JPH0957587A - 軟質材の平坦化方法及び装置 - Google Patents
軟質材の平坦化方法及び装置Info
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- JPH0957587A JPH0957587A JP20866695A JP20866695A JPH0957587A JP H0957587 A JPH0957587 A JP H0957587A JP 20866695 A JP20866695 A JP 20866695A JP 20866695 A JP20866695 A JP 20866695A JP H0957587 A JPH0957587 A JP H0957587A
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- Grinding And Polishing Of Tertiary Curved Surfaces And Surfaces With Complex Shapes (AREA)
- Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 研磨布やバッキングフィルムのような軟質材
を容易に研磨する方法とその装置を提供する。 【解決手段】 軟質材をガラス転移温度にして、その硬
度を高めて研磨する平坦化方法と、軟質材１１を載置す
る回転研磨台８に冷媒パス９を設け、一方真空チャック
１２に研磨手段１４を吸着してなる軟質材研磨装置１６
の構成。 【効果】 研磨に先立ち、被研磨材（軟質材）の温度を
ガラス転移温度として、その硬度を高め研磨を容易とし
た。
を容易に研磨する方法とその装置を提供する。 【解決手段】 軟質材をガラス転移温度にして、その硬
度を高めて研磨する平坦化方法と、軟質材１１を載置す
る回転研磨台８に冷媒パス９を設け、一方真空チャック
１２に研磨手段１４を吸着してなる軟質材研磨装置１６
の構成。 【効果】 研磨に先立ち、被研磨材（軟質材）の温度を
ガラス転移温度として、その硬度を高め研磨を容易とし
た。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、軟質材の平坦化方
法及び装置に関し、詳しくは半導体装置の製造分野に適
用する層間絶縁膜を研磨する研磨布または被研磨材を吸
着するためのバッキングパッド等の軟質材の平坦化方法
及び装置に関する。
法及び装置に関し、詳しくは半導体装置の製造分野に適
用する層間絶縁膜を研磨する研磨布または被研磨材を吸
着するためのバッキングパッド等の軟質材の平坦化方法
及び装置に関する。
【０００２】
【従来技術】デバイスの高密度化に伴って配線技術は、
微細化、多層化の方向に進んでいる。しかし、高密度化
は信頼性を低下させる要因になる場合がある。これは、
配線の微細化と多層化の進展によって層間絶縁膜の段差
は大きく且つ、急峻となり、その上に形成される配線の
加工精度、信頼性を低下させる為である。この為、配線
の段差被覆性の大幅な改善が出来ない現在、層間絶縁膜
の平坦性を向上させる必要がある。これまで各種の絶縁
膜の形成技術及び平坦化技術が開発されてきたが、微細
化、多層化した配線層に適用した場合、配線間隔が広い
場合の平坦性の不足や配線間隔に於ける層間膜の巣の発
生により配線間における接合不良等が大きな問題になっ
ている。
微細化、多層化の方向に進んでいる。しかし、高密度化
は信頼性を低下させる要因になる場合がある。これは、
配線の微細化と多層化の進展によって層間絶縁膜の段差
は大きく且つ、急峻となり、その上に形成される配線の
加工精度、信頼性を低下させる為である。この為、配線
の段差被覆性の大幅な改善が出来ない現在、層間絶縁膜
の平坦性を向上させる必要がある。これまで各種の絶縁
膜の形成技術及び平坦化技術が開発されてきたが、微細
化、多層化した配線層に適用した場合、配線間隔が広い
場合の平坦性の不足や配線間隔に於ける層間膜の巣の発
生により配線間における接合不良等が大きな問題になっ
ている。
【０００３】平坦化技術として近年、塩基性溶液中での
シリコン酸化膜の微粒子を用いたメカノケミカル研磨技
術が報告されている。この研磨に用いる研磨布は発泡剤
の入った液状ポリウレタンを基板上に塗布した後、発泡
剤により多孔質樹脂を形成していた。このような方法に
より形成した研磨布の表面は凹凸が存在するため、この
研磨布により研磨を行うと、この凹凸が被研磨層の研磨
速度の不均一性をもたらしてしまう。
シリコン酸化膜の微粒子を用いたメカノケミカル研磨技
術が報告されている。この研磨に用いる研磨布は発泡剤
の入った液状ポリウレタンを基板上に塗布した後、発泡
剤により多孔質樹脂を形成していた。このような方法に
より形成した研磨布の表面は凹凸が存在するため、この
研磨布により研磨を行うと、この凹凸が被研磨層の研磨
速度の不均一性をもたらしてしまう。
【０００４】この為、研磨布の表面を研削等により平坦
化することが提案されているが、研磨布が軟質の為、研
削屑が細孔に残留するなど所定の形状を満足し、平坦化
することが困難であった。これに対して、多孔性樹脂の
孔及び表面に少なくとも前記孔を樹脂で満たすまで前記
樹脂を塗布し、前記樹脂溶媒を揮発させて、固体の樹脂
を形成し、前記固体の樹脂表面及び前記多孔性樹脂の表
面を研磨あるいは研削して平坦化し、前記固体の樹脂を
除去して多孔質樹脂を平坦化する手法が提案されてい
る。この方法は例えば、特開平７−８６２１４号公報に
詳細に記載されている。
化することが提案されているが、研磨布が軟質の為、研
削屑が細孔に残留するなど所定の形状を満足し、平坦化
することが困難であった。これに対して、多孔性樹脂の
孔及び表面に少なくとも前記孔を樹脂で満たすまで前記
樹脂を塗布し、前記樹脂溶媒を揮発させて、固体の樹脂
を形成し、前記固体の樹脂表面及び前記多孔性樹脂の表
面を研磨あるいは研削して平坦化し、前記固体の樹脂を
除去して多孔質樹脂を平坦化する手法が提案されてい
る。この方法は例えば、特開平７−８６２１４号公報に
詳細に記載されている。
【０００５】しかし、この方法では、研磨布として用い
られているポリウレタン樹脂の耐久性の問題から水溶性
樹脂を用いる必要があることから、硬度の高い樹脂を選
択する事が困難であり、研磨時の変形等も発生し、所望
の形状に加工することが困難である。 更に、樹脂の塗
布、乾燥、固化及び研削後の除去等、多工程を必要と
し、処理に多くの時間を必要とする。従って、所望の形
状を効果的に形成する技術が切望されている。
られているポリウレタン樹脂の耐久性の問題から水溶性
樹脂を用いる必要があることから、硬度の高い樹脂を選
択する事が困難であり、研磨時の変形等も発生し、所望
の形状に加工することが困難である。 更に、樹脂の塗
布、乾燥、固化及び研削後の除去等、多工程を必要と
し、処理に多くの時間を必要とする。従って、所望の形
状を効果的に形成する技術が切望されている。
【０００６】また、バッキングフィルムと称され、被研
磨材を吸着する多孔質の軟質材にも、その表面の平坦化
の要求は同様であり、その研磨方法と研磨装置の提供が
必要となっている。
磨材を吸着する多孔質の軟質材にも、その表面の平坦化
の要求は同様であり、その研磨方法と研磨装置の提供が
必要となっている。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】本発明が解決しようと
する課題は、上記問題点に鑑みてなされたもので、段差
基体上の層間絶縁膜の平坦化工程に用いる研磨布、バッ
キングフィルム等の軟質材の平坦化方法及び装置を提供
することである。
する課題は、上記問題点に鑑みてなされたもので、段差
基体上の層間絶縁膜の平坦化工程に用いる研磨布、バッ
キングフィルム等の軟質材の平坦化方法及び装置を提供
することである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】前述した課題を解決する
ために、本発明の請求項１記載の発明は、軟質材の硬度
を増加させる工程と、軟質材の表面を研磨（研削を含む
ものとする）して平坦化することを特徴とする軟質材の
平坦化方法の構成とし、軟質材の研磨（研削を含むもの
とする）を容易とした。
ために、本発明の請求項１記載の発明は、軟質材の硬度
を増加させる工程と、軟質材の表面を研磨（研削を含む
ものとする）して平坦化することを特徴とする軟質材の
平坦化方法の構成とし、軟質材の研磨（研削を含むもの
とする）を容易とした。
【０００９】請求項２の発明においては、軟質材の硬度
を増加させる工程に於いて、軟質材を構成する樹脂のガ
ラス転移温度以下に軟質材の温度を保持する事を特徴と
する請求項１記載の軟質材の平坦化方法の構成とし、軟
質材の研磨（研削を含むものとする）を容易とした。
を増加させる工程に於いて、軟質材を構成する樹脂のガ
ラス転移温度以下に軟質材の温度を保持する事を特徴と
する請求項１記載の軟質材の平坦化方法の構成とし、軟
質材の研磨（研削を含むものとする）を容易とした。
【００１０】請求項３の発明においては、軟質材の硬度
を増加させる工程に於いて、液体を含侵した後、液体の
凝固点温度以下に液体の温度を保持することを特徴とす
る請求項１記載の軟質材の平坦化方法の構成とし、さら
に軟質材の硬度を高め研磨（研削を含むものとする）を
容易とした。
を増加させる工程に於いて、液体を含侵した後、液体の
凝固点温度以下に液体の温度を保持することを特徴とす
る請求項１記載の軟質材の平坦化方法の構成とし、さら
に軟質材の硬度を高め研磨（研削を含むものとする）を
容易とした。
【００１１】請求項４の発明においては、軟質材が半導
体ウエハを研磨するための研磨布であることを特徴とす
る請求項１記載の軟質材の平坦化方法の構成とし、研磨
布の研磨（研削を含むものとする）又は研削を容易とし
た。
体ウエハを研磨するための研磨布であることを特徴とす
る請求項１記載の軟質材の平坦化方法の構成とし、研磨
布の研磨（研削を含むものとする）又は研削を容易とし
た。
【００１２】請求項５の発明においては、軟質材が半導
体ウエハを吸着するためのバッキングフィルムであるこ
とを特徴とする軟質材の平坦化方法の構成とし、バッキ
ングフィルムの研磨（研削を含むものとする）を容易と
した。
体ウエハを吸着するためのバッキングフィルムであるこ
とを特徴とする軟質材の平坦化方法の構成とし、バッキ
ングフィルムの研磨（研削を含むものとする）を容易と
した。
【００１３】請求項６の発明においては、内部に冷媒パ
スが備えられた軟質材を載置する回転研磨台が回転可能
に支持され、真空チャックが前記回転研磨台の上部に設
けられ、真空チャックは円筒凹部を備えた保持部が回転
可能に支持され、保持部の円筒凹部には多孔質材料から
成る吸着板を嵌合し、吸着板に研磨手段を吸着し、回転
研磨台の中央上部に軟質材に水を注水するための注水管
が設けられて成る、軟質材の平坦化装置の構成とし、軟
質材の研磨（研削を含むものとする）を容易とした。
スが備えられた軟質材を載置する回転研磨台が回転可能
に支持され、真空チャックが前記回転研磨台の上部に設
けられ、真空チャックは円筒凹部を備えた保持部が回転
可能に支持され、保持部の円筒凹部には多孔質材料から
成る吸着板を嵌合し、吸着板に研磨手段を吸着し、回転
研磨台の中央上部に軟質材に水を注水するための注水管
が設けられて成る、軟質材の平坦化装置の構成とし、軟
質材の研磨（研削を含むものとする）を容易とした。
【００１４】請求項７の発明においては、研磨手段がダ
イアモンド砥粒が施された研磨砥石である事を特徴とす
る、請求項７記載の軟質材の平坦化装置の構成とし、軟
質材の研磨を容易とした。
イアモンド砥粒が施された研磨砥石である事を特徴とす
る、請求項７記載の軟質材の平坦化装置の構成とし、軟
質材の研磨を容易とした。
【００１５】
【発明の実施の形態】以下に本発明の実施の形態につい
て、図１ないし図３を参照して説明する。ここで実際の
研磨工程の説明に先立ち、先ず本発明に関係する半導体
ウエハ研磨装置１の構成例を図１を参照しながら説明す
る。ウエハ２はウエハ保持台３に真空チャック方式によ
り固定される。一方、研磨台４には研磨布５が固定され
ており、スラリー導入管６からスラリー７が供給され
る。研磨中は上部のウエハ保持台３及び回転研磨台４が
回転することにより、ウエハ２面内の研磨速度の均一性
を確保している。尚、研磨時の押し付け圧力について
は、ウエハ保持台２に加える圧力を制御することにより
行う。
て、図１ないし図３を参照して説明する。ここで実際の
研磨工程の説明に先立ち、先ず本発明に関係する半導体
ウエハ研磨装置１の構成例を図１を参照しながら説明す
る。ウエハ２はウエハ保持台３に真空チャック方式によ
り固定される。一方、研磨台４には研磨布５が固定され
ており、スラリー導入管６からスラリー７が供給され
る。研磨中は上部のウエハ保持台３及び回転研磨台４が
回転することにより、ウエハ２面内の研磨速度の均一性
を確保している。尚、研磨時の押し付け圧力について
は、ウエハ保持台２に加える圧力を制御することにより
行う。
【００１６】第１の実施の形態 図２に本発明の第１の実施の形態としての研磨布等の軟
質材を研磨又は研削する軟質材研磨装置を側断面図で示
し、その構成と作用について以下に説明する。被研磨材
（軟質材）１１を載置する回転研磨台８は軸８ａを中心
に回転可能に支持され、その内部には螺旋状に設けられ
た冷媒パス９が穿たれている。冷媒パス９には軸８ａに
設けたロータリージョイント１０を介して、エタノール
系冷媒、フロン等の冷媒が外部から供給され、回転研磨
台８内部を循環するようなされている。
質材を研磨又は研削する軟質材研磨装置を側断面図で示
し、その構成と作用について以下に説明する。被研磨材
（軟質材）１１を載置する回転研磨台８は軸８ａを中心
に回転可能に支持され、その内部には螺旋状に設けられ
た冷媒パス９が穿たれている。冷媒パス９には軸８ａに
設けたロータリージョイント１０を介して、エタノール
系冷媒、フロン等の冷媒が外部から供給され、回転研磨
台８内部を循環するようなされている。
【００１７】そして、回転研磨台８の上には、研磨され
る被研磨材（軟質材）１１が載置され固定されている。
一方、回転研磨台８の上部には、真空チャック１２が設
けられている。この真空チャック１２はチャック軸１２
ａに円筒凹部１２ｂを備えた保持部１２ｃが設けられ、
回転可能とされている。そして、保持部１２ｃの円筒凹
部１２ｂには多孔質材料から成る吸着板１３が嵌合され
ており、チャック軸１２ａ内に設けられた真空パス１２
ｄより真空に吸引されるごとくなされている。吸着板１
３には、ダイアモンド砥粒を含有した砥石から成る研磨
手段１４が吸着される。また、回転研磨台８の中央上部
には、被研磨材１１に水を注水するための注水管１５が
設けられている。
る被研磨材（軟質材）１１が載置され固定されている。
一方、回転研磨台８の上部には、真空チャック１２が設
けられている。この真空チャック１２はチャック軸１２
ａに円筒凹部１２ｂを備えた保持部１２ｃが設けられ、
回転可能とされている。そして、保持部１２ｃの円筒凹
部１２ｂには多孔質材料から成る吸着板１３が嵌合され
ており、チャック軸１２ａ内に設けられた真空パス１２
ｄより真空に吸引されるごとくなされている。吸着板１
３には、ダイアモンド砥粒を含有した砥石から成る研磨
手段１４が吸着される。また、回転研磨台８の中央上部
には、被研磨材１１に水を注水するための注水管１５が
設けられている。
【００１８】特に本発明は被研磨材（軟質材）１１を冷
却し、その硬度を高め、その表面をダイヤモンド砥粒を
用いて研磨するようにしたものである。
却し、その硬度を高め、その表面をダイヤモンド砥粒を
用いて研磨するようにしたものである。
【００１９】第２の実施の形態 この様に構成した軟質材研磨装置１６により、被研磨材
（軟質材）１１の研磨を行なう方法について以下に説明
する。図２に示したように被研磨材１１を固定した回転
研磨台８の温度を被研磨材１１である研磨布のポリウレ
タン樹脂のガラス転移温度１５℃に対して約５℃に冷却
することにより、被研磨材１１の硬度を増加する。冷却
温度は冷媒の温度を調整することにより行なう。そし
て、被研磨材１１に真空チャック１２の吸着板１３に吸
着させたダイヤモンド砥粒が施された研磨布１４を押圧
して、その表面を研磨する。被研磨材（軟質材）１１は
常温では、研磨が困難であったが、本発明のように冷却
により硬度を上げることにより、研磨が容易となった。
（軟質材）１１の研磨を行なう方法について以下に説明
する。図２に示したように被研磨材１１を固定した回転
研磨台８の温度を被研磨材１１である研磨布のポリウレ
タン樹脂のガラス転移温度１５℃に対して約５℃に冷却
することにより、被研磨材１１の硬度を増加する。冷却
温度は冷媒の温度を調整することにより行なう。そし
て、被研磨材１１に真空チャック１２の吸着板１３に吸
着させたダイヤモンド砥粒が施された研磨布１４を押圧
して、その表面を研磨する。被研磨材（軟質材）１１は
常温では、研磨が困難であったが、本発明のように冷却
により硬度を上げることにより、研磨が容易となった。
【００２０】この研磨を行なった後の被研磨材１１の表
面の段差を段差計を用いて測定した結果、研磨前では被
研磨材の表面のうねりは２０μｍの凹凸が観測された
が、研磨後は５μｍと被研磨材の表面のうねりは、著し
く減少していた。
面の段差を段差計を用いて測定した結果、研磨前では被
研磨材の表面のうねりは２０μｍの凹凸が観測された
が、研磨後は５μｍと被研磨材の表面のうねりは、著し
く減少していた。
【００２１】第３の実施の形態 図２に示すように被研磨材１１上に注水管１５から被研
磨材１１上に水を散布し、十分に含侵した後、被研磨材
１１を固定した回転研磨台８の温度を−５℃に冷却し、
水を凍らせることにより被研磨材の硬度を増加する。そ
の後、被研磨材１１をダイヤモンド砥粒が施された研磨
布１４を用いて被研磨材研１１の表面を研磨した。研磨
後の被研磨材１１表面の段差を段差計を用いて測定した
結果、研削前では被研磨材１１の表面のうねりは２０μ
ｍの凹凸が観測されたが、研削後は３μｍと表面のうね
りは減少していた。
磨材１１上に水を散布し、十分に含侵した後、被研磨材
１１を固定した回転研磨台８の温度を−５℃に冷却し、
水を凍らせることにより被研磨材の硬度を増加する。そ
の後、被研磨材１１をダイヤモンド砥粒が施された研磨
布１４を用いて被研磨材研１１の表面を研磨した。研磨
後の被研磨材１１表面の段差を段差計を用いて測定した
結果、研削前では被研磨材１１の表面のうねりは２０μ
ｍの凹凸が観測されたが、研削後は３μｍと表面のうね
りは減少していた。
【００２２】次に、前述の第３の実施の形態により得ら
れた研磨布を用いて半導体集積回路製造の際に段差を有
する基体上を平坦化した結果の例を挙げる。図３（ａ）
に示す様にシリコン等からなる半導体基体１７上に第１
シリコン酸化膜１８及びアルミ配線層１９を形成した
後、レジストプロセスを用いて反応性ドライエッチング
によりアルミ配線層１９を加工したウエハ２を用意す
る。次いで、図３（ｂ）に示すように、プラズマＣＶＤ
法により第２シリコン酸化膜２０を形成した。次いで、
以下の条件で第２シリコン酸化膜２０を研磨し平坦化を
行った。
れた研磨布を用いて半導体集積回路製造の際に段差を有
する基体上を平坦化した結果の例を挙げる。図３（ａ）
に示す様にシリコン等からなる半導体基体１７上に第１
シリコン酸化膜１８及びアルミ配線層１９を形成した
後、レジストプロセスを用いて反応性ドライエッチング
によりアルミ配線層１９を加工したウエハ２を用意す
る。次いで、図３（ｂ）に示すように、プラズマＣＶＤ
法により第２シリコン酸化膜２０を形成した。次いで、
以下の条件で第２シリコン酸化膜２０を研磨し平坦化を
行った。
【００２３】研磨条件 回転研磨台の回転数 ２０ 〔ｒｐｍ〕 ウエハ保持台の回転数 ２０ 〔ｒｐｍ〕 研磨圧力 ５×１０3 〔Ｐａ〕 スラリー流量 ２００ 〔ｓｃｃｍ〕 その結果図３（ｃ）に示すように、研磨均一性は厚さ８
ｉｎｃｈのウエハを用いて５％以下と非常に良好であっ
た。研磨終了後、水洗することにより研磨粒子を溶解除
去し、層間絶縁膜の平坦化研磨は完了する。第２シリコ
ン酸化膜２０の表面を光学顕微鏡で観測した結果、スク
ラッチ等は全く検出されなかった。
ｉｎｃｈのウエハを用いて５％以下と非常に良好であっ
た。研磨終了後、水洗することにより研磨粒子を溶解除
去し、層間絶縁膜の平坦化研磨は完了する。第２シリコ
ン酸化膜２０の表面を光学顕微鏡で観測した結果、スク
ラッチ等は全く検出されなかった。
【００２４】
【発明の効果】以上の説明から明らかなように本発明を
適用することにより、 軟質材の硬度を高めることで、
研磨時の変形を抑制し、所望の形状に加工することが可
能となる。その際従来の様に特別な樹脂等を用いる必要
がなく、工程の短縮が達成できる。また、硬度を更に増
加させるために液体、例えば水を含侵した後、０℃に保
持し研削し、加熱により氷は水に変化するだけで、従来
の様に特別な樹脂を用いていないために水洗残りにより
研磨布内への未洗浄樹脂が残留し、研磨布の硬度に影響
を与えたり、スクラッチ等の発生の原因になることもな
い。この結果、軟質材の研磨を容易に行なうことが出
来、平坦な研磨布やバッキングフィルムが得られ、また
この研磨を遂行するに好適な軟質材の研磨装置が提供で
きる。
適用することにより、 軟質材の硬度を高めることで、
研磨時の変形を抑制し、所望の形状に加工することが可
能となる。その際従来の様に特別な樹脂等を用いる必要
がなく、工程の短縮が達成できる。また、硬度を更に増
加させるために液体、例えば水を含侵した後、０℃に保
持し研削し、加熱により氷は水に変化するだけで、従来
の様に特別な樹脂を用いていないために水洗残りにより
研磨布内への未洗浄樹脂が残留し、研磨布の硬度に影響
を与えたり、スクラッチ等の発生の原因になることもな
い。この結果、軟質材の研磨を容易に行なうことが出
来、平坦な研磨布やバッキングフィルムが得られ、また
この研磨を遂行するに好適な軟質材の研磨装置が提供で
きる。
【図１】 半導体ウエハ研磨装置
【図２】 本発明の軟質材研磨装置
【図３】 本発明で得られた研磨布で研磨した半導体ウ
エハの断面図であり、（ａ）は用意した半導体ウエハ、
（ｂ）は第２のシリコン酸化膜を施した半導体ウエハ、
（ｃ）は研磨後の半導体ウエハを示す。
エハの断面図であり、（ａ）は用意した半導体ウエハ、
（ｂ）は第２のシリコン酸化膜を施した半導体ウエハ、
（ｃ）は研磨後の半導体ウエハを示す。
１ 半導体ウエハ研磨装置 ２ ウエハ ３ ウエハ保持部 ４ 回転研磨台 ５ 研磨布 ６ スラリー導入管 ７ スラリー ８ 回転研磨台 ８ａ 軸 ９ 冷媒パス １０ ロータリージョイント １１ 被研磨材（軟質材） １２ 真空チャック １２ａ チャック軸 １２ｂ 円筒凹部 １２ｃ 保持部 １２ｄ 真空パス １３ 吸着板 １４ 研磨手段 １５ 注水管 １６ 軟質材研磨装置 １７ 半導体基体 １８ 第１シリコン酸化膜 １９ アルミ配線層 ２０ 第２シリコン酸化膜
Claims (7)
- 【請求項１】 軟質材の硬度を増加させる工程と、 該軟質材の表面を研磨して平坦化することを特徴とする
軟質材の平坦化方法。 - 【請求項２】 前記軟質材の硬度を増加させる工程に於
いて、 軟質材を構成する樹脂のガラス転移温度以下に該軟質材
の温度を保持する事を特徴とする請求項１記載の軟質材
の平坦化方法。 - 【請求項３】 前記軟質材の硬度を増加させる工程に於
いて、 液体を含侵した後、該液体の凝固点温度以下に該液体の
温度を保持することを特徴とする請求項１記載の軟質材
の平坦化方法。 - 【請求項４】 前記軟質材が半導体ウエハを研磨するた
めの研磨布であることを特徴とする請求項１記載の軟質
材の平坦化方法。 - 【請求項５】 前記軟質材が半導体ウエハを吸着するた
めのバッキングフィルムであることを特徴とする軟質材
の平坦化方法。 - 【請求項６】 内部に冷媒パスが備えられ、軟質材を
載置するための回転研磨台が回転可能に支持され、 真空チャックが前記回転研磨台の上部に設けられ、 前記真空チャックは円筒凹部を備えた保持部が回転可能
に支持され、 前記保持部の円筒凹部には多孔質材料から成る吸着板を
嵌合し、 前記吸着板に研磨又は研削手段を吸着し、 前記回転研磨台の中央上部に前記軟質材に水を注水する
ための注水管が設けられて成る、軟質材の平坦化装置。 - 【請求項７】 前記研磨手段がダイアモンド砥粒を包含
した研磨砥石である事を特徴とする、請求項７記載の軟
質材の平坦化装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20866695A JPH0957587A (ja) | 1995-08-16 | 1995-08-16 | 軟質材の平坦化方法及び装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20866695A JPH0957587A (ja) | 1995-08-16 | 1995-08-16 | 軟質材の平坦化方法及び装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0957587A true JPH0957587A (ja) | 1997-03-04 |
Family
ID=16560047
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20866695A Pending JPH0957587A (ja) | 1995-08-16 | 1995-08-16 | 軟質材の平坦化方法及び装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0957587A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR19990024436A (ko) * | 1997-09-02 | 1999-04-06 | 윤종용 | 화학기계적 연마장치 |
| CN101770936A (zh) * | 2008-12-26 | 2010-07-07 | 株式会社迪思科 | 树脂覆盖方法和树脂覆盖装置 |
| KR20200079533A (ko) * | 2017-11-06 | 2020-07-03 | 액서스 테크놀로지, 엘엘씨 | 기판 프로세싱 시스템을 위한 방법 및 평탄화된 멤브레인 |
-
1995
- 1995-08-16 JP JP20866695A patent/JPH0957587A/ja active Pending
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR19990024436A (ko) * | 1997-09-02 | 1999-04-06 | 윤종용 | 화학기계적 연마장치 |
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| CN111432983A (zh) * | 2017-11-06 | 2020-07-17 | 崇硕科技公司 | 用于衬底加工系统的平坦化膜及方法 |
| JP2021501699A (ja) * | 2017-11-06 | 2021-01-21 | アクス テクノロジー エルエルシー | 基板処理システムのための平坦化膜および方法 |
| US11685012B2 (en) | 2017-11-06 | 2023-06-27 | Axus Technology, Llc | Planarized membrane and methods for substrate processing systems |
| CN111432983B (zh) * | 2017-11-06 | 2025-04-25 | 崇硕科技公司 | 用于衬底加工系统的平坦化膜及方法 |
| US12558757B2 (en) | 2017-11-06 | 2026-02-24 | Asm America, Inc. | Planarized membrane and methods for substrate processing systems |
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