JPH0967192A

JPH0967192A - 気相成長装置

Info

Publication number: JPH0967192A
Application number: JP21915795A
Authority: JP
Inventors: Satoshi Sugawara; 聰菅原; Masaki Furukawa; 勝紀古川
Original assignee: Sharp Corp
Current assignee: Sharp Corp
Priority date: 1995-08-28
Filing date: 1995-08-28
Publication date: 1997-03-11

Abstract

(57)【要約】【課題】ＭＯＣＶＤ法を用いてＧａＮ系半導体薄膜を
成長させる場合において、均質で良質な単結晶薄膜成長
ウエハーを一度に多数枚成長させることができ量産性に
優れた装置を提供する。【解決手段】サセプター６上に基板１２を複数枚設置
し、III族とＶ族の反応ガスを各基板１２毎に基板１２
近傍に開口して導く反応ガス導入管５ａ，５ｂを設け、
さらにサセプター６の中央部に反応ガスを排気する排気
口７を設けている。それに加えて反応ガスが排気口７に
スムーズに排気されるように仕切板や反応ガスガイド板
などを設けてもよい。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明が属する技術分野】本発明は、有機金属化学気相
成長法（以下ＭＯＣＶＤ法という）を用いて基板上に半
導体結晶薄膜を成膜する気相成長装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】近年、青色発光素子の材料としてＧａＮ
系の化合物半導体薄膜が大きく注目され、活発な研究が
進められている。このＭＯＣＶＤ法によりＧａＮ系化合
物半導体薄膜を成長させる場合に用いる従来の気相成長
装置の一例の概略縦断面図を図８に示している。

【０００３】図８において、ガス導入管８１の開口部
は、円筒状のチャンバー８２の天井中央部に設けられて
おり、反応ガス抑圧用に基板上部からＮ₂とＨ₂の混合ガ
ス（以下サブフローガスという）を導入する。また、反
応ガス導入管８３，８４は、チャンバー８２の側部を介
してチャンバー８２内に共に開口して設けられており、
反応ガス導入管８３はIII族原料となるＴＭＧなどをチ
ャンバー８２内に導入し、また、反応ガス導入管８４は
Ｖ族原料となるＮＨ₃をチャンバー８２内に導入する。
さらに、基板載置台であるカーボンサセプター８５はチ
ャンバー８２の内部の中央部に設けられており、このカ
ーボンサセプター８５の下方部にはヒーター８６が設け
られ、また、カーボンサセプター８５の下方中心部には
サセプター回転軸８７が設けられてカーボンサセプター
８５を回転自在に支持している。また、カーボンサセプ
ター８５の上面には、半導体薄膜を成長させるためのサ
ファイア基板８８が載置されている。さらに、円筒状の
チャンバー８２の下側部にはガス排気口８９が設けられ
ている。以上により、従来の気相成長装置が構成され
る。

【０００４】上記構成により、通常、ＧａＮのＭＯＣＶ
Ｄ成長は１０００℃以上の基板温度で成長させるため、
サセプター８５上で熱対流による上昇流が発生し反応ガ
スがサファイア基板８８に到達しにくくなる。その熱対
流による上昇流を抑制するために、サファイア基板８８
の上方部に開口したガス導入管８１よりサブフローガス
としてＮ₂およびＨ₂を供給している。また、ＮＨ₃とＴ
ＭＧは気相で激しく反応してクラスターを形成するた
め、サファイア基板８８の近辺でＮＨ₃とＴＭＧを混合
可能なようにそれぞれ別々の反応ガス導入管８３，８４
でチャンバー８２内に供給している。

【０００５】膜成長に用いる基板は、ＧａＮ系単結晶ウ
エハーが容易に得られないことから、このＧａＮ系半導
体と格子定数の近いサファイア基板８８を用いて単結晶
成長が行われている。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】ところで、ＭＯＣＶＤ
法によるＧａＮ系化合物の結晶成長は、気相での不要な
反応を抑制するために、III族原料ガスとＶ族原科ガス
を別々の導入管８３，８４でチャンバー８２内に導入し
てサファイア基板８８の近辺で両者を混合する必要があ
った。これらIII族原科ガスとＶ族原科ガスを別々の導
入管８３，８４でチャンバー８２内に導入して膜成長を
行う場合、膜成長する結晶の均一性はガスの混合状態に
大きく依存し、また、良質な単結晶膜を作製できる領域
が限られているために大面積化が困難であった。さら
に、異種化合物を基板として用いる場合、原科ガスのわ
ずかな流れの乱れが格子欠陥につながることからも均質
で良質な大面積の単結晶薄膜を得ることは極めて困難で
あった。以上の理由から基板のスケールアップとマルチ
ウエハー化が容易ではなく、量産化を行う上で大きな問
題となっていた。

【０００７】また、原料ガスの乱れを抑えて複数枚の基
板上に半導体薄膜を同時に成長させる方法として、円形
のサセプターに複数の基板を設置し、サセプター中央部
分に原科ガス導入管の吹き出し口を設けてサセプターの
中央部分から円周方向にガスを流して排気するタイプの
気相成長装置が考案されているが、良質なＧａＮ系半導
体膜を成長させる場合に、基板温度に１０００℃以上の
高温が必要であり、このようなサセプター中央部に原料
ガス導入管を設置すると原料ガスが導入管内でサセプタ
ーからの熱により分解してしまうため、ＧａＮ系半導体
薄膜の製法に用いることは難しい。

【０００８】本発明は、上記従来の問題を解決するもの
で、基板上にＧａＮ系半導体薄膜を成長させる場合に、
均質で良質な単結晶薄膜成長ウエハーを一度に多数枚成
長させることが可能で量産性に優れた気相成長装置を提
供することを目的とする。

【０００９】

【課題を解決するための手段】本発明の気相成長装置
は、有機金属化学気相成長法を用いて、基板上にＧａＮ
系半導体結晶薄膜を成膜する気相成長装置において、該
基板を保持する基板保持手段を反応管内に設け、該基板
保持手段で保持された該基板近傍に開口して反応ガスを
導く反応ガス導入管を該反応管の側面に設け、該基板保
持手段上の中央部に反応ガス排気用の排気口を設けたも
のであり、そのことにより上記目的が達成される。

【００１０】また、好ましくは、本発明の気相成長装置
における基板保持手段は、排気口を中心とする同心円状
に複数の前記基板を保持可能であり、反応ガス導入管
は、該複数の基板に対して個々に反応ガスを供給する。

【００１１】さらに、好ましくは、本発明の気相成長装
置における反応ガス導入管の開口部に対向するように、
排気口を該基板枚数と同数で均等に仕切る仕切手段を設
ける。

【００１２】さらに、好ましくは、本発明の気相成長装
置における反応ガス導入管の上部に、反応ガス押圧用の
不活性ガスを供給する不活性ガス導入管を該反応ガス導
入管と共に平行に設け、該不活性ガスを反応ガスと平行
に基板毎に供給する。

【００１３】さらに、好ましくは、本発明の気相成長装
置において、排気用の不活性ガスを供給する不活性ガス
導入管を、基板保持手段の中央部に設けられた排気口の
真上に設け、該不活性ガス導入管の吹き出し口径が該排
気口の口径よりも小さくする。

【００１４】さらに、好ましくは、本発明の気相成長装
置における基板保持手段は、複数の基板を保持する上内
面が多角錐状または円錐状にくり抜かれた形状であり、
排気口が該上内面の底中央部に設けられ、反応ガス導入
管は該上内面の傾きに平行に設けられ、反応ガスを、該
複数の基板に対して個々に側方から平行に供給する。さ
らに、好ましくは、本発明の気相成長装置における基板
保持手段上面に載置された基板毎に、排気口に至る反応
ガスの通路部分を覆うように反応ガスガイド板を設け
る。

【００１５】上記構成により、以下その作用を説明す
る。

【００１６】本発明においては、個々の基板毎にIII族
とＶ族の反応ガス導入管を設けることで良質な膜を得る
ことができる最適なガス混合領域は、基板１枚の大きさ
の領域を確保すればよい。また、サセプター中央部に反
応ガスを排気する排気口を設けることで他の反応ガス導
入管からのガスの影響を受けることがなくなるので、ガ
ス混合状態に乱れが生じることがない。さらに、各基板
毎に対向するように排気口に均等に同形状の仕切る仕切
板を設けることで、各基板上に通過して排気口に排気さ
れる原料ガス同士が衝突してガスの流れを乱したり、反
応後の原料ガスが他の基板上に流れ込むようなことがな
く、各基板共、未反応のIII族とＶ族の原料ガスが供給
され得る。さらに、反応ガス押圧用の不活性ガスを反応
ガスと平行に基板毎に側方から吹き出すようにすれば、
ガスの乱れを最小限に抑えることが可能となる。さら
に、サセプターの中央部に位置する反応ガス排気用の排
気口の真上から不活性ガスを導入することでも反応ガス
同士が衝突することなくスムーズに各反応ガスを排気口
に導くことが可能となる。さらに、排気口上部に、吹き
出し口径が排気口よりも小さい不活性ガス導入管を設置
し、流速の速い不活性ガスを排気口に流すことで、この
不活性ガスの流れに乗って各反応ガスが排気されるの
で、各反応ガス同士の衝突および干渉をさらに低減する
ことが可能となる。さらには、反応ガスの通路部分を覆
うように反応ガスガイド板を設ければ、反応ガスはチャ
ンバー内に広範囲に拡散することなくスムーズに排気口
に導かれて排気され得る。

【００１７】よって、本発明を用いれば、基板上にＧａ
Ｎ系半導体薄膜を成長させる場合に、均質で良質な単結
晶薄膜成長ウエハーを一度に多数枚成長させることが可
能となり、マルチウエハー化が容易に行えて量産性が向
上可能となる。

【００１８】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て説明する。

【００１９】（実施形態１）図１は、本発明の実施形態
１における気相成長装置のチャンバー部の横要部断面図
であり、図２は図１の気相成長装置のチャンバー部の縦
要部断面図である。図１および図２において、反応管と
しての円筒状のチャンバー１の天井中央部には、サブフ
ローガス導入管２が設けられており、サブフローガスと
してＮ₂およびＨ₂を供給している。また、円筒状のチャ
ンバー１の上部側壁には、ガス配管３ａ，３ｂが共に接
続されているフランジ４を介してチャンバー１の内部の
基板近傍位置に開口する反応ガス導入管５ａ，５ｂが共
に設けられており、各反応ガスをチャンバー１内に導入
するとともに、複数の基板に対して個々に反応ガスを供
給する。さらに、チャンバー１内の上中央部に、基板保
持手段としての円形状のサセプター６が設けられてお
り、この円形状のサセプター６の中央部には反応ガス排
気用のガス排気口７が設けられている。このガス排気口
７は円筒状のチャンバー１の底部中央部を介して外部に
まで排気管８により連結されており、この排気管８はチ
ャンバー１の外部に設けられた反応圧力制御用バルブ９
を介して排気ポンプ（図示せず）に連結されている。ま
た、円形状のサセプター６の下方部には所定間隔をおい
て基板加熱用ヒーター１０が設けられており、これらの
基板加熱用ヒーター１０の配線は、円筒状のチャンバー
１の底部に設けられた電流導入端子１１を介して外部に
取り出されている。さらに、円形状のサセプター６の上
面にはサファイア基板１２が複数枚、排気口７を中心と
する同心円上に載置されて保持されているとともに、反
応ガス導入管５ａ，５ｂが共に側方部から、サファイア
基板１２毎に開口し、かつサブフローガス導入管２が各
サファイア基板１２の上部で開口している位置に載置さ
れている。本実施形態の場合にはサファイア基板１２が
４枚、排気口７を中心とする同心円上で図１上で上下左
右対称位置に載置されて保持されている。以上によっ
て、本実施形態１における気相成長装置が構成され、Ｍ
ＯＣＶＤ法を用いて、基板上にＧａＮ系半導体結晶薄膜
を成膜する。

【００２０】上記構成により、ＧａＮを成長させる場
合、III族の原科ガスとしてＴＭＧを用い、また、Ａｌ
ＧａＮ，ＩｎＧａＮなどの混晶系を成長させる場合は、
ＴＭＧ、ＴＭＡ、ＴＭＩを用いる。また、Ｖ族の原料ガ
スとしてはいずれの場合もＮＨ₃を用いる。さらに、サ
ブフローガスとしてはＨ₂とＮ₂の混合ガスを用いる。II
I族原料ガスおよびＶ族原料ガスはキャリアーガスとし
てＨ₂を用い、それぞれ反応ガス導入管５ａ，５ｂに別
々に導かれて不要な気相での反応を抑制している。それ
ぞれの反応ガス導入管５ａ，５ｂの開口部から吹き出し
たガスは、サファイア基板１２上方に側部側から到達す
る前に最適条件に混合され、サファイア基板１２上に単
結晶膜を成長させる。その後、サファイア基板１２上を
通過した原科ガスは、サセプター６の中央部に設けられ
たガス排気口７から排気ポンプにより排気管８を介して
排気されるが、反応圧力制御用バルブ９でその排気量が
制御される。

【００２１】また、サファイア基板１２の上方に設けら
れたサブフローガス導入管２からは、熱により原料ガス
がサセプター６上で上昇するのを抑え、かつサファイア
基板１２に原料ガスを上から押圧するためにＨ₂とＮ₂の
混合ガスをサファイア基板１２上に供給している。ここ
で、ガス排気口７をサセプター６の中心部に配置するこ
とで個々のサファイア基板１２に対する原料ガスはそれ
ぞれ他のサファイア基板１２の原料ガスとして混じり合
うようなことが無く、スムーズにそれぞれ排気口７より
排気管８を介してチャンバー１の外部に排気される。

【００２２】本実施形態１の気相成長装置において、基
板上にＧａＮの単結晶膜を成長させる成長条件の一例を
以下に説明する。

【００２３】反応ガス導入管５ａにＨ₂を１０（リット
ル／分）で、ＴＭＧを５０（μｍｏｌ／分）で流す。ま
た、反応ガス導入管５ｂにＨ₂を５（リットル／分）
で、ＮＨ₃を５（リットル／分）で流す。さらに、サブ
フローガス導入管２にはＨ₂を５（リットル／分）で、
Ｎ₂を５（リットル／分）で流す。このとき、膜成長圧
力は７６０Ｔorrでサファイア基板１２上に６００℃程
度の基板温度で適当なバッファー層を成長させた後、基
板温度は１０５０℃に上げてＧａＮの単結晶膜を成長さ
せる。

【００２４】以上によれば、従来例に示すような気相成
長装置では、２インチの大きさの基板を複数枚設置する
と膜成長した単結晶膜の層厚の均一性は著しく低下し、
設置したウエハー全体では±２０％以上のばらつきが生
じたが、本実施形態１で示した気相成長装置では、２イ
ンチのウエハーを４枚設置し、ウエハー４枚全体で層厚
の均一性が±５％以内に抑えられており、均質な膜質の
成長ウェハーが量産性良く得ることができた。

【００２５】（実施形態２）図３は本発明の実施形態２
における気相成長装置のチャンバー部の横要部断面図で
あり、図１と同一番号は同一部材である。

【００２６】図３において、４枚のサファイア基板１２
が円形状のサセプター６上に設置しているため、仕切板
２０を４枚のサファイア基板１２毎に十字に直交差する
ように、かつ４枚立てて排気口７を均等にかつ同一形状
に４分割するように設けている。また、この仕切板２０
の仕切壁は反応ガス導入管５ａ，５ｂの開口部にそれぞ
れ対向するとともにサファイア基板１２の側面側にも対
向するように設けられている。

【００２７】この仕切板２０を排気口７に取り付けるこ
とにより、反応ガス導入管５ａ，５ｂからチャンバー１
内部に導入された反応ガスは、サファイア基板１２上を
通過した後、サセプター６上に載置された他のサファイ
ア基板１２上を通過してきた反応ガスと衝突したり、干
渉したりするようなことはなく排気口７よりチャンバー
１外部に排気させることができる。

【００２８】（実施形態３）図４は本発明の実施形態３
における気相成長装置のチャンバー部の縦要部断面図で
あり、図２と同一番号は同一部材である。

【００２９】図４において、ガス配管３ａ，３ｂ，３ｃ
が共に接続されているフランジ４ａを介してチャンバー
１の内部の基板近傍位置に開口する反応ガス導入管５
ａ，５ｂおよび不活性ガス導入配管５ｃが下方より順に
平行に設置されている。即ち、不活性ガス導入配管５ｃ
は反応ガス導入管５ａ，５ｂよりも上部に配置されてい
る。この不活性ガス導入管５ｃによりＮ₂ガスをチャン
バー１内部に導入し、導入された反応ガスがサセプター
６の熱で各反応ガスが上昇するのを抑制している。し
たがって、本実施形態３では、反応ガス押圧用の不活性
ガスを反応ガスと平行にサファイア基板１２毎に側方か
ら吹き出しているので、ガスの乱れを最小限に抑えるこ
とができる。

【００３０】（実施形態４）図５は本発明の実施形態４
における気相成長装置のチャンバー部の縦要部断面図で
あり、図４と同一番号は同一部材である。

【００３１】図５において、排気用不活性ガス導入配管
２１がフランジ２２を介して排気用排気用不活性ガス導
入管２３がサセプター６の排気口７の真上に設けられて
おり、この排気用不活性ガス導入管２３を使ってサセプ
ター６の中央部に位置する反応ガス排気用の排気口７の
真上から不活性ガスとしてＮ₂ガスを流速を上げて供給
する。この流速の速いＮ₂ガスは排気口７よりスムーズ
に排気される。このＮ₂ガスの流れに乗って各基板上を
通過してきた反応ガスがスムーズに排気口７に排気され
得る。このために、不活性ガス導入管２３の吹き出し口
径は排気口７の口径よりも小さくなるように構成してい
る。

【００３２】（実施形態５）図６は本発明の実施形態５
における気相成長装置のチャンバー部の縦要部断面図で
あり、図５と同一番号は同一部材である。

【００３３】図６において、基板保持手段としてのサセ
プター２４は、複数の基板を保持する上内面が多角錐状
または円錐状にくり抜かれた形状であり、排気口７がそ
の上内面の底中央部に設けられており、反応ガス導入管
は上内面の傾斜方向に傾いて設けられており、反応ガス
を、複数の基板に対して個々に側方側から平行に供給す
る。

【００３４】これにより、サセプター２４の上内面を多
角錐状または円錐状に中央部に向かって傾斜するように
したことで、排気口７に原料ガスを流す際に、反応ガス
導入管５ａ，５ｂの開口部から基板上を流れてきた原料
ガスの流れの方向を９０度方向を変える必要が無くな
り、排気口７に導かれるときに流れ方向の変化が鋭角で
あるので、スムーズに排気される。

【００３５】（実施形態６）図７は本発明の実施形態６
における気相成長装置のチャンバー部の縦要部断面図で
あり、図５と同一番号は同一部材である。

【００３６】図７において、反応ガスガイド板２５は、
サセプター６上面に載置された基板毎に、その排気口７
に至る反応ガスの通路部分に基板上部および側部を覆う
ように設けられている。排気口７の真上に設けられた不
活性ガス導入管２３の開口部が位置する部分において
は、反応ガスガイド板２５は開口しており、反応ガスガ
イド板２５の開口部を介して不活性ガスが排気口７に勢
い良く流れて、それにともなって、反応ガスガイド板２
５でガイドされて流れてきた反応ガスがスムーズに排気
口７に導かれる。なお、不活性ガス導入管２３を設けな
いような場合には、反応ガスガイド板２５の上部に開口
部を設ける必要がなく、上記実施形態２の仕切板をもう
けて反応ガスガイド板２５と組み合わせて用いても良
い。

【００３７】このように、反応ガスガイド板２５を設置
することで、反応ガスはチャンバー１内に広範囲に拡散
することなくスムーズに排気口７に導かれて排気され
る。

【００３８】以上のように、上記本発明の各実施形態に
おいては、サセプター上に基板を複数枚設置し各基板毎
にIII族とＶ族の反応ガス導入管を設け、さらに、サセ
プター中心部に反応ガスを排気する排気口を設けたこと
により、良質な膜を得ることが可能な最適なガス混合領
域は基板１枚の大きさの領域を確保すればよく、また、
他の反応ガス導入管からのガスの影響を受けることがな
くガス混合状態に乱れが生じることがないため、均質で
良質な単結晶薄膜成長ウエハーを一度に多数枚成長させ
ることが可能となり、マルチウエハー化が容易に行え量
産性の向上を図ることができる。

【００３９】また、それぞれの反応ガス導入管からチャ
ンバー内に導入された反応ガスは衝突したり干渉したり
することなく、各基板とも未反応のIII族とＶ族の原料
ガスが供給された後にスムーズに排気口より排気される
ように、排気口を基板と同数に均等にかつ同一形状に分
割する仕切板を設けてもよい。

【００４０】さらに、サセプターの中心部に位置する反
応ガス排気用の排気口の真上から不活性ガスを導入する
ガス導入管を設け、このガス導入管により不活性ガスを
サセプター中心部に位置する排気口に勢い良く流すこと
で、反応ガス同士が衝突することなくスムーズに反応ガ
スも排気され得る。

【００４１】さらに、反応ガス導入管から導入される反
応ガスの流れ方向と反応ガスを排気する方向との角度を
９０度より広げることによっても、スムーズに排気され
得る。

【００４２】なお、上記各実施形態では、サファイア基
板を４枚設置しているが個々の基板にガス導入管を設け
るスぺースがあれば、複数枚ならば何枚でも設置可能で
ある。また、サセプター回転機構を設ければ均一性はさ
らに向上し作製するデバイスの歩留まりが上がって量産
性がより向上することは言うまでもない。さらに、上記
各実施形態では、基板加熱方法として抵抗加熱方式を採
用したが、高周波加熱方式やランプ加熱方式を用いても
良い。さらには、上記各実施形態では、基板成長面を上
向きにマウントするフェイスアップ方式を用いたが、基
板成長面を下向きにマウントするフェイスダウン型成長
装置を用いても良い。

【００４３】

【発明の効果】以上のように本発明によれば、ガス排気
口を基板保持手段の中央部に配置することで、個々の基
板に対する原科ガスはお互いに干渉すること無く、基板
上に単結晶膜を成長させてスムーズに排気することがで
きる。これによって、ガス混合状態に結晶性が大きく影
響されるＧａＮ系のＭＯＣＶＤ成長においても均一性良
く、複数枚ウエハーの同時成長が可能となり、ＧａＮ系
の発光デバイスなどの量産化に極めて有力なものであ
る。

【００４４】また、基板保持手段であるサセプター上に
開口した排気口に仕切板を設置することで、基板上を通
過してきた各反応ガス同士の衝突および干渉をさらに低
減することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施形態１における気相成長装置のチ
ャンバー部の横要部断面図である。

【図２】図１の気相成長装置のチャンバー部の縦要部断
面図である。

【図３】本発明の実施形態２における気相成長装置のチ
ャンバー部の横要部断面図である。

【図４】本発明の実施形態３における気相成長装置のチ
ャンバー部の縦要部断面図である。

【図５】本発明の実施形態４における気相成長装置のチ
ャンバー部の縦要部断面図である。

【図６】本発明の実施形態５における気相成長装置のチ
ャンバー部の縦要部断面図である。

【図７】本発明の実施形態６における気相成長装置のチ
ャンバー部の縦要部断面図である。

【図８】従来の気相成長装置の一例のを示す概略縦断面
図である。

【符号の説明】

１チャンバー５ａ，５ｂ反応ガス導入管５ｃ不活性ガス導入管６，２４サセプター７ガス排気口１２サファイア基板２０仕切板２３排気用不活性ガス導入管２５反応ガスガイド板

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】有機金属化学気相成長法を用いて、基板
上にＧａＮ系半導体結晶薄膜を成膜する気相成長装置に
おいて、該基板を保持する基板保持手段を反応管内に設け、該基
板保持手段で保持された該基板近傍に開口して反応ガス
を導く反応ガス導入管を該反応管の側面に設け、該基板
保持手段上の中央部に反応ガス排気用の排気口を設けた
気相成長装置。
【請求項２】前記基板保持手段は、前記排気口を中心
とする同心円状に複数の前記基板を保持可能であり、前
記反応ガス導入管は、該複数の基板に対して個々に反応
ガスを供給する構成とした請求項１記載の気相成長装
置。
【請求項３】前記反応ガス導入管の開口部に対向する
ように、前記排気口を該基板枚数と同数で均等に仕切る
仕切手段を設けた請求項１または２記載の気相成長装
置。
【請求項４】前記反応ガス導入管の上部に、反応ガス
押圧用の不活性ガスを供給する不活性ガス導入管を該反
応ガス導入管と共に平行に設け、該不活性ガスを反応ガ
スと平行に基板毎に供給する構成とした請求項１〜３の
うちいずれかに記載の気相成長装置。
【請求項５】排気用の不活性ガスを供給する不活性ガ
ス導入管を、前記基板保持手段の中央部に設けられた排
気口の真上に設け、該不活性ガス導入管の吹き出し口径
が該排気口の口径よりも小さく構成した請求項１〜４の
うちいずれかに記載の気相成長装置。
【請求項６】前記基板保持手段は、前記複数の基板を
保持する上内面が多角錐状または円錐状にくり抜かれた
形状であり、前記排気口が該上内面の底中央部に設けら
れ、前記反応ガス導入管は該上内面の傾きに平行に設け
られ、反応ガスを、該複数の基板に対して個々に側方か
ら平行に供給する構成とした請求項１〜５のうちいずれ
かに記載の気相成長装置。
【請求項７】前記基板保持手段上面に載置された基板
毎に、前記排気口に至る反応ガスの通路部分を覆うよう
に反応ガスガイド板を設けた請求項１〜６のうちいずれ
かに記載の気相成長装置。