JPH0964015A - エッチング装置 - Google Patents
エッチング装置Info
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- JPH0964015A JPH0964015A JP7217965A JP21796595A JPH0964015A JP H0964015 A JPH0964015 A JP H0964015A JP 7217965 A JP7217965 A JP 7217965A JP 21796595 A JP21796595 A JP 21796595A JP H0964015 A JPH0964015 A JP H0964015A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】円筒形で上面が誘電体である真空チャンバー内
でプラズマを利用して基板をエッチングする装置におい
て、磁気中性線放電を利用して0.1Pa以下の圧力でもプ
ラズマを発生させることができ、大口径基板上で高均一
かつチャージアップダメージの無い高速エッチングを可
能にすること。 【解決手段】真空チャンバー内に連続して存在する磁場
ゼロの位置である環状磁気中性線を形成する磁場発生手
段が、上部誘電体上に載置された上下に極性を持つ永久
磁石とそれよりも内径が大きく上記永久磁石と同極性を
持つドーナツ形板状永久磁石とで構成され、磁場発生手
段によって真空チャンバー内に形成された磁気中性線に
沿って交番電場を加えてこの磁気中性線に放電プラズマ
を発生させる電場発生手段が１重を含む多重の高周波コ
イルから成り、円盤状永久磁石とドーナツ形板状永久磁
石の間に配置されること。
でプラズマを利用して基板をエッチングする装置におい
て、磁気中性線放電を利用して0.1Pa以下の圧力でもプ
ラズマを発生させることができ、大口径基板上で高均一
かつチャージアップダメージの無い高速エッチングを可
能にすること。 【解決手段】真空チャンバー内に連続して存在する磁場
ゼロの位置である環状磁気中性線を形成する磁場発生手
段が、上部誘電体上に載置された上下に極性を持つ永久
磁石とそれよりも内径が大きく上記永久磁石と同極性を
持つドーナツ形板状永久磁石とで構成され、磁場発生手
段によって真空チャンバー内に形成された磁気中性線に
沿って交番電場を加えてこの磁気中性線に放電プラズマ
を発生させる電場発生手段が１重を含む多重の高周波コ
イルから成り、円盤状永久磁石とドーナツ形板状永久磁
石の間に配置されること。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はプラズマを利用し
て、半導体上或いは電子部品、その他の基板上の物質を
エッチングするエッチング装置に関するものである。
て、半導体上或いは電子部品、その他の基板上の物質を
エッチングするエッチング装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来のエッチング装置としては、主に磁
石を用いたマグネトロン型、電子サイクロトロン共鳴を
用いたＥＣＲ放電型、ヘリコン波を用いたヘリコン型が
用いられてきた。また、磁石を用いないエッチング装置
として古くから容量結合型エッチング装置や誘導結合型
エッチング装置なども用いられている。平板型誘導結合
型エッチング装置の一例を図４に示す。図において、Ａ
はプロセス室、Ｂは平板型誘電体隔壁、Ｃは基板電極、
Ｄはプラズマ発生用１巻き状の誘導アンテナ、Ｅはプラ
ズマ生成用高周波電源、Ｆは基板、Ｇは基板バイアス用
高周波電源である。プラズマ発生用アンテナＤに高周波
電源Ｅより高周波を印加し、チャンバー内部にプラズマ
を形成して基板Ｆへ両極性拡散を行い、基板電極Ｃに高
周波電源Ｇより高周波を印加して基板電極Ｃ上の基板Ｆ
に自己バイアスを発生させて基板Ｆをエッチングする。
プロセスガスＨは誘電体隔壁Ｂ付近に取付けられたガス
導入部Ｉを介してプロセス室Ａ内部に導入され、排気口
Ｊから排気される。
石を用いたマグネトロン型、電子サイクロトロン共鳴を
用いたＥＣＲ放電型、ヘリコン波を用いたヘリコン型が
用いられてきた。また、磁石を用いないエッチング装置
として古くから容量結合型エッチング装置や誘導結合型
エッチング装置なども用いられている。平板型誘導結合
型エッチング装置の一例を図４に示す。図において、Ａ
はプロセス室、Ｂは平板型誘電体隔壁、Ｃは基板電極、
Ｄはプラズマ発生用１巻き状の誘導アンテナ、Ｅはプラ
ズマ生成用高周波電源、Ｆは基板、Ｇは基板バイアス用
高周波電源である。プラズマ発生用アンテナＤに高周波
電源Ｅより高周波を印加し、チャンバー内部にプラズマ
を形成して基板Ｆへ両極性拡散を行い、基板電極Ｃに高
周波電源Ｇより高周波を印加して基板電極Ｃ上の基板Ｆ
に自己バイアスを発生させて基板Ｆをエッチングする。
プロセスガスＨは誘電体隔壁Ｂ付近に取付けられたガス
導入部Ｉを介してプロセス室Ａ内部に導入され、排気口
Ｊから排気される。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】大面積高均一高速エッ
チングを達成させるためには基板上で均一な高密度プラ
ズマを形成する必要がある。しかもマイクロローディン
グ効果を極力抑制するためにはこの様な高密度・高均一
プラズマを0.1Pa以下の低圧力で達成する必要がある。
また、図４に示すような従来の平板型誘導結合型エッチ
ング装置では、プラズマ発生用のアンテナに印加された
高周波電力から生じる電場により近くに存在する誘電体
隔壁である石英板などがスパッタされ、基板が汚染され
たり、エッチング形状の異常が生じたりする問題があっ
た。更に従来技術である磁場を用いたＥＣＲエッチング
装置やヘリコン波型エッチング装置では0.1Pa以下の低
圧で高密度のプラズマを生成できるが、大口径高均一エ
ッチングは困難であり、磁場を用いない誘導結合型や静
電結合型の放電方式では大口径高均一プラズマは形成で
きるが、0.1Pa以下の低圧で高密度プラズマが形成でき
ないという問題点があった。
チングを達成させるためには基板上で均一な高密度プラ
ズマを形成する必要がある。しかもマイクロローディン
グ効果を極力抑制するためにはこの様な高密度・高均一
プラズマを0.1Pa以下の低圧力で達成する必要がある。
また、図４に示すような従来の平板型誘導結合型エッチ
ング装置では、プラズマ発生用のアンテナに印加された
高周波電力から生じる電場により近くに存在する誘電体
隔壁である石英板などがスパッタされ、基板が汚染され
たり、エッチング形状の異常が生じたりする問題があっ
た。更に従来技術である磁場を用いたＥＣＲエッチング
装置やヘリコン波型エッチング装置では0.1Pa以下の低
圧で高密度のプラズマを生成できるが、大口径高均一エ
ッチングは困難であり、磁場を用いない誘導結合型や静
電結合型の放電方式では大口径高均一プラズマは形成で
きるが、0.1Pa以下の低圧で高密度プラズマが形成でき
ないという問題点があった。
【０００４】このような従来のプラズマ利用装置の問題
点を解決するため、本件発明者の一人は先に、真空チャ
ンバ内でプラズマを利用して被処理物を処理するための
装置として、真空チャンバ内に磁気中性線を形成する磁
場発生手段と、この磁場発生手段によって真空チャンバ
内に形成された磁気中性線に沿って電場を形成してこの
磁気中性線に放電プラズマを発生させる電場発生手段と
を設けた放電プラズマ処理装置を提案した（特開平７−
90632号公報参照）。本発明は、この方式により誘電体
隔壁より離れた所に形成される磁気中性線に0.1Pa以下
の圧力でもプラズマを発生させることができることを利
用し、大口径基板上で高均一かつチャージアップダメー
ジの少ない高速エッチングが可能なエッチング装置を提
供することを目的としている。
点を解決するため、本件発明者の一人は先に、真空チャ
ンバ内でプラズマを利用して被処理物を処理するための
装置として、真空チャンバ内に磁気中性線を形成する磁
場発生手段と、この磁場発生手段によって真空チャンバ
内に形成された磁気中性線に沿って電場を形成してこの
磁気中性線に放電プラズマを発生させる電場発生手段と
を設けた放電プラズマ処理装置を提案した（特開平７−
90632号公報参照）。本発明は、この方式により誘電体
隔壁より離れた所に形成される磁気中性線に0.1Pa以下
の圧力でもプラズマを発生させることができることを利
用し、大口径基板上で高均一かつチャージアップダメー
ジの少ない高速エッチングが可能なエッチング装置を提
供することを目的としている。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに、本発明によるエッチング装置は、円筒形で上面が
誘電体である真空チャンバー内に連続して存在する磁場
ゼロの位置である環状磁気中性線を形成する磁場発生手
段を、上部誘電体上に載置された上下に極性を持つ永久
磁石とそれよりも内径が大きく上記永久磁石と同極性を
持つドーナツ形板状永久磁石とにより構成し、磁場発生
手段によって真空チャンバー内に形成された磁気中性線
に沿って交番電場を加えてこの磁気中性線に放電プラズ
マを発生するための１重を含む多重の高周波コイルから
成る電場発生手段を、永久磁石とドーナツ形板状永久磁
石の間に配置し、また形成される磁気中性線の作る面と
平行して離れた位置に直流あるいは高周波バイアスを印
加するようにした基板電極を設けたことを特徴としてい
る。上部誘電体上に載置された上下に極性を持つ永久磁
石は円盤状またはドーナツ状に構成することができる。
このエッチング装置を用いることにより、低圧で高密度
・高均一プラズマが形成できる。均一性を制御するのは
チャンバー内に形成される磁気中性線の位置である。こ
の位置は上部誘電体上に載置された永久磁石円盤状磁石
とドーナツ形板状永久磁石との強度比及び両磁石間の距
離によって定められる。
めに、本発明によるエッチング装置は、円筒形で上面が
誘電体である真空チャンバー内に連続して存在する磁場
ゼロの位置である環状磁気中性線を形成する磁場発生手
段を、上部誘電体上に載置された上下に極性を持つ永久
磁石とそれよりも内径が大きく上記永久磁石と同極性を
持つドーナツ形板状永久磁石とにより構成し、磁場発生
手段によって真空チャンバー内に形成された磁気中性線
に沿って交番電場を加えてこの磁気中性線に放電プラズ
マを発生するための１重を含む多重の高周波コイルから
成る電場発生手段を、永久磁石とドーナツ形板状永久磁
石の間に配置し、また形成される磁気中性線の作る面と
平行して離れた位置に直流あるいは高周波バイアスを印
加するようにした基板電極を設けたことを特徴としてい
る。上部誘電体上に載置された上下に極性を持つ永久磁
石は円盤状またはドーナツ状に構成することができる。
このエッチング装置を用いることにより、低圧で高密度
・高均一プラズマが形成できる。均一性を制御するのは
チャンバー内に形成される磁気中性線の位置である。こ
の位置は上部誘電体上に載置された永久磁石円盤状磁石
とドーナツ形板状永久磁石との強度比及び両磁石間の距
離によって定められる。
【０００６】また、チャージアップダメージのないエッ
チングを達成するため、本発明の別の特徴によれば、上
記構成に加えてエッチング装置において、基板電極に装
着された基板表面上に及ぶ磁場を限りなく小さくする異
極性の永久磁石が真空チャンバーの円筒側部外側に配置
される。
チングを達成するため、本発明の別の特徴によれば、上
記構成に加えてエッチング装置において、基板電極に装
着された基板表面上に及ぶ磁場を限りなく小さくする異
極性の永久磁石が真空チャンバーの円筒側部外側に配置
される。
【０００７】
【作用】このように構成された本発明のエッチング装置
においては、真空チャンバーの上部誘電体隔壁上に載置
された永久磁石とそれよりも内径の大きなドーナツ形板
状永久磁石によって真空チャンバー内に磁気中性線が形
成され、その磁気中性線上であって誘電体隔壁の上部に
載置された高周波印加アンテナから高周波を導入し放電
すると、磁気中性線に沿って電子がトラップされるため
効率のよい放電ができる。また、基板上の磁場をさらに
低く抑えるため、円筒状真空チャンバーの側部に上部載
置円盤状及びドーナツ形板状永久磁石とは逆の極性を持
つ永久磁石を設置することにより、基板上の磁場を５ガ
ウス以下にすることができる。それによりプラズマ中の
電子に対するトラップ効果を無視することができ、荷電
分離によるチャージアップ現象を引き起こすことはほと
んどない。
においては、真空チャンバーの上部誘電体隔壁上に載置
された永久磁石とそれよりも内径の大きなドーナツ形板
状永久磁石によって真空チャンバー内に磁気中性線が形
成され、その磁気中性線上であって誘電体隔壁の上部に
載置された高周波印加アンテナから高周波を導入し放電
すると、磁気中性線に沿って電子がトラップされるため
効率のよい放電ができる。また、基板上の磁場をさらに
低く抑えるため、円筒状真空チャンバーの側部に上部載
置円盤状及びドーナツ形板状永久磁石とは逆の極性を持
つ永久磁石を設置することにより、基板上の磁場を５ガ
ウス以下にすることができる。それによりプラズマ中の
電子に対するトラップ効果を無視することができ、荷電
分離によるチャージアップ現象を引き起こすことはほと
んどない。
【０００８】
【発明の実施の形態】以下図１、図２及び図３に示す実
施例に基いて本発明の実施の形態について説明する。図
１は本発明によるエッチング装置の一実施例である。図
示装置において１はプロセス室を形成している円筒形の
真空チャンバーで、その上面は平板型誘電体隔壁２で覆
われている。この平板型誘電体隔壁２の外面上には、図
示したような上下に極性を持つ円盤状永久磁石３及びこ
の円盤状永久磁石３よりも内径が大きくかつ永久磁石３
と同極性を持つドーナツ形板状永久磁石４が同心上に取
付けられ、これら両永久磁石３、４は真空チャンバー１
内に磁気中性線を形成するための磁場発生手段を構成し
ている。円盤状永久磁石３とドーナツ形板状永久磁石４
との間には、電場発生手段を構成する１重を含む多重の
リング状高周波コイル５が配置され、この高周波コイル
５は13.56MHzの周波数の高周波電源６に接続され、永久
磁石３、４によって真空チャンバー１内に形成された磁
気中性線に沿って交番電場を加えてこの磁気中性線に放
電プラズマを発生するようにしている。また真空チャン
バー１内の形成される磁気中性線の作る面と平行して離
れた位置には基板電極７が設けられ、この基板電極７は
RFバイアスを印加する高周波電源８に接続されている。
施例に基いて本発明の実施の形態について説明する。図
１は本発明によるエッチング装置の一実施例である。図
示装置において１はプロセス室を形成している円筒形の
真空チャンバーで、その上面は平板型誘電体隔壁２で覆
われている。この平板型誘電体隔壁２の外面上には、図
示したような上下に極性を持つ円盤状永久磁石３及びこ
の円盤状永久磁石３よりも内径が大きくかつ永久磁石３
と同極性を持つドーナツ形板状永久磁石４が同心上に取
付けられ、これら両永久磁石３、４は真空チャンバー１
内に磁気中性線を形成するための磁場発生手段を構成し
ている。円盤状永久磁石３とドーナツ形板状永久磁石４
との間には、電場発生手段を構成する１重を含む多重の
リング状高周波コイル５が配置され、この高周波コイル
５は13.56MHzの周波数の高周波電源６に接続され、永久
磁石３、４によって真空チャンバー１内に形成された磁
気中性線に沿って交番電場を加えてこの磁気中性線に放
電プラズマを発生するようにしている。また真空チャン
バー１内の形成される磁気中性線の作る面と平行して離
れた位置には基板電極７が設けられ、この基板電極７は
RFバイアスを印加する高周波電源８に接続されている。
【０００９】このように構成した図示装置において、円
盤状永久磁石３に直径は80mmのものを使用し、ドーナツ
形板状永久磁石４の内径を300mmとし外径を340mmとし、
表面磁場強度が0.3テラスのとき、磁気中性線は半径98.
5mm、永久磁石３、４の下方57.5mmの所に形成される。
誘電体隔壁２の厚みを30mmとした場合、磁気中性線は誘
電体隔壁２の内面より27.5mmのところに形成される。こ
のように、真空隔壁面より離れた所に濃いプラズマを形
成できるため、プラズマと隔壁との相互作用（スパッ
タ、荷電粒子による熱流入等）を少なく抑えることがで
きる。基板は永久磁石面より200mm下方の基板電極７上
に置かれ、この面上での磁場は５ガウス程度に低い。こ
のような寸法の装置で形成した磁場の計算例を図２に示
す。
盤状永久磁石３に直径は80mmのものを使用し、ドーナツ
形板状永久磁石４の内径を300mmとし外径を340mmとし、
表面磁場強度が0.3テラスのとき、磁気中性線は半径98.
5mm、永久磁石３、４の下方57.5mmの所に形成される。
誘電体隔壁２の厚みを30mmとした場合、磁気中性線は誘
電体隔壁２の内面より27.5mmのところに形成される。こ
のように、真空隔壁面より離れた所に濃いプラズマを形
成できるため、プラズマと隔壁との相互作用（スパッ
タ、荷電粒子による熱流入等）を少なく抑えることがで
きる。基板は永久磁石面より200mm下方の基板電極７上
に置かれ、この面上での磁場は５ガウス程度に低い。こ
のような寸法の装置で形成した磁場の計算例を図２に示
す。
【００１０】図１に示されている装置を用いて、酸化膜
付きSi基板を用い、RFバイアス用として13.56MHzの高周
波電源を用いた時、八フッ化プロパンガスの圧力が0.67
Paで、RFバイアスパワーが500W、RFアンテナパワーが15
00Wの条件下で環状磁場中性線の径及びその位置を固定
したままであるにもかかわらず、800nm/min±3％という
高いエッチング速度と高いエッチング均一性が得られ、
かつアンテナ比30万のアンテナＭＯＳを用いたチャージ
アップダメージ評価においても、基板全面にわたってダ
メージは認められなかった。
付きSi基板を用い、RFバイアス用として13.56MHzの高周
波電源を用いた時、八フッ化プロパンガスの圧力が0.67
Paで、RFバイアスパワーが500W、RFアンテナパワーが15
00Wの条件下で環状磁場中性線の径及びその位置を固定
したままであるにもかかわらず、800nm/min±3％という
高いエッチング速度と高いエッチング均一性が得られ、
かつアンテナ比30万のアンテナＭＯＳを用いたチャージ
アップダメージ評価においても、基板全面にわたってダ
メージは認められなかった。
【００１１】図３には本発明の別の実施例を示し、この
場合には基板上の磁場をさらに低く抑えるため、円筒状
真空チャンバー１の外周部に上部載置円盤状永久磁石３
及びドーナツ形板状永久磁石３の極性とは逆の極性を持
つ磁場補正用円筒状永久磁石９が設けられている。その
他の構成は図１の実施例と同じであり、対応する部分は
同じ符号で示す。円筒状永久磁石９を設けることによ
り、基板付近の磁場が非常に低く、基板上の磁場を５ガ
ウス以下にすることができ、プラズマ中の電子に対する
トラップ効果を無視することができ、荷電分離によるチ
ャージアップ現象を引き起こすことはほとんどない。
場合には基板上の磁場をさらに低く抑えるため、円筒状
真空チャンバー１の外周部に上部載置円盤状永久磁石３
及びドーナツ形板状永久磁石３の極性とは逆の極性を持
つ磁場補正用円筒状永久磁石９が設けられている。その
他の構成は図１の実施例と同じであり、対応する部分は
同じ符号で示す。円筒状永久磁石９を設けることによ
り、基板付近の磁場が非常に低く、基板上の磁場を５ガ
ウス以下にすることができ、プラズマ中の電子に対する
トラップ効果を無視することができ、荷電分離によるチ
ャージアップ現象を引き起こすことはほとんどない。
【００１２】ところで、図示実施例では高周波電場を導
入するアンテナに13.56MHzの周波数の高周波が用いられ
ているが、この周波数に限定されるものではない。基板
電極に印加される高周波も同様に13.56MHzに限定される
ものではない。アンテナ及び基板電極に同一周波数の電
源が用いられる場合には２つの電源間の位相を調整する
位相制御回路が一般に必要になる。また図示実施例にお
いて、磁気中性線の径を大きくするには円盤状永久磁石
及びドーナツ形板状永久磁石の径を大きくすることによ
り達成される。また、形成される磁気中性線と永久磁石
面との距離は円盤状永久磁石とドーナツ形板状永久磁石
との間隔により変えることができる。間隔を大きくすれ
ばその距離は大きくなる。さらに、ドーナツ形板状永久
磁石の内側に配置される永久磁石は図示実施例では円盤
状であるが、当然ドーナツ形に構成することもできる。
さらにまた、図示実施例では、エッチング装置について
説明したが、ＣＶＤ装置においても同様な効果が得られ
る。
入するアンテナに13.56MHzの周波数の高周波が用いられ
ているが、この周波数に限定されるものではない。基板
電極に印加される高周波も同様に13.56MHzに限定される
ものではない。アンテナ及び基板電極に同一周波数の電
源が用いられる場合には２つの電源間の位相を調整する
位相制御回路が一般に必要になる。また図示実施例にお
いて、磁気中性線の径を大きくするには円盤状永久磁石
及びドーナツ形板状永久磁石の径を大きくすることによ
り達成される。また、形成される磁気中性線と永久磁石
面との距離は円盤状永久磁石とドーナツ形板状永久磁石
との間隔により変えることができる。間隔を大きくすれ
ばその距離は大きくなる。さらに、ドーナツ形板状永久
磁石の内側に配置される永久磁石は図示実施例では円盤
状であるが、当然ドーナツ形に構成することもできる。
さらにまた、図示実施例では、エッチング装置について
説明したが、ＣＶＤ装置においても同様な効果が得られ
る。
【００１３】
【発明の効果】以上説明してきたように本発明によれ
ば、磁気中性線放電プラズマを利用しているので、基板
上で均一なプラズマが形成でき、従来にないエッチング
均一性が達成出来ただけでなく、チャージアップダメー
ジのないエッチングが可能となった。
ば、磁気中性線放電プラズマを利用しているので、基板
上で均一なプラズマが形成でき、従来にないエッチング
均一性が達成出来ただけでなく、チャージアップダメー
ジのないエッチングが可能となった。
【図１】 本発明によるエッチング装置の一実施例の概
略線図。
略線図。
【図２】 図１の装置における磁場の計算例を示す図。
【図３】 磁場補正磁石を用いた本発明によるエッチン
グ装置の別の実施例の概略線図。
グ装置の別の実施例の概略線図。
【図４】 従来の誘導結合エッチング装置の一例を示す
概略線図。
概略線図。
１：真空チャンバ ２：平板型誘電体隔壁 ３：円盤状永久磁石 ４：ドーナツ形板状永久磁石 ５：高周波コイル ６：高周波電源 ７：基板電極 ８：高周波電源 ９：磁場補正用円筒状永久磁石
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 林 俊雄 神奈川県茅ケ崎市萩園2500番地 日本真空 技術株式会社内 (72)発明者 内田 岱二郎 神奈川県茅ケ崎市萩園2500番地 日本真空 技術株式会社内
Claims (4)
- 【請求項１】 円筒形で上面が誘電体である真空チャン
バー内でプラズマを利用して基板をエッチング処理する
ようにしたエッチング装置であって、真空チャンバー内
に連続して存在する磁場ゼロの位置である環状磁気中性
線を形成する磁場発生手段を、上部誘電体上に載置され
た上下に極性を持つ永久磁石とそれよりも内径が大きく
上記永久磁石と同極性を持つドーナツ形板状永久磁石と
により構成し、磁場発生手段によって真空チャンバー内
に形成された磁気中性線に沿って交番電場を加えてこの
磁気中性線に放電プラズマを発生するための１重を含む
多重の高周波コイルから成る電場発生手段を、永久磁石
とドーナツ形板状永久磁石の間に配置し、また形成され
る磁気中性線の作る面と平行して離れた位置に直流ある
いは高周波バイアスを印加するようにした基板電極を設
けたことを特徴するエッチング装置。 - 【請求項２】 上部誘電体上に載置された上下に極性を
持つ永久磁石が円盤状である請求項１に記載のエッチン
グ装置。 - 【請求項３】 上部誘電体上に載置された上下に極性を
持つ永久磁石がドーナツ状である請求項１に記載のエッ
チング装置。 - 【請求項４】 円筒形で上面が誘電体である真空チャン
バー内でプラズマを利用して基板をエッチング処理する
ようにしたエッチング装置であって、真空チャンバー内
に連続して存在する磁場ゼロの位置である環状磁気中性
線を形成する磁場発生手段を、上部誘電体上に載置され
た上下に極性を持つ永久磁石とそれよりも内径が大きく
上記永久磁石と同極性を持つドーナツ形板状永久磁石と
により構成し、磁場発生手段によって真空チャンバー内
に形成された磁気中性線に沿って交番電場を加えてこの
磁気中性線に放電プラズマを発生するための１重を含む
多重の高周波コイルから成る電場発生手段を、永久磁石
とドーナツ形板状永久磁石の間に配置し、また形成され
る磁気中性線の作る面と平行して離れた位置に直流ある
いは高周波バイアスを印加するようにした基板電極を設
け、さらにこの基板電極に装着された基板表面上に及ぶ
磁場を限りなく小さくするために異極性の永久磁石を真
空チャンバーの円筒側部外側に配置したことを特徴とす
るエッチング装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21796595A JP3455616B2 (ja) | 1995-08-25 | 1995-08-25 | エッチング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21796595A JP3455616B2 (ja) | 1995-08-25 | 1995-08-25 | エッチング装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0964015A true JPH0964015A (ja) | 1997-03-07 |
| JP3455616B2 JP3455616B2 (ja) | 2003-10-14 |
Family
ID=16712511
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21796595A Expired - Fee Related JP3455616B2 (ja) | 1995-08-25 | 1995-08-25 | エッチング装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3455616B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1956618A (zh) * | 2001-06-15 | 2007-05-02 | 东京毅力科创株式会社 | 干蚀刻方法 |
-
1995
- 1995-08-25 JP JP21796595A patent/JP3455616B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1956618A (zh) * | 2001-06-15 | 2007-05-02 | 东京毅力科创株式会社 | 干蚀刻方法 |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3455616B2 (ja) | 2003-10-14 |
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