JPH0963103A - 光学ピックアップ - Google Patents
光学ピックアップInfo
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- JPH0963103A JPH0963103A JP7236214A JP23621495A JPH0963103A JP H0963103 A JPH0963103 A JP H0963103A JP 7236214 A JP7236214 A JP 7236214A JP 23621495 A JP23621495 A JP 23621495A JP H0963103 A JPH0963103 A JP H0963103A
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- JP
- Japan
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- light
- optical
- objective lens
- optical pickup
- optical disc
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 基板の厚みの異なる光ディスクであっても、
光ディスクの記録再生が正しく行われるようにするこ
と。 【解決手段】 光ビームを出射する光源11と、上記光
源から出射された光ビームを回転駆動される光ディスク
の信号記録面上に集光するように照射する対物レンズ1
3と、上記光源と対物レンズの間に配設されたビームス
プリッタ12と、ビームスプリッタで分離された光ディ
スクの信号記録面からの戻り光ビームを受光する光検出
器14とを含み、さらに、光源と光ディスクとの間の光
路中に配設され、ディスクの基板の厚みに応じて印加さ
れる電流または電圧により光の透過率が変更可能な可変
開口手段15を備える。
光ディスクの記録再生が正しく行われるようにするこ
と。 【解決手段】 光ビームを出射する光源11と、上記光
源から出射された光ビームを回転駆動される光ディスク
の信号記録面上に集光するように照射する対物レンズ1
3と、上記光源と対物レンズの間に配設されたビームス
プリッタ12と、ビームスプリッタで分離された光ディ
スクの信号記録面からの戻り光ビームを受光する光検出
器14とを含み、さらに、光源と光ディスクとの間の光
路中に配設され、ディスクの基板の厚みに応じて印加さ
れる電流または電圧により光の透過率が変更可能な可変
開口手段15を備える。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、光ディスクに対し
て、光を照射して、戻り光を検出することにより、情報
を記録及び/または再生する、光ディスク再生装置に利
用される光学ピックアップに関するものである。
て、光を照射して、戻り光を検出することにより、情報
を記録及び/または再生する、光ディスク再生装置に利
用される光学ピックアップに関するものである。
【0002】
【従来の技術】従来、このような光ディスクを記録及び
/または再生するための光学ピックアップは、図8に示
すように構成されている。図8において、光学ピックア
ップ1は、半導体レーザ素子2,ビームスプリッタ3,
対物レンズ4及び光検出器5等を有している。
/または再生するための光学ピックアップは、図8に示
すように構成されている。図8において、光学ピックア
ップ1は、半導体レーザ素子2,ビームスプリッタ3,
対物レンズ4及び光検出器5等を有している。
【0003】ビームスプリッタ3は、その反射面3aが
対物レンズ4の光軸に対して45度傾斜した状態で配設
されており、半導体レーザ素子2から出射した光ビーム
と光ディスク6の信号記録面からの戻り光を分離する。
即ち、半導体レーザ素子2からの光ビームは、ビームス
プリッタ3の反射面3aで反射され、光ディスク6から
の戻り光は、ビームスプリッタ3を透過する。
対物レンズ4の光軸に対して45度傾斜した状態で配設
されており、半導体レーザ素子2から出射した光ビーム
と光ディスク6の信号記録面からの戻り光を分離する。
即ち、半導体レーザ素子2からの光ビームは、ビームス
プリッタ3の反射面3aで反射され、光ディスク6から
の戻り光は、ビームスプリッタ3を透過する。
【0004】対物レンズ4は、凸レンズであって、ビー
ムスプリッタ3で反射された光ビームを、回転駆動され
る光ディスク6の信号記録面の所望のトラック上に収束
させる。さらに、対物レンズ4は、図示しない二軸アク
チュエータによって、二軸方向即ち図面にて矢印FCS
で示すフォーカシング方向及び矢印TRKで示すトラッ
キング方向に移動可能に支持されている。
ムスプリッタ3で反射された光ビームを、回転駆動され
る光ディスク6の信号記録面の所望のトラック上に収束
させる。さらに、対物レンズ4は、図示しない二軸アク
チュエータによって、二軸方向即ち図面にて矢印FCS
で示すフォーカシング方向及び矢印TRKで示すトラッ
キング方向に移動可能に支持されている。
【0005】光検出器5は、ビームスプリッタ3を透過
して入射する戻り光ビームに対して、受光部を有するよ
うに構成されている。
して入射する戻り光ビームに対して、受光部を有するよ
うに構成されている。
【0006】このような構成の光学ピックアップ1によ
れば、半導体レーザ素子2から出射された光ビームは、
ビームスプリッタ3の反射面3aで反射され、さらに対
物レンズ4を介して、光ディスク6の信号記録面上のあ
る一点に収束される。
れば、半導体レーザ素子2から出射された光ビームは、
ビームスプリッタ3の反射面3aで反射され、さらに対
物レンズ4を介して、光ディスク6の信号記録面上のあ
る一点に収束される。
【0007】光ディスク6の信号記録面で反射された戻
り光ビームは、再び対物レンズ4を介して、ビームスプ
リッタ3に入射する。ここで、戻り光ビームは、ビーム
スプリッタ3を透過して、光検出器5の受光部に入射す
る。これにより、光検出器5から出力される検出信号に
基づいて、光ディスク6の信号記録面に記録された情報
の再生が行なわれる。
り光ビームは、再び対物レンズ4を介して、ビームスプ
リッタ3に入射する。ここで、戻り光ビームは、ビーム
スプリッタ3を透過して、光検出器5の受光部に入射す
る。これにより、光検出器5から出力される検出信号に
基づいて、光ディスク6の信号記録面に記録された情報
の再生が行なわれる。
【0008】
【発明が解決しようとする課題】ところで、近年、光デ
ィスクは、コンピュータの補助記憶装置,音声・画像情
報のパッケージメディアとして、高密度化が進められて
おり、この高密度化を実現するために、対物レンズの開
口数NAを、従来のコンパクトディスク用の光学ピック
アップにおける対物レンズの開口数NAより大きくする
方法があるが、開口数NAを大きくすると、光ディスク
の傾きに対する許容範囲が減少してしまうという問題が
ある。
ィスクは、コンピュータの補助記憶装置,音声・画像情
報のパッケージメディアとして、高密度化が進められて
おり、この高密度化を実現するために、対物レンズの開
口数NAを、従来のコンパクトディスク用の光学ピック
アップにおける対物レンズの開口数NAより大きくする
方法があるが、開口数NAを大きくすると、光ディスク
の傾きに対する許容範囲が減少してしまうという問題が
ある。
【0009】また、光ディスクは、所定のディスク基板
厚(一般に、コンパクトディスク等の場合には、1.2
mm)の透明基板を介して、信号記録面が備えられてい
るので、光学ピックアップの対物レンズの光軸に対して
光ディスクが傾いた場合には、波面収差が生じて、RF
信号の再生に影響が出てしまう。この際、波面収差に関
しては、開口数の3乗とスキュー角θの約1乗に比例し
て発生する3次のコマ収差が支配的である。従って、低
コストで大量生産されたポリカーボネイト等から成る透
明基板を備えた光ディスクは、スキュー角θが例えばプ
ラスマイナス0.5乃至プラスマイナス1度もあるの
で、上記波面収差によって、光学ピックアップ1の半導
体レーザ素子2からの光ディスク6への収束スポットが
非対称になって、符号間干渉が著しく増加することにな
り、正確な再生信号(RF信号)の再生が行なえなくな
ってしまう。
厚(一般に、コンパクトディスク等の場合には、1.2
mm)の透明基板を介して、信号記録面が備えられてい
るので、光学ピックアップの対物レンズの光軸に対して
光ディスクが傾いた場合には、波面収差が生じて、RF
信号の再生に影響が出てしまう。この際、波面収差に関
しては、開口数の3乗とスキュー角θの約1乗に比例し
て発生する3次のコマ収差が支配的である。従って、低
コストで大量生産されたポリカーボネイト等から成る透
明基板を備えた光ディスクは、スキュー角θが例えばプ
ラスマイナス0.5乃至プラスマイナス1度もあるの
で、上記波面収差によって、光学ピックアップ1の半導
体レーザ素子2からの光ディスク6への収束スポットが
非対称になって、符号間干渉が著しく増加することにな
り、正確な再生信号(RF信号)の再生が行なえなくな
ってしまう。
【0010】このため、この3次のコマ収差が光ディス
クのディスク基板厚に比例することに着目して、ディス
ク基板厚を半分の0.6mmにすることにより、3次の
コマ収差を半減させるようにすることが可能である。こ
の場合、光ディスクとして、特性の異なる二つの規格、
即ちディスク基板厚が比較的厚い(例えば1.2mm)
のものと、ディスク基板厚が比較的薄い(例えば0.6
mm)のものが混在することになる。
クのディスク基板厚に比例することに着目して、ディス
ク基板厚を半分の0.6mmにすることにより、3次の
コマ収差を半減させるようにすることが可能である。こ
の場合、光ディスクとして、特性の異なる二つの規格、
即ちディスク基板厚が比較的厚い(例えば1.2mm)
のものと、ディスク基板厚が比較的薄い(例えば0.6
mm)のものが混在することになる。
【0011】ここで、一般に、収束光の光路中に厚さt
の平行平板が挿入されると、この厚さtと開口数NAに
関して、t×(NA)4 に比例する球面収差が発生する
ので、対物レンズは、この球面収差を打ち消すように設
計されている。ところで、ディスク基板厚が異なると、
球面収差も異なることから、一方の規格例えばディスク
基板厚0.6mmの光ディスクに対応した対物レンズを
使用して、他方の規格例えばディスク基板厚1.2mm
のコンパクトディスク,追記型光ディスク,光磁気ディ
スク等の光ディスクを再生しようとすると、ディスク基
板厚の差によって、4次の球面収差が発生するので、光
学ピックアップが対応し得るディスク基板の厚さの誤差
の許容範囲を大幅に越えることになる。従って、光ディ
スクからの戻り光から、正しく信号を検出することがで
きないという問題があった。かくして、従来の光学ピッ
クアップによって、双方の方式の光ディスクを再生する
ことができないという問題があった。
の平行平板が挿入されると、この厚さtと開口数NAに
関して、t×(NA)4 に比例する球面収差が発生する
ので、対物レンズは、この球面収差を打ち消すように設
計されている。ところで、ディスク基板厚が異なると、
球面収差も異なることから、一方の規格例えばディスク
基板厚0.6mmの光ディスクに対応した対物レンズを
使用して、他方の規格例えばディスク基板厚1.2mm
のコンパクトディスク,追記型光ディスク,光磁気ディ
スク等の光ディスクを再生しようとすると、ディスク基
板厚の差によって、4次の球面収差が発生するので、光
学ピックアップが対応し得るディスク基板の厚さの誤差
の許容範囲を大幅に越えることになる。従って、光ディ
スクからの戻り光から、正しく信号を検出することがで
きないという問題があった。かくして、従来の光学ピッ
クアップによって、双方の方式の光ディスクを再生する
ことができないという問題があった。
【0012】本発明は、以上の点に鑑み、基板の厚みの
異なる光ディスクであっても、光ディスクの記録及び/
または再生が正しく行われるようにした、光ディスク再
生装置の光学ピックアップを提供することを目的として
いる。
異なる光ディスクであっても、光ディスクの記録及び/
または再生が正しく行われるようにした、光ディスク再
生装置の光学ピックアップを提供することを目的として
いる。
【0013】
【課題を解決するための手段】上記目的は、本発明によ
れば、光ビームを出射する光源と、前記光源から出射さ
れた光ビームを光ディスクの信号記録面上に集光するよ
うに照射する対物レンズと、前記光源と対物レンズの間
に配設されたビームスプリッタと、ビームスプリッタで
分離された光ディスクの信号記録面からの戻り光ビーム
を受光する光検出器とを含み、且つ、前記光源と光ディ
スクとの間の光路中に配設され、光ディスクの基板厚に
応じて印加される電流または電圧により光の透過率を変
更する可変開口手段が備えられている、光学ピックアッ
プにより、達成される。
れば、光ビームを出射する光源と、前記光源から出射さ
れた光ビームを光ディスクの信号記録面上に集光するよ
うに照射する対物レンズと、前記光源と対物レンズの間
に配設されたビームスプリッタと、ビームスプリッタで
分離された光ディスクの信号記録面からの戻り光ビーム
を受光する光検出器とを含み、且つ、前記光源と光ディ
スクとの間の光路中に配設され、光ディスクの基板厚に
応じて印加される電流または電圧により光の透過率を変
更する可変開口手段が備えられている、光学ピックアッ
プにより、達成される。
【0014】上記構成によれば、光源と光ディスクとの
間に、可変開口手段が備えられているので、再生しよう
とする光ディスクのディスク基板厚に応じて、可変開口
手段に印加する電流または電圧を適宜に制御することに
より、可変開口手段の開口数が調整され、その結果とし
てディスク基板厚に応じて、球面収差が補正されること
になる。これにより、光源からの光ビームが可変開口手
段を介して光ディスクの信号記録面に対して正しく収束
され、光ディスクの信号記録面からの戻り光が、光検出
器に入射することによって、常に最適な信号再生が行わ
れることになる。
間に、可変開口手段が備えられているので、再生しよう
とする光ディスクのディスク基板厚に応じて、可変開口
手段に印加する電流または電圧を適宜に制御することに
より、可変開口手段の開口数が調整され、その結果とし
てディスク基板厚に応じて、球面収差が補正されること
になる。これにより、光源からの光ビームが可変開口手
段を介して光ディスクの信号記録面に対して正しく収束
され、光ディスクの信号記録面からの戻り光が、光検出
器に入射することによって、常に最適な信号再生が行わ
れることになる。
【0015】
【発明の実施の形態】以下、この発明の好適な実施形態
を図1乃至図7を参照しながら、詳細に説明する。尚、
以下に述べる実施形態は、本発明の好適な具体例である
から、技術的に好ましい種々の限定が付されているが、
本発明の範囲は、以下の説明において特に本発明を限定
する旨の記載がない限り、これらの態様に限られるもの
ではない。
を図1乃至図7を参照しながら、詳細に説明する。尚、
以下に述べる実施形態は、本発明の好適な具体例である
から、技術的に好ましい種々の限定が付されているが、
本発明の範囲は、以下の説明において特に本発明を限定
する旨の記載がない限り、これらの態様に限られるもの
ではない。
【0016】図1は、本発明による光学ピックアップの
一実施形態を示している。図1において、光学ピックア
ップ10は、有限系の光学ピックアップであって、半導
体レーザ素子11,ビームスプリッタ12,対物レンズ
13及び光検出器14と、ビームスプリッタ12と対物
レンズ13の間に配設された可変開口手段15とを備え
ている。ここで、半導体レーザ素子11、ビームスプリ
ッタ12、対物レンズ13、光検出器14は、図8で説
明したものと同一の構成であるから、重複した説明は省
略し、相違する構成を中心に説明する。
一実施形態を示している。図1において、光学ピックア
ップ10は、有限系の光学ピックアップであって、半導
体レーザ素子11,ビームスプリッタ12,対物レンズ
13及び光検出器14と、ビームスプリッタ12と対物
レンズ13の間に配設された可変開口手段15とを備え
ている。ここで、半導体レーザ素子11、ビームスプリ
ッタ12、対物レンズ13、光検出器14は、図8で説
明したものと同一の構成であるから、重複した説明は省
略し、相違する構成を中心に説明する。
【0017】上記可変開口手段15は、円環状の不透光
材料から成る枠部15aと、枠部15aの中空部に設け
られた円環状の調光素子から成る調光部15bと、調光
部15bの中空部により構成されるアパーチャ15cと
から構成されている。これら枠部15a,調光部15b
及びアパーチャ15cは、光軸に対して同心状に配設さ
れている。尚、上記枠部15a,調光部15b及びアパ
ーチャ15cは、図2の場合、円形であるが、楕円形と
して形成されていてもよい。
材料から成る枠部15aと、枠部15aの中空部に設け
られた円環状の調光素子から成る調光部15bと、調光
部15bの中空部により構成されるアパーチャ15cと
から構成されている。これら枠部15a,調光部15b
及びアパーチャ15cは、光軸に対して同心状に配設さ
れている。尚、上記枠部15a,調光部15b及びアパ
ーチャ15cは、図2の場合、円形であるが、楕円形と
して形成されていてもよい。
【0018】上記調光部15bは、例えば図3に示すよ
うに、二つの互いに対向してスペーサ20により平行に
配設された透明基板21,22と、これら透明基板2
1,22の互いに対向する表面に形成された透明電極2
3及び透明電極24と、透明基板21,22の間に封入
されたエレクトロケミカル素子25とから構成されてい
る。エレクトロケミカル素子25としては、例えばビオ
ロゲン,酸化タングステンまたは銀等が使用され、媒質
中にイオンとして溶解されている。
うに、二つの互いに対向してスペーサ20により平行に
配設された透明基板21,22と、これら透明基板2
1,22の互いに対向する表面に形成された透明電極2
3及び透明電極24と、透明基板21,22の間に封入
されたエレクトロケミカル素子25とから構成されてい
る。エレクトロケミカル素子25としては、例えばビオ
ロゲン,酸化タングステンまたは銀等が使用され、媒質
中にイオンとして溶解されている。
【0019】これにより、透明電極23を電源のマイナ
ス側に、また透明電極24を電源のプラス側に接続する
ことにより、透明電極23,24間に電流または電圧を
印加することにより、調光部15bでは、電気化学反応
が起こることで、マイナス側の透明電極23の表面に、
エレクトロケミカル素子25が還元反応によって析出す
る。かくして、マイナス側の透明電極23に析出したエ
レクトロケミカル素子25によって、調光部15bは光
の透過率が低下し、実質的に不透明になる。
ス側に、また透明電極24を電源のプラス側に接続する
ことにより、透明電極23,24間に電流または電圧を
印加することにより、調光部15bでは、電気化学反応
が起こることで、マイナス側の透明電極23の表面に、
エレクトロケミカル素子25が還元反応によって析出す
る。かくして、マイナス側の透明電極23に析出したエ
レクトロケミカル素子25によって、調光部15bは光
の透過率が低下し、実質的に不透明になる。
【0020】また、二つの透明電極23,24間への電
流または電圧が逆転されると、調光部15bでは、プラ
ス側の透明電極23の表面に析出したエレクトロケミカ
ル素子25がイオンに戻る。かくして、プラス側の透明
電極23にはエレクトロケミカル素子25が付着してい
ないので、調光部15bは光の透過率が向上し、実質的
に透明になる。かくして、調光部15bの透明,不透明
の切換えによって、可変開口手段15は、調光部15b
が透明である場合には、調光部15b及びアパーチャ1
5cが実質的にアパーチャとして作用し、比較的大きな
開口となる。また、可変開口手段15は、調光部15b
が不透明である場合には、アパーチャ15cのみが実質
的にアパーチャとして作用し、比較的小さな開口とな
る。
流または電圧が逆転されると、調光部15bでは、プラ
ス側の透明電極23の表面に析出したエレクトロケミカ
ル素子25がイオンに戻る。かくして、プラス側の透明
電極23にはエレクトロケミカル素子25が付着してい
ないので、調光部15bは光の透過率が向上し、実質的
に透明になる。かくして、調光部15bの透明,不透明
の切換えによって、可変開口手段15は、調光部15b
が透明である場合には、調光部15b及びアパーチャ1
5cが実質的にアパーチャとして作用し、比較的大きな
開口となる。また、可変開口手段15は、調光部15b
が不透明である場合には、アパーチャ15cのみが実質
的にアパーチャとして作用し、比較的小さな開口とな
る。
【0021】尚、上記可変開口手段15は、円形に形成
されているが、これに限らず、他の形状に形成されてい
てもよい。例えば、可変開口手段15は、図3に示すよ
うに、長方形に形成されていてもよく、この場合、可変
開口手段15は、二つの互いに平行に延びる不透光材料
から成る枠部15d、枠部15d内側に設けられた二つ
の互いに平行に延びる調光素子から成る調光部15e、
調光部15eの間のスリットにより構成されるアパーチ
ャ15fとから構成されている。この構成によれば、調
光部15eの透明,不透明の切換えによって、可変開口
手段15は、調光部15eが透明である場合には、調光
部15e及びアパーチャ15fが実質的にアパーチャと
して作用し、比較的大きな開口となる。また、可変開口
手段15は、調光部15eが不透明である場合には、ア
パーチャ15fのみが実質的にアパーチャとして作用
し、比較的小さな開口となる。
されているが、これに限らず、他の形状に形成されてい
てもよい。例えば、可変開口手段15は、図3に示すよ
うに、長方形に形成されていてもよく、この場合、可変
開口手段15は、二つの互いに平行に延びる不透光材料
から成る枠部15d、枠部15d内側に設けられた二つ
の互いに平行に延びる調光素子から成る調光部15e、
調光部15eの間のスリットにより構成されるアパーチ
ャ15fとから構成されている。この構成によれば、調
光部15eの透明,不透明の切換えによって、可変開口
手段15は、調光部15eが透明である場合には、調光
部15e及びアパーチャ15fが実質的にアパーチャと
して作用し、比較的大きな開口となる。また、可変開口
手段15は、調光部15eが不透明である場合には、ア
パーチャ15fのみが実質的にアパーチャとして作用
し、比較的小さな開口となる。
【0022】ここで、上記可変開口手段15は、調光部
15bまたは15eが透明である場合には、例えば開口
数NA=0.6であり、また調光部15bまたは15e
が不透明である場合には、開口数NA=NA0以下であ
るように、調光部15b,15eとアパーチャ15c,
15fの大きさが選定されている。尚、NA0は、光源
波長λ(μm)の0.45/0.78倍で表わされる。
従って、光源波長λが0.635μmの場合にはNA0
=0.366,光源波長λが0.650μmの場合には
NA0=0.37,また光源波長λが0.680μmの
場合にはNA0=0.392となる。これにより、比較
的薄いディスク基板厚0.6mmの光ディスクに対して
は、調光部15b,15eを不透明とすることにより、
可変開口手段15の開口数NA=0.6に設定され、ま
た比較的厚いディスク基板厚1.2mmの光ディスクに
対しては、調光部15b,15eが透明にされることに
より、可変開口手段15の開口数NA=NA0以下に設
定される。
15bまたは15eが透明である場合には、例えば開口
数NA=0.6であり、また調光部15bまたは15e
が不透明である場合には、開口数NA=NA0以下であ
るように、調光部15b,15eとアパーチャ15c,
15fの大きさが選定されている。尚、NA0は、光源
波長λ(μm)の0.45/0.78倍で表わされる。
従って、光源波長λが0.635μmの場合にはNA0
=0.366,光源波長λが0.650μmの場合には
NA0=0.37,また光源波長λが0.680μmの
場合にはNA0=0.392となる。これにより、比較
的薄いディスク基板厚0.6mmの光ディスクに対して
は、調光部15b,15eを不透明とすることにより、
可変開口手段15の開口数NA=0.6に設定され、ま
た比較的厚いディスク基板厚1.2mmの光ディスクに
対しては、調光部15b,15eが透明にされることに
より、可変開口手段15の開口数NA=NA0以下に設
定される。
【0023】本実施形態による光学ピックアップ10
は、以上のように構成されており、先づ比較的薄いディ
スク基板厚0.6mmの光ディスクの再生を行なう場合
について説明する。この場合、可変開口手段15は、調
光部15bまたは15eが不透明に設定される(それぞ
れ図2,図4の構造に対応)。この状態にて、半導体レ
ーザ素子11からの光ビームは、ビームスプリッタ12
の反射面12aで反射された後、可変開口手段15のア
パーチャ15cまたは15fを通過し、さらに対物レン
ズ13を介して、光ディスク16の信号記録面に収束さ
れる。この際、可変開口手段15によって、NA=0.
6に設定されているので、球面収差が低く抑えられ得る
ので、光ビームは、光ディスク16の信号記録面に正し
く収束することになる。
は、以上のように構成されており、先づ比較的薄いディ
スク基板厚0.6mmの光ディスクの再生を行なう場合
について説明する。この場合、可変開口手段15は、調
光部15bまたは15eが不透明に設定される(それぞ
れ図2,図4の構造に対応)。この状態にて、半導体レ
ーザ素子11からの光ビームは、ビームスプリッタ12
の反射面12aで反射された後、可変開口手段15のア
パーチャ15cまたは15fを通過し、さらに対物レン
ズ13を介して、光ディスク16の信号記録面に収束さ
れる。この際、可変開口手段15によって、NA=0.
6に設定されているので、球面収差が低く抑えられ得る
ので、光ビームは、光ディスク16の信号記録面に正し
く収束することになる。
【0024】光ディスク16からの戻り光は、再び対物
レンズ13及び可変開口手段15を介して、ビームスプ
リッタ12を透過して、光検出器14に収束する。これ
により、光検出器14の検出信号に基づいて、光ディス
ク16の記録信号が再生される。
レンズ13及び可変開口手段15を介して、ビームスプ
リッタ12を透過して、光検出器14に収束する。これ
により、光検出器14の検出信号に基づいて、光ディス
ク16の記録信号が再生される。
【0025】次に、比較的厚いディスク基板厚1.2m
mの光ディスクを再生する場合には、先づ可変開口手段
15は、調光部15b,15eが透明に設定される。そ
して、この状態にて、半導体レーザ素子11からの光ビ
ームは、ビームスプリッタ12の反射面12aで反射さ
れた後、可変開口手段15のアパーチャ15c,15f
及び調光部15b,15dを透過し、さらに対物レンズ
13を介して、光ディスク16の信号記録面に収束され
る。この際、可変開口手段15によって、NA=NA0
以下に設定されているが、対物レンズ13がディスク基
板厚1.2mmの光ディスクに対して球面収差が最も抑
えられ得るように設計されているので、光ビームは、光
ディスク16の信号記録面に正しく収束することにな
る。
mの光ディスクを再生する場合には、先づ可変開口手段
15は、調光部15b,15eが透明に設定される。そ
して、この状態にて、半導体レーザ素子11からの光ビ
ームは、ビームスプリッタ12の反射面12aで反射さ
れた後、可変開口手段15のアパーチャ15c,15f
及び調光部15b,15dを透過し、さらに対物レンズ
13を介して、光ディスク16の信号記録面に収束され
る。この際、可変開口手段15によって、NA=NA0
以下に設定されているが、対物レンズ13がディスク基
板厚1.2mmの光ディスクに対して球面収差が最も抑
えられ得るように設計されているので、光ビームは、光
ディスク16の信号記録面に正しく収束することにな
る。
【0026】光ディスク16からの戻り光は、再び対物
レンズ13及び可変開口手段15を介して、ビームスプ
リッタ12を透過して、光検出器14に収束する。これ
により、光検出器14の検出信号に基づいて、光ディス
ク16の記録信号が再生される。
レンズ13及び可変開口手段15を介して、ビームスプ
リッタ12を透過して、光検出器14に収束する。これ
により、光検出器14の検出信号に基づいて、光ディス
ク16の記録信号が再生される。
【0027】図5は、本発明による光学ピックアップの
第二の実施形態を示している。図5において、光学ピッ
クアップ30は、有限系の光学ピックアップであって、
半導体レーザ素子11,ビームスプリッタ12,対物レ
ンズ13及び光検出器14と、ビームスプリッタ12と
半導体レーザ素子11の間に配設された可変開口手段1
5と、から構成されている。
第二の実施形態を示している。図5において、光学ピッ
クアップ30は、有限系の光学ピックアップであって、
半導体レーザ素子11,ビームスプリッタ12,対物レ
ンズ13及び光検出器14と、ビームスプリッタ12と
半導体レーザ素子11の間に配設された可変開口手段1
5と、から構成されている。
【0028】上記半導体レーザ素子11,ビームスプリ
ッタ12,対物レンズ13及び光検出器14と可変開口
手段15は、図1に示した光学ピックアップ10におけ
る半導体レーザ素子11,ビームスプリッタ12,対物
レンズ13及び光検出器14と可変開口手段15と同じ
構成である。さらに、可変開口手段15は、図1に示し
た光学ピックアップ10の場合とは異なり、ビームスプ
リッタ12と半導体レーザ素子11との間に配設されて
いる。
ッタ12,対物レンズ13及び光検出器14と可変開口
手段15は、図1に示した光学ピックアップ10におけ
る半導体レーザ素子11,ビームスプリッタ12,対物
レンズ13及び光検出器14と可変開口手段15と同じ
構成である。さらに、可変開口手段15は、図1に示し
た光学ピックアップ10の場合とは異なり、ビームスプ
リッタ12と半導体レーザ素子11との間に配設されて
いる。
【0029】このような構成の光学ピックアップ30に
よれば、半導体レーザ素子11からの光ビームは、先づ
可変開口手段15を通過した後、ビームスプリッタ12
の反射面12aで反射された後、対物レンズ13を介し
て、光ディスク16の信号記録面に収束する。光ディス
ク16からの戻り光は、再び対物レンズ13を介して、
ビームスプリッタ12を透過して、光検出器14に収束
する。これにより、光検出器14の検出信号に基づい
て、光ディスク16の記録信号が再生される。ここで、
光ディスク16が比較的薄いディスク基板厚0.6mm
である場合には、可変開口手段15は、その調光部15
b,15eが不透明であって、開口数NA=0.6に設
定される。これにより、球面収差が低減され、光ビーム
が、光ディスク16の信号記録面に正しく収束すること
になる。
よれば、半導体レーザ素子11からの光ビームは、先づ
可変開口手段15を通過した後、ビームスプリッタ12
の反射面12aで反射された後、対物レンズ13を介し
て、光ディスク16の信号記録面に収束する。光ディス
ク16からの戻り光は、再び対物レンズ13を介して、
ビームスプリッタ12を透過して、光検出器14に収束
する。これにより、光検出器14の検出信号に基づい
て、光ディスク16の記録信号が再生される。ここで、
光ディスク16が比較的薄いディスク基板厚0.6mm
である場合には、可変開口手段15は、その調光部15
b,15eが不透明であって、開口数NA=0.6に設
定される。これにより、球面収差が低減され、光ビーム
が、光ディスク16の信号記録面に正しく収束すること
になる。
【0030】この場合、光ディスクの戻り光は、可変開
口手段15を通過しないようになっているので、戻り光
が可変開口手段15により絞り込まれることはなく、従
って、光検出器14に対する戻り光の入射光量が多いこ
とから、光検出器14によって、より正確な信号の読取
が行われることになる。
口手段15を通過しないようになっているので、戻り光
が可変開口手段15により絞り込まれることはなく、従
って、光検出器14に対する戻り光の入射光量が多いこ
とから、光検出器14によって、より正確な信号の読取
が行われることになる。
【0031】図6は、本発明による光学ピックアップの
第三の実施形態を示している。図6において、光学ピッ
クアップ40は、無限系の光学ピックアップであって、
半導体レーザ素子41,コリメータレンズ42,グレー
ティング43,ビームスプリッタ44,対物レンズ4
5,マルチレンズ46及び光検出器47と、ビームスプ
リッタ44とグレーティング43の間に配設された可変
開口手段48と、から構成されている。
第三の実施形態を示している。図6において、光学ピッ
クアップ40は、無限系の光学ピックアップであって、
半導体レーザ素子41,コリメータレンズ42,グレー
ティング43,ビームスプリッタ44,対物レンズ4
5,マルチレンズ46及び光検出器47と、ビームスプ
リッタ44とグレーティング43の間に配設された可変
開口手段48と、から構成されている。
【0032】上記半導体レーザ素子41は、半導体の再
結合発光を利用した発光素子であり、光源として使用さ
れる。半導体レーザ素子41から出射した光ビームは、
ビームコリメータレンズ42に導かれる。
結合発光を利用した発光素子であり、光源として使用さ
れる。半導体レーザ素子41から出射した光ビームは、
ビームコリメータレンズ42に導かれる。
【0033】コリメータレンズ42は、凸レンズであっ
て、半導体レーザ素子41からの光ビームを平行光に変
換する。
て、半導体レーザ素子41からの光ビームを平行光に変
換する。
【0034】グレーティング43は、回折格子ともい
い、コリメータレンズ42からの平行光をメインビーム
としての0次光及びサイドビームとしてのプラスマイナ
ス1次光に分離する。
い、コリメータレンズ42からの平行光をメインビーム
としての0次光及びサイドビームとしてのプラスマイナ
ス1次光に分離する。
【0035】ビームスプリッタ44は、その反射面44
aが対物レンズ45の光軸に対して45度傾斜した状態
で配設されており、半導体レーザ素子41から出射した
光ビームと光ディスク49の信号記録面からの戻り光を
分離する。即ち、半導体レーザ素子41からの光ビーム
は、ビームスプリッタ12を透過し、光ディスク49か
らの戻り光は、ビームスプリッタ44の反射面44aで
反射される。
aが対物レンズ45の光軸に対して45度傾斜した状態
で配設されており、半導体レーザ素子41から出射した
光ビームと光ディスク49の信号記録面からの戻り光を
分離する。即ち、半導体レーザ素子41からの光ビーム
は、ビームスプリッタ12を透過し、光ディスク49か
らの戻り光は、ビームスプリッタ44の反射面44aで
反射される。
【0036】対物レンズ45は、凸レンズであって、ビ
ームスプリッタ44を透過した光ビームを、回転駆動さ
れる光ディスク49の信号記録面の所望のトラック上に
収束させる。さらに、対物レンズ45は、図示しない二
軸アクチュエータによって、二軸方向、即ちトラッキン
グ方向及びフォーカシング方向に移動可能に支持されて
いる。
ームスプリッタ44を透過した光ビームを、回転駆動さ
れる光ディスク49の信号記録面の所望のトラック上に
収束させる。さらに、対物レンズ45は、図示しない二
軸アクチュエータによって、二軸方向、即ちトラッキン
グ方向及びフォーカシング方向に移動可能に支持されて
いる。
【0037】マルチレンズ46は、円筒状に形成された
レンズであって、曲率を有する方向にのみ収束性を有す
る。これにより、マルチレンズ46は、入射光ビームに
対して、非点収差を付与して、フォーカスサーボを容易
にしている。
レンズであって、曲率を有する方向にのみ収束性を有す
る。これにより、マルチレンズ46は、入射光ビームに
対して、非点収差を付与して、フォーカスサーボを容易
にしている。
【0038】光検出器47は、マルチレンズ46を介し
て入射する光ビームに対して、それぞれ受光部を有する
ように構成されている。
て入射する光ビームに対して、それぞれ受光部を有する
ように構成されている。
【0039】上記可変開口手段48は、例えば、図2に
示した可変開口手段15と同様に、円環状の不透光材料
から成る枠部と、枠部の中空部に設けられた円環状の調
光素子から成る調光部と、調光部の中空部により構成さ
れるアパーチャとから構成されている。尚、可変開口手
段48は、これに限らず図4の構成もしくはそれ以外の
構成を採用してもよい。
示した可変開口手段15と同様に、円環状の不透光材料
から成る枠部と、枠部の中空部に設けられた円環状の調
光素子から成る調光部と、調光部の中空部により構成さ
れるアパーチャとから構成されている。尚、可変開口手
段48は、これに限らず図4の構成もしくはそれ以外の
構成を採用してもよい。
【0040】このように構成された光学ピックアップ4
0においては、半導体レーザ素子41からの光ビーム
は、コリメータレンズ42により平行光にされた後、グ
レーティングにより3つのビームに分離されて、ビーム
スプリッタ44を透過し、可変開口手段48のアパーチ
ャまたはアパーチャ及び調光部を通過し、さらに対物レ
ンズ45を介して、光ディスク49の信号記録面に収束
される。
0においては、半導体レーザ素子41からの光ビーム
は、コリメータレンズ42により平行光にされた後、グ
レーティングにより3つのビームに分離されて、ビーム
スプリッタ44を透過し、可変開口手段48のアパーチ
ャまたはアパーチャ及び調光部を通過し、さらに対物レ
ンズ45を介して、光ディスク49の信号記録面に収束
される。
【0041】光ディスク49からの戻り光は、再び対物
レンズ45及び可変開口手段48を介して、ビームスプ
リッタ44に入射し、ビームスプリッタ44の反射面4
4aで反射された後、マルチレンズ46を介して、光検
出器47に収束する。これにより、光検出器47の検出
信号に基づいて、光ディスク49の記録信号が再生され
る。
レンズ45及び可変開口手段48を介して、ビームスプ
リッタ44に入射し、ビームスプリッタ44の反射面4
4aで反射された後、マルチレンズ46を介して、光検
出器47に収束する。これにより、光検出器47の検出
信号に基づいて、光ディスク49の記録信号が再生され
る。
【0042】ここで、光ディスク49が、比較的薄いデ
ィスク基板厚0.6mmの光ディスクである場合には、
可変開口手段48は、調光部が不透明に設定される。こ
れにより、可変開口手段48は、アパーチャのみが光を
透過させるので、比較的小さな開口を有し、その開口数
NA=0.6に設定される。従って、球面収差が低く抑
えられることにより、光ビームは、ディスク基板厚の薄
い光ディスク49の信号記録面に正しく収束することに
なる。また、比較的厚いディスク基板厚1.2mmの光
ディスクである場合には、可変開口手段48は、その調
光部が透明に設定される。これにより、可変開口手段4
8は、アパーチャ及び調光部が光を透過させるので、比
較的大きな開口を有し、その開口数NA=NA0以下に
設定される。ここで、対物レンズ45がディスク基板厚
1.2mmの光ディスクに対して球面収差が最も抑えら
れ得るように設計されているので、光ビームは、光ディ
スク49の信号記録面に正しく収束することになる。
ィスク基板厚0.6mmの光ディスクである場合には、
可変開口手段48は、調光部が不透明に設定される。こ
れにより、可変開口手段48は、アパーチャのみが光を
透過させるので、比較的小さな開口を有し、その開口数
NA=0.6に設定される。従って、球面収差が低く抑
えられることにより、光ビームは、ディスク基板厚の薄
い光ディスク49の信号記録面に正しく収束することに
なる。また、比較的厚いディスク基板厚1.2mmの光
ディスクである場合には、可変開口手段48は、その調
光部が透明に設定される。これにより、可変開口手段4
8は、アパーチャ及び調光部が光を透過させるので、比
較的大きな開口を有し、その開口数NA=NA0以下に
設定される。ここで、対物レンズ45がディスク基板厚
1.2mmの光ディスクに対して球面収差が最も抑えら
れ得るように設計されているので、光ビームは、光ディ
スク49の信号記録面に正しく収束することになる。
【0043】図7は、本発明による光学ピックアップの
第四の実施形態を示している。図7において、光学ピッ
クアップ50は、無限系の光学ピックアップであって、
半導体レーザ素子41,コリメータレンズ42,グレー
ティング43,ビームスプリッタ44,対物レンズ4
5,マルチレンズ46及び光検出器47と、ビームスプ
リッタ44とグレーティング43の間に配設された可変
開口手段48と、から構成されている。
第四の実施形態を示している。図7において、光学ピッ
クアップ50は、無限系の光学ピックアップであって、
半導体レーザ素子41,コリメータレンズ42,グレー
ティング43,ビームスプリッタ44,対物レンズ4
5,マルチレンズ46及び光検出器47と、ビームスプ
リッタ44とグレーティング43の間に配設された可変
開口手段48と、から構成されている。
【0044】上記半導体レーザ素子41,コリメータレ
ンズ42,グレーティング43,ビームスプリッタ4
4,対物レンズ45,マルチレンズ46及び光検出器4
7と可変開口手段48は、図6に示した光学ピックアッ
プ40における半導体レーザ素子41,コリメータレン
ズ42,グレーティング43,ビームスプリッタ44,
対物レンズ45,マルチレンズ46及び光検出器47と
可変開口手段48と同じ構成である。さらに、可変開口
手段48は、図6に示した光学ピックアップ40の場合
とは異なり、ビームスプリッタ44とグレーティング4
3との間に配設されている。
ンズ42,グレーティング43,ビームスプリッタ4
4,対物レンズ45,マルチレンズ46及び光検出器4
7と可変開口手段48は、図6に示した光学ピックアッ
プ40における半導体レーザ素子41,コリメータレン
ズ42,グレーティング43,ビームスプリッタ44,
対物レンズ45,マルチレンズ46及び光検出器47と
可変開口手段48と同じ構成である。さらに、可変開口
手段48は、図6に示した光学ピックアップ40の場合
とは異なり、ビームスプリッタ44とグレーティング4
3との間に配設されている。
【0045】このように構成された光学ピックアップ5
0においては、半導体レーザ素子41からの光ビーム
は、コリメータレンズ42により平行光にされた後、グ
レーティングにより3つのビームに分離されて、可変開
口手段48のアパーチャまたはアパーチャ及び調光部を
通過し、ビームスプリッタ44を透過して、さらに対物
レンズ45を介して、光ディスク49の信号記録面に収
束される。
0においては、半導体レーザ素子41からの光ビーム
は、コリメータレンズ42により平行光にされた後、グ
レーティングにより3つのビームに分離されて、可変開
口手段48のアパーチャまたはアパーチャ及び調光部を
通過し、ビームスプリッタ44を透過して、さらに対物
レンズ45を介して、光ディスク49の信号記録面に収
束される。
【0046】光ディスク49からの戻り光は、再び対物
レンズ45を介して、ビームスプリッタ44に入射し、
ビームスプリッタ44の反射面44aで反射された後、
マルチレンズ46を介して、光検出器47に収束する。
これにより、光検出器47の検出信号に基づいて、光デ
ィスク49の記録信号が再生される。
レンズ45を介して、ビームスプリッタ44に入射し、
ビームスプリッタ44の反射面44aで反射された後、
マルチレンズ46を介して、光検出器47に収束する。
これにより、光検出器47の検出信号に基づいて、光デ
ィスク49の記録信号が再生される。
【0047】ここで、光ディスク49が、比較的薄いデ
ィスク基板厚0.6mmの光ディスクである場合には、
可変開口手段48は、調光部が不透明に設定される。こ
れにより、可変開口手段48は、アパーチャのみが光を
透過させるので、比較的小さな開口を有し、その開口数
NA=0.6に設定される。従って、球面収差が低く抑
えられることにより、光ビームは、ディスク基板厚の薄
い光ディスク49の信号記録面に正しく収束することに
なる。また、比較的厚いディスク基板厚1.2mmの光
ディスクである場合には、可変開口手段48は、その調
光部が透明に設定される。これにより、可変開口手段4
8は、アパーチャ及び調光部が光を透過させるので、比
較的大きな開口を有し、その開口数NA=NA0以下に
設定される。ここで、対物レンズ45がディスク基板厚
1.2mmの光ディスクに対して球面収差が最も抑えら
れ得るように設計されているので、光ビームは、光ディ
スク49の信号記録面に正しく収束することになる。
ィスク基板厚0.6mmの光ディスクである場合には、
可変開口手段48は、調光部が不透明に設定される。こ
れにより、可変開口手段48は、アパーチャのみが光を
透過させるので、比較的小さな開口を有し、その開口数
NA=0.6に設定される。従って、球面収差が低く抑
えられることにより、光ビームは、ディスク基板厚の薄
い光ディスク49の信号記録面に正しく収束することに
なる。また、比較的厚いディスク基板厚1.2mmの光
ディスクである場合には、可変開口手段48は、その調
光部が透明に設定される。これにより、可変開口手段4
8は、アパーチャ及び調光部が光を透過させるので、比
較的大きな開口を有し、その開口数NA=NA0以下に
設定される。ここで、対物レンズ45がディスク基板厚
1.2mmの光ディスクに対して球面収差が最も抑えら
れ得るように設計されているので、光ビームは、光ディ
スク49の信号記録面に正しく収束することになる。
【0048】この場合、光ディスク49からの戻り光
は、可変開口手段48を通過せずに、光検出器47に入
射するようになっているので、戻り光が可変開口手段4
8により絞り込まれることはなく、従って、光検出器4
7に対する戻り光の入射光量が多いことから、光検出器
47によって、より正確な信号の読取が行われることに
なる。
は、可変開口手段48を通過せずに、光検出器47に入
射するようになっているので、戻り光が可変開口手段4
8により絞り込まれることはなく、従って、光検出器4
7に対する戻り光の入射光量が多いことから、光検出器
47によって、より正確な信号の読取が行われることに
なる。
【0049】尚、上記実施形態においては、光ディスク
として、ディスク基板厚が1.2mm及び0.6mmの
ものに関して、それぞれ可変開口手段15の調光部15
b,15eを透明または不透明にすることにより、光ビ
ームを、比較的薄いディスク基板厚の光ディスクと、比
較的厚いディスク基板厚の光ディスクの信号記録面に収
束させるようにしているが、これに限らず、例えば、二
枚の基板を貼り合わせた貼り合わせ光ディスクと、通常
の光ディスクとを再生する場合に、本発明を適用するこ
とも可能である。
として、ディスク基板厚が1.2mm及び0.6mmの
ものに関して、それぞれ可変開口手段15の調光部15
b,15eを透明または不透明にすることにより、光ビ
ームを、比較的薄いディスク基板厚の光ディスクと、比
較的厚いディスク基板厚の光ディスクの信号記録面に収
束させるようにしているが、これに限らず、例えば、二
枚の基板を貼り合わせた貼り合わせ光ディスクと、通常
の光ディスクとを再生する場合に、本発明を適用するこ
とも可能である。
【0050】
【発明の効果】以上述べたように、本発明によれば、デ
ィスク基板厚の異なる方式の光ディスクであっても、光
ディスクの記録及び/または再生が正しく行われるよう
にした、光学ピックアップが提供されることになる。
ィスク基板厚の異なる方式の光ディスクであっても、光
ディスクの記録及び/または再生が正しく行われるよう
にした、光学ピックアップが提供されることになる。
【図1】本発明による光学ピックアップの第一の実施形
態を示す概略斜視図である。
態を示す概略斜視図である。
【図2】図1の光学ピックアップにおける可変開口手段
の構成を示す拡大斜視図である。
の構成を示す拡大斜視図である。
【図3】図2の可変開口手段の調光部を構成するエレク
トロケミカル素子を利用した調光手段の原理を示す概略
図である。
トロケミカル素子を利用した調光手段の原理を示す概略
図である。
【図4】図1の光学ピックアップにおける可変開口手段
の他の構成を示す拡大斜視図である。
の他の構成を示す拡大斜視図である。
【図5】本発明による光学ピックアップの第二の実施形
態を示す概略斜視図である。
態を示す概略斜視図である。
【図6】本発明による光学ピックアップの第三の実施形
態を示す概略斜視図である。
態を示す概略斜視図である。
【図7】本発明による光学ピックアップの第四の実施形
態を示す概略斜視図である。
態を示す概略斜視図である。
【図8】従来の光学ピックアップの一例を示す概略斜視
図である。
図である。
【符号の説明】 10,30 光学ピックアップ 11 半導体レーザ素子(光源) 12 ビームスプリッタ 12a 反射面 13 対物レンズ 14 光検出器 15 可変開口手段 15a 枠部 15b 調光部 15c アパーチャ 16 光ディスク 20 スペーサ 21,22 透明基板 23,24 透明電極 25 エレクトロケミカル素子 40,50 光学ピックアップ 41 半導体レーザ素子(光源) 42 コリメータレンズ 43 グレーティング 44 ビームスプリッタ 45 対物レンズ 46 マルチレンズ 47 光検出器 48 可変開口手段 49 光ディスク
Claims (10)
- 【請求項1】 光ビームを出射する光源と、 前記光源から出射された光ビームを光ディスクの信号記
録面上に集光するように照射する対物レンズと、 前記光源と対物レンズの間に配設されたビームスプリッ
タと、 ビームスプリッタで分離された光ディスクの信号記録面
からの戻り光ビームを受光する光検出器とを含んでお
り、 さらに、前記光源と光ディスクとの間の光路中に配設さ
れ、光ディスクの基板厚に応じて、印加される電流また
は電圧により光の透過率を変更する可変開口手段が備え
られていることを特徴とする光学ピックアップ。 - 【請求項2】 前記可変開口手段が、エレクトロケルカ
ル素子を利用した調光素子であることを特徴とする請求
項1に記載の光学ピックアップ。 - 【請求項3】 前記調光素子が、固体から構成されてい
ることを特徴とする、請求項2に記載の光学ピックアッ
プ。 - 【請求項4】 前記調光素子が、アモルファスから構成
されていることを特徴とする請求項2に記載の光学ピッ
クアップ。 - 【請求項5】 前記調光素子が、液体から構成されてい
ることを特徴とする請求項2に記載の光学ピックアッ
プ。 - 【請求項6】 前記調光素子が、気体から構成されてい
ることを特徴とする、請求項2に記載の光学ピックアッ
プ。 - 【請求項7】 前記可変開口手段が、対物レンズと光源
との間の光路中に配設されていることを特徴とする請求
項1に記載の光学ピックアップ。 - 【請求項8】 前記可変開口手段が、対物レンズとビー
ムスプリッタとの間の光路中に配設されていることを特
徴とする請求項1に記載の光学ピックアップ。 - 【請求項9】 前記可変開口手段が、ビームスプリッタ
と光源との間の光路中に配設されていることを特徴とす
る請求項1に記載の光学ピックアップ。 - 【請求項10】 前記可変開口手段が、対物レンズと光
ディスクとの間の光路中に配設されていることを特徴と
する請求項1に記載の光学ピックアップ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7236214A JPH0963103A (ja) | 1995-08-22 | 1995-08-22 | 光学ピックアップ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7236214A JPH0963103A (ja) | 1995-08-22 | 1995-08-22 | 光学ピックアップ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0963103A true JPH0963103A (ja) | 1997-03-07 |
Family
ID=16997476
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7236214A Pending JPH0963103A (ja) | 1995-08-22 | 1995-08-22 | 光学ピックアップ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0963103A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6449235B1 (en) | 1998-04-04 | 2002-09-10 | Lg Electronics, Inc. | Optical pick-up apparatus and optical recording/reproducing apparatus using the same |
-
1995
- 1995-08-22 JP JP7236214A patent/JPH0963103A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6449235B1 (en) | 1998-04-04 | 2002-09-10 | Lg Electronics, Inc. | Optical pick-up apparatus and optical recording/reproducing apparatus using the same |
| US6856587B2 (en) | 1998-04-04 | 2005-02-15 | Lg Electronics Inc. | Optical pickup and optical recording/reproducing apparatus using the same |
| US7197002B2 (en) | 1998-04-04 | 2007-03-27 | Lg Electronics Inc. | Optical pickup and optical recording/reproducing apparatus using the same |
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