JPH0966270A

JPH0966270A - 基板処理装置

Info

Publication number: JPH0966270A
Application number: JP8117864A
Authority: JP
Inventors: Koji Kizaki; 幸治木▲崎▼; Masahiro Miyagi; 雅宏宮城
Original assignee: Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
Current assignee: Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
Priority date: 1995-06-19
Filing date: 1996-05-13
Publication date: 1997-03-11
Anticipated expiration: 2016-05-13
Also published as: JP3645031B2

Abstract

(57)【要約】【課題】基板処理工程全体のタクトが変化しても、基
板にダメージを与えることなく、しかも処理工程全体の
タクトを長くすることなく、適量の紫外線エネルギーを
基板に与えることができる基板処理装置を提供する。【解決手段】紫外線を出射するランプとして誘電体バ
リア放電ランプ９が用いられており、タクトタイムより
も短い時間だけ誘電体バリア放電ランプ９が点灯されて
基板３に所定量の紫外線エネルギーが与えられる。した
がって、たとえタクトタイムが変化したとしても、基板
３への紫外線エネルギーが所定量となった時点で誘電体
バリア放電ランプ９が消灯されて紫外線エネルギーは一
定に維持される。しかも、誘電体バリア放電ランプ９を
用いたことで、ランプの点灯・消灯を繰り返したとして
も、ランプ点灯後短時間で出力を安定させることがで
き、処理工程全体のタクトが長くなってしまうという欠
点を解消することができる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】この発明は、半導体製造装置
や液晶ディスプレイ、プラズマディスプレイ、ＥＬディ
スプレイなどのフラットパネルディスプレイ製造装置な
どにおいて、半導体ウエハ，ガラス基板や各種ワークな
どの被処理物（以下、「基板」と総称する）に対し紫外
線を照射してオゾンを発生させ、基板表面上の有機物を
分解させたり、基板表面を親水化させて後段の洗浄工程
における水洗効果を高めたりするために使用される基板
処理装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】基板の表面に紫外線を照射してオゾンを
発生させることにより、基板表面上の有機物を分解させ
たり、基板表面を親水化させて後段の洗浄工程における
水洗効果を高めたりするために使用される基板処理装置
は、種々の型式のものが知られており、液晶製造装置の
フォトリソ工程などにおいて用いられている。この種の
基板処理装置は、具体的には、基板を支持するチャック
の上方位置に低圧水銀ランプを配設しており、チャック
に搭載された基板表面に低圧水銀ランプからの紫外線を
所定時間（タクトタイム）ｔ1（図１２）だけ照射する
ことにより、適量の紫外線エネルギー（図１２の斜線部
分Ｒ1 の面積に相当）を基板に与えるように構成されて
いる。なお、同図および後で説明する図４において、横
軸は処理開始からの経過時刻を示すとともに、縦軸は基
板表面における紫外線照度を示している。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】ところで、従来の基板
処理装置では、低圧水銀ランプと基板との距離は一定に
保たれており、しかも低圧水銀ランプの出力は定常的な
点灯状態では短期的にはほぼ一定である。したがって、
基板処理工程のタクトが変化して基板処理装置内に基板
が載置される時間が長くなると、基板に作用する紫外線
エネルギーが必要以上に多くなってしまう。例えば、タ
クトタイムが時間ｔ1から時間ｔ2（＞ｔ1）になると、
斜線部分Ｒ2 の面積に相当する量の紫外線エネルギーが
過剰に基板に与えられてしまう。その結果、基板が白濁
したり、基板上に形成されるトランジスタ特性が変化し
てしまうなどのダメージを受けることがある。

【０００４】これを解消するためには、基板に必要量の
紫外線エネルギーが与えられた時点（時間ｔ1）で低圧
水銀ランプを消灯させることが考えられるが、低圧水銀
ランプは一旦消灯されると、図１３に示すように、次に
低圧水銀ランプを時刻Ｔ₃で点灯させてからランプ出力
が１００％に達し、定常状態で安定するまでに長時間Δ
ｔを要する。そのため、低圧水銀ランプの点灯・消灯に
より処理工程全体のタクトが長くなってしまうという欠
点がある。なお、同図および後で説明する図３におい
て、横軸はランプ点灯からの経過時刻を示すとともに、
縦軸はランプ出力（相対値）を示している。

【０００５】また、ランプを長時間使用すると、ランプ
の経時変化などによりランプ出力が低下し、その結果、
今までと同一時間だけランプを点灯しているにもかかわ
らず、基板に与えられる紫外線エネルギーが減少し、露
光不足により所望の処理が行われないという問題が生じ
る。

【０００６】また、低圧水銀ランプを常時点灯して使用
すると、紫外線と同時に出射される熱線により装置内部
の温度は高温となり、液晶ディスプレイ用などのガラス
基板が反り返ってしまうという問題が生じる。その結
果、搬送トラブル、位置決め不良、チャッキング不良な
どの機械的トラブルが起こってしまい、例えば、スピン
式の洗浄装置（スピンスクラバ）へ運んだときにメカニ
カルチャックにてチャッキング不良が発生し、チャッキ
ング不良のまま回転すると基板が割れて粉々になってし
まうという重大なトラブルが発生してしまう。特に、近
年要求が高まっている液晶ディスプレイなどの軽量化、
大型化および低価格化を実現するには、ガラス基板の薄
型化、大型化、あるいは、廉価なアルカリガラスや低ア
ルカリガラスといった熱膨張率の高い素材への転換が必
要であり、この基板の反りという問題が益々重要な課題
となっている。

【０００７】この発明は、上記の問題を解決するために
なされたものであり、基板処理工程全体のタクトが変化
しても、基板にダメージを与えることなく、しかも処理
工程全体のタクトを長くすることなく、適量の紫外線エ
ネルギーを基板に与えることができる基板処理装置を提
供することを第１の目的とする。

【０００８】また、この発明は、ランプの経時変化など
によりランプ出力が変化した場合であっても、自動的に
ランプ出力あるいはランプ点灯時間を補正して、常に適
量の紫外線エネルギーを基板に与えることができる基板
処理装置を提供することを第２の目的とする。

【０００９】さらに、この発明は、ガラス基板の処理が
行われる装置内部の温度を低く抑え、ガラス基板の反り
を防止することができる基板処理装置を提供することを
第３の目的とする。

【００１０】

【課題を解決するための手段】請求項１の発明は、所定
量の紫外線エネルギーを基板に与える基板処理装置であ
って、基板を支持する支持手段と、前記支持手段に支持
された基板に紫外線を照射する誘電体バリア放電ランプ
と、前記誘電体バリア放電ランプの点灯・消灯を切り替
える切替手段と、前記切替手段を制御して、前記誘電体
バリア放電ランプを点灯後、前記基板への前記所定量の
紫外線エネルギーの照射が完了した時点で前記誘電体バ
リア放電ランプを消灯させる制御手段とを備える。

【００１１】請求項２の発明は、請求項１記載の基板処
理装置であって、前記支持手段により支持される基板表
面の照度を測定する照度計と、前記照度計により測定さ
れる照度の変化に基づき、変化後の照度で基板に紫外線
を照射する場合に基板に与えられる紫外線エネルギーが
前記所定量に達するまでに要する時間を求め、当該時間
を前記誘電体バリア放電ランプの点灯持続時間とする照
度調整手段とをさらに備え、前記制御手段は前記切替手
段を制御して、前記照度調整手段により求められた点灯
持続時間の間、前記誘電体バリア放電ランプを持続的に
点灯させる。

【００１２】請求項３の発明は、請求項１記載の基板処
理装置であって、前記誘電体バリア放電ランプに与える
電力を制御して前記誘電体バリア放電ランプからの紫外
線の強度を調整する調光手段と、前記支持手段により支
持される基板表面の照度を測定する照度計と、前記照度
計により測定される照度の変化に基づき、変化前の照度
で基板に紫外線を照射するために前記誘電体バリア放電
ランプに与えるべき電力の変化量を求める照度調整手段
と、をさらに備え、前記制御手段は前記調光手段を制御
して、前記照度調整手段により求められた変化量に基づ
き前記誘電体バリア放電ランプに与える電力を変更し、
前記基板での照度を一定に維持する。

【００１３】請求項４の発明は、請求項１ないし３記載
の基板処理装置であって、前記基板がガラス基板であ
る。

【００１４】請求項５の発明は、請求項４記載の基板処
理装置であって、前記ガラス基板が、厚さ０．３〜０．
７（ｍｍ）、熱膨張係数３０以上（×１０^-7／℃）の無
アルカリガラス基板、または、厚さ０．３〜１．１（ｍ
ｍ）、熱膨張係数５０以上（×１０^-7／℃）の低アルカ
リガラス基板もしくはアルカリガラス基板である。

【００１５】

【発明の実施の形態】

＜１．第１の実施の形態＞図１はこの発明にかかる基板
処理装置の第１の実施の形態を示す平面図であり、図２
はこの実施の形態の断面図である。この基板処理装置で
は、図２に示すように、基板ボックス１の底面部を貫通
して上方向に複数の支持ピン２が突設されており、昇降
駆動源２２により昇降可能に設けられ、これらの支持ピ
ン２により基板３を支持する。このように、この実施の
形態では、複数の支持ピン２が基板３を支持する支持手
段として機能する。なお、基板３の支持方法はこれに限
定されるものではなく、例えば真空吸引式のチャックに
より基板３を支持してもよい。

【００１６】この基板ボックス１の上面部には、支持ピ
ン２により支持される基板３よりも大きなサイズの開口
４が設けられている。

【００１７】そして、この開口４とほぼ同一サイズの開
口５を底面部に有するランプボックス６が、両開口４，
５が対向するようにして、基板ボックス１の上に配置さ
れている。また、この開口５を塞ぐように、ランプボッ
クス６内に石英板７が配置され、ランプ空間ＳＰLが形
成されている。さらに、この石英板７の上方位置に８本
の誘電体バリア放電ランプ９が一列に整列配置されてい
る。したがって、後述するタイミングでランプ電源１０
から電力が送電されると、電源中継ボックス１１を介し
て誘電体バリア放電ランプ９に与えられて誘電体バリア
放電ランプ９が点灯する。これにより、誘電体バリア放
電ランプ９から紫外線が下方に向けて出射され、石英板
７を通過した後、支持ピン２に支持された基板３の表面
に照射される。

【００１８】このランプボックス６内には、ランプボッ
クス６の上面と誘電体バリア放電ランプ９との間に反射
板１２が配置されており、誘電体バリア放電ランプ９か
ら紫外線を効率良く基板３側に導く。また、図２に示す
ように、ランプボックス６の左側部には窒素ガスの導入
口１３が設けられており、図示を省略する窒素ガス供給
部からの窒素ガスをランプボックス６と石英板７とで形
成されるランプ空間ＳＰLに導入可能となっている。一
方、ランプボックス６の右側部には窒素ガスの排気口１
４が設けられており、この排気口１４と連結された排気
システムや排気ポンプなどの排気手段（図示省略）によ
りランプ空間ＳＰLから外部に排気されるように構成さ
れている。したがって、ランプ空間ＳＰL内では、誘電
体バリア放電ランプ９から出射される紫外線の吸収減衰
の主原因となる酸素が排除されるとともに、当該紫外線
の減衰に影響を及ぼさない窒素ガスが充満され、その結
果、誘電体バリア放電ランプ９からの紫外線を効率良く
基板３に照射することができる。なお、この実施の形態
ではランプ空間ＳＰLを形成するために、石英板７を用
いているが、紫外線を透過する板材であればよく、石英
板に限定されるものではない。

【００１９】一方、基板ボックス１側にも、排気システ
ムや排気ポンプなどの排気手段（図示省略）が接続され
ており、基板ボックス１と石英板７とで形成される基板
処理空間ＳＰTが排気されている。また、この基板処理
空間ＳＰT内では、図１に示すように、基板３と干渉し
ない位置に照度計１５が配置されて石英板７を介して基
板３側に照射される紫外線を受光し、基板３への紫外線
照度を測定する。この照度計１５は照度調整部１６と電
気的に接続され、照度計１５により測定された照度が照
度調整部１６に与えられる。

【００２０】この照度調整部１６では、照度計１５から
与えられた照度の変化に基づき誘電体バリア放電ランプ
９の点灯時間を求める。ここで、基板３に与えられる紫
外線エネルギーは、基板３での照度と照射時間とを掛け
合わせることにより求まる総照射量で決まる。そこで、
この実施の形態では、基板３での照度が変化したとき、
変化後の照度で基板に紫外線を照射する場合に基板に与
えられる紫外線エネルギーが所定量に達するまでに要す
る時間を求め、当該時間を誘電体バリア放電ランプの点
灯時間とする。

【００２１】この照度調整部１６は装置全体を制御する
制御部１７と電気的に接続されており、上記のようにし
て求められた点灯時間に関する信号が制御部１７に与え
られる。そして、この信号を受けて制御部１７は、誘電
体バリア放電ランプ９の点灯・消灯を切り替える切替手
段として機能するランプ電源調整部１８を介してランプ
電源１０から誘電体バリア放電ランプ９への電力供給を
制御し、誘電体バリア放電ランプ９の点灯時間を制御し
て基板３に与えられる紫外線エネルギーを調整するよう
に構成されている。

【００２２】次に、図３および図４を参照しつつ、基板
処理行程について説明する。ここでは、タクトタイム
（処理時間）が時間ｔ2であると仮定する。なお、ここ
でいうタクトタイムとは、搬送ロボットが複数の装置間
を循環して、複数の基板を順次入れ換えて搬送しつつ処
理を施す場合においては、その搬送ロボットが各装置を
一順するのに要する時間であり、各装置においては、搬
送ロボットによる装置への基板搬入から搬出までの時間
であり、その装置への基板の搬入搬出に要する時間を含
む。

【００２３】まず、処理すべき基板３を基板搬入搬出口
１９（図１）を介して基板処理空間ＳＰT内に搬入し、
支持ピン２上に載置した後、支持ピン２が上昇して基板
３を誘電体バリア放電ランプ９に所定の距離まで近接さ
せる。次に制御部１７からの処理開始指令に応じてラン
プ電源１０から誘電体バリア放電ランプ９に電力が供給
されて基板への照射処理が開始される。このとき、誘電
体バリア放電ランプ９の出力（同図のランプ出力）は、
図３に示すように、電力供給から一定時間Δｔだけ経過
して安定状態に達するが、当該時間Δｔは従来の低圧水
銀ランプのそれ（図７のΔｔ）に比べて大幅に短縮され
ており、例えば４０秒間の点灯と２０秒間の消灯とを繰
り返す場合、低圧水銀ランプのΔｔは数分であるのに対
し、誘電体バリア放電ランプ９のΔｔは１秒以下であ
り、実使用においてはほぼ瞬間的に安定化するとみなす
ことができる。

【００２４】誘電体バリア放電ランプ９が点灯すると、
基板３の表面に適当な照度（例えば「１００」）で紫外
線が照射され、所定の基板処理が開始される。そして、
タクトタイムｔ2より短い一定時間ｔ1だけ誘電体バリア
放電ランプ９が点灯状態に維持された後、時刻Ｔ₁で制
御部１７からの停止指令に応じてランプ電源１０から誘
電体バリア放電ランプ９への電力供給が停止され、誘電
体バリア放電ランプ９が消灯される。こうして、基板３
には、適量の紫外線エネルギー（図４の斜線部分Ｒ1 の
面積「１００×ｔ1」に相当）が与えられる。なお、消
灯後、タクトタイムｔ2が経過するまでの間は、消灯状
態が維持され、図４に示すように、時刻Ｔ₂まで基板３
上の紫外線照度はゼロとなっている。また、基板３の搬
出と、次なる基板の搬入は、図４におけるタクトタイム
ｔ2内の最後の時間ｔ4の間になされ、その後、次のタク
トタイムの間に次なる基板の処理がなされる。尚、図４
では誘電体バリア放電ランプ９の点灯時を時刻０とし
て、タクトタイムｔ2の最後の基板の搬出・搬入の時間
ｔ4として図示しているが、一枚の基板の処理に注目す
れば、この時間ｔ4のうち、基板の搬入のための時間は
誘電体バリア放電ランプ９の点灯前にあることになる。

【００２５】以上のように、この実施の形態によれば、
タクトタイムｔ2よりも短い時間ｔ1だけ誘電体バリア放
電ランプ９を点灯させて基板３に所定量の紫外線エネル
ギーを与えるようにしているので、たとえタクトタイム
が変化したとしても、基板３への紫外線エネルギーが所
定量（図４の斜線部分Ｒ1 の面積「１００×ｔ1」に相
当）となった時点で誘電体バリア放電ランプ９を消灯し
て紫外線エネルギーを調整することができる。しかも、
紫外線ランプとして誘電体バリア放電ランプ９を用いて
いるので、ランプの点灯・消灯を繰り返したとしても、
ランプ点灯後短時間で出力を安定させることができ、紫
外線ランプとして低圧水銀ランプを用いていた場合の欠
点、つまり低圧水銀ランプの点灯・消灯によりランプの
点灯状態が安定するまでに長時間を要してしまい、処理
工程全体のタクトが長くなってしまうという欠点を解消
することができる。

【００２６】また、上記実施の形態では、照度計１５を
設け、支持ピン２により支持される基板３の表面での照
度を測定し、照度調整部１６に与えて、その照度の変化
に基づき、変化後の照度で基板に紫外線を照射する場合
に基板に与えられる紫外線エネルギーが所定量に達する
までに要する時間を求め、当該時間を誘電体バリア放電
ランプの点灯時間としている。例えば、長時間使用によ
る経時変化により誘電体バリア放電ランプ９のランプ出
力が低下すると、図４に示すように、基板３の表面での
紫外線照度が低下する。このように照度が低下したま
ま、変化前と同一時間ｔ1だけ誘電体バリア放電ランプ
９を点灯させていたのでは基板３に与えられる紫外線エ
ネルギーが所定量以下になってしまう。そこで、この実
施の形態では、照度調整部１６で変化後の照度（例え
ば、「８０」）に対応して誘電体バリア放電ランプ９の
点灯時間ｔ3（＝１．２５×ｔ1）を求め、この点灯時間
ｔ3だけ誘電体バリア放電ランプ９を点灯させているの
で、基板３の表面に与えられる紫外線エネルギーは変化
前と同一となる。したがって、誘電体バリア放電ランプ
９の経時変化などによりランプ出力が変化した場合であ
っても、自動的にランプ点灯時間が補正されて、常に適
量の紫外線エネルギーを基板に与えることができる。

【００２７】＜２．第２の実施の形態＞図５は、この発
明にかかる基板処理装置の第２の実施の形態を示す断面
図である。この基板処理装置が先に説明した実施の形態
（図２）と大きく相違する点は、照度調整部１６での処
理内容が異なる点と、照度調整部１６での処理結果に応
じて誘電体バリア放電ランプ９に与える電力を変更して
誘電体バリア放電ランプ９のランプ出力を調整するラン
プ調光部２０がさらに設けられている点であり、その他
の構成は同一である。

【００２８】この実施の形態における照度調整部１６で
は、照度計１５により測定された照度の変化が検出され
る。例えば、誘電体バリア放電ランプ９を長時間使用す
ると、上記のように経時変化などにより、そのランプ出
力が低下し、基板３の表面での照度が低下する。したが
って、この状態のまま変化前と同一時間ｔ1だけ基板３
への紫外線照射を行うと、基板３に与えられる紫外線エ
ネルギーが所定量以下になってしまう。この場合、誘電
体バリア放電ランプ９に与える電力を適切に増加させる
ことで誘電体バリア放電ランプ９のランプ出力を元に戻
すことができる。そこで、この実施の形態では、変化前
の照度で基板３に紫外線を照射するために誘電体バリア
放電ランプに与えるべき電力の変化量を求めている。そ
して、こうして求められた変化量に関する信号が制御部
１７に与えられ、さらに制御部１７からの指令に基づき
ランプ調光部２０がランプ電源１０を制御して誘電体バ
リア放電ランプ９に与えられる電力がその変化量だけ増
加される。こうして誘電体バリア放電ランプ９からのラ
ンプ出力が調整されて基板３での照度が一定に維持され
て、常に適量の紫外線エネルギーが基板に与えられる。

【００２９】なお、この実施の形態では、経時変化など
により誘電体バリア放電ランプ９のランプ出力が低下し
たとき、誘電体バリア放電ランプ９に与える電力を増加
させてランプ出力を元に戻すようにしているので、誘電
体バリア放電ランプ９の使用開始の当初においては、誘
電体バリア放電ランプ９が最大能力よりも低い能力を発
揮するように予め誘電体バリア放電ランプ９に供給する
電力を低く設定しておくのが望ましい。

【００３０】＜３．第３の実施の形態＞図６は液晶ディ
スプレイ用などのガラス基板の製造工程の概略を示す図
である。図示するようにこの製造工程は洗浄工程、現像
工程、エッチング工程、レジスト剥離工程から成り、図
７〜図１１はこれらの工程でのこの発明に係る基板処理
装置（以下、他の基板処理装置との区別を明確にすべく
「紫外線照射装置」という。）の利用形態を示す図であ
る。

【００３１】図７および図８は洗浄工程における紫外線
照射装置Ｍuvの利用形態を示した図である。図７では、
スピン式洗浄装置Ｍ1で洗浄処理が施される前に、誘電
体バリア放電ランプ９を利用した紫外線照射装置Ｍuvを
用いて基板に紫外線を照射しており、これにより発生す
るオゾンを利用して基板表面上の有機物を分解させた
り、基板表面を親水化させて後段の洗浄工程における水
洗効果を高めたりすることができる。このような紫外線
によるドライ洗浄処理が施された基板３はロボットハン
ドＲh1およびＲh2を介してスピン式洗浄装置Ｍ1に搬送
され、純水などを用いる物理的なウエット洗浄が施され
る。また、図８では、コロＲoの回転により基板３が搬
送され、紫外線照射装置Ｍuvにおいてドライ洗浄が施さ
れた後、コロ搬送型洗浄装置Ｍ2においてウエット洗浄
が施される。

【００３２】このようにウエット洗浄前のドライ洗浄に
おいて誘電体バリア放電ランプから出射される紫外線を
用いることにより、紫外線の照射を迅速に点灯・消灯す
ることができ、タクトタイムの変化に影響を受けること
なく適正量の紫外線を基板に照射でき、基板の白濁やト
ランジスタ特性の変化の防止といった品質の安定化が実
現できるとともに、紫外線とともに装置内部に放たれる
熱線の量も制限されるため、装置内部の温度の上昇も防
止することができる。その結果、ガラス基板の反りを防
ぐことができ、搬送やチャッキングにおけるトラブルを
回避することができる。特に、厚さ０．７ｍｍ以下、熱
膨張係数３０〜５０（×１０^-7／℃）の無アルカリガラ
スや厚さ１．１ｍｍ以下、熱膨張係数５０〜９０（×１
０^-7／℃）の膨張率の高い低アルカリガラス・アルカリ
ガラスにおいてこの反り防止の効果が得られる。とりわ
け、厚さが上記数値以下の例えば０．３ｍｍの薄く反り
が発生しやすいガラス基板でも反りの発生を顕著に軽減
して確実に搬送し処理することができる。なお、以上の
熱膨張係数は、液晶表示器や半導体素子製造におけるフ
ォトリソ工程などこの種装置の使用温度範囲での値を示
し、ここでは０〜３００℃の温度範囲を示す。

【００３３】なお、紫外線を用いたドライ洗浄を実現す
るためには波長２００ｎｍ以下の紫外線が必要である
が、これは、例えばキセノンを用いた誘電体バリア放電
マランプ（波長１７２ｎｍ）を利用することで得られ
る。

【００３４】また、上記実施の形態はウエット洗浄前に
ドライ洗浄を行うものであったが、スピン式洗浄装置や
コロ搬送型洗浄装置によるウエット洗浄の後に紫外線照
射装置によるドライ洗浄を行うようにしてもよい。図９
は、スピン式洗浄装置Ｍ1においてウエット洗浄を施し
た後、ロボットハンドＲh2およびＲh1を介して赤外線照
射式オーブンやダイレクトホットプレートを利用した乾
燥装置Ｍ3にて乾燥し、その後、ロボットハンドＲh1を
介して紫外線照射装置Ｍuvにおいてドライ洗浄を行う様
子を示した図である。これにより、ウエット洗浄では洗
浄しきれなかった有機物などを除去することができる。

【００３５】また、以上は洗浄工程における紫外線照射
装置Ｍuvの利用形態について説明してきたが、エッチン
グ工程やレジスト剥離工程においても利用できる。図１
０はこれらの利用形態を示した図であり、ウエットエッ
チング装置やレジスト剥離装置などの処理液塗布装置Ｍ
4において処理液の塗布や洗浄が行われた後、ロボット
ハンドＲh2およびＲh1を介して紫外線照射装置Ｍuvにお
いてドライ洗浄を行うものである。この場合も、有機物
除去などの目的として用いられるものであり、基板の品
質の安定化や基板の反りの防止といった効果が得られ
る。

【００３６】さらに、この誘電体バリア放電ランプを用
いる紫外線照射装置はドライ洗浄のみではなく、レジス
トの硬化に利用することも可能である。図１１は、スピ
ン式現像装置Ｍ5において現像された基板３をロボット
ハンドＲh2およびＲh1を介して紫外線照射装置Ｍuvの誘
電体バリア放電ランプ９からの紫外線を照射してレジス
トを硬化した後、ロボットハンドＲh1を介してダイレク
トホットプレートを利用した乾燥装置Ｍ3において乾燥
を行う利用形態を示した図である。

【００３７】この利用形態で用いられる紫外線は波長３
００ｎｍ以上の長いものであるが、これは、例えば、キ
セノン−フッ素を用いた誘電体バリア放電ランプを利用
することにより実現される。また、この場合もドライ洗
浄と同様、紫外線照射量の適正化による品質の安定化や
装置内部の温度上昇の防止による基板の反りの防止とい
った効果が得られる。

【００３８】＜４．変形例＞以上、この発明に係る実施
の形態について説明してきたが、この発明は上記実施の
形態に限定されるものではない。

【００３９】例えば、上記第１および第２の実施の形態
では、照度計１５および照度調整部１６を設け、誘電体
バリア放電ランプ９の経時変化などによりランプ出力が
変化した場合であっても、自動的にランプ出力あるいは
ランプ点灯時間を補正して、常に適量の紫外線エネルギ
ーを基板に与えることができるように構成しているが、
誘電体バリア放電ランプ９の経時変化などを考慮する必
要性がない、あるいは少ない場合には、これらの構成は
必須構成とはならない。

【００４０】また、上記第１および第２の実施の形態で
は、照度計１５は基板３表面の照度を直接に測定するも
のであったが、例えば、他の部位の照度の変化を測定し
て基板３表面の照度を計算により算出するなど、間接的
に測定するものでもよい。

【００４１】また、上記第１のおよび第２の実施の形態
では、８本の誘電体バリア放電ランプ９により基板３に
紫外線を照射するようにしているが、誘電体バリア放電
ランプ９の本数は任意であり、１本あるいは複数であっ
てもよい。

【００４２】さらに、上記第３の実施の形態では、各種
処理装置と紫外線照射装置とを分離した形態で説明して
きたが、もちろん、これらを１つのユニットとして基板
処理システムを構築してもよし、他の基板処理装置を加
えて基板処理システムを構築してもよい。

【００４３】

【発明の効果】以上のように、請求項１の発明によれ
ば、基板に紫外線を照射するために、特に誘電体バリア
放電ランプを用いているので、必要に応じて誘電体バリ
ア放電ランプを点灯するとともに、所定時間が経過する
まで点灯状態を維持することで所定量の紫外線エネルギ
ーを基板に与えることができ、基板処理工程全体のタク
トが変化しても、基板にダメージを与えることなく、し
かも処理工程全体のタクトを長くすることなく、適量の
紫外線エネルギーを基板に与えることができる。

【００４４】請求項２の発明によれば、照度計により支
持手段により支持される基板表面での照度を測定し、照
度の変化に基づき、変化後の照度で基板に紫外線を照射
する場合に基板に与えられる紫外線エネルギーが所定量
に達するまでに要する時間を求め、当該時間を誘電体バ
リア放電ランプの点灯時間としているので、誘電体バリ
ア放電ランプの経時変化などによりランプ出力が変化し
た場合であっても、常に適量の紫外線エネルギーを基板
に与えることができる。

【００４５】請求項３の発明では、照度計により支持手
段により支持される基板表面での照度を測定し、変化前
の照度で基板に紫外線を照射するために誘電体バリア放
電ランプに与えるべき電力の変化量を求め、その変化量
に基づき誘電体バリア放電ランプに与える電力を変更し
ているので、基板での照度を一定に維持することがで
き、その結果、誘電体バリア放電ランプの経時変化など
によりランプ出力が変化した場合であっても、常に適量
の紫外線エネルギーを基板に与えることができる。

【００４６】請求項４および請求項５の発明によれば、
点灯・消灯が任意に可能な誘電体バリア放電ランプを紫
外線の照射源として用いることにより、不要時に消灯す
ることができるので、紫外線とともに発生する熱線を減
少させることができ、装置内部の温度を低く抑えること
ができる。その結果、ガラス基板の熱による反りを防止
することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】この発明にかかる基板処理装置の一実施の形態
を示す平面図である。

【図２】図１の基板処理装置の断面図である。

【図３】誘電体バリア放電ランプのランプ出力特性を示
すグラフである。

【図４】図１の基板処理装置の動作を示す図である。

【図５】この発明にかかる基板処理装置の他の実施の形
態を示す断面図である。

【図６】ガラス基板の製造工程を示すフローチャートで
ある。

【図７】洗浄工程を示す図である。

【図８】洗浄工程を示す図である。

【図９】洗浄工程を示す図である。

【図１０】処理液塗布工程を示す図である。

【図１１】現像工程を示す図である。

【図１２】従来の基板処理装置の動作を示す図である。

【図１３】低圧水銀ランプのランプ出力特性を示すグラ
フである。

【符号の説明】

２支持ピン３基板９誘電体バリア放電ランプ１５照度計１６照度調整部１７制御部１８ランプ電源調整部（切替手段）２０ランプ調光部Ｍuv 紫外線照射装置

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】所定量の紫外線エネルギーを基板に与え
る基板処理装置であって、基板を支持する支持手段と、前記支持手段に支持された基板に紫外線を照射する誘電
体バリア放電ランプと、前記誘電体バリア放電ランプの点灯・消灯を切り替える
切替手段と、前記切替手段を制御して、前記誘電体バリア放電ランプ
を点灯後、前記基板への前記所定量の紫外線エネルギー
の照射が完了した時点で前記誘電体バリア放電ランプを
消灯させる制御手段と、を備えたことを特徴とする基板
処理装置。
【請求項２】前記支持手段により支持される基板表面
の照度を測定する照度計と、前記照度計により測定される照度の変化に基づき、変化
後の照度で基板に紫外線を照射する場合に基板に与えら
れる紫外線エネルギーが前記所定量に達するまでに要す
る時間を求め、当該時間を前記誘電体バリア放電ランプ
の点灯持続時間とする照度調整手段と、をさらに備え、前記制御手段は前記切替手段を制御して、前記照度調整
手段により求められた点灯持続時間の間、前記誘電体バ
リア放電ランプを持続的に点灯させる請求項１記載の基
板処理装置。
【請求項３】前記誘電体バリア放電ランプに与える電
力を制御して前記誘電体バリア放電ランプからの紫外線
の強度を調整する調光手段と、前記支持手段により支持される基板表面の照度を測定す
る照度計と、前記照度計により測定される照度の変化に基づき、変化
前の照度で基板に紫外線を照射するために前記誘電体バ
リア放電ランプに与えるべき電力の変化量を求める照度
調整手段と、をさらに備え、前記制御手段は前記調光手段を制御して、前記照度調整
手段により求められた変化量に基づき前記誘電体バリア
放電ランプに与える電力を変更し、前記基板での照度を
一定に維持する請求項１記載の基板処理装置。
【請求項４】前記基板がガラス基板であることを特徴
とする請求項１ないし３のいずれかに記載の基板処理装
置。
【請求項５】前記ガラス基板が、厚さ０．３〜０．７（ｍｍ）、熱膨張係数３０以上（×
１０^-7／℃）の無アルカリガラス基板、または、厚さ０．３〜１．１（ｍｍ）、熱膨張係数５０以上（×
１０^-7／℃）の低アルカリガラス基板もしくはアルカリ
ガラス基板、であることを特徴とする請求項４記載の基
板処理装置。