば、バッフルの開口に投射される。電気信
号を各々のアクチュエータに印加することによって、光
線が投射される各々のミラーの相対的な位置が変更さ
れ、それによって、各ミラーから反射されるビームの光
路における偏向（ｄｅｖｉａｔｉｏｎ）が生じる。反射
された各々の光の光路が偏向される場合、各々のミラー
から反射され開口を通過する光量は変化し、それによっ
て光の強さが調節される。開口を通じて光量が調節され
た光は、投射レンズのような適切な光学装置を通じて投
射スクリーン上へ伝送され、その上に像をディスプレイ
する。
ームは、例えば、バッフルの開口に投射される。電気信
号を各々のアクチュエータに印加することによって、光
線が投射される各々のミラーの相対的な位置が変更さ
れ、それによって、各ミラーから反射されるビームの光
路における偏向（ｄｅｖｉａｔｉｏｎ）が生じる。反射
された各々の光の光路が偏向される場合、各々のミラー
から反射され開口を通過する光量は変化し、それによっ
て光の強さが調節される。開口を通じて光量が調節され
た光は、投射レンズのような適切な光学装置を通じて投
射スクリーン上へ伝送され、その上に像をディスプレイ
する。
【０００４】図１乃至図７は、Ｍ×Ｎ個の薄膜アクチュ
エーテッドミラー１０１のアレイ１００の製造方法に係
わる過程を図解する図であって、本特許出願と出願人を
同じくする出願中の米国特許出願０８／４３０，６２８
号明細書に、「ＴＨＩＮ ＦＩＬＭ ＡＣＴＵＡＴＥＤ
ＭＩＲＲＯＲ ＡＲＲＡＹ」の名称で開示されてい
る。ここで、ＭおよびＮは正の整数である。
エーテッドミラー１０１のアレイ１００の製造方法に係
わる過程を図解する図であって、本特許出願と出願人を
同じくする出願中の米国特許出願０８／４３０，６２８
号明細書に、「ＴＨＩＮ ＦＩＬＭ ＡＣＴＵＡＴＥＤ
ＭＩＲＲＯＲ ＡＲＲＡＹ」の名称で開示されてい
る。ここで、ＭおよびＮは正の整数である。
【０００５】アレイ１００の製造過程は、基板１２、Ｍ
×Ｎ個のトランジスタのアレイ（図示せず）及びＭ×Ｎ
個の接続端子１４のアレイから成り、上面を有する能動
マトリックス１０の形成から始まる。
×Ｎ個のトランジスタのアレイ（図示せず）及びＭ×Ｎ
個の接続端子１４のアレイから成り、上面を有する能動
マトリックス１０の形成から始まる。
【０００６】次に、薄膜犠牲層２４が能動マトリックス
１０の上面に形成されるが、ここで、この薄膜犠牲層２
４が金属からなる場合には、スパッタリング法、あるい
は真空蒸着法を、ＰＳＧ（ｐｈｏｒ−ｓｉｌｉｃａｔｅ
ｇｌａｓｓ：ＰＳＧ）からなる場合はスピンコーディ
ング法あるいは化学蒸着（ＣＶＤ）法を、ポリシリコン
からなる場合は、化学蒸着法を用いて形成される。
１０の上面に形成されるが、ここで、この薄膜犠牲層２
４が金属からなる場合には、スパッタリング法、あるい
は真空蒸着法を、ＰＳＧ（ｐｈｏｒ−ｓｉｌｉｃａｔｅ
ｇｌａｓｓ：ＰＳＧ）からなる場合はスピンコーディ
ング法あるいは化学蒸着（ＣＶＤ）法を、ポリシリコン
からなる場合は、化学蒸着法を用いて形成される。
【０００７】次に、図１に示されたように、薄膜犠牲層
２４により取り囲まれるＭ×Ｎ個の支持部２２のアレイ
を含む支持層２０が形成されるが、ここで、前記支持層
２０は薄膜犠牲層２４にフォトリソグラフィー法を用い
て各接続端子１４の周囲に位置するＭ×Ｎ個の空スロッ
ト（図示せず）のアレイを形成する過程と、各接続端子
の周囲に位置する前記各空スロットに絶縁物質からなる
支持部２２をスパッタリング法またはＣＶＤ法を用いて
形成する過程とによって形成される。次に、前記支持部
２２と同一の絶縁物質からなる弾性層３０がゾルーゲ
ル、スパッタリングまたはＣＶＤ法を用いて支持層２０
の上部に形成される。
２４により取り囲まれるＭ×Ｎ個の支持部２２のアレイ
を含む支持層２０が形成されるが、ここで、前記支持層
２０は薄膜犠牲層２４にフォトリソグラフィー法を用い
て各接続端子１４の周囲に位置するＭ×Ｎ個の空スロッ
ト（図示せず）のアレイを形成する過程と、各接続端子
の周囲に位置する前記各空スロットに絶縁物質からなる
支持部２２をスパッタリング法またはＣＶＤ法を用いて
形成する過程とによって形成される。次に、前記支持部
２２と同一の絶縁物質からなる弾性層３０がゾルーゲ
ル、スパッタリングまたはＣＶＤ法を用いて支持層２０
の上部に形成される。
【０００８】次に、図２を参照すると、金属からなるコ
ンジット２６が各支持部２２に形成されているが、前記
コンジット２６は、まずエッチング法を用いて弾性層３
０の上部から接続端子１４の上部まで貫通するＭ×Ｎ個
の空スロット（図示せず）のアレイを作る過程と、前記
孔内に金属を満たす過程によって形成される。
ンジット２６が各支持部２２に形成されているが、前記
コンジット２６は、まずエッチング法を用いて弾性層３
０の上部から接続端子１４の上部まで貫通するＭ×Ｎ個
の空スロット（図示せず）のアレイを作る過程と、前記
孔内に金属を満たす過程によって形成される。
【０００９】次に、電気的に変形可能な物質からなる第
２薄膜層４０がスパッタリング法を用いてコンジット２
６を含む弾性層３０の上部に形成される。前記第２薄膜
層４０は支持部２２に形成されたコンジット２６を通じ
てトランジスタに電気的に連結される。
２薄膜層４０がスパッタリング法を用いてコンジット２
６を含む弾性層３０の上部に形成される。前記第２薄膜
層４０は支持部２２に形成されたコンジット２６を通じ
てトランジスタに電気的に連結される。
【００１０】次に、図３に示したように、圧電材料また
は電歪材料からなる薄膜エレクトロディスプレーシブ層
５０は、第２薄膜層４０の上部に、ゾルーゲル法、スパ
ッタリング法、あるいはＣＶＤ法を用いて形成される。
は電歪材料からなる薄膜エレクトロディスプレーシブ層
５０は、第２薄膜層４０の上部に、ゾルーゲル法、スパ
ッタリング法、あるいはＣＶＤ法を用いて形成される。
【００１１】次に、薄膜エレクトロディスプレーシブ層
５０、第２薄膜層４０および弾性層３０がフォトリソグ
ラフィーまたはレザー切断法を用いて各Ｍ×Ｎ個の薄膜
部５５のアレイ、Ｍ×Ｎ個の薄膜第２電極４５のアレイ
およびＭ×Ｎ個の弾性部３５のアレイまで、図４に示し
たように、Ｍ×Ｎ個の支持層２０が露出される時までパ
ターニングされる。前記各第２薄膜電極４５は各支持部
２２に形成されたコンジット２６を通じてトランジスタ
に電気的に連結されており、薄膜アクチュエーテッドミ
ラー１０１において信号電極の機能をする。
５０、第２薄膜層４０および弾性層３０がフォトリソグ
ラフィーまたはレザー切断法を用いて各Ｍ×Ｎ個の薄膜
部５５のアレイ、Ｍ×Ｎ個の薄膜第２電極４５のアレイ
およびＭ×Ｎ個の弾性部３５のアレイまで、図４に示し
たように、Ｍ×Ｎ個の支持層２０が露出される時までパ
ターニングされる。前記各第２薄膜電極４５は各支持部
２２に形成されたコンジット２６を通じてトランジスタ
に電気的に連結されており、薄膜アクチュエーテッドミ
ラー１０１において信号電極の機能をする。
【００１２】次に、各薄膜部５５は、相転移を起こすよ
うに熱処理されて、Ｍ×Ｎ個の構造（図示せず）のアレ
イを形成することになる。前記各薄膜部５５は充分に薄
いため、前記各薄膜部５５が圧電物質からなる場合は、
薄膜アクチュエーテッドミラー１０１の駆動時に印加さ
れる電気信号により分極され得るため分極する必要がな
い。
うに熱処理されて、Ｍ×Ｎ個の構造（図示せず）のアレ
イを形成することになる。前記各薄膜部５５は充分に薄
いため、前記各薄膜部５５が圧電物質からなる場合は、
薄膜アクチュエーテッドミラー１０１の駆動時に印加さ
れる電気信号により分極され得るため分極する必要がな
い。
【００１３】次に、電導性及び光反射性を有する物質か
らなるＭ×Ｎ個の薄膜第１電極６５のアレイがＭ×Ｎ個
のスパッタリング方法を用いて薄膜部５５の上部に形成
されるが、前記第１薄膜電極６５は、図５に示したよう
に、スパッタリング法を用いて電導性及び光反射性を有
する物質からなり、露出された支持層２０を含むＭ×Ｎ
個の熱処理された構造のアレイの上部を完全に取り囲む
層６０を形成した後、前記層５０をエッチング法を用い
て選択的に除去して形成されるが、これによって、図６
に示されたように、Ｍ×Ｎ個のアクチュエーテッドミラ
ーアレイ１１１のアレイ１１０を形成するが、前記各ア
クチュエーテッドミラーアレイ１１１は上面及び４つの
側面を含む。前記各第１薄膜電極６５は薄膜アクチュエ
ーテッドミラー１０１においてバイアス電極だけでなく
ミラーとして作用する。
らなるＭ×Ｎ個の薄膜第１電極６５のアレイがＭ×Ｎ個
のスパッタリング方法を用いて薄膜部５５の上部に形成
されるが、前記第１薄膜電極６５は、図５に示したよう
に、スパッタリング法を用いて電導性及び光反射性を有
する物質からなり、露出された支持層２０を含むＭ×Ｎ
個の熱処理された構造のアレイの上部を完全に取り囲む
層６０を形成した後、前記層５０をエッチング法を用い
て選択的に除去して形成されるが、これによって、図６
に示されたように、Ｍ×Ｎ個のアクチュエーテッドミラ
ーアレイ１１１のアレイ１１０を形成するが、前記各ア
クチュエーテッドミラーアレイ１１１は上面及び４つの
側面を含む。前記各第１薄膜電極６５は薄膜アクチュエ
ーテッドミラー１０１においてバイアス電極だけでなく
ミラーとして作用する。
【００１４】次に、各光路調節装置構造（アクチュエー
テッドミラー構造）１１１の上面及び４つの側面が薄膜
保護層（図示せず）で完全に囲まれる。支持層２０に形
成された薄膜犠牲層２４はエッチング法により除去され
る。前記各薄膜保護層の除去後、エッチング法を用いて
薄膜層が除去されて、図７に示したように、Ｍ×Ｎ個の
薄膜アクチュエーテッドミラー１０１のアレイ１００を
形成する。
テッドミラー構造）１１１の上面及び４つの側面が薄膜
保護層（図示せず）で完全に囲まれる。支持層２０に形
成された薄膜犠牲層２４はエッチング法により除去され
る。前記各薄膜保護層の除去後、エッチング法を用いて
薄膜層が除去されて、図７に示したように、Ｍ×Ｎ個の
薄膜アクチュエーテッドミラー１０１のアレイ１００を
形成する。
【００１５】しかし、Ｍ×Ｎ個の薄膜アクチュエーテッ
ドミラー１０１のアレイ１００の製造に関する上記した
方法は、多くの問題点を有している。その中で最も大き
い問題点は、薄膜アクチュエーテッドミラー１０１の駆
動時各薄膜アクチュエーテッドミラーアレイ１０１の薄
膜部５５及び弾性部３５の間から発生するストレスによ
るアレイ１００の光効率の低下である。前記から発生し
たストレスは第１薄膜電極６５に亀裂を起こすか、ある
場合には第１薄膜電極６５が薄膜アクチュエーテッドミ
ラー１０１から外れることになる。さらに、前記から発
生されたストレスは薄膜部５５とその上に形成された第
１薄膜電極６５が不規則的に曲がるようにしてアレイ１
００の全般的な光効率を低下させる。
ドミラー１０１のアレイ１００の製造に関する上記した
方法は、多くの問題点を有している。その中で最も大き
い問題点は、薄膜アクチュエーテッドミラー１０１の駆
動時各薄膜アクチュエーテッドミラーアレイ１０１の薄
膜部５５及び弾性部３５の間から発生するストレスによ
るアレイ１００の光効率の低下である。前記から発生し
たストレスは第１薄膜電極６５に亀裂を起こすか、ある
場合には第１薄膜電極６５が薄膜アクチュエーテッドミ
ラー１０１から外れることになる。さらに、前記から発
生されたストレスは薄膜部５５とその上に形成された第
１薄膜電極６５が不規則的に曲がるようにしてアレイ１
００の全般的な光効率を低下させる。
【００１６】
【発明が解決しようとする課題】従って、本発明の目的
は、薄膜アクチュエーテッドミラーアレイが薄膜部と弾
性部との間から発生されるストレスを除去し得る光投射
システム用Ｍ×Ｎ個の薄膜アクチュエーテッドミラーア
レイを提供することである。本発明の他の目的は、Ｍ×
Ｎ個の薄膜アクチュエーテッドミラーアレイの製造方法
を提供することである。
は、薄膜アクチュエーテッドミラーアレイが薄膜部と弾
性部との間から発生されるストレスを除去し得る光投射
システム用Ｍ×Ｎ個の薄膜アクチュエーテッドミラーア
レイを提供することである。本発明の他の目的は、Ｍ×
Ｎ個の薄膜アクチュエーテッドミラーアレイの製造方法
を提供することである。
【００１７】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに、本発明によって、各接続端子が関連トランジスタ
に電気的に連結されたＭ×Ｎ個の接続端子のアレイ、Ｍ
×Ｎ個のトランジスタのアレイ及び基板を含む駆動基板
と、前記各駆動構造が駆動部分及び光反射部分を有し、
各駆動構造が弾性部、一対のコンジット、ストライプに
より２つの部分に分けられた第２薄膜電極、電気的に変
形可能な薄膜部及び第１薄膜電極を含み、前記第１及び
第２薄膜電極が各々電気的に変形可能な薄膜部の上部及
び下部に位置し、前記弾性部が第２薄膜電極の下部に位
置するＭ×Ｎ個の駆動構造のアレイと、前記第２薄膜電
極でストライプにより分けられた２つの部分は各駆動構
造の駆動部分及び反射部分と対応し、前記各駆動構造の
駆動部分に対応する第２薄膜電極の部分は、コンジット
及び接続端子を通じてトランジスタに電気的に連結され
て各駆動構造で信号電極としての機能をし、前記第１薄
膜電極は各駆動構造でバイアス電極及びミラーとしての
機能をする前記駆動構造のアレイとを含むことを特徴と
するＭ×Ｎ個の薄膜アクチュエーテッドミラーアレイが
提供される。また、本発明の他の目的を達成するため
に、各接続端子が、関連トランジスタに電気的に連結さ
れたＭ×Ｎ対の接続端子のアレイ、Ｍ×Ｎ個のトランジ
スタのアレイ及び基板を含む能動マトリックスを準備す
る第１過程と、前記各能動マトリックスの上部に薄膜犠
牲層を沈積させる第２過程と、各空スロットが接続端子
の上部の回りに位置するように、前記薄膜犠牲層にＭ×
Ｎ対の空スロットのアレイを形成する第３過程と、前記
空スロットを含む薄膜犠牲層の上部に絶縁物質からなる
弾性層を沈積させる第４過程と、各コンジットが弾性層
の上部から接続端子の上部まで形成されるように、前記
弾性層にＭ×Ｎ対のコンジットのアレイを形成する第５
過程と、コンジットを含む弾性層の上部に導電性及び光
反射性を有する第２薄膜電極を形成する第６過程と、前
記第２薄膜電極に複数の平行な間隔を有するストライプ
を形成する第７過程であって、前記ストライプは弾性層
を露出させて、第２薄膜電極を関連個数の物理的に分離
された部分に分けることになる、前記第７過程と、前記
第２薄膜電極の上部に電気的に変形可能な層及び第１薄
膜電極を順次に沈積する第８過程であって、前記第１薄
膜層は導電性及び光反射性を有する前記第８過程と、前
記第１薄膜層、電気的に変形可能な層、第２薄膜層及び
弾性層を前記薄膜犠牲層が露出される時までパターニン
グして、Ｍ×Ｎ個のアクチュエーテッドミラーアレイを
形成する第９過程であって、前記各アクチュエーテッド
ミラーアレイは第１薄膜電極、薄膜部、ストライプを有
する第２薄膜電極及びコンジットを有する弾性部を含む
前記第９過程と、前記各アクチュエーテッドミラーアレ
イを完全に覆う薄膜保護層を形成する第１０過程と、薄
膜犠牲層を除去する第１１過程と、薄膜犠牲層を除去し
て、Ｍ×Ｎ個の薄膜アクチュエーテッドミラーアレイを
完成する第１２過程を備えることを特徴とするＭ×Ｎ個
の薄膜アクチュエーテッドミラーアレイの製造方法が提
供される。
めに、本発明によって、各接続端子が関連トランジスタ
に電気的に連結されたＭ×Ｎ個の接続端子のアレイ、Ｍ
×Ｎ個のトランジスタのアレイ及び基板を含む駆動基板
と、前記各駆動構造が駆動部分及び光反射部分を有し、
各駆動構造が弾性部、一対のコンジット、ストライプに
より２つの部分に分けられた第２薄膜電極、電気的に変
形可能な薄膜部及び第１薄膜電極を含み、前記第１及び
第２薄膜電極が各々電気的に変形可能な薄膜部の上部及
び下部に位置し、前記弾性部が第２薄膜電極の下部に位
置するＭ×Ｎ個の駆動構造のアレイと、前記第２薄膜電
極でストライプにより分けられた２つの部分は各駆動構
造の駆動部分及び反射部分と対応し、前記各駆動構造の
駆動部分に対応する第２薄膜電極の部分は、コンジット
及び接続端子を通じてトランジスタに電気的に連結され
て各駆動構造で信号電極としての機能をし、前記第１薄
膜電極は各駆動構造でバイアス電極及びミラーとしての
機能をする前記駆動構造のアレイとを含むことを特徴と
するＭ×Ｎ個の薄膜アクチュエーテッドミラーアレイが
提供される。また、本発明の他の目的を達成するため
に、各接続端子が、関連トランジスタに電気的に連結さ
れたＭ×Ｎ対の接続端子のアレイ、Ｍ×Ｎ個のトランジ
スタのアレイ及び基板を含む能動マトリックスを準備す
る第１過程と、前記各能動マトリックスの上部に薄膜犠
牲層を沈積させる第２過程と、各空スロットが接続端子
の上部の回りに位置するように、前記薄膜犠牲層にＭ×
Ｎ対の空スロットのアレイを形成する第３過程と、前記
空スロットを含む薄膜犠牲層の上部に絶縁物質からなる
弾性層を沈積させる第４過程と、各コンジットが弾性層
の上部から接続端子の上部まで形成されるように、前記
弾性層にＭ×Ｎ対のコンジットのアレイを形成する第５
過程と、コンジットを含む弾性層の上部に導電性及び光
反射性を有する第２薄膜電極を形成する第６過程と、前
記第２薄膜電極に複数の平行な間隔を有するストライプ
を形成する第７過程であって、前記ストライプは弾性層
を露出させて、第２薄膜電極を関連個数の物理的に分離
された部分に分けることになる、前記第７過程と、前記
第２薄膜電極の上部に電気的に変形可能な層及び第１薄
膜電極を順次に沈積する第８過程であって、前記第１薄
膜層は導電性及び光反射性を有する前記第８過程と、前
記第１薄膜層、電気的に変形可能な層、第２薄膜層及び
弾性層を前記薄膜犠牲層が露出される時までパターニン
グして、Ｍ×Ｎ個のアクチュエーテッドミラーアレイを
形成する第９過程であって、前記各アクチュエーテッド
ミラーアレイは第１薄膜電極、薄膜部、ストライプを有
する第２薄膜電極及びコンジットを有する弾性部を含む
前記第９過程と、前記各アクチュエーテッドミラーアレ
イを完全に覆う薄膜保護層を形成する第１０過程と、薄
膜犠牲層を除去する第１１過程と、薄膜犠牲層を除去し
て、Ｍ×Ｎ個の薄膜アクチュエーテッドミラーアレイを
完成する第１２過程を備えることを特徴とするＭ×Ｎ個
の薄膜アクチュエーテッドミラーアレイの製造方法が提
供される。
【００１８】
【発明の実施の形態】以下、本発明の好適実施例につい
て図面を参照しながらより詳しく説明する。図８及び図
９乃至図１４は、本発明の好適な実施例によって得られ
る、光投射形システムで用いられる、Ｍ×Ｎ個の薄膜ア
クチュエーテッドミラー３０１のアレイ３００、及びこ
れを製造する改善された方法を説明する断面図である。
ここで、Ｍ及びＮは正の整数である。図８及び図９乃至
図１４に示した同一の部分は等しい符号を付して示され
ている。
て図面を参照しながらより詳しく説明する。図８及び図
９乃至図１４は、本発明の好適な実施例によって得られ
る、光投射形システムで用いられる、Ｍ×Ｎ個の薄膜ア
クチュエーテッドミラー３０１のアレイ３００、及びこ
れを製造する改善された方法を説明する断面図である。
ここで、Ｍ及びＮは正の整数である。図８及び図９乃至
図１４に示した同一の部分は等しい符号を付して示され
ている。
【００１９】図８には、本発明によるＭ×Ｎ個の薄膜ア
クチュエーテッドミラー３０１のアレイ３１１の断面図
が示されている。前記アレイ３００は、Ｍ×Ｎ個の駆動
構造２００のアレイを含む。
クチュエーテッドミラー３０１のアレイ３１１の断面図
が示されている。前記アレイ３００は、Ｍ×Ｎ個の駆動
構造２００のアレイを含む。
【００２０】前記能動マトリックス２１０はＭ×Ｎ対の
接続端子２１４のアレイ及びＭ×Ｎ個のトランジスタ
（図示せず）のアレイを有する基板２１２を含む。前記
各対の接続端子２１４はトランジスタのアレイのうち関
連トランジスタに電気的に連結されている。
接続端子２１４のアレイ及びＭ×Ｎ個のトランジスタ
（図示せず）のアレイを有する基板２１２を含む。前記
各対の接続端子２１４はトランジスタのアレイのうち関
連トランジスタに電気的に連結されている。
【００２１】前記各駆動構造２００は駆動部分２９０及
び光反射部分２９５を有し、弾性部２３５、一対のコン
ジット２２６、ストライプ２８０を有する第２薄膜電極
２４５、電気的に変形可能な薄膜部２５５及び第１薄膜
電極２６５を含む。前記電気的に変形可能な薄膜部２５
５はＰＺＴのような圧電物質またはＰＭＮのような電歪
物質からなり、０．１〜２μm の厚さを有する。電導性
及び光反射性を有し、０．１〜２μm の厚さを有する前
記第１薄膜電極２６５は電気的に変形可能な薄膜部２５
５の上部に位置する。電導性及び光反射性を有する物質
からなる、０．１〜２μm の厚さを有する前記第２薄膜
電極２４５は電気的に変形可能な薄膜部２５５の下部に
位置する。絶縁物質からなる、０．１〜２μm の厚さを
有する前記弾性部２３５は第２薄膜電極２４５の下部に
位置する。前記ストライプ２８０は第２薄膜電極２４５
を２つの部分に分けるが、前記第２薄膜電極２４５の２
つの部分は各駆動構造２００の駆動部分２９０及び光反
射部分２９５と各々相応する。各駆動構造２００の駆動
部分２９０に対応する第２薄膜電極２４５の部分はコン
ジット２２６及び接続端子２１４を通じてトランジスタ
に電気的に連結されて、各駆動構造２００で信号電極と
しての機能をする。前記第１薄膜電極２６５は各駆動構
造２００でバイアス電極だけでなく、ミラーとしての機
能をする。
び光反射部分２９５を有し、弾性部２３５、一対のコン
ジット２２６、ストライプ２８０を有する第２薄膜電極
２４５、電気的に変形可能な薄膜部２５５及び第１薄膜
電極２６５を含む。前記電気的に変形可能な薄膜部２５
５はＰＺＴのような圧電物質またはＰＭＮのような電歪
物質からなり、０．１〜２μm の厚さを有する。電導性
及び光反射性を有し、０．１〜２μm の厚さを有する前
記第１薄膜電極２６５は電気的に変形可能な薄膜部２５
５の上部に位置する。電導性及び光反射性を有する物質
からなる、０．１〜２μm の厚さを有する前記第２薄膜
電極２４５は電気的に変形可能な薄膜部２５５の下部に
位置する。絶縁物質からなる、０．１〜２μm の厚さを
有する前記弾性部２３５は第２薄膜電極２４５の下部に
位置する。前記ストライプ２８０は第２薄膜電極２４５
を２つの部分に分けるが、前記第２薄膜電極２４５の２
つの部分は各駆動構造２００の駆動部分２９０及び光反
射部分２９５と各々相応する。各駆動構造２００の駆動
部分２９０に対応する第２薄膜電極２４５の部分はコン
ジット２２６及び接続端子２１４を通じてトランジスタ
に電気的に連結されて、各駆動構造２００で信号電極と
しての機能をする。前記第１薄膜電極２６５は各駆動構
造２００でバイアス電極だけでなく、ミラーとしての機
能をする。
【００２２】図９及び図１４は、図８に示されたＭ×Ｎ
個の薄膜アクチュエーテッドミラー３００のアレイ３０
０の製造方法を説明する概略的な断面図が示されてい
る。アレイ３００の製造過程は、Ｍ×Ｎ個のトランジス
タ（図示せず）のアレイ、Ｍ×Ｎ対の接続端子２１４の
アレイを有する基板２１２を含む能動マトリックス２１
０の準備から始まる。前記各対の接続端子２１４はトラ
ンジスタのアレイのうち関連トランジスタに電気的に連
結されている。
個の薄膜アクチュエーテッドミラー３００のアレイ３０
０の製造方法を説明する概略的な断面図が示されてい
る。アレイ３００の製造過程は、Ｍ×Ｎ個のトランジス
タ（図示せず）のアレイ、Ｍ×Ｎ対の接続端子２１４の
アレイを有する基板２１２を含む能動マトリックス２１
０の準備から始まる。前記各対の接続端子２１４はトラ
ンジスタのアレイのうち関連トランジスタに電気的に連
結されている。
【００２３】その後、銅（Ｃｕ）あるいはニッケル（Ｎ
ｉ）のような金属、ＰＳＧあるいはポリシリコンからな
る薄膜犠牲層２２４が能動マトリックス２１０の上面に
０．１〜２μｍの厚さで形成される。前記薄膜犠牲層２
２４は金属からなる場合にはスパッタリング法または化
学蒸着（ＣＶＤ）法を、ＰＳＧからなる場合にはスピン
コーティング法を、そしてポリシリコンからなる場合に
は化学蒸着法（ＣＶＤ）法を用いて形成される。
ｉ）のような金属、ＰＳＧあるいはポリシリコンからな
る薄膜犠牲層２２４が能動マトリックス２１０の上面に
０．１〜２μｍの厚さで形成される。前記薄膜犠牲層２
２４は金属からなる場合にはスパッタリング法または化
学蒸着（ＣＶＤ）法を、ＰＳＧからなる場合にはスピン
コーティング法を、そしてポリシリコンからなる場合に
は化学蒸着法（ＣＶＤ）法を用いて形成される。
【００２４】次に、Ｍ×Ｎ対の空スロット（図示せず）
のアレイがフォトリソグラフィー法を用いて薄膜犠牲層
２２４に形成される。前記空スロットは接続端子２１４
の上部周囲に位置する。
のアレイがフォトリソグラフィー法を用いて薄膜犠牲層
２２４に形成される。前記空スロットは接続端子２１４
の上部周囲に位置する。
【００２５】次に、窒化シリコンまたは炭化シリコンの
ような絶縁物質からなる、０．１〜２μm の厚さを有す
る弾性層２３０が、蒸着法またはスパッタリング法を用
いて空スロットを含む薄膜犠牲層２２４の上部に沈積さ
れる。
ような絶縁物質からなる、０．１〜２μm の厚さを有す
る弾性層２３０が、蒸着法またはスパッタリング法を用
いて空スロットを含む薄膜犠牲層２２４の上部に沈積さ
れる。
【００２６】次に、図９に示したように、弾性層２３０
にアルミニウムのような金属からなるＭ×Ｎ個のコンジ
ット２２６のアレイが形成されるが、各コンジット２２
６はまず、エッチング法を用いて弾性層２３０の上部か
ら各接続端子２１４の上部まで延在するＭ×Ｎ個の孔の
アレイ（図示せず）を形成する過程と、その孔内にスパ
ッタリング法を用いて金属を満たす過程とによって形成
される。
にアルミニウムのような金属からなるＭ×Ｎ個のコンジ
ット２２６のアレイが形成されるが、各コンジット２２
６はまず、エッチング法を用いて弾性層２３０の上部か
ら各接続端子２１４の上部まで延在するＭ×Ｎ個の孔の
アレイ（図示せず）を形成する過程と、その孔内にスパ
ッタリング法を用いて金属を満たす過程とによって形成
される。
【００２７】また、ＰｔまたはＰｔ／Ｔｉのような電導
性を有する物質からなる、０．１〜２μm の厚さを有す
る第２薄膜層２４０がスパッタリングまたは真空蒸着法
を用いてコンジット２２６及び弾性層２３０の上部に形
成される。
性を有する物質からなる、０．１〜２μm の厚さを有す
る第２薄膜層２４０がスパッタリングまたは真空蒸着法
を用いてコンジット２２６及び弾性層２３０の上部に形
成される。
【００２８】次に、図１０に示したように、複数の平行
な一定の間隔を有するストライプ２８０を食刻法を用い
て第２薄膜層２４０に形成されるが、前記ストライプ２
８０は弾性部２３０を露出させることになって、前記第
２薄膜層２４０を関連個数の物理的に分離された部分に
分かれることになる。
な一定の間隔を有するストライプ２８０を食刻法を用い
て第２薄膜層２４０に形成されるが、前記ストライプ２
８０は弾性部２３０を露出させることになって、前記第
２薄膜層２４０を関連個数の物理的に分離された部分に
分かれることになる。
【００２９】次に、ＰＺＴのような圧電物質またはＰＭ
Ｎのような電歪物質からなる電気的に変形可能な薄膜層
２５０が、０．１〜２μm の厚さでＭ×Ｎ個の第２薄膜
層２４０の上部に形成される。その後、この電気的に変
形可能な薄膜層２５０は相転移が起こるように熱処理さ
れる。
Ｎのような電歪物質からなる電気的に変形可能な薄膜層
２５０が、０．１〜２μm の厚さでＭ×Ｎ個の第２薄膜
層２４０の上部に形成される。その後、この電気的に変
形可能な薄膜層２５０は相転移が起こるように熱処理さ
れる。
【００３０】次に、図１１を参照すると、アルミニウム
（Ａｌ）、銀（Ａｇ）のような電導性及び光反射性物質
からなる第１薄膜層２６０が、０．１〜２μm の厚さ
で、スパッタリング法または真空蒸着法を用いて薄膜層
２５０の上部に形成される。その後、第１薄膜層２６
０、薄膜層２５０、第２薄膜層２４０及び弾性層２３０
がフォトリソグラフィー法またはレーザ切断法を用いて
パターニングされて、Ｍ×Ｎ個のアクチュエーテッドミ
ラーの構造３１１のアレイ３１０を形成するが、図１２
に示したように、前記各アクチュエーテッドミラーの構
造３１１は第１薄膜電極２６５、電気的に変形可能な薄
膜部２５５、ストライプ２８０を有する第２薄膜電極２
４５及びコンジット２２６を有する弾性部２３５を含
む。前記第２薄膜電極２４５はコンジット２２６及び接
続端子２１４を通じてトランジスタに電気的に連結され
ている。
（Ａｌ）、銀（Ａｇ）のような電導性及び光反射性物質
からなる第１薄膜層２６０が、０．１〜２μm の厚さ
で、スパッタリング法または真空蒸着法を用いて薄膜層
２５０の上部に形成される。その後、第１薄膜層２６
０、薄膜層２５０、第２薄膜層２４０及び弾性層２３０
がフォトリソグラフィー法またはレーザ切断法を用いて
パターニングされて、Ｍ×Ｎ個のアクチュエーテッドミ
ラーの構造３１１のアレイ３１０を形成するが、図１２
に示したように、前記各アクチュエーテッドミラーの構
造３１１は第１薄膜電極２６５、電気的に変形可能な薄
膜部２５５、ストライプ２８０を有する第２薄膜電極２
４５及びコンジット２２６を有する弾性部２３５を含
む。前記第２薄膜電極２４５はコンジット２２６及び接
続端子２１４を通じてトランジスタに電気的に連結され
ている。
【００３１】前記各電気的に変形可能な薄膜部２５５は
充分に薄いため、各変形可能な薄膜部２５５が圧電物質
からなる場合は、薄膜アクチュエーテッドミラーアレイ
３０１の駆動時、印加される電気信号により分極され得
るため、別に分極する必要がない。
充分に薄いため、各変形可能な薄膜部２５５が圧電物質
からなる場合は、薄膜アクチュエーテッドミラーアレイ
３０１の駆動時、印加される電気信号により分極され得
るため、別に分極する必要がない。
【００３２】その後、図１３を参照すれば、前記各アク
チュエーテッドミラーアレイ３１１を完全に覆う薄膜保
護層２７０が形成される。
チュエーテッドミラーアレイ３１１を完全に覆う薄膜保
護層２７０が形成される。
【００３３】また、図１４を参照すれば、前記薄膜犠牲
層２２４が連続して食刻法を用いて除去される。最後
に、前記薄膜保護層２７０が除去されてＭ×Ｎ個の薄膜
アクチュエーテッドミラーアレイ３０１のアレイ３００
を完成することになる。
層２２４が連続して食刻法を用いて除去される。最後
に、前記薄膜保護層２７０が除去されてＭ×Ｎ個の薄膜
アクチュエーテッドミラーアレイ３０１のアレイ３００
を完成することになる。
【００３４】図１５には、本発明によるＭ×Ｎ個の薄膜
アクチュエーテッドミラー３０１のアレイ３００の平面
図が示されている。
アクチュエーテッドミラー３０１のアレイ３００の平面
図が示されている。
【００３５】本発明によるＭ×Ｎ個の薄膜アクチュエー
テッドミラー３０１のアレイ３００及びその製造方法に
おいて、ストライプ２８０が第２薄膜電極２４５を各駆
動構造２００の駆動部分２９０及び光反射部分２９５と
各々対応する２つの部分に分けられるため、薄膜アクチ
ュエーテッドミラー３０１の駆動時、各駆動構造２００
の駆動部分２９０のみに変形が起こることになる。各駆
動構造２００の光反射部分２９５は平衡を維持すること
になって、電気的に変形可能な薄膜部２５５と弾性部２
３５との間から発生されるストレスを減らすことにな
り、アレイ３００の全般的な光効率を増加させることに
なる。
テッドミラー３０１のアレイ３００及びその製造方法に
おいて、ストライプ２８０が第２薄膜電極２４５を各駆
動構造２００の駆動部分２９０及び光反射部分２９５と
各々対応する２つの部分に分けられるため、薄膜アクチ
ュエーテッドミラー３０１の駆動時、各駆動構造２００
の駆動部分２９０のみに変形が起こることになる。各駆
動構造２００の光反射部分２９５は平衡を維持すること
になって、電気的に変形可能な薄膜部２５５と弾性部２
３５との間から発生されるストレスを減らすことにな
り、アレイ３００の全般的な光効率を増加させることに
なる。
【００３６】上記において、本発明の特定の実施例につ
いて説明したが、本明細書に記載した特許請求の範囲を
逸脱することなく、当業者は種々の変更を加え得ること
は勿論である。
いて説明したが、本明細書に記載した特許請求の範囲を
逸脱することなく、当業者は種々の変更を加え得ること
は勿論である。
【００３７】
【発明の効果】従って、本発明によれば、ストライプが
第２薄膜電極を各駆動構造の駆動部分及び光反射部分と
各々対応する２つの部分に分かれるため、各薄膜アクチ
ュエーテッドミラーアレイの駆動時、各駆動構造の駆動
部分のみに変形が生じることになる。各駆動構造の光反
射部分は平衡を維持することになって、電気的に変形可
能な薄膜部と弾性部との間で生じるストレスを減らし、
アレイの全般的な光効率を増加させることができる。
第２薄膜電極を各駆動構造の駆動部分及び光反射部分と
各々対応する２つの部分に分かれるため、各薄膜アクチ
ュエーテッドミラーアレイの駆動時、各駆動構造の駆動
部分のみに変形が生じることになる。各駆動構造の光反
射部分は平衡を維持することになって、電気的に変形可
能な薄膜部と弾性部との間で生じるストレスを減らし、
アレイの全般的な光効率を増加させることができる。
【図１】従来のＭ×Ｎ個の薄膜アクチュエーテッドミラ
ーアレイの製造方法を説明する断面図である。
ーアレイの製造方法を説明する断面図である。
【図２】同じく、その製造方法を説明する断面図であ
る。
る。
【図３】同じく、その製造方法を説明する断面図であ
る。
る。
【図４】同じく、その製造方法を説明する断面図であ
る。
る。
【図５】同じく、その製造方法を説明する断面図であ
る。
る。
【図６】同じく、その製造方法を説明する断面図であ
る。
る。
【図７】同じく、その製造方法を説明する断面図であ
る。
る。
【図８】本発明の一実施例によるＭ×Ｎ個の薄膜アクチ
ュエーテッドミラーアレイを説明する断面図である。
ュエーテッドミラーアレイを説明する断面図である。
【図９】図８に示されたＭ×Ｎ個の薄膜アクチュエーテ
ッドミラーアレイの製造方法を説明する概略的な断面図
である。
ッドミラーアレイの製造方法を説明する概略的な断面図
である。
【図１０】同じく、その製造方法を説明する断面図であ
る。
る。
【図１１】同じく、その製造方法を説明する断面図であ
る。
る。
【図１２】同じく、その製造方法を説明する断面図であ
る。
る。
【図１３】同じく、その製造方法を説明する断面図であ
る。
る。
【図１４】同じく、その製造方法を説明する断面図であ
る。
る。
【図１５】本発明の一実施例によるＭ×Ｎ個の薄膜アク
チュエーテッドミラーアレイを説明する平面図である。
チュエーテッドミラーアレイを説明する平面図である。
２１０ 能動マトリックス ２１２ 基板 ２１４ 接続端子 ２２４ 薄膜犠牲層 ２２６ コンジット ２３０ 弾性層 ２３５ 弾性部 ２４０ 第２薄膜層 ２４５ 第２薄膜電極 ２５０ 薄膜層 ２５５ 電気的に変形可能な薄膜部 ２６０ 第１薄膜層 ２６５ 第１薄膜電極 ２７０ 薄膜保護層 ２８０ ストライプ ２９０ 駆動部分 ２９５ 光反射部分 ３０１ 薄膜アクチュエーテッドミラー ３１１ 薄膜アクチュエーテッドミラーアレイ
Claims (15)
- 【請求項１】 光投射システムで用いるＭ×Ｎ個のアク
チュエーテッドミラーアレイ（Ｍ及びＮは正の整数）で
あって、 各接続端子が関連トランジスタに電気的に連結されたＭ
×Ｎ個の接続端子のアレイ、Ｍ×Ｎ個のトランジスタの
アレイ及び基板を含む駆動基板と、 前記各駆動構造が駆動部分及び光反射部分を有し、各駆
動構造が弾性部、一対のコンジット、ストライプにより
２つの部分に分けられた第２薄膜電極、電気的に変形可
能な薄膜部及び第１薄膜電極を含み、前記第１及び第２
薄膜電極が各々電気的に変形可能な薄膜部の上部及び下
部に位置し、前記弾性部が第２薄膜電極の下部に位置す
るＭ×Ｎ個の駆動構造のアレイと、 前記第２薄膜電極でストライプにより分けられた２つの
部分は各駆動構造の駆動部分及び反射部分と対応し、前
記各駆動構造の駆動部分に対応する第２薄膜電極の部分
は、コンジット及び接続端子を通じてトランジスタに電
気的に連結されて各駆動構造で信号電極としての機能を
し、前記第１薄膜電極は各駆動構造でバイアス電極及び
ミラーとしての機能をする前記駆動構造のアレイとを含
むことを特徴とするＭ×Ｎ個の薄膜アクチュエーテッド
ミラーアレイ。 - 【請求項２】 前記電気的に変形可能な薄膜部が、０．
１〜２μm の厚さを有することを特徴とする請求項１記
載のＭ×Ｎ個の薄膜アクチュエーテッドミラーアレイ。 - 【請求項３】 前記第１薄膜電極が、０．１〜２μm の
厚さを有することを特徴とする請求項１に記載のＭ×Ｎ
個の薄膜アクチュエーテッドミラーアレイ。 - 【請求項４】 前記第２薄膜電極が、０．１〜２μm の
厚さを有することを特徴とする請求項１に記載のＭ×Ｎ
個の薄膜アクチュエーテッドミラーアレイ。 - 【請求項５】 前記弾性部が、０．１〜２μm の厚さを
有することを特徴とする請求項１に記載のＭ×Ｎ個の薄
膜アクチュエーテッドミラーアレイ。 - 【請求項６】 光投射システムで用いるＭ×Ｎ個のアク
チュエーテッドミラーアレイ（Ｍ及びＮは正の整数）で
あって、 各接続端子が、関連トランジスタに電気的に連結された
Ｍ×Ｎ対の接続端子のアレイ、Ｍ×Ｎ個のトランジスタ
のアレイ及び基板を含む能動マトリックスを準備する第
１過程と、 前記各能動マトリックスの上部に薄膜犠牲層を沈積させ
る第２過程と、 各空スロットが接続端子の上部の回りに位置するよう
に、前記薄膜犠牲層にＭ×Ｎ対の空スロットのアレイを
形成する第３過程と、 前記空スロットを含む薄膜犠牲層の上部に絶縁物質から
なる弾性層を沈積させる第４過程と、 各コンジットが弾性層の上部から接続端子の上部まで形
成されるように、前記弾性層にＭ×Ｎ対のコンジットの
アレイを形成する第５過程と、 コンジットを含む弾性層の上部に導電性及び光反射性を
有する第２薄膜電極を形成する第６過程と、 前記第２薄膜電極に複数の平行な間隔を有するストライ
プを形成する第７過程であって、前記ストライプは弾性
層を露出させて、第２薄膜電極を関連個数の物理的に分
離された部分に分けることになる、前記第７過程と、 前記第２薄膜電極の上部に電気的に変形可能な層及び第
１薄膜電極を順次に沈積する第８過程であって、前記第
１薄膜層は導電性及び光反射性を有する前記第８過程
と、 前記第１薄膜層、電気的に変形可能な層、第２薄膜層及
び弾性層を前記薄膜犠牲層が露出される時までパターニ
ングして、Ｍ×Ｎ個のアクチュエーテッドミラーアレイ
を形成する第９過程であって、前記各アクチュエーテッ
ドミラーアレイは第１薄膜電極、薄膜部、ストライプを
有する第２薄膜電極及びコンジットを有する弾性部を含
む前記第９過程と、 前記各アクチュエーテッドミラーアレイを完全に覆う薄
膜保護層を形成する第１０過程と、 薄膜犠牲層を除去する第１１過程と、 薄膜犠牲層を除去して、Ｍ×Ｎ個の薄膜アクチュエーテ
ッドミラーアレイを完成する第１２過程を備えることを
特徴とするＭ×Ｎ個の薄膜アクチュエーテッドミラーア
レイの製造方法。 - 【請求項７】 前記薄膜犠牲層が金属から形成される時
には、スパッタリング法または蒸着法を、ＰＳＧから形
成される時には、スピンコーティング法やＣＶＤ（Ｃｈ
ｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法
を、またポリシリコンから形成する時にはＣＶＤ法を用
いて形成されることを特徴とする請求項６に記載のＭ×
Ｎ個の薄膜アクチュエーテッドミラーアレイの製造方
法。 - 【請求項８】 前記弾性層が窒化シリコンまたは炭化シ
リコンからなることを特徴とする請求項６に記載のアク
チュエーテッドミラーアレイの製造方法。 - 【請求項９】 前記弾性層が蒸着法またはスパッタリン
グ法を用いて形成されることを特徴とする請求項６に記
載のＭ×Ｎ個の薄膜アクチュエーテッドミラーアレイの
製造方法。 - 【請求項１０】 前記第２薄膜層が弾性部がＰｔ／Ｔｉ
からなることを特徴とする請求項６に記載のＭ×Ｎ個の
薄膜アクチュエーテッドミラーアレイの製造方法。 - 【請求項１１】 前記第２薄膜層がスパッタリングまた
は真空蒸着法を用いて形成されることを特徴とする請求
項６に記載のＭ×Ｎ個の薄膜アクチュエーテッドミラー
アレイの製造方法。 - 【請求項１２】 前記薄膜層が電歪または圧電物質から
なることを特徴とする請求項７に記載のＭ×Ｎ個の薄膜
アクチュエーテッドミラーアレイの製造方法。 - 【請求項１３】 前記薄膜層が蒸着法またはスパッタリ
ング法を用いて形成されることを特徴とする請求項６に
記載のＭ×Ｎ個の薄膜アクチュエーテッドミラーアレイ
の製造方法。 - 【請求項１４】 前記第１薄膜層がＡｌ（アルミニウ
ム）または銀（Ａｇ）からなることを特徴とすることを
特徴とする請求項６に記載のＭ×Ｎ個の薄膜アクチュエ
ーテッドミラーアレイの製造方法。 - 【請求項１５】 前記第１薄膜層がスパッタリングまた
は真空蒸着法を用いられて形成されることを特徴とする
請求項６に記載のＭ×Ｎ個の薄膜アクチュエーテッドミ
ラーアレイの製造方法。
Applications Claiming Priority (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950013360A KR0159401B1 (ko) | 1995-05-26 | 1995-05-26 | 광로 조절 장치의 제조방법 |
| KR95-13360 | 1995-05-26 | ||
| KR95-13358 | 1995-05-26 | ||
| KR1019950013358A KR0159417B1 (ko) | 1995-05-26 | 1995-05-26 | 광로 조절 장치 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
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Family
ID=26631045
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8116131A Pending JPH095607A (ja) | 1995-05-26 | 1996-05-10 | Ｍ×ｎ個の薄膜アクチュエーテッドミラーアレイ、及びその製造方法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5701192A (ja) |
| JP (1) | JPH095607A (ja) |
| CN (1) | CN1160219A (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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