JPH0969617A - クロストーク検出方法、受光素子及びウエハ - Google Patents
クロストーク検出方法、受光素子及びウエハInfo
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- JPH0969617A JPH0969617A JP7224879A JP22487995A JPH0969617A JP H0969617 A JPH0969617 A JP H0969617A JP 7224879 A JP7224879 A JP 7224879A JP 22487995 A JP22487995 A JP 22487995A JP H0969617 A JPH0969617 A JP H0969617A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 クロストークを低コストで、正確かつ容易に
検出する。 【解決手段】 シリコン基板２１の表面上には、フォト
ダイオードからなる、複数の画素２２（２２ａ，２２
ｂ，２２ｃ）が形成されており、各画素２２間には、分
離拡散２３が形成されている。さらに、シリコン酸化膜
２４が、画素２２及び分離拡散２３の表面上に形成され
ている。アルミニウム膜からなるクロストーク測定用パ
ターン２５は、シリコン酸化膜２４上に、所定の画素２
２ｂ以外の画素への光の入射を制限するように形成され
ている。入射光２６は、画素２２ｂにのみ入射し、この
状態で、画素２２ｂ、及び画素２２ｂに隣接する画素２
２ａ，２２ｃで発生する光電流を検出し、両者を比較す
ることによって、クロストークが検出される。
検出する。 【解決手段】 シリコン基板２１の表面上には、フォト
ダイオードからなる、複数の画素２２（２２ａ，２２
ｂ，２２ｃ）が形成されており、各画素２２間には、分
離拡散２３が形成されている。さらに、シリコン酸化膜
２４が、画素２２及び分離拡散２３の表面上に形成され
ている。アルミニウム膜からなるクロストーク測定用パ
ターン２５は、シリコン酸化膜２４上に、所定の画素２
２ｂ以外の画素への光の入射を制限するように形成され
ている。入射光２６は、画素２２ｂにのみ入射し、この
状態で、画素２２ｂ、及び画素２２ｂに隣接する画素２
２ａ，２２ｃで発生する光電流を検出し、両者を比較す
ることによって、クロストークが検出される。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、クロストーク検出
方法、受光素子及びウエハに関し、特に、特定の画素以
外への光の入射を制限することにより、受光素子に発生
するクロストークを正確かつ容易に検出することができ
るようにしたクロストーク検出方法、受光素子及びウエ
ハに関する。
方法、受光素子及びウエハに関し、特に、特定の画素以
外への光の入射を制限することにより、受光素子に発生
するクロストークを正確かつ容易に検出することができ
るようにしたクロストーク検出方法、受光素子及びウエ
ハに関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体イメージセンサは、光を受光し、
その受光した光に対応して画像を検出する受光素子の一
種であり、その種類としては、フォトダイオード等より
なる受光部（画素）が１次元に配列されて形成されてい
るラインセンサ、受光部が２次元に配列されて形成され
ているエリアセンサ等がある。
その受光した光に対応して画像を検出する受光素子の一
種であり、その種類としては、フォトダイオード等より
なる受光部（画素）が１次元に配列されて形成されてい
るラインセンサ、受光部が２次元に配列されて形成され
ているエリアセンサ等がある。
【０００３】図４は、半導体イメージセンサの一構成例
を示す断面図である。この半導体イメージセンサにおい
ては、Ｎ型拡散によるフォトダイオードからなる複数の
画素２２が、Ｐ型のシリコン基板２１の表面上に形成さ
れている。各画素２２間には、Ｐ型の分離拡散２３が形
成されており、各画素２２が分離されている。さらに、
シリコン酸化膜２４が、画素２２及び分離拡散２３の表
面上に形成されている。
を示す断面図である。この半導体イメージセンサにおい
ては、Ｎ型拡散によるフォトダイオードからなる複数の
画素２２が、Ｐ型のシリコン基板２１の表面上に形成さ
れている。各画素２２間には、Ｐ型の分離拡散２３が形
成されており、各画素２２が分離されている。さらに、
シリコン酸化膜２４が、画素２２及び分離拡散２３の表
面上に形成されている。
【０００４】なお、図４においては、簡単のため省略さ
れているが、分離拡散２３上には、アルミニウムからな
る配線層が形成されており、画素２２以外の位置（分離
拡散２３）からの光の入射を制限する役割を兼ねてい
る。また、分離拡散２３上に配線層が形成されていない
位置では、その位置からの光の入射を制限するために、
アルミニウム膜からなる遮光膜（図示せず）がシリコン
酸化膜２４の表面上に形成されている。つまり、光は、
画素２２の表面上から入射するようになされている。
れているが、分離拡散２３上には、アルミニウムからな
る配線層が形成されており、画素２２以外の位置（分離
拡散２３）からの光の入射を制限する役割を兼ねてい
る。また、分離拡散２３上に配線層が形成されていない
位置では、その位置からの光の入射を制限するために、
アルミニウム膜からなる遮光膜（図示せず）がシリコン
酸化膜２４の表面上に形成されている。つまり、光は、
画素２２の表面上から入射するようになされている。
【０００５】この半導体イメージセンサにおいては、光
が各画素２２を介してシリコン基板２１内に入射する
と、シリコン基板２１内では、この入射光に対応する電
荷が発生する。そして、シリコン基板２１内で発生した
電荷が、それぞれ、対応する画素２２に到達すると、画
素２２内に光電流が流れる。この光電流を各画素２２の
出力信号として検出することによって、画像の読み取り
が行われる。
が各画素２２を介してシリコン基板２１内に入射する
と、シリコン基板２１内では、この入射光に対応する電
荷が発生する。そして、シリコン基板２１内で発生した
電荷が、それぞれ、対応する画素２２に到達すると、画
素２２内に光電流が流れる。この光電流を各画素２２の
出力信号として検出することによって、画像の読み取り
が行われる。
【０００６】ところで、図４に示すように、画素２２の
うちの、例えば、所定の画素２２ｂの表面上から入射し
た入射光２６ｂによって、シリコン基板２１内では電荷
３７が発生するが、この電荷３７は、シリコン基板２１
中を等方的に拡散する。従って、この電荷３７は、本
来、画素２２ｂだけで検出されるべきであるところが、
画素２２ｂに隣接する画素２２ａ，２２ｃなどにも到達
してしまい、画素２２ａ，２２ｃでは、不所望な光電流
（出力信号）が発生してしまう（すなわち、画素２２
ａ，２２ｃにクロストークが発生してしまう）。このク
ロストークの発生は、イメージセンサの空間的な信号の
分解能を悪化させる１つの要因となっている。
うちの、例えば、所定の画素２２ｂの表面上から入射し
た入射光２６ｂによって、シリコン基板２１内では電荷
３７が発生するが、この電荷３７は、シリコン基板２１
中を等方的に拡散する。従って、この電荷３７は、本
来、画素２２ｂだけで検出されるべきであるところが、
画素２２ｂに隣接する画素２２ａ，２２ｃなどにも到達
してしまい、画素２２ａ，２２ｃでは、不所望な光電流
（出力信号）が発生してしまう（すなわち、画素２２
ａ，２２ｃにクロストークが発生してしまう）。このク
ロストークの発生は、イメージセンサの空間的な信号の
分解能を悪化させる１つの要因となっている。
【０００７】上述したクロストークは、半導体イメージ
センサの性能を表す１つの基準として用いられる（すな
わち、クロストークが少ないほど、半導体イメージセン
サの分解能は良好と考える）。そこで、従来、半導体イ
メージセンサの性能を測定するために、半導体イメージ
センサに発生するクロストークを検出する種々の方法が
提案されており、以下に、その例を示す。
センサの性能を表す１つの基準として用いられる（すな
わち、クロストークが少ないほど、半導体イメージセン
サの分解能は良好と考える）。そこで、従来、半導体イ
メージセンサの性能を測定するために、半導体イメージ
センサに発生するクロストークを検出する種々の方法が
提案されており、以下に、その例を示す。
【０００８】通常、クロストークを測定するために、基
板上に形成されている複数の画素（フォトダイオード等
よりなる受光部）のうちの１画素にのみ光を入射させ、
その画素に隣接する画素で発生する光電流（出力信号）
を検出するという方法が採用されている。
板上に形成されている複数の画素（フォトダイオード等
よりなる受光部）のうちの１画素にのみ光を入射させ、
その画素に隣接する画素で発生する光電流（出力信号）
を検出するという方法が採用されている。
【０００９】図５は、半導体イメージセンサに発生する
クロストークを検出する方法の一例を説明する断面図で
ある。図５に示す方法においては、移動可能な微動ステ
ージ（図示せず）に配置されている集光レンズ４０を所
望の位置に配置し、所定の光源からの光を集光し、集光
した光をシリコン基板２１上に形成されている所定の画
素２２ｒのみに照射するようにしている。この状態にお
いて、所定の画素２２ｒ及び画素２２ｒに隣接している
画素２２ｑ，２２ｓで発生する光電流（出力信号）を検
出し、両者を比較することによって、クロストークを求
めることができる。
クロストークを検出する方法の一例を説明する断面図で
ある。図５に示す方法においては、移動可能な微動ステ
ージ（図示せず）に配置されている集光レンズ４０を所
望の位置に配置し、所定の光源からの光を集光し、集光
した光をシリコン基板２１上に形成されている所定の画
素２２ｒのみに照射するようにしている。この状態にお
いて、所定の画素２２ｒ及び画素２２ｒに隣接している
画素２２ｑ，２２ｓで発生する光電流（出力信号）を検
出し、両者を比較することによって、クロストークを求
めることができる。
【００１０】図６は、半導体イメージセンサに発生する
クロストークを検出する方法の他の例を説明する断面図
である。この方法においては、図示せぬ微動ステージに
形成されているスリット５０（１つの画素の大きさに対
応する大きさの穴が形成されているスリット）を所望の
位置に配置し、所定の光源から発せられた光を画素２２
ｒのみに照射するようにしている。この状態において、
所定の画素２２ｒ及び画素２２ｒに隣接している画素２
２ｑ，２２ｓで発生する光電流（出力信号）を検出し、
両者を比較することによって、クロストークを求めるこ
とができる。
クロストークを検出する方法の他の例を説明する断面図
である。この方法においては、図示せぬ微動ステージに
形成されているスリット５０（１つの画素の大きさに対
応する大きさの穴が形成されているスリット）を所望の
位置に配置し、所定の光源から発せられた光を画素２２
ｒのみに照射するようにしている。この状態において、
所定の画素２２ｒ及び画素２２ｒに隣接している画素２
２ｑ，２２ｓで発生する光電流（出力信号）を検出し、
両者を比較することによって、クロストークを求めるこ
とができる。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
た、図５及び図６に示すクロストークの検出方法は、以
下に示す課題を有している。
た、図５及び図６に示すクロストークの検出方法は、以
下に示す課題を有している。
【００１２】すなわち、図５及び図６に示すクロストー
クの検出方法においては、集光レンズ４０及びスリット
５０を、図示せぬ微動ステージ上に取り付け、所望の位
置に配置することによって、光を特定の画素（図５及び
図６中の画素２２ｒ）のみに照射するようにしているの
で、集光レンズ４０及びスリット５０を移動させるため
の微動ステージの分、コストが高くなってしまうという
課題がある。
クの検出方法においては、集光レンズ４０及びスリット
５０を、図示せぬ微動ステージ上に取り付け、所望の位
置に配置することによって、光を特定の画素（図５及び
図６中の画素２２ｒ）のみに照射するようにしているの
で、集光レンズ４０及びスリット５０を移動させるため
の微動ステージの分、コストが高くなってしまうという
課題がある。
【００１３】さらに、近年、半導体イメージセンサの画
素は、その小型化が進められているので（例えば、１０
×１０μｍのイメージセンサ中には、５００×５００個
の画素（フォトダイオード）が形成されている）、図５
に示す集光レンズ４０、あるいは図６に示すスリット５
０を用いて、光を所定の１画素のみに入射させることが
困難であるという課題もある。
素は、その小型化が進められているので（例えば、１０
×１０μｍのイメージセンサ中には、５００×５００個
の画素（フォトダイオード）が形成されている）、図５
に示す集光レンズ４０、あるいは図６に示すスリット５
０を用いて、光を所定の１画素のみに入射させることが
困難であるという課題もある。
【００１４】本発明はこのような状況に鑑みてなされた
ものであり、低コストで、正確かつ容易にクロストーク
を検出することを目的とする。
ものであり、低コストで、正確かつ容易にクロストーク
を検出することを目的とする。
【００１５】
【課題を解決するための手段】請求項１に記載のクロス
トーク検出方法は、光の入射を制限する遮光パターン
を、所定の受光部以外の受光部の受光面上に形成し、所
定の受光部の出力信号と、所定の受光部以外の、遮光パ
ターンが受光面上に形成されている受光部の出力信号と
を測定して、両者を比較することを特徴とする。
トーク検出方法は、光の入射を制限する遮光パターン
を、所定の受光部以外の受光部の受光面上に形成し、所
定の受光部の出力信号と、所定の受光部以外の、遮光パ
ターンが受光面上に形成されている受光部の出力信号と
を測定して、両者を比較することを特徴とする。
【００１６】請求項２に記載の受光素子は、複数の受光
部のうち、所定の受光部以外の受光部への光の入射を制
限する、受光部の受光面上に形成される遮光パターンを
備えることを特徴とする。
部のうち、所定の受光部以外の受光部への光の入射を制
限する、受光部の受光面上に形成される遮光パターンを
備えることを特徴とする。
【００１７】請求項６に記載のクロストーク検出方法
は、複数の受光素子と、少なくとも１つの、受光素子に
発生するクロストークを測定するためのクロストーク測
定用受光素子とを、１枚のウエハ上に形成し、クロスト
ーク測定用受光素子を用いて、受光素子に発生するクロ
ストークを測定することを特徴とする。
は、複数の受光素子と、少なくとも１つの、受光素子に
発生するクロストークを測定するためのクロストーク測
定用受光素子とを、１枚のウエハ上に形成し、クロスト
ーク測定用受光素子を用いて、受光素子に発生するクロ
ストークを測定することを特徴とする。
【００１８】請求項７に記載のクロストーク検出方法
は、複数の受光素子が形成されるウエハと、受光素子に
発生するクロストークを測定するためのクロストーク測
定用受光素子が形成されるウエハとを、同一ロットで製
造し、クロストーク測定用受光素子を用いて、同一ロッ
トの受光素子に発生するクロストークを測定することを
特徴とする。
は、複数の受光素子が形成されるウエハと、受光素子に
発生するクロストークを測定するためのクロストーク測
定用受光素子が形成されるウエハとを、同一ロットで製
造し、クロストーク測定用受光素子を用いて、同一ロッ
トの受光素子に発生するクロストークを測定することを
特徴とする。
【００１９】請求項８に記載のウエハは、複数の受光素
子のうち少なくとも１つをクロストークを測定するため
のクロストーク測定用受光素子とすることを特徴とす
る。
子のうち少なくとも１つをクロストークを測定するため
のクロストーク測定用受光素子とすることを特徴とす
る。
【００２０】請求項１に記載のクロストーク検出方法に
おいては、光の入射を制限する遮光パターンを、所定の
受光部以外の受光部の受光面上に形成し、所定の受光部
の出力信号と、所定の受光部以外の、遮光パターンが受
光面上に形成されている受光部の出力信号とを測定し
て、両者を比較する。
おいては、光の入射を制限する遮光パターンを、所定の
受光部以外の受光部の受光面上に形成し、所定の受光部
の出力信号と、所定の受光部以外の、遮光パターンが受
光面上に形成されている受光部の出力信号とを測定し
て、両者を比較する。
【００２１】請求項２に記載の受光素子においては、複
数の受光部のうち、所定の受光部以外の受光部への光の
入射を制限する、受光部の受光面上に形成される遮光パ
ターンを備える。
数の受光部のうち、所定の受光部以外の受光部への光の
入射を制限する、受光部の受光面上に形成される遮光パ
ターンを備える。
【００２２】請求項６に記載のクロストーク検出方法に
おいては、複数の受光素子と、少なくとも１つの、受光
素子に発生するクロストークを測定するためのクロスト
ーク測定用受光素子とを、１枚のウエハ上に形成し、ク
ロストーク測定用受光素子を用いて、受光素子に発生す
るクロストークを測定する。
おいては、複数の受光素子と、少なくとも１つの、受光
素子に発生するクロストークを測定するためのクロスト
ーク測定用受光素子とを、１枚のウエハ上に形成し、ク
ロストーク測定用受光素子を用いて、受光素子に発生す
るクロストークを測定する。
【００２３】請求項７に記載のクロストーク検出方法に
おいては、複数の受光素子が形成されるウエハと、受光
素子に発生するクロストークを測定するためのクロスト
ーク測定用受光素子が形成されるウエハとを、同一ロッ
トで製造し、クロストーク測定用受光素子を用いて、受
光素子に発生するクロストークを測定する。
おいては、複数の受光素子が形成されるウエハと、受光
素子に発生するクロストークを測定するためのクロスト
ーク測定用受光素子が形成されるウエハとを、同一ロッ
トで製造し、クロストーク測定用受光素子を用いて、受
光素子に発生するクロストークを測定する。
【００２４】請求項８に記載のウエハにおいては、複数
の受光素子のうち少なくとも１つをクロストークを測定
するためのクロストーク測定用受光素子とする。
の受光素子のうち少なくとも１つをクロストークを測定
するためのクロストーク測定用受光素子とする。
【００２５】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施例を図面を参
照して説明する。なお、従来の場合と対応する部分には
同一の符号を付してあり、その説明は適宜省略する。
照して説明する。なお、従来の場合と対応する部分には
同一の符号を付してあり、その説明は適宜省略する。
【００２６】図１は、本発明を適用したクロストーク測
定用受光素子の製造過程を示す平面図である。通常、半
導体イメージセンサは、１枚のウエハ上に複数個形成さ
れ、各々を裁断分離することによって製造される。本実
施例のクロストーク測定用受光素子は、１枚のウエハ上
に形成される複数の半導体イメージセンサのうちの、少
なくとも１個を用いて構成される。
定用受光素子の製造過程を示す平面図である。通常、半
導体イメージセンサは、１枚のウエハ上に複数個形成さ
れ、各々を裁断分離することによって製造される。本実
施例のクロストーク測定用受光素子は、１枚のウエハ上
に形成される複数の半導体イメージセンサのうちの、少
なくとも１個を用いて構成される。
【００２７】すなわち、図１においては、複数の半導体
イメージセンサ１１（その内部には、複数の画素（フォ
トダイオード等からなる受光部）が形成されている）
が、シリコンからなるウエハ１０上に形成されており、
そのうちの１個（図中、影を付して示す部分）が本実施
例のクロストーク測定用受光素子１１Ａとして用いられ
る。なお、図１中の点線はダイシングラインを表し、こ
のダイシングラインにそって、ウエハ１０を裁断分離す
ることにより、個々の半導体イメージセンサ１１が製造
される。
イメージセンサ１１（その内部には、複数の画素（フォ
トダイオード等からなる受光部）が形成されている）
が、シリコンからなるウエハ１０上に形成されており、
そのうちの１個（図中、影を付して示す部分）が本実施
例のクロストーク測定用受光素子１１Ａとして用いられ
る。なお、図１中の点線はダイシングラインを表し、こ
のダイシングラインにそって、ウエハ１０を裁断分離す
ることにより、個々の半導体イメージセンサ１１が製造
される。
【００２８】図２は、本実施例のクロストーク測定用受
光素子１１Ａの構成を示す平面図（すなわち、図１に示
すクロストーク測定用受光素子１１Ａの拡大図）であ
り、図３は、図２に示すクロストーク測定用受光素子１
１ＡのＡ−Ａ’線断面図である。図３より明らかなよう
に、本実施例のクロストーク測定用受光素子１１Ａの構
成は、図４に示す半導体イメージセンサの構成と基本的
に同様であり、所定の画素２２ｂ以外の画素２２（画素
２２ａ，２２ｃ等）への光の入射を制限する、アルミニ
ウム膜からなるクロストーク測定用パターン２５が、シ
リコン酸化膜２４の上部に形成されている。
光素子１１Ａの構成を示す平面図（すなわち、図１に示
すクロストーク測定用受光素子１１Ａの拡大図）であ
り、図３は、図２に示すクロストーク測定用受光素子１
１ＡのＡ−Ａ’線断面図である。図３より明らかなよう
に、本実施例のクロストーク測定用受光素子１１Ａの構
成は、図４に示す半導体イメージセンサの構成と基本的
に同様であり、所定の画素２２ｂ以外の画素２２（画素
２２ａ，２２ｃ等）への光の入射を制限する、アルミニ
ウム膜からなるクロストーク測定用パターン２５が、シ
リコン酸化膜２４の上部に形成されている。
【００２９】このクロストーク測定用パターン２５は、
従来例において説明した、通常の半導体イメージセンサ
に形成されている配線層、または配線層の形成されてい
ない位置のシリコン酸化膜２４上に形成されている遮光
膜（いずれも図示せず）を用いて形成される。
従来例において説明した、通常の半導体イメージセンサ
に形成されている配線層、または配線層の形成されてい
ない位置のシリコン酸化膜２４上に形成されている遮光
膜（いずれも図示せず）を用いて形成される。
【００３０】例えば、図３の分離拡散２３上に形成され
る配線層（図示せず）は、アルミニウム等の金属層であ
り、通常、配線層の必要とされない位置（画素２２上
等）では、エッチング処理により除去されている。こ
の、本来除去される配線層を除去せずに残しておくこと
によって、クロストーク測定用パターン２５を形成す
る。
る配線層（図示せず）は、アルミニウム等の金属層であ
り、通常、配線層の必要とされない位置（画素２２上
等）では、エッチング処理により除去されている。こ
の、本来除去される配線層を除去せずに残しておくこと
によって、クロストーク測定用パターン２５を形成す
る。
【００３１】なお、この場合、配線層及び遮光膜の加工
のためのパターンに、クロストーク測定用パターン２５
を加えたマスクを用意する必要があるが、製造プロセス
は変更されない。
のためのパターンに、クロストーク測定用パターン２５
を加えたマスクを用意する必要があるが、製造プロセス
は変更されない。
【００３２】以上のようにして作成したクロストーク測
定用受光素子を、所定の光源の前方に配置すると、所定
の光源より出射された光が、クロストーク測定用パター
ン２５によって、光の入射が制限されていない所定の画
素２２ｂに入射する。この状態において、所定の画素２
２ｂで発生する光電流（出力信号）と、画素２２ｂに隣
接する画素２２ａ，２２ｃで発生する光電流とを検出
し、両者を比較することによって、クロストークを検出
する。
定用受光素子を、所定の光源の前方に配置すると、所定
の光源より出射された光が、クロストーク測定用パター
ン２５によって、光の入射が制限されていない所定の画
素２２ｂに入射する。この状態において、所定の画素２
２ｂで発生する光電流（出力信号）と、画素２２ｂに隣
接する画素２２ａ，２２ｃで発生する光電流とを検出
し、両者を比較することによって、クロストークを検出
する。
【００３３】このクロストーク測定用受光素子１１Ａ
は、同一のウエハ１０上に形成された半導体イメージセ
ンサ１１と同一の条件で製造されているものであるの
で、両者は同一の性能（空間的な分解能）を有するもの
と考えることができる。そこで、クロストーク測定用受
光素子１１Ａで検出したクロストークと同一のクロスト
ークを、同一のウエハ１０上に形成された半導体イメー
ジセンサ１１が有するものと推定する。換言すれば、ク
ロストーク測定用受光素子１１Ａを用いて、半導体イメ
ージセンサ１１のクロストークを測定し、その性能（空
間的な分解能の良好度）の判定を行う。従来例において
説明したように、ウエハ１０上に形成された半導体イメ
ージセンサの空間的な分解能は、クロストーク測定用受
光素子１１Ａで検出されたクロストークが少ない程、良
好であると考えられる。
は、同一のウエハ１０上に形成された半導体イメージセ
ンサ１１と同一の条件で製造されているものであるの
で、両者は同一の性能（空間的な分解能）を有するもの
と考えることができる。そこで、クロストーク測定用受
光素子１１Ａで検出したクロストークと同一のクロスト
ークを、同一のウエハ１０上に形成された半導体イメー
ジセンサ１１が有するものと推定する。換言すれば、ク
ロストーク測定用受光素子１１Ａを用いて、半導体イメ
ージセンサ１１のクロストークを測定し、その性能（空
間的な分解能の良好度）の判定を行う。従来例において
説明したように、ウエハ１０上に形成された半導体イメ
ージセンサの空間的な分解能は、クロストーク測定用受
光素子１１Ａで検出されたクロストークが少ない程、良
好であると考えられる。
【００３４】本実施例においては、所定の画素２２ｂ以
外の画素への光の入射を制限するクロストーク測定用パ
ターン２５を、半導体イメージセンサの表面上（図３
の、シリコン酸化膜２４の表面上）に、正確に形成する
ようにしている。従って、従来例のように、集光レン
ズ、スリット等を用いる場合と比較して、クロストーク
を正確かつ容易に検出することができる。また、集光レ
ンズ、スリット等を移動させるための微動ステージを構
成する必要がないので、低コストで、クロストークを測
定することができる。
外の画素への光の入射を制限するクロストーク測定用パ
ターン２５を、半導体イメージセンサの表面上（図３
の、シリコン酸化膜２４の表面上）に、正確に形成する
ようにしている。従って、従来例のように、集光レン
ズ、スリット等を用いる場合と比較して、クロストーク
を正確かつ容易に検出することができる。また、集光レ
ンズ、スリット等を移動させるための微動ステージを構
成する必要がないので、低コストで、クロストークを測
定することができる。
【００３５】なお、本実施例においては、アルミニウム
膜でクロストーク測定用パターン２５を形成するように
しているが、これに限らず、光の入射を制限する他の部
材によって、クロストーク測定用パターンを形成するよ
うにしてもよい。
膜でクロストーク測定用パターン２５を形成するように
しているが、これに限らず、光の入射を制限する他の部
材によって、クロストーク測定用パターンを形成するよ
うにしてもよい。
【００３６】また、本実施例においては、１枚のウエハ
１０上に形成される複数の半導体イメージセンサ１１の
うちの１つをクロストーク測定用受光素子１１Ａとして
用いるようにしているが、これに限らず、例えば、同時
に製造された約２０枚程度のウエハ（同一ロットのウエ
ハ）のうちの１枚のウエハ上の半導体イメージセンサを
すべてクロストーク測定用受光素子として形成し、他の
ウエハ上ではすべて通常の半導体イメージセンサとして
形成するようにしてもよい。この実施例においては、ウ
エハ上の位置毎にばらつきが発生するような場合におい
ても、このばらつきを検出することができる。なお、こ
の場合、同時に製造された（同一ロットの）半導体イメ
ージセンサの性能は同様であると考える。
１０上に形成される複数の半導体イメージセンサ１１の
うちの１つをクロストーク測定用受光素子１１Ａとして
用いるようにしているが、これに限らず、例えば、同時
に製造された約２０枚程度のウエハ（同一ロットのウエ
ハ）のうちの１枚のウエハ上の半導体イメージセンサを
すべてクロストーク測定用受光素子として形成し、他の
ウエハ上ではすべて通常の半導体イメージセンサとして
形成するようにしてもよい。この実施例においては、ウ
エハ上の位置毎にばらつきが発生するような場合におい
ても、このばらつきを検出することができる。なお、こ
の場合、同時に製造された（同一ロットの）半導体イメ
ージセンサの性能は同様であると考える。
【００３７】
【発明の効果】本発明のクロストーク検出方法、受光素
子及びウエハによれば、所定の画素以外の画素への光の
入射を制限するようにしたので、クロストークを低コス
トで、正確かつ容易に検出することができる。
子及びウエハによれば、所定の画素以外の画素への光の
入射を制限するようにしたので、クロストークを低コス
トで、正確かつ容易に検出することができる。
【図１】本発明を適用したクロストーク測定用受光素子
の製造過程を説明する平面図である。
の製造過程を説明する平面図である。
【図２】本発明を適用したクロストーク測定用受光素子
の一実施例の構成を示す平面図である。
の一実施例の構成を示す平面図である。
【図３】図２中のＡ−Ａ’線の断面図である。
【図４】半導体イメージセンサの一構成例を示す断面図
である。
である。
【図５】従来のクロストーク検出方法の一例を示す断面
図である。
図である。
【図６】従来のクロストーク検出方法の他の例を示す断
面図である。
面図である。
１０ ウエハ １１ 半導体イメージセンサ １１Ａ クロストーク測定用受光素子 ２１ シリコン基板 ２２，２２ａ乃至２２ｃ，２２ｑ乃至２２ｓ 画素 ２３ 分離拡散 ２４ シリコン酸化膜 ２５ クロストーク測定用パターン ２６，２６ｂ 入射光 ３７ 電荷 ４０ 集光レンズ ５０ スリット
Claims (8)
- 【請求項１】 光を受光する複数の受光部と、前記受光
部が表面上に形成されている基板とからなる受光素子に
発生するクロストークを検出するクロストーク検出方法
において、 光の入射を制限する遮光パターンを、所定の前記受光部
以外の前記受光部の受光面上に形成し、 前記所定の受光部の出力信号と、前記所定の受光部以外
の、前記遮光パターンが受光面上に形成されている前記
受光部の出力信号とを測定して、両者を比較することを
特徴とするクロストーク検出方法。 - 【請求項２】 光を受光する複数の受光部と、 前記受光部が表面上に形成されている基板とを備える受
光素子において、 前記複数の受光部のうち、所定の前記受光部以外の前記
受光部への光の入射を制限する、前記受光部の受光面上
に形成される遮光パターンを備えることを特徴とする受
光素子。 - 【請求項３】 前記遮光パターンは、アルミニウム膜か
らなることを特徴とする請求項２に記載の受光素子。 - 【請求項４】 前記遮光パターンは、前記基板の表面上
の、前記複数の受光部間に形成される配線層が延在され
て形成されていることを特徴とする請求項２または３に
記載の受光素子。 - 【請求項５】 前記遮光パターンは、前記配線層と分離
されていることを特徴とする請求項４に記載の受光素
子。 - 【請求項６】 複数の受光素子と、少なくとも１つの、
前記受光素子に発生するクロストークを測定するための
クロストーク測定用受光素子とを、１枚のウエハ上に形
成し、 前記クロストーク測定用受光素子を用いて、前記受光素
子に発生するクロストークを測定することを特徴とする
クロストーク検出方法。 - 【請求項７】 複数の受光素子が形成されるウエハと、
前記受光素子に発生するクロストークを測定するための
クロストーク測定用受光素子が形成されるウエハとを、
同一ロットで製造し、 前記クロストーク測定用受光素子を用いて、前記同一ロ
ットの前記受光素子に発生するクロストークを測定する
ことを特徴とするクロストーク検出方法。 - 【請求項８】 複数の受光素子が形成されるウエハにお
いて、 複数の前記受光素子のうち少なくとも１つをクロストー
クを測定するためのクロストーク測定用受光素子とする
ことを特徴とするウエハ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7224879A JPH0969617A (ja) | 1995-09-01 | 1995-09-01 | クロストーク検出方法、受光素子及びウエハ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7224879A JPH0969617A (ja) | 1995-09-01 | 1995-09-01 | クロストーク検出方法、受光素子及びウエハ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0969617A true JPH0969617A (ja) | 1997-03-11 |
Family
ID=16820604
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7224879A Withdrawn JPH0969617A (ja) | 1995-09-01 | 1995-09-01 | クロストーク検出方法、受光素子及びウエハ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0969617A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7545156B2 (en) | 2006-04-26 | 2009-06-09 | Panasonic Corporation | Test circuit and test method that includes supplying a current to a plurality of light-receiving elements |
| JP2011066800A (ja) * | 2009-09-18 | 2011-03-31 | Canon Inc | 画像処理装置及び撮像システム |
| JP2011066801A (ja) * | 2009-09-18 | 2011-03-31 | Canon Inc | 固体撮像装置及び撮像システム |
| US8619163B2 (en) | 2009-09-18 | 2013-12-31 | Canon Kabushiki Kaisha | Solid state imaging using a correction parameter for correcting a cross talk between adjacent pixels |
-
1995
- 1995-09-01 JP JP7224879A patent/JPH0969617A/ja not_active Withdrawn
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7545156B2 (en) | 2006-04-26 | 2009-06-09 | Panasonic Corporation | Test circuit and test method that includes supplying a current to a plurality of light-receiving elements |
| JP2011066800A (ja) * | 2009-09-18 | 2011-03-31 | Canon Inc | 画像処理装置及び撮像システム |
| JP2011066801A (ja) * | 2009-09-18 | 2011-03-31 | Canon Inc | 固体撮像装置及び撮像システム |
| US8619163B2 (en) | 2009-09-18 | 2013-12-31 | Canon Kabushiki Kaisha | Solid state imaging using a correction parameter for correcting a cross talk between adjacent pixels |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20021105 |