JPH0961678A - 半導体受光素子 - Google Patents
半導体受光素子Info
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 20
- 239000013307 optical fiber Substances 0.000 claims abstract description 165
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims abstract description 127
- 239000000835 fiber Substances 0.000 claims description 73
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 21
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims description 5
- 229910000530 Gallium indium arsenide Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 claims 1
- 230000006854 communication Effects 0.000 abstract description 21
- 238000004891 communication Methods 0.000 abstract description 21
- 238000000926 separation method Methods 0.000 abstract description 5
- 230000002457 bidirectional effect Effects 0.000 abstract description 3
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 abstract 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 16
- 230000008859 change Effects 0.000 description 12
- 238000000034 method Methods 0.000 description 12
- 238000013016 damping Methods 0.000 description 11
- MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N Zirconium dioxide Chemical compound O=[Zr]=O MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 10
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 10
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 8
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 7
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 6
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 6
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 5
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 4
- 238000005984 hydrogenation reaction Methods 0.000 description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 4
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 4
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000002238 attenuated effect Effects 0.000 description 3
- 230000007175 bidirectional communication Effects 0.000 description 3
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 3
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 3
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 3
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 3
- 239000005357 flat glass Substances 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 3
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 3
- 229910005793 GeO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 238000005253 cladding Methods 0.000 description 2
- SBYXRAKIOMOBFF-UHFFFAOYSA-N copper tungsten Chemical compound [Cu].[W] SBYXRAKIOMOBFF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000013013 elastic material Substances 0.000 description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 2
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 2
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910000833 kovar Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 2
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 2
- 230000008054 signal transmission Effects 0.000 description 2
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- 241000239290 Araneae Species 0.000 description 1
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910008310 Si—Ge Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 230000006835 compression Effects 0.000 description 1
- 238000007906 compression Methods 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 230000002542 deteriorative effect Effects 0.000 description 1
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 1
- 230000004927 fusion Effects 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000003780 insertion Methods 0.000 description 1
- 230000037431 insertion Effects 0.000 description 1
- 238000005305 interferometry Methods 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 1
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 108091008695 photoreceptors Proteins 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 230000001902 propagating effect Effects 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 1
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 238000009281 ultraviolet germicidal irradiation Methods 0.000 description 1
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Optical Couplings Of Light Guides (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
- Optical Communication System (AREA)
Abstract
方向光通信を行う光加入者系モジュール(ONUモジュ
ール)において、波長分波器によって1.3μm光と
1.55μm光を分離するが、現在の波長分波器では不
要光成分の減衰比が不十分である。そこで分離した後の
経路に不要光を遮断するための多層膜フィルタを設け
る。多層膜フィルタの為に部品コスト、組立コストが上
昇する。多層膜フィルタを省く事が目的である。 【構成】 光ファイバの一部にグレーティングを設け
て、これによって不要光を反射して減衰比を下げる。多
層膜フィルタは省く。グレーティングを光ファイバに形
成するから部品の体積は全く増えない。部品点数も増加
しない。組立コストも上昇しない。モジュールをより小
型化することができる。
Description
じファイバに通すことによって双方向通信を行う光加入
者系ONUに関するものである。まず双方向通信、ON
U、ONU用光モジュールについて説明する。
通すことによって情報を伝達することである。近年、光
ファイバの伝送損失が著しく低下し、半導体レ−ザ(以
下LDと略すこともある)や半導体受光素子(PDと略
すこともある)の特性が向上したので、光通信が盛んに
なりつつある。特に、光ファイバの損失の小さい1.3
μmと1.55μmの波長の光を使って信号の伝送(電
話、ファクシミリ、テレビ画像など)の試みが盛んにな
されている。
るから、現在の電気信号と同じように2種類の信号伝送
形態がある。つまり低速のデジタル通信と、高速のアナ
ログ通信である。低速のデジタル通信というのは、電話
やファクシミリの信号伝送を行うものである。低いビッ
トレートのデジタル信号を扱う。しかもこれは双方向通
信でなければならない。
を有線(CATV)で伝送するものである。これは放送
局からの一方向通信である。信号を光信号によって伝送
する光通信を採用する場合、低速デジタル信号用の光フ
ァイバと、高速アナログ信号用の光ファイバを別々にす
るという可能性もありえよう。しかし2本の光ファイバ
を敷設するのはコスト高になる。1本の光ファイバによ
って、低速デジタル双方向通信と、高速アナログ一方向
通信を同時に行えるようにしたいものである。
システムが開発されつつある。未だに完成されたものは
ない。しかし小規模であるが実験的なものの試みがなさ
れている。図1にそのような光通信システムの概略を示
す。
2がある。これらは、光ファイバ3によってつながれて
いる。途中に分岐器4があり、主になる光ファイバか
ら、各端末2につながる光ファイバに分岐される。基地
局1では、電話やTVの信号を増幅し、光信号とし1本
の光ファイバによって送り出す。これは何度か分岐を通
り、対象になる家庭の近くで例えば16分割される。光
信号のまま分割されるのである。ここから16本の家庭
用光ファイバによって16の家庭に信号が送られる。基
地局に対して、家庭端末を加入者側端末(ONU)と呼
ぶ。これはOPTICAL NETWORK UNIT
の略である。
伝送である。しかし電話やファクシミリの場合は端末か
ら基地局へ、或いは基地局から端末へと、信号が双方向
に送られる。このように光ファイバを配置するのは、基
地局のファイバ本数を減らし、光ファイバ敷設のコスト
を下げるためである。このように、基地局から各家庭へ
光によって信号伝送するシステムを光加入者系という。
入者側端末(ONU)で電気信号に変換される。図1に
よって一つの端末の機構を説明する。光路aを通ってき
た1.3μm光+1.55μm光は、波長分波器5によ
って、1.3μm光と、1.55μm光とに分離され
る。1.3μm光は光路bに、1.55μm光は光路c
に分配される。
現するアナログPD6に入射する。ここで光信号が電気
信号に変換される。さらに信号処理部7において各種の
信号処理をした後、TVセット8に導かれ画像になる。
カップラ9と呼ぶ)に入りここで2つの光線に分離され
る。このうち一方がデジタルPD10によって受光され
電気信号になる。これが信号処理部11による処理を受
けて、電話機・ファクシミリ機13に導かれる。電話や
ファクシミリは双方向通信であるので、端末2から基地
局1へ信号を送る必要がある。このために電話、ファク
シミリから与えられた電気信号を、デジタルLD12に
よって、1.3μmの光信号に変換する。光信号は、波
長分波器5を逆に通過し、分岐器4から主となる光ファ
イバに合流し、基地局1に送信される。前記の光カップ
ラ9は光信号による双方向通信を可能にするために、光
ファイバ系の途中に挿入されている。
μm光と1.55μm光を分離し統合するための波長分
波器5、双方向通信の為の光カップラ9と、光信号を電
気信号に変換するフォトダイオードPD6、10、電気
信号を光信号に変換するレ−ザダイオードLD12が必
要である。波長分波器、光カップラ、PD、LDを組み
合わせたユニットをONUモジュールという。本発明は
ONUモジュールの新規な構成に関する。
ものは未だに存在しない。しかしONUモジュールに関
して多くの提案がなされている。実施されている訳では
ないが、これらの提案について概観する。
例](図2) これは、波長分波器と光カップラをミラーによって構成
したものである。基地局につながる光ファイバ20が光
コネクタ21により、モジュール内に導かれる。これ以
後は、自由空間の光路aを光が進行する。光ファイバか
ら出た光は発散するのでコリメータレンズ22によって
平行光にする。これをミラー式の波長分波器23に入射
し、1.3μm光と1.55μm光に分離する。
自由空間の光路bを通り、ミラー式カップラ24に至
る。これはハーフミラーであって、1.3μm光を1:
1の割合で反射、透過する。透過光は多層膜フィルタ2
5に導かれる。これは混在している1.55μm光をよ
り完全に除去するためのものである。この後、光はレン
ズ26によって絞られてデジタルPD27に入射し光電
変換される。この後電話、ファクシミリに送られて音
声、文字に変換される。
タル信号は、デジタルLD28によって電気信号から
1.3μmの光信号に変換される。光信号は集光レンズ
29によって絞られ、カップラ24によって反射され
る。これはミラー式波長分波器23を通り、コリメータ
レンズ22を経て光ファイバ20に入射する。その後光
ファイバ20によって基地局1に導かれる。
m光は、ミラー式波長分波器23によって反射されて、
1.3μm光と分離される。1.55μm光は光路cを
通り、多層膜フィルタ30を通過し、レンズ31によっ
て絞られ光コネクタ32を経て、光ファイバ33によっ
てアナログPDまで伝送される。光信号から電気信号に
変換され、各種の信号処理をされた後、TVセットに導
かれる。
カップラを作製したONUモジュールの試みは、 湯本満、国兼達郎、大川原龍弘、横田隆「低コストシ
ングルモードWDMモジュール」1990年電子情報通
信学会春季全国大会予稿講演番号C−203(P4−2
58) 足立明宏、本島邦明、中島康雄、山下純一郎、笠原久
美雄「小型・薄型光合分波モジュール」1990年電子
情報通信学会秋季全国大会予稿講演番号C−222(P
4−264) などによって提案されている。
1.55μm光の分離不完全ということである。分離が
不完全であるとクロストークを生じる。電話、TVの双
方にノイズが入る事になる。その理由は次のようであ
る。ミラー式波長分波器23だけでは1.3μm光と、
1.55μm光を完全に分離する事が難しい。ミラー式
波長分波器は屈折の異なる誘電体薄膜を何層にも重ね
て、ある波長の光は反射し、ある波長の光は透過するよ
うにしたものである。これは1.3μm光を通し、1.
55μm光を45度方向に全部反射するように設計され
ている。しかし相手側の光の減衰比は、高々1/100
の程度に過ぎない。
μm受信側に漏れてくる1.55μm光パワーが1/1
0000以下である必要がある。同様に、1.55μm
受信側に漏れる1.3μm光パワーは1/10000以
下である必要がある。このように選ばれなかった光の、
選ばれた光のパワーに対する比を、ここでは減衰比とい
うことにする。
1.55μm側にも10-4以下の減衰比を要求する。一
方ミラー式波長分波器の減衰比は10-2である。10-2
の減衰比が足りない。そこで、それぞれの光路に所望の
波長の光のみを通す多層膜フィルタ30、25が設けら
れる。波長分波器と多層膜フィルタによってからくも1
0-4の減衰比の要求を満足するようにしている。
例](図3) 図3に最近精力的に研究されている平面導波路を用いた
ONUモジュールを示す。例えば、 照井博、関根聡、小林盛男、永沼充「低速光加入者分
岐光モジュール」、NTTR&D Vol.42,N
o.7,p903−912,(1993) などによって提案されている。導波路式のモジュールの
利点は、部品点数を削減し小型化できるということであ
る。
ファイバ34の端部は、PLC(平面導波路)35の端
面に接合される。PLC35には光導波路36が縦方向
に形成される。これが途中の分岐点37において二つの
光導波路38、39に分岐する。光導波路38が1.3
μm光の受信側光路となる。光導波路39が1.3μm
光の送信側光路となる。分岐点37が送信受信光を合波
分波する光カップラ40を構成する。
けられる。これは始端42において光導波路36に近接
している。始端42において、光導波路36、41は互
いに光パワーを交換できる。光パワーの交換に波長選択
性を持たせることによって波長分波器43としている。
近接部の距離や長さを適当に選ぶ事により光路aから
1.3μm光は全て光路bに、1.55μm光は光路c
にそれぞれ配分される。
ィルタ44を通りデジタルPD45によって受信され
る。多層膜フィルタ44は1.55μm成分を除去する
ためのフィルタである。一方電話、ファクシミリからの
デジタル電気信号は、デジタルLD46によって1.3
μmの光信号に変換される。光信号は集光レンズ47を
経て光導波路39の端部48に入射する。送信光信号は
分岐点37で光路bに合体し、導波路36から光ファイ
バ34へと伝搬する。これは最終的に基地局に送られ
る。
5μm光は、光導波路41を通り、多層膜フィルタ49
によって、1.3μm光を完全に除いた後、アナログ出
力シングルモードファイバ50に入射する。
Circuit)35のA−B断面を図3(b)に示す。Si
基板52の上に石英系クラッド層53を堆積させる。さ
らに屈折率を上げる不純物を連続的にドープして高屈折
率の領域(コア)を線条に形成する。これが光導波路3
8、39、41である。不純物としては例えばGeなど
を用いる。石英を用いるのは、1.3μm光、1.55
μm光に対して透明であるからである。このような光導
波路を部分的に接近させる事によって波長分波器43を
作る。またY分岐を形成する事によって光カップラとす
る事ができる。このような石英系光導波路については、
と将来」、NTT R&D Vol.43,No.1
1,p1273ー1280(1994) によって提案されている。光導波路による波長分波器4
3の減衰比も高々1/100の程度である。減衰比を1
0-4にするために、多層膜フィルタ44、49がそれぞ
れの光導波路38、41の終端に接着される。
によって光を収束させて光導波路39の端面のコアに入
射させている。しかし残りの二つのビームについてはレ
ンズを設けていない。導波路38とデジタルPD45の
間は極めて近接しているからレンズが要らないのであ
る。導波路41の端面にアナログ出力ファイバ50が接
合してあるからやはりその間にはレンズが要らない。石
英系光導波路によるモジュールは、PLCが光ファイバ
と同じ材料であって、導波路のサイズもほぼ同じである
ので、光ファイバとの馴染みが優れて良いと言われてい
る。湾曲した光導波路を用いるモジュールは、
宏、江守俊行「石英系光導波路を用いたWDM内蔵光双
方向モジュール」1993年電子情報通信学会秋季全国
大会予稿講演番号C−158(P4−238) によって提案されている。
(図4) 光ファイバによる波長分波器、光ファイバによる光カッ
プラは既に工業化されている。光ファイバによって全体
を構成したONUモジュールも提案されている。光ファ
イバ波長分波器のみによっては波長分離が完全でないた
めに、光ファイバを突き合わせた僅かな空間に多層膜フ
ィルタを挿入し不要波長の光を排除するようにしてい
る。図4によってその概略を説明する。
信号は、光コネクタ61によってONUモジュールに導
かれる。経路aから光ファイバ波長分波器62に進み、
ここで1.3μm光と1.55μm光に分離される。
1.3μm光はさらに光コネクタ63を通り、光ファイ
バカップラ64に至る。これは送信光と受信光を結合す
るためのものである。経路bが分岐点65で光ファイバ
66、67に分岐する。波長分波器も光ファイバカップ
ラも2本の光ファイバのコアを接近させる事によって光
パワーを選択的に分配するようにしたものである。
分波器にすることができる。光ファイバ66は多層膜フ
ィルタ68を経て、光コネクタ69に至りデジタルPD
モジュール70によって受信される。送信光は、デジタ
ルLDモジュール81によって電気光変換される。光コ
ネクタ80を経てONUモジュールに入り、カップラ6
4によって経路bに導かれ、光コネクタ61から光ファ
イバ60へと送り出される。
らを接続する部分も全て光ファイバによって構成されて
いる。光ファイバは自由に曲げられるし融着によって部
品とつなぎ合わせることができ、距離も自在に調節でき
る。電気回路をどのように配置しても光ファイバによっ
て結合する事ができる。回路構成の自由度が高いという
利点がある。
向光通信に用いられるONUモジュールの提案例を説明
した。何れにしても、1.3μm光、1.55μm光を
検知するための受光素子が必要である。図5は従来の半
導体受光素子の一例を示す縦断斜視図である。
ル、銅タングステンなどの金属製である。パッケージ8
6は下方に複数のリードピン87、88、89を備え
る。パッケージ86の上面には、サブマウント90を介
してフォトダイオードチップ91が半田付け(AuG
e、AuSn)される。サブマウント90はセラミック
の両面にメタライズしたものである。サブマウントは省
く事もある。
ト90面はワイヤによってリードピン87、89に接続
される。パッケージ86の上面には球レンズ92を備え
たキャップ93が固定される。球レンズ92の中心と、
フォトダイオードチップ91の中心は面直角方向に合致
するようにしてある。さらにパッケージ86には円筒形
のスリーブ94が固定される。
−95が溶接される。フェルールホルダ−95の中心に
は孔96があってここにフェルール97が挿入されてい
る。フェルール97はシングルモードファイバ98の先
端99を保持するものである。端面は8度の傾斜をなす
ように切断してある。光ファイバから出た光が丁度フォ
トダイオードチップに像を結ぶように調芯してある。さ
らに光ファイバ98の強い湾曲を防止するために弾性材
よりなるベンドリミッタ104をフェルールホルダ−9
5にはめ込む。
アナログPDの何れかに該当するものである。信号光は
光ファイバを伝搬し、光ファイバの先端から出射され
る。これがレンズによって集光されフォトダイオードに
入る。ここで光電気変換されて電気信号になる。フォト
ダイオードは波長1.0μm〜1.65μmの波長の光
に対して広く感度を有するInGaAsを受光層とする
PIN−PDが用いられる。光ファイバは石英系の光フ
ァイバを用いる。
5μm光を感受するためのフォトダイオードは何れもI
nGaAsを受光層とし近赤外光に関して十分な感度を
持つ。波長分波器によって、1.3μm光と1.55μ
m光を分離するが、十分に両者を分離する事ができな
い。
トダイオードに1.55μm光が1/1000でも混入
するとTVの画像が乱れたり、電話やファクシミリにノ
イズが入ったりする。混信によるノイズを避けるために
は、減衰比は1/10000以下でなければならない。
既存の波長分波器の減衰比の不足を補うために、多層膜
フィルタ25、30、44、49、68、83を挿入し
ているのである。
と1.55μm光を完全に分離するために、必ず多層膜
フィルタを分離後の経路のどこかに挿入する必要があっ
た。これは受光素子であるInGaAsが、何れの波長
の光に対しても高い感度を有するからである。多層膜フ
ィルタは適当な屈折、厚さの誘電体薄膜を何層にも重ね
たものである。屈折、厚さを選ぶ事によって、波長の選
択性を与える事ができる。
タを入れるという構造は幾つも提案されている。何れも
誘電体多層膜などよりなり嵩高く、部品コストも高く、
部品配置の自由度を損なう、という難点がある。
置」…ファイバの端面に波長選択フィルタを貼り付けて
いる。 特開昭62−229207号「受光装置」…受光素子
の窓ガラスの上に波長選択フィルタを貼り付けている。 特開昭63−29714号「誘電体多層膜付受光素子
モジュール」…光ファイバと受光素子の間に誘電体多層
膜よりなるフィルタを挟んである。 これらは波長多重送受信系の受光素子として設計されて
いる。
の光を用いるから、多層膜フィルタは二つ必要である。
多層膜フィルタの挿入は部品の点数を増やし、部品コス
トを押し上げる。それだけでなく組立の工数を増大させ
る。またフィルタを挿入するスペースを必要とする。
し、部品点数を増やす事なく不要な波長成分の減衰比を
低くすることのできるようにした半導体受光素子モジュ
ールを提供する事が本発明の第1の目的である。多層膜
フィルタを省く事により、より小型化する事のできるO
NUモジュールを可能にするのが本発明の第2の目的で
ある。減衰比を小さく保ちつつ、より組立容易としたO
NUモジュールを提供するのが本発明の第3の目的であ
る。
つ光ファイバグレーティングを受光素子モジュールの内
部の光ファイバの一部に形成する事によって、不要な波
長成分を除去する。受光素子モジュールは図5に示すよ
うに、信号光を導くための光ファイバの一端をフェルー
ルによって保持している。この光ファイバの一部に光フ
ァイバグレーティングを設ける。
間隔に平行な溝を多数設けたものである。白色光を当て
ると波長毎に回折方向が異なるので波長の異なる光を分
離する事ができる。つまり分光器に用いられる。二次元
的な面に平行溝を多数有し分光作用を持つのが本来の格
子である。しかしここでは光ファイバグレーティングを
用いる。これはGe添加石英光ファイバを水素添加処理
した後、244nm付近の波長のレ−ザ光を干渉縞がで
きる条件で光ファイバに照射したときに、光ファイバ内
に屈折率の周期的変化が引き起こされたものである。屈
折率変化は10-5の程度である。
長さがあれば、その周期Pの2倍の波長の光(λ=2n
P)を完全に反射することができる。空間格子と異な
り、方向によって反射波長が変動するということはな
い。光ファイバ自体1次元であるから光ファイバの格子
はある特定の波長の光を反射する。もちろん反射波長に
はある程度の幅がある。
文によって提案されている。しかし現在でも尚広く知ら
れているものではないからここに説明する。例えば、 K. O. Hill, Y.Fujii, D. C. Johnson and B.S.Kaw
asaki, Appl. Phys. Lett., 32 (1978) p647 光ファイバグレーティングの現象を発見したという報告
である。Geドープ石英光ファイバにアルゴンレ−ザの
光を2光束干渉法によって照射し屈折率の周期的変化を
生成できたというものである。
y, "Dynamics of the formation of Bragg gratings in
germanosilicate optical fibers", Optics Communica
tionsVol.79, No.3,4, p194(1990) これまでに提案されているクラーマース・クローニッヒ
機構、双極子作用、圧縮モデルいずれも10-5という大
きい屈折率の変化を十分に説明できないとしている。
子吸収による時間変化のモデルを作り、レ−ザ光の照射
によって酸素欠陥密度が増大する現象を説明している。
酸素欠陥の増加によって屈折率が増加するとしている。
これはレ−ザ光の照射によって2光子吸収が起こり、こ
れによって屈折率が時間と共に増えることを説明してい
る。用途については述べていない。
nn,"Formation of Bragg gratings inoptical fibers b
y a transverse holographic method", Optics Letter
s, Vol.14, No.15 p823,(1989) これはGeファイバにホログラフィックな方法によって
グレーティングを形成することを述べている。波長48
6nm〜500nmエキシマレ−ザを光源とする。これ
を非線形結晶によって2倍高調波とし244nmの光を
得ている。これを2光束干渉露光によって、Geドープ
光ファイバに照射する。これによって576.1nmに
強い吸収をもつ光ファイバが得られたという。
2「光ファイバ内に格子を形成する方法」これは1本の
光ファイバ内に、2光束干渉露光法によって複数の格子
を作る。このファイバを対象物に張り付けて歪を感知す
るセンサを提案している。
処理ファイバを用いた高反射率ファイバグレーティング
の作製」電子情報通信学会94秋季大会講演番号C−2
08(1994) これはGe添加石英ファイバにおいて水素処理をすると
屈折率の変化が10-5から10-3のオーダにまで増加す
るということを発見したと述べている。
麻紀、服部保次「ファイバグレーティングの作成と応用
について」電子情報通信学会技術研究報告OPE94−
5、PP25−30(1994) これは光ファイバグレーティングの作成方法、グレーテ
ィングの屈折率差を上げる方法、応用などを紹介してい
る。
レ−ザへの応用である。これはErドープファイバの優
れた増幅率を利用したレ−ザである。共振器の一方を金
鏡面、もう一方を光ファイバグレーティングにする。カ
ップラから励起光(1.48μm)を入射しErファイ
バを励起すると、1.55μmに中心波長を持つ発振光
が得られる。共振器によって繰り返し反射される光が増
幅され、この波長のレ−ザ光が得られる。グレーティン
グに張力をかけて引っ張ると、グレーティングの周期が
延びるから反射波長が異なる。
図17は水素添加ファイバのグレーティング反射スペク
トルである。1549nm〜1551nmの光に対して
高い反射率を示す。光ファイバを引っ張ると、この反射
率の分布がずれる。張力を0g〜2500gに変化させ
ると、発振波長が1551nm〜1583nmまでリニ
ヤに変動するとしている。
として提案されているのは、温度センサである。温度が
上がると光ファイバが延びグレーティングの格子間隔も
延びる。すると反射光の波長が異なる。それで温度が分
かる。
向転換をするブラッグ回折格子加工を内部に施した光導
波路の構成」 これは光ファイバに格子を等間隔斜めに形成して特定波
長の光を外部に取り出すものである。反射鏡として使う
のではない。変わった利用法である。グレーティングの
間隔をPとして、光の波長をλとすると、P=λcos
θを満足する方向に光が出てゆくというものである。格
子を斜めにすると格子面の方向に出射光の方向が決ま
る。光ファイバのコアとクラッドの屈折率の差によって
光をコアに閉じ込めているのであるが、光ファイバグレ
ーティングの屈折率の増大程度でクラッドでの全反射を
阻止できるかどうか疑問がある。
に光ファイバグレーティングが説明されている。Geド
ープ石英ガラス光ファイバに紫外線を照射するとその部
分の屈折率が変化する。そこで紫外線をある空間周期を
もつように照射する事によって、周期的に屈折率変化し
た部分を形成する事ができる。これによって反射鏡を光
ファイバの内部に作製できる。
ものである。光ファイバは初めから一次元の広がりしか
ない。であるから光ファイバに形成したものをグレーテ
ィングと呼ぶのは少しおかしい。しかし格子と同様に、
屈折率変化が周期的に変化するのでこれを光ファイバグ
レーティングと名付けている。
つかの方法がある。2光束干渉法は(λ=240nm付
近の)レ−ザ光を2本のビームに分割し、面法線の両側
から同じ傾き角度をなすように照射することによって干
渉縞を作り、縞にそった屈折変化を引き起こす。あるい
は直角二等辺三角形状の断面を持つプリズムに、レ−ザ
光を二つに分けて異なる部位より入射させて、プリズム
の下に置かれた光ファイバに照射させる。入射の角度を
変える事によって、異なる周期のグレーティングを作る
ことができる。
ドープ光ファイバの屈折率が増えるのかについては未だ
明かではない。一つの説は、Geドープガラスには、G
e−Si結合の吸収帯が240nm付近に存在する。レ
−ザ光を吸収することによってGeーSiの結合が切れ
る。切れることによって開放された電子がGeにトラッ
プされて新たな吸収帯ができる。この吸収帯の存在によ
って屈折が変化するというものである。
呼ばれる屈折率の変化である。今一つの説は、Ge−S
iの結合が切れる事によって電子が放出され、これがG
eによってトラップされるが、これが双曲子モーメント
を作り、直流電場を生ずるので電気光学効果によって屈
折率が変化するというものである。もう一つの説は、紫
外線照射によってガラス結合が切れ、ガラス機構がつぶ
れる。密度が増大し屈折率が上昇するというものであ
る。
し紫外線照射によって屈折率が増大する現象は認められ
る。光ファイバグレーティングによって反射される光の
波長はλ=2nPである。ここでPはグレーティングの
ピッチ、nは屈折率である。光ファイバのコア屈折率は
決まっているが、ピッチPを変える事によって任意の波
長の光を反射するようにできる。
は、ファイバレ−ザの共振器がある。Er添加ファイバ
は、光を通す事によって信号光を増幅する。そこである
部分に2つのグレーティングを設けて光を繰り返し反射
し、パワーを増幅しレ−ザとする。
ングを受光素子モジュールの内部の光ファイバに設け
る。元々光ファイバの存在するところをグレーティング
を形成した光ファイバによって置換するのであるから、
余計な空間を必要としない。さらまたモジュールの内部
に多層膜と同じ機能の物を設けるので組立が難しくなら
ない。部品が増えないので、多層膜がない物と比べても
部品コストが殆ど変わらない。
の構成を示す。光ファイバ99は中心のコア100とこ
れを囲むクラッド101から成る。シングルモードファ
イバの場合はコア径は10μmである。クラッド径は1
25μmである。紫外線の2光束干渉法によって、コア
内部に屈折率の周期的に変動する部分102を形成す
る。グレーティング部102の屈折率縞の周期をλ2 =
nPとなるようにして決める。ここにλ1 の波長の光
と、λ2 の波長の光を入れると、λ2 の光は反射され
る。屈折率変化部分102をλ2 が透過することができ
ない。λ2 が通らず、λ1 が通る。これを1.55μm
光と1.3μm光を分離する事が必須であるONUモジ
ュールに利用したというのが本発明の要旨である。
光ファイバグレーティングを形成した物を示す。光ファ
イバの先端99のコア100の部分にグレーティング部
102を設けて、これをフェルール97の孔に差し込み
固定する。端面103は斜めに研磨してある。これは戻
り光が半導体レ−ザに入らないようにするためである。
図7において左端はさらに左方連続する。
シングルモードファイバである。これを水素添加処理
し、さらにアルゴンレ−ザの2次高調波(SHG:λ=
244nm)を2光束干渉露光法によって光ファイバに
照射した。水素添加処理するのはレ−ザ光照射による屈
折率変化をより容易にするためである。グレーティング
部の長さは5mmである。フェルールはステンレス製
で、長さは約15mmである。
μmを反射するように周期を決めてある。λ2 =1.5
5μm=nPとなるようにPを決める。これによって
1.55μm光に対して、99%以上の反射率を得た。
これは減衰比でいうと、1/100以下にできるという
ことである。何らかの形態の波長分波器を別に設けるの
であるから、その減衰比と併せて全体の減衰比を10-4
以下にすることができる。それ以上に減衰比を小さくし
たいという場合であれば、グレーティングの長さをさら
に増大させれば良い。長さを2倍にすれば、減衰比が2
乗になって減少する。
図8は本発明の実施例に係る半導体受光素子モジュール
の縦断斜視図である。図5と合致するように書いてあ
る。光ファイバにグレーティングを設けた点だけが違
う。
ル、銅タングステンなどの金属製である。直径は5.6
mmである。パッケージ86は下方に複数のリードピン
87、88、89を備える。パッケージ86の上面に
は、サブマウント90を介してフォトダイオードチップ
91が半田付け(AuGe、AuSn)される。サブマ
ウント90はセラミックの両面にメタライズしたもので
ある。サブマウントはここではアルミナである。
ト90面は直径20μmの金ワイヤによってリードピン
87、89に接続される。パッケージ86の上面には球
レンズ92を備えたキャップ93が固定される。キャッ
プ93は窒素雰囲気で溶接し内部を気密封止する。ここ
で球レンズ92の中心と、フォトダイオードチップ91
の中心は面直角方向に合致するようにしてある。さらに
パッケージ86には円筒形のスリーブ94が電気溶接に
よって固定される。
に、6重量%のGeO2 を含む石英ファイバである。水
素添加処理して、244nmの波長の光を2光束干渉露
光法によって光ファイバ先端部に照射し、干渉縞を作
り、屈折率の周期的変化を引き起こすようにしている。
グレーティングが光ファイバに形成される。グレーティ
ングの長さは5mmである。
ングルモードファイバ98の先端99を挿入する。フェ
ルールホルダ−95とスリーブ94を近接させた状態
で、光ファイバの光を受光素子によって検知し、軸垂直
方向にスリーブを動かして、光量が最大になるようにフ
ェルールホルダ−95のスリーブ上の位置を決め、YA
Gレ−ザによって両者を溶接する。さらにフェルールを
軸方向に動かして最適結合位置を探し、ここでフェルー
ルホルダ−に対し、フェルールをYAGレ−ザにより溶
接する。つまり光ファイバから出射された光がPDチッ
プの受光部に集光するように、フェルールホルダ−とス
リーブ、フェルールホルダ−とフェルールを固定するの
である。
る。光ファイバから出た光が丁度フォトダイオードチッ
プに像を結ぶように調芯してある。さらに光ファイバ9
8の強い湾曲を防止するために弾性材よりなるベンドリ
ミッタ104をフェルールホルダ−95にはめ込む。
素子モジュールである。PD自体は1.55μmにも感
度を持つ。しかし光ファイバの先端部99にはファイバ
グレーティング102があるので、1.55μm光の減
衰比をこれによって1/100にすることができる。分
波器によっても1.55μm光を遮断しているので、こ
れと併せて10-4以下の減衰比にすることができる。
3μm光を反射する半導体受光素子モジュールをも製作
した。受光層はInGaAsであって、先程のものと同
じである。しかしグレーティングの部分のピッチPが違
う。今度は、2nP=1.3μmという条件によってピ
ッチを決める。この場合グレーティングの長さは4mm
である。これによって1.3μm光を1/100以下に
低減する事ができる。
たので、これらを図4に示す光ファイバ式ONUモジュ
ールに組み込んだ。但し、多層膜フィルタ68、83を
除去し、デジタルPDモジュール70とアナログPDモ
ジュール85に本発明の受光素子モジュールを用いてい
る。つまり分波器とカップラは光ファイバを組み合わせ
たものを用いる。
0(1.3μm光を受光)の出力において、ノイズであ
る1.55μm光は1/10000以下に減衰してい
た。アナログPDモジュールにおいて1.3μm光は1
/10000以下に減衰していた。ノイズを10-4以下
に減らすことができるので、電話やTVにノイズが入ら
ず、実用的に極めて有効であることが分かった。多層膜
フィルタを省くことができるので、部品の数を減らし、
コストを下げ、小型化することができる。
に用いるという本発明の思想を実現するのであれば、図
9のようにグレーティングフィルタ109をモジュール
110の外部の光ファイバ111の一部に設けるという
可能性も有り得よう。光ファイバのモジュール内の部分
ではなくて、外部にグレーティングを形成するのであ
る。こうすれば、図5に示す従来例に係る半導体受光素
子モジュールをそのまま利用できるという利点がある。
ない。そのようなものは、組立作業が煩雑になろう。ま
た外部にグレーティング部が出ているから保護ケースに
入れたり、別途固定するなどの手間がかかる。さらに取
扱いも不便である。小型化を図る上で難がある。
もの]直接に光ファイバの先端をステンレスパイプに入
れるものの他、図10に示すように光ファイバ112の
先端をセラミックのキャピラリー114に入れるものも
ある。これはジルコニアのキャピラリー114である。
フェルール113にキャピラリーを入れ一体化して端面
を斜めに研磨する。この例では他端にはFCコネクタ1
15があり、ジルコニアフェルール116によって他の
光学素子に結合できるようにしてある。光パワーメータ
に接続することもできる。この場合においても、フェル
ール内部の光ファイバ先端部にグレーティングを設け
る。これはピグテイルタイプのコネクタになっている。
ピグテイルタイプのコネクタの他に、レセプタクルタイ
プのモジュール117にも適用することができる。図1
1によって説明する。ファイバコード118の先端は被
覆を剥してありガラス部分が露出している。ジルコニア
などのフェルール119によって先端部が保護される。
シングルモードファイバ120の先端はこの場合丸く研
磨してある。一方のコネクタのハウジング121に前記
のフェルール119が固定されている。ハウジング12
1の外周部には、勘合用の袋ナット122がある。前方
には円周方向の位置を決めるためのキイ123が突出し
ている。
ダイオードが設けられる。レンズホルダ−124は金属
円筒形部材である。内部に球レンズ125がはめ込まれ
ている。円筒の端部には、ファイバホルダ−126があ
ってここにダミーファイバ127が固定されている。ダ
ミーファイバは短い光ファイバであって、端部が斜めに
切断される。戻り光の防止のためである。特徴的なの
は、ダミーファイバにグレーティングを設けたことであ
る。これによって不要な光を反射してPDにまで到達で
きないようにする。
ールを差し込むためのハウジング128が溶接される。
ハウジング128のフランジ部129には、止めネジ用
穴130が穿孔されている。ハウジング128の前端に
は、雄ねじ131が刻まれている。これは勘合用袋ナッ
ト122に螺合することができる。ハウジング128の
中心軸孔には、円筒形のスリーブ132がはめ込まれて
いる。これはフェルール119を差し込むための部材で
ある。
ッケージ133が設けられる。パッケージ133の上面
にはサブマウント134が半田付けされる。さらにこの
上にPDチップ135がダイボンドされる。チップ13
5の電極やサブマウント134はワイヤ137によって
リードピン136に接続される。受光素子チップ135
は窓付きのキャップ138によって封止される。窓には
シール用窓ガラス139が設けられる。
込み、袋ナット122をネジ131にねじ込むことによ
ってハウジング121、128を結合することができ
る。この場合、シングルモードファイバ120の先端が
ダミーファイバ127に接触する。光はファイバ120
からファイバ127へと伝搬する。
に本発明を適用した例を説明した。新規な部分は、ダミ
ー用の光ファイバにグレーティングを設けて、不要な光
を完全に排除するようにしたことである。この例もハウ
ジング外部にグレーティングを設けるのではない。ハウ
ジング内部のダミー用のファイバにグレーティングを形
成している。小型化に好適で、部品点数は増えず、取扱
い便利という長所がある。ホルダ−によって支持してい
るからグレーティング部の劣化を防止することができ
る。
用]本発明は様々な形態のパッケージに収容した半導体
受光素子に適用することができる。図12はバタフライ
型パッケージの受光素子に応用した例を示す。バタフラ
イ型受光素子140は、平板型のパッケージ141の内
部に受光素子チップや集光レンズを収容するものであ
る。パッケージ141の側面には適数本のリードピン1
42が面平行に延びるように設けられる。ピンの形状に
よってバタフライ型と呼ばれる。
ダ−143があって、これが凸レンズ144を保持して
いる。軸線上最奥部にはチップキャリヤ150があって
そのレンズ側の面にフォトダイオードチップ151が固
定される。パッケージ141の反対側の端面には、開口
145があって、ここに鍔付き円柱状のフェルール14
6が挿入される。フェルール146にはシングルモード
ファイバ147の先端が差し込まれている。ファイバの
先端部にグレーティング部149が形成される。これに
よって不要な光がパッケージ内部に入らないようにす
る。この場合もグレーティングを形成した部分はパッケ
ージの内部にあってフェルールによって保護されてい
る。その部分が劣化するのを防ぐ。
モジュールに適用]先に説明したものは、1.3μm光
を双方向に、1.55μm光を一方向に用いている。よ
り単純化して1.3μm光は送信のみ、1.55μm光
は受信のみに用いるONUモジュールを想定する。この
場合、従来の方法であれば、分波器によって、1.3μ
mと1.55μmを分離しさらに、1.55μmの受光
素子の前に、1.3μmを除くための多層膜フィルタが
必要とされる。本発明はそのような場合において多層膜
フィルタを省きさらに波長分波器自体をカップラによっ
て置き換えることができる。そのような利点もあるので
ある。
従来例の構成を示す。基地局につながるシングルモード
ファイバは光コネクタ152によってモジュール内の光
ファイバにつながる。これは光ファイバ波長分波器(W
DM)153によって1.3μm光と、1.55μm光
に分離される。この系では1.3μm光は受信には使わ
ないので理想的には1.3μm成分は存在しない。しか
し他のONUモジュールからの信号が混ざることもあ
り、やはり1.3μmと1.55μmを分離しなければ
ならない。ために波長分波器153を用いる。
電気/光変換され光ファイバ157、光コネクタ156
を通り、光ファイバ154から波長分波器153に至
る。波長分波器によって分離された1.55μm光は多
層膜フィルタ159を通り、光コネクタ160を通って
PDモジュール161に入る。ここで受信光信号が電気
信号に変換される。入力ファイバは、1.3μm光をも
含むのでやはり多層膜フィルタ159を必要とするし、
波長分波器も必須である。
用することによって構成をより単純化できる。図14は
本発明を適用したと仮定して系を構成したものである。
入力シングルモードファイバ162は光コネクタ163
を経てONUモジュールに入り、光ファイバカップラ1
64によって単純に2分割される。光カップラ164は
単に送信1.3μm光と受信1.55μm光を一本のフ
ァイバ162によって送信するための工夫にすぎない。
よって光信号に変えられる。これが光ファイバ170を
通り光コネクタ168、光ファイバ166からファイバ
162に出てゆく。
5μm光は光ファイバ167、光コネクタ169を通
り、PDモジュール173に入る。この受光素子モジュ
ール173は本発明のモジュールである。フェルールの
内部の光ファイバには1.3μm光を反射するグレーテ
ィングが設けてある。たとえファイバ162からモジュ
ールに向かう光に1.3μm成分が含まれていたとして
も、波長分波器を使わず、カップラによって受信光を分
離すれば良い。1.3μm光はグレーティングによって
排除され、受光素子チップには入らずノイズを引き起こ
さない。
加することによって、波長分波器と誘電体多層膜フィル
タの両方を省くことができる。光カップラによって波長
分波器を置き換えるのであるが、カップラの方が波長分
波器よりもずっと製造容易で安価である。
適用した場合]図15によって本発明を釣り鐘型の受光
素子に適用した実施例について説明する。光ファイバ1
74の先端にはフェルール175が取り付けられる。フ
ェルールの先端は斜めにカットされる。フェルール17
5は円錐形のハウジング176のボス部に穿孔された通
し孔202に差し込まれる。ハウジング176の広い方
の端面は、円筒形のスリーブ177の上面に固定され
る。
ピン179を有する。マウント180にはフォトダイオ
ードチップ181がボンドされる。フォトダイオード1
81の電極とピン179がワイヤ182によって接続さ
れる。ヘッダ178の上面はさらに窓184を有するキ
ャップ183によって覆われる。窓184はガラスがは
め込んである。チップの空間は窒素ガスによって気密封
止される。
レンズ186が設けられる。フォトダイオードチップを
光らせて、集光レンズ186の上から光を観察し、位置
合わせした後スリーブ177の端面188をA点におい
てYAG溶接する。さらに光ファイバ174の他端に光
パワーメータを設けて、光ファイバに入る光量が最大に
なるようにハウジング176とスリーブ177の位置を
調整し、フェルール175の高さも調整してB点をYA
G溶接する。
って提案されるのは、光ファイバの先端部にグレーティ
ング189を設けたという点である。これによって不要
光を排除することができる。
本発明はDIPパッケージにも勿論利用できる。図16
によって説明する。図16の(a)は断面図、(b)は
背面図、(c)は斜視図である。ハウジング190は、
キャップ200とパッケージ本体201とよりなる。ハ
ウジング190の内部には、レンズホルダ−191があ
り、これによって集光レンズ192が保持されている。
レンズの軸方向の後方にはヘッダ193がある。ヘッダ
193にはフォトダイオードチップ194がダイボンド
されている。
ードピン195はワイヤ196によって電気的に接続さ
れている。フォトダイオードのある方向と反対の位置に
は、光ファイバ197の先端を保持したフェルール19
8が差し込まれている。この光ファイバの先端にもグレ
ーティング199が形成されている。これも一定の波長
の光を反射しフォトダイオードまで到達しないようにす
る働きがある。
ァイバグレーティングフィルタを光ファイバの内部に設
けることにより不要光を排除する。波長分波器に加えて
光ファイバグレーティングフィルタを設けるから、不要
光によるノイズを完全に遮断することができる。
よりもそれ自体において有利な点がある。それはグレー
ティングの長さによって減衰比を簡単に下げることがで
きるということである。実施例で述べたように、1.3
μm光受光用の受光素子に4mmの長さのグレーティン
グを作ると1.55μm光を10-2以下に(−20d
B)減衰させることができる。グレーティングの長さを
8mmにすると10-4(−40dB)以下に減らすこと
ができる。このようにグレーティングの長さを長くすれ
ば減衰比を幾らでも小さくできる。このような性質は波
長によらない。1.55μm光受光用の受光素子に4m
mのグレーティングを作ると減衰比を1/100にする
ことができる。これを8mmにすると減衰比を1/10
000にできる。
ザの強い光を2光束干渉法によって照射するのであるか
ら、露光の範囲を広くする事によって簡単にグレーティ
ングを長くすることができる。これに反して多層膜の減
衰比を減らそうとすると、多層膜の膜数を増やさなくて
はならない。材料、製作時間がそれだけ増え、コストを
さらに押し上げるようになってしまう。
遮断できるので、従来の多層膜フィルタを省く事ができ
る。光ファイバの部分を処理してフィルタにしたのであ
るからフィルタの存在によって体積は全く増えない。多
層膜フィルタの容積分だけ必要空間を減らすことができ
る。多層膜フィルタによる部品コスト、組立コストなど
を削減することができる。ONU光モジュールとしてよ
り小型、安価な装置を提供する事ができる。
モジュールの原理図。
用いるONUモジュールの原理図。(a)が平面図。
(b)がA−B断面図。
用いる光ファイバタイプONUモジュールの原理図。
図。
ルに固定した物の縦断面図。
図。
設けた物の斜視図。
り付けて、FCコネクタから延びるフェルールをモジュ
ールに取り付けるためのFCコネクタ、フェルールの正
面図。
ダミーファイバを固定してあり、ダミーファイバを通っ
て信号光がPDチップに入射するようにした実施例を示
す概略正面図。
素子モジュールに本発明を適用した場合の概略断面図。
信に用いた、より単純なONUモジュールにおいて、フ
ァイバ部品による従来のモジュール構成図。
光素子を利用して構成したONUモジュールの構成図。
用したものの縦断面図。
本発明を適用したものを示す図。(a)が断面図、
(b)が背面図、(c)が斜視図である。
用のグレーティングを形成したものの波長と反射率の関
係を示す反射スペクトル図。
Claims (5)
- 【請求項1】 光信号を電気信号に変換するフォトダイ
オードチップと、電気信号を外部に取り出す手段と、フ
ォトダイオードチップ及び電気信号を外部に取り出す手
段とを支持する手段と、外部から光信号を伝送してくる
光ファイバと、その支持体とよりなる半導体受光素子に
おいて、所望の波長の光を選択的に反射するファイバグ
レーティングフィルタが支持体の内部の光ファイバの一
部に設けられていることを特徴とする半導体受光素子。 - 【請求項2】 ファイバグレーティングフィルタが石英
系シングルモードファイバの一部に形成されていること
を特徴とする請求項1に記載の半導体受光素子。 - 【請求項3】 フォトダイオードチップがInGaAs
或いはInGaAsPの受光層を有することを特徴とす
る請求項1に記載の半導体受光素子。 - 【請求項4】 選択的に反射する光の波長が1.3μm
帯若しくは1.55μm帯であることを特徴とする請求
項2あるいは請求項3に記載の半導体受光素子。 - 【請求項5】 リードピンを有するパッケージと、パッ
ケージの面に固定されたサブマウントと、サブマウント
を介してパッケージに固定され光信号を電気信号に変換
するフォトダイオードチップと、フォトダイオードチッ
プの電極、サブマウントの電極とリードピンを結合する
ワイヤと、光透過窓若しくは集光レンズを持ち不活性ガ
スが充填された状態でパッケージに気密固着されるキャ
ップと、光信号を伝送するシングルモードファイバと、
シングルモードファイバの先端部を保持するフェルール
と、フェルールを保持しパッケージに対して固定される
フェルールホルダ−と、フェルール内部においてシング
ルモードファイバに形成された特定波長の光を反射する
ファイバグレーティングとよりなることを特徴とする半
導体受光素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24375995A JP3591932B2 (ja) | 1995-08-28 | 1995-08-28 | 半導体受光素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24375995A JP3591932B2 (ja) | 1995-08-28 | 1995-08-28 | 半導体受光素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0961678A true JPH0961678A (ja) | 1997-03-07 |
| JP3591932B2 JP3591932B2 (ja) | 2004-11-24 |
Family
ID=17108569
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24375995A Expired - Fee Related JP3591932B2 (ja) | 1995-08-28 | 1995-08-28 | 半導体受光素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
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| JP (1) | JP3591932B2 (ja) |
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1995
- 1995-08-28 JP JP24375995A patent/JP3591932B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| JP3591932B2 (ja) | 2004-11-24 |
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