JPH0969244A - 光磁気ディスク - Google Patents
光磁気ディスクInfo
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- JPH0969244A JPH0969244A JP22406595A JP22406595A JPH0969244A JP H0969244 A JPH0969244 A JP H0969244A JP 22406595 A JP22406595 A JP 22406595A JP 22406595 A JP22406595 A JP 22406595A JP H0969244 A JPH0969244 A JP H0969244A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- recording
- magneto
- optical disk
- track
- guide groove
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 狭トラックピッチ化した場合においてもクロ
ストーク特性の低下を起こり難くする。 【解決手段】 一主面1a上に記録層10が形成される
透明基板1の上記一主面1aに形成され、トラックピッ
チ1.2μm以下の記録トラック11に沿った溝部3の
深さDを、記録再生光の波長をλ、透明基板の屈折率を
nとした場合に、λ/8n≦D≦λ/5.6nの範囲と
する。
ストーク特性の低下を起こり難くする。 【解決手段】 一主面1a上に記録層10が形成される
透明基板1の上記一主面1aに形成され、トラックピッ
チ1.2μm以下の記録トラック11に沿った溝部3の
深さDを、記録再生光の波長をλ、透明基板の屈折率を
nとした場合に、λ/8n≦D≦λ/5.6nの範囲と
する。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、記録トラックに沿
った溝部である、いわゆる案内溝を有する光磁気ディス
クに関するものである。詳しくは、狭トラックピッチ化
した場合において上記案内溝の深さを規定することによ
り、クロストーク特性の低下を抑えることを特徴とする
光磁気ディスクに係わるものである。
った溝部である、いわゆる案内溝を有する光磁気ディス
クに関するものである。詳しくは、狭トラックピッチ化
した場合において上記案内溝の深さを規定することによ
り、クロストーク特性の低下を抑えることを特徴とする
光磁気ディスクに係わるものである。
【0002】
【従来の技術】光磁気記録方式は、磁性薄膜を部分的に
キュリー点または温度補償点を越えて昇温し、この部分
の保磁力を消滅させて外部から印加される記録磁界の方
向に磁化の向きを反転することを基本原理とするもの
で、光ファイルシステムやコンピュータの外部記憶装
置、あるいは音響、映像情報の記録装置等において実用
化されつつある。
キュリー点または温度補償点を越えて昇温し、この部分
の保磁力を消滅させて外部から印加される記録磁界の方
向に磁化の向きを反転することを基本原理とするもの
で、光ファイルシステムやコンピュータの外部記憶装
置、あるいは音響、映像情報の記録装置等において実用
化されつつある。
【0003】そして、上記光磁気記録方式の記録媒体で
ある例えば光磁気ディスクに情報の記録を行う場合に
は、透明基板上に形成される磁性薄膜にレーザ光等を照
射して、上述のように上記磁性薄膜を部分的にキュリー
点または温度補償点を越えて昇温し、この部分の保磁力
を消滅させて外部から磁気ヘッドにより記録磁界を印加
すれば、磁性薄膜の冷却に伴い、記録磁界の方向に磁化
の向きが反転された記録マークが形成されて記録マーク
の位置により情報が記録される。
ある例えば光磁気ディスクに情報の記録を行う場合に
は、透明基板上に形成される磁性薄膜にレーザ光等を照
射して、上述のように上記磁性薄膜を部分的にキュリー
点または温度補償点を越えて昇温し、この部分の保磁力
を消滅させて外部から磁気ヘッドにより記録磁界を印加
すれば、磁性薄膜の冷却に伴い、記録磁界の方向に磁化
の向きが反転された記録マークが形成されて記録マーク
の位置により情報が記録される。
【0004】また、上記光磁気ディスクの情報を再生す
る場合には、やはりレーザ光等の光を照射し、記録マー
クが形成されている部分において磁気光学効果により偏
光面が回転する現象を利用して記録マークの位置を検出
し、情報を再生する。なお、このように記録マークの位
置により情報を記録する方法は、マークポジション記録
方式と呼ばれている。
る場合には、やはりレーザ光等の光を照射し、記録マー
クが形成されている部分において磁気光学効果により偏
光面が回転する現象を利用して記録マークの位置を検出
し、情報を再生する。なお、このように記録マークの位
置により情報を記録する方法は、マークポジション記録
方式と呼ばれている。
【0005】ところで近年、光磁気記録方式においては
更なる高記録密度化が要求されており、これに応えるべ
く、記録マークの位置で情報を記録するマークポジショ
ン記録方式に代わって、磁気ヘッド走行方向における磁
界が反転している部分の長さ、言い換えれば記録マーク
の長さを情報として記録する、マークエッジ記録方式が
提案されている。
更なる高記録密度化が要求されており、これに応えるべ
く、記録マークの位置で情報を記録するマークポジショ
ン記録方式に代わって、磁気ヘッド走行方向における磁
界が反転している部分の長さ、言い換えれば記録マーク
の長さを情報として記録する、マークエッジ記録方式が
提案されている。
【0006】ただし、上記マークエッジ記録方式を適用
するにあたっては、記録方式を変更するだけでなく、使
用するレーザ光の短波長化、狭トラックピッチ化を行っ
て有効に高記録密度化を行うようにしている。
するにあたっては、記録方式を変更するだけでなく、使
用するレーザ光の短波長化、狭トラックピッチ化を行っ
て有効に高記録密度化を行うようにしている。
【0007】なお、これら記録マークは、光磁気ディス
クに例えばスパイラル状に形成される記録トラックに沿
って形成される。従って、当然のことながら、このスパ
イラル状の記録トラックに沿って記録光を照射し、磁気
ヘッドにより記録磁界を印加して記録トラックに沿って
記録マークを形成して記録するとともに、該記録トラッ
クに沿って再生光を照射し、記録トラックに沿って形成
される記録マークを再生する。
クに例えばスパイラル状に形成される記録トラックに沿
って形成される。従って、当然のことながら、このスパ
イラル状の記録トラックに沿って記録光を照射し、磁気
ヘッドにより記録磁界を印加して記録トラックに沿って
記録マークを形成して記録するとともに、該記録トラッ
クに沿って再生光を照射し、記録トラックに沿って形成
される記録マークを再生する。
【0008】そしてこのとき、記録トラックに正確に記
録マークを形成し、これを再生することを容易とするた
めに、透明基板に記録トラックに沿うような溝部を形成
しておき、この溝部を使用して記録トラックの位置を正
確に検出し、正確にトラッキングできるようにしてい
る。なお、この溝部は案内溝と称される。また、記録ト
ラックがスパイラル状とされていることから、光磁気デ
ィスクの径方向に溝部と記録トラックが交互に配される
こととなり、言い換えれば溝部間に記録トラックが配さ
れることとなる。
録マークを形成し、これを再生することを容易とするた
めに、透明基板に記録トラックに沿うような溝部を形成
しておき、この溝部を使用して記録トラックの位置を正
確に検出し、正確にトラッキングできるようにしてい
る。なお、この溝部は案内溝と称される。また、記録ト
ラックがスパイラル状とされていることから、光磁気デ
ィスクの径方向に溝部と記録トラックが交互に配される
こととなり、言い換えれば溝部間に記録トラックが配さ
れることとなる。
【0009】記録トラックの位置の検出は、例えば、上
記透明基板の案内溝にレーザ光等の記録再生光を照射
し、この光が該案内溝により反射回折された光を記録ト
ラックの中心に対して対称に配置された2個の受光部で
受光し、この受光部における出力差を検出することで記
録トラックの位置を検出するプッシュプル法等により行
うようにしており、上記出力差を用いてトラッキングエ
ラー信号を得る。なお、記録トラックの位置を検出し、
トラッキングエラーが発生している場合には修正を行う
ことは言うまでもない。
記透明基板の案内溝にレーザ光等の記録再生光を照射
し、この光が該案内溝により反射回折された光を記録ト
ラックの中心に対して対称に配置された2個の受光部で
受光し、この受光部における出力差を検出することで記
録トラックの位置を検出するプッシュプル法等により行
うようにしており、上記出力差を用いてトラッキングエ
ラー信号を得る。なお、記録トラックの位置を検出し、
トラッキングエラーが発生している場合には修正を行う
ことは言うまでもない。
【0010】このようにプッシュプル法により記録トラ
ックの位置を検出するようにしている場合には、上述の
ように光の回折現象を利用しているため、最も良好な信
号レベルのトラッキングエラー信号を取り出すために
は、記録再生光の波長をλ、透明基板の屈折率をn、案
内溝の深さをDとすると、D=λ/8nとすることが望
ましいとされている。
ックの位置を検出するようにしている場合には、上述の
ように光の回折現象を利用しているため、最も良好な信
号レベルのトラッキングエラー信号を取り出すために
は、記録再生光の波長をλ、透明基板の屈折率をn、案
内溝の深さをDとすると、D=λ/8nとすることが望
ましいとされている。
【0011】
【発明が解決しようとする課題】ところで、上述のマー
クエッジ記録方式においては、高記録密度化が達成され
るものの、クロストーク特性の低下が起こり易くなる。
これは、情報記録時、第1の記録トラックに照射される
記録光の熱が、隣接する第2の記録トラックにも拡散
し、この第2の記録トラックにまで第1の記録トラック
の情報が記録されてしまった場合に、マークポジション
記録方式よりも記録マークの長さ精度が必要とされるマ
ークエッジ記録方式においては、その影響を強く受けて
しまうためである。
クエッジ記録方式においては、高記録密度化が達成され
るものの、クロストーク特性の低下が起こり易くなる。
これは、情報記録時、第1の記録トラックに照射される
記録光の熱が、隣接する第2の記録トラックにも拡散
し、この第2の記録トラックにまで第1の記録トラック
の情報が記録されてしまった場合に、マークポジション
記録方式よりも記録マークの長さ精度が必要とされるマ
ークエッジ記録方式においては、その影響を強く受けて
しまうためである。
【0012】さらに、マークエッジ記録方式において
は、高記録密度化のために狭トラックピッチ化も実施す
るようにしており、このことからも第1の記録トラック
の信号が隣接する第2の記録トラックに記録され易く、
影響を受け易く、クロストーク特性の低下が起こり難
い。
は、高記録密度化のために狭トラックピッチ化も実施す
るようにしており、このことからも第1の記録トラック
の信号が隣接する第2の記録トラックに記録され易く、
影響を受け易く、クロストーク特性の低下が起こり難
い。
【0013】そこで本発明は、従来の実状に鑑みて提案
されたものであり、マークエッジ記録方式に対応し、ト
ラックピッチを1.2μm以下と狭トラックピッチ化し
てもクロストーク特性の低下が起こりにくい光磁気ディ
スクを提供することを目的とする。
されたものであり、マークエッジ記録方式に対応し、ト
ラックピッチを1.2μm以下と狭トラックピッチ化し
てもクロストーク特性の低下が起こりにくい光磁気ディ
スクを提供することを目的とする。
【0014】
【課題を解決するための手段】上述の目的を達成するた
めに本発明者等が鋭意検討した結果、記録トラックに沿
って形成される案内溝の深さを深くすれば、この案内溝
により、第1の記録トラックに照射される記録光による
熱が隣接する第2の記録トラックに拡散するのを防止す
ることが可能であり、これによりクロストーク特性の低
下を抑えることが可能であることを見い出した。
めに本発明者等が鋭意検討した結果、記録トラックに沿
って形成される案内溝の深さを深くすれば、この案内溝
により、第1の記録トラックに照射される記録光による
熱が隣接する第2の記録トラックに拡散するのを防止す
ることが可能であり、これによりクロストーク特性の低
下を抑えることが可能であることを見い出した。
【0015】すなわち、本発明は、トラックピッチ1.
2μm以下の記録トラックに沿った溝部が一主面に形成
される透明基板の上記主面上に記録層が形成されてなる
光磁気ディスクの記録再生光の波長をλ、透明基板の屈
折率をnとした場合に、溝部の深さDを、λ/8n≦D
≦λ/5.6nの範囲とすることを特徴とするものであ
る。
2μm以下の記録トラックに沿った溝部が一主面に形成
される透明基板の上記主面上に記録層が形成されてなる
光磁気ディスクの記録再生光の波長をλ、透明基板の屈
折率をnとした場合に、溝部の深さDを、λ/8n≦D
≦λ/5.6nの範囲とすることを特徴とするものであ
る。
【0016】上記溝部の深さDが上記範囲よりも深い
と、溝部形状を例えば一般的に使用される開口側に向か
って広がる断面略コ字状のものとした場合に、溝部間に
位置することとなる記録トラックの幅が狭くなりすぎ
て、出力低下を引き起こす。
と、溝部形状を例えば一般的に使用される開口側に向か
って広がる断面略コ字状のものとした場合に、溝部間に
位置することとなる記録トラックの幅が狭くなりすぎ
て、出力低下を引き起こす。
【0017】また、上記溝部の深さDが上記範囲よりも
浅いと、プッシュプル法によるトラッキングエラー信号
の信号レベルが低下してしまう。なお、上記溝部の深さ
Dをλ/8nよりも深くしても信号レベルは低下してし
まうが、その度合いは小さく、上記範囲においては、ク
ロストーク特性の低下が十分に防止されることから有用
である。
浅いと、プッシュプル法によるトラッキングエラー信号
の信号レベルが低下してしまう。なお、上記溝部の深さ
Dをλ/8nよりも深くしても信号レベルは低下してし
まうが、その度合いは小さく、上記範囲においては、ク
ロストーク特性の低下が十分に防止されることから有用
である。
【0018】すなわち、本発明の光磁気ディスクにおい
ては、トラックピッチを1.2μm以下と狭トラックピ
ッチ化しても、記録トラックに沿って形成される溝部の
深さDを、記録再生光の波長をλ、透明基板の屈折率を
nとした場合に、λ/8n≦D≦λ/5.6nの範囲と
し、深いものとしているため、この案内溝により、記録
光による熱の隣接する記録トラック間での伝達が妨げら
れ、クロストーク特性の低下が抑えられる。
ては、トラックピッチを1.2μm以下と狭トラックピ
ッチ化しても、記録トラックに沿って形成される溝部の
深さDを、記録再生光の波長をλ、透明基板の屈折率を
nとした場合に、λ/8n≦D≦λ/5.6nの範囲と
し、深いものとしているため、この案内溝により、記録
光による熱の隣接する記録トラック間での伝達が妨げら
れ、クロストーク特性の低下が抑えられる。
【0019】
【発明の実施の形態】以下、本発明の具体的な実施の形
態について図面を参照しながら詳細に説明する。
態について図面を参照しながら詳細に説明する。
【0020】本発明を適用した光磁気ディスクは、図1
に示すように、透明基板1上に、主に記録膜と保護膜よ
りなる記録層10が積層形成されたものである。ただ
し、図1においては、一部を破断して示す。
に示すように、透明基板1上に、主に記録膜と保護膜よ
りなる記録層10が積層形成されたものである。ただ
し、図1においては、一部を破断して示す。
【0021】次に、図2に本例の光磁気ディスクを拡大
した図を示す。透明基板1の一主面1aには、スパイラ
ル状の記録トラックに対応する部分である記録トラック
部2と、これに沿って案内溝3が形成されており、光磁
気ディスクの径方向に案内溝3と記録トラック部2が交
互に形成されている。
した図を示す。透明基板1の一主面1aには、スパイラ
ル状の記録トラックに対応する部分である記録トラック
部2と、これに沿って案内溝3が形成されており、光磁
気ディスクの径方向に案内溝3と記録トラック部2が交
互に形成されている。
【0022】上記透明基板1の一主面1a上には、第1
の誘電体膜4、記録磁性膜5、第2の誘電体膜6、反射
膜7が順次積層形成される記録膜8と保護膜9とが積層
形成され、記録層10として形成されている。各膜は、
透明基板1の一主面1aの形状に沿って形成されること
となり、記録磁性膜5の記録トラック部2に対応する部
分が記録トラック11となる。この記録トラック11に
対して案内溝3が沿うように形成されていることは言う
までもない。
の誘電体膜4、記録磁性膜5、第2の誘電体膜6、反射
膜7が順次積層形成される記録膜8と保護膜9とが積層
形成され、記録層10として形成されている。各膜は、
透明基板1の一主面1aの形状に沿って形成されること
となり、記録磁性膜5の記録トラック部2に対応する部
分が記録トラック11となる。この記録トラック11に
対して案内溝3が沿うように形成されていることは言う
までもない。
【0023】なお、図2中においては、記録トラック部
2の一部に光磁気ディスクのアドレスピット等のピット
12が形成されている例について示す。
2の一部に光磁気ディスクのアドレスピット等のピット
12が形成されている例について示す。
【0024】そして、本例の光磁気ディスクにおいて
は、図中Tpで示す記録トラック11のピッチ、すなわ
ちトラックピッチを1.2μm以下とし、図中Dで示す
案内溝3の深さを、記録再生光の波長をλ、透明基板の
屈折率をnとした場合に、λ/8n≦D≦λ/5.6n
の範囲となるようにしている。
は、図中Tpで示す記録トラック11のピッチ、すなわ
ちトラックピッチを1.2μm以下とし、図中Dで示す
案内溝3の深さを、記録再生光の波長をλ、透明基板の
屈折率をnとした場合に、λ/8n≦D≦λ/5.6n
の範囲となるようにしている。
【0025】本例の光磁気ディスクにおいては、その構
成材料として、通常、この種の光磁気ディスクで使用さ
れている構成材料を使用することができ、透明基板1は
例えばポリカーボネート,アモルファスポリオレフィ
ン,ガラス等により構成すれば良く、第1及び第2の誘
電体膜4,6は例えばSi3 N4 等により構成すれば良
く、記録磁性膜5は例えばTbFeCo合金等により構
成すれば良く、反射膜7は例えばアルミニウム等により
構成すれば良く、保護膜9は例えば紫外線硬化型樹脂等
により構成すれば良い。
成材料として、通常、この種の光磁気ディスクで使用さ
れている構成材料を使用することができ、透明基板1は
例えばポリカーボネート,アモルファスポリオレフィ
ン,ガラス等により構成すれば良く、第1及び第2の誘
電体膜4,6は例えばSi3 N4 等により構成すれば良
く、記録磁性膜5は例えばTbFeCo合金等により構
成すれば良く、反射膜7は例えばアルミニウム等により
構成すれば良く、保護膜9は例えば紫外線硬化型樹脂等
により構成すれば良い。
【0026】また、上記形状を有する透明基板1は、こ
の種の光磁気ディスクの製造に通常使用される射出成形
法,2P法等の手段により製造すれば良く、各膜もこの
種の光磁気ディスクの製造に通常使用される蒸着,スパ
ッタリング等の手段により形成すれば良い。
の種の光磁気ディスクの製造に通常使用される射出成形
法,2P法等の手段により製造すれば良く、各膜もこの
種の光磁気ディスクの製造に通常使用される蒸着,スパ
ッタリング等の手段により形成すれば良い。
【0027】本例の光磁気ディスクに情報の記録を行う
場合には記録トラックに沿ってレーザ光等の記録光を照
射しながら磁気ヘッドにより記録磁界を印加し、磁気ヘ
ッド走行方向における長さが情報となる記録マークを形
成し、マークエッジ記録方式により記録する。そしてこ
のとき、案内溝3にもレーザ光等の記録光を照射して例
えばプッシュプル法により記録トラック11の位置を正
確に検出し、トラッキングエラー信号に基づいて正しく
トラッキングを行い、記録マークを記録トラック11に
正しく形成するようにする。
場合には記録トラックに沿ってレーザ光等の記録光を照
射しながら磁気ヘッドにより記録磁界を印加し、磁気ヘ
ッド走行方向における長さが情報となる記録マークを形
成し、マークエッジ記録方式により記録する。そしてこ
のとき、案内溝3にもレーザ光等の記録光を照射して例
えばプッシュプル法により記録トラック11の位置を正
確に検出し、トラッキングエラー信号に基づいて正しく
トラッキングを行い、記録マークを記録トラック11に
正しく形成するようにする。
【0028】また、この光磁気ディスクの情報を再生す
る場合には、記録トラックに沿ってレーザ光等の再生光
を照射し、磁気光学効果により記録マークの長さを検出
して情報を再生する。このときにおいても、案内溝3に
レーザ光等の再生光を照射して例えばプッシュプル法に
より記録トラック11の位置を正確に検出し、トラッキ
ングエラー信号に基づいて正しくトラッキングを行い、
記録マークの長さの検出を容易とする。
る場合には、記録トラックに沿ってレーザ光等の再生光
を照射し、磁気光学効果により記録マークの長さを検出
して情報を再生する。このときにおいても、案内溝3に
レーザ光等の再生光を照射して例えばプッシュプル法に
より記録トラック11の位置を正確に検出し、トラッキ
ングエラー信号に基づいて正しくトラッキングを行い、
記録マークの長さの検出を容易とする。
【0029】本例の光磁気ディスクにおいては、トラッ
クピッチを1.2μm以下と狭トラックピッチ化して
も、記録トラックに沿って形成される溝部である案内溝
の深さDを、記録再生光の波長をλ、透明基板の屈折率
をnとした場合に、λ/8n≦D≦λ/5.6nの範囲
とし、深いものとしているため、この案内溝により、記
録時に照射される記録光の熱の隣接する記録トラック間
における伝達が妨げられ、第1の記録トラックの情報が
隣接する第2の記録トラックに記録されてしまうといっ
たことが防止され、クロストーク特性の低下が抑えられ
る。
クピッチを1.2μm以下と狭トラックピッチ化して
も、記録トラックに沿って形成される溝部である案内溝
の深さDを、記録再生光の波長をλ、透明基板の屈折率
をnとした場合に、λ/8n≦D≦λ/5.6nの範囲
とし、深いものとしているため、この案内溝により、記
録時に照射される記録光の熱の隣接する記録トラック間
における伝達が妨げられ、第1の記録トラックの情報が
隣接する第2の記録トラックに記録されてしまうといっ
たことが防止され、クロストーク特性の低下が抑えられ
る。
【0030】また、この種の光磁気ディスクにおいて
は、案内溝3の形状を開口側に向かって広がる断面略コ
字状のものとするのが一般的であり、案内溝3の深さD
が上記範囲よりも深いと、案内溝3間に位置することと
なる記録トラック部2の幅が狭くなり、これに伴い記録
トラック11のトラック幅も狭くなりすぎ、出力低下を
引き起こすが、本例の光磁気ディスクにおいては、この
ような不都合も生じない。
は、案内溝3の形状を開口側に向かって広がる断面略コ
字状のものとするのが一般的であり、案内溝3の深さD
が上記範囲よりも深いと、案内溝3間に位置することと
なる記録トラック部2の幅が狭くなり、これに伴い記録
トラック11のトラック幅も狭くなりすぎ、出力低下を
引き起こすが、本例の光磁気ディスクにおいては、この
ような不都合も生じない。
【0031】さらに、案内溝3の深さDが上記範囲より
も浅いと、プッシュプル法によるトラッキングエラー信
号の信号レベルが低下してしまう。なお、案内溝3の深
さDをλ/8nよりも深くしても信号レベルは低下して
しまうが、その低下の度合いは小さく、本例の光磁気デ
ィスクにおいては、トラッキングエラー信号の信号レベ
ルも十分に確保され、記録トラックに正確に記録マーク
が形成されて記録が行われ、その再生も容易に行われ
る。
も浅いと、プッシュプル法によるトラッキングエラー信
号の信号レベルが低下してしまう。なお、案内溝3の深
さDをλ/8nよりも深くしても信号レベルは低下して
しまうが、その低下の度合いは小さく、本例の光磁気デ
ィスクにおいては、トラッキングエラー信号の信号レベ
ルも十分に確保され、記録トラックに正確に記録マーク
が形成されて記録が行われ、その再生も容易に行われ
る。
【0032】なお、ここでは、記録トラックがスパイラ
ル状に形成される光磁気ディスクの例について述べた
が、本発明が複数の記録トラックが互いに隣合って形成
され、これらの間に案内溝を有する光磁気ディスクであ
れば適用可能であることは言うまでもない。
ル状に形成される光磁気ディスクの例について述べた
が、本発明が複数の記録トラックが互いに隣合って形成
され、これらの間に案内溝を有する光磁気ディスクであ
れば適用可能であることは言うまでもない。
【0033】
【実施例】以下、本発明の具体的な実施例について実験
結果に基づいて説明する。すなわち、トラックピッチを
1.2μm以下として案内溝の深さを変化させた透明基
板に記録層を形成した光磁気ディスクサンプルをそれぞ
れ用意し、これらのクロストーク特性を調査し、案内溝
の深さとクロストーク特性の関係を調査した。
結果に基づいて説明する。すなわち、トラックピッチを
1.2μm以下として案内溝の深さを変化させた透明基
板に記録層を形成した光磁気ディスクサンプルをそれぞ
れ用意し、これらのクロストーク特性を調査し、案内溝
の深さとクロストーク特性の関係を調査した。
【0034】透明基板としては、厚さ1.2mmで屈折
率nが1.5のポリカーボネート製の基板により構成
し、この基板の一主面にトラックピッチを1.2μm以
下として記録トラック部と案内溝を交互に形成したもの
を用意した。そして、上記案内溝の形状を開口側に向か
って広がる断面略コ字状とし、その深さDを、記録再生
光の波長λ(ここでは680nmとする。)、透明基板
の屈折率n(ここでは1.5とする。)に対して、λ/
14n〜λ/5.6nの範囲で変化させて透明基板サン
プル1〜5を用意した。この透明基板サンプル1〜5の
案内溝の深さを原子間力顕微鏡により測定したところ、
それぞれ、λ/14n,λ/10n,λ/8n,λ/
7.4n,λ/5.6nであった。
率nが1.5のポリカーボネート製の基板により構成
し、この基板の一主面にトラックピッチを1.2μm以
下として記録トラック部と案内溝を交互に形成したもの
を用意した。そして、上記案内溝の形状を開口側に向か
って広がる断面略コ字状とし、その深さDを、記録再生
光の波長λ(ここでは680nmとする。)、透明基板
の屈折率n(ここでは1.5とする。)に対して、λ/
14n〜λ/5.6nの範囲で変化させて透明基板サン
プル1〜5を用意した。この透明基板サンプル1〜5の
案内溝の深さを原子間力顕微鏡により測定したところ、
それぞれ、λ/14n,λ/10n,λ/8n,λ/
7.4n,λ/5.6nであった。
【0035】そして上記透明基板サンプル1〜5の記録
トラック部及び案内溝形成面上に、第1の誘電体膜とし
て厚さ110nm±10%のSi3 N4 膜、記録磁性膜
として厚さ20nm±10%のTbFeCo合金磁性
膜、第2の誘電体膜として厚さ30nm±10%のSi
3 N4 膜、反射膜として厚さ40〜120nmのアルミ
ニウム膜を順次積層形成して記録膜を構成し、さらにこ
の上に保護膜を積層形成し、記録層を形成して、それぞ
れ光磁気ディスクサンプル1〜5とした。
トラック部及び案内溝形成面上に、第1の誘電体膜とし
て厚さ110nm±10%のSi3 N4 膜、記録磁性膜
として厚さ20nm±10%のTbFeCo合金磁性
膜、第2の誘電体膜として厚さ30nm±10%のSi
3 N4 膜、反射膜として厚さ40〜120nmのアルミ
ニウム膜を順次積層形成して記録膜を構成し、さらにこ
の上に保護膜を積層形成し、記録層を形成して、それぞ
れ光磁気ディスクサンプル1〜5とした。
【0036】次に、この光磁気ディスクサンプル1〜5
に対して、記録線速を9.4m/sとし、記録光として
波長680nmのレーザ光を出力を6mWとして照射す
るとともに記録磁界を印加し、磁気ヘッド走行方向の長
さが約2.7μmとなる記録マークを有する単一信号を
1トラック分だけ記録した。なお、上記波長のレーザ光
は記録マークの長さに対して93%の時間を有する矩形
パルスである。
に対して、記録線速を9.4m/sとし、記録光として
波長680nmのレーザ光を出力を6mWとして照射す
るとともに記録磁界を印加し、磁気ヘッド走行方向の長
さが約2.7μmとなる記録マークを有する単一信号を
1トラック分だけ記録した。なお、上記波長のレーザ光
は記録マークの長さに対して93%の時間を有する矩形
パルスである。
【0037】このとき、実際の記録マークの幅は記録時
の熱の蓄積のために書き始めに比べて書き終わりの方が
若干広くなることが予想され、上記矩形パルスが実用上
最適な記録用発光パターンとは言えないが、クロストー
ク特性の良否を判定するのには適した発光パターンとい
える。
の熱の蓄積のために書き始めに比べて書き終わりの方が
若干広くなることが予想され、上記矩形パルスが実用上
最適な記録用発光パターンとは言えないが、クロストー
ク特性の良否を判定するのには適した発光パターンとい
える。
【0038】続いて、上述のように単一信号を所定の記
録トラックに記録した後、この記録トラックにおける再
生出力と、この記録トラックに隣接する本来ならば何も
記録されてない記録トラックにおける再生出力を測定
し、これらの相対比をとってクロストーク値とした。
録トラックに記録した後、この記録トラックにおける再
生出力と、この記録トラックに隣接する本来ならば何も
記録されてない記録トラックにおける再生出力を測定
し、これらの相対比をとってクロストーク値とした。
【0039】さらに、光磁気ディスクサンプル1〜5に
単一信号を記録する際のレーザ光の出力を変化させて記
録を行い、同様にクロストーク値を調査した。
単一信号を記録する際のレーザ光の出力を変化させて記
録を行い、同様にクロストーク値を調査した。
【0040】これらの結果を図3にまとめて示す。図中
横軸はレーザ光出力を示し、縦軸はクロストーク値を示
し、図中△は光磁気ディスクサンプル1の結果を示し、
図中▽は光磁気ディスクサンプル2の結果を示し、図中
○は光磁気ディスクサンプル3の結果を示し、図中×は
光磁気ディスクサンプル4の結果を示し、図中□は光磁
気ディスクサンプル5の結果を示す。
横軸はレーザ光出力を示し、縦軸はクロストーク値を示
し、図中△は光磁気ディスクサンプル1の結果を示し、
図中▽は光磁気ディスクサンプル2の結果を示し、図中
○は光磁気ディスクサンプル3の結果を示し、図中×は
光磁気ディスクサンプル4の結果を示し、図中□は光磁
気ディスクサンプル5の結果を示す。
【0041】この種の光磁気ディスクにおいては、実用
上、このようなクロストーク値が−26dBよりも小さ
いことが望ましいとされており、図3の結果から、案内
溝の深さがλ/8nよりも深い、光磁気ディスクサンプ
ル1〜3においてはこの条件を満たすことが確認され
た。
上、このようなクロストーク値が−26dBよりも小さ
いことが望ましいとされており、図3の結果から、案内
溝の深さがλ/8nよりも深い、光磁気ディスクサンプ
ル1〜3においてはこの条件を満たすことが確認され
た。
【0042】また、図3の結果から、記録の際のレーザ
光出力が大きくなると、記録マークの幅が広がってしま
うため、隣接トラックへ熱が伝達しやすくなり、クロス
トーク値が高くなり、クロストーク特性が全体的に劣化
することがわかる。しかしながら、案内溝の深さがλ/
8nよりも深い、光磁気ディスクサンプル1〜3におい
ては劣化の度合いが比較的小さく、案内溝の深さがλ/
5.6nである光磁気ディスクサンプル1においては、
殆ど劣化しないことが確認され、記録の際のレーザ光出
力に対して広いマージンを有することが確認された。
光出力が大きくなると、記録マークの幅が広がってしま
うため、隣接トラックへ熱が伝達しやすくなり、クロス
トーク値が高くなり、クロストーク特性が全体的に劣化
することがわかる。しかしながら、案内溝の深さがλ/
8nよりも深い、光磁気ディスクサンプル1〜3におい
ては劣化の度合いが比較的小さく、案内溝の深さがλ/
5.6nである光磁気ディスクサンプル1においては、
殆ど劣化しないことが確認され、記録の際のレーザ光出
力に対して広いマージンを有することが確認された。
【0043】従って、これらのことから、本発明の光磁
気ディスクのように、トラックピッチが1.2μm以下
であり、記録トラックに沿った溝部である案内溝の深さ
Dが、記録再生光の波長λ、透明基板の屈折率nに対
し、λ/8n≦D≦λ/5.6nの範囲である光磁気デ
ィスクにおいては、トラックピッチを1.2μm以下と
狭トラックピッチ化しても、クロストーク特性の低下が
抑えられ、実用上好ましいクロストーク特性が確保され
ることが確認された。
気ディスクのように、トラックピッチが1.2μm以下
であり、記録トラックに沿った溝部である案内溝の深さ
Dが、記録再生光の波長λ、透明基板の屈折率nに対
し、λ/8n≦D≦λ/5.6nの範囲である光磁気デ
ィスクにおいては、トラックピッチを1.2μm以下と
狭トラックピッチ化しても、クロストーク特性の低下が
抑えられ、実用上好ましいクロストーク特性が確保され
ることが確認された。
【0044】また、本発明の光磁気ディスクのように案
内溝の深さを規定すれば、記録の際のレーザ光出力を高
出力化してもクロストーク特性の劣化の度合いが小さ
く、クロストーク特性の低下が抑えられることが確認さ
れた。
内溝の深さを規定すれば、記録の際のレーザ光出力を高
出力化してもクロストーク特性の劣化の度合いが小さ
く、クロストーク特性の低下が抑えられることが確認さ
れた。
【0045】次に、案内溝の深さDをλ/8nよりも深
くした場合において、プッシュプル法によるトラッキン
グエラー信号の信号レベルの低下の度合いを調査した。
その結果、λ/5.6nの場合においても20%程度の
低下に抑えられていることがわかった。
くした場合において、プッシュプル法によるトラッキン
グエラー信号の信号レベルの低下の度合いを調査した。
その結果、λ/5.6nの場合においても20%程度の
低下に抑えられていることがわかった。
【0046】従ってこのことから、本発明の光磁気ディ
スクのように案内溝の深さを規定すれば、トラッキング
エラー信号の信号レベルも十分に確保され、記録トラッ
クに正確に記録マークが形成されて記録が行われ、その
再生も容易に行われることが確認された。
スクのように案内溝の深さを規定すれば、トラッキング
エラー信号の信号レベルも十分に確保され、記録トラッ
クに正確に記録マークが形成されて記録が行われ、その
再生も容易に行われることが確認された。
【0047】さらに、案内溝の深さDをλ/5.6nよ
りも深い、λ/5.0nとして光磁気ディスクを製造
し、これに前述と同様にして単一信号を記録し、これを
再生してみたところ、案内溝の深さDがλ/5.6nで
ある光磁気ディスクサンプル1と比較して再生出力が1
dB以上低下することが確認された。これは、案内溝の
形状を開口側に向かって広がる断面略コ字状のものとし
ていることから、案内溝の深さDが上記範囲よりも深い
と、記録トラックのトラック幅が狭くなりすぎるためと
考えられる。
りも深い、λ/5.0nとして光磁気ディスクを製造
し、これに前述と同様にして単一信号を記録し、これを
再生してみたところ、案内溝の深さDがλ/5.6nで
ある光磁気ディスクサンプル1と比較して再生出力が1
dB以上低下することが確認された。これは、案内溝の
形状を開口側に向かって広がる断面略コ字状のものとし
ていることから、案内溝の深さDが上記範囲よりも深い
と、記録トラックのトラック幅が狭くなりすぎるためと
考えられる。
【0048】従って、このことから、案内溝の深さDは
λ/5.6nよりも浅くすることが好ましいことが確認
された。
λ/5.6nよりも浅くすることが好ましいことが確認
された。
【0049】
【発明の効果】以上の説明からも明らかなように、本発
明の光磁気ディスクにおいては、トラックピッチを1.
2μm以下と狭トラックピッチ化しても、記録トラック
に沿って形成される溝部の深さDを、記録再生光の波長
をλ、透明基板の屈折率をnとした場合に、λ/8n≦
D≦λ/5.6nの範囲とし、深いものとしているた
め、この案内溝により、記録光による熱の隣接する記録
トラック間での伝達が妨げられ、クロストーク特性の低
下が抑えられる。
明の光磁気ディスクにおいては、トラックピッチを1.
2μm以下と狭トラックピッチ化しても、記録トラック
に沿って形成される溝部の深さDを、記録再生光の波長
をλ、透明基板の屈折率をnとした場合に、λ/8n≦
D≦λ/5.6nの範囲とし、深いものとしているた
め、この案内溝により、記録光による熱の隣接する記録
トラック間での伝達が妨げられ、クロストーク特性の低
下が抑えられる。
【図1】本発明を適用した光磁気ディスクを一部破断し
て示す斜視図である。
て示す斜視図である。
【図2】本発明を適用した光磁気ディスクを模式的に示
す要部拡大断面図である。
す要部拡大断面図である。
【図3】各光磁気ディスクサンプルにおけるレーザ光出
力とクロストーク値の関係を示す特性図である。
力とクロストーク値の関係を示す特性図である。
1 透明基板 2 記録トラック部 3 案内溝 10 記録層 11 記録トラック
Claims (1)
- 【請求項1】 一主面に記録トラックに沿った溝部が形
成される透明基板の上記主面上に記録層が形成されてな
る光磁気ディスクにおいて、 トラックピッチが1.2μm以下であり、記録再生光の
波長をλ、透明基板の屈折率をn、溝部の深さをDとす
ると、λ/8n≦D≦λ/5.6nであることを特徴と
する光磁気ディスク。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22406595A JPH0969244A (ja) | 1995-08-31 | 1995-08-31 | 光磁気ディスク |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22406595A JPH0969244A (ja) | 1995-08-31 | 1995-08-31 | 光磁気ディスク |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0969244A true JPH0969244A (ja) | 1997-03-11 |
Family
ID=16808025
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22406595A Pending JPH0969244A (ja) | 1995-08-31 | 1995-08-31 | 光磁気ディスク |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0969244A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0908874A1 (en) * | 1997-10-06 | 1999-04-14 | Fujitsu Limited | Magneto-optic recording medium and optical information storage unit |
-
1995
- 1995-08-31 JP JP22406595A patent/JPH0969244A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0908874A1 (en) * | 1997-10-06 | 1999-04-14 | Fujitsu Limited | Magneto-optic recording medium and optical information storage unit |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20030916 |