JPH095691A

JPH095691A - 基板処理装置

Info

Publication number: JPH095691A
Application number: JP7159242A
Authority: JP
Inventors: Tadahiro Suhara; 忠浩須原; Kenji Sugimoto; 賢司杉本
Original assignee: Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
Current assignee: Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
Priority date: 1995-06-26
Filing date: 1995-06-26
Publication date: 1997-01-10

Abstract

(57)【要約】【目的】高温の薬液や精密な温度調節が必要な薬液、
また、高濃度の薬液を用いる処理を行ってもスループッ
トの低下を防止するとともに、省スペースで良好な洗浄
を達成すること。【構成】基板ＷＦに薬液処理を施す少なくとも１つの
薬液槽ＣＢと、薬液槽ＣＢで処理を施された基板ＷＦに
薬液処理、水洗処理、及び乾燥処理の内少なくとも２つ
を施す多機能槽ＯＢとを備える。このため、高温状態で
使用する薬液や精密な温度調節が必要な薬液、高濃度の
状態で使用する薬液を用いる処理では薬液槽ＣＢを用
い、その他の薬液を用いる処理では多機能槽ＯＢを用い
ることができるので、スループットの低下を防止できる
とともに、省スペースで良好な洗浄を達成できる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】この発明は、半導体基板や液晶ガ
ラス基板などの薄板状基板（以下、単に基板と称する）
を処理液に浸漬してこの表面に洗浄等の諸処理を施す基
板処理装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来、上記のような基板処理装置とし
て、単一機能の複数の処理槽に基板を順次浸漬してこれ
に一連の処理を行う多槽式処理装置と、多機能の単一処
理槽に薬液や純水等の処理液を順次投入して槽内の基板
に一連の処理を行う単槽式処理装置とが存在する。

【０００３】より具体的に説明すると、前者の多槽式処
理装置は、一種類の薬液を用いて基板に処理を行なう薬
液処理槽と水洗槽とをそれぞれ１つ以上備える。そし
て、これらの槽に予め定められた手順で基板を順次浸漬
する複数工程により、基板表面の汚染物質を除去した
り、基板表面の酸化膜をエッチングしたり、レジスト膜
を剥離したりする。

【０００４】一方、後者の単槽式処理装置は、薬液処理
及び水洗処理が可能な単一処理槽を備える。そして、こ
の単一処理槽中に基板を支持したままで薬液と純水とを
予め定められた手順で交互に供給して置換することによ
り、基板表面の汚染物質を除去したり、基板表面の酸化
膜をエッチングしたり、レジスト膜を剥離したりする。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】しかし、前者の装置で
は、基板を槽から槽に移し換える操作が不可欠であるた
め、かかる移し換え工程の際に基板表面における汚染物
質や、パーティクルの付着、不要膜の形成等の洗浄不良
の問題が生じ易い。また、多数の処理槽を設けなければ
ならなくなることから、基板処理装置全体の寸法が必然
的に増大せざるを得ない。

【０００６】一方、後者の装置では、前者のような問題
は生じないものの、槽内の薬液を一旦純水に置換し、そ
の後、他の薬液に置換する工程が不可欠であるため、高
温の薬液を使用しなければならない処理や、精密な温度
調節が必要な薬液を用いる処理を行うためには温度調節
に時間が掛かりスループットが極めて低下する。また、
高濃度の薬液を使用せねばならない処理を行うためには
槽内の薬液を所定の濃度にするまでに時間が掛かりスル
ープットが極めて低下する。

【０００７】そこで、この発明は高温の薬液や精密な温
度調節が必要な薬液、また、高濃度の薬液を用いる処理
を行ってもスループットの低下を防止できるとともに、
省スペースで良好な洗浄を達成できる基板処理装置を提
供することを目的とする。

【０００８】

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するた
め、請求項１の基板処理装置は、基板に所定の薬液処理
を施す少なくとも１つの薬液専用処理槽と、薬液専用処
理槽にて薬液処理を施された基板に薬液処理、水洗処理
及び乾燥処理のうちの少なくとも２つを施す多機能処理
槽とを備えることを特徴とする。

【０００９】また、請求項２の基板処理装置は、薬液専
用処理槽から薬液を導き出し、導き出された薬液を再び
薬液専用処理槽に導入する薬液の循環機構と、循環機構
または、薬液専用処理槽に設けられ、薬液の温度調節を
行う温度調節手段とを備えることを特徴とする。

【００１０】また、請求項３の基板処理装置は、薬液専
用処理槽が、高温酸液による薬液処理を行うことを特徴
とする。

【００１１】また、請求項４の基板処理装置は、薬液専
用処理槽が、硫酸と過酸化水素水との混合溶液、または
燐酸または硫酸または硝酸のうちいずれかの薬液による
薬液処理を行うことを特徴とする。

【００１２】また、請求項５の基板処理装置は、薬液専
用処理槽が、バッファードフッ酸による薬液処理を行う
ことを特徴とする。

【００１３】また、請求項６の基板処理装置は、多機能
処理槽が、基板に乾燥処理を施すことを特徴とする。

【００１４】

【作用】請求項１の基板処理装置では、基板に所定の薬
液処理を施す少なくとも１つの薬液専用処理槽と、基板
に薬液処理、水洗処理及び乾燥処理のうちの少なくとも
２つを施す多機能処理槽とを備えるので、高温状態で使
用する薬液や精密な温度調節が必要な薬液、また、高濃
度の状態で使用する薬液を用いる処理では薬液専用処理
槽を用い、高温状態で使用する必要がなく、精密な温度
調節が必要ではなく、かつ、高濃度の状態で使用する必
要のない薬液を用いる処理では多機能処理槽を用いるこ
とができる。

【００１５】また、請求項２の基板処理装置では薬液専
用処理槽から薬液を導き出し、導き出された薬液を再び
薬液専用処理槽に導入する薬液の循環機構と薬液の温度
調節を行う温度調節手段とを備えているので、循環機構
が薬液を循環させて薬液専用処理槽内の薬液を対流さ
せ、また、温度調節手段が薬液の温度を調節することに
よって薬液専用処理槽内の薬液の温度を管理する。よっ
て、薬液専用処理槽内の薬液の温度を均一かつ一定に保
つことができる。

【００１６】また、請求項３の基板処理装置では、薬液
専用処理槽が高温酸液による薬液処理を行うので、薬液
を均質でかつ均一高温の状態に保つことが必要とされる
かかる高温酸液による薬液処理を効率的で良好なものと
することができる。

【００１７】また、請求項４の基板処理装置では、薬液
専用処理槽が硫酸と過酸化水素水との混合液または燐酸
または硫酸または硝酸のうちいずれかの薬液による薬液
処理を行うので、均質でかつ均一高温の状態に保つこと
が必要とされる前記硫酸と過酸化水素水との混合液また
は燐酸または硫酸または硝酸のうちいずれかの薬液によ
る処理を効率的で良好なものとすることができる。

【００１８】また、請求項５の基板処理装置では、薬液
専用処理槽がバッファードフッ酸による薬液処理を行う
ので、薬液を均質でかつ均一温度の状態に保つことが必
要とされるかかるバッファードフッ酸による薬液処理を
効率的で良好なものとすることができる。

【００１９】また、請求項６の基板処理装置では、多機
能処理槽が基板に乾燥処理を施すので、基板を槽外に取
り出すことなく乾燥処理を終了することができ、大気の
影響による汚染等の弊害を防止できる。

【００２０】

【実施例】以下、図面を参照しつつ、この発明の具体的
な実施例について説明する。

【００２１】図１は、第１実施例の基板処理装置の構成
を示す斜視図である。図示のように、この装置は、未処
理基板を収納しているカセットＣが投入されるカセット
搬入部２と、このカセット搬入部２からのカセットＣが
載置され内部から複数の基板が同時に取り出される基板
取出部３と、カセットＣから取り出された未処理基板が
順次洗浄処理される基板処理部５と、洗浄処理後の複数
の処理済み基板が同時にカセット中に収納される基板収
納部７と、処理済み基板を収納しているカセットＣが払
い出されるカセット搬出部８とを備える。さらに、装置
の前側には、基板取出部３から基板収納部７に亙って基
板移載搬送機構９が配置されており、洗浄処理前、洗浄
処理中及び洗浄処理後の基板を一箇所から別の箇所に搬
送したり移載したりする。

【００２２】カセット搬入部２は、水平移動、昇降移動
及び垂直軸回りの回転が可能なカセット移載ロボットＣ
Ｒ1を備え、カセットステージ２１ａ上の所定位置に載
置された一対のカセットＣを基板取出部３に移載する。

【００２３】基板取出部３は、昇降移動する一対のホル
ダ３ａ、３ｂを備える。そして、各ホルダ３ａ、３ｂの
上面にはガイド溝が刻設されており、カセットＣ中の未
処理基板を垂直かつ互いに平行に支持することを可能に
する。したがって、ホルダ３ａ、３ｂが上昇すると、カ
セットＣ中から基板が取り出される。カセットＣ中から
取り出された基板は、基板移載搬送機構９に設けた搬送
ロボットＴＲに受け渡され、水平移動後に基板処理部５
に投入される。

【００２４】基板処理部５は、薬液を収容する薬液槽Ｃ
Ｂを備える薬液処理部５２と、純水を収容する水洗槽Ｗ
Ｂを備える水洗処理部５４と、単一槽内で各種の薬液処
理や水洗処理を行う多機能槽ＯＢを備える多機能処理部
５６と、スピンドライヤを内蔵する乾燥部５８とから構
成される。

【００２５】基板処理部５において、薬液処理部５２及
び水洗処理部５４の後方側には、第１基板浸漬機構５５
が配置されており、これに設けた上下動及び横行可能な
リフタヘッドＬＨ1によって、搬送ロボットＴＲから受
け取った基板を薬液処理部５２の薬液槽ＣＢに浸漬した
り、水洗処理部５４の水洗槽ＷＢに浸漬したりする。ま
た、多機能処理部５６の後方側には、第２基板浸漬機構
５７が配置されており、これに設けた上下動可能なリフ
タヘッドＬＨ2によって、搬送ロボットＴＲから受け取
った基板を多機能処理部５６の多機能槽ＯＢ内に支持す
る。

【００２６】基板収納部７は、基板取出部３と同様の構
造を有し、昇降可能な一対のホルダ７ａ、７ｂによっ
て、搬送ロボットＴＲに把持された処理済み基板を受け
取ってカセットＣ中に収納する。

【００２７】また、カセット搬出部８は、カセット搬入
部２と同様の構造を有し、移動自在のカセット移載ロボ
ットＣＲ2を備え、基板収納部７上に載置された一対の
カセットをカセットステージ８ａ上の所定位置に移載す
る。

【００２８】基板移載搬送機構９は、水平移動及び昇降
移動が可能な搬送ロボットＴＲを備える。そして、この
搬送ロボットＴＲに設けた一対の回転可能なハンド９
１、９２よって基板を把持することにより、基板取出部
３のホルダ３ａ、３ｂに支持された基板を基板処理部５
の第１基板浸漬機構５５に設けたリフタヘッドＬＨ1側
に移載したり、このリフタヘッドＬＨ1側から隣りの第
２基板浸漬機構５７に設けたリフタヘッドＬＨ2側に移
載したり、このリフタヘッドＬＨ2側から基板収納部７
のホルダ７ａ、７ｂに移載したりする。

【００２９】図２は、図１の基板処理装置を正面側から
見た場合の構造を模式的に示す図である。薬液処理部５
２に設けた薬液槽ＣＢの底部側には、バルブＶ1を介し
て薬液Ｃ0の供給用配管が接続されるとともに、バルブ
Ｖ2を介してドレン用配管が接続されている。さらに、
薬液槽ＣＢには、循環機構５２ａが設けられており、薬
液槽ＣＢ上部からオーバーフローした薬液Ｃ0を圧送す
るポンプＰとこのポンプＰから圧送されてきた薬液Ｃ0
を濾過するフィルタＦとを備える。そして循環機構５２
ａにはフィルタＦで濾過された薬液Ｃ0の温度調節手段
である温調器Ｔが設けられている。温調器Ｔで所望の温
度に維持された薬液Ｃ0は、薬液槽ＣＢの底部側から再
度この槽に戻されて還流することとなる。このように、
循環機構５２ａが薬液槽ＣＢから薬液Ｃ0を導き出し、
導き出された薬液Ｃ0を再び薬液槽ＣＢに導入すること
で薬液槽ＣＢ内の薬液Ｃ0を対流させ、また、温調器Ｔ
が薬液Ｃ0の温度を調節する。よって、薬液槽ＣＢ内の
薬液Ｃ0の温度を均一かつ一定に保つことができる。ま
た、循環機構５２ａは薬液Ｃ0を濾過するフィルタＦを
備えるので、薬液槽ＣＢに環流される薬液Ｃ0は常に清
浄に保たれる。なお、本実施例では温調器Ｔを循環機構
５２ａに設けたが薬液槽ＣＢ内に設けても良い。

【００３０】この薬液槽ＣＢに収容される薬液Ｃ0は１
００℃より高い高温状態で使用する薬液（高温酸液）や
精密な温度調節が必要な薬液、また、純水で希釈しない
高濃度の状態で使用する薬液であることが望ましい。こ
のような薬液Ｃ0として、例えば、硫酸過水（硫酸と過
酸化水素水との混合溶液）は硫酸と過酸化水素水とを体
積比４：１〜２：１に混合し、純水で希釈せず、１３０
℃以上の高温状態にて使用する。また、燐酸、硝酸、硫
酸（オゾンを併用する場合を含む）、は純水で希釈せず
に投入され１６０℃以上の高温状態にて使用する。ま
た、精密な温度調節が必要な薬液Ｃ0としては例えばバ
ッファードフッ酸があり、常温（２０℃〜２５℃）にて
誤差０．１℃程度以下の精密な温度調節が必要とされ
る。

【００３１】この薬液槽ＣＢには１種類の薬液Ｃ0が収
容され、異なる薬液や純水と置換されることはない。従
って、薬液Ｃ0は常に一定高温に調節される。また、高
濃度の薬液を薬液Ｃ0として用いる場合においても、薬
液Ｃ0が異なる薬液や純水と置換されることはないので
薬液Ｃ0を常に高濃度に維持できる。

【００３２】水洗処理部５４に設けた水洗槽ＷＢの底部
側には、バルブＶ3を介して純水Ｗ0の供給用配管が接続
されるとともに、バルブＶ4を介してドレン用配管が接
続されている。

【００３３】多機能処理部５６に設けた多機能槽ＯＢ
は、特別な温調を必ずしも必要としない薬液や純水が順
次投入される構造となっていて、単一の槽で各種の処理
を連続して実行することができる。この多機能槽ＯＢの
底部側には、バルブＶ5〜Ｖ8を介して、薬液Ｃ1〜Ｃ3及
び純水Ｗ1のいずれかを選択的に供給可能な供給用配管
が接続されているとともに、バルブＶ9を介してドレン
用配管が接続されている。また、多機能槽ＯＢの上部に
は、バルブＶ10を介してドレン用配管が接続されてお
り、オーバーフローした薬液Ｃ1〜Ｃ3や純水Ｗ1を槽外
に排出する。さらに、多機能槽ＯＢには、循環機構５６
ａが設けられており、多機能槽ＯＢ上部からオーバーフ
ローしたいずれかの薬液Ｃ1〜Ｃ3を圧送するポンプＰと
このポンプＰから圧送されてきた薬液を濾過するフィル
タＦとを備える。フィルタＦで濾過された薬液Ｃ1〜Ｃ3
は、多機能槽ＯＢの底部側からこの槽に戻されて還流す
ることとなる。なお、図示していないが、多機能槽ＯＢ
の底部には、循環機構５６ａから戻ってきたいずれかの
薬液Ｃ1〜Ｃ3を槽内に一様に拡散させて槽内の薬液Ｃ1
〜Ｃ3に一様な対流を形成する機構を備える。薬液Ｃ1〜
Ｃ3にこのように一様な対流を形成することにより、多
機能槽ＯＢ内の薬液Ｃ1〜Ｃ3を常に均質なものとするこ
とができる。

【００３４】この多機能槽ＯＢに収容される薬液Ｃ1〜
Ｃ3としては、１００℃より高い高温に維持する必要が
なく、精密な温度調節が必要なく、かつ、高濃度に維持
する必要がないものが望ましい。このような薬液とし
て、例えば、塩酸と過酸化水素水との混合溶液である塩
酸過水は塩酸と過酸化水素水と純水とを１：１：６〜
１：２：１５の体積比で混合することによって希釈さ
れ、４０℃〜８５℃の温度にて使用される。また、アン
モニア水溶液と過酸化水素水との混合溶液であるアンモ
ニア過水は、アンモニア水溶液と過酸化水素水と純水と
を１：１：５〜１：２：７の体積比で混合することによ
って希釈され、４０℃〜８５℃の温度で使用される。さ
らに、フッ酸は、フッ酸と純水とを１：２０〜１：１０
００の体積比で混合することによって希釈され、常温で
使用される。

【００３５】以下、図２を参照して第１実施例の基板処
理装置の動作を簡単に説明する。基板取出部３上のカセ
ットＣ中の基板ＷＦは、上昇する一対のホルダ３ａ、３
ｂによってカセットＣ外に取り出され、搬送ロボットＴ
Ｒの一対のハンド９１、９２に把持されてこれに受け渡
される。一対のハンド９１、９２に把持された基板ＷＦ
は、水平方向に搬送されてリフタヘッドＬＨ1の保持部
材５５ａに受け渡される。リフタヘッドＬＨ1の保持部
材５５ａに保持された基板ＷＦは、そのまま薬液処理部
５２の薬液槽ＣＢに浸漬され薬液処理が施された後、水
洗処理部５４の水洗槽ＷＢに浸漬されて水洗処理が施さ
れる。次に、水洗処理後の基板ＷＦがリフタヘッドＬＨ
1の保持部材５５ａ側から搬送ロボットＴＲの一対のハ
ンド９１、９２側に受け渡され、これら一対のハンド９
１、９２からリフタヘッドＬＨ2の保持部材５７ａに受
け渡される。次に、この保持部材５７ａに保持された水
洗処理後の基板ＷＦは、多機能槽０Ｂに浸漬されて各種
薬液処理や水洗処理が繰り返し施され、最後に仕上げの
水洗処理が施される。次に、水洗処理後の基板ＷＦがリ
フタヘッドＬＨ2の保持部材５７ａから搬送ロボットＴ
Ｒの一対のハンド９１、９２に受け渡される。次に、一
対のハンド９１、９２に支持された基板ＷＦは、乾燥部
５８に移載されてここで乾燥処理される。最後に、乾燥
後の基板ＷＦは、搬送ロボットＴＲの一対のハンド９
１、９２に受け渡された後、一対のホルダ７ａ、７ｂに
受け渡されてカセットＣ中に収納される。

【００３６】多機能処理部５６における動作をより具体
的に説明すると、例えば多機能槽０Ｂ内に薬液Ｃ1を満
たした状態で、保持部材５７ａに保持された基板ＷＦを
槽内に浸漬して所定時間の経過を待って薬液Ｃ1による
処理を終了する。この状態で、下方から純水Ｗ1を供給
して薬液Ｃ1をオーバーフローさせながら槽内の薬液Ｃ1
を純水Ｗ1に置換して基板ＷＦの水洗を終了する。次
に、下方から薬液Ｃ2を供給して純水Ｗ1をオーバーフロ
ーさせながら槽内の純水Ｗ1を薬液Ｃ2に置換して槽内に
支持された基板ＷＦに薬液Ｃ2による処理を開始し、所
定時間の経過を待って薬液Ｃ2による処理を終了する。
この状態で、下方から純水Ｗ1を再度供給して薬液Ｃ2を
オーバーフローさせながら槽内の薬液Ｃ2を純水Ｗ1に置
換して基板ＷＦの水洗を終了する。以上のような処理を
繰返すことにより、所望の薬液処理を適宜組み合わせた
処理を基板ＷＦに連続的に施すことができる。この際、
基板ＷＦが大気に触れることがないので、大気の影響で
基板ＷＦ表面に不要な膜が形成される等の弊害が生じに
くい。また、基板ＷＦが槽間で搬送されないので、汚染
やパーティクルの付着の抑制が容易となる。

【００３７】なお、以上の処理では薬液や純水をオーバ
ーフローさせながら置換させることとしているが、現在
処理中の薬液や純水を一旦ドレンした後に次に処理すべ
き薬液や純水を投入することもできる。この場合、基板
ＷＦが大気に晒されるが、基板ＷＦが槽間で搬送されな
いので汚染やパーティクルの付着の抑制が比較的容易に
なるとともに、単一槽で多機能を実現しているので基板
洗浄全体としての小型化を図ることができる。

【００３８】図３は、搬送ロボットＴＲに設けた一対の
ハンド９１、９２の構造及び動作を説明する図である。
図３（ａ）は、乾燥した複数の基板ＷＦ1を一対のドラ
イ側ガイド溝９１ａ、９２ａによって支持した状態を示
す図であり、図３（ｂ）は、純水が付着した複数の基板
ＷＦ2を一対のウェット側ガイド溝９１ｂ、９２ｂによ
って支持した状態を示す図である。図３（ａ）のように
乾燥した基板ＷＦ1を扱う場合、各ハンド９１、９２の
一端側の対向面にそれぞれ平行等間隔で刻設されている
ドライ側ガイド溝９１ａ、９２ａによって、基板取出部
３や乾燥部５８からの乾燥した基板ＷＦ1を垂直かつ等
間隔に支持する。図３（ｂ）のように純水が付着した基
板ＷＦ2を扱う場合、各ハンド９１、９２を図３（ａ）
の状態からそれぞれ水平回転軸９１ｃ、９２ｃを中心と
して１８０゜回転させる。そして、その他端側の対向面
にそれぞれ平行等間隔で刻設されている一対のウェット
側ガイド溝９１ｂ、９２ｂによって水洗処理部５４や多
機能処理部５６からの純水が付着した基板ＷＦ2を垂直
かつ等間隔に支持する。このように、ドライ側ガイド溝
９１ａ、９２ａによって乾燥した基板ＷＦ1のみを支持
し、ウェット側ガイド溝９１ｂ、９２ｂによって純水の
付着した基板ＷＦ2のみを支持するとういう、ハンドリ
ング部の使い分けにより、一対のハンド９１、９２の乾
燥や洗浄工程を必ずしも必要としなくなる。

【００３９】図４は、第１基板浸漬機構５５に設けたリ
フタヘッドＬＨ1又はその保持部材５５ａの動作を更に
具体的に説明する図である。搬送ロボットＴＲの一対の
ハンド９１、９２（この場合、ドライ側ガイド溝９１
ａ、９２ａを用いている）に支持された基板ＷＦは、薬
液槽ＣＢ上方の第１待機位置にあるリフタヘッドＬＨ1
の保持部材５５ａに移載される（図４（ａ））。この基
板ＷＦを保持した保持部材５５ａは、第１待機位置から
薬液槽ＣＢ中の第１浸漬位置に降下する（図４
（ｂ））。薬液処理を終了した基板ＷＦを保持する保持
部材５５ａは、第１浸漬位置から薬液槽ＣＢ上方の第１
退避位置に上昇する（図４（ｃ））。この基板ＷＦを保
持する保持部材５５ａは、薬液槽ＣＢ上方の第１退避位
置から水洗槽ＷＢ上方の第２退避位置に横行する（図４
（ｄ））。この基板ＷＦを保持した保持部材５５ａは、
第２待機位置から水洗槽ＷＢ中の第２浸漬位置に降下す
る（図４（ｅ））。水洗処理を終了した基板ＷＦを保持
する保持部材５５ａは、第２浸漬位置から水洗槽ＷＢ上
方の第２退避位置に上昇し、この基板ＷＦを搬送ロボッ
トＴＲの一対のハンド９１、９２（この場合、図３
（ｂ）に示すウェット側ガイド溝９１ｂ、９２ｂを用い
る）に移載する（図４（ｆ））。このような動作を行っ
た場合、保持部材５５ａは常に水洗された状態で一対の
ハンド９１、９２に支持された基板ＷＦを受け取ること
ができるだけでなく、一対のハンド９１、９２も、常に
水洗された基板ＷＦを保持部材５５ａから受け取ること
ができる。よって、一対のハンド９１、９２を基板ＷＦ
の処理ごとに洗浄する必要がなくなり、スループットが
向上するとともに、ハンド用の専用洗浄機構を省略して
省スペース化を図ることができる。

【００４０】図５は、第２実施例の基板処理装置の正面
構造を模式的に示す図である。第２実施例は、第１実施
例の変形例であるので、第１実施例と共通する部分につ
いては同一符号を付して説明を省略する。

【００４１】図からも明らかなように、第２実施例の基
板処理装置は、スピンドライヤを内蔵する乾燥部５８を
設けていない。その代わり、多機能槽ＯＢを備える多機
能処理部５６が減圧乾燥も行い得るものとなっている。
即ち、多機能槽ＯＢは内部を減圧することができる図示
せぬチャンバー内に配されており、純水Ｗ1による最終
的なリンスの後に、多機能槽ＯＢ中の純水Ｗ1表面にア
ルコール蒸気Ａを供給し、基板ＷＦの引き上げの際にそ
の表面に付着した水分をアルコールで置換し、更にチャ
ンバー内を減圧することによって基板ＷＦを迅速かつ均
一に乾燥することができる。このように、多機能槽ＯＢ
内で薬液及び純水による処理を一括して実行することが
できるのみならず、乾燥までも一括して実行することが
できるので、基板ＷＦを槽外に取り出すことなく乾燥処
理することができ、ウォータマークの発生その他の大気
の影響による汚染等の弊害を防止できる。

【００４２】以上、実施例に即してこの発明について説
明したが、この発明は上記実施例に限定されるものでは
ない。例えば、薬液処理部５２には単一の薬液槽ＣＢの
みを設けてあるが、この薬液処理部５２に２以上の同種
又は異種の薬液槽を設けて基板処理の工程の多様性を増
すこともできる。さらに、水洗処理部５４にも単一の水
洗槽ＷＢのみを設けてあるが、この水洗処理部５４に２
以上の水洗槽を設けてもよい。

【００４３】また、上記実施例では、薬液処理部５２と
水洗処理部５４とを一組として１つの処理ユニットを備
えるのみであるが、このような処理ユニットを基板洗浄
装置内に複数設けて基板処理の工程の多様性を増すこと
もできる。この場合、各処理ユニット内では、図２に示
すリフタヘッドＬＨ1と同様に横行可能なリフタヘッド
を備える基板浸漬機構を用いて基板ＷＦの搬送を行う。
もっとも、このように横行可能なリフタヘッドＬＨ1で
はなく、同図に示すリフタヘッドＬＨ2のように昇降移
動のみ可能なリフタヘッドを各薬液槽や各水洗槽に設け
ることもできるが、その場合、搬送ロボットＴＲのハン
ド９１、９２を洗浄するための専用洗浄機構及び専用乾
燥機構を装置内に設ける必要が生じる。

【００４４】また、上記実施例では、多機能処理部５６
に多機能槽０Ｂを一つのみ設けているが、複数の多機能
槽０Ｂを設けて基板処理の多様性を増すこともできる。
さらに、各多機能槽０Ｂは、上記実施例で示した機能の
組み合わせに限るものではなく、単一薬液処理及び水洗
処理の２機能のものとすることができ、さらに水洗処理
及び乾燥処理の２機能のものとすることができ、さらに
３機能以上を用途に応じて適宜組み合わせることができ
る。この際、多機能槽０Ｂに槽内の処理液の温度をある
程度調節することができる温調装置を設けることもでき
る。

【００４５】なお、上記実施例では薬液処理部５２と多
機能処理部５６との間に水洗処理部５４が設けられてい
る。このため、薬液処理部５２における薬液処理が終了
したときに、多機能処理部５６に何らかの事故があった
場合等、基板ＷＦを多機能処理部５６に搬送することが
できない場合には、薬液処理が終了した基板ＷＦを水洗
処理部５４に投入することができるので、基板ＷＦが薬
液処理部５２で過度に処理を施されることを防止でき、
良好な洗浄を達成できる。

【００４６】また、上記実施例では明確にしていない
が、基板を連続的に投入する場合にも、上記実施例の基
板処理装置を利用できることはいうまでもない。例え
ば、第１実施例の場合、薬液処理部５２及び水洗処理部
５４を一組とする処理ユニットにカセットＣからの一群
の基板ＷＦを投入する。次に、この処理ユニットでの処
理を終了した一群の基板ＷＦを多機能処理部５６に投入
した後、薬液処理部５２及び水洗処理部５４を一組とす
る処理ユニットにカセットＣからの別の一群の基板ＷＦ
を投入する。次に、この多機能処理部５６での処理を終
了した一群の基板ＷＦを乾燥部５８に投入した後、多機
能処理部５６に薬液処理部５２及び水洗処理部５４を一
組とする処理ユニットからの一群の基板ＷＦを投入し、
この処理ユニットにカセットＣからのさらに別の一群の
基板ＷＦを投入する。以上のような動作を繰り返すこと
により、基板の連続的処理が可能になり、基板処理のス
ループットが増大する。

【００４７】

【発明の効果】以上説明したように、請求項１の基板処
理装置によれば基板に所定の薬液処理を施す少なくとも
１つの薬液専用処理槽と、薬液専用処理槽にて薬液処理
を施された基板に薬液処理、水洗処理及び乾燥処理のう
ちの少なくとも２つを施す多機能処理槽とを備えるの
で、高温状態で使用する薬液や精密な温度調節が必要な
薬液、また、高濃度の状態で使用する薬液を用いる処理
では薬液専用処理槽を用い、高温状態で使用する必要が
なく、精密な温度調節が必要ではなく、かつ、高濃度の
状態で使用する必要のない薬液を用いる処理では多機能
処理槽を用いることができる。従って、スループットの
低下を防止できるとともに、省スペースで良好な洗浄を
達成できる。

【００４８】また、請求項２の基板処理装置では薬液専
用処理槽から薬液を導き出し、導き出された薬液を再び
薬液専用処理槽に導入する薬液の循環機構と薬液の温度
調節を行う温度調節手段とを備えており、循環機構が薬
液を循環させて薬液専用処理槽内の薬液に対流を形成さ
せ、また、温度調節手段が薬液の温度を調節することに
よって薬液専用処理槽内の薬液の温度を管理する。よっ
て、薬液専用処理槽内の薬液の温度を均一かつ一定に保
つことができる。従って、良好な基板処理を行うことが
できる。

【００４９】また、請求項３の基板処理装置によれば、
薬液専用処理槽が高温酸液による薬液処理を行うので、
薬液を均質でかつ均一高温の状態に保つことが必要とさ
れるかかる高温酸液による薬液処理を効率的で良好なも
のとすることができる。

【００５０】また、請求項４の基板処理装置によれば薬
液専用処理槽が硫酸と過酸化水素水との混合液または燐
酸または硫酸または硝酸のうちいずれかの薬液による薬
液処理を行うので、薬液を高温の状態に保つことが必要
とされる前記硫酸と過酸化水素水との混合液または燐酸
または硫酸または硝酸のうちいずれかの薬液による処理
を効率的で良好なものとすることができる。

【００５１】また、請求項５の基板処理装置によれば、
薬液専用処理槽がバッファードフッ酸による薬液処理を
行うので、薬液を均質でかつ均一温度の状態に保つこと
が必要とされるかかるバッファードフッ酸による薬液処
理を効率的で良好なものとすることができる。

【００５２】また、請求項６の基板処理装置によれば、
多機能処理槽が基板に乾燥処理を施すので、基板を槽外
に取り出すことなく乾燥処理を終了することができ、大
気の影響による汚染等の弊害を防止できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】第１実施例の基板処理装置の全体構造を示す斜
視図である。

【図２】図１の基板処理装置の正面構造を示す図であ
る。

【図３】搬送ロボットのハンドの構造及び動作を説明す
る図である。

【図４】リフタヘッドの動作を説明する図である。

【図５】第２実施例の基板処理装置の正面構造を示す図
である。

【符号の説明】

２カセット搬入部３基板取出部５基板処理部７基板収納部８カセット搬出部９基板移載搬送機構５２薬液処理部５２ａ循環機構５４水洗処理部５６多機能処理部５６ａ循環機構５８乾燥部ＣカセットＴＲ搬送ロボットＬＨ1、ＬＨ2 リフタヘッド

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】基板に所定の薬液処理を施す少なくとも
１つの薬液専用処理槽と、前記薬液専用処理槽にて薬液処理を施された基板に薬液
処理、水洗処理及び乾燥処理のうちの少なくとも２つを
施す多機能処理槽とを備えることを特徴とする基板処理
装置。
【請求項２】前記薬液専用処理槽から薬液を導き出
し、導き出された薬液を再び前記薬液専用処理槽に導入
する薬液の循環機構と、前記循環機構または、前記薬液専用処理槽に設けられ、
薬液の温度調節を行う温度調節手段と、を備えることを
特徴とする請求項１記載の基板処理装置。
【請求項３】前記薬液専用処理槽は、高温酸液による
薬液処理を行うことを特徴とする請求項２記載の基板処
理装置。
【請求項４】前記薬液専用処理槽は硫酸と過酸化水素
水との混合溶液または燐酸または硫酸または硝酸のうち
いずれかの薬液による薬液処理を行うことを特徴とする
請求項２記載の基板処理装置。
【請求項５】前記薬液専用処理槽は、バッファードフ
ッ酸による薬液処理を行うことを特徴とする請求項２記
載の基板処理装置。
【請求項６】前記多機能処理槽は、基板に乾燥処理を
施すことを特徴とする請求項１記載の基板処理装置。