JPH0961793A - 液晶表示パネル及びその製造方法 - Google Patents

液晶表示パネル及びその製造方法

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JPH0961793A
JPH0961793A JP7216388A JP21638895A JPH0961793A JP H0961793 A JPH0961793 A JP H0961793A JP 7216388 A JP7216388 A JP 7216388A JP 21638895 A JP21638895 A JP 21638895A JP H0961793 A JPH0961793 A JP H0961793A
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JP
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display panel
crystal display
voltage
substrate
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Application number
JP7216388A
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English (en)
Inventor
Shinya Kosako
慎也 古佐小
Hideaki Mochizuki
秀晃 望月
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Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 ラビング処理を施すことなく製造することが
でき、かつ、低駆動電圧、高コントラスト、高速応答、
低ヒステリシスで均一表示が可能な広視野角液晶表示パ
ネルを実現する。 【解決手段】 紫外線硬化性の高分子材料111と正の
誘電率異方性を有するカイラルネマティック液晶材料1
09の混合組成物を一対の電極基板103、104間に
注入し、電極基板103、104間に電圧を印加しなが
ら紫外線を照射する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、一対の電極基板間
に高分子段差又は高分子壁によって分断された液晶ドメ
インが挟持された、ラビング処理の不要な広視野角液晶
表示パネル及びその製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】近年、表示品位の高い画像を得るために
各画素に薄膜トランジスタをスイッチング素子として設
けたアクティブマトリクス方式の液晶表示パネルの開発
が盛んである。この方式は、単純マトリクス方式と比較
して、走査線数が増加しても高いコントラスト比が得ら
れるため、大容量が要求されるエンジニアリング・ワー
クステーション(EWS)や鮮明な画像が要求される映
像分野において急速に採用が進んでいる。
【0003】このようなアクティブマトリクス方式の液
晶表示パネルに広く用いられているのがツイステッドネ
マティック方式である。この方式は、対向する2枚の基
板の間に上下で液晶分子が90°だけ捩じれた構造の液
晶パネルを2枚の偏光板によって挟持したものである。
また、ツイステッドネマティック方式の中には、2枚の
偏光板の偏光軸が互いに直交し、一方の基板の界面にあ
る液晶分子の長軸と同じ側にある偏光板の偏光軸とが平
行又は垂直の関係にあるノーマリホワイトモードと、2
枚の偏光板の偏光軸が互いに平行で、一方の基板の界面
にある液晶分子の長軸と同じ側にある偏光板の偏光軸と
が平行又は垂直の関係にあるノーマリブラックモードと
がある。
【0004】従来、このような液晶表示パネルにおいて
は、液晶分子の配向方向をパネル全面で揃えるために、
液晶表示パネルの基板上にポリイミドなどの高分子有機
薄膜を形成し、ナイロンやポリエステルの布等を用いて
所定の方向に擦る、いわゆるラビング処理が施されてい
た。これにより、パネル全面にわたって単一配向領域
(モノドメイン)が実現されていた。
【0005】しかし、上記のようにラビング処理を施す
と、ラビング時に薄膜トランジスタの静電破壊、発塵又
は膜汚染などが引き起こされる虞れがあるため、ラビン
グ処理プロセスを省くための開発が行われている。例え
ば、フォトリソグラフィー技術を応用することにより、
基板上にマイクログルーブを形成してネマティック液晶
を配向させる方式(川田、高頭、岐津、坂本、長谷川:
第17回液晶討論会予稿集、2F108)などが提案さ
れている。
【0006】さて、液晶表示パネルの用途が拡大し、大
面積、フルカラーが要求されてくると、アクティブマト
リクス方式の液晶表示パネルであっても、視角の狭さが
表示品位を落とす項目として特に最近クローズアップさ
れてきた。
【0007】液晶表示装置において、上下の基板間に電
圧を印加すると、液晶分子は捩じれ構造を解きながら電
界の向きに配列しようとするが、このときの液晶分子の
空間的配列状態によって液晶表示パネルを通過する光の
偏光状態が変化し、透過光が調光される。例えば、ノー
マリホワイトモードでは、電圧無印加時に白表示が実現
され、また十分高い電圧を印加した時に黒表示が実現さ
れることになる。ところで、液晶分子の空間的配列状態
が同じ状態(印加電圧一定)であっても、液晶層に入射
してくる光の入射方向によって光の偏光状態が変化する
ため、パネルの真正面と比較して全ての方向で光の透過
光強度が異なる。さらに、液晶表示パネルの透過光強度
は、2枚のパネル基板間の液晶層の中心を通り基板に平
行な面(ミッドプレーン)に位置する液晶分子の配列に
よって決定され、ミッドプレーンに位置する液晶分子の
長軸の傾斜方向と液晶表示パネルの透過光観察方向との
位置関係によって決定されることになる。
【0008】上記したラビング処理法、フォトリソグラ
フィー法のいずれの液晶配向処理方法でも、ミッドプレ
ーンに位置する液晶分子が電界によって傾斜する方向は
パネル面に対して一定方向であるため、見る角度による
複屈折の差、すなわち通過する光の偏光状態の変化が生
じ、コントラストや色相が見る角度によって大きく変化
するといった視野角の問題があった。
【0009】このため、近年、ツイステッドネマティッ
ク方式の液晶表示パネルについては、視野角の拡大を図
る技術の開発が盛んに行われている。一例として、ツイ
ステッドネマティック方式の液晶表示パネルの画素を2
つの配向状態の異なる領域(ドメイン)に分割して視野
角の拡大を図る方式(T.Takatori,K.Su
miyoshi,Y.Hirai,S.Kaneko:
JAPAN DISPLAY ′92,PP.591,
(1992)など)が提案されている。この方式は、画
素を2分割して、各画素中にミッドプレーンに位置する
液晶分子が電界によって傾斜する方向を2種類存在さ
せ、視角による複屈折の差を互いに補償することによ
り、視野角の拡大を図るものである。
【0010】しかし、上記の方式では、1画素の配向領
域を2分割しなくてはならないために、露光プロセスや
ラビング処理プロセスが増加し、製造工程が複雑になる
といった問題点があった。
【0011】さらに進歩した技術として、ラビング処理
を施さずに、同時に視野角の拡大を図る画期的な方式が
提案されている(Y.Toko,T.Sugiyam
a,K.Katoh,Y.Iimura,S.Koba
yashi:SID 93 DIGEST,PP.62
2,(1993))。これは、「ランダム配向ツイステ
ッドネマティック」と呼ばれている。この方式では、ポ
リイミド配向膜を塗布した基板間に、ラビング処理を施
さずに液晶材料をネマティック−アイソトロピック相転
移温度以上で注入して冷却し、液晶分子をランダムに配
向させて、液晶分子の配向方向が異なる領域(ドメイ
ン)を多数形成することにより、視野角の拡大を図るも
のである。
【0012】以下に、このラビング処理を施さない、ラ
ンダム配向による液晶表示パネルの表示方式について説
明する。図5はラビング処理を施さない、ランダム配向
による液晶表示パネルの無電界時の液晶分子の配向を示
した透視図である。これは、一定の間隙を有して対向す
るポリイミド配向膜が形成された上基板501と下基板
502との間に、自発的にほぼ90°の捩じれ角を有す
るカイラルネマティック液晶をネマティック−アイソト
ロピック相転移温度以上で封入した後、室温まで冷却し
て作製したものである。図5に示されているように、基
板界面の液晶分子は、基板上の各々の液晶ドメイン50
6間ではとり得る方位が全く等確率でランダムである
が、一つの液晶ドメイン506内では上基板501の液
晶分子503と下基板502の液晶分子504は互いに
90°だけ捩じれた構造を有している。
【0013】この液晶表示パネルでは、ミッドプレーン
に位置する液晶分子505は、最初はほぼ水平に配向し
ているが、電圧を印加すると、誘電的自由エネルギーが
小さくなるように(誘電率異方性>0)傾斜していき、
高電圧印加時には垂直方向に立ってくる。ミッドプレー
ンに位置する液晶分子505は、上下の基板501、5
02の厚み方向の中央に位置する液晶分子であるため、
捩じれ角が90°の場合は丁度全捩じれ角度、すなわち
上基板501の液晶分子503と下基板502の液晶分
子504とのなす角度の1/2(45°)だけ捩じれた
位置に存在する。このミッドプレーンに位置する液晶分
子505の電圧印加による傾斜方向が視野角方向を決定
するため、一つの液晶ドメイン506内では視野角方向
は一定であるが、ランダムな配向方位を有するこれらの
液晶ドメイン506が1画素の中に十分多く存在するこ
とにより、巨視的には平均化され、種々の観察方向にお
ける透過率強度はほぼ対称となり、視角依存性がなくな
る。しかし、上記説明から分かるように、もし1画素中
の液晶ドメイン506の数が十分多くない場合、又は各
液晶ドメイン506の配向方位が完全にランダムでない
場合には、完全に補償することができないため、視角依
存性が残存することになる。
【0014】上記問題点を解決し、ラビング処理を施さ
ずに、同時に視野角の拡大を図る方式が提案されている
(特開平6−301015号公報)。この方式では、光
硬化性の高分子材料と液晶材料の混合物を電極基板間に
注入し、両基板に到達する高分子壁とこの高分子壁によ
って包囲された液晶領域を光相分離によって形成するも
のである。この方式では、1つの液晶領域で液晶分子が
同心円状又は放射状に配向しているため、視角補償を完
全に実現することができる。
【0015】
【発明が解決しようとする課題】しかし、光相分離によ
って高分子壁を形成した上記液晶表示パネルでは、基板
界面において液晶分子と基板とのなす角度、すなわちプ
レティルト角が0°であるため、閾値電圧が高くなり、
ヒステリシスが大きく、応答速度が遅いといった問題点
がある。
【0016】本発明は、従来技術における前記課題を解
決するため、閾値電圧が低く、ヒステリシスが小さく、
応答速度が速い液晶表示パネル及びその製造方法を提供
することを目的とする。
【0017】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するた
め、本発明に係る液晶表示パネルの構成は、一対の電極
基板間に、正の誘電率異方性を有するカイラルネマティ
ック液晶材料と高分子壁とが挟持され、少なくとも基板
付近で液晶領域が前記高分子壁によって包囲され、前記
液晶領域の平均直径がセルギャップよりも大きく、か
つ、画素の大きさよりも小さく、前記液晶領域の液晶分
子が基板面内で種々の方位を有し、無電界時に前記液晶
分子が基板に対して傾斜配向しているものである。
【0018】また、前記本発明の液晶表示パネルの構成
においては、液晶領域の捩じれ角がほぼ90゜であるの
が好ましい。また、前記本発明の液晶表示パネルの構成
においては、液晶材料の自発ピッチPと液晶層の厚みd
との比d/Pが0.2〜0.3であるのが好ましい。
【0019】また、前記本発明の液晶表示パネルの構成
においては、液晶材料の複屈折△nと液晶層の厚みdと
の積△n・dが0.3〜0.6μmであるのが好まし
い。また、本発明に係る液晶表示パネルの製造方法の構
成は、一対の電極基板間に、正の誘電率異方性を有する
カイラルネマティック液晶材料と高分子壁とが挟持さ
れ、少なくとも基板付近で液晶領域が前記高分子壁によ
って包囲され、前記液晶領域の平均直径がセルギャップ
よりも大きく、かつ、画素の大きさよりも小さく、前記
液晶領域の液晶分子が基板面内で種々の方位を有し、無
電界時に前記液晶分子が基板に対して傾斜配向している
液晶表示パネルの製造方法であって、紫外線硬化性の高
分子材料と液晶材料の混合組成物を一対の電極基板間に
注入し、前記電極基板間に電圧を印加しながら紫外線を
照射して、前記高分子壁を形成することを特徴とする。
【0020】また、前記本発明の液晶表示パネルの製造
方法の構成においては、電極基板間に印加される電圧が
液晶材料の閾値電圧以上であるのが好ましい。また、前
記本発明の液晶表示パネルの製造方法の構成において
は、電極基板間に印加される電圧の波形がほぼ方形波で
あるのが好ましい。
【0021】また、前記本発明の液晶表示パネルの製造
方法の構成においては、一対の電極基板の一方に能動ス
イッチング素子を形成し、アクティブ駆動させることに
よって電圧を印加するのが好ましい。
【0022】
【発明の実施の形態】前記本発明の液晶表示パネルの構
成によれば、一対の電極基板間に、正の誘電率異方性を
有するカイラルネマティック液晶材料と高分子壁とが挟
持され、少なくとも基板付近で液晶領域が前記高分子壁
によって包囲され、前記液晶領域の平均直径がセルギャ
ップよりも大きく、かつ、画素の大きさよりも小さく、
前記液晶領域の液晶分子が基板面内で種々の方位を有
し、無電界時に前記液晶分子が基板に対して傾斜配向し
ていることにより(プレティルト角の発現)、液晶分子
が小さいエネルギーで電界応答できる。その結果、閾値
電圧が低くなり、応答速度が速くなる。また、ディスク
リネーションの発生によってヒステリシスが生じるが、
プレティルト角の発現によって電圧下降時の液晶配向の
規制力が発生するので、各電圧における電圧下降時の配
向が電圧上昇時の配向と異なることから生ずるヒステリ
シスが大幅に緩和される。
【0023】また、前記本発明の液晶表示パネルの構成
において、液晶領域の捩じれ角がほぼ90゜であるとい
う好ましい例によれば、白く、かつ、明るい液晶表示パ
ネルが得られる。その結果、きれいな白黒表示やカラー
表示が実現される。
【0024】また、前記本発明の液晶表示パネルの構成
において、液晶材料の自発ピッチPと液晶層の厚みdと
の比d/Pが0.2〜0.3であるという好ましい例に
よれば、d/Pと液晶領域の捩じれ角との関係が、捩じ
れ角=d/P×360°であるため、液晶領域の捩じれ
角は72〜108°となり、白く、かつ、明るい液晶表
示パネルが得られる。その結果、きれいな白黒表示やカ
ラー表示が実現される。
【0025】また、前記本発明の液晶表示パネルの構成
において、液晶材料の複屈折△nと液晶層の厚みdとの
積△n・dが0.3〜0.6μmであるという好ましい
例によれば、明るい液晶表示パネルが得られる。
【0026】また、前記本発明の液晶表示パネルの製造
方法の構成によれば、一対の電極基板間に、正の誘電率
異方性を有するカイラルネマティック液晶材料と高分子
壁とが挟持され、少なくとも基板付近で液晶領域が前記
高分子壁によって包囲され、前記液晶領域の平均直径が
セルギャップよりも大きく、かつ、画素の大きさよりも
小さく、前記液晶領域の液晶分子が基板面内で種々の方
位を有し、無電界時に前記液晶分子が基板に対して傾斜
配向している液晶表示パネルの製造方法であって、紫外
線硬化性の高分子材料と液晶材料の混合組成物を一対の
電極基板間に注入し、前記電極基板間に電圧を印加しな
がら紫外線を照射して、前記高分子壁を形成することを
特徴とするため、以下のようにして上記のような作用効
果を奏する液晶表示パネルが得られる。すなわち、紫外
線硬化性の高分子材料と液晶材料の混合組成物を一対の
電極基板間に注入した後、前記電極基板間に電圧を印加
しながら紫外線を照射し、光相分離によって液晶ドロプ
レット(小滴)を成長させていく。この液晶ドロプレッ
トと分離した高分子には界面が存在し、電圧を印加しな
い状態で光相分離を行うと、界面と液晶分子との相互作
用が強いために液晶ドロプレットの基板側の液晶分子は
界面に対してほぼ平行に配向しながら成長していく。し
かし、電圧を印加しながら光相分離を行うと、基板側の
液晶分子は電界に応答し、界面付近の液晶分子は界面と
所定の角度(プレティルト角)を保持しつつ液晶ドロプ
レットが成長を続ける。液晶ドロプレットが成長し、上
下の電極基板に達してもさらに光相分離は続行され、隣
接する液晶ドロプレットが接する直前で反応は完結す
る。光相分離反応が完結した後は、電界を取り除いて
も、液晶ドロプレットと高分子との界面はメモリー効果
のために前記プレティルト角を保持したまま残る。この
ようにプレティルト角が発現すると、液晶分子が小さい
エネルギーで電界応答できるようになるため、閾値電圧
が低くなり、応答速度が速くなる。また、ディスクリネ
ーションの発生によってヒステリシスが生じるが、電圧
下降時の液晶配向の規制力が前記プレティルト角の発現
によって発生するので、各電圧における電圧下降時の配
向が電圧上昇時の配向と異なることから生ずるヒステリ
シスが大幅に緩和される。
【0027】また、前記本発明の液晶表示パネルの製造
方法の構成において、電極基板間に印加される電圧が液
晶材料の閾値電圧以上であるという好ましい例によれ
ば、プレティルト角が容易に発現する。
【0028】また、前記本発明の液晶表示パネルの製造
方法の構成において、電極基板間に印加される電圧の波
形がほぼ方形波であるという好ましい例によれば、光相
分離時に印加する電圧(交流)が容易に得られる。
【0029】また、前記本発明の液晶表示パネルの製造
方法の構成において、一対の電極基板の一方に能動スイ
ッチング素子を形成し、アクティブ駆動させることによ
って電圧を印加するという好ましい例によれば、アクテ
ィブ駆動パネルにおいて表示用として使用する回路をそ
のまま電圧印加用として使用することができる。
【0030】
【実施例】以下、実施例を用いて本発明をさらに具体的
に説明する。図1は本発明に係る液晶表示パネル及びそ
の製造方法の一実施例を示す断面図である。
【0031】まず、インジウム・錫酸化膜からなる透明
電極103、104を設けた一対の透明ガラス基板10
1、102を洗浄した後、これらの透明ガラス基板10
1、102を110℃で30分間乾燥させた。次いで、
ポリイミド樹脂膜RN−747(日産化学社)を200
0回転/分、60秒の条件でスピナー塗布し、200℃
で1時間硬化させた。これにより、透明電極103、1
04の上に有機絶縁膜110が形成された。次いで、両
基板を、5μm径のプラスティック製スペーサ106
(ミクロパール:積水ファイン(株))を介して熱硬化
型のシール材105(ストラクトボンド:三井東圧化学
(株))により液晶注入口を設けた状態で貼り合わせ、
150℃で4時間加熱してシール材105を完全に硬化
させた。これにより、空セルが得られた。
【0032】次に、液晶材料として、セルギャップdに
対して自発捩じれピッチPがd/P=0.25となるよ
うにカイラル材料S−811(メルク社)と正の誘電率
異方向性を有し、かつ、屈折率異方性が0.09のフッ
ソ系ネマティック液晶ZLI−4792(メルク社)と
を混合して生成した正の誘電率異方向性を有するカイラ
ルネマティック液晶材料109を8.20グラム準備
し、紫外線硬化性の高分子材料として、UV重合性材料
PN393(メルク社)を1.80グラム準備し(高分
子−液晶混合材料に対する液晶材料の比は82重量
%)、両者を40℃で十分撹拌することにより、高分子
−液晶の均一な混合溶液を調製した。ここで、液晶材料
の閾値電圧は1.1Vである。
【0033】d/Pと液晶領域の捩じれ角との関係は、
捩じれ角=d/P×360°であるため、上記のように
d/P=0.25の場合、液晶領域の捩じれ角は90°
となる。そして、このように液晶領域の捩じれ角が90
°の場合に、最も白く、かつ、最も明るい液晶表示パネ
ルが得られ、その結果、きれいな白黒表示やカラー表示
が実現される。
【0034】また、上記液晶材料の複屈折△nは0.9
6であり、この液晶材料の複屈折△nと液晶層の厚みd
(=0.5μm)との積△n・dは0.48μmとな
る。このように△n・d=0.48μmのとき、最も明
るい液晶表示パネルが得られる。
【0035】次に、この混合溶液を、40℃のホットプ
レート上で予め加温されている上記空セルに液晶注入口
から注入し、液晶注入口を封止した。次いで、透明電極
103、104に1V、2V、5V及び10Vの方形波
(30Hz)をそれぞれ印加した状態で、UVランプ1
12を用いて、IRカットフィルタ113を通して赤外
線を除去した紫外線を40℃、30mW/cm2 の強度
で200秒間照射した後、電圧の印加を止めた。これに
より、厚みが2μm以下の高分子壁111によって囲ま
れた液晶表示パネルが得られた。ここで、方形波は、波
形発生装置(HP)を用いて発生させた。
【0036】この液晶表示パネルを直交ニコル状態の偏
光顕微鏡を用いて観察したところ、直径10〜30μm
のほぼ円形状の液晶ドメイン(単位液晶セル)が形成さ
れていた。このように液晶ドメインの平均直径は、セル
ギャップd(スペーサ106の径5μmに等しい)より
も大きい。また、液晶ドメインの平均直径は画素の大き
さよりも小さい。また、液晶ドメインの中には、そのほ
ぼ中央に配向欠陥が一つ存在し、そこを中心として4本
の黒帯が放射状に出ていることが観察された。そして、
液晶パネルを固定して偏光子及び検光子を回転させたと
ころ、4本の黒帯は偏光子と同じ方向に同じ角度だけ回
転した。また、各液晶ドメインは高分子壁111によっ
て完全に仕切られているが、この高分子壁111自体は
光を透過させないため、黒枠を形成していた。
【0037】図3は液晶分子の配向を示したものであ
る。図3(a)では、上下基板近傍の液晶分子302、
303及び中央面(ミッドプレーン)304の液晶分子
305は特異点を中心として点対称に配列されている。
また、上基板の液晶分子302と下基板の液晶分子30
3とは互いにカイラル添加量に応じた捩じれ構造をとり
(90°)、ミッドプレーン304の液晶分子305は
全捩じれ角度の1/2だけ捩じれた位置に存在してい
る。一方、図3(b)では、ミッドプレーン309の液
晶分子310が特異点を中心として同心円状に配列され
ている。図3(a)中、301は高分子壁であり、図3
(b)中、306は高分子壁、307、308は上下基
板近傍の液晶分子である。尚、本実施例の系では図3
(b)の液晶分子の配向が主流と考えられる。
【0038】次に、この液晶表示パネルの外側に偏光板
107、108を偏光軸が互いに直交するようにして貼
り付け、パネル輝度−電圧特性を測定した。この場合、
測定方向はパネル正面とし、輝度計BM−8(トプコ
ン)を用いてパネル輝度を測定した。また、最初0Vか
ら8Vまで0.05Vステップで30Hzの方形波を印
加し、その後、8Vから0Vまで−0.05Vステップ
で同様の波形を印加して、駆動電圧、コントラスト比及
びヒステリシスを測定した。
【0039】図4(a)に、光相分離時の印加電圧が1
0Vの場合の20℃における本液晶表示パネルのパネル
輝度−電圧特性を示す。図4(a)中、実線は昇圧時の
特性を示し、破線は降圧時の特性を示す。
【0040】駆動電圧を、(電圧無印加時のパネル輝
度)−(8V印加時のパネル輝度)の相対値を与える電
圧として定義する。この液晶表示パネルの駆動電圧は、
光相分離時の印加電圧に依存し、1V印加のときは、9
0%輝度で1.5V、10%輝度で3.5Vであった。
また、2V印加以上では、駆動電圧は印加電圧と共に減
少し、10V印加のときは、90%輝度で1.2V、1
0%輝度で3.0Vであった。
【0041】コントラスト比=(電圧無印加時のパネル
輝度)/(30Hz、5V印加時のパネル輝度)も同様
に、光相分離時の印加電圧に依存し、1V印加のときは
50であった。また、2V印加以上では、コントラスト
比は印加電圧と共に増加し、10V印加のときは80の
値が得られた。さらに、90%輝度及び10%輝度間の
応答速度を測定したところ、やはり光相分離時の印加電
圧に依存し、1V印加のときは150msであった。ま
た、2V印加以上では、応答速度は印加電圧と共に減少
し、10V印加のときは120msであった。
【0042】ヒステリシスは、((昇圧時の50%輝度
を与える電圧)−(降圧時の50%輝度を与える電
圧))/(昇圧時の50%輝度を与える電圧)によって
定義することができる。この定義に従って本液晶表示パ
ネルのヒステリシスの値を計算したところ、やはり光相
分離時の印加電圧に依存し、1V印加のときは0.10
であった。また、2V印加以上では、ヒステリシスは印
加電圧と共に減少し、10V印加のときは0.04であ
った。
【0043】この液晶表示パネルの透過率を測定したと
ころ、後述する比較例の場合と比較して10%程度暗か
った。このことから、本実施例の液晶表示パネルにおい
ては、プレティルト角(基板界面において液晶分子の長
軸と基板とのなす角度)が発現していると考えられる。
なぜなら、プレティルト角が発現すると、ミッドプレー
ン上の液晶分子のティルト角が傾斜して複屈折が減少
し、透過率が減少するからである。
【0044】<比較例>図2は比較例の液晶表示パネル
及びその製造方法を示す断面図である。上記実施例と同
様にして空セルを作製した。また、上記実施例と同様に
して高分子−液晶の均一な混合溶液を調整した。
【0045】次に、この混合溶液を、40℃のホットプ
レート上で予め加温されている上記空セルに液晶注入口
から注入して、液晶注入口を封止した。次いで、UVラ
ンプ212を用いて、IRカットフィルタ213を通し
て赤外線を除去した紫外線を40℃、30mW/cm2
の強度で200秒間照射した。これにより、厚みが2μ
m以下の高分子壁211によって囲まれた液晶表示パネ
ルが得られた。尚、図2中、201は上ガラス基板、2
02は下ガラス基板、203、204は透明電極、20
5はシール材、206はスペーサ、209はカイラルネ
マティック液晶材料、210は有機絶縁膜である。
【0046】この液晶表示パネルを直交ニコル状態の偏
光顕微鏡を用いて観察したところ、直径10〜30μm
のほぼ円形状の液晶ドメイン(単位液晶セル)が形成さ
れていた。液晶ドメインの中には、そのほぼ中央に配向
欠陥が一つ存在し、そこを中心として4本の黒帯が放射
状に出ていることが観察された。そして、液晶パネルを
固定して偏光子及び検光子を回転させたところ、4本の
黒帯は偏光子と同じ方向に同じ角度だけ回転した。ま
た、各液晶ドメインは高分子壁211によって完全に仕
切られているが、この高分子の壁211自体は光を透過
させないため、黒枠を形成していた。以上の観察結果
は、上記実施例の場合と全く同様である。
【0047】次に、この液晶表示パネルの外側に偏光板
207、208を偏光軸が互いに直交するようにして貼
り付け、パネル輝度−電圧特性を測定した。測定方法は
上記実施例の場合と同様である。また、上記実施例の場
合と同様にして、駆動電圧、コントラスト比及びヒステ
リシスも測定した。
【0048】図4(b)に、20℃におけるこの比較例
の液晶表示パネルのパネル輝度−電圧特性曲線を示す。
図4(b)中、実線は昇圧時の特性を示し、破線は降圧
時の特性を示す。
【0049】駆動電圧は、上記実施例の1V印加時の場
合と同様に、90%輝度で1.5V、10%輝度で3.
5Vであった。また、コントラスト比は、上記実施例の
1V印加時の場合と同様に50であった。また、この比
較例の液晶表示パネルにおいて、90%輝度及び10%
輝度を与える電圧間の応答速度を測定したところ、上記
実施例の1V印加時の場合と同様に150msであっ
た。また、この比較例の液晶表示パネルのヒステリシス
を、上記実施例における定義に従って計算したところ、
0.10であった。
【0050】以上のように、比較例の液晶表示パネルに
比べて、上記実施例の液晶表示パネルの閾値電圧が低
く、応答速度が速く、ヒステリシスが大幅に緩和されて
いるのは、以下の理由によるものと考えられる。すなわ
ち、本実施例の液晶表示パネルにおいては、上記したよ
うにプレティルト角が発現しており、液晶分子が小さい
エネルギーで電界応答できるため、閾値電圧が低くな
り、応答速度が速くなる。また、ディスクリネーシショ
ンの発生によってヒステリシスが生じるが、プレティル
ト角の発現によって電圧降下時の規制力が発生するの
で、各電圧における電圧降下時の配向と異なることから
生ずるヒステリシスが大幅に緩和される。
【0051】尚、上記実施例においては、光相分離時に
印加する電圧の波形として方形波が使用されているが、
必ずしもこれに限定されるものではなく、変形した方形
波や正弦波を使用しても同様の効果が得られる。
【0052】また、上記実施例においては、方形波を発
生させるために波形発生装置(HP)が使用されている
が、必ずしもこれに限定されるものではなく、一対の電
極基板の一方に能動スイッチング素子を形成し、アクテ
ィブ駆動させることによって電圧を印加してもよい。こ
の構成によれば、アクティブ駆動パネルにおいて表示用
として使用する回路をそのまま電圧印加用として使用す
ることができる。
【0053】また、上記実施例においては、プレティル
ト角を付与するために電場が使用されているが、必ずし
もこの構成に限定されるものではなく、磁場によってプ
レティルト角を付与しても同様の効果が得られる。
【0054】また、上記実施例においては、電圧保持率
を向上させるために有機絶縁膜としてポリイミド樹脂膜
RN−747を使用しているが、必ずしもこれに限定さ
れるものではなく、例えば、可溶性ポリイミド樹脂膜A
L−5417(日本合成ゴム社)、UV硬化樹脂PN3
93(メルク社)、ポリウレタンMS5510(三菱重
工社)などを使用しても同様の効果が得られる。
【0055】また、本実施例においては、紫外線硬化性
の高分子材料と液晶材料の混合組成物が、空セルを組み
立てた後に一対の電極基板間に注入されているが、必ず
しもこの順番に限定されるものではない。一方の電極基
板に予め混合組成物を滴下し、その後、2枚の基板を張
り合わせてから紫外線を照射することによって光相分離
を行ってもよい。
【0056】また、本実施例においては、液晶材料の自
発ピッチPと液晶層の厚みdとの比d/Pが0.25の
場合を例に挙げて説明したが、必ずしもこれに限定され
るものではなく、d/Pが0.2〜0.3であれば、白
く、かつ、明るい液晶表示パネルが得られ、きれいな白
黒表示やカラー表示が実現される。
【0057】また、本実施例においては、液晶材料の複
屈折△nと液晶層の厚みdとの積△n・dが0.48μ
mの場合を例に挙げて説明したが、必ずしもこれに限定
されるものではなく、△n・dが0.3〜0.6μmで
あれば、明るい液晶表示パネルが得られる。
【0058】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
ラビング処理が不要で、注入時にネマティック−アイソ
トロピック相転移点以上の高温に加熱しなくても作製す
ることができ、駆動電圧が低く、コントラストが高く、
応答速度が速く、しかもヒステリシスが緩和された液晶
表示パネルが得られる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明に係る液晶表示パネル及びその製造方法
の一実施例を示す断面図である。
【図2】比較例の液晶表示パネル及びその製造方法を示
す断面図である。
【図3】本発明の一実施例及び比較例の液晶表示パネル
の単位液晶セルの液晶分子の配向を示す概念図である。
【図4】(a)は本発明の一実施例の液晶表示パネルに
おけるパネル輝度−電圧特性図、(b)は比較例の液晶
表示パネルにおけるパネル輝度−電圧特性図である。
【図5】ラビング処理を施さない、ランダム配向による
液晶表示パネルの無電界時の液晶分子の配向を示す透視
図である。
【符号の説明】
101 上ガラス基板 102 下ガラス基板 103、104 透明電極 105 シール材 106 スペーサ 107、108 偏光板 109 カイラルネマティック液晶 110 有機絶縁膜 111 高分子壁 112 UVランプ 113 IRカットフィルタ

Claims (8)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 一対の電極基板間に、正の誘電率異方性
    を有するカイラルネマティック液晶材料と高分子壁とが
    挟持され、少なくとも基板付近で液晶領域が前記高分子
    壁によって包囲され、前記液晶領域の平均直径がセルギ
    ャップよりも大きく、かつ、画素の大きさよりも小さ
    く、前記液晶領域の液晶分子が基板面内で種々の方位を
    有し、無電界時に前記液晶分子が基板に対して傾斜配向
    している液晶表示パネル。
  2. 【請求項2】 液晶領域の捩じれ角がほぼ90゜である
    請求項1に記載の液晶表示パネル。
  3. 【請求項3】 液晶材料の自発ピッチPと液晶層の厚み
    dとの比d/Pが0.2〜0.3である請求項1又は2
    に記載の液晶表示パネル。
  4. 【請求項4】 液晶材料の複屈折△nと液晶層の厚みd
    との積△n・dが0.3〜0.6μmである請求項1、
    2又は3に記載の液晶表示パネル。
  5. 【請求項5】 一対の電極基板間に、正の誘電率異方性
    を有するカイラルネマティック液晶材料と高分子壁とが
    挟持され、少なくとも基板付近で液晶領域が前記高分子
    壁によって包囲され、前記液晶領域の平均直径がセルギ
    ャップよりも大きく、かつ、画素の大きさよりも小さ
    く、前記液晶領域の液晶分子が基板面内で種々の方位を
    有し、無電界時に前記液晶分子が基板に対して傾斜配向
    している液晶表示パネルの製造方法であって、紫外線硬
    化性の高分子材料と液晶材料の混合組成物を一対の電極
    基板間に注入し、前記電極基板間に電圧を印加しながら
    紫外線を照射して、前記高分子壁を形成することを特徴
    とする液晶表示パネルの製造方法。
  6. 【請求項6】 電極基板間に印加される電圧が液晶材料
    の閾値電圧以上である請求項5に記載の液晶表示パネル
    の製造方法。
  7. 【請求項7】 電極基板間に印加される電圧の波形がほ
    ぼ方形波である請求項5に記載の液晶表示パネルの製造
    方法。
  8. 【請求項8】 一対の電極基板の一方に能動スイッチン
    グ素子を形成し、アクティブ駆動させることによって電
    圧を印加する請求項5又は6に記載の液晶表示パネルの
    製造方法。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6061107A (en) * 1996-05-10 2000-05-09 Kent State University Bistable polymer dispersed cholesteric liquid crystal displays
TWI485501B (zh) * 2012-04-19 2015-05-21 Innocom Tech Shenzhen Co Ltd 顯示裝置及其製造方法

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