JPH0961469A - Electric field detector - Google Patents
Electric field detectorInfo
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- JPH0961469A JPH0961469A JP7211808A JP21180895A JPH0961469A JP H0961469 A JPH0961469 A JP H0961469A JP 7211808 A JP7211808 A JP 7211808A JP 21180895 A JP21180895 A JP 21180895A JP H0961469 A JPH0961469 A JP H0961469A
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- electric field
- optical system
- physical state
- photodiode
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- Tests Of Electronic Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】EOプローブの位置ずれに対する光学系の調整
を簡便な操作で行う。
【解決手段】集積回路の配線からの漏れ電界により物理
的状態が変化する素子を集積回路基板に近接して配置
し、前記素子の物理的状態の変化を光学的に測定して漏
れ電界を検出する電界検出装置において、前記素子の2
軸方向の位置ずれに対応した信号が得られる位置検出部
と、この位置検出部の信号を受け、前記素子の物理的状
態の変化を光学的に測定する検出光学系全体を移動し、
前記素子の位置ずれを補償するように位置調整する移動
手段を備える。
(57) [Abstract] [PROBLEMS] To adjust an optical system with respect to a position shift of an EO probe by a simple operation. An element whose physical state changes due to a leakage electric field from a wiring of an integrated circuit is arranged close to an integrated circuit substrate, and a change in the physical state of the element is optically measured to detect a leakage electric field. In the electric field detecting device,
A position detection unit that obtains a signal corresponding to a positional deviation in the axial direction, receives a signal from this position detection unit, and moves the entire detection optical system that optically measures a change in the physical state of the element,
A moving means for adjusting the position of the element so as to compensate the positional deviation of the element is provided.
Description
【0001】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、集積回路基板に近接し
て、その集積回路内部の配線からの漏れ電界により物理
的状態が変化する素子を配置し、その物理的状態の変化
を光学的に測定し漏れ電界を検出する電界検出装置に関
し、特に光学系の調整に関するものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention arranges an element whose physical state changes due to a leakage electric field from a wiring inside the integrated circuit in the vicinity of the integrated circuit substrate, and changes the physical state optically. The present invention relates to an electric field detection device that measures a leak electric field by measuring the electric field, and particularly relates to adjustment of an optical system.
【0002】[0002]
【従来の技術】電界強度に応じて結晶の屈折率が変化す
る電気光学結晶を集積回路からの漏れ電界中に置き、こ
の電気光学結晶にレーザ光を当てると、結晶中を通過し
たレーザ光の偏光が電界強度に応じて変化する。従来よ
り、この特性を利用し、集積回路中の任意の場所での電
界を非接触で検出する電界検出装置はよく知られてい
る。2. Description of the Related Art When an electro-optic crystal whose refractive index changes according to electric field strength is placed in a leakage electric field from an integrated circuit and a laser beam is applied to the electro-optic crystal, the laser beam passing through the crystal is The polarization changes depending on the electric field strength. 2. Description of the Related Art Conventionally, electric field detection devices that utilize this characteristic to detect an electric field at an arbitrary place in an integrated circuit without contact have been well known.
【0003】[0003]
【発明が解決しようとする課題】ところで、電気光学結
晶を有するEO(Electro-Optic )プローブ部は位置ず
れを起こすことがある。位置ずれの原因としては、プロ
ーブ自体の交換に伴う位置ずれや、EOプローブの保持
具の位置ずれ(温度変化や振動などに伴うもの)などが
ある。EOプローブは通常先端部が数百ミクロン程度と
小さく、質量も小さいため、そこに位置ずれの補償機構
などを取り付けるのは困難である。そこでEOプローブ
部の位置ずれは光学系で調整するのが一般的であるが、
従来の電界検出装置では光学系の調整箇所が多く、その
操作は煩雑であり、位置ずれの最適な調整を行うには多
くの苦労を要するという欠点があった。By the way, the EO (Electro-Optic) probe section having the electro-optic crystal may be displaced. The cause of the positional deviation includes positional deviation due to replacement of the probe itself, positional deviation of the holder for the EO probe (accompanying temperature change, vibration, etc.). Since the tip of an EO probe is usually as small as several hundreds of microns and its mass is also small, it is difficult to attach a position shift compensation mechanism or the like thereto. Therefore, it is general to adjust the positional deviation of the EO probe section with an optical system.
In the conventional electric field detection device, there are many adjustment points of the optical system, the operation thereof is complicated, and there is a drawback that it takes a lot of effort to perform the optimum adjustment of the positional deviation.
【0004】本発明の目的は、このような点に鑑み、E
Oプローブの位置ずれに対する光学系の調整を簡便な操
作で行うことのできる電界検出装置を提供することにあ
る。In view of such a point, an object of the present invention is E
An object of the present invention is to provide an electric field detection device capable of adjusting the optical system with respect to the displacement of the O probe by a simple operation.
【0005】[0005]
【課題を解決するための手段】このような目的を達成す
るために本発明では、集積回路の配線からの漏れ電界に
より物理的状態が変化する素子を集積回路基板に近接し
て配置し、前記素子の物理的状態の変化を光学的に測定
して漏れ電界を検出する電界検出装置において、前記素
子の2軸方向の位置ずれに対応した信号が得られる位置
検出部と、この位置検出部の信号を受け、前記素子の物
理的状態の変化を光学的に測定する検出光学系全体を移
動し、前記素子の位置ずれを補償するように位置調整す
る移動手段を備えたことを特徴とする。In order to achieve such an object, according to the present invention, an element whose physical state is changed by a leakage electric field from a wiring of an integrated circuit is arranged close to the integrated circuit substrate, In an electric field detecting device for optically measuring a change in a physical state of an element to detect a leakage electric field, a position detecting section that obtains a signal corresponding to a positional deviation of the element in two axial directions, and a position detecting section of the position detecting section. It is characterized by further comprising moving means for receiving the signal, moving the entire detection optical system for optically measuring the change of the physical state of the element, and adjusting the position so as to compensate the positional deviation of the element.
【0006】[0006]
【作用】位置検出部で素子の2軸方向の位置ずれ(X,
Y方向の傾き)に対応した信号を得る。この信号を移動
手段に与えて駆動する。移動手段は、素子の物理的状態
の変化を光学的に測定して漏れ電界を検出する検出光学
系全体を2軸方向に移動する。これにより素子の傾きが
補償される(相殺される)ように検出光学系の位置調整
が自動的に行われる。[Function] The position detecting unit shifts the position of the element in two axial directions (X,
A signal corresponding to the inclination in the Y direction) is obtained. This signal is given to the moving means to drive. The moving means moves the entire detection optical system that optically measures the change in the physical state of the element to detect the leakage electric field in two axial directions. This automatically adjusts the position of the detection optical system so that the tilt of the element is compensated (cancelled).
【0007】[0007]
【発明の実施の形態】以下図面を用いて本発明を詳しく
説明する。図1は本発明に係る電界検出装置の一実施例
を示す構成図である。図において、1はレーザ光(ここ
では直線偏光)、2は対物レンズ、3は漏れ電界により
物理的状態が変化する素子で、ここでは電気光学結晶を
有するEO(Electro-Optic )プローブである。10は
検出光学系、20は移動手段、30は位置検出部であ
る。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION The present invention will be described in detail below with reference to the drawings. FIG. 1 is a configuration diagram showing one embodiment of an electric field detection device according to the present invention. In the figure, 1 is a laser beam (here, linearly polarized light), 2 is an objective lens, 3 is an element whose physical state changes due to a leakage electric field, and here is an EO (Electro-Optic) probe having an electro-optic crystal. Reference numeral 10 is a detection optical system, 20 is a moving means, and 30 is a position detection unit.
【0008】検出光学系10において、11はプリズム
であり、対物レンズ2を通過したEOプローブ3からの
反射光を反射する。12はビームスプリッタで、プリズ
ム11からの反射光を2分し、一方は4分割フォトダイ
オード18に、他方の通過光は偏光ビームスプリッタ1
3に入る。In the detection optical system 10, 11 is a prism, which reflects the reflected light from the EO probe 3 which has passed through the objective lens 2. Reference numeral 12 denotes a beam splitter which divides the reflected light from the prism 11 into two parts, one of which is a four-division photodiode 18 and the other of which is a polarized beam splitter 1.
Enter 3.
【0009】14は偏光ビームスプリッタ13を通過し
たビーム光を集束する第1のレンズ、15は第1のレン
ズ14で絞られたビーム光の強度を検出する第1のフォ
トダイオード、16は偏光ビームスプリッタ13で反射
されたビーム光を集束する第2のレンズ、17は第2の
レンズ16で絞られたビーム光の強度を検出する第2の
フォトダイオードである。なお、レンズ16に入射する
光はレンズ14に入射する光に対して偏光面が90゜回
転している。Reference numeral 14 is a first lens for focusing the light beam that has passed through the polarization beam splitter 13, 15 is a first photodiode for detecting the intensity of the light beam focused by the first lens 14, and 16 is a polarized light beam. A second lens for converging the beam light reflected by the splitter 13 and a second photodiode 17 for detecting the intensity of the beam light focused by the second lens 16. The light incident on the lens 16 has its plane of polarization rotated by 90 ° with respect to the light incident on the lens 14.
【0010】第1のフォトダイオード15と第2のフォ
トダイオード17の出力の差をとると、その差はEOプ
ローブ3で反射した反射光の偏向面の回転角度、換言す
ればEOプローブ3の先端の電界強度に対応する。Taking the difference between the outputs of the first photodiode 15 and the second photodiode 17, the difference is the rotation angle of the deflection surface of the reflected light reflected by the EO probe 3, in other words, the tip of the EO probe 3. Corresponding to the electric field strength of.
【0011】18は4分割フォトダイオードであり、ビ
ームスプリッタ12で分岐した反射光のビームスポット
を受ける。ビームスポット径はフォトダイオード4個分
の受光面の大きさより小さく、通常4分割の中央にビー
ムスポットが当たるようになっている。EOプローブ3
が傾くとスポットはフォトダイオードの中央よりずれ、
フォトダイオードの出力に差が生じる。Reference numeral 18 denotes a four-division photodiode, which receives the beam spot of the reflected light split by the beam splitter 12. The beam spot diameter is smaller than the size of the light receiving surface for four photodiodes, and the beam spot normally hits the center of the four divisions. EO probe 3
When tilts, the spot shifts from the center of the photodiode,
There is a difference in the output of the photodiode.
【0012】位置検出部30は、4分割のフォトダイオ
ード18の各フォトダイオードの出力の和をとる加算器
31〜34と、加算器31〜34の中の2個ずつの差を
増幅する差動増幅器35,36を備え、EOプローブ3
の2軸方向(図1の紙面に直角な面におけるX,Y方
向)の傾きに対応した信号をそれぞれ差動増幅器35,
36より得ることができる。The position detecting section 30 includes adders 31 to 34 that sum the outputs of the photodiodes of the four-divided photodiodes 18 and a differential amplifier that amplifies the difference between two of the adders 31 to 34. EO probe 3 equipped with amplifiers 35 and 36
The signals corresponding to the inclinations in the two axis directions (X and Y directions in the plane perpendicular to the paper surface of FIG. 1) of the differential amplifier 35,
It can be obtained from 36.
【0013】移動手段20は、前記位置検出部30の出
力により駆動され、検出光学系10全体を図1の紙面に
対して平行な面で上下方向に、また紙面に直角な方向に
それぞれ直進移動させることができるものであり、直進
移動機構としては例えばアクチュエータが使用される。The moving means 20 is driven by the output of the position detecting section 30, and moves the entire detection optical system 10 in a vertical direction in a plane parallel to the paper surface of FIG. 1 and in a direction perpendicular to the paper surface. For example, an actuator is used as the linear movement mechanism.
【0014】このような構成における動作について説明
する。レーザ光1を対物レンズ2を通してEOプローブ
3に照射する。EOプローブ3からの反射光は再び対物
レンズ2を通過した後検出光学系10に入り、プリズム
11で方向転換し、ビームスプリッタ12に入る。ビー
ムスブリッタ12で分岐した反射光が位置検出用の4分
割フォトダイオード18に入射する。The operation in such a configuration will be described. The EO probe 3 is irradiated with the laser light 1 through the objective lens 2. The reflected light from the EO probe 3 passes through the objective lens 2 again, enters the detection optical system 10, is redirected by the prism 11, and enters the beam splitter 12. The reflected light branched by the beam splitter 12 enters a four-division photodiode 18 for position detection.
【0015】EOプローブ3が図示のように左にδθだ
け傾くと、検出光学系10に入射する光(破線で示して
ある)は f×sin(2δθ) ただし、fは対物レンズの焦点距離だけ平行移動する。
これにより4分割フォトダイオード18の出力に差が生
じ、位置検出部30の差動増幅器よりその差に応じた出
力信号が出力される。この出力信号によりアクチュエー
タ20が駆動され、前記差動増幅器の出力が零になるま
で検出光学系10全体を下方向へ移動する。このように
して、常に前記差動増幅器の出力が零となるようにアク
チュエータ20が働き、検出光学系10の位置は自動的
に調節される。When the EO probe 3 is tilted to the left by δθ as shown, the light incident on the detection optical system 10 (shown by the broken line) is f × sin (2δθ), where f is only the focal length of the objective lens. Move in parallel.
As a result, a difference occurs in the output of the four-division photodiode 18, and the differential amplifier of the position detector 30 outputs an output signal according to the difference. The actuator 20 is driven by this output signal, and the entire detection optical system 10 is moved downward until the output of the differential amplifier becomes zero. In this way, the actuator 20 operates so that the output of the differential amplifier is always zero, and the position of the detection optical system 10 is automatically adjusted.
【0016】なお上記の説明はEOプローブ3の傾きが
紙面内の回転方向の場合であるが、紙面に直角な方向の
回転についても、アクチュエータ20により上記と同様
にして検出光学系10全体を紙面に直角な方向に移動す
ることによりEOプローブ3の傾きを相殺することがで
きる。Although the above description is for the case where the EO probe 3 is tilted in the direction of rotation within the plane of the drawing, the rotation of the EO probe 3 in the direction perpendicular to the plane of the drawing is performed by the actuator 20 in the same manner as described above so that the entire detection optical system 10 is rotated. The tilt of the EO probe 3 can be canceled by moving in a direction perpendicular to the direction.
【0017】なお本発明は実施例に限定されるものでは
なく適宜の変更・変形が可能である。例えば、4分割フ
ォトダイオード18に2分割フォトダイオードを使用
し、EOプローブ3の1軸方向のみの位置ずれを補償す
るように構成してもよい。It should be noted that the present invention is not limited to the embodiments, and appropriate changes and modifications can be made. For example, a two-divided photodiode may be used as the four-divided photodiode 18, and the positional deviation of the EO probe 3 in only one axis direction may be compensated.
【0018】[0018]
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、E
Oプローブの位置ずれが生じても、EOプローブの位置
自体を補償することなく、検出光学系全体を2軸方向に
移動するだけで簡単に調整することができる。As described above, according to the present invention, E
Even if the position of the O probe shifts, the position of the EO probe itself cannot be compensated, and the entire detection optical system can be easily adjusted by moving in the biaxial directions.
【図1】本発明に係る電界検出装置の一実施例を示す構
成図である。FIG. 1 is a configuration diagram showing an embodiment of an electric field detecting device according to the present invention.
1 レーザ光 2 対物レンズ 3 EOプローブ 10 検出光学系 11 プリズム 12 ビームスプリッタ 13 偏光ビームスプリッタ 14、16 レンズ 15,17 フォトダイオード 18 4分割フォトダイオード 20 移動手段 30 位置検出部 31〜34 加算器 35,36 差動増幅器 1 Laser Light 2 Objective Lens 3 EO Probe 10 Detection Optical System 11 Prism 12 Beam Splitter 13 Polarizing Beam Splitter 14, 16 Lens 15,17 Photodiode 18 4 Split Photodiode 20 Moving Means 30 Position Detecting Unit 31-34 Adder 35, 36 differential amplifier
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 FI 技術表示箇所 H01L 21/66 G01R 31/28 L (72)発明者 小山 清明 東京都武蔵野市中町2丁目9番32号 横河 電機株式会社内 (72)発明者 山崎 勉 東京都武蔵野市中町2丁目9番32号 横河 電機株式会社内 (72)発明者 箕作 次郎 東京都武蔵野市中町2丁目9番32号 横河 電機株式会社内 (72)発明者 鈴木 満弘 東京都武蔵野市中町2丁目9番32号 横河 電機株式会社内 (72)発明者 林 尚典 東京都武蔵野市中町2丁目9番32号 横河 電機株式会社内─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (51) Int.Cl. 6 Identification number Reference number within the agency FI Technical indication location H01L 21/66 G01R 31/28 L (72) Inventor Kiyoaki Koyama 2-9 Nakamachi, Musashino-shi, Tokyo No. 32 Yokogawa Electric Co., Ltd. (72) Inventor Tsutomu Yamazaki 2-932 Nakamachi, Musashino City, Tokyo No. 32 Yokogawa Electric Co., Ltd. (72) Inventor Jiro Minohaku 2-932 Nakamachi, Musashino City, Tokyo Yokogawa Electric Co., Ltd. (72) Inventor Mitsuhiro Suzuki 2-932 Nakamachi, Musashino-shi, Tokyo Yokogawa Electric Co., Ltd. (72) Naonori Hayashi 2-932 Nakamachi, Musashino-shi, Tokyo Yokogawa Electric Co., Ltd.
Claims (2)
的状態が変化する素子を集積回路基板に近接して配置
し、前記素子に光を照射し素子の物理的状態の変化を光
学的に測定して漏れ電界を検出する電界検出装置におい
て、 前記素子の2軸方向の位置ずれに対応した信号が得られ
る位置検出部と、 この位置検出部の信号を受け、前記素子の物理的状態の
変化を光学的に測定する検出光学系全体を移動し、前記
素子の位置ずれを補償するように位置調整する移動手段
を備えたことを特徴とする電界検出装置。1. An element, the physical state of which is changed by a leakage electric field from a wiring of an integrated circuit, is arranged close to an integrated circuit substrate, and the element is irradiated with light to optically change the physical state of the element. In an electric field detection device for measuring and detecting a leakage electric field, a position detection unit that obtains a signal corresponding to a positional deviation of the element in two axial directions, and a signal of the position detection unit to receive a signal of the physical state of the element. An electric field detecting apparatus comprising: a moving unit that moves the entire detection optical system that optically measures a change and adjusts the position so as to compensate for the positional deviation of the element.
スポットを受ける2分割フォトダイオードまたは4分割
フォトダイオードを備え、 前記位置検出部は、前記検出光学系が2分割フォトダイ
オードを備えた場合はその2分割フォトダイオードの出
力に基づいて前記素子の1軸方向の位置ずれに対応した
信号が得られ、前記検出光学系が4分割フォトダイオー
ドを備えた場合はその4分割フォトダイオードの出力に
基づいて前記素子の2軸方向の位置ずれに対応した信号
が得られるように構成したことを特徴とする請求項1記
載の電界検出装置。2. The detection optical system includes a two-divided photodiode or a four-divided photodiode that receives a spot of reflected light from the element, and in the position detection unit, the detection optical system includes a two-divided photodiode. In this case, a signal corresponding to the displacement of the element in the uniaxial direction is obtained based on the output of the two-division photodiode, and when the detection optical system includes a four-division photodiode, the output of the four-division photodiode. 2. The electric field detecting device according to claim 1, wherein a signal corresponding to the positional deviation of the element in the biaxial directions is obtained based on the above.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7211808A JPH0961469A (en) | 1995-08-21 | 1995-08-21 | Electric field detector |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7211808A JPH0961469A (en) | 1995-08-21 | 1995-08-21 | Electric field detector |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0961469A true JPH0961469A (en) | 1997-03-07 |
Family
ID=16611947
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7211808A Pending JPH0961469A (en) | 1995-08-21 | 1995-08-21 | Electric field detector |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0961469A (en) |
-
1995
- 1995-08-21 JP JP7211808A patent/JPH0961469A/en active Pending
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