JPH0962006A - ポジ型フォトレジスト組成物 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 露光後のベークによる膜収縮及び現像時の膜
減りが少なく、良好な感度とプロファイル及び高解像力
を有し、更に露光後加熱までの保存中の安定性、即ち保
存中にさらされる可能性の高いアンモニア等の塩基性物
質による影響を受けにくいポジ型トォトレジスト組成
物、及びそれを用いた塗膜を提供する。 【解決手段】 （Ａ）アルカリ可溶性樹脂、（Ｂ）特定
のエノールエーテル基を少なくとも１個有する化合物、
（Ｃ）酸性基を有する化合物、（Ｄ）酸分解性基を有す
る分子量３，０００以下の低分子化合物、（Ｅ）活性光
線または放射線の照射により分解して酸を発生する化合
物、（Ｆ）溶剤を含むことを特徴とするポジ型フォトレ
ジスト組成物並びに前記ポジ型フォトレジスト組成物を
基板に塗布し、加熱乾燥して得られる塗膜。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、平版印刷板やＩＣ
等の半導体製造工程、液晶、サーマルヘッド等の回路基
板の製造、更にその他のフォトファブリケーション工程
に使用されるポジ型フォトレジスト組成物に関するもの
である。

【０００２】

【従来の技術】ポジ型フォトレジスト組成物としては、
一般にアルカリ可溶性樹脂と感光物としてのナフトキノ
ンジアジド化合物とを含む組成物が用いられている。例
えば、「ノボラック型フェノール樹脂／ナフトキノンジ
アジド置換化合物」として米国特許第３，６６６，４７
３号、米国特許第４，１１５，１２８号及び米国特許第
４，１７３，４７０号等に、また最も典型的な組成物と
して「クレゾール−ホルムアルデヒドより成るノボラッ
ク樹脂／トリヒドロキシベンゾフェノン−１，２−ナフ
トキノンジアジドスルホン酸エステル」の例がトンプソ
ン「イントロダクション・トゥー・マイクロリソグラフ
ィー」（L. F. Thompson「Introduction to Microlitho
graphy」)（ＡＣＳ出版、Ｎo.２ １９号、ｐ１１２〜１
２１）に記載されている。このような基本的にノボラッ
ク樹脂とキノンジアジド化合物から成るポジ型フォトレ
ジストは、ノボラック樹脂がプラズマエッチングに対し
て高い耐性を与え、ナフトキノンジアジド化合物は溶解
阻止剤として作用する。そして、ナフトキノンジアジド
は光照射を受けるとカルボン酸を生じることにより溶解
阻止能を失い、ノボラック樹脂のアルカリ溶解度を高め
るという特性を持つ。

【０００３】これまで、かかる観点からノボラック樹脂
とナフトキノンジアジド系感光物を含有する数多くのポ
ジ型フォトレジストが開発、実用化され、０．８μｍ〜
２μｍ程度までの線幅加工に於いては十分な成果をおさ
めてきた。しかし、集積回路はその集積度を益々高めて
おり、超ＬＳＩなどの半導体基板の製造に於いてはハー
フミクロン以下の線幅から成る超微細パターンの加工が
必要とされるようになってきた。この必要な解像力を達
成するためにフォトリソグラフィーに用いられる露光装
置の使用波長はますます短波化し、今では、遠紫外光や
エキシマレーザー光（ＸｅＣｌ、ＫｒＦ、ＡｒＦなど）
が検討されるまでになってきている。従来のノボラック
とナフトキノンジアジド化合物から成るレジストを遠紫
外光やエキシマレーザー光を用いたリソグラフィーのパ
ターン形成に用いると、ノボラック及びナフトキノンジ
アジドの遠紫外領域に於ける吸収が強いために光がレジ
スト底部まで到達しにくくなり、低感度でテーパーのつ
いたパターンしか得られない。

【０００４】このような問題を解決する手段の一つが、
米国特許第４，４９１，６２８号、欧州特許第２４９，
１３９号等に記載されている化学増幅系レジスト組成物
である。化学増幅系ポジ型レジスト組成物は、遠紫外光
などの放射線の照射により露光部に酸を生成させ、この
酸を触媒とする反応によって、活性放射線の照射部と非
照射部の現像液に対する溶解性を変化させパターンを基
板上に形成させるパターン形成材料である。

【０００５】このような例として、光分解により酸を発
生する化合物と、アセタールまたはＯ，Ｎ−アセタール
化合物との組合せ（特開昭４８−８９００３号）、オル
トエステル又はアミドアセタール化合物との組合せ（特
開昭５１−１２０７１４号）、主鎖にアセタール又はケ
タール基を有するポリマーとの組合せ（特開昭５３−１
３３４２９号）、エノールエーテル化合物との組合せ
（特開昭５５−１２９９５号）、Ｎ−アシルイミノ炭酸
化合物との組合せ（特開昭５５−１２６２３６号）、主
鎖にオルトエステル基を有するポリマーとの組合せ（特
開昭５６−１７３４５号）、第３級アルキルエステル化
合物との組合せ（特開昭６０−３６２５号）、シリルエ
ステル化合物との組合せ（特開昭６０−１０２４７
号）、及びシリルエーテル化合物との組合せ（特開昭６
０−３７５４９号、特開昭６０−１２１４４６号）等を
挙げることができる。これらは原理的に量子収率が１を
越えるため、高い感光性を示す。

【０００６】同様に、室温経時下では安定であるが、酸
存在下加熱することにより分解し、アルカリ可溶化する
系として、例えば、特開昭５９−４５４３９号、特開昭
６０−３６２５号、特開昭６２−２２９２４２号、特開
昭６３−２７８２９号、特開昭６３−３６２４０号、特
開昭６３−２５０６４２号、Polym. Eng. Sce., 23巻、
1012頁 (1983); ACS. Sym. 242巻、11頁(1984); Semico
nductor World 1987年、11月号、91頁; Macromolecule
s, 21巻、1475頁（1988）；ＳＰＩＥ，920巻、42頁（19
88）等に記載されている露光により酸を発生する化合物
と、第３級又は第２級炭素（例えばｔ−ブチル、２−シ
クロヘキセニル）のエステル又は炭酸エステル化合物と
の組合せ系が挙げられる。これらの系も高感度を有し、
且つ、ナフトキノンジアジド／ノボラック樹脂系と比べ
て、Ｄeep-ＵＶ領域での吸収が小さいことから、前記の
光源短波長化に有効な系となり得る。しかし、室温経時
下では安定であるが、酸存在下加熱することにより分解
し、アルカリ可溶化する系では、保存安定性には優れる
ものの、露光後の加熱までの経時の影響を受ける（ＰＥ
Ｄ：post exposure delay ）、即ち光分解により発生し
た酸が経時により、環境中のアンモニアガス等の塩基性
物質に汚染され失活することにより、所謂Ｔ−Ｔｏｐ形
状のパターンとなり解像力が低下する問題があった。

【０００７】上記ポジ型化学増幅レジストは、アルカリ
可溶性樹脂、放射線露光によって酸を発生する化合物
（光酸発生剤）、及び酸分解性基を有するアルカリ可溶
性樹脂に対する溶解阻止化合物から成る３成分系と、酸
との反応により分解しアルカリ可溶となる基を有する樹
脂と光酸発生剤からなる２成分系に大別できる。２成分
系の場合、樹脂中の酸分解基の含量が多くなるため、露
光後のベークによりレジスト膜が収縮するという問題が
あつた。一方、３成分系では、アルカリ可溶性樹脂に対
する溶解阻止性が不十分であるため、現像時の膜減りが
大きく、レジストプロファイルを著しく劣化させるとい
う問題があつた。

【０００８】また、エノールエーテル化合物と酸性基、
水酸基を有する線状高分子及び光酸発生剤から成る画像
形成法が知られている（特開平５−１００４２８号、特
開平５−１００４２９号、特開平６−１４８８８９号、
特開平６−２３０５７４号、特開平７−１４０６６２
号、特開平７−１４０６７０号、特開平７−１４６５５
２号、特開平７−１４６５５７号）。しかしながら、こ
の場合には、未露光部と露光部との溶解度差が小さいた
め高解像力のポジ画像形成ができず、更に現像時の膜減
りが大きく、またレジストパターンがテーパー形状とな
り矩形なプロファイルが得られない等の問題があった。

【０００９】

【発明が解決しようとする課題】従って、本発明の目的
は、露光後のベークによる膜収縮及び現像時の膜減りが
少なく、良好な感度とプロファイル及び高解像力を有
し、更に露光後加熱までの保存中の安定性、即ち保存中
にさらされる可能性の高いアンモニア等の塩基性物質に
よる影響を受けにくいポジ型フォトレジスト組成物、及
びそれを用いた塗膜を提供することである。

【００１０】

【課題を解決するための手段】本発明者等は上記諸特性
に留意し、鋭意検討した結果、 （Ａ）アルカリ可溶性樹脂、 （Ｂ）下記一般式（ａ）で示されるエノールエーテル基
を少なくとも１個有する化合物、

【００１１】

【化２】

【００１２】（式（ａ）中、Ｒ₁〜Ｒ₃は、同一もしくは
異なっていても良く水素原子、置換もしくは非置換のア
ルキル基、置換もしくは非置換のシクロアルキル基、置
換もしくは非置換のアリール基を表わし、また、それら
の内の２つが結合して飽和又は不飽和の環を形成しても
よい。） （Ｃ）酸性基を有する化合物 （Ｄ）酸分解性基を有する分子量３，０００以下の低分
子化合物 （Ｅ）活性光線または放射線の照射により分解して酸を
発生する化合物 （Ｆ）溶剤 を含むことを特徴とするポジ型フォトレジスト組成物に
より、上記目的を達成した。

【００１３】上記ポジ型フォトレジスト組成物におい
て、前記成分（Ｂ）および成分（Ｄ）の全固形分に対す
る配合割合が ５（重量％）≦〔Ｂ＋Ｄ〕≦７０（重量％）、かつ ５（重量％）≦１００Ｄ／〔Ｂ＋Ｄ〕≦８０（重量％） の関係式を満足することが好ましい。

【００１４】更に、上記ポジ型フォトレジスト組成物を
基板に塗布し、加熱乾燥させることにより得られる塗膜
によって、より効果的に上記目的を達成することができ
る。

【００１５】本発明は、アルカリ可溶性樹脂、酸分解性
溶解阻止化合物及び光酸発生剤から成る３成分系化学増
幅型レジストに、エノールエーテル基を有する化合物及
び酸性基を有する化合物を用いるものであり、従来公知
の技術とは全く異なる。即ち、驚くべきことに酸分解性
溶解阻止化合物とともに、エノールエーテル基を有する
化合物及び酸性基を有する化合物を用いる事により、極
めて優れた性能（高γ値、高解像力）を示す事を見い出
し本発明を完成するに到った。

【００１６】上記ポジ型フォトレジスト組成物におい
て、前記成分（Ｂ）および成分（Ｄ）の全固形分に対す
る配合割合は、更に好ましくは １０（重量％）≦〔Ｂ＋Ｄ〕≦６５（重量％） １０（重量％）≦１００Ｄ／〔Ｂ＋Ｄ〕≦７０（重量
％） であり、特に好ましくは ２０（重量％）≦〔Ｂ＋Ｄ〕≦６０（重量％） １５（重量％）≦１００Ｄ／〔Ｂ＋Ｄ〕≦６０（重量
％） である。〔Ｂ＋Ｄ〕の割合が５重量％未満では残膜率が
著しく低下し、また７０重量％を超えると感度及び溶剤
への溶解性が低下する。

【００１７】

【発明の実施の形態】以下、本発明を詳細に説明する。
上記成分（Ｂ）のエノールエーテル基含有化合物につい
て説明する。一般式（ａ）のエノールエーテル基におい
て、Ｒ₁、Ｒ₂及びＲ₃がアリール基の場合、一般に４〜
２０個の炭素原子を有し、アルキル基、アリール基、ア
ルコキシ基、アリールオキシ基、アシル基、アシルオキ
シ基、アルキルメルカプト基、アミノアシル基、カルボ
アルコキシ基、ニトロ基、スルホニル基、シアノ基又は
ハロゲン原子により置換されていてよい。Ｒ₁、Ｒ₂及び
Ｒ₃がアルキル基を表す場合には、炭素数１〜２０の飽
和又は不飽和の直鎖、分岐又は脂環のアルキル基を示
し、ハロゲン原子、シアノ基、エステル基、オキシ基、
アルコキシ基、アリールオキシ基又はアリール基により
置換されていてもよい。Ｒ₁、Ｒ₂及びＲ₃がシクロアル
キル基を表す場合には、一般に炭素数３〜１５のシクロ
アルキル基を示し、アルキル基、アリール基、アルコキ
シ基、アリールオキシ基、アシル基、アシルオキシ基、
アルキルメルカプト基、アミノアシル基、カルボアルコ
キシ基、ニトロ基、スルホニル基、シアノ基又はハロゲ
ン原子により置換されていてよい。

【００１８】また、Ｒ₁、Ｒ₂及びＲ₃のいずれか２つが
結合して形成する飽和または不飽和環としては、好まし
くはシクロアルキル基又はシクロアルケニル基であり、
それらは通常３〜８、好ましくは５又は６個の環員を表
す。本発明において、一般式（ａ）で示されるエノール
エーテル基のうち、好ましいのは、Ｒ₁、Ｒ₂及びＲ₃の
うちひとつがメチル基、もしくはエチル基で、残りが水
素原子であるエノールエーテル基、更に好ましいのはＲ
₁、Ｒ₂及びＲ₃がすべて水素であるビニルエーテル基で
ある。本発明では１つ以上のエノールエーテル基を含有
するか好ましくは２個以上のエノールエーテル基を含有
する種々の化合物を使用することができるが、これらは
大気圧下で６０℃以上の沸点を有する化合物である。成
分（Ｂ）の好ましい化合物としては、下記一般式（ｂ）
又は（ｃ）で示すビニルエーテル化合物が挙げられる。

【００１９】

【化３】

【００２０】ここで、Ａはｍ価のアルキル基、アリール
基又はヘテロ環基を示し、Ｂは−ＣＯ−Ｏ−、−ＮＨＣ
ＯＯ−又は−ＮＨＣＯＮＨ−を示し、Ｒ₄は炭素数１〜
１０の直鎖又は分岐のアルキレン基を示し、ｎは０又は
１〜１０の整数、ｍは２〜６の整数を示す。一般式
（ｂ）で示される化合物は例えば、Stephen C. Lapin,
Polymers Paint Colour Journal, 179(4237)、321 (198
8)に記載されている方法、即ち多価アルコールもしくは
多価フェノールとアセチレンとの反応、又は多価アルコ
ールもしくは多価フェノールとハロゲン化アルキルビニ
ルエーテルとの反応により合成することができる。その
具体例としてエチレングリコールジビニルエーテル、ト
リエチレングリコールジビニルエーテル、１，３−ブタ
ンジオールジビニルエーテル、テトラメチレングリコー
ルジビニルエーテル、ネオペンチルグリコールジビニル
エーテル、トリメチロールプロパントリビニルエーテ
ル、トリメチロールエタントリビニルエーテル、ヘキサ
ンジオールジビニルエーテル、１，４−シクロヘキサン
ジオールジビニルエーテル、テトラエチレングリコール
ジビニルエーテル、ペンタエリスリト−ルジビニルエー
テル、ペンタエリスリトールトリビニルエーテル、ペン
タエリスリトールテトラビニルエーテル、ソルビトール
テトラビニルエーテル、ソルビトールペンタビニルエー
テル、エチレングリコールジエチレンビニルエーテル、
トリエチレングリコールジエチレンビニルエーテル、エ
チレングリコールジプロピレンビニルエーテル、トリエ
チレングリコールジエチレンビニルエーテル、トリメチ
ロールプロパントリエチレンビニルエーテル、トリメチ
ロールプロパンジエチレンビニルエーテル、ペンタエリ
スリトールジエチレンビニルエーテル、ペンタエリスリ
トールトリエチレンビニルエーテル、ペンタエリスリト
ールテトラエチレンビニルエ−テル、１，２−ジ（ビニ
ルエーテルメトキシ）ベンゼン、１，２−ジ（ビニルエ
ーテルエトキシ）ベンゼン、並びに以下の一般式（ｂ−
１）〜（ｂ−４２）で示される化合物を挙げることがで
きるが、これに限定されるものではない。

【００２１】

【化４】

【００２２】

【化５】

【００２３】

【化６】

【００２４】

【化７】

【００２５】

【化８】

【００２６】

【化９】

【００２７】

【化１０】

【００２８】

【化１１】

【００２９】

【化１２】

【００３０】

【化１３】

【００３１】一方、一般式（ｃ）（Ｂ＝ＣＯ−Ｏ−の場
合）で示される化合物は多価カルボン酸とハロゲン化ア
ルキルビニルエーテルとの反応により製造することがて
きる。その具体例としてはテレフタル酸ジエチレンビニ
ルエーテル、フタル酸ジエチレンビニルエーテル、イソ
フタル酸ジエチレンビニルエーテル、フタル酸ジプロピ
レンビニルエーテル、テレフタル酸ジプロピレンビニル
エーテル、イソフタル酸ジプロピレンビニルエーテル、
マレイン酸ジエチレンビニルエーテル、フマル酸ジエチ
レンビニルエーテル、イタコン酸ジエチレンビニルエー
テル等を挙げることができるが、これらに限定されるも
のではない。更に本発明において好適に用いられるビニ
ルエーテル化合物としては、下記一般式（ｄ）、（ｅ）
又は（ｆ）等で示される活性水素を有するビニルエーテ
ル化合物とイソシアナート基を有する化合物との反応に
より合成されるビニルエーテル基含有化合物を挙げるこ
とができる。

【００３２】

【化１４】

【００３３】ここで、Ｒ¹は炭素数１〜１０の直鎖又は
分岐のアルキレン基を示す。イソシアナート基を含有す
る化合物としては、例えば架橋剤ハンドブック（大成社
刊、１９８１年発行）に記載の化合物を用いることがで
きる。具体的には、トリフェニルメタントリイソシアナ
ート、ジフェニルメタンジイソシアナート、トリレンジ
イソシアナート、２，４−トリレンジイソシアナートの
二量体、ナフタレン−１，５−ジイソシアナート、ｏ−
トリレンジイソシアナート、ポリメチレンポリフェニル
イソシアナート、ヘキサメチレンジイソシアナート等の
ポリイソシアナート型、トリレンジイソシアナートとト
リメチロールプロパンの付加体、ヘキサメチレンジイソ
シアナートと水との付加体、キシレンジイソシアナート
とトリメチロールプロパンとの付加体等のポリイソシア
ナートアダクト型等を挙げることができる。

【００３４】上記イソシアナート基含有化合物と活性水
素含有ビニルエーテル化合物とを反応させることにより
末端にビニルエーテル基をもつ種々の化合物ができる。
下記に本発明に使用されるビニルエーテル基をもつ化合
物の例を列挙するが、本発明の範囲はこれらに限定され
るものではない。

【００３５】

【化１５】

【００３６】

【化１６】

【００３７】

【化１７】

【００３８】以上述べてきたビニルエーテル基を少なく
とも２個有する化合物は単一で使用できるが、数種の混
合物として使用してもよい。本発明の（Ｂ）成分である
エノールエーテル基を有する化合物は、本発明を構成す
る成分中の水酸基及び／又は酸成分と熱的に反応しアセ
タール結合もしくはアセタール結合に基づく架橋構造を
作る作用を示す。化学増幅型レジストに用いられる酸分
解性化合物（酸分解性溶解阻止剤）には、光分解により
発生した酸により室温下で分解するものと、室温経時下
では安定であるが、酸存在下、加熱することにより分解
するものがある。前者は、比較的不安定である為、レジ
スト液保存時の安定性が悪いという問題があった。一
方、後者には保存安定性に優れるものの、露光後の加熱
までの経時の影響を受ける（ＰＥＤ：post exposure de
lay)、即ち光分解により発生した酸が経時により環境中
の塩基性物質に汚染され失活することにより、いわゆる
Ｔ−Ｔop形状のパターンとなり解像力が低下する問題が
あることが知られている。

【００３９】本発明は、かかる問題点を一挙に解決する
ものである。本発明においては安定な酸分解性化合物を
使用し、これにエノールエーテル基を有する化合物を導
入することでＰＥＤの影響を抑制することができた。こ
れは、エノールエーテル基と水酸基及び／又は酸性基が
反応し、アセタール構造を形成した為と思われるが、こ
のアセタール構造は、塗布後の加熱により初めて形成さ
れる為、レジスト液の状態での保存性の問題点は発生し
ない。

【００４０】（Ｃ）成分として添加する酸性基を有する
化合物は、エノールエーテル基との反応性を、またエノ
ールエーテル基と水酸基が反応する際の触媒作用をも有
するが、同時に環境中の塩基性物質からの汚染を抑制す
る効果（ＰＥＤの影響を抑制）を兼ね備えている。更に
本発明の最大の効果は、酸分解性化合物（溶解阻止化合
物）とエノールエーテル基を有する化合物を併用するこ
とによりそれぞれ単独では得られない極めて優れた性能
（高γ、高解像力）を示す所にある。本発明の（Ｃ）成
分である酸性基を有する化合物は、カルボン酸基、スル
ホン酸基、リン酸基、スルホンアミド基等を有する低分
子の化合物及び高分子化合物が挙げられる。低分子化合
物としては、分子中にカルボン酸基、スルホン酸基、リ
ン酸基、スルホンアミド基等を有する分子量２，０００
以下の脂肪族化合物、芳香族化合物、脂環式化合物及び
ヘテロ環式化合物を挙げることができる。これらの内、
好ましいものとして以下の化合物を例示することができ
るが、これらに限定されるものではない。

【００４１】

【化１８】

【００４２】

【化１９】

【００４３】

【化２０】

【００４４】

【化２１】

【００４５】これらの内で更に好ましいものとしては、
（ｈ−１）、（ｈ−３）、（ｈ−５）、（ｈ−６）、
（ｈ−８）、（ｈ−１０）、（ｈ−１１）、（ｈ−１
３）、（ｈ−１４）、（ｈ−１６）、（ｈ−１７）、
（ｈ−１８）、（ｈ−１９）、（ｈ−２０）、（ｈ−２
２）、（ｈ−２３）、（ｈ−３０）及び（ｈ−３６）を
挙げることができる。また、特に好ましいものとして
は、（ｈ−３）、（ｈ−６）、（ｈ−１４）、（ｈ−１
９）、（ｈ−２２）及び（ｈ−２３）を挙げることがで
きる。更に本発明の効果を特に発揮し最も優れた性能を
発現するものとしては（ｈ−２２）及び（ｈ−２３）を
挙げることができる。

【００４６】本発明の（Ｃ）成分である酸性基を有する
高分子化合物は、一般に高分子化合物を得る公知の方法
により合成できるが、例えば、酸成分、好ましくはカル
ボン酸基、スルホン酸基、リン酸基、スルホンアミド基
等を有するビニルモノマーを重合させるか、あるいは酸
成分を有するビニルモノマーと他のビニルモノマーを共
重合させる方法がある。また、酸性基、好ましくはカル
ボン酸基、スルホン酸基、リン酸基、スルホンアミド基
等を有するビニルモノマーと水酸基を有するビニルモノ
マーとを共重合することによっても得ることができる。
必要に応じて、更に他のビニルモノマーを共重合させて
も良い。酸性分を含有するビニルモノマーとしては、例
えばアクリル酸、メタクリル酸、マレイン酸、イタコン
酸、クロトン酸、イソクロトン酸、ｐ−ビニル安息香
酸、ｐ−ビニルベンゼンスルホン酸、ｐ−ビニル桂皮
酸、マレイン酸モノメチルエーテル、マレイン酸モノエ
チルエーテル等が挙げられる。

【００４７】水酸基を含有するビニルモノマーとして
は、例えば２−ヒドロキシエチルアクリレート、２−ヒ
ドロキシエチルメタクリレート、ｐ−２−ヒドロキシエ
チルスチレン、Ｎ−（２−ヒドロキシエチル）マレイミ
ド、ｐ−ヒドロキシスチレン、Ｎ−（４−ヒドロキシフ
ェニル）メタクリルアミド等が挙げられる。上記モノマ
ーと共重合可能な他のモノマーとしては、例えばアクリ
ロニトリル、アクリルアミド、メタクリルアミド、メチ
ルアクリレート、エチルアクリレート、プロピルアクリ
レート、ブチルアクリレート、メチルメタクリレート、
エチルメタクリレート、プロピルメタクリレート、ブチ
ルメタクリレート、スチレン、ベンジルアクリレート、
ベンジルメタクリレート、ビニルベンゾエート、塩化ビ
ニル、ビニリデンクロライド、酢酸ビニル、Ｎ−（４−
スルファモイルフェニル）メタクリルアミド、Ｎ−フェ
ニルホスホニルメタクリルアミド、ブタジエン、クロロ
プレン、イソプレン等を挙げることができる。酸性分を
含有するビニルモノマーと、水酸基を含有するビニルモ
ノマーと、他の共重合可能なモノマーの好ましい共重合
比としては、重量％で、５〜８０：２〜８０：０〜９７
の範囲である。

【００４８】これらの高分子化合物は単一で使用できる
が、数種の混合物として使用してもよい。高分子化合物
の分子量は、一般に２，０００〜１，０００，０００、
好ましくは２，５００〜２００，０００である。また、
本発明に使用される高分子化合物としては、上記の様に
一つの高分子鎖に酸性基と水酸基とをもつものが好まし
いが、特定の現像溶媒では、同様の効果を酸性基を有す
る高分子化合物と水酸基を有する高分子化合物との混合
物において得ることもできる。また、本発明において
は、（Ｃ）成分が酸性基を有する高分子化合物かあるい
は酸性基及び水酸基を有する高分子化合物である場合
は、（Ａ）成分であるアルカリ可溶性樹脂を使用しなく
ても良い。本発明の（Ｃ）成分が低分子化合物である場
合、（Ｃ）成分の添加量は、一般に感光性組成物の全固
形分に対して１〜５５重量％、好ましくは１．５〜３０
重量％の範囲である。一方、（Ｃ）成分が高分子化合物
である場合、（Ｃ）成分の添加量は、一般に感光性組成
物の全固形分に対して３〜９０重量％、好ましくは５〜
７０重量％である。

【００４９】本発明の（Ｄ）成分である酸分解性基を有
する分子量３，０００以下の低分子化合物はその構造中
に酸で分解し得る基を少なくとも２個有し、該酸分解性
基間の距離が最も離れた位置において、酸分解性基を除
く結合原子を少なくとも１０個、好ましくは少なくとも
１１個、更に好ましくは少なくとも１２個経由する化合
物、又は酸分解性基を少なくとも３個有し、該酸分解性
基間の距離が最も離れた位置において、酸分解性基を除
く結合原子を少なくとも９個、好ましくは少なくとも１
０個、更に好ましくは少なくとも１１個経由する化合物
が好ましい。又、上記結合原子の好ましい上限は５０
個、更に好ましくは３０個である。本発明において、酸
分解性溶解阻止化合物が、酸分解性基を３個以上、好ま
しくは４個以上有する場合、又酸分解性基を２個有する
ものにおいても、該酸分解性基が互いにある一定の距離
以上離れている場合、アルカリ可溶性樹脂に対する溶解
阻止性が著しく向上する。なお、本発明における酸分解
性基間の距離は、酸分解性基を除く、経由結合原子数で
示される。例えば、以下の化合物（１），（２）の場
合、酸分解性基間の距離は、各々結合原子４個であり、
化合物（３）では結合原子１２個である。

【００５０】

【化２２】

【００５１】また、本発明の酸分解性溶解阻止化合物
は、１つのベンゼン環上に複数個の酸分解性基を有して
いても良いが、好ましくは、１つのベンゼン環上に１個
の酸分解性基を有する骨格から構成される化合物であ
る。更に、本発明の酸分解性溶解阻止化合物の分子量は
３，０００以下であり、好ましくは５００〜３，００
０、更に好ましくは１，０００〜２，５００である。

【００５２】本発明の好ましい実施態様においては、酸
により分解し得る基−ＣＯＯ−Ａ⁰，−Ｏ−Ｂ⁰基を含む
基としては、−Ｒ⁰−ＣＯＯ−Ａ⁰、又は−Ａｒ−Ｏ−Ｂ
⁰で示される基が挙げられる。ここでＡ⁰は、−Ｃ
（Ｒ⁰¹)(Ｒ⁰²)(Ｒ⁰³）、−Ｓｉ（Ｒ⁰¹)(Ｒ⁰²)(Ｒ⁰³）も
しくは−Ｃ（Ｒ⁰⁴)(Ｒ⁰⁵）−Ｏ−Ｒ⁰⁶基を示す。Ｂ
⁰は、Ａ⁰又は−ＣＯ−Ｏ−Ａ⁰基を示す。Ｒ⁰¹、Ｒ⁰²、
Ｒ⁰³、Ｒ⁰⁴及びＲ⁰⁵は、それぞれ同一でも相異していて
も良く、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、ア
ルケニル基もしくはアリール基を示し、Ｒ⁰⁶はアルキル
基もしくはアリール基を示す。但し、Ｒ⁰¹〜Ｒ⁰³の内少
なくとも２つは水素原子以外の基であり、又、Ｒ⁰¹〜Ｒ
⁰³、及びＲ⁰⁴〜Ｒ⁰⁶の内の２つの基が結合して環を形成
してもよい。Ｒ⁰は置換基を有していても良い２価以上
の脂肪族もしくは芳香族炭化水素基を示し、−Ａｒ−は
単環もしくは多環の置換基を有していても良い２価以上
の芳香族基を示す。

【００５３】ここで、アルキル基としてはメチル基、エ
チル基、プロピル基、ｎ−ブチル基、ｓｅｃ−ブチル
基、ｔ−ブチル基の様な炭素数１〜４個のものが好まし
く、シクロアルキル基としてはシクロプロピル基、シク
ロブチル基、シクロヘキシル基、アダマンチル基の様な
炭素数３〜１０個のものが好ましく、アルケニル基とし
てはビニル基、プロペニル基、アリル基、ブテニル基の
様な炭素数２〜４個のものが好ましく、アリール基とし
てはフェニル基、キシリル基、トルイル基、クメニル
基、ナフチル基、アントラセニル基の様な炭素数６〜１
４個のものが好ましい。また、置換基としては水酸基、
ハロゲン原子（フッ素、塩素、臭素、ヨウ素）、ニトロ
基、シアノ基、上記のアルキル基、メトキシ基・エトキ
シ基・ヒドロキシエトキシ基・プロポキシ基・ヒドロキ
シプロポキシ基・ｎ−ブトキシ基・イソブトキシ基・ｓ
ｅｃ−ブトキシ基・ｔ−ブトキシ基等のアルコキシ基、
メトキシカルボニル基・エトキシカルボニル基等のアル
コキシカルボニル基、ベンジル基・フェネチル基・クミ
ル基等のアラルキル基、アラルキルオキシ基、ホルミル
基・アセチル基・ブチリル基・ベンゾイル基・シアナミ
ル基・バレリル基等のアシル基、ブチリルオキシ基等の
アシロキシ基、上記のアルケニル基、ビニルオキシ基・
プロペニルオキシ基・アリルオキシ基・ブテニルオキシ
基等のアルケニルオキシ基、上記のアリール基、フェノ
キシ基等のアリールオキシ基、ベンゾイルオキシ基等の
アリールオキシカルボニル基を挙げることができる。

【００５４】好ましくは、シリルエーテル基、クミルエ
ステル基、アセタール基、テトラヒドロピラニルエーテ
ル基、第３級のアルキルエーテル基、第３級のアルキル
エステル基、第３級のアルキルカーボネート基等であ
る。更に好ましくは、第３級アルキルエステル基、第３
級アルキルカーボネート基、クミルエステル基、テトラ
ヒドロピラニルエーテル基である。

【００５５】好ましくは、特開平１−２８９９４６号、
特開平１−２８９９４７号、特開平２−２５６０号、特
開平３−１２８９５９号、特開平３−１５８８５５号、
特開平３−１７９３５３号、特開平３−１９１３５１
号、特開平３−２００２５１号、特開平３−２００２５
２号、特開平３−２００２５３号、特開平３−２００２
５４号、特開平３−２００２５５号、特開平３−２５９
１４９号、特開平３−２７９９５８号、特開平３−２７
９９５９号、特開平４−１６５０号、特開平４−１６５
１号、特開平４−１１２６０号、特開平４−１２３５６
号、特開平４−１２３５７号、特願平３−３３２２９
号、特願平３−２３０７９０号、特願平３−３２０４３
８号、特願平４−２５１５７号、特願平４−５２７３２
号、特願平４−１０３２１５号、特願平４−１０４５４
２号、特願平４−１０７８８５号、特願平４−１０７８
８９号、同４−１５２１９５号等の明細書に記載された
ポリヒドロキシ化合物のフェノール性ＯＨ基の一部もし
くは全部を上に示した基、−Ｒ ⁰−ＣＯＯ−Ａ⁰もしくは
Ｂ⁰基で結合し、保護した化合物が含まれる。

【００５６】更に好ましくは、特開平１−２８９９４６
号、特開平３−１２８９５９号、特開平３−１５８８５
５号、特開平３−１７９３５３号、特開平３−２００２
５１号、特開平３−２００２５２号、特開平３−２００
２５５号、特開平３−２５９１４９号、特開平３−２７
９９５８号、特開平４−１６５０号、特開平４−１１２
６０号、特開平４−１２３５６号、特開平４−１２３５
７号、特願平４−２５１５７号、特願平４−１０３２１
５号、特願平４−１０４５４２号、特願平４−１０７８
８５号、特願平４−１０７８８９号、同４−１５２１９
５号の明細書に記載されたポリヒドロキシ化合物を用い
たものが挙げられる。

【００５７】好ましい化合物骨格の具体例を以下に示す
が、本発明は、これらに限定されるものではない。

【００５８】

【化２３】

【００５９】

【化２４】

【００６０】

【化２５】

【００６１】

【化２６】

【００６２】

【化２７】

【００６３】

【化２８】

【００６４】

【化２９】

【００６５】

【化３０】

【００６６】

【化３１】

【００６７】

【化３２】

【００６８】

【化３３】

【００６９】

【化３４】

【００７０】

【化３５】

【００７１】

【化３６】

【００７２】

【化３７】

【００７３】

【化３８】

【００７４】

【化３９】

【００７５】

【化４０】

【００７６】

【化４１】

【００７７】化合物（１）〜（６３）中のＲは、水素原
子、

【００７８】

【化４２】

【００７９】を表す。但し、少なくとも２個、もしくは
構造により３個は水素原子以外の基であり、各置換基Ｒ
は同一の基でなくても良い。

【００８０】本発明に用いられるアルカリ可溶性樹脂と
しては、例えばノボラック樹脂、水素化ノボラック樹
脂、アセトン−ピロガロール樹脂、ポリヒドロキシスチ
レン、ヒドロキシスチレン−スチレン共重合体、ハロゲ
ンもしくはアルキル置換ポリヒドロキシスチレン、ヒド
ロキシスチレン−Ｎ−置換マレイミド共重合体、ポリヒ
ドロキシスチレンの一部Ｏ−アルキル化物もしくはＯ−
アシル化物、スチレン−無水マレイン酸共重合体、カル
ボキシル基含有メタクリル系樹脂及びその誘導体を挙げ
ることができる。また、これらの樹脂に含有するフェノ
ール性水酸基の一部もしくは全てを酸分解性基で置換し
た樹脂を用いることもできる。しかし本発明はこれらに
限定されるものではない。特に好ましいアルカリ可溶性
樹脂はノボラック樹脂及びポリヒドロキシスチレンであ
る。該ノボラック樹脂は所定のモノマーを主成分とし
て、酸性触媒の存在下、アルデヒド類と付加縮合させる
ことにより得られる。

【００８１】所定のモノマーとしては、フェノール、ｍ
−クレゾール、ｐ−クレゾール、ｏ−クレゾール等のク
レゾール類、２，５−キシレノール、３，５−キシレノ
ール、３，４−キシレノール、２，３−キシレノール等
のキシレノール類、ｍ−エチルフェノール、ｐ−エチル
フェノール、ｏ−エチルフェノール、ｐ−ｔ−ブチルフ
ェノール、ｐ−オクチルフェノール、２，３，５−トリ
メチルフェノール等のアルキルフェノール類、ｐ−メト
キシフェノール、ｍ−メトキシフェノール、３，５−ジ
メトキシフェノール、２−メトキシ−４−メチルフェノ
ール、ｍ−エトキシフェノール、ｐ−エトキシフェノー
ル、ｍ−プロポキシフェノール、ｐ−プロポキシフェノ
ール、ｍ−ブトキシフェノール、ｐ−ブトキシフェノー
ル等のアルコキシフェノール類、２−メチル−４−イソ
プロピルフェノール等のビスアルキルフェノール類、ｍ
−クロロフェノール、ｐ−クロロフェノール、ｏ−クロ
ロフェノール、ジヒドロキシビフェニル、ビスフェノー
ルＡ、フェニルフェノール、レゾルシノール、ナフトー
ル等のヒドロキシ芳香化合物を単独もしくは２種類以上
混合して使用することができるが、これらに限定される
ものではない。

【００８２】アルデヒド類としては、例えばホルムアル
デヒド、パラホルムアルデヒド、アセトアルデヒド、プ
ロピルアルデヒド、ベンズアルデヒド、フェニルアセト
アルデヒド、α−フェニルプロピルアルデヒド、β−フ
ェニルプロピルアルデヒド、ｏ−ヒドロキシベンズアル
デヒド、ｍ−ヒドロキシベンズアルデヒド、ｐ−ヒドロ
キシベンズアルデヒド、ｏ−クロロベンズアルテヒド、
ｍ−クロロベンズアルデヒド、ｐ−クロロベンズアルデ
ヒド、ｏ−ニトロベンズアルデヒド、ｍ−ニトロベンズ
アルデヒド、ｐ−ニトロベンズアルデヒド、ｏ−メチル
ベンズアルデヒド、ｍ−メチルベンズアルデヒド、ｐ−
メチルベンズアルデヒド、ｐ−エチルベンズアルデヒ
ド、ｐ−ｎ−ブチルベンズアルデヒド、フルフラール、
クロロアセトアルデヒド及びこれらのアセタール体、例
えばクロロアセトアルデヒドジエチルアセタール等を使
用することができるが、これらの中で、ホルムアルデヒ
ドを使用するのが好ましい。これらのアルデヒド類は、
単独でもしくは２種類以上組み合わせて用いられる。酸
性触媒としては塩酸、硫酸、ギ酸、酢酸、シュウ酸等を
使用することができる。

【００８３】こうして得られたノボラック樹脂の重量平
均分子量は、１，０００〜３０，０００の範囲であるこ
とが好ましい。１，０００未満では未露光部の現像後の
膜減りが大きく、３０，０００を越えると現像速度が小
さくなってしまう。特に好適なのは２，０００〜２０，
０００の範囲である。ここで、重量平均分子量はゲルパ
ーミエーションクロマトグラフィーのポリスチレン換算
値をもって定義される。

【００８４】本発明に於けるこれらのアルカリ可溶性樹
脂は２種類以上混合して使用しても良い。

【００８５】本発明で使用される活性光線または放射線
の照射により分解して酸を発生する化合物（光酸発生
剤）としては、光カチオン重合の光開始剤、光ラジカル
重合の光開始剤、色素類の光消色剤、光変色剤、あるい
はマイクロレジスト等に使用されている公知の光により
酸を発生する化合物およびそれらの混合物を適宜に選択
して使用することができる。たとえばS.I.Schlesinger,
Photogr. Sci. Eng., 18, 387(1974)、T.S.Bal etal,
Polymer, 21, 423(1980)等に記載のジアゾニウム塩、米
国特許第4,069,055号、同4,069,056号、同Re 27,992
号、特願平3-140,140号等に記載のアンモニウム塩、D.
C.Necker etal, Macromolecules, 17, 2468(1984)、C.
S.Wen etal, Teh, Proc. Conf. Rad. Curing ASIA, p47
8 Tokyo, Oct(1988)、米国特許第4,069,055号、同4,06
9,056号等に記載のホスホニウム塩、J.V.Crivello eta
1, Macromorecules, 10(6), 1307(1977)、Chem. & Eng.
News, Nov. 28, p31 (1988)、欧州特許第104,143号、
米国特許第339,049号、同第410,201号、特開平2-150,84
8号、特開平2-296,514号等に記載のヨードニウム塩、J.
V.Crivello etal, Polymer J.17, 73 (1985)、J.V.Criv
ello etal. J. Org. Chem. 43, 3055 (1978)、W.R.Watt
etal, J. Polymer Sci., Polymer Chem. Ed., 22, 178
9(1984)、J.V.Crivello etal, Poiymer Bull., 14, 279
(1985)、J.V.Crivello etal, Macromorecules,14(5), 1
141(1981)、J.V.Crivello etal, J. Polymer Sci., Pol
ymer Chem. Ed., 17, 2877(1979)、欧州特許第370,693
号、同3,902,114号、同233,567号、同297,443号、同29
7,442号、米国特許第4,933,377号、同161,811号、同41
0,201号、同339,049号、同4,760,013号、同4,734,444
号、同2,833,827号、独国特許第2,904,626号、同3,604,
580号、同3,604,581号等に記載のスルホニウム塩、J.V.
Crivello etal, Macromorecules, 10(6), 1307(1977)、
J.V.Crivello etal, J. Polymer Sci., Po1ymer Chem.
Ed., 17, 1047(1979)等に記載のセレノニウム塩、C.S.W
en eta1, Teh, Proc. Conf. Rad. Curing ASIA, p 478
Tokyo, Oct(1988)等に記載のアルソニウム塩等のオニウ
ム塩、米国特許第3,905,815号、特公昭46-4605号、特開
昭48-36281号、特開昭55-32070号、特開昭60-239736
号、特開昭61-169835号、特開昭61-169837号、特開昭62
-58241号、特開昭62-212401号、特開昭63-70243号、特
開昭63-298339号等に記載の有機ハロゲン化合物、K.Mei
er etal, J.Rad. Curing, 13(4), 26(1986)、T.P.Gill
eta1, Inorg. Chem., 19, 3007(1980)、D.Astruc, Acc.
Chem. Res., 19(12), 377(1896)、特開平2-161445号等
に記載の有機金属／有機ハロゲン化物、S.Hayase etal,
J. Polymer Sci., 25, 753(1987)、E.Reichmanis eta
l, J. Polymer Sci., Polymer Chem, Ed., 23, 1(198
5)、Q.Q.Zhu etal, J. Photochem., 36, 85, 39, 317(1
987)、B.Amit etal, Tetrahedron Lett., (24)2205(197
3)、D.H.R.Barton etal, J. Chem Soc., 3571(1965)、
P.M.Collins etal, J. Chem. Soc., Perkin I, 1695(19
75)、M. Rudinsteinetal, Tetrahedron Lett., (17), 1
445(1975)、J.W.Walker etal, J. Am. Chem. Soc., 11
0, 7170(1988)、S.C.Busman etal, J. Imaging Techno
l, 11(4), 191(1985)、H.M.Houlihan etal, Macormolec
ules, 21, 2001(1988)、P.M.Collins etal, J. Chem. S
oc., Chem. Commun., 532(1972)、S.Hayase etal, Macr
omolecules, 18, 1799(1985)、E.Reichmanis etal, J.
Electrochem. Soc., Solid State Sci. Technol., 130
(6)、F.M.Houlihan etal, Macromolcules, 21, 2001(19
88)、欧州特許第0290,750号、同046,083号、同156,535
号、同271,851号、同0,388,343号、米国特許第3,901,71
0号、同4,181,531号、特開昭60-198538号、特開昭53-13
3022号等に記載のｏ−ニトロベンジル型保護基を有する
光酸発生剤、M.TUNOOKA etal, Polymer Preprints Japa
n, 35(8)、G.Berner etal, J. Rad. Curing,13(4)、W.
J.Mijs etal, Coating Technol, 55(697), 45(1983), A
kzo、H.Adachietal, Polymer Preprints, Japan, 37
(3)、欧州特許第0199,672号、同84515号、同199,672
号、同044,115号、同0101,122号、米国特許第618,564
号、同4,371,605号、同4,431,774号、特開昭64-18143
号、特開平2-245756号、特願平3-140109号等に記載のイ
ミノスルフォネート等に代表される光分解してスルホン
酸を発生する化合物、特開昭61-166544号等に記載のジ
スルホン化合物を挙げることができる。

【００８６】また、これらの光により酸を発生する基、
あるいは化合物をポリマーの主鎖または側鎖に導入した
化合物、たとえば、M.E.Woodhouse etal, J. Am. Chem.
Soc., 104, 5586(1982)、S.P.Pappas etal, J. Imagin
g Sci., 30(5), 218(1986)、S.Kondo etal, Makromol.
Chem., Rapid Commun., 9, 625(1988)、Y.Yamada etal,
Makromol. Chem., 152, 153, 163(1972)、J.V.Crivell
o etal, J. Polymer Sci., Polymer Chem. Ed., 17, 38
45(1979)、米国特許第3,849,137号、独国特許第391440
7、特開昭63-26653号、特開昭55-164824号、特開昭62-6
9263号、特開昭63-146038号、特開昭63-163452号、特開
昭62-153853号、特開昭63-146029号等に記載の化合物を
用いることができる。

【００８７】さらにV.N.R.Pillai, Synthesis, (1), I
(1980)、A.Abad etal, TetrahedronLett., (47) 4555(1
971)、D.H.R.Barton etal, J. Chem. Soc., (C)329(197
0)、米国特許第3,779,778号、欧州特許第126,712号等に
記載の光により酸を発生する化合物も使用することがで
きる。

【００８８】上記活性光線または放射線の照射により分
解して酸を発生する化合物の中で、特に有効に用いられ
るものについて以下に説明する。 （１）トリハロメチル基が置換した下記一般式（ＰＡＧ
１）で表されるオキサゾール誘導体または−般式（ＰＡ
Ｇ２）で表されるＳ−トリアジン誘導体。

【００８９】

【化４３】

【００９０】式中、Ｒ¹は置換もしくは未置換のアリー
ル基、アルケニル基、Ｒ²は置換もしくは未置換のアリ
ール基、アルケニル基、アルキル基、−ＣＹ₃をしめ
す。Ｙは塩素原子または臭素原子を示す。具体的には以
下の化合物を挙げることができるがこれらに限定される
ものではない。

【００９１】

【化４４】

【００９２】

【化４５】

【００９３】

【化４６】

【００９４】（２）下記の一般式（ＰＡＧ３）で表され
るヨードニウム塩、または一般式（ＰＡＧ４）で表され
るスルホニウム塩。

【００９５】

【化４７】

【００９６】ここで式Ａｒ¹、Ａｒ²は各々独立に置換も
しくは未置換のアリール基を示す。好ましい置換基とし
ては、アルキル基、ハロアルキル基、シクロアルキル
基、アリール基、アルコキシ基、ニトロ基、カルボキシ
ル基、アルコキシカルボニル基、ヒロドキシ基、メルカ
プト基およびハロゲン原子が挙げられる。

【００９７】Ｒ³、Ｒ⁴、Ｒ⁵は各々独立に、置換もしく
は未置換のアルキル基、アリール基を示す。好ましくは
炭素数６〜１４のアリール基、炭素数１〜８のアルキル
基およびそれらの置換誘導体である。好ましい置換基と
しては、アリール基に対しては炭素数１〜８のアルコキ
シ基、炭素数１〜８のアルキル基、ニトロ基、カルボキ
シル基、ヒロドキシ基およびハロゲン原子であり、アル
キル基に対しては炭素数１〜８のアルコキシ基、カルボ
キシル基、アルコシキカルボニル基である。

【００９８】Ｚ^-は対アニオンを示し、例えばＢＦ₄ ^-、
ＡｓＦ₆ ^-、ＰＦ₆ ^-、ＳｂＦ₆ ^-、ＳｉＦ₆ ^2-、ＣｌＯ₄ ^-、
ＣＦ₃ＳＯ₃ ^-等のパーフルオロアルカンスルホン酸アニ
オン、ペンタフルオロベンゼンスルホン酸アニオン、ナ
フタレン−１−スルホン酸アニオン等の縮合多核芳香族
スルホン酸アニオン、アントラキノンスルホン酸アニオ
ン、スルホン酸基含有染料等を挙げることができるがこ
れらに限定されるものではない。

【００９９】またＲ³、Ｒ⁴、Ｒ⁵のうちの２つおよびＡ
ｒ¹、Ａｒ²はそれぞれの単結合または置換基を介して結
合してもよい。

【０１００】具体例としては以下に示す化合物が挙げら
れるが、これらに限定されるものではない。

【０１０１】

【化４８】

【０１０２】

【化４９】

【０１０３】

【化５０】

【０１０４】

【化５１】

【０１０５】

【化５２】

【０１０６】

【化５３】

【０１０７】

【化５４】

【０１０８】

【化５５】

【０１０９】

【化５６】

【０１１０】

【化５７】

【０１１１】

【化５８】

【０１１２】

【化５９】

【０１１３】一般式（ＰＡＧ３）、（ＰＡＧ４）で示さ
れる上記オニウム塩は公知であり、たとえばJ.W.Knapcz
yk etal, J. Am. Chem. Soc., 91, 145(1969)、A.L.May
coketal, J. Org. Chem., 35, 2532(1970)、E.Goethas
etal, Bull. Soc. Chem. Belg., 73, 546(1964)、H.M.L
eicester、J. Ame. Chem. Soc., 51, 3587(1929)、J.V.
Crivello etal, J. Polym. Chem. Ed., 18, 2677(198
0)、米国特許第2,807,648号および同4,247,473号、特開
昭53-101331号等に記載の方法により合成することがで
きる。

【０１１４】（３）下記一般式（ＰＡＧ５）で表される
ジスルホン誘導体または一般式（ＰＡＧ６）で表される
イミノスルホネート誘導体。

【０１１５】

【化６０】

【０１１６】式中Ａｒ³、Ａｒ⁴は各々独立に置換もしく
は未置換のアリール基を示す。Ｒ⁶は置換もしくは未置
換のアルキル基、アリール基を示す。Ａは置換もしくは
未置換のアルキレン基、アルケニレン基、アリーレン基
を示す。具体例としては以下に示す化合物が挙げられる
が、これらに限定されるものではない。

【０１１７】

【化６１】

【０１１８】

【化６２】

【０１１９】

【化６３】

【０１２０】

【化６４】

【０１２１】

【化６５】

【０１２２】これらの活性光線または放射線の照射によ
り分解して酸を発生する化合物の添加量は、感光性組成
物の全重量（塗布溶媒を除く）を基準として通常０．０
０１〜４０重量％の範囲で用いられ、好ましくは０．０
１〜２０重量％、更に好ましくは０．１〜５重量％の範
囲で使用される。

【０１２３】本発明の組成物には必要に応じて、更に染
料、顔料、可塑剤、界面活性剤、光増感剤及び現像液に
対する溶解性を促進させるフェノール性ＯＨ基を２個以
上有する化合物などを含有させることができる。好適な
染料としては油性染料及び塩基性染料がある。具体的に
はオイルイエロー♯１０１、オイルイエロー♯１０３、
オイルピンク♯３１２、オイルグリーンＢＧ、オイルブ
ルーＢＯＳ、オイルブルー♯６０３、オイルブラックＢ
Ｙ、オイルブラックＢＳ、オイルブラックＴ−５０５
（以上オリエント化学工業株式会社製）、クリスタルバ
イオレット（ＣＩ４２５５５）、メチルバイオレット
（ＣＩ４２５３５）、ローダミンＢ（ＣＩ４５１７０
Ｂ）、マラカイトグリーン（ＣＩ４２０００）、メチレ
ンブルー（ＣＩ５２０１５）等を挙げることができる。

【０１２４】さらに、下記に挙げるような分光増感剤を
添加し、使用する光酸発生剤が吸収を持たない遠紫外よ
り長波長領域に増感させることで、本発明の組成物をｉ
またはｇ線に感度を持たせることができる。好適な分光
増感剤としては、具体的にはベンゾフェノン、ｐ，ｐ′
−テトラメチルジアミノベンゾフェノン、ｐ，ｐ′−テ
トラエチルエチルアミノベンゾフェノン、２−クロロチ
オキサントン、アントロン、９−エトキシアントラセ
ン、アントラセン、ピレン、ペリレン、フェノチアジ
ン、べンジル、アクリジンオレンジ、ベンゾフラビン、
セトフラビン−Ｔ、９，１０−ジフェニルアントラセ
ン、９−フルオレノン、アセトフェノン、フェナントレ
ン、２−ニトロフルオレン、５−ニトロアセナフテン、
ベンゾキノン、２−クロロ−４−ニトロアニリン、Ｎ−
アセチル−ｐ−ニトロアニリン、ｐ−ニトロアニリン、
Ｎ−アセチル−４−ニトロ−１−ナフチルアミン、ピク
ラミド、アントラキノン、２−エチルアントラキノン、
２−ｔｅｒｔ−ブチルアントラキノン、１，２−ベンズ
アンスラキノン、３−メチル−１，３−ジアザ−１，９
−ベンズアンスロン、ジベンザルアセトン、１，２−ナ
フトキノン、３，３′−カルボニル−ビス（５，７−ジ
メトキシカルボニルクマリン）及びコロネン等であるが
これらに限定されるものではない。

【０１２５】本発明の組成物は、上記各成分を溶解する
溶剤に溶かして支持体上に塗布する。ここで使用する溶
剤としては、エチレンジクロライド、シクロヘキサノ
ン、シクロペンタノン、２−ヘプタノン、γ−ブチロラ
クトン、メチルエチルケトン、エチレングリコールモノ
メチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテ
ル、２−メトキシエチルアセテート、エチレングリコー
ルモノエチルエーテルアセテート、プロピレングリコー
ルモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノメチ
ルエーテルアセテート、トルエン、酢酸エチル、乳酸メ
チル、乳酸エチル、メトキシプロピオン酸メチル、エト
キシプロピオン酸エチル、ピルビン酸メチル、ピルビン
酸エチル、ピルビン酸プロピル、Ｎ，Ｎ−ジメチルホル
ムアミド、ジメチルスルホキシド、Ｎ−メチルピロリド
ン、テトラヒドロフラン等が好ましく、これらの溶媒を
単独あるいは混合して使用する。上記溶剤に溶解させる
全固形分の濃度としては、一般的に１０重量％〜５０重
量％である。

【０１２６】上記溶媒に界面活性剤を加えることもでき
る。具体的には、ポリオキシエチレンラウリルエーテ
ル、ポリオキシエチレンステアリルエーテル、ボリオキ
シエチレンセチルエーテル、ポリオキシエチレンオレイ
ルエーテル等のポリオキシエチレンアルキルエーテル
類、ポリオキシエチレンオクチルフェノールエーテル、
ポリオキシエチレンノニルフェノールエーテル等のポリ
オキシエチレンアルキルアリルエーテル類、ポリオキシ
エチレン・ポリオキシプロピレンブロックコポリマ−
類、ソルビタンモノラウレート、ソルビタンモノパルミ
テート、ソルビタンモノステアレート、ソルビタンモノ
オレエート、ソルビタントリオレエート、ソルビタント
リステアレート等のソルビタン脂肪酸エステル類、ポリ
オキシエチレンソルビタンモノラウレート、ポリオキシ
エチレンソルビタンモノパルミテート、ポリオキシエチ
レンソルビタンモノステアレート、ポリオキシエチレン
ソルビタントリオレエート、ポリオキシエチレンソルビ
タントリステアレート等のポリオキシエチレンソルビタ
ン脂肪酸エステル類等のノニオン系界面活性剤、エフト
ップＥＦ３０１，ＥＦ３０３，ＥＦ３５２（新秋田化成
（株）製）、メガファックＦ１７１，Ｆ１７３（大日本
インキ（株）製）、フロラードＦＣ４３０，ＦＣ４３１
（住友スリーエム（株）製）、アサヒガードＡＧ７１
０，サーフロンＳ−３８２，ＳＣ１０１，ＳＣ１０２，
ＳＣ１０３，ＳＣ１０４，ＳＣ１０５，ＳＣ１０６（旭
硝子（株）製）等のフッ素系界面活性剤、オルガノシロ
キサンポリマーＫＰ３４１（信越化学工業（株）製）や
アクリル酸系もしくはメタクリル酸系（共）重合ポリフ
ローＮo.７５，Ｎo.９５（共栄社油脂化学工業（株）
製）等を挙げることができる。これらの界面活性剤の配
合量は、本発明の組成物中の固形分１００重量部当た
り、通常、２重量部以下、好ましくは１重量部以下であ
る。これらの界面活性剤は単独で添加してもよいし、ま
た、いくつかの組み合わせで添加することもできる。

【０１２７】本発明の組成物を精密集積回路素子の製造
に使用されるような基板（例：シリコン／二酸化シリコ
ン被覆）上にスピナー、コーター等の適当な塗布方法に
より塗布し、加熱乾燥させることにより得られる塗膜
は、上記のように優れた性能を有する。ここで、加熱条
件としては、８０〜１６０℃、好ましくは１００℃〜１
４０℃である。上記塗膜形成後、所定のマスクを通して
露光し、ベークを行い現像することにより良好なレジス
トパターンを得ることができる。

【０１２８】本発明の感光性組成物の現像液としては、
水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、炭酸ナトリウム、
ケイ酸ナトリウム、メタケイ酸ナトリウム、アンモニア
水等の無機アルカリ類、エチルアミン、ｎ−プロピルア
ミン等の第一アミン類、ジエチルアミン、ジ−ｎ−ブチ
ルアミン等の第二アミン類、トリエチルアミン、メチル
ジエチルアミン等の第三アミン類、ジメチルエタノール
アミン、トリエタノールアミン等のアルコールアミン
類、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド、テトラエ
チルアンモニウムヒドロキシド等の第四級アンモニウム
塩、ピロール、ピペリジン等の環状アミン類等のアルカ
リ性水溶液を使用することができる。更に、上記アルカ
リ性水溶液にアルコール類、界面活性剤を適当量添加し
て使用することもできる。

【０１２９】

【実施例】以下、本発明を実施例により更に詳細に説明
するが、本発明の内容がこれにより限定されるものでは
ない。 合成例（１） 化合物（ｂ−１１）の合成 １リットルの三口フラスコにビスフェノール−Ａ１０
７．２ｇ（０．４７mol)とナトリウムメチラート（２８
％メタノール溶液）１９９．１ｇ（１．０３mol)を加
え、そこヘメタノール３００mlを添加し室温にて１時間
撹拌した。反応液からメタノールを減圧留去し、乾固さ
せた。ヨウ化テトラエチルアンモニウム４ｇ、ヨウ化カ
リウム２ｇ、ＰＥＧ−３００ ２ｇをそれぞれ添加し、
さらにクロロエチルビニルエーテル２５６ｇを加えて、
加熱還流下４８時間撹拌した。反応液に酢酸エチルとシ
リカゲルを加え撹拌した後濾過、ついで減圧下酢酸エチ
ルとクロロエチルビニルエーテルを留去し、ビスフェノ
ール−Ａ−ジビニルエーテル化合物を白色粉末として１
２０ｇ（収率７０％）で得た。構造は、¹ＨＮＭＲにて
ジビニルエーテルであることを確認した。

【０１３０】合成例（２） 化合物（ｂ−４２）の合成 １リツトルの三口フラスコにα，α′、α″−トリス
（４−ヒドロキシフェニル）−１，３，５−トリイソプ
ロピルベンゼン１２７．３ｇ（０．３mol)とナトリウム
メチラート（２８％メタノール溶液）１９９ｇ（１．０
３mol)を加え、そこへメタノール３００mlを添加し室温
にて１時間撹拌した。反応液からメタノールを減圧留去
し、乾固させた。ヨウ化テトラエチルアンモニウム４
ｇ、ヨウ化カリウム２ｇ、ＰＥＧ−３００ ２ｇをそれ
ぞれ添加し、さらにクロロエチルビニルエーテル３５０
ｇを加えて、加熱還流下４８時間撹拌した。反応液に酢
酸エチルとシリカゲルを加え撹拌した後濾過、ついで減
圧下酢酸エチルとクロロエチルビニルエーテルを留去
し、α，α′，α″−トリス（４−ヒドロキシフェニ
ル）−１，３，５−トリイソプロピルベンゼン−トリビ
ニルエーテル化合物を黄色油状物として１４２ｇ（収率
７５％）で得た。構造は、¹ＨＮＭＲにてトリビニルエ
ーテルであることを確認した。

【０１３１】合成例（３） 化合物（Ｄ１）の合成 下記化合物（Ｄ１′）２０ｇをテトラヒドロフラン４０
０mlに溶解した。この溶液に窒素雰囲気下でｔｅｒｔ−
ブトキシカリウム１４ｇを加え、室温にて１０分間撹拌
後、ジ−ｔｅｒｔ−ブチルジカーボネート２９．２ｇを
加えた。室温下、３時間反応させ、反応液を氷水に注
ぎ、生成物を酢酸エチルで抽出した。酢酸エチル層を更
に水洗浄し、乾燥させた後溶媒を留去した。得られた結
晶性の固体を再結晶後（ジエチルエーテル）、乾燥さ
せ、化合物例（３１：Ｒは全てｔ−ブトキシカルボニル
基（ｔ−ＢＯＣ基））２５．６ｇを得た。

【０１３２】

【化６６】

【０１３３】合成例（４） 化合物（Ｄ２）の合成 上記化合物（Ｄ１′）２０ｇをジエチルエーテル４００
mlに溶解した。この溶液に窒素雰囲気下で３，４−ジヒ
ドロ−２Ｈ−ピラン３１．６ｇ、触媒量の塩酸を加え、
リフラックス下２４時間反応させた。反応終了後、少量
の水酸化ナトリウムを加え濾過した。濾液の溶媒を留去
し、得られた生成物をカラムクロマトグラフィーで精製
し、乾燥させ、化合物例（３１：Ｒは総てテトラヒドロ
ピラニル基（ＴＨＰ基））を得た。

【０１３４】合成例（５） 化合物（Ｄ３）の合成 上記化合物（Ｄ１′）１９．２ｇ（０．０４０モル）の
Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド１２０ml溶媒に、炭酸カ
リウム２１．２ｇ（０．１５モル）、更にブロモ酢酸ｔ
−ブチル２７．１ｇ（０．１４モル）を添加し、１２０
℃にて７時間撹拌した。その後反応混合物を水１．５リ
ットルに投入し、酢酸エチルにて抽出した。硫酸マグネ
シウムにて乾燥後、抽出液を濃縮し、カラムクロマトグ
ラフィー（担体：シリカゲル、展開溶媒：酢酸エチル／
ｎ−へキサン＝３／７（体積比）））にて精製した結果
淡黄色粘稠固体３０ｇを得た。ＮＭＲにより、これが化
合物例（３１：Ｒは総て−ＣＨ₂ＣＯＯＣ₄Ｈ₉ ^t基）であ
ることを確認した。

【０１３５】合成例（６） 化合物（Ｄ４）の合成 下記化合物（Ｄ４′）４２．４ｇ（０．１０モル）を
Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド３００mlに溶解し、これ
に炭酸カリウム４９．５ｇ（０．３５モル）、及びブロ
モ酢酸クミルエステル８４．８ｇ（０．３３モル）を添
加した。その後、１２０℃にて７時間撹拌した。反応混
合物をイオン交換水２リットルに投入し、酢酸エチルに
て抽出した。酢酸エチル抽出液を濃縮し、合成例（５）
と同様に精製し、化合物例（１８：Ｒは総て−ＣＨ₂Ｃ
ＯＯＣ（ＣＨ₃)₂Ｃ₆Ｈ₅基）７０ｇを得た。

【０１３６】

【化６７】

【０１３７】合成例（７） 化合物（Ｄ５）の合成 下記化合物（Ｄ５′）１４．３ｇ（０．２０モル）を
Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド１２０ml溶液に、炭酸カ
リウム２１．２ｇ（０．１５モル）、更にブロモ酢酸ｔ
−ブチル２７．１ｇ（０．１４モル）を添加し、１２０
℃にて７時間撹拌した。その後、反応混合物を水１．５
リットルに投入し、酢酸エチルにて抽出した。硫酸マグ
ネシウムにて乾燥後、抽出液を濃縮し、カラムクロマト
グラフィー（担体：シリカゲル、展開溶媒：酢酸エチル
／ｎ−ヘキサン＝２／８（体積比））にて精製した結
果、淡黄色粉体２４ｇを得た。ＮＭＲにより、これが化
合物例（６２：Ｒは総て−ＣＨ₂ＣＯＯ−Ｃ₄Ｈ₉ ^t基）で
あることを確認した。

【０１３８】

【化６８】

【０１３９】合成例（８） 化合物（Ｄ６）の合成 上記化合物（Ｄ１′）２０ｇ（０．００４２モル）をテ
トラヒドロフラン（ＴＨＦ）４００mlに溶解した。この
溶液に窒素雰囲気下でｔ−ブトキシカリウム９．３ｇ
（０．０８３モル）を加え、室温にて１０分間撹拌後、
ジ−ｔ−ブチルジカーボネート１９．５ｇ（０．０８７
モル）を加えた。室温下、３時間反応させ、反応液を氷
水に注ぎ、生成物を酢酸エチルで抽出した。酢酸エチル
抽出液を濃縮し、カラムクロマトグラフィー（担体：シ
リカゲル、展開溶媒：酢酸エチル／ｎ−ヘキサン＝１／
５（体積比））にて分別精製した結果、化合物例（３
１：２個のＲはｔ−ＢＯＣ基、１個のＲは水素原子）７
ｇを得た。

【０１４０】合成例（９） 化合物（Ｄ７）の合成 上記化合物（Ｄ１′）４８．１ｇ（０．１０モル）をジ
メチルアセトアミド３００mlに溶解し、これに炭酸カリ
ウム２２．１ｇ（０．１６モル）、及びブロモ酢酸ｔ−
ブチル４２．９ｇ（０．２２モル）を添加した。その
後、１２０℃にて５時間撹拌した。反応混合物をイオン
交換水２リットルに投入し、酢酸にて中和した後、酢酸
エチル抽出した。酢酸エチル抽出液を濃縮し、カラムク
ロマトグラフィー（担体：シリカゲル、展開溶媒：酢酸
エチル／ｎ−ヘキサン＝１／５（体積比））にて分別精
製した結果、化合物例（３１：２個のＲは−ＣＨ₂ＣＯ
Ｏ−Ｃ₄Ｈ₉ ^t基、１個のＲは水素原子）１０ｇを得た。

【０１４１】合成例（１０） 化合物（Ｄ８）の合成 下記化合物（Ｄ８′）４４ｇ（０．１０モル）をＮ，Ｎ
−ジメチルアセトアミド３００mlに溶解し、これに炭酸
カリウム７０．２ｇ（０．４９７モル）、及びブロモ酢
酸ｔ−ブチル８９．８ｇ（０．４６４モル）を添加し
た。その後、１２０℃にて７時間撹拌した。その後、反
応混合物を水１．５リットルに投入し、酢酸エチルにて
抽出した。硫酸マグネシウムにて乾燥後、抽出液を濃縮
し、カラムクロマトグラフィー（担体：シリカゲル、展
開溶媒：酢酸エチル／ｎ−へキサン＝２／８（体積
比））にて精製した結果、淡黄色粉体１３５ｇを得た。
ＮＭＲにより、これが化合物例（６０：Ｒは総て−ＣＨ
₂ＣＯＯ−Ｃ₄Ｈ₉ ^t基）であることを確認した。

【０１４２】

【化６９】

【０１４３】〔ノボラック樹脂の合成例〕ｍ−クレゾー
ル４５ｇ、ｐ−クレゾール５５ｇ、３７％ホルマリン水
溶液４８ｇ及びシュウ酸０．１３ｇを３つ口フラスコに
仕込み、撹拌しながら１００℃まで昇温し１５時間反応
させた。その後温度を２００℃まで上げ、徐々に５mmHg
まで減圧して、水、未反応のモノマー、ホルムアルデヒ
ド、シュウ酸等を除去した。次いで溶融したアルカリ可
溶ノボラック樹脂（ＮＯＶ．３）を室温に戻して回収し
た。得られたノボラック樹脂（ＮＯＶ．３）は重量平均
分子量６８００（ポリスチレン換算）であった。

【０１４４】同様にして、モノマー組成を変えた以下の
ノボラック樹脂を合成した。 ＮＯＶ．１ ｍ−クレゾール／ｐ−クレゾール＝６５／３５ Ｍｗ＝１３，０００ ＮＯＶ．２ ｍ−クレゾール／ｐ−クレゾール＝５５／４５ Ｍｗ＝８，５００ ＮＯＶ．４ ｍ−クレゾール／ｐ−クレゾール／３，５−キシレノール ＝２０／５５／２８ Ｍｗ＝５，０００ ＮＯＶ．５ ｍ−クレゾール／２，３，５−トリメチルフェノール ＝５０／６３ Ｍｗ＝５，５００

【０１４５】上記で得られたノボラック樹脂（ＮＯＶ．
３）２０ｇをメタノール６０ｇに完全に溶解した後、こ
れに水３０ｇを撹拌しながら徐々に加えて樹脂分を沈澱
させた。上層をデカンテーションにより除去して沈澱し
た樹脂分を回収し、４０℃に加熱して減圧下で２４時間
乾燥させてアルカリ可溶性ノボラック樹脂（ＮＯＶ．
６）を得た。重量平均分子量は８，５００（ポリスチレ
ン換算）であった。

【０１４６】ｍ−クレゾール８０ｇ、ｐ−クレゾール２
０ｇ、３７％ホルマリン水溶液５１ｇを３つ口フラスコ
に仕込み、１１０℃の油浴で加熱しながら良く撹拌し、
酢酸亜鉛二水和物を２．４ｇ加えて５時間加熱撹拌を行
った。次いで、同じクレゾール混合物１００ｇとホルマ
リン水溶液４９ｇを続けて同じフラスコに仕込み更に加
熱撹拌を１時間継続した後、温度を８０℃に下げシュウ
酸０．２ｇを添加した。再び、油浴の温度を１１０℃に
保ち、還流状態で１５時間反応させた。その後内容物を
１％の塩酸を含む水にあけエチルセルソルブアセテート
で反応生成物を抽出した。次いでこれを真空蒸留器に移
し、温度を２００℃に上げ脱水し、更に２〜３mmHgの減
圧下で２時間蒸留を行って残留モノマーを除いた。フラ
スコから溶融ポリマーを回収し、目的のノボラック樹脂
（ＮＯＶ．７，Ｍｗ＝７，７００）を得た。

【０１４７】実施例１〜１０ 上記合成例で示した本発明の化合物を用いレジストを調
製した。そのときの処方を表−１に示す。

【０１４８】〔感光性組成物の調製と評価〕表−１に示
す各素材をジグライム２３ｇに溶解し、０．２μｍのフ
ィルターで濾過してレジスト溶液を作成した。このレジ
スト溶液を、３０００ｒｐｍの回転数のスピンコーター
を利用して、シリコンウエハー上に塗布し、１３０℃６
０秒間真空吸着型のホットプレートで乾燥して、膜厚
１．０μｍのレジスト膜を得た。このレジスト膜に、２
４８nmＫｒＦエキシマレーザーステッパー（ＮＡ＝０．
４５）を用いて露光を行った。露光後９０℃の真空吸着
型ホットプレートで６０秒間加熱を行い、ただちに２．
３８％テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド
（ＴＭＡＨ）水溶液で６０秒間浸漬し、３０秒間水でリ
ンスして乾燥した。このようにして得られたシリコンウ
エハー上のパターンを走査型電子顕微鏡で観察し、レジ
ストのプロファイルを評価した。レジストの形状は、
０．４０μｍのレジストパターン断面におけるレジスト
壁面とシリコンウエハーの平面のなす角（θ）で表し
た。その結果を表−１に示す。

【０１４９】感度は０．６０μｍのマスクパターンを再
現する露光量の逆数をもって定義し、比較例１の感度の
相対値で示した。膜収縮は露光部の露光、ベーク前後の
膜厚の比の百分率で表した。現像による膜減り（％）は
未露光部の現像前後の膜厚の比の百分率で表した。解像
力は０．６０μｍのマスクパターンを再現する露光量に
おける限界解像力を表す。但し、該解像力として、露光
後直ちに加熱、現像した場合の解像力と、０．１ｐｐｍ
のアンモニア濃度雰囲気下に３０分放置し、加熱、現像
した場合の解像力を表す。ここで、０．１ｐｐｍのアン
モニア濃度雰囲気下に放置する方法としては、図１に示
すアンモニアガス濃度調整装置を用いた。図１は、主と
してガス混合室１と試料室２からなる。まずガス混合室
１にアンモニアガスタンク３と窒素ガスタンク４から、
アンモニアガスと窒素ガスをマスフローメーター５で、
アンモニアガス濃度が０．１ｐｐｍになるように流量を
調節しつつ導入する。ガス混合室１内に導入された各々
のガスは、攪拌手段により攪拌されて均一にした。ま
た、上記で得られた種々の感光性組成物が塗布された基
板を試料室２に入れ、真空になるよう吸引した。その試
料室２に濃度が均一に０．１ｐｐｍになったアンモニア
ガスを入れて、３０分間放置した。

【０１５０】

【表１】

【０１５１】表−１の結果から本発明のレジストは、露
光後のベークによる膜収縮および現像による膜減りも少
なく、良好な感度とプロファイルおよび高い解像力を有
していることがわかる。

【０１５２】

【発明の効果】本発明の化学増幅型のポジ型フォトレジ
スト組成物及びそれを用いた塗膜は、露光後のベークに
よる 膜収縮及び現像後の膜減りが少なく、良好な感度
とプロファイルおよび高解像力を有し、更に露光後加熱
までの保存中の安定性、即ち保存中にさらされる可能性
の高いアンモニア等の塩基性物質による影響を受けにく
い。

【図面の簡単な説明】

【図１】 アンモニアガス濃度調整装置を示す概略図で
ある。

【符号の説明】

１ ガス混合室 ２ 試料室 ３ アンモニアガスタンク ４ 窒素ガスタンク ５ マスフローメーター

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】（Ａ）アルカリ可溶性樹脂、 （Ｂ）下記一般式（ａ）で示されるエノールエーテル基
   を少なくとも１個有する化合物、 【化１】 （式（ａ）中、Ｒ₁〜Ｒ₃は、同一もしくは異なっていて
   も良く水素原子、置換もしくは非置換のアルキル基、置
   換もしくは非置換のシクロアルキル基、置換もしくは非
   置換のアリール基を表わし、また、それらの内の２つが
   結合して飽和又は不飽和の環を形成してもよい。） （Ｃ）酸性基を有する化合物 （Ｄ）酸分解性基を有する分子量３，０００以下の低分
   子化合物 （Ｅ）活性光線または放射線の照射により分解して酸を
   発生する化合物 （Ｆ）溶剤 を含むことを特徴とするポジ型フォトレジスト組成物。
2. 【請求項２】 前記成分（Ｂ）および成分（Ｄ）の全固
   形分に対する配合割合が ５（重量％）≦〔Ｂ＋Ｄ〕≦７０（重量％）、かつ ５（重量％）≦１００Ｄ／〔Ｂ＋Ｄ〕≦８０（重量％） の関係式を満足することを特徴とする請求項１に記載の
   ポジ型フォトレジスト組成物。
3. 【請求項３】 請求項１に記載のポジ型フォトレジスト
   組成物を基板に塗布し、加熱乾燥させることにより得ら
   れる塗膜。