JPH095729A - 液晶表示素子の製造方法 - Google Patents
液晶表示素子の製造方法Info
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- JPH095729A JPH095729A JP7171338A JP17133895A JPH095729A JP H095729 A JPH095729 A JP H095729A JP 7171338 A JP7171338 A JP 7171338A JP 17133895 A JP17133895 A JP 17133895A JP H095729 A JPH095729 A JP H095729A
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- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 title claims description 22
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 14
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 32
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims abstract description 8
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 claims description 8
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 6
- 239000002253 acid Substances 0.000 claims description 5
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 4
- 238000010526 radical polymerization reaction Methods 0.000 claims description 3
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 2
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 claims description 2
- 239000010408 film Substances 0.000 description 42
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 6
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 5
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 4
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 4
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 238000004132 cross linking Methods 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 3
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 3
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 3
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 3
- XUMBMVFBXHLACL-UHFFFAOYSA-N Melanin Chemical compound O=C1C(=O)C(C2=CNC3=C(C(C(=O)C4=C32)=O)C)=C2C4=CNC2=C1C XUMBMVFBXHLACL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000012670 alkaline solution Substances 0.000 description 2
- 229920000180 alkyd Polymers 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 2
- 239000000975 dye Substances 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 2
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000003999 initiator Substances 0.000 description 2
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 2
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 2
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 2
- 239000003566 sealing material Substances 0.000 description 2
- LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N silicon monoxide Chemical compound [Si-]#[O+] LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NLGDWWCZQDIASO-UHFFFAOYSA-N 2-hydroxy-1-(7-oxabicyclo[4.1.0]hepta-1,3,5-trien-2-yl)-2-phenylethanone Chemical compound OC(C(=O)c1cccc2Oc12)c1ccccc1 NLGDWWCZQDIASO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021578 Iron(III) chloride Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004988 Nematic liquid crystal Substances 0.000 description 1
- 239000004952 Polyamide Substances 0.000 description 1
- CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L Sodium Carbonate Chemical compound [Na+].[Na+].[O-]C([O-])=O CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- YCUVUDODLRLVIC-UHFFFAOYSA-N Sudan black B Chemical compound C1=CC(=C23)NC(C)(C)NC2=CC=CC3=C1N=NC(C1=CC=CC=C11)=CC=C1N=NC1=CC=CC=C1 YCUVUDODLRLVIC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XSQUKJJJFZCRTK-UHFFFAOYSA-N Urea Chemical compound NC(N)=O XSQUKJJJFZCRTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- -1 aromatic diazonium salts Chemical class 0.000 description 1
- RWCCWEUUXYIKHB-UHFFFAOYSA-N benzophenone Chemical compound C=1C=CC=CC=1C(=O)C1=CC=CC=C1 RWCCWEUUXYIKHB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012965 benzophenone Substances 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 239000004202 carbamide Substances 0.000 description 1
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 description 1
- 238000012663 cationic photopolymerization Methods 0.000 description 1
- 229920002678 cellulose Polymers 0.000 description 1
- 239000001913 cellulose Substances 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 239000012954 diazonium Substances 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 description 1
- 125000005395 methacrylic acid group Chemical group 0.000 description 1
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 description 1
- 239000012860 organic pigment Substances 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 229920006295 polythiol Polymers 0.000 description 1
- 239000002243 precursor Substances 0.000 description 1
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 1
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
- 229920006305 unsaturated polyester Polymers 0.000 description 1
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 1
- 239000002699 waste material Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Liquid Crystal (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 簡単な設備で、しかも遮光膜形成用のマスク
を必要とすることなく、透明電極間の非電極部に遮光膜
を形成する。 【構成】 透明基板10の一方の面に透明電極母層11
およびポジレジスト12を順次形成した後、所定の透明
電極形成パターンを有するマスク13を用いてポジレジ
スト12を露光し、現像して透明電極母層11上に透明
電極形成パターンに沿ってポジレジスト12aを残し、
そしてエッチングにより不要な透明電極母層11を除去
してポジレジスト12aが積層されたポジレジスト付き
透明電極11aを形成し、次に透明基板10の一方の面
上にポジレジスト12a付き透明電極11aを含めてそ
の全体にわたって遮光性インキ14を塗布した後、透明
基板10の他方の面(背面)側から露光し、しかる後透
明電極11a上のポジレジスト12aと遮光性インキ1
4とを剥離する。
を必要とすることなく、透明電極間の非電極部に遮光膜
を形成する。 【構成】 透明基板10の一方の面に透明電極母層11
およびポジレジスト12を順次形成した後、所定の透明
電極形成パターンを有するマスク13を用いてポジレジ
スト12を露光し、現像して透明電極母層11上に透明
電極形成パターンに沿ってポジレジスト12aを残し、
そしてエッチングにより不要な透明電極母層11を除去
してポジレジスト12aが積層されたポジレジスト付き
透明電極11aを形成し、次に透明基板10の一方の面
上にポジレジスト12a付き透明電極11aを含めてそ
の全体にわたって遮光性インキ14を塗布した後、透明
基板10の他方の面(背面)側から露光し、しかる後透
明電極11a上のポジレジスト12aと遮光性インキ1
4とを剥離する。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は液晶表示素子の製造方法
に関し、さらに詳しく言えば、透明電極間に遮光膜を有
する液晶表示素子の製造方法に関するものである。
に関し、さらに詳しく言えば、透明電極間に遮光膜を有
する液晶表示素子の製造方法に関するものである。
【0002】
【従来の技術】液晶表示装置も白黒表示からカラー表示
へと技術が進歩し、近年では画面サイズにしても、急速
に大型化、大画面化が進められている。また、その画質
についても、TN液晶からSTN(Super Twi
sted Nematic)液晶への移行およびTFT
(Thin Film Transistor)に代表
されるアクティブ表示素子の開発により、CRTに迫る
ものが商品化されている。
へと技術が進歩し、近年では画面サイズにしても、急速
に大型化、大画面化が進められている。また、その画質
についても、TN液晶からSTN(Super Twi
sted Nematic)液晶への移行およびTFT
(Thin Film Transistor)に代表
されるアクティブ表示素子の開発により、CRTに迫る
ものが商品化されている。
【0003】ところで、画面サイズを大型化するうえ
で、特に透明基板の非電極部からの光の漏れによるコン
トラストの低下が問題となる。これを防止するため、非
電極部に遮光膜が設けられることになるが、その形成方
法の一例を図2を参照しながら、説明する。
で、特に透明基板の非電極部からの光の漏れによるコン
トラストの低下が問題となる。これを防止するため、非
電極部に遮光膜が設けられることになるが、その形成方
法の一例を図2を参照しながら、説明する。
【0004】まず、図2(a)に示されているように、
透明基板1の一方の面にクロムなどの金属膜2を例えば
スパッタ法により成膜し、その上にレジスト3を塗布す
る。そして、所定の遮光膜形成パターンを有するマスク
をかけて露光した後、現像して遮光膜形成パターンに沿
ってレジスト3を残し、次に不要部分の金属膜2をエッ
チングにより除去するとともに、レジスト3を剥離す
る。
透明基板1の一方の面にクロムなどの金属膜2を例えば
スパッタ法により成膜し、その上にレジスト3を塗布す
る。そして、所定の遮光膜形成パターンを有するマスク
をかけて露光した後、現像して遮光膜形成パターンに沿
ってレジスト3を残し、次に不要部分の金属膜2をエッ
チングにより除去するとともに、レジスト3を剥離す
る。
【0005】このようにして、図2(b)に示されてい
るように、遮光膜2aを形成した後、遮光膜2aの上面
を含めて透明基板1上に絶縁膜4を形成する。次に、同
図(c)に示されているように、絶縁膜4上に透明電極
母層としてのITO(インジウム錫オキサイド)膜5を
成膜し、さらに同ITO膜5上にレジストを塗布する。
るように、遮光膜2aを形成した後、遮光膜2aの上面
を含めて透明基板1上に絶縁膜4を形成する。次に、同
図(c)に示されているように、絶縁膜4上に透明電極
母層としてのITO(インジウム錫オキサイド)膜5を
成膜し、さらに同ITO膜5上にレジストを塗布する。
【0006】そして、所定の透明電極形成パターンを有
するマスクをかけて露光し、現像して透明電極形成パタ
ーンに沿ってレジスト6を残した後、不要部分のITO
膜5をエッチングにより除去するとともに、レジスト6
を剥離する。
するマスクをかけて露光し、現像して透明電極形成パタ
ーンに沿ってレジスト6を残した後、不要部分のITO
膜5をエッチングにより除去するとともに、レジスト6
を剥離する。
【0007】これにより、図2(d)に示されているよ
うに、隣接する透明電極5a間に遮光膜2aが配置され
た状態が得られ、以後、この透明電極5a上に例えば絶
縁層が形成され、さらにその上に配向膜などが形成され
ることになる。
うに、隣接する透明電極5a間に遮光膜2aが配置され
た状態が得られ、以後、この透明電極5a上に例えば絶
縁層が形成され、さらにその上に配向膜などが形成され
ることになる。
【0008】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来例によると、遮光膜2aのパターニング時と透明電極
5aのパターニング時に、それぞれマスクがけを行なう
必要があり、その分工数が多くなるばかりでなく、その
位置合わせ作業に厳密な精度が要求される。
来例によると、遮光膜2aのパターニング時と透明電極
5aのパターニング時に、それぞれマスクがけを行なう
必要があり、その分工数が多くなるばかりでなく、その
位置合わせ作業に厳密な精度が要求される。
【0009】また、透明基板1上にクロムなどの金属膜
2を形成するには、スパッタ装置などの高額の設備が必
要とされる。さらには、その金属膜2から遮光膜2aを
格子状に形成するには、いわゆるフォトリソグラフィと
いう微細加工工程を通さなければならない。このような
ことから、総じて製造歩留まりが低く、コスト的にも問
題があった。さらには、クロム(金属膜2)のパターニ
ング工程で、クロム廃液がでるのも環境問題を引き起こ
す恐れを持っている。
2を形成するには、スパッタ装置などの高額の設備が必
要とされる。さらには、その金属膜2から遮光膜2aを
格子状に形成するには、いわゆるフォトリソグラフィと
いう微細加工工程を通さなければならない。このような
ことから、総じて製造歩留まりが低く、コスト的にも問
題があった。さらには、クロム(金属膜2)のパターニ
ング工程で、クロム廃液がでるのも環境問題を引き起こ
す恐れを持っている。
【0010】本発明は、このような従来の問題点を解決
するためになされたもので、その目的は、簡単な設備
で、しかも遮光膜形成用のマスクを必要とすることな
く、透明電極間の非電極部に遮光膜を形成できるように
した液晶表示素子の製造方法を提供することにある。
するためになされたもので、その目的は、簡単な設備
で、しかも遮光膜形成用のマスクを必要とすることな
く、透明電極間の非電極部に遮光膜を形成できるように
した液晶表示素子の製造方法を提供することにある。
【0011】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明は、透明電極間に遮光膜を有する液晶表示素
子の製造方法において、ガラスなどからなる透明基板の
一方の面に透明電極母層を形成する工程と、同透明電極
母層上にポジレジストを形成する工程と、所定の透明電
極形成パターンを有するマスクを用いて上記ポジレジス
トを露光し、現像して上記透明電極母層上に上記透明電
極形成パターンに沿って上記ポジレジストを残す工程
と、エッチングにより不要な上記透明電極母層を除去し
て上記ポジレジストが積層されたポジレジスト付き透明
電極を形成する工程と、上記透明基板の一方の面上に上
記ポジレジスト付き透明電極を含めてその全体にわたっ
て遮光性インキを塗布する工程と、上記透明基板の他方
の面側から露光する工程と、しかる後上記透明電極上の
ポジレジストと遮光性インキとを除去する工程とを備え
ていることを特徴としている。
め、本発明は、透明電極間に遮光膜を有する液晶表示素
子の製造方法において、ガラスなどからなる透明基板の
一方の面に透明電極母層を形成する工程と、同透明電極
母層上にポジレジストを形成する工程と、所定の透明電
極形成パターンを有するマスクを用いて上記ポジレジス
トを露光し、現像して上記透明電極母層上に上記透明電
極形成パターンに沿って上記ポジレジストを残す工程
と、エッチングにより不要な上記透明電極母層を除去し
て上記ポジレジストが積層されたポジレジスト付き透明
電極を形成する工程と、上記透明基板の一方の面上に上
記ポジレジスト付き透明電極を含めてその全体にわたっ
て遮光性インキを塗布する工程と、上記透明基板の他方
の面側から露光する工程と、しかる後上記透明電極上の
ポジレジストと遮光性インキとを除去する工程とを備え
ていることを特徴としている。
【0012】この場合、上記遮光性インキには、紫外線
などのエネルギー線によって重合・架橋を起こし、不溶
性に変化する、ネガレジストの挙動を示す材料が使用さ
れるが、単なる熱硬化型の材料であってもよい。
などのエネルギー線によって重合・架橋を起こし、不溶
性に変化する、ネガレジストの挙動を示す材料が使用さ
れるが、単なる熱硬化型の材料であってもよい。
【0013】光重合・架橋型の場合、その種類として
は、重合・硬化のメカニズムで分ければ、ラジカル重合
型、光付加重合型、光カチオン重合型、酸硬化型などが
挙げられる。ラジカル重合型には、具体的には不飽和ポ
リエステル系、アクリル・メタクリル系で、そのポリマ
ー主鎖の末端や側鎖にラジカル重合性の原子団を備えて
いるものがある。この光重合反応の開始には、ベンゾイ
ンエーテルなどの光重合開始剤が用いられる。
は、重合・硬化のメカニズムで分ければ、ラジカル重合
型、光付加重合型、光カチオン重合型、酸硬化型などが
挙げられる。ラジカル重合型には、具体的には不飽和ポ
リエステル系、アクリル・メタクリル系で、そのポリマ
ー主鎖の末端や側鎖にラジカル重合性の原子団を備えて
いるものがある。この光重合反応の開始には、ベンゾイ
ンエーテルなどの光重合開始剤が用いられる。
【0014】光付加重合型としては、ポリエン−ポリチ
オールをポリマーに具備しているもので、やはりベンゾ
フェノンなどの光重合開始剤が用いられる。光カチオン
重合型は、エポキシ樹脂の反応を光照射で酸が発生する
触媒を用いて架橋させるものである。そのような光開始
剤としては、全芳香族ジアゾニウム塩などがある。
オールをポリマーに具備しているもので、やはりベンゾ
フェノンなどの光重合開始剤が用いられる。光カチオン
重合型は、エポキシ樹脂の反応を光照射で酸が発生する
触媒を用いて架橋させるものである。そのような光開始
剤としては、全芳香族ジアゾニウム塩などがある。
【0015】酸硬化型としては、塗膜形成成分に尿素・
メラニン・アルキド樹脂を用い、紫外線吸収能のある酸
前駆体を用いる。
メラニン・アルキド樹脂を用い、紫外線吸収能のある酸
前駆体を用いる。
【0016】ポリマー主鎖の部分には、ポリイミドなど
の耐熱性の高い骨格を用いることにより、黒色インキの
耐熱性を高め、液晶パネルの製造工程で晒される熱の影
響を緩和することもできる。
の耐熱性の高い骨格を用いることにより、黒色インキの
耐熱性を高め、液晶パネルの製造工程で晒される熱の影
響を緩和することもできる。
【0017】黒色インキに使用する色素には種々の色素
を用いることができるが、可視領域で必要な遮光度があ
って、紫外領域などエネルギー線の波長領域では光開始
剤の吸収が可能な分光特性を有することが条件とされ
る。
を用いることができるが、可視領域で必要な遮光度があ
って、紫外領域などエネルギー線の波長領域では光開始
剤の吸収が可能な分光特性を有することが条件とされ
る。
【0018】なお、光学濃度が2〜3以上になるような
遮光度を採用することがコントラストの向上には好まし
い。黒色インキの塗布は、スピンコーター、ロールコー
ターなど通常行なわれる塗布法でよい。
遮光度を採用することがコントラストの向上には好まし
い。黒色インキの塗布は、スピンコーター、ロールコー
ターなど通常行なわれる塗布法でよい。
【0019】
【作用】上記の構成によると、透明基板の一方の面に形
成されたレジスト付き透明電極をマスクとして、同透明
基板の他方の面(背面)側から遮光性インキを露光する
ことにより、露光された部分の遮光性インキ、すなわち
透明基板間の遮光性インキが硬化する一方で、透明電極
上のレジストの分解が促進される。
成されたレジスト付き透明電極をマスクとして、同透明
基板の他方の面(背面)側から遮光性インキを露光する
ことにより、露光された部分の遮光性インキ、すなわち
透明基板間の遮光性インキが硬化する一方で、透明電極
上のレジストの分解が促進される。
【0020】したがって、そのレジストを透明電極から
容易に剥離することができ、これに伴って、透明電極上
の遮光性インキも剥がされ、各透明基板間に遮光膜とし
ての遮光性インキが残されることになる。
容易に剥離することができ、これに伴って、透明電極上
の遮光性インキも剥がされ、各透明基板間に遮光膜とし
ての遮光性インキが残されることになる。
【0021】
【実施例】図1には本発明の実施例がその製造工程順に
沿って示されており、これによると、まず同図(a)に
示されているように、ガラスなどの透明基板10の一方
の面に透明電極母層11とポジレジスト層12を順次形
成する。
沿って示されており、これによると、まず同図(a)に
示されているように、ガラスなどの透明基板10の一方
の面に透明電極母層11とポジレジスト層12を順次形
成する。
【0022】透明電極母層11には酸化錫やインジウム
錫オキサイド(ITO)などが用いられ、真空蒸着法や
スパッタ法により所定の厚さに成膜することができる。
なお、STNに適した低抵抗のITOの成膜法としては
スパッタ法が好ましい。
錫オキサイド(ITO)などが用いられ、真空蒸着法や
スパッタ法により所定の厚さに成膜することができる。
なお、STNに適した低抵抗のITOの成膜法としては
スパッタ法が好ましい。
【0023】そして、所定の透明電極形成パターンを有
するマスク13を用いて、ポジレジスト層12を露光
し、例えば希アルカリ液に浸漬して現像する。これによ
り、同図(b)に示されているように、透明電極母層1
1上に透明電極形成パターンに沿ってポジレジスト12
aが残される。
するマスク13を用いて、ポジレジスト層12を露光
し、例えば希アルカリ液に浸漬して現像する。これによ
り、同図(b)に示されているように、透明電極母層1
1上に透明電極形成パターンに沿ってポジレジスト12
aが残される。
【0024】次に、不要な透明電極母層11をエッチン
グにより除去して、図(c)に示されているように、ポ
ジレジスト12a付きの透明電極11aを得る。この場
合、透明電極がITOであれば、そのエッチングは塩酸
−塩化第二鉄の混合液などに所定時間浸漬して行なう。
グにより除去して、図(c)に示されているように、ポ
ジレジスト12a付きの透明電極11aを得る。この場
合、透明電極がITOであれば、そのエッチングは塩酸
−塩化第二鉄の混合液などに所定時間浸漬して行なう。
【0025】しかる後、図1(d)に示されているよう
に、透明基板10の一方の面上にポジレジスト12a付
き透明電極11aを含めて遮光膜形成材料としての黒色
インキ14をスピンコーターもしくはロールコーターな
どにて所定の厚さに塗布する。この実施例において、黒
色インキ14には紫外線などのエネルギー線によって重
合・架橋を起こし、不溶性に変化する、ネガレジストの
挙動を示す材料が用いられる。
に、透明基板10の一方の面上にポジレジスト12a付
き透明電極11aを含めて遮光膜形成材料としての黒色
インキ14をスピンコーターもしくはロールコーターな
どにて所定の厚さに塗布する。この実施例において、黒
色インキ14には紫外線などのエネルギー線によって重
合・架橋を起こし、不溶性に変化する、ネガレジストの
挙動を示す材料が用いられる。
【0026】そして、透明基板10の他方の面(背面)
側から露光する。これにより、透明電極11a間の黒色
インキ14は硬化するが、透明電極11a上のポジレジ
スト14aは分解が促進された状態となる。
側から露光する。これにより、透明電極11a間の黒色
インキ14は硬化するが、透明電極11a上のポジレジ
スト14aは分解が促進された状態となる。
【0027】したがって、ポジレジスト12aはアルカ
リ液に浸漬することにより容易に溶けてリフトオフさ
れ、それとともにその上の黒色インキ14も除去される
ことになり、図1(e)に示されているように、透明電
極11a間に遮光膜としての黒色インキ14aが残され
る。なお、この遮光膜としての黒色インキ14aを十分
硬化させるために、露光後もしくはポジレジスト12a
のリフトオフ後に再度透明基板10の一方の面側(表
側)から露光するとよい。
リ液に浸漬することにより容易に溶けてリフトオフさ
れ、それとともにその上の黒色インキ14も除去される
ことになり、図1(e)に示されているように、透明電
極11a間に遮光膜としての黒色インキ14aが残され
る。なお、この遮光膜としての黒色インキ14aを十分
硬化させるために、露光後もしくはポジレジスト12a
のリフトオフ後に再度透明基板10の一方の面側(表
側)から露光するとよい。
【0028】以後、必要に応じて絶縁膜を膜付けし、配
向制御膜を形成する。配向制御膜はポリイミド、ポリア
ミドのような樹脂のほかに、一酸化ケイ素のような斜め
蒸着膜であってもよい。ポリイミドのような膜は通常ラ
ビング処理が施される。また、表示モードによっては垂
直配向剤を用いる場合もある。
向制御膜を形成する。配向制御膜はポリイミド、ポリア
ミドのような樹脂のほかに、一酸化ケイ素のような斜め
蒸着膜であってもよい。ポリイミドのような膜は通常ラ
ビング処理が施される。また、表示モードによっては垂
直配向剤を用いる場合もある。
【0029】そして、上記の工程を経た2枚の基板をシ
ール材を介して重ね合せ、そのセル内に液晶を注入した
後、最後に注入口を封止する。通常は、この基板の外側
の少なくとも一方に偏光板を配置する。なお、基板自体
を偏光板で構成したり、もしくは基板と透明電極との間
に偏光層を設けてもよい。
ール材を介して重ね合せ、そのセル内に液晶を注入した
後、最後に注入口を封止する。通常は、この基板の外側
の少なくとも一方に偏光板を配置する。なお、基板自体
を偏光板で構成したり、もしくは基板と透明電極との間
に偏光層を設けてもよい。
【0030】本発明は透過型、反射型のいずれにも適用
可能であり、その応用範囲は広い。透過型で使用する場
合には裏面側に光源を配置することが好ましい。その場
合、光源にも導光体やカラーフィルタを併設してもよ
い。さらに、透過型で使用する場合、画素以外の背景部
分を印刷などによる遮光膜で覆うこともできる。また、
遮光膜を用いるとともに、表示したくない部分に選択電
圧を印加するように逆の駆動をすることもできる。
可能であり、その応用範囲は広い。透過型で使用する場
合には裏面側に光源を配置することが好ましい。その場
合、光源にも導光体やカラーフィルタを併設してもよ
い。さらに、透過型で使用する場合、画素以外の背景部
分を印刷などによる遮光膜で覆うこともできる。また、
遮光膜を用いるとともに、表示したくない部分に選択電
圧を印加するように逆の駆動をすることもできる。
【0031】本発明は、このほかにその効果を損なわな
い範囲で、通常のSTN液晶表示装置で使用されている
種々の技術の適用が可能である。なお、上記実施例では
光硬化型の黒色インキを用いているが、熱硬化型であっ
てもよい。
い範囲で、通常のSTN液晶表示装置で使用されている
種々の技術の適用が可能である。なお、上記実施例では
光硬化型の黒色インキを用いているが、熱硬化型であっ
てもよい。
【0032】《実施例1》第1の基板として、ガラス基
板の一方の面にストライプ状ITOの幅が130μm、
そのストライプ間の幅が20μmでITOのパターニン
グを行なった。富士ハント社製のポジレジストFH−2
130(商品名)をロールコーターで約2μmの厚さに
塗布し、これにフォトマスクを介して露光し、現像した
後、エッチングにより不要のITOを除去した。
板の一方の面にストライプ状ITOの幅が130μm、
そのストライプ間の幅が20μmでITOのパターニン
グを行なった。富士ハント社製のポジレジストFH−2
130(商品名)をロールコーターで約2μmの厚さに
塗布し、これにフォトマスクを介して露光し、現像した
後、エッチングにより不要のITOを除去した。
【0033】次に、セルロース/アルキド混合樹脂に有
機顔料を数種類配合して黒色に調整した黒色インキをス
クリーン印刷により約10μmの厚さに塗布した。そし
て、ガラス基板の他方の面(背面)から露光した後、1
80℃、30分で焼成し、10%荷性ソーダ液に短時間
浸漬したところ、ITO間の黒色インキが残り、ITO
上の黒色インキはポジレジストとともに剥離した。
機顔料を数種類配合して黒色に調整した黒色インキをス
クリーン印刷により約10μmの厚さに塗布した。そし
て、ガラス基板の他方の面(背面)から露光した後、1
80℃、30分で焼成し、10%荷性ソーダ液に短時間
浸漬したところ、ITO間の黒色インキが残り、ITO
上の黒色インキはポジレジストとともに剥離した。
【0034】第2の基板についても、遮光膜およびIT
Oのパターンが、第1の基板のストライプに対して直交
すること以外は同一として形成した。
Oのパターンが、第1の基板のストライプに対して直交
すること以外は同一として形成した。
【0035】この第1および第2の基板を重ね合わせ、
その周辺をシール材を介して接着して得た液晶パネル内
に、誘電異方性が正のネマチック液晶を注入し、240
度捩じれの左螺旋の液晶となるようにキラル物質を添加
して調整し、液晶注入口を封止した。このようにして得
られた液晶表示素子のコントラスト比を測定したとこ
ろ、35:1であった。
その周辺をシール材を介して接着して得た液晶パネル内
に、誘電異方性が正のネマチック液晶を注入し、240
度捩じれの左螺旋の液晶となるようにキラル物質を添加
して調整し、液晶注入口を封止した。このようにして得
られた液晶表示素子のコントラスト比を測定したとこ
ろ、35:1であった。
【0036】《実施例2》黒色インキに、旭硝子社製紫
外線硬化樹脂AK−1(商品名)にソルベントブラック
3を10%混合したものを用いたほかは、実施例1と同
じとして液晶表示素子を試作した。この場合のコントラ
スト比は、39:1であった。
外線硬化樹脂AK−1(商品名)にソルベントブラック
3を10%混合したものを用いたほかは、実施例1と同
じとして液晶表示素子を試作した。この場合のコントラ
スト比は、39:1であった。
【0037】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
非電極部の遮光膜が遮光性インキにより、しかも透明電
極上のポジレジストをマスクとして背面露光により形成
することができる。したがって、従来の金属による遮光
膜のように高価な設備を必要とせず、マスクにしても透
明電極をパターニングするマスク1種類のみで済むこと
になり、マスクの位置合わせが容易になり生産性が向上
するとともに、従来問題となっていたマスクずれによる
不良が減少し、歩留まりが改善される。
非電極部の遮光膜が遮光性インキにより、しかも透明電
極上のポジレジストをマスクとして背面露光により形成
することができる。したがって、従来の金属による遮光
膜のように高価な設備を必要とせず、マスクにしても透
明電極をパターニングするマスク1種類のみで済むこと
になり、マスクの位置合わせが容易になり生産性が向上
するとともに、従来問題となっていたマスクずれによる
不良が減少し、歩留まりが改善される。
【図1】本発明による液晶表示素子の製造方法の一実施
例をその工程順に沿って示した断面図。
例をその工程順に沿って示した断面図。
【図2】従来の液晶表示素子製造方法の一例をその工程
順に沿って示した断面図。
順に沿って示した断面図。
10 透明基板 11 透明電極母層(ITO膜) 11a 透明電極 12 ポジレジスト層 12a ポジレジスト 13 マスク 14 黒色インキ 14a 黒色インキによる遮光膜
Claims (4)
- 【請求項1】 透明電極間に遮光膜を有する液晶表示素
子の製造方法において、ガラスなどからなる透明基板の
一方の面に透明電極母層を形成する工程と、同透明電極
母層上にポジレジストを形成する工程と、所定の透明電
極形成パターンを有するマスクを用いて上記ポジレジス
トを露光し、現像して上記透明電極母層上に上記透明電
極形成パターンに沿って上記ポジレジストを残す工程
と、エッチングにより不要な上記透明電極母層を除去し
て上記ポジレジストが積層されたポジレジスト付き透明
電極を形成する工程と、上記透明基板の一方の面上に上
記ポジレジスト付き透明電極を含めてその全体にわたっ
て遮光性インキを塗布する工程と、上記透明基板の他方
の面側から露光する工程と、しかる後上記透明電極上の
ポジレジストと遮光性インキとを除去する工程とを備え
ていることを特徴とする液晶表示素子の製造方法。 - 【請求項2】 上記遮光性インキはラジカル重合型、光
付加重合型、光カチオン重合型、酸硬化型などの光硬化
性の黒色インキからなることを特徴とする請求項1に記
載の液晶表示素子の製造方法。 - 【請求項3】 上記遮光性インキは熱硬化性の黒色イン
キからなることを特徴とする請求項1に記載の液晶表示
素子の製造方法。 - 【請求項4】 上記遮光性インキは光学濃度が2〜3以
上になるような遮光度を与えるものであることを特徴と
する請求項1ないし3のいずれか1項に記載の液晶表示
素子の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7171338A JPH095729A (ja) | 1995-06-14 | 1995-06-14 | 液晶表示素子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7171338A JPH095729A (ja) | 1995-06-14 | 1995-06-14 | 液晶表示素子の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH095729A true JPH095729A (ja) | 1997-01-10 |
Family
ID=15921375
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7171338A Withdrawn JPH095729A (ja) | 1995-06-14 | 1995-06-14 | 液晶表示素子の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH095729A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH11121178A (ja) * | 1997-10-14 | 1999-04-30 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 有機エレクトロルミネセンス素子及びその製造方法 |
| US7507039B2 (en) * | 2002-02-28 | 2009-03-24 | Fujitsu Limited | Dynamic pressure bearing manufacturing method, dynamic pressure bearing and dynamic pressure bearing manufacturing device |
-
1995
- 1995-06-14 JP JP7171338A patent/JPH095729A/ja not_active Withdrawn
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH11121178A (ja) * | 1997-10-14 | 1999-04-30 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 有機エレクトロルミネセンス素子及びその製造方法 |
| US7507039B2 (en) * | 2002-02-28 | 2009-03-24 | Fujitsu Limited | Dynamic pressure bearing manufacturing method, dynamic pressure bearing and dynamic pressure bearing manufacturing device |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20020903 |