JPH0959636A - Liquid crystal composition - Google Patents
Liquid crystal compositionInfo
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- JPH0959636A JPH0959636A JP7214696A JP21469695A JPH0959636A JP H0959636 A JPH0959636 A JP H0959636A JP 7214696 A JP7214696 A JP 7214696A JP 21469695 A JP21469695 A JP 21469695A JP H0959636 A JPH0959636 A JP H0959636A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 アクティブマトリックス型または単純マトリ
ックス型の液晶表示素子に好適に使用される液晶組成物
を提供する。
【解決手段】 下記一般式(1) で表される反強誘電性液
晶に下記化学式(2)のフェリ誘電性液晶および下記一般
式(3) で表される光学活性化合物を混合してなる液晶組
成物。
【化1】
(式中 R, R'は直鎖アルキル基、mは5以上の整数、n
は1以上の整数、X, Y,Z はフッ素原子または水素原
子、p は 4以上の整数、C*は不斉炭素である。)(57) Abstract: A liquid crystal composition suitable for use in an active matrix type or a simple matrix type liquid crystal display device is provided. A liquid crystal obtained by mixing an antiferroelectric liquid crystal represented by the following general formula (1) with a ferrielectric liquid crystal represented by the following chemical formula (2) and an optically active compound represented by the following general formula (3). Composition. Embedded image (In the formula, R and R ′ are linear alkyl groups, m is an integer of 5 or more, and n is
Is an integer of 1 or more, X, Y, Z are fluorine atoms or hydrogen atoms, p is an integer of 4 or more, and C * is an asymmetric carbon. )
Description
【0001】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は各画素毎に駆動する
アクティブマトリクス型の液晶表示素子或いは単純マト
リックス型の液晶表示素子に好適に使用される液晶組成
物並びに該組成物を用いた液晶表示素子に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a liquid crystal composition suitable for use in an active matrix type liquid crystal display element or a simple matrix type liquid crystal display element driven for each pixel, and a liquid crystal display element using the composition. Regarding
【0002】[0002]
【従来の技術】液晶表示素子(LCD) は、従来のブラウン
管ディスプレイに代わるフラットパネルディスプレイと
して、既にポータブル機器を中心に普及しつつある。最
近のパーソナルコンピュータやワードプロセッサの機能
拡大、および処理情報の大量化にともない、LCD にもよ
り高い機能、即ち大表示容量化、フルカラー表示、広視
野角、高速応答、高コントラスト化等が要求されてい
る。2. Description of the Related Art Liquid crystal display devices (LCDs) are already becoming popular mainly in portable devices as flat panel displays replacing conventional CRT displays. Along with the recent expansion of functions of personal computers and word processors and the increase in processing information, LCDs are required to have higher functions, that is, a large display capacity, full-color display, wide viewing angle, high-speed response, and high contrast. There is.
【0003】この様な要求に応える液晶表示方式(液晶
駆動方式)として、画面の各画素毎に薄膜トランジスタ
(TFT) あるいはダイオード(MIM) を形成し、各画素毎に
独立して液晶を駆動する方式であるアクディブマトリク
ス(AM)表示素子と単純マトリックス駆動方式による STN
表示素子が実施されている。AM表示方式は、製造歩留
りが低いため低コスト化が困難である、大画面化が困難
であるなどの問題はあるものの表示品質の高さにより従
来主流であったSTN表示方式を凌駕し、CRTに迫る
勢いとなっている。As a liquid crystal display system (liquid crystal driving system) that meets such demands, a thin film transistor is provided for each pixel of a screen.
(TFT) or diode (MIM) is formed, and the active matrix (AM) display element, which is the method to drive the liquid crystal independently for each pixel, and the STN using the simple matrix drive method.
A display element is implemented. Although the AM display method has problems such as difficulty in cost reduction due to low manufacturing yield and difficulty in increasing screen size, the high display quality surpasses the STN display method, which has been the mainstream in the past, and the CRT. The momentum is approaching.
【0004】従来、AM表示素子には液晶材料としてT
N(ツイステッドネマチック)液晶が用いているため、
次のような問題が生じている。 (1) TN液晶はネマチック液晶であり、応答速度が一般的
に遅く(数十ms)、動画表示を行うとき良好な画質が
得られない。 (2) 液晶分子のねじれ状態(ツイスト配向)を利用して
表示するため、視野角が狭い。特に階調表示を行うと、
視野角が急激に狭くなる。すなわち、ディスプレイを見
る角度によって、コントラスト比、色などが変わってし
まう。また、単純マトリックス駆動による液晶表示素子
は、AM駆動素子に比べ、低コストで生産が可能である
が、上記(1) 、(2) の問題に加えて大容量駆動、動画表
示が困難であるなどの問題がある。Conventionally, T was used as a liquid crystal material for AM display elements.
Since N (Twisted Nematic) liquid crystal is used,
The following problems have occurred. (1) TN liquid crystal is a nematic liquid crystal, and its response speed is generally slow (several tens of ms), and good image quality cannot be obtained when displaying moving images. (2) The display angle is narrow because display is performed by using the twisted state (twist alignment) of liquid crystal molecules. Especially when performing gradation display,
The viewing angle sharply narrows. That is, the contrast ratio, color, and the like change depending on the viewing angle of the display. Further, a liquid crystal display device driven by a simple matrix can be produced at a lower cost than an AM drive device, but in addition to the problems (1) and (2) above, it is difficult to drive a large capacity and display a moving image. There are problems such as.
【0005】これらの問題を解決するため、TN液晶に
代えて、強誘電性液晶や反強誘電性液晶を採用したAM
パネルの提案も近年行われている(特開平5-249502、特
開平5-150257、特開平6-95080 等)が、これらの液晶に
も下記(3),(4) のような問題点があり実用化の壁は厚い
のが現状である。 (3) 強誘電性液晶は自発分極を有しているが、自発分極
が常に存在するため画面の焼き付きが起こりやすく駆動
が困難となる。また、強誘電性液晶は原理的に黒、白の
2値表示しかできないため、階調表示は極めて困難であ
る。階調表示を行うとするときには特別な工夫が必要で
あり (例えば、単安定を使用した強誘電性液晶素子; Ke
iichi Nito et al., SID'94, Preprint p48)、高度な実
用化技術の開発が必要とされる。In order to solve these problems, an AM using a ferroelectric liquid crystal or an antiferroelectric liquid crystal instead of a TN liquid crystal has been proposed.
Panel proposals have been made in recent years (JP-A-5-249502, JP-A-5-150257, JP-A-6-95080, etc.), but these liquid crystals also have the following problems (3) and (4). There is currently a large barrier to practical use. (3) Ferroelectric liquid crystal has spontaneous polarization, but since spontaneous polarization is always present, image sticking easily occurs and driving is difficult. Further, since the ferroelectric liquid crystal can only display black and white in binary, in principle, gradation display is extremely difficult. Special attention is required when performing gradation display (for example, a ferroelectric liquid crystal device using monostable; Ke
iichi Nito et al., SID'94, Preprint p48), development of advanced practical technology is required.
【0006】(4) 反強誘電性液晶は、永久自発分極が存
在しないため上記(3) で述べられている焼き付の問題は
回避されている。AM駆動においては、少なくとも10V
以下で駆動する液晶材料が必要であるが、反強誘電性液
晶は一般にしきい値電圧が高く、低電圧駆動は困難であ
る。また、光学応答に履歴(ヒステリシス)があるため
階調表示が困難であるなどの問題を有している。また、
単純マトリックス駆動による液晶表示素子においても、
反強誘電性液晶の高いしきい値電圧 (大きい駆動電圧を
意味する) は、駆動用ICへの負荷を大きくするためし
きい値電圧の低下が望まれていた。(4) Since the antiferroelectric liquid crystal has no permanent spontaneous polarization, the problem of image sticking described in (3) above is avoided. At least 10V for AM drive
Although a liquid crystal material to be driven below is required, an antiferroelectric liquid crystal generally has a high threshold voltage and is difficult to drive at a low voltage. In addition, there is a problem that gradation display is difficult due to a history (hysteresis) in optical response. Also,
Even in a liquid crystal display device driven by a simple matrix,
The high threshold voltage of the antiferroelectric liquid crystal (meaning a large driving voltage) increases the load on the driving IC, and it has been desired to lower the threshold voltage.
【0007】[0007]
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、以上
のような問題点を解決できるAM駆動、単純マトリック
ス駆動に適したしきい値電圧の極めて低い新しい材料を
提供することにある。AM駆動に適した新しい材料とし
てフェリ誘電相を有する液晶が考えられる。フェリ誘電
相(=SCγ* 相)を有するフェリ誘電性液晶は、1989年、
4-(4−オクチルオキシフェニル)安息香酸-4-(1-メチル
ヘプチロキシカルボニル)フェニル(略称 MHPOBC)にお
いて初めて発見された(Japanese Journal of AppliedPh
ysics, Vol.29, No.1, 1990, pp.L131-137)。SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide a new material having an extremely low threshold voltage suitable for AM driving and simple matrix driving which can solve the above problems. A liquid crystal having a ferrielectric phase can be considered as a new material suitable for AM driving. The ferrielectric liquid crystal having the ferrielectric phase (= SCγ * phase) was introduced in 1989,
It was first discovered in 4- (1-methylheptyloxycarbonyl) phenyl 4- (4-octyloxyphenyl) benzoate (abbreviated as MHPOBC) (Japanese Journal of Applied Ph
ysics, Vol.29, No.1, 1990, pp.L131-137).
【0008】MHPOBCの構造式とその相系列は下記のとお
りである。 MHPOBC式:C8H17O-Ph-Ph-COO-Ph-COO-C*H(CH3)C6H13 (式中のPhは1,4-フェニレン基、C*は不斉炭素、アルキ
ル基は直鎖アルキル基) 相系列 :I(147)SA(122) SCα*(121)SC*(119)SCγ*(11
8)SCA*(65)SIA*(30)Cr (但し、SAはスメクチックA相、SCα* はカイラルスメ
クチックCα相、SC* はカイラルスメクチックC相(強
誘電相)、SCγ* はフェリ誘電相(カイラルスメクチッ
クCγ相)、SCA*はカイラルスメクチックCA相(反強誘
電相)、SIA*はカイラルスメクチックIA相、Crは結晶
相、括弧内は相転移温度 (℃) を示す。)The structural formula of MHPOBC and its phase sequence are as follows. MHPOBC formula: C 8 H 17 O-Ph-Ph-COO-Ph-COO-C * H (CH 3 ) C 6 H 13 (Ph in the formula is a 1,4-phenylene group, C * is an asymmetric carbon, (Alkyl groups are straight-chain alkyl groups) Phase series: I (147) SA (122) SCα * (121) SC * (119) SCγ * (11
8) SCA * (65) SIA * (30) Cr (where SA is the smectic A phase, SCα * is the chiral smectic Cα phase, SC * is the chiral smectic C phase (ferroelectric phase), and SCγ * is the ferrielectric phase ( (Chiral smectic Cγ phase), SCA * is chiral smectic CA phase (antiferroelectric phase), SIA * is chiral smectic IA phase, Cr is crystalline phase, and phase transition temperature (° C) is shown in parentheses.)
【0009】フェリ誘電性液晶を説明するために図1に
フェリ誘電相における分子配列状態を、図2にフェリ誘
電相の三角波に対する光学応答を示した。なお、図2に
おいては、フェリ誘電状態から強誘電状態へ変化する電
圧と、強誘電状態からフェリ誘電状態へ変化する電圧と
の間に差が認められるが、配向条件(配向膜の種類、厚
さ、絶縁膜の種類、厚さなど)を最適化することによっ
てその差を無くすことができる。フェリ誘電相では図1
の FI(+) (印加電圧が正の場合) あるいは FI(-) (印加
電圧が負の場合) の分子配列をしている。電場のない状
態では、 FI(+)と FI(-)とは等価であるので、共存して
いる。従って、平均的な光軸は層法線方向となり、図1
に示した偏光板の条件下では暗状態となる。この状態は
図2において電圧0で透過光強度が0のところに相当す
る。In order to explain the ferrielectric liquid crystal, FIG. 1 shows the state of molecular alignment in the ferrielectric phase, and FIG. 2 shows the optical response to the triangular wave of the ferrielectric phase. In FIG. 2, although a difference is recognized between the voltage changing from the ferrielectric state to the ferroelectric state and the voltage changing from the ferroelectric state to the ferrielectric state, the alignment condition (type of alignment film, thickness Now, the difference can be eliminated by optimizing the type and thickness of the insulating film. Figure 1 for ferrielectric phase
FI (+) (when the applied voltage is positive) or FI (-) (when the applied voltage is negative) are arranged in the molecular array. In the absence of an electric field, FI (+) and FI (-) are equivalent and therefore coexist. Therefore, the average optical axis is in the layer normal direction, and
It becomes a dark state under the conditions of the polarizing plate shown in. This state corresponds to the state where the transmitted light intensity is 0 when the voltage is 0 in FIG.
【0010】また、 FI(+)及びFI(-) は、分子配列状態
から明らかなようにそれぞれ自発分極を有するが、これ
らの共存状態では自発分極を打ち消し合うため、平均的
な自発分極は零となる。このことから、フェリ誘電性液
晶は、反強誘電性液晶と同様に強誘電性液晶に見られる
焼き付き現象から逃れられる。Further, FI (+) and FI (-) each have spontaneous polarization, as is clear from the molecular arrangement state, but in these coexisting states, the spontaneous polarizations cancel each other out, so the average spontaneous polarization is zero. Becomes For this reason, the ferrielectric liquid crystal escapes the image sticking phenomenon observed in the ferroelectric liquid crystal, like the antiferroelectric liquid crystal.
【0011】フェリ誘電相に電場を印加すると、電場の
向きに応じ安定な状態である強誘電相 FO(+)又はFO(-)
に相転移する。すなわち、図2において透過光強度が0
から飽和状態(左右の平坦部)となったものが FO(+)又
はFO(-) である。この強誘電状態 FO(+)又はFO(-) で
は、フェリ誘電状態 FI(+)又はFI(-) より更に大きな自
発分極が発現することが図1より分かる。応答速度は自
発分極が大きいほど速くなるが、このことより高速応答
性が発現する。図1に示した偏光板の条件下では、両強
誘電状態は明状態となる。以上のように、フェリ誘電相
では、 FI(+)とFI(-) の共存状態を暗、強誘電状態 FO
(+)及びFO(-) を明として使用できる。When an electric field is applied to the ferrielectric phase, the ferroelectric phase FO (+) or FO (-) is in a stable state depending on the direction of the electric field.
Phase transition to. That is, in FIG. 2, the transmitted light intensity is 0.
FO (+) or FO (-) is a saturated state (flat part on the left and right). It can be seen from FIG. 1 that in this ferroelectric state FO (+) or FO (-), a larger spontaneous polarization is developed than in the ferrielectric state FI (+) or FI (-). The larger the spontaneous polarization is, the faster the response speed becomes, but the faster response is exhibited. Under the conditions of the polarizing plate shown in FIG. 1, both ferroelectric states are bright. As described above, in the ferrielectric phase, the coexistence state of FI (+) and FI (-) is dark, and the ferroelectric state FO
(+) And FO (-) can be used as light.
【0012】従来の強誘電性液晶は FO(+)、FO(-) 間の
スイッチングであったのに対し、フェリ誘電性液晶では
FI(+)、FO(+) 、FO(-) 及び FI(-)の4状態間でスイッ
チングをするという大きな特徴を有している。しかしな
がら、その表示原理はいずれも液晶の複屈折性を利用し
たものであり、視角依存性の小さな表示素子の作製が可
能である。In the conventional ferroelectric liquid crystal, switching was performed between FO (+) and FO (-), whereas in the ferrielectric liquid crystal,
It has a major feature of switching between four states of FI (+), FO (+), FO (-) and FI (-). However, all of the display principles utilize the birefringence of liquid crystal, and it is possible to manufacture a display element having a small viewing angle dependency.
【0013】フェリ誘電性液晶は図2に示されているよ
うに、一般的にフェリ誘電状態から強誘電状態へ変化す
る電圧と、強誘電状態からフェリ誘電状態へ変化する電
圧の差が小さい、すなわち、ヒステリシスの幅が狭い傾
向が強くAM駆動及びAM駆動における階調表示に適し
た性質を持っている。また、フェリ誘電性液晶の電圧に
よる変化に於て、フェリ誘電状態から強誘電状態へ変化
する電圧であるしきい値電圧は、反強誘電性液晶に比べ
て小さい傾向を有し、この点からもフェリ誘電性液晶は
AM駆動に適しているといえる。しかしながら、現在ま
で合成されたフェリ誘電性液晶の数はきわめて少なく、
更に従来知られていたフェリ誘電性液晶はAM駆動素子
への応用を考えたとき、ヒステリシス、しきい値電圧の
面で満足すべきものは見いだされていない。As shown in FIG. 2, the ferrielectric liquid crystal generally has a small difference between the voltage changing from the ferrielectric state to the ferroelectric state and the voltage changing from the ferroelectric state to the ferrielectric state. That is, the hysteresis width tends to be narrow, and the characteristics are suitable for AM driving and gradation display in AM driving. In addition, the threshold voltage, which is the voltage at which the ferrielectric liquid crystal changes from the ferrielectric state to the ferroelectric state, tends to be smaller than that of the antiferroelectric liquid crystal. It can be said that the ferrielectric liquid crystal is suitable for AM driving. However, the number of ferrielectric liquid crystals synthesized to date is extremely small,
Further, the conventionally known ferrielectric liquid crystal has not been found to be satisfactory in terms of hysteresis and threshold voltage when the application to an AM driving element is considered.
【0014】また、単純マトリックス駆動用の材料にお
いても、しきい値電圧が低く十分な応答速度を有する液
晶材料の開発は、駆動用ICの面から必須の項目であ
る。反強誘電性液晶のしきい値電圧を低下させる方法と
して、本発明者らが既に特開平6-184536号において反強
誘電性液晶にフェリ誘電性液晶を混合することによっ
て、低しきい値電圧である反強誘電性液晶組成物が得ら
れることを明らかにしている。しかしながらこの手法
は、応答速度の面からみたときに必ずしも満足する結果
とはなっていない。Also in the case of a simple matrix driving material, development of a liquid crystal material having a low threshold voltage and a sufficient response speed is an essential item from the viewpoint of a driving IC. As a method of lowering the threshold voltage of the antiferroelectric liquid crystal, the present inventors have already mixed the ferridielectric liquid crystal with the antiferroelectric liquid crystal in JP-A-6-184536, and thus the low threshold voltage It has been clarified that an antiferroelectric liquid crystal composition that is is obtained. However, this method is not always satisfactory in terms of response speed.
【0015】応答速度の高速応答性は次のような点で重
要である。図3に示したように、反強誘電性液晶の場合
電圧に対して明確な光学的な履歴があり、そして反強誘
電状態から強誘電状態、強誘電状態から反強誘電状態へ
の二つのスイッチングが存在する。この電圧による二つ
のスイッチング速度、即ち応答速度は素子の表示品質を
決定する1つの大きな因子である。The fast response of the response speed is important in the following points. As shown in FIG. 3, in the case of antiferroelectric liquid crystal, there is a clear optical history with respect to the voltage, and there are two states from the antiferroelectric state to the ferroelectric state and from the ferroelectric state to the antiferroelectric state. There is switching. The two switching speeds by the voltage, that is, the response speed, are one of the major factors that determine the display quality of the device.
【0016】例えば、単純マトリックス駆動において
は、線順次走査するので反強誘電から強誘電状態への応
答速度は走査線1ライン当たりの書き込み速度となるの
で1画面を構成する走査線数を決定することになる。即
ち、応答速度が速ければ速いほど走査線数を増やすこと
ができ、高精細な素子を実現できる。また、強誘電から
反強誘電状態への応答速度は素子の駆動法の設計により
必要とされる速度は変わる。一般にこの速度は、駆動方
法を決定した後、最適な値に設定される。AM駆動に於
いても、累積応答ではなく1パルスで書き込みが終了す
ることが要求されるので、フェリ誘電状態から強誘電状
態への応答速度が重要となる。本発明では、このような
ことから反強誘電から強誘電状態、フェリ誘電状態から
強誘電状態への応答速度に注目した。For example, in simple matrix driving, line-sequential scanning is performed, and the response speed from the antiferroelectric to the ferroelectric state is the writing speed per scanning line, so the number of scanning lines forming one screen is determined. It will be. That is, the faster the response speed, the more the number of scanning lines can be increased, and a high-definition element can be realized. In addition, the response speed from the ferroelectric state to the antiferroelectric state changes depending on the design of the driving method of the device. Generally, this speed is set to an optimum value after determining the driving method. In AM driving as well, it is required that writing is completed by one pulse instead of cumulative response, so the response speed from the ferrielectric state to the ferroelectric state is important. In the present invention, therefore, attention has been paid to the response speed from the antiferroelectric state to the ferroelectric state and from the ferrielectric state to the ferroelectric state.
【0017】以上、本発明は、反強誘電性液晶とフェリ
誘電性液晶の混合物にある種の光学活性化合物を添加す
ることによって、ヒステリシス、しきい値電圧、応答速
度の特性に優れAM駆動に好適に使用できる新しいフェ
リ誘電性液晶組成物を提供することにある。また、本発
明は、反強誘電性液晶とフェリ誘電性液晶の混合物にあ
る種の光学活性化合物を添加することによって単純マト
リックス駆動用材料として好適に使用できる、しきい値
電圧が低く高速応答性を示す材料を提供することにあ
る。As described above, the present invention is excellent in hysteresis, threshold voltage and response speed characteristics for AM driving by adding a certain kind of optically active compound to a mixture of antiferroelectric liquid crystal and ferrielectric liquid crystal. It is to provide a new ferrielectric liquid crystal composition that can be suitably used. Further, the present invention can be suitably used as a material for driving a simple matrix by adding a kind of an optically active compound to a mixture of an antiferroelectric liquid crystal and a ferrielectric liquid crystal, which has a low threshold voltage and a high speed response. To provide a material showing.
【0018】[0018]
【課題を解決するための手段】すなわち、本発明は、下
記一般式(1) で表される反強誘電性液晶、下記化学式
(2) で表されるフェリ誘電性液晶および下記一般式(3)
で表される光学活性化合物を混合してなる液晶組成物で
ある。Means for Solving the Problems That is, the present invention provides an antiferroelectric liquid crystal represented by the following general formula (1)
Ferrielectric liquid crystal represented by (2) and the following general formula (3)
A liquid crystal composition obtained by mixing an optically active compound represented by:
【0019】[0019]
【化2】 (式中 R, R'は直鎖アルキル基、mは5以上の整数、n
は1以上の整数、X, Y,Z はフッ素原子または水素原
子、pは4以上の整数、C*は不斉炭素である)。Embedded image (In the formula, R and R ′ are linear alkyl groups, m is an integer of 5 or more, and n is
Is an integer of 1 or more, X, Y, Z are fluorine atoms or hydrogen atoms, p is an integer of 4 or more, and C * is an asymmetric carbon).
【0020】本発明においては、上記一般式(1) のRの
炭素数が 6〜10である反強誘電性液晶が好適に使用され
る(実施例1〜8,9〜14)。また、一般式(1) のmは
5〜6 の範囲、nは 2〜3 の範囲が好ましく、特にm=
5、n=2の反強誘電性液晶が特に好適である。上記一
般式(3) のR'の炭素数が 8〜12である光学活性化合物が
好ましい(実施例1〜8,9〜14)。また、一般式(3)
のpが4〜10の偶数である光学活性化合物が好ましい
(実施例1〜8,9〜14)。In the present invention, an antiferroelectric liquid crystal in which R in the general formula (1) has 6 to 10 carbon atoms is preferably used (Examples 1 to 8, 9 to 14). Also, m in the general formula (1) is
The range of 5 to 6 and the range of n are preferably 2 to 3, particularly m =
5, an antiferroelectric liquid crystal with n = 2 is particularly suitable. An optically active compound in which R'in the general formula (3) has 8 to 12 carbon atoms is preferable (Examples 1 to 8 and 9 to 14). Also, the general formula (3)
The optically active compounds in which p is an even number of 4 to 10 are preferable (Examples 1 to 8 and 9 to 14).
【0021】本発明の液晶組成物においては、実用的に
要求される温度範囲にフェリ誘電相を有するもの、又
は、反強誘電相を有するものとしてその組成成分比を調
製することにより調製できる。この組成としては、一般
式(1) で表される反強誘電性液晶 20〜70モル%、化学
式(2) で表されるフェリ誘電性液晶 5〜50モル%、一般
式(3) で表される光学活性化合物 10〜40モル%の範囲
から選択するのが好ましい。The liquid crystal composition of the present invention can be prepared by adjusting the composition ratio so that it has a ferrielectric phase or an antiferroelectric phase in the temperature range practically required. The composition is 20 to 70 mol% of antiferroelectric liquid crystal represented by general formula (1), 5 to 50 mol% of ferrielectric liquid crystal represented by chemical formula (2), and represented by general formula (3). The optically active compound is preferably selected from the range of 10 to 40 mol%.
【0022】AM駆動用材料としてはフェリ誘電相を有
していることが好ましく、単純マトリックス駆動用材料
の場合は、反強誘電相を持つことが好ましい(実施例1
〜9及び実施例10〜14)。本発明に於ける該液晶組成物
は、配向膜、絶縁膜を付けた2枚の電極基板に挟持して
使用されるが、その際挟持された状態での液晶分子の配
向性が表示品質を決める1つの要素となるため配向性の
良否は極めて重要である。そのため該液晶組成物は反強
誘電相或いはフェリ誘電相の高温側にカイラルスメクチ
ックC相、またはスメクチックA相を有することが好ま
しく、より好ましくはスメクチックA相を有することで
ある(全実施例)。The AM driving material preferably has a ferrielectric phase, and the simple matrix driving material preferably has an antiferroelectric phase (Example 1).
~ 9 and Examples 10-14). The liquid crystal composition according to the present invention is used by sandwiching it between two electrode substrates provided with an alignment film and an insulating film. At that time, the alignment of the liquid crystal molecules in the sandwiched condition gives a display quality. The quality of the orientation is extremely important because it becomes one factor for determining. Therefore, the liquid crystal composition preferably has a chiral smectic C phase or a smectic A phase on the high temperature side of an antiferroelectric phase or a ferrielectric phase, more preferably a smectic A phase (all examples).
【0023】AM駆動用材料としてはフェリ誘電相を有
していることが好ましく、フェリ誘電相を少なくとも温
度 0〜40℃の範囲、特にフェリ誘電相を少なくとも温度
−20℃〜+50℃の範囲に有する液晶組成物が好ましい。
また、該フェリ誘電相のフェリ誘電状態から強誘電状態
へ転移するときのしきい値電圧が 5V/μm以下、特に 2
V/μm以下が好ましい。そして、このフェリ誘電相を有
する液晶組成物を、各画素毎に薄膜トランジスタあるい
はダイオード等の非線形能動素子を設置した基板間に狭
持したアクティブマトリクス液晶表示素子が好適に製造
できるものであり、該非線形能動素子による液晶の電圧
による駆動を、2つのフェリ誘電状態と2つの強誘電状
態、及びその中間状態へのスイッチングにて行うことか
らなるアクティブマトリクス液晶表示素子とされる。The AM driving material preferably has a ferri-dielectric phase, and the ferri-dielectric phase is at least in a temperature range of 0 to 40 ° C., and particularly the ferri-dielectric phase is at least in a temperature range of −20 to + 50 ° C. The liquid crystal composition having is preferable.
Further, the threshold voltage when the ferrielectric phase transitions from the ferrielectric state to the ferroelectric state is 5 V / μm or less, especially 2
V / μm or less is preferable. An active matrix liquid crystal display device in which the liquid crystal composition having the ferri-dielectric phase is sandwiched between substrates provided with a non-linear active device such as a thin film transistor or a diode for each pixel can be suitably manufactured. The active matrix liquid crystal display element is configured by driving the liquid crystal by the voltage of the active element by switching to two ferrielectric states, two ferroelectric states, and an intermediate state thereof.
【0024】一方、単純マトリックス駆動用材料の場合
は、反強誘電相を持つことが好ましく(実施例10〜1
4)、反強誘電相を少なくとも温度 0〜40℃の範囲、特
に反強誘電相を少なくとも温度−20℃〜+50℃の範囲に
有する液晶組成物が好ましい。また、該反強誘電相の反
強誘電状態から強誘電状態へ転移するときのしきい値電
圧が 10V/μm以下、特に 5V/μm以下が好ましい。そ
して、この反強誘電相を有する液晶組成物を、走査電極
と信号電極をマトリックス上に配置した基板間に狭持し
た単純マトリックス液晶表示素子が好適に製造できるも
のであり、該単純マトリックス液晶素子による電圧によ
る駆動を、1つの反強誘電状態と2つの強誘電状態の間
でスイッチグすることからなる単純マトリックス液晶表
示素子とされる。On the other hand, a simple matrix driving material preferably has an antiferroelectric phase (Examples 10 to 1).
4) A liquid crystal composition having an antiferroelectric phase at least in the temperature range of 0 to 40 ° C., particularly preferably having an antiferroelectric phase in the temperature range of −20 ° C. to + 50 ° C. is preferred. The threshold voltage when the antiferroelectric phase transitions from the antiferroelectric state to the ferroelectric state is preferably 10 V / μm or less, and particularly preferably 5 V / μm or less. A simple matrix liquid crystal display device in which the liquid crystal composition having the antiferroelectric phase is sandwiched between substrates on which scanning electrodes and signal electrodes are arranged on a matrix can be suitably manufactured. Is a simple matrix liquid crystal display device which is configured to switch driving by a voltage between 1 and 2 antiferroelectric states.
【0025】本発明の反強誘電性液晶は、本発明者らが
既に明らかにした方法(特開平3-198155号)によって容
易に製造できる。その製造法の概略は次の通りである。 (イ) AcO-Ph(3X)-COOH + SOCl2 → AcO-Ph(3X)-COCl (ロ) (イ) + HOC*H(CF3)(CH2)mOCnH2n+1 → AcO-Ph(3X)-COOC*H(CF3)(CH2)mOCnH2n+1 (ハ) (ロ) + Ph-CH2NH2 → HO-Ph(3X)-COOC*H(CF3)(CH2)mOCnH2n+1 (ニ) R-O-Ph-Ph-COOH + SOCl2 → R-O-Ph-Ph-COCl (ホ) (ロ) + (ニ) → 目的液晶化合物 上記の式において、Phは1,4-フェニレン基、Ph(3X)は3-
位に適宜F置換した1,4-フェニレン基、C*は不斉炭素を
示す。The antiferroelectric liquid crystal of the present invention can be easily produced by the method already disclosed by the present inventors (JP-A-3-198155). The outline of the manufacturing method is as follows. (B) AcO-Ph (3X) -COOH + SOCl 2 → AcO-Ph (3X) -COCl (b) (b) + HOC * H (CF 3 ) (CH 2 ) m OC n H 2n + 1 → AcO -Ph (3X) -COOC * H (CF 3 ) (CH 2 ) m OC n H 2n + 1 (ha) (b) + Ph-CH 2 NH 2 → HO-Ph (3X) -COOC * H (CF 3 ) (CH 2 ) m OC n H 2n + 1 (d) RO-Ph-Ph-COOH + SOCl 2 → RO-Ph-Ph-COCl (e) (b) + (d) → target liquid crystal compound In the formula, Ph is 1,4-phenylene group, Ph (3X) is 3-
1,4-phenylene group optionally substituted with F at position, C * represents an asymmetric carbon.
【0026】上記製造法を簡単に説明すると次の通りで
ある。(イ) はp-アセトキシ安息香酸の塩化チオニルによ
る塩素化反応である。(ロ) は塩化物(イ) と光学活性アル
コールとの反応によるエステルの生成である。(ハ) はエ
ステル(ロ) の脱アセチル化である。(ニ) は 4'-アルキル
オキシビフェニル−4-カルボン酸の塩素化である。(ホ)
は (ハ)と(ニ) との反応による目的液晶化合物の生成反応
である。The above manufacturing method will be briefly described as follows. (A) shows the chlorination reaction of p-acetoxybenzoic acid with thionyl chloride. (B) shows the formation of an ester by the reaction between the chloride (a) and the optically active alcohol. (C) shows the deacetylation of the ester (b). (D) Chlorination of 4'-alkyloxybiphenyl-4-carboxylic acid. (E)
Is a reaction for forming a target liquid crystal compound by the reaction of (C) and (D).
【0027】本発明のフェリ誘電性液晶は、本発明者ら
が既に明らかにした方法(特開平3-292388号)によって
容易に製造できる。その製造法の概略は次の通りであ
る。 (1) AcO-Ph-Ph-COOH + SOCl2 → AcO-Ph-Ph-COCl (2) (1) + CF3C*H(OH)(CH2)5OC2H5 → AcO-Ph-Ph-COO-C*H(CF3)(CH2)5OC2H5 (3) (2) + Ph-CH2NH2 → HO-Ph-Ph-COO-C*H(CF3)(CH2)5OC2H5 (4) R-O-Ph-COOH + LiAlH4 → R-O-Ph-CH20H (5) (3) + (4) + (トリフェニルホスフィン/シ゛エチルアソ゛シ゛カルホ゛ン 酸) → 目的液晶化合物 上記の式において、Phは1,4-フェニレン基、C*は不斉炭
素を示す。The ferrielectric liquid crystal of the present invention can be easily manufactured by the method already disclosed by the present inventors (JP-A-3-292388). The outline of the manufacturing method is as follows. (1) AcO-Ph-Ph-COOH + SOCl 2 → AcO-Ph-Ph-COCl (2) (1) + CF 3 C * H (OH) (CH 2 ) 5 OC 2 H 5 → AcO-Ph- Ph-COO-C * H (CF 3 ) (CH 2 ) 5 OC 2 H 5 (3) (2) + Ph-CH 2 NH 2 → HO-Ph-Ph-COO-C * H (CF 3 ) ( CH 2 ) 5 OC 2 H 5 (4) RO-Ph-COOH + LiAlH 4 → RO-Ph-CH 2 0H (5) (3) + (4) + (triphenylphosphine / diethylazykarbonic acid) → purpose Liquid Crystal Compound In the above formula, Ph represents a 1,4-phenylene group and C * represents an asymmetric carbon.
【0028】上記製造法を簡単に説明すると次の通りで
ある。(1) は 4'-アルキルオキシビフェニル−4-カルボ
ン酸の塩素化である。(2) は塩化物(1) と光学活性アル
コールとの反応によるエステルの生成である。(3) はエ
ステル<2>の脱アセチル化である。(4) はp-アセトキ
シ安息香酸のカルボキシル基の還元である。(5) は (3)
と(4) との反応による目的液晶化合物の生成反応であ
る。The above manufacturing method will be briefly described as follows. (1) is chlorination of 4'-alkyloxybiphenyl-4-carboxylic acid. (2) is the formation of an ester by the reaction of chloride (1) with an optically active alcohol. (3) is deacetylation of ester <2>. (4) is the reduction of the carboxyl group of p-acetoxybenzoic acid. (5) is (3)
This is a reaction for forming the target liquid crystal compound by the reaction between (4) and (4).
【0029】また、本発明の光学活性化合物は本発明者
らが既に明らかにした方法(特願平7-13856 号)によっ
て容易に製造できる。その製造法の概略は次の通りであ
る。 (a) HO-Ph(2Y)-COOH + RCOCl → RCOO-Ph(2Y)-COOH (b) (a) + SOCl2 → RCOO-Ph(2Y)-COCl (c) AcO-Ph(3Z)-COOH + SOCl2 → AcO-Ph(3Z)-COCl (d) (c) + R*OH → AcO-Ph(3Z)-COOR* (e) (d) + Ph-CH2NH2 → HO-Ph(3Z)-COOR* (f) (b) + (e) → 目的光学活性化合物 上記の式において、Phは1,4-フェニレン基、Ph(2Y)、Ph
(3Z)は2-位か3-位に適宜F置換した1,4-フェニレン基、
R*OHは光学活性アルコールを示す。The optically active compound of the present invention can be easily produced by the method already disclosed by the present inventors (Japanese Patent Application No. 7-13856). The outline of the manufacturing method is as follows. (a) HO-Ph (2Y) -COOH + RCOCl → RCOO-Ph (2Y) -COOH (b) (a) + SOCl 2 → RCOO-Ph (2Y) -COCl (c) AcO-Ph (3Z)- COOH + SOCl 2 → AcO-Ph (3Z) -COCl (d) (c) + R * OH → AcO-Ph (3Z) -COOR * (e) (d) + Ph-CH 2 NH 2 → HO-Ph (3Z) -COOR * (f) (b) + (e) → optically active compound of interest In the above formula, Ph is a 1,4-phenylene group, Ph (2Y), Ph
(3Z) is a 1,4-phenylene group appropriately F-substituted at the 2-position or the 3-position,
R * OH indicates an optically active alcohol.
【0030】上記製造法を簡単に説明すると次の通りで
ある。(a) はp-ヒドロキシ安息香酸と酸クロライドとの
反応によるエステルの生成である。(b) は(a) の塩化チ
オニルによる塩素化である。(c) はp-アセトキシ安息香
酸の塩化チオニルによる塩素化である。(d) は (c)と直
鎖アルコールとの反応によるエステル化である。(e) は
(d)のベンジルアミンによる脱アセチル化である。(f)
は (b)と(e) との反応によるエステル化である。The above manufacturing method will be briefly described as follows. (a) is the formation of an ester by the reaction of p-hydroxybenzoic acid with an acid chloride. (b) is the chlorination of (a) with thionyl chloride. (c) is chlorination of p-acetoxybenzoic acid with thionyl chloride. (d) is esterification by the reaction of (c) with a linear alcohol. (e) is
Deacetylation of (d) with benzylamine. (f)
Is esterification by reaction of (b) and (e).
【0031】[0031]
【実施例】以下の実施例において、本発明を更に詳細に
説明するが、本発明はこれに限定されるものではない。 実施例1 下記化学式(1A)で示される反強誘電性液晶に、上記化学
式(2) のフェリ誘電性液晶および下記化学式(3A)で示さ
れる学活性化合物をそれぞれ45、25、30モル%の割合で
混合して液晶組成物を調製した。 1A : C6H13-O-Ph-Ph-COO-Ph(3F)-COO-C*H(CF3)(CH2)5OC2H5 3A : C9H19-COO-Ph-COO-Ph-COO-C*H(CH3)C6H13 式中の Ph は1,4-フェニレン基、Ph(3F)は3位にフッ素
置換した1,4-フェニレン基、C*は不斉炭素を示す。The present invention will be described in more detail with reference to the following examples, but the present invention is not limited thereto. Example 1 An antiferroelectric liquid crystal represented by the following chemical formula (1A) was added with a ferrielectric liquid crystal represented by the above chemical formula (2) and a pharmaceutically active compound represented by the following chemical formula (3A) in an amount of 45, 25 and 30 mol%, respectively. A liquid crystal composition was prepared by mixing in a ratio. 1A: C 6 H 13 -O-Ph-Ph-COO-Ph (3F) -COO-C * H (CF 3 ) (CH 2 ) 5 OC 2 H 5 3A: C 9 H 19 -COO-Ph-COO -Ph-COO-C * H (CH 3 ) C 6 H 13 In the formula, Ph is a 1,4-phenylene group, Ph (3F) is a 1,4-phenylene group substituted with fluorine at the 3-position, and C * is Indicates asymmetric carbon.
【0032】得られた液晶組成物の相の同定をおこなっ
た結果を表1に示した。表1から明らかなように得られ
た組成物のフェリ誘電相の温度範囲は実用材料として好
ましいものであった。相の同定は、テクスチャー観察、
コノスコープ像の観察、及びDSC(示差走差熱量計)の測
定により行なった。また、得られた液晶組成物の光学応
答を30℃で調べた結果を表2に示した。表2から、この
フェリ誘電相を有する液晶組成物(フェリ誘電性液晶組
成物)は、しきい値電圧が極めて低く、高速応答性を示
すことが理解される。この組成物は、8Vの電圧で駆動
でき、高速応答を示すことからTFT駆動素子に好適に
使用し得る。The results of identifying the phases of the obtained liquid crystal composition are shown in Table 1. As is clear from Table 1, the temperature range of the ferrielectric phase of the composition obtained was preferable as a practical material. Phase identification is by texture observation,
It was performed by observing a conoscopic image and measuring DSC (differential differential scanning calorimeter). Table 2 shows the results of examining the optical response of the obtained liquid crystal composition at 30 ° C. From Table 2, it is understood that the liquid crystal composition having the ferrielectric phase (ferrielectric liquid crystal composition) has an extremely low threshold voltage and exhibits high-speed response. This composition can be driven at a voltage of 8 V and exhibits a high-speed response, and thus can be suitably used for a TFT driving element.
【0033】光学応答の測定は、以下の手順で行った。
ITO 電極、絶縁膜(SiO2,膜厚約 50nm)付きのガラス基板
をポリイミドコ−ティング後(膜厚約 80nm)、一対のガ
ラス基板の片方のみをラビング処理した。粒径1.6μm
のスペ−サ−を介し、一対のガラス基板を貼り合わせテ
ストセルとした。セル厚は 2μmであった。液晶が等方
相となる温度まで加熱し、毛細管現象によりテストセル
中に前記液晶を注入した。その後、1℃/分の速度で徐
冷し液晶を平行配向させ、更に30℃まで冷却した。テス
トセルに±10V,50mHz の三角波電圧を印加し駆動を行
い、透過光変化を調べた。フェリ誘電相から強誘電相へ
相転移することにより透過光強度が90%となる電圧をし
きい値電圧I 、強誘電相からフェリ誘電相へ相転移する
ことによりしきい値電圧が10%に減少するときの電圧を
しきい値電圧IIと定義してしきい値電圧を測定した。図
2に印加電圧に対する光学応答履歴を示した。また、8
V,周波数10Hzのパルス電圧を印加して透過光強度が0
%から90%変化するに要する時間を応答時間と定義して
応答時間を測定した。The optical response was measured by the following procedure.
A glass substrate provided with an ITO electrode and an insulating film (SiO 2 , film thickness of about 50 nm) was subjected to polyimide coating (film thickness of about 80 nm), and then only one of the pair of glass substrates was rubbed. Particle size 1.6μm
A pair of glass substrates were bonded to each other via the spacer to prepare a test cell. The cell thickness was 2 μm. The liquid crystal was heated to a temperature at which the liquid crystal was in an isotropic phase, and the liquid crystal was injected into the test cell by a capillary phenomenon. Thereafter, the liquid crystal was gradually cooled at a rate of 1 ° C./min to align the liquid crystal in parallel, and further cooled to 30 ° C. A triangular wave voltage of ± 10 V and 50 mHz was applied to the test cell to drive it, and the change in transmitted light was examined. The threshold voltage I is the voltage at which the transmitted light intensity reaches 90% due to the phase transition from the ferrielectric phase to the ferroelectric phase, and the threshold voltage is 10% due to the phase transition from the ferroelectric phase to the ferrielectric phase. The threshold voltage was measured by defining the voltage at which it decreased as the threshold voltage II. FIG. 2 shows the optical response history with respect to the applied voltage. Also, 8
When the pulse voltage of V and frequency of 10Hz is applied, the transmitted light intensity becomes 0.
The response time was measured by defining the time required to change from 90% to 90% as the response time.
【0034】実施例2、3 実施例1において、組成比を 1A/2/3A=50/25/25(実施例
2)、30/40/30 (実施例3)の割合で混合して液晶組成
物を調製した。調製した液晶組成物の相系列、しきい値
電圧、応答時間を実施例1と同様に求めた結果をそれぞ
れ表1、表2に示した。得られた組成物のフェリ誘電相
の温度範囲は実用材料として好ましいものであった。ま
た、8Vの電圧で駆動でき高速応答を示すことからTF
T駆動素子に好適に使用し得る。Examples 2 and 3 Liquid crystals were prepared by mixing the composition ratios of 1A / 2 / 3A = 50/25/25 (Example 2) and 30/40/30 (Example 3) in Example 1. A composition was prepared. The phase series, threshold voltage, and response time of the prepared liquid crystal composition were determined in the same manner as in Example 1, and the results are shown in Table 1 and Table 2, respectively. The temperature range of the ferrielectric phase of the obtained composition was preferable as a practical material. In addition, since it can be driven with a voltage of 8 V and exhibits a high-speed response, TF
It can be suitably used for a T drive element.
【0035】[0035]
【表1】 相 系 列 成分 モル% 実施例1 I(72)SA(58)SCγ*(<-20)Cr 1A/2/3A=45/25/30 1A I(105)SA(102)SCA*(8)SX(4)Cr 2 I(71)SCα*(70) SCγ*(50)Cr 3A I(-1)SCA*(-25)Cr 実施例2 I(76)SA(63)SCγ*(<-20)Cr 1A/2/3A=50/25/25 実施例3 I(67)SA(54)SCγ*(<-20)Cr 1A/2/3A=30/40/30 上記相系列において、Iは等方相、SAはスメクチックA
相、SCA*は反強誘電相、SXは未同定の相、SCα* はカイ
ラルスメクチックCα相、SCγ* はフェリ誘電相、Crは
結晶相を示す。[Table 1] Phase Sequence Component Molar% Example 1 I (72) SA (58) SCγ * (<-20) Cr 1A / 2 / 3A = 45/25/30 1A I (105) SA (102) SCA * (8) SX (4) Cr 2 I (71) SCα * (70) SCγ * (50) Cr 3A I (-1) SCA * (-25) Cr Example 2 I (76) SA (63) SCγ * (<-20) Cr 1A / 2 / 3A = 50/25/25 Example 3 I (67) SA (54) SCγ * (<-20) Cr 1A / 2 / 3A = 30/40/30 Above phase In the series, I is isotropic phase, SA is smectic A
Phase, SCA * is an antiferroelectric phase, SX is an unidentified phase, SCα * is a chiral smectic Cα phase, SCγ * is a ferrielectric phase, and Cr is a crystalline phase.
【0036】[0036]
【表2】 しきい値電圧 (V/μm) 応答時間 測定温度 I II (μ秒) (℃) 実施例1 1.6 0.5 41 30 1A 7.7(*1) 3.8(*1) *2 30 2 − − − *3 3A − − − *4 実施例2 1.9 0.6 95 30 実施例3 1.7 0.5 62 30 *1;±35V,1Hzの条件で測定。 *2;しきい値電圧が 7.7V/μmと高いため8Vの印加電圧では応答せず。 *3、*4; 30℃では測定できず。[Table 2] Threshold voltage (V / μm) Response time Measurement temperature I II (μsec) (℃) Example 1 1.6 0.5 41 30 1A 7.7 (* 1) 3.8 (* 1) * 2 30 2 − − − * 3 3A − − − * 4 Example 2 1.9 0.6 95 30 Example 3 1.7 0.5 62 30 * 1; Measured under the condition of ± 35 V, 1 Hz. * 2: Since the threshold voltage is as high as 7.7V / μm, it does not respond with an applied voltage of 8V. * 3, * 4: Cannot be measured at 30 ° C.
【0037】実施例4〜6 下記化学式(1B,1C) で示される反強誘電性液晶に、フェ
リ誘電性液晶(2) および下記化学式(3B,3C) で示される
光学活性化合物をそれぞれ37.5、25、37.5モル%の割合
で混合して液晶組成物を調製した。 1B : C8H17-O-Ph-Ph-COO-Ph(3F)-COO-C*H(CF3)(CH2)5OC2H5 1C : C9H19-O-Ph-Ph-COO-Ph(3F)-COO-C*H(CF3)(CH2)5OC2H5 3B : C9H19-COO-Ph(2F)-COO-Ph-COO-C*H(CH3)C6H13 3C : C9H19-COO-Ph(2F)-COO-Ph-COO-C*H(CH3)C8H17 式中の Ph は1,4-フェニレン基、Ph(2F)は2位にフッ素
置換した1,4-フェニレン基、Ph(3F)は3位にフッ素置換
した1,4-フェニレン基、C*は不斉炭素を示す。Examples 4 to 6 Ferroelectric liquid crystal (2) and an optically active compound represented by the following chemical formula (3B, 3C) were added to the antiferroelectric liquid crystal represented by the following chemical formula (1B, 1C) at 37.5, 25 and 37.5 mol% were mixed to prepare a liquid crystal composition. 1B: C 8 H 17 -O-Ph-Ph-COO-Ph (3F) -COO-C * H (CF 3 ) (CH 2 ) 5 OC 2 H 5 1C: C 9 H 19 -O-Ph-Ph -COO-Ph (3F) -COO-C * H (CF 3 ) (CH 2 ) 5 OC 2 H 5 3B: C 9 H 19 -COO-Ph (2F) -COO-Ph-COO-C * H ( CH 3 ) C 6 H 13 3C: C 9 H 19 -COO-Ph (2F) -COO-Ph-COO-C * H (CH 3 ) C 8 H 17 In the formula, Ph is a 1,4-phenylene group, Ph (2F) is a 1,4-phenylene group substituted with fluorine at the 2-position, Ph (3F) is a 1,4-phenylene group substituted with fluorine at the 3-position, and C * is an asymmetric carbon.
【0038】得られた液晶組成物について、実施例1と
同様に物性等測定した結果をそれぞれ表3、4に示し
た。得られた組成物のフェリ誘電相の温度範囲は実用材
料として好ましいものであり、8Vの電圧で駆動でき高
速応答を示すことからTFT駆動素子に好適に使用し得
る。The results of measuring the physical properties and the like of the obtained liquid crystal composition in the same manner as in Example 1 are shown in Tables 3 and 4, respectively. The temperature range of the ferrielectric phase of the obtained composition is preferable as a practical material, and it can be driven at a voltage of 8 V and exhibits a high-speed response, and thus can be suitably used for a TFT driving element.
【0039】[0039]
【表3】 相 系 列 成分 モル% 実施例4 I(58)SA(43)SCγ*(<-20)Cr 1B/2/3B=37.5/25/37.5 実施例5 I(56)SA(43)SCγ*(<-20)Cr 1C/2/3B=37.5/25/37.5 実施例6 I(55)SA(42)SCγ*(<-20)Cr 1C/2/3C=37.5/25/37.5 1B I(90)SCA*(<-20)Cr 1C I(83)SC*(77)SCA*(<-50)Cr 3B I(5) SA (-29)Cr 3C I(19)SA(<-6)Cr [Table 3] Phase Sequence Component Molar% Example 4 I (58) SA (43) SCγ * (<-20) Cr 1B / 2 / 3B = 37.5 / 25 / 37.5 Example 5 I (56) SA (43 ) SCγ * (<-20) Cr 1C / 2 / 3B = 37.5 / 25 / 37.5 Example 6 I (55) SA (42) SCγ * (<-20) Cr 1C / 2 / 3C = 37.5 / 25 / 37.5 1B I (90) SCA * (<-20) Cr 1C I (83) SC * (77) SCA * (<-50) Cr 3B I (5) SA (-29) Cr 3C I (19) SA (< -6) Cr
【0040】[0040]
【表4】 しきい値電圧 (V/μm) 応答時間 測定温度 I II (μ秒) (℃) 実施例4 1.2 0.5 66 30 実施例5 1.0 0.5 64 30 実施例6 1.0 0.5 65 30 1B 4.2(*1) 2.4(*1) *2 30 1C 4.5(*1) 1.1(*1) *2 30 *1;±35V,1Hzで測定。 *2;しきい値電圧高いため測定できず。[Table 4] Threshold voltage (V / μm) Response time Measurement temperature I II (μsec) (° C) Example 4 1.2 0.5 66 30 Example 5 1.0 0.5 64 30 Example 6 1.0 0.5 65 30 1B 4.2 ( * 1) 2.4 (* 1) * 2 30 1C 4.5 (* 1) 1.1 (* 1) * 2 30 * 1; Measured at ± 35V, 1Hz. * 2: Measurement cannot be performed because the threshold voltage is high.
【0041】実施例7〜9、比較例1 反強誘電性液晶(1C)又は下記化学式(1D)で示される反強
誘電性液晶に、フェリ誘電性液晶(2) および化学式(3A)
又は下記化学式(3D,3E,3F)で示される光学活性化合物を
それぞれ45、25、30モル%の割合で混合して液晶組成物
を調製した。 1D : C8H17-O-Ph-Ph-COO-Ph-COO-C*H(CF3)(CH2)5OC2H5 3D : C9H19-COO-Ph-COO-Ph(3F)-COO-C*H(CH3)C6H13 3E : C10H21-COO-Ph(2F)-COO-Ph(3F)-COO-C*H(CH3)C8H17 3F : C10H21-COO-Ph(3F)-COO-Ph(3F)-COO-C*H(CH3)C8H17 式中の Ph は1,4-フェニレン基、Ph(2F)は2位にフッ素
置換した1,4-フェニレン基、Ph(3F)は3位にフッ素置換
した1,4-フェニレン基、C*は不斉炭素を示す。Examples 7 to 9 and Comparative Example 1 An antiferroelectric liquid crystal (1C) or an antiferroelectric liquid crystal represented by the following chemical formula (1D) is added to a ferrielectric liquid crystal (2) and a chemical formula (3A).
Alternatively, a liquid crystal composition was prepared by mixing optically active compounds represented by the following chemical formulas (3D, 3E, 3F) in the proportions of 45, 25 and 30 mol%, respectively. 1D: C 8 H 17 -O-Ph-Ph-COO-Ph-COO-C * H (CF 3 ) (CH 2 ) 5 OC 2 H 5 3D: C 9 H 19 -COO-Ph-COO-Ph ( 3F) -COO-C * H (CH 3 ) C 6 H 13 3E: C 10 H 21 -COO-Ph (2F) -COO-Ph (3F) -COO-C * H (CH 3 ) C 8 H 17 3F: C 10 H 21 -COO-Ph (3F) -COO-Ph (3F) -COO-C * H (CH 3 ) C 8 H 17 In the formula, Ph is a 1,4-phenylene group, Ph (2F) Is a 1,4-phenylene group substituted with fluorine at the 2-position, Ph (3F) is a 1,4-phenylene group substituted with fluorine at the 3-position, and C * is an asymmetric carbon.
【0042】得られた液晶組成物について、実施例1と
同様に物性等測定した結果をそれぞれ表5、6に示し
た。得られた組成物のうち実施例のものはフェリ誘電相
の温度範囲も実用材料として好ましいものであり、8V
の電圧で駆動でき高速応答を示すことからTFT駆動素
子に好適に使用し得る。しかしながら比較例1の組成物
は、フェリ誘電相の上限温度が39℃と若干低く実用材料
としては問題であった。The results of measuring the physical properties of the obtained liquid crystal composition in the same manner as in Example 1 are shown in Tables 5 and 6, respectively. Among the obtained compositions, the ones of the examples have a temperature range of the ferri-dielectric phase which is preferable as a practical material.
Since it can be driven by the voltage of 3 and shows a high-speed response, it can be suitably used for a TFT driving element. However, the composition of Comparative Example 1 had a problem that the upper limit temperature of the ferrielectric phase was 39 ° C., which was slightly low, and it was a problem as a practical material.
【0043】[0043]
【表5】 相 系 列 成分 モル% 実施例7 I(60)SA(52)SCγ*(<-20)Cr 1C/2/3D=45/25/30 実施例8 I(54)SA(43)SCγ*(<-20)Cr 1C/2/3E=45/25/30 比較例1 I(51)SA(39)SCγ*(<-20)Cr 1C/2/3F=45/25/30 実施例9 I(71)SA(56)SCγ*(<-0)Cr 1D/2/3A=45/25/30 1D I(100)SA(93)SCA*(47)Cr 3D I(27)SA(21)SC*(19)SCA*(-7)SX(-38)Cr 3E I(19)SA(13)SCA*(1)Cr 3F I(1)SA(-7)Cr [Table 5] Phase series Component Molar% Example 7 I (60) SA (52) SCγ * (<-20) Cr 1C / 2 / 3D = 45/25/30 Example 8 I (54) SA (43 ) SCγ * (<-20) Cr 1C / 2 / 3E = 45/25/30 Comparative Example 1 I (51) SA (39) SCγ * (<-20) Cr 1C / 2 / 3F = 45/25/30 Example 9 I (71) SA (56) SCγ * (<-0) Cr 1D / 2 / 3A = 45/25/30 1D I (100) SA (93) SCA * (47) Cr 3D I (27) SA (21) SC * (19) SCA * (-7) SX (-38) Cr 3E I (19) SA (13) SCA * (1) Cr 3F I (1) SA (-7) Cr
【0044】[0044]
【表6】 しきい値電圧 (V/μm) 応答時間 測定温度 I II (μ秒) (℃) 実施例7 1.2 0.4 81 30 実施例8 0.8 0.2 63 30 比較例1 0.9 0.2 71 30 実施例9 1.4 0.3 69 30 [Table 6] Threshold voltage (V / μm) Response time Measurement temperature I II (μsec) (° C) Example 7 1.2 0.4 81 30 Example 8 0.8 0.2 63 30 Comparative example 1 0.9 0.2 71 30 Example 9 1.4 0.3 69 30
【0045】実施例10 反強誘電性液晶(1B)に、フェリ誘電性液晶(2) 、及び下
記化学式(3G)で示される光学活性化合物を60、10、30モ
ル%の割合で混合して液晶組成物を調製した。 3G : C10H21-COO-Ph-COO-Ph-COO-C*H(CH3)C6H13 式中のC*は不斉炭素を示す。得られた液晶組成物の相の
同定を実施例1と同様にした結果を表7に示した。ま
た、下記した手順で光学応答を30℃で調べた結果を表8
に示した。さらに、図3に印加電圧に対する光学応答履
歴を示した。Example 10 An antiferroelectric liquid crystal (1B) was mixed with a ferrielectric liquid crystal (2) and an optically active compound represented by the following chemical formula (3G) at a ratio of 60, 10 and 30 mol%. A liquid crystal composition was prepared. 3G: C 10 H 21 -COO- Ph-COO-Ph-COO-C * H (CH 3) C 6 H 13 in formula C * is an asymmetric carbon. Table 7 shows the results of identifying the phases of the obtained liquid crystal composition in the same manner as in Example 1. In addition, the results obtained by examining the optical response at 30 ° C by the following procedure are shown in Table 8.
It was shown to. Furthermore, FIG. 3 shows the optical response history with respect to the applied voltage.
【0046】セルは以下の手順で作製し、次のような条
件で特性を測定した。ITO 電極を付けたガラス基板に、
配向膜(ポリイミド、膜厚約 30nm)をコーテイングし一
対のガラス基板の片方のみをラビング処理した。粒径
1.6μmのスペ−サ−を介し、一対のガラス基板を貼り
合わせテストセルとした。セル厚は2μmであった。液
晶が等方相となる温度まで加熱し、毛細管現象によりテ
ストセル中に前記液晶を注入した。その後、1℃/分の
速度で徐冷し液晶を平行配向させ、更に30℃まで冷却し
物性を測定した。次に、テストセルに±25V,1 Hzの三
角波電圧を印加し駆動を行い、透過光変化を調べた。反
強誘電相から強誘電相へ相転移することにより透過光強
度が0%から90%となる電圧をしきい値電圧I 、強誘電
相から反強誘電相へ相転移することによりしきい値電圧
が 100%から90%に減少するときの電圧をしきい値電圧
IIと定義してしきい値電圧を測定した。また、35V、周
波数 10Hz のパルス電圧を印加して透過光強度が0%か
ら90%へ変化するに要する時間を応答時間と定義して応
答時間を測定した。The cell was manufactured by the following procedure, and the characteristics were measured under the following conditions. On a glass substrate with ITO electrodes,
An alignment film (polyimide, film thickness: about 30 nm) was coated, and only one of the pair of glass substrates was rubbed. Particle size
A pair of glass substrates were bonded via a 1.6 μm spacer to form a test cell. The cell thickness was 2 μm. The liquid crystal was heated to a temperature at which the liquid crystal was in an isotropic phase, and the liquid crystal was injected into the test cell by a capillary phenomenon. Then, the liquid crystal was aligned in parallel by slow cooling at a rate of 1 ° C./minute, and further cooled to 30 ° C. to measure the physical properties. Next, a ± 25 V, 1 Hz triangular wave voltage was applied to the test cell to drive it, and the change in transmitted light was examined. The threshold voltage I at which the transmitted light intensity changes from 0% to 90% by the phase transition from the antiferroelectric phase to the ferroelectric phase, and the threshold value by the phase transition from the ferroelectric phase to the antiferroelectric phase Threshold voltage when the voltage decreases from 100% to 90%
It was defined as II and the threshold voltage was measured. The response time was measured by defining the time required for the transmitted light intensity to change from 0% to 90% by applying a pulse voltage of 35 V and a frequency of 10 Hz.
【0047】実施例11〜14、比較例2 反強誘電性液晶(1A,1B,1C)又は下記化学式(1F)で示され
る反強誘電性液晶に、フェリ誘電性液晶(2) および光学
活性化合物(3A,3B) 又は下記化学式(3H,3I,3J)で表され
る光学活性化合物を混合して液晶組成物を調整した。そ
れぞれの組成成分、組成比(モル%)は表7に示した。 3H : C10H21-COO-Ph-COO-Ph-COO-C*H(CH3)C4H9 3I : C11H23-COO-Ph(2F)-COO-Ph-COO-C*H(CH3)C6H13 3J : C10H21-COO-Ph-COO-Ph-COO-C*H(CH3)C8H17 1E : C8H17-O-Ph-Ph-COO-Ph(3F)-COO-C*H(CF3)(CH2)7OC2H5 式中の Ph は1,4-フェニレン基、Ph(3F)は3位にフッ素
置換した1,4-フェニレン基、C*は不斉炭素を示す。Examples 11 to 14 and Comparative Example 2 An antiferroelectric liquid crystal (1A, 1B, 1C) or an antiferroelectric liquid crystal represented by the following chemical formula (1F), a ferrielectric liquid crystal (2) and an optically active substance were used. A liquid crystal composition was prepared by mixing the compound (3A, 3B) or an optically active compound represented by the following chemical formula (3H, 3I, 3J). Table 7 shows each composition component and composition ratio (mol%). 3H: C 10 H 21 -COO-Ph-COO-Ph-COO-C * H (CH 3 ) C 4 H 9 3I: C 11 H 23 -COO-Ph (2F) -COO-Ph-COO-C * H (CH 3 ) C 6 H 13 3J: C 10 H 21 -COO-Ph-COO-Ph-COO-C * H (CH 3 ) C 8 H 17 1E: C 8 H 17 -O-Ph-Ph- COO-Ph (3F) -COO-C * H (CF 3 ) (CH 2 ) 7 OC 2 H 5 In the formula, Ph is a 1,4-phenylene group, and Ph (3F) is a fluorine-substituted 1 at the 3-position. 4-phenylene group, C * represents an asymmetric carbon.
【0048】表7から得られた組成物の反強誘電相の温
度範囲は実用材料として好ましいものであった。また、
表8から実施例10〜14の組成物はしきい値電圧が低く、
高速応答性を示す材料であった。これらから、実施例10
〜14の組成物は、単純マトリックス駆動に好適に使用で
きる材料であった。他方、比較例2の組成物は表8か
ら、高速応答性に問題があるものであった。The temperature range of the antiferroelectric phase of the composition obtained from Table 7 was preferable as a practical material. Also,
From Table 8, the compositions of Examples 10-14 have low threshold voltage,
It was a material exhibiting high-speed response. From these, Example 10
The compositions of -14 were materials suitable for use in simple matrix drives. On the other hand, as shown in Table 8, the composition of Comparative Example 2 had a problem in high-speed response.
【0049】[0049]
【表7】 相 系 列 成分 モル% 実施例10 I(68)SA(62)SC*(57)SCA*(<-30)Cr 1B/2/3G=60/10/30 〃 11 I(71)SA(61)SC*(60)SCA*(<-20)Cr 1B/2/3H=55/15/30 〃 12 I(61)SA(53)SC*(47)SCA*(<-20)Cr 1C/2/3I=60/10/30 〃 13 I(64)SA(57)SC*(54)SCA*(<-20)Cr 1B/2/3J=55/15/30 〃 14 I(63)SA(55)SC*(50)SCA*(<-20)Cr 1C/2/3B=60/10/30 比較例2 I(61)SA(50)SCγ*(47)SCA*(<-20)Cr 1E/2/3A=45/25/30 3G I(28)SA(22)SCA*(12)Cr 3H I(30)SA(22)SCγ*(18)SCA*(<-10)Cr 3I I(25)SA(15)SCA*(13)Cr 3J I(21)SA(13)SCA*(12)Cr 1E I(79)SA(78)SCA*(30)SIA*(<-40)Cr [Table 7] Phase Sequence Component Molar% Example 10 I (68) SA (62) SC * (57) SCA * (<-30) Cr 1B / 2 / 3G = 60/10/30 〃 11 I (71 ) SA (61) SC * (60) SCA * (<-20) Cr 1B / 2 / 3H = 55/15/30 〃 12 I (61) SA (53) SC * (47) SCA * (<-20 ) Cr 1C / 2 / 3I = 60/10/30 〃 13 I (64) SA (57) SC * (54) SCA * (<-20) Cr 1B / 2 / 3J = 55/15/30 〃 14 I (63) SA (55) SC * (50) SCA * (<-20) Cr 1C / 2 / 3B = 60/10/30 Comparative Example 2 I (61) SA (50) SCγ * (47) SCA * ( <-20) Cr 1E / 2 / 3A = 45/25/30 3G I (28) SA (22) SCA * (12) Cr 3H I (30) SA (22) SCγ * (18) SCA * (<- 10) Cr 3I I (25) SA (15) SCA * (13) Cr 3J I (21) SA (13) SCA * (12) Cr 1E I (79) SA (78) SCA * (30) SIA * ( <-40) Cr
【0050】[0050]
【表8】 しきい値電圧 (V/μm) 応答時間 測定温度 I II (μ秒) (℃) 実施例10 3.0 0.4 23 30 〃 11 3.5 0.4 23 30 〃 12 3.2 0.4 26 30 〃 13 3.0 0.3 25 30 〃 14 3.2 0.4 17 30 比較例2 3.3 0.4 205 30 1E 7.9(*1) 4.3(*1) *2 30 *1;±35V,1Hzで測定。 *2;しきい値電圧高く測定できず。[Table 8] Threshold voltage (V / μm) Response time Measurement temperature I II (μsec) (℃) Example 10 3.0 0.4 23 30 〃 11 3.5 0.4 23 30 〃 12 3.2 0.4 26 30 〃 13 3.0 0.3 25 30〃 14 3.2 0.4 17 30 Comparative example 2 3.3 0.4 205 30 1E 7.9 (* 1) 4.3 (* 1) * 2 30 * 1; Measured at ± 35V, 1Hz. * 2: The threshold voltage was too high to measure.
【図1】フェリ誘電相の分子配列を示す図である。FI
(+), FI(-)はフェリ誘電状態、FO(+), FO(-)は強誘電状
態を表す。FIG. 1 is a diagram showing a molecular arrangement of a ferrielectric phase. FI
(+) And FI (-) indicate a ferrielectric state, and FO (+) and FO (-) indicate a ferroelectric state.
【図2】実施例1の液晶組成物の三角波電圧に対する光
学応答を示す図である。2 is a diagram showing an optical response of the liquid crystal composition of Example 1 to a triangular wave voltage. FIG.
【図3】実施例10の液晶組成物に対する光学応答を示す
図である。3 is a diagram showing an optical response to the liquid crystal composition of Example 10. FIG.
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 伊東 真樹 茨城県つくば市和台22番地 三菱瓦斯化学 株式会社総合研究所内 ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (72) Inventor Maki Ito 22 Wada, Tsukuba, Ibaraki Mitsubishi Gas Chemical Co., Ltd.
Claims (20)
晶、下記化学式(2)で表されるフェリ誘電性液晶および
下記一般式(3) で表される光学活性化合物を混合してな
る液晶組成物。 【化1】 (式中 R, R'は直鎖アルキル基、mは5以上の整数、n
は1以上の整数、X, Y,Z はフッ素原子または水素原
子、pは4以上の整数、C*は不斉炭素である)。1. An antiferroelectric liquid crystal represented by the following general formula (1), a ferrielectric liquid crystal represented by the following chemical formula (2) and an optically active compound represented by the following general formula (3) are mixed. A liquid crystal composition comprising: Embedded image (In the formula, R and R ′ are linear alkyl groups, m is an integer of 5 or more, and n is
Is an integer of 1 or more, X, Y, Z are fluorine atoms or hydrogen atoms, p is an integer of 4 or more, and C * is an asymmetric carbon).
る請求項1記載の液晶組成物。2. The liquid crystal composition according to claim 1, wherein R in the general formula (1) has 6 to 10 carbon atoms.
項1記載の液晶組成物。3. The liquid crystal composition according to claim 1, wherein m in the general formula (1) is an integer of 5.
る請求項1記載の液晶組成物。4. The liquid crystal composition according to claim 1, wherein R ′ in the general formula (3) has 8 to 12 carbon atoms.
請求項1記載の液晶組成物。5. The liquid crystal composition according to claim 1, wherein p in the general formula (3) is an even number of 4 to 10.
が 20〜70モル%、該化学式(2) で表されるフェリ誘電
性液晶が 5〜50モル%、該一般式(3) で表される光学活
性化合物が 10〜40モル%である請求項1記載の液晶組
成物。6. The antiferroelectric liquid crystal represented by the general formula (1) is 20 to 70 mol%, and the ferrielectric liquid crystal represented by the chemical formula (2) is 5 to 50 mol%. The liquid crystal composition according to claim 1, wherein the optically active compound represented by (3) is 10 to 40 mol%.
とも温度 0〜40℃の範囲に有する請求項1記載の液晶組
成物。7. The liquid crystal composition according to claim 1, wherein the liquid crystal composition has a ferrielectric phase at least in a temperature range of 0 to 40 ° C.
とも温度−20℃〜+50℃の範囲に有する請求項1記載の
液晶組成物。8. The liquid crystal composition according to claim 1, wherein the liquid crystal composition has a ferrielectric phase at least in a temperature range of −20 ° C. to + 50 ° C.
クチックC相またはスメクチックA相を有する請求項7
または8記載の液晶組成物。9. A chiral smectic C phase or a smectic A phase on the high temperature side of the ferrielectric phase.
Or the liquid crystal composition according to item 8.
強誘電状態へ転移するときのしきい値電圧が 5V/μm以
下である請求項7または8記載の液晶組成物。10. The liquid crystal composition according to claim 7, wherein a threshold voltage when the ferrielectric phase transitions from the ferrielectric state to the ferroelectric state is 5 V / μm or less.
強誘電状態へ転移するときのしきい値電圧が 2V/μm以
下である請求項7又は8記載の液晶組成物。11. The liquid crystal composition according to claim 7, wherein the threshold voltage when the ferrielectric phase transitions from the ferrielectric state to the ferroelectric state is 2 V / μm or less.
各画素毎に薄膜トランジスタあるいはダイオード等の非
線形能動素子を設置した基板間に狭持することを特徴と
するアクティブマトリクス液晶表示素子。12. A liquid crystal composition according to claim 7,
An active matrix liquid crystal display device characterized by being sandwiched between substrates on which a non-linear active device such as a thin film transistor or a diode is installed for each pixel.
よる駆動を、2つのフェリ誘電状態と2つの強誘電状
態、及びその中間状態へのスイッチングにて行う請求項
12記載の液晶表示素子。13. The liquid crystal display element according to claim 12, wherein the liquid crystal is driven by the voltage of the nonlinear active element by switching to two ferrielectric states, two ferroelectric states, and an intermediate state thereof.
とも温度 0〜40℃の範囲に有する請求項1記載の液晶組
成物。14. The liquid crystal composition according to claim 1, wherein the liquid crystal composition has an antiferroelectric phase at least in a temperature range of 0 to 40 ° C.
とも温度−20℃〜+50℃の範囲に有する請求項1記載の
液晶組成物。15. The liquid crystal composition according to claim 1, wherein the liquid crystal composition has an antiferroelectric phase at least in a temperature range of −20 ° C. to + 50 ° C.
クチックC相またはスメクチックA相を有する請求項1
4または15記載の液晶組成物。16. A chiral smectic C phase or a smectic A phase on the high temperature side of the antiferroelectric phase.
The liquid crystal composition according to 4 or 15.
電状態へ転移するときのしきい値電圧が 10V/μm以下
である請求項14または15記載の液晶組成物。17. The liquid crystal composition according to claim 14, wherein the threshold voltage when the antiferroelectric phase transitions from the antiferroelectric state to the ferroelectric state is 10 V / μm or less.
き、反強誘電状態から強誘電状態へ転移するときのしき
い値電圧が 5V/μm以下である請求項14又は15記載
の液晶組成物。18. The liquid crystal according to claim 14 or 15, wherein when the liquid crystal composition has an antiferroelectric phase, the threshold voltage when transitioning from an antiferroelectric state to a ferroelectric state is 5 V / μm or less. Composition.
に配置した基板間に請求項14又は15記載の液晶組成
物を狭持することを特徴とする単純マトリックス液晶表
示素子。19. A simple matrix liquid crystal display device, wherein the liquid crystal composition according to claim 14 or 15 is sandwiched between substrates in which scanning electrodes and signal electrodes are arranged on a matrix.
による駆動を、1つの反強誘電状態と2つの強誘電状態
の間でスイッチグすることを特徴とする請求項19記載
の液晶表示素子。20. The liquid crystal display device according to claim 19, wherein the driving by the voltage of the simple matrix liquid crystal device is switched between one antiferroelectric state and two ferroelectric states.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7214696A JPH0959636A (en) | 1995-08-23 | 1995-08-23 | Liquid crystal composition |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7214696A JPH0959636A (en) | 1995-08-23 | 1995-08-23 | Liquid crystal composition |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0959636A true JPH0959636A (en) | 1997-03-04 |
Family
ID=16660096
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7214696A Pending JPH0959636A (en) | 1995-08-23 | 1995-08-23 | Liquid crystal composition |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0959636A (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2009087817A1 (en) * | 2008-01-07 | 2009-07-16 | Santech Display Co., Ltd. | Liquid crystal display device |
-
1995
- 1995-08-23 JP JP7214696A patent/JPH0959636A/en active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2009087817A1 (en) * | 2008-01-07 | 2009-07-16 | Santech Display Co., Ltd. | Liquid crystal display device |
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