JPH0969664A - リッジ導波路型分布帰還半導体レーザ装置及びその製造方法 - Google Patents
リッジ導波路型分布帰還半導体レーザ装置及びその製造方法Info
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- JPH0969664A JPH0969664A JP7223363A JP22336395A JPH0969664A JP H0969664 A JPH0969664 A JP H0969664A JP 7223363 A JP7223363 A JP 7223363A JP 22336395 A JP22336395 A JP 22336395A JP H0969664 A JPH0969664 A JP H0969664A
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- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/20—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers
- H01S5/22—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a ridge or stripe structure
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 凹凸形状の回折格子を有するリッジ導波路型
分布帰還半導体レーザ装置において、ストライプ状リッ
ジ構造のリッジ幅及びリッジ外のエッチング残し厚を同
時に精度よく制御することにより、素子の再現性が優
れ、作製歩留まりの優れた半導体レーザ装置及びその製
造方法を提供する。 【解決手段】 回折格子の凹凸形状が緩和された表面を
有するエッチングストップ層を形成し、選択エッチング
を行ってストライプ状リッジ構造を形成する。これによ
り、リッジ形状のリッジ幅及びリッジ外のエッチング残
し厚の制御性が向上し、リッジ形状の高精度な制御が可
能となり、素子の再現性が良く、作製歩留まりが高い半
導体レーザ装置及びその製造方法を得られる。
分布帰還半導体レーザ装置において、ストライプ状リッ
ジ構造のリッジ幅及びリッジ外のエッチング残し厚を同
時に精度よく制御することにより、素子の再現性が優
れ、作製歩留まりの優れた半導体レーザ装置及びその製
造方法を提供する。 【解決手段】 回折格子の凹凸形状が緩和された表面を
有するエッチングストップ層を形成し、選択エッチング
を行ってストライプ状リッジ構造を形成する。これによ
り、リッジ形状のリッジ幅及びリッジ外のエッチング残
し厚の制御性が向上し、リッジ形状の高精度な制御が可
能となり、素子の再現性が良く、作製歩留まりが高い半
導体レーザ装置及びその製造方法を得られる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、リッジ導波路型分
布帰還半導体レーザ装置及びその製造方法に関する。
布帰還半導体レーザ装置及びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】リッジ導波路型半導体レーザは、ストラ
イプ状リッジ構造により電流の閉じ込め及び光の閉じ込
めが可能であり、レーザ動作の横モードを精密に制御で
きる半導体レーザである。リッジ導波路型半導体レーザ
では、ストライプ状リッジ構造部の幅（リッジ幅）及び
ストライプ状リッジ構造部外の活性層からリッジ構造の
底面までの厚さ（リッジ残し厚）により光の閉じ込まれ
方（拡がり）及び電流の閉じ込まれ方（拡がり）が決ま
り、素子の特性が決まる。従って、リッジ幅及びリッジ
残し厚を精度よく制御することにより素子の再現性が向
上し、作製歩留まりを向上させることができる。また、
リッジ幅及びリッジ残し厚とレーザ素子のしきい値電流
との関係を調べたところ、しきい値電流を±５％に制御
するためには、リッジ幅は±０.１μｍ以下、リッジ残
し厚は±０.０１μｍ以下に制御する必要があることが
わかった。
イプ状リッジ構造により電流の閉じ込め及び光の閉じ込
めが可能であり、レーザ動作の横モードを精密に制御で
きる半導体レーザである。リッジ導波路型半導体レーザ
では、ストライプ状リッジ構造部の幅（リッジ幅）及び
ストライプ状リッジ構造部外の活性層からリッジ構造の
底面までの厚さ（リッジ残し厚）により光の閉じ込まれ
方（拡がり）及び電流の閉じ込まれ方（拡がり）が決ま
り、素子の特性が決まる。従って、リッジ幅及びリッジ
残し厚を精度よく制御することにより素子の再現性が向
上し、作製歩留まりを向上させることができる。また、
リッジ幅及びリッジ残し厚とレーザ素子のしきい値電流
との関係を調べたところ、しきい値電流を±５％に制御
するためには、リッジ幅は±０.１μｍ以下、リッジ残
し厚は±０.０１μｍ以下に制御する必要があることが
わかった。
【０００３】ストライプ状リッジ構造は、リッジ構造部
外をエッチングして形成するため、このエッチングの深
さでリッジ残し厚が決まる。しかしこのリッジ形成のエ
ッチングを時間制御により行うと、エッチングによるリ
ッジ残し厚の制御が難しく特性の再現性が悪くなる。こ
のため、エッチングストップ面によりエッチングを停止
し、エッチングによるリッジ残し厚を精度良く制御する
方法が取られており、例えば特開昭６３−３８２７９に
開示されている。
外をエッチングして形成するため、このエッチングの深
さでリッジ残し厚が決まる。しかしこのリッジ形成のエ
ッチングを時間制御により行うと、エッチングによるリ
ッジ残し厚の制御が難しく特性の再現性が悪くなる。こ
のため、エッチングストップ面によりエッチングを停止
し、エッチングによるリッジ残し厚を精度良く制御する
方法が取られており、例えば特開昭６３−３８２７９に
開示されている。
【０００４】一方、分布帰還半導体レーザ（ＤＦＢ−Ｌ
Ｄ）は、単一軸モードで動作する波長可変、波長安定の
コヒーレント光源として利用され、光計測、光通信／伝
送、光記録、レーザビームプリンタなどに対する要求が
高まっている。ＤＦＢ−ＬＤでは、活性層またはガイド
層に回折格子が設けられており、この回折格子によって
光が分布帰還されることによりレーザ発振動作が行われ
る。このようなＤＦＢ−ＬＤに上述のリッジ導波路構造
を適用することにより、レーザ動作の横モードが精密に
制御でき、再現性の良いＤＦＢ−ＬＤを歩留まり良く作
製することは、産業上利用価値が高い。
Ｄ）は、単一軸モードで動作する波長可変、波長安定の
コヒーレント光源として利用され、光計測、光通信／伝
送、光記録、レーザビームプリンタなどに対する要求が
高まっている。ＤＦＢ−ＬＤでは、活性層またはガイド
層に回折格子が設けられており、この回折格子によって
光が分布帰還されることによりレーザ発振動作が行われ
る。このようなＤＦＢ−ＬＤに上述のリッジ導波路構造
を適用することにより、レーザ動作の横モードが精密に
制御でき、再現性の良いＤＦＢ−ＬＤを歩留まり良く作
製することは、産業上利用価値が高い。
【０００５】ＤＦＢ−ＬＤの回折格子としては、一般に
凹凸形状のグレーティングが用いられている。ＤＦＢ−
ＬＤにおいてリッジ導波路を形成する場合、まずグレー
ティングを形成し、グレーティング上に結晶成長を行
い、その後エッチングによりリッジ構造の形成を行う方
法が特開平５−２３５４６３に開示されている。このよ
うにして作製された分布帰還半導体レーザ装置の構造を
図５に示す。
凹凸形状のグレーティングが用いられている。ＤＦＢ−
ＬＤにおいてリッジ導波路を形成する場合、まずグレー
ティングを形成し、グレーティング上に結晶成長を行
い、その後エッチングによりリッジ構造の形成を行う方
法が特開平５−２３５４６３に開示されている。このよ
うにして作製された分布帰還半導体レーザ装置の構造を
図５に示す。
【０００６】図５では、まずｎ−ＧａＡｓ基板５０上に
ｎ−Ａｌ0.6Ｇａ0.4Ａｓクラッド層５１、Ａｌ0.15Ｇａ
0.85Ａｓ活性層５２、ｐ−Ａｌ0.5Ｇａ0.5Ａｓキャリア
バリア層５３、ｐ−Ａｌ0.25Ｇａ0.75Ａｓガイド層５
４、ｐ−ＧａＡｓ光吸収層５５を有機金属気相成長（Ｍ
ＯＣＶＤ）法により順次形成する。続いて、成長層の最
上層に通常の二光束干渉露光技術とウェットエッチング
技術を用いて１２０ｎｍピッチの回折格子を印刻する。
この回折格子の深さは３０ｎｍである。その後、ｐ−Ａ
ｌ0.75Ｇａ0.25Ａｓクラッド層５７、ｐ−ＧａＡｓコン
タクト層５８を基板温度７５０℃、気相中でのＶ／III
比＝１２０、成長速度＝２５ｎｍ／ｍｉｎ、成長圧力７
６Ｔｏｒｒの条件にてＭＯＣＶＤ法により再成長して形
成する。
ｎ−Ａｌ0.6Ｇａ0.4Ａｓクラッド層５１、Ａｌ0.15Ｇａ
0.85Ａｓ活性層５２、ｐ−Ａｌ0.5Ｇａ0.5Ａｓキャリア
バリア層５３、ｐ−Ａｌ0.25Ｇａ0.75Ａｓガイド層５
４、ｐ−ＧａＡｓ光吸収層５５を有機金属気相成長（Ｍ
ＯＣＶＤ）法により順次形成する。続いて、成長層の最
上層に通常の二光束干渉露光技術とウェットエッチング
技術を用いて１２０ｎｍピッチの回折格子を印刻する。
この回折格子の深さは３０ｎｍである。その後、ｐ−Ａ
ｌ0.75Ｇａ0.25Ａｓクラッド層５７、ｐ−ＧａＡｓコン
タクト層５８を基板温度７５０℃、気相中でのＶ／III
比＝１２０、成長速度＝２５ｎｍ／ｍｉｎ、成長圧力７
６Ｔｏｒｒの条件にてＭＯＣＶＤ法により再成長して形
成する。
【０００７】続いて光導波路ストライプ外のＧａＡｓコ
ンタクト層５８を除去し、Ａｌの高混晶層を選択的にエ
ッチングするＨＦ系エッチャントを用いてクラッド層５
７を除去し、３μｍ幅のストライプ状リッジ構造を形成
する。その後、リッジ上部及び基板裏面に電極を蒸着
し、最後にへき開してこの半導体レーザ素子を完成させ
る。リッジを形成する際エッチングは、ＨＦ系エッチャ
ントではエッチングが進まないＡｌ低混晶であり、グレ
ーティングが形成されているｐ−Ａｌ0.25Ｇａ0.75Ａｓ
ガイド層５４／ｐ−ＧａＡｓ光吸収層５５で停止してい
る。
ンタクト層５８を除去し、Ａｌの高混晶層を選択的にエ
ッチングするＨＦ系エッチャントを用いてクラッド層５
７を除去し、３μｍ幅のストライプ状リッジ構造を形成
する。その後、リッジ上部及び基板裏面に電極を蒸着
し、最後にへき開してこの半導体レーザ素子を完成させ
る。リッジを形成する際エッチングは、ＨＦ系エッチャ
ントではエッチングが進まないＡｌ低混晶であり、グレ
ーティングが形成されているｐ−Ａｌ0.25Ｇａ0.75Ａｓ
ガイド層５４／ｐ−ＧａＡｓ光吸収層５５で停止してい
る。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】ＤＦＢ−ＬＤのリッジ
形状を形成する場合、上記のごとくグレーティングを形
成し、グレーティング上に結晶成長を行い、その後リッ
ジの形成を行うが、前記従来例ではリッジ形成のエッチ
ングの停止は、グレーティング形状を有する面をエッチ
ングストップ面とし、ｐ−Ａｌ0.75Ｇａ0.25Ａｓクラッ
ド層５７を選択的にエッチングすることにより行ってい
る。しかしながら、グレーティングなど凹凸形状上に結
晶成長を行うと、凹凸形状の各々の面から成長が進行
し、面と面がつながる部分、すなわちグレーティングの
谷部、山部では、各々の面からの成長層が重なり合い、
この重なりあった部分から歪が生じる。成長層に歪がか
かると結晶性が低下し、結晶性が低下した層では同じ組
成の無歪の連続成長層に比べてエッチングレートが増大
する。前記従来例では、エッチングストップを行った面
はグレーティング形状を有するため、ｐ−Ａｌ0.75Ｇａ
0.25Ａｓクラッド層５７のエッチングストップ面近傍は
エッチングレートが連続成長層に比べて極端に速くなっ
ており、エッチングストップ面近傍のみ過剰にエッチン
グされ、エッチングストップ面でサイドエッチが入り、
所望のストライプリッジ形状が得られなくなっている。
その結果、素子の再現性が低下し、作製歩留まりが低下
するという問題点がある。
形状を形成する場合、上記のごとくグレーティングを形
成し、グレーティング上に結晶成長を行い、その後リッ
ジの形成を行うが、前記従来例ではリッジ形成のエッチ
ングの停止は、グレーティング形状を有する面をエッチ
ングストップ面とし、ｐ−Ａｌ0.75Ｇａ0.25Ａｓクラッ
ド層５７を選択的にエッチングすることにより行ってい
る。しかしながら、グレーティングなど凹凸形状上に結
晶成長を行うと、凹凸形状の各々の面から成長が進行
し、面と面がつながる部分、すなわちグレーティングの
谷部、山部では、各々の面からの成長層が重なり合い、
この重なりあった部分から歪が生じる。成長層に歪がか
かると結晶性が低下し、結晶性が低下した層では同じ組
成の無歪の連続成長層に比べてエッチングレートが増大
する。前記従来例では、エッチングストップを行った面
はグレーティング形状を有するため、ｐ−Ａｌ0.75Ｇａ
0.25Ａｓクラッド層５７のエッチングストップ面近傍は
エッチングレートが連続成長層に比べて極端に速くなっ
ており、エッチングストップ面近傍のみ過剰にエッチン
グされ、エッチングストップ面でサイドエッチが入り、
所望のストライプリッジ形状が得られなくなっている。
その結果、素子の再現性が低下し、作製歩留まりが低下
するという問題点がある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明のリッジ導波路型
分布帰還半導体レーザ装置は、回折格子と、該回折格子
上に形成され、回折格子の凹凸形状を徐々に軽減し表面
で凹凸が緩和されている半導体層と、該半導体層上にス
トライプ状リッジ構造と、を有することを特徴とする。
また、前記回折格子上に形成した半導体層は、回折格子
の形状を反映した上面の凹凸の深さが１５ｎｍ以下であ
ることを特徴とする。
分布帰還半導体レーザ装置は、回折格子と、該回折格子
上に形成され、回折格子の凹凸形状を徐々に軽減し表面
で凹凸が緩和されている半導体層と、該半導体層上にス
トライプ状リッジ構造と、を有することを特徴とする。
また、前記回折格子上に形成した半導体層は、回折格子
の形状を反映した上面の凹凸の深さが１５ｎｍ以下であ
ることを特徴とする。
【００１０】また、本発明のリッジ導波路型分布帰還半
導体レーザ装置の製造方法では、半導体ウェハ表面に回
折格子を形成する工程と、該回折格子上に回折格子の凹
凸形状を軽減し、表面で凹凸が緩和されている少なくと
も１層の半導体層を形成する工程と、該半導体層上にス
トライプ状リッジ構造を形成するためのクラッド層及び
コンタクト層を形成し、前記半導体層をエッチングスト
ップ面として、前記クラッド層及びコンタクト層を選択
エッチングすることによりストライプ状リッジ構造を形
成する工程と、を含むことを特徴とする。
導体レーザ装置の製造方法では、半導体ウェハ表面に回
折格子を形成する工程と、該回折格子上に回折格子の凹
凸形状を軽減し、表面で凹凸が緩和されている少なくと
も１層の半導体層を形成する工程と、該半導体層上にス
トライプ状リッジ構造を形成するためのクラッド層及び
コンタクト層を形成し、前記半導体層をエッチングスト
ップ面として、前記クラッド層及びコンタクト層を選択
エッチングすることによりストライプ状リッジ構造を形
成する工程と、を含むことを特徴とする。
【００１１】本発明のリッジ導波路型分布帰還半導体レ
ーザ装置によれば、グレーティングの凹凸形状上に結晶
成長を行う際、成長表面での原料のマイグレーションを
大きくすることにより、原料は凹凸形状の凹部に集中し
易い傾向があり、凹部の成長速度が増加するため、凹凸
形状を反映しつつ凹部が徐々に埋め込まれていき、成長
層は平坦化されていく。成長層が平坦化されていくに伴
い、成長表面での原料のマイグレーションのしかたは均
一になり成長速度が均一になることから、成長層に生じ
る歪が軽減され、成長層の結晶性が向上する。そして、
ストライプ状リッジ構造を形成するための選択エッチン
グを行うエッチングストップ面としてこの平坦化された
面を用いることにより、被エッチング層のエッチングス
トップ面との界面近傍においてもエッチングレートが同
組成の無歪の連続成長層のエッチングレートの値に近づ
くことから、リッジ底部でのサイドエッチが抑制でき、
リッジ形状の制御性を向上させることができる。
ーザ装置によれば、グレーティングの凹凸形状上に結晶
成長を行う際、成長表面での原料のマイグレーションを
大きくすることにより、原料は凹凸形状の凹部に集中し
易い傾向があり、凹部の成長速度が増加するため、凹凸
形状を反映しつつ凹部が徐々に埋め込まれていき、成長
層は平坦化されていく。成長層が平坦化されていくに伴
い、成長表面での原料のマイグレーションのしかたは均
一になり成長速度が均一になることから、成長層に生じ
る歪が軽減され、成長層の結晶性が向上する。そして、
ストライプ状リッジ構造を形成するための選択エッチン
グを行うエッチングストップ面としてこの平坦化された
面を用いることにより、被エッチング層のエッチングス
トップ面との界面近傍においてもエッチングレートが同
組成の無歪の連続成長層のエッチングレートの値に近づ
くことから、リッジ底部でのサイドエッチが抑制でき、
リッジ形状の制御性を向上させることができる。
【００１２】
【発明の実施の形態】図１は、本発明のリッジ導波路型
分布帰還半導体レーザ装置の第１の実施例を示す図であ
り、図２はその製造過程を示した図である。
分布帰還半導体レーザ装置の第１の実施例を示す図であ
り、図２はその製造過程を示した図である。
【００１３】第１の実施例では、まず図２（ａ）のごと
く、ｎ−ＧａＡｓ基板１０上にｎ−Ａｌ0.6Ｇａ0.4Ａｓ
クラッド層１１、Ａｌ0.15Ｇａ0.85Ａｓ活性層１２、ｐ
−Ａｌ0.5Ｇａ0.5Ａｓキャリアバリア層１３、ｐ−Ａｌ
0.25Ｇａ0.75Ａｓガイド層１４、ｐ−ＧａＡｓ光吸層１
５をＭＯＣＶＤ法により順次形成する。続いて、図２
（ｂ）のごとく、成長層の最上層に二光束干渉露光法を
用いて１２０ｎｍピッチの回折格子を印刻する。この回
折格子は、深さ３０ｎｍのグレーティング形状よりな
る。その後図２（ｃ）のごとく、グレーティング山（凸
部）からの厚さが２０ｎｍのｐ−Ａｌ0.25Ｇａ0.75Ａｓ
ガイド埋め込み層１６、ｐ−Ａｌ0.75Ｇａ0.25Ａｓクラ
ッド層１７、ｐ−ＧａＡｓコンタクト層１８をＭＯＣＶ
Ｄ法により再度結晶成長して形成する。このとき、ｐ−
Ａｌ0.25Ｇａ0.75Ａｓガイド埋め込み層１６はグレーテ
ィング形状の凹凸を軽減してほぼ平坦に埋め込まれるた
め、それ以降の成長層も平坦な成長層となる。
く、ｎ−ＧａＡｓ基板１０上にｎ−Ａｌ0.6Ｇａ0.4Ａｓ
クラッド層１１、Ａｌ0.15Ｇａ0.85Ａｓ活性層１２、ｐ
−Ａｌ0.5Ｇａ0.5Ａｓキャリアバリア層１３、ｐ−Ａｌ
0.25Ｇａ0.75Ａｓガイド層１４、ｐ−ＧａＡｓ光吸層１
５をＭＯＣＶＤ法により順次形成する。続いて、図２
（ｂ）のごとく、成長層の最上層に二光束干渉露光法を
用いて１２０ｎｍピッチの回折格子を印刻する。この回
折格子は、深さ３０ｎｍのグレーティング形状よりな
る。その後図２（ｃ）のごとく、グレーティング山（凸
部）からの厚さが２０ｎｍのｐ−Ａｌ0.25Ｇａ0.75Ａｓ
ガイド埋め込み層１６、ｐ−Ａｌ0.75Ｇａ0.25Ａｓクラ
ッド層１７、ｐ−ＧａＡｓコンタクト層１８をＭＯＣＶ
Ｄ法により再度結晶成長して形成する。このとき、ｐ−
Ａｌ0.25Ｇａ0.75Ａｓガイド埋め込み層１６はグレーテ
ィング形状の凹凸を軽減してほぼ平坦に埋め込まれるた
め、それ以降の成長層も平坦な成長層となる。
【００１４】その後図２（ｄ）のごとく、光導波路スト
ライプ外のＧａＡｓコンタクト層を除去した後、Ａｌの
高混晶層を選択的にエッチングするＨＦ系エッチャント
を用いてクラッド層を除去し、３μｍ幅のストライプ状
リッジ構造を形成する。この際エッチングは、第２回目
の結晶成長でグレーティングの凹凸形状を埋め込んだｐ
−Ａｌ0.25Ｇａ0.75Ａｓガイド層１６で停止している。
その後、リッジ上部及び基板裏面に電極を蒸着し、最後
にへき開してこの半導体レーザ素子を完成させる。
ライプ外のＧａＡｓコンタクト層を除去した後、Ａｌの
高混晶層を選択的にエッチングするＨＦ系エッチャント
を用いてクラッド層を除去し、３μｍ幅のストライプ状
リッジ構造を形成する。この際エッチングは、第２回目
の結晶成長でグレーティングの凹凸形状を埋め込んだｐ
−Ａｌ0.25Ｇａ0.75Ａｓガイド層１６で停止している。
その後、リッジ上部及び基板裏面に電極を蒸着し、最後
にへき開してこの半導体レーザ素子を完成させる。
【００１５】本実施例の結晶成長条件（成長温度７５０
℃、Ｖ／III＝１２０、ＧＲ＝２５ｎｍ／ｍｉｎ、成長
圧力７６Ｔｏｒｒ）では、ＡｌＧａＡｓのＡｌ高混晶層
の成長は成長表面での原料のマイグレーションが小さ
く、成長表面の形状に関係なく均一に成長するため、成
長表面の形状をそのまま引き継いで成長が進んでいく
が、Ａｌ低混晶層の成長では原料のマイグレーションが
大きく、成長表面に凹凸形状を有している場合、成長表
面上で原料は凹凸形状の凹部（谷部）に集中し、凹部で
の成長速度が増加し、凹凸形状を反映しつつ徐々に凹部
が埋め込まれていくため、成長面は平坦化されていく。
具体的には、約３０ｎｍの深さのグレーティング形状の
上に、グレーティング山（凸部）からの厚さ２０ｎｍの
ｐ−Ａｌ0.25Ｇａ0.75Ａｓガイド埋め込み層１６を採用
することにより、この層は凹凸グレーティング形状の凹
部（谷部）から埋め込まれていき、グレーティング形状
の凹凸の深さは徐々に軽減され、ｐ−Ａｌ0.25Ｇａ0.75
Ａｓガイド埋め込み層１６上面ではほぼ平坦な形状とな
った。これにより、ｐ−Ａｌ0.25Ｇａ0.75Ａｓガイド埋
め込み層１６上の成長層では成長表面での原料のマイグ
レーションのしかたが均一になり、成長速度が均一にな
ることから、元のグレーティングの凹凸形状を反映した
各々の面からの成長層が重なり合うことが無く、成長層
に生じる歪は軽減され、良好な結晶性が得られた。そし
て、ｐ−Ａｌ0.75Ｇａ0.25Ａｓクラッド層１７のｐ−Ａ
ｌ0.25Ｇａ0.75Ａｓガイド埋め込み層１６との界面付近
でのフッ酸系エッチャントに対するエッチングレート
は、連続成長のＡｌ0.75Ｇａ0.25Ａｓ層のエッチングレ
ートと同程度となり、ストライプ状リッジ構造形成時に
ｐ−Ａｌ0.75Ｇａ0.25Ａｓクラッド層１７を選択的にエ
ッチングし、ｐ−Ａｌ0.25Ｇａ0.75Ａｓガイド埋め込み
層１６上でエッチングを停止したとき、リッジ底部にサ
イドエッチが入ることのない所望のリッジ形状が得られ
た。
℃、Ｖ／III＝１２０、ＧＲ＝２５ｎｍ／ｍｉｎ、成長
圧力７６Ｔｏｒｒ）では、ＡｌＧａＡｓのＡｌ高混晶層
の成長は成長表面での原料のマイグレーションが小さ
く、成長表面の形状に関係なく均一に成長するため、成
長表面の形状をそのまま引き継いで成長が進んでいく
が、Ａｌ低混晶層の成長では原料のマイグレーションが
大きく、成長表面に凹凸形状を有している場合、成長表
面上で原料は凹凸形状の凹部（谷部）に集中し、凹部で
の成長速度が増加し、凹凸形状を反映しつつ徐々に凹部
が埋め込まれていくため、成長面は平坦化されていく。
具体的には、約３０ｎｍの深さのグレーティング形状の
上に、グレーティング山（凸部）からの厚さ２０ｎｍの
ｐ−Ａｌ0.25Ｇａ0.75Ａｓガイド埋め込み層１６を採用
することにより、この層は凹凸グレーティング形状の凹
部（谷部）から埋め込まれていき、グレーティング形状
の凹凸の深さは徐々に軽減され、ｐ−Ａｌ0.25Ｇａ0.75
Ａｓガイド埋め込み層１６上面ではほぼ平坦な形状とな
った。これにより、ｐ−Ａｌ0.25Ｇａ0.75Ａｓガイド埋
め込み層１６上の成長層では成長表面での原料のマイグ
レーションのしかたが均一になり、成長速度が均一にな
ることから、元のグレーティングの凹凸形状を反映した
各々の面からの成長層が重なり合うことが無く、成長層
に生じる歪は軽減され、良好な結晶性が得られた。そし
て、ｐ−Ａｌ0.75Ｇａ0.25Ａｓクラッド層１７のｐ−Ａ
ｌ0.25Ｇａ0.75Ａｓガイド埋め込み層１６との界面付近
でのフッ酸系エッチャントに対するエッチングレート
は、連続成長のＡｌ0.75Ｇａ0.25Ａｓ層のエッチングレ
ートと同程度となり、ストライプ状リッジ構造形成時に
ｐ−Ａｌ0.75Ｇａ0.25Ａｓクラッド層１７を選択的にエ
ッチングし、ｐ−Ａｌ0.25Ｇａ0.75Ａｓガイド埋め込み
層１６上でエッチングを停止したとき、リッジ底部にサ
イドエッチが入ることのない所望のリッジ形状が得られ
た。
【００１６】このように、ストライプ状リッジ構造の制
御性が向上したことにより光及び電流の閉じこめが各素
子ごとに同様に設計通りに行われるため、素子の再現性
が向上し、作製歩留まりが向上した。
御性が向上したことにより光及び電流の閉じこめが各素
子ごとに同様に設計通りに行われるため、素子の再現性
が向上し、作製歩留まりが向上した。
【００１７】ここで、グレーティングの凹凸の深さを軽
減するために、埋め込むｐ−Ａｌ0.25Ｇａ0.75Ａｓガイ
ド埋め込み層１６の層厚を変えてこの層の上面での元の
グレーティングの凹凸形状を反映した凹凸の深さを測定
し、リッジ形成時のエッチングストップ面の凹凸の深さ
（図３（ｃ））と選択エッチング時のリッジ底部のサイ
ドエッチ量（図３（ｂ））との関係を調べた。その結
果、図３（ａ）に示すように、凹凸の深さが１５ｎｍ以
下になるとサイドエッチ量は０.１μｍ以下となり、前
述のようにリッジ幅を±０.１μｍの精度で制御するこ
とが可能となることがわかった。このため、エッチング
ストップ層表面の凹凸の深さを１５ｎｍ以下にすること
により、素子特性の再現性が向上し、作製歩留まりが向
上した。
減するために、埋め込むｐ−Ａｌ0.25Ｇａ0.75Ａｓガイ
ド埋め込み層１６の層厚を変えてこの層の上面での元の
グレーティングの凹凸形状を反映した凹凸の深さを測定
し、リッジ形成時のエッチングストップ面の凹凸の深さ
（図３（ｃ））と選択エッチング時のリッジ底部のサイ
ドエッチ量（図３（ｂ））との関係を調べた。その結
果、図３（ａ）に示すように、凹凸の深さが１５ｎｍ以
下になるとサイドエッチ量は０.１μｍ以下となり、前
述のようにリッジ幅を±０.１μｍの精度で制御するこ
とが可能となることがわかった。このため、エッチング
ストップ層表面の凹凸の深さを１５ｎｍ以下にすること
により、素子特性の再現性が向上し、作製歩留まりが向
上した。
【００１８】図４は、本発明のリッジ導波路型分布帰還
半導体レーザ装置の第２の実施例を示す図である。本実
施例では、まずｐ−ＧａＡｓ基板４０上にｐ−Ａｌ0.5
Ｇａ0.5Ａｓクラッド層４１、Ａｌ0.15Ｇａ0.85Ａｓ活
性層４２、ｎ−Ａｌ0.5Ｇａ0.5Ａｓキャリアバリア層４
３、ｎ−Ａｌ0.25Ｇａ0.75Ａｓガイド層４４をＭＯＣＶ
Ｄ法により順次形成する。次に、成長層の最上層に二光
束干渉露光法を用いて３６０ｎｍピッチの回折格子を印
刻する。この回折格子は深さ１００ｎｍのグレーティン
グよりなる。
半導体レーザ装置の第２の実施例を示す図である。本実
施例では、まずｐ−ＧａＡｓ基板４０上にｐ−Ａｌ0.5
Ｇａ0.5Ａｓクラッド層４１、Ａｌ0.15Ｇａ0.85Ａｓ活
性層４２、ｎ−Ａｌ0.5Ｇａ0.5Ａｓキャリアバリア層４
３、ｎ−Ａｌ0.25Ｇａ0.75Ａｓガイド層４４をＭＯＣＶ
Ｄ法により順次形成する。次に、成長層の最上層に二光
束干渉露光法を用いて３６０ｎｍピッチの回折格子を印
刻する。この回折格子は深さ１００ｎｍのグレーティン
グよりなる。
【００１９】続いて、グレーティング山（凸部）からの
厚さ１００ｎｍのｎ−Ａｌ0.5Ｇａ0.5Ａｓ埋め込み層４
６、ｎ−Ａｌ0.7Ｇａ0.3Ａｓエッチングストップ層４
７、ｎ−Ａｌ0.25Ｇａ0.75Ａｓ層４８、ｎ−ＧａＡｓコ
ンタクト層４９をＭＯＣＶＤ法により再度結晶成長して
順次形成する。このとき、ｎ−Ａｌ0.5Ｇａ0.5Ａｓ埋め
込み層４６はグレーティング形状の凹凸を軽減してほぼ
平坦に埋め込まれ、それ以降の成長層も平坦な成長層と
なる。
厚さ１００ｎｍのｎ−Ａｌ0.5Ｇａ0.5Ａｓ埋め込み層４
６、ｎ−Ａｌ0.7Ｇａ0.3Ａｓエッチングストップ層４
７、ｎ−Ａｌ0.25Ｇａ0.75Ａｓ層４８、ｎ−ＧａＡｓコ
ンタクト層４９をＭＯＣＶＤ法により再度結晶成長して
順次形成する。このとき、ｎ−Ａｌ0.5Ｇａ0.5Ａｓ埋め
込み層４６はグレーティング形状の凹凸を軽減してほぼ
平坦に埋め込まれ、それ以降の成長層も平坦な成長層と
なる。
【００２０】その後、ｎ−Ａｌ0.25Ｇａ0.75Ａｓ層４８
の光導波路ストライプ外を、Ａｌの低混晶層を選択的に
エッチングするアンモニア系エッチャントを用いて除去
し、３μｍ幅のストライプ状リッジ構造を形成する。こ
の際エッチングは、第２回目の結晶成長でグレーティン
グ形状をほぼ平坦に埋め込んだｎ−Ａｌ0.7Ｇａ0.3Ａｓ
エッチングストップ層４７で停止した。その後、リッジ
上部及び基板裏面に電極を蒸着し、最後にへき開してこ
の半導体レーザ素子を完成させる。
の光導波路ストライプ外を、Ａｌの低混晶層を選択的に
エッチングするアンモニア系エッチャントを用いて除去
し、３μｍ幅のストライプ状リッジ構造を形成する。こ
の際エッチングは、第２回目の結晶成長でグレーティン
グ形状をほぼ平坦に埋め込んだｎ−Ａｌ0.7Ｇａ0.3Ａｓ
エッチングストップ層４７で停止した。その後、リッジ
上部及び基板裏面に電極を蒸着し、最後にへき開してこ
の半導体レーザ素子を完成させる。
【００２１】本実施例においてｎ−Ａｌ0.5Ｇａ0.5Ａｓ
埋め込み層４６は、ＴＭＧａ, ＴＭＡｌ及びＡｓＨ3を
交互に供給するＡＬＥ法により成長を行っており、Ａｌ
ＧａＡｓのＡｌ高混晶層の成長に対しても成長表面での
原料のマイグレーションが大きくなり、凹凸形状を有し
ている成長表面上で原料は凹凸形状の凹部（谷部）に集
中し、凹部での成長速度が増加するため、ｎ−Ａｌ0.5
Ｇａ0.5Ａｓ埋め込み層４６は元の凹凸形状を反映しつ
つ徐々に平坦化し、上面で成長面はほぼ平坦な面となっ
た。
埋め込み層４６は、ＴＭＧａ, ＴＭＡｌ及びＡｓＨ3を
交互に供給するＡＬＥ法により成長を行っており、Ａｌ
ＧａＡｓのＡｌ高混晶層の成長に対しても成長表面での
原料のマイグレーションが大きくなり、凹凸形状を有し
ている成長表面上で原料は凹凸形状の凹部（谷部）に集
中し、凹部での成長速度が増加するため、ｎ−Ａｌ0.5
Ｇａ0.5Ａｓ埋め込み層４６は元の凹凸形状を反映しつ
つ徐々に平坦化し、上面で成長面はほぼ平坦な面となっ
た。
【００２２】ｎ−Ａｌ0.5Ｇａ0.5Ａｓ埋め込み層４６上
のｎ−Ａｌ0.7Ｇａ0.3Ａｓエッチングストップ層４７も
ほぼ平坦な形状が保たれており、この上の成長層では成
長表面での原料のマイグレーションのしかたが均一にな
り、成長速度が面内で均一になることから、グレーティ
ングの凹凸形状を反映したそれぞれの面からの成長層が
重なり合うことが無く、成長層に生じる歪は軽減され、
良好な結晶性が得られた。そのため、ｎ−Ａｌ0.25Ｇａ
0.75Ａｓ層４８の、ｎ−Ａｌ0.7Ｇａ0.3Ａｓエッチング
ストップ層４７との界面付近におけるアンモニア系エッ
チャントに対するエッチングレートは、連続成長のＡｌ
0.25Ｇａ0.75Ａｓ層のエッチングレートと同程度とな
る。ストライプ状リッジ構造形成時にはｎ−Ａｌ0.25Ｇ
ａ0.75Ａｓ層４８を選択的にエッチングし、ｎ−Ａｌ
0.7Ｇａ0.3Ａｓエッチングストップ層４７上でエッチン
グを停止しているため、リッジ底部にサイドエッチが入
っていない所望のリッジ形状が得られた。
のｎ−Ａｌ0.7Ｇａ0.3Ａｓエッチングストップ層４７も
ほぼ平坦な形状が保たれており、この上の成長層では成
長表面での原料のマイグレーションのしかたが均一にな
り、成長速度が面内で均一になることから、グレーティ
ングの凹凸形状を反映したそれぞれの面からの成長層が
重なり合うことが無く、成長層に生じる歪は軽減され、
良好な結晶性が得られた。そのため、ｎ−Ａｌ0.25Ｇａ
0.75Ａｓ層４８の、ｎ−Ａｌ0.7Ｇａ0.3Ａｓエッチング
ストップ層４７との界面付近におけるアンモニア系エッ
チャントに対するエッチングレートは、連続成長のＡｌ
0.25Ｇａ0.75Ａｓ層のエッチングレートと同程度とな
る。ストライプ状リッジ構造形成時にはｎ−Ａｌ0.25Ｇ
ａ0.75Ａｓ層４８を選択的にエッチングし、ｎ−Ａｌ
0.7Ｇａ0.3Ａｓエッチングストップ層４７上でエッチン
グを停止しているため、リッジ底部にサイドエッチが入
っていない所望のリッジ形状が得られた。
【００２３】このように、ストライプ状リッジ構造の制
御性が向上したことにより、光及び電流の閉じこめが各
素子ごとに同様に設計通り行われるため、素子の再現性
が向上し、作製歩留まりが向上した。
御性が向上したことにより、光及び電流の閉じこめが各
素子ごとに同様に設計通り行われるため、素子の再現性
が向上し、作製歩留まりが向上した。
【００２４】一方、同様の構造の素子を作製するに当た
り、ｎ−Ａｌ0.5Ｇａ0.5Ａｓ埋め込み層４６の結晶成長
条件として、成長基板温度を７８０℃〜８５０℃と高め
に、気相中でのＶ／III比＝７０〜２０と低めに、成長
速度を１５〜５ｎｍ／ｍｉｎと遅くすると共に、成長圧
力５０〜１０Ｔｏｒｒと低くするという結晶成長条件の
範囲で通常のＭＯＣＶＤ法により結晶成長を行っても、
ピッチ３６０ｎｍ、深さ１００ｎｍのグレーティング上
に成長したｎ−Ａｌ0.5Ｇａ0.5Ａｓ埋め込み層４６の成
長面はほぼ平坦に埋め込まれ、リッジ形状、素子特性と
も同様な良好な結果が得られた。
り、ｎ−Ａｌ0.5Ｇａ0.5Ａｓ埋め込み層４６の結晶成長
条件として、成長基板温度を７８０℃〜８５０℃と高め
に、気相中でのＶ／III比＝７０〜２０と低めに、成長
速度を１５〜５ｎｍ／ｍｉｎと遅くすると共に、成長圧
力５０〜１０Ｔｏｒｒと低くするという結晶成長条件の
範囲で通常のＭＯＣＶＤ法により結晶成長を行っても、
ピッチ３６０ｎｍ、深さ１００ｎｍのグレーティング上
に成長したｎ−Ａｌ0.5Ｇａ0.5Ａｓ埋め込み層４６の成
長面はほぼ平坦に埋め込まれ、リッジ形状、素子特性と
も同様な良好な結果が得られた。
【００２５】またここでは、ＭＯＣＶＤ成長のみ記述し
たが、液相成長（ＬＰＥ）、分子線エピタキシ成長（Ｍ
ＢＥ）など他の成長方法による結晶成長を行っても、マ
イグレーションを大きくする成長条件を選ぶことにより
凹凸形状は軽減され、ほぼ平坦に埋め込まれ、同様な効
果が得られた。
たが、液相成長（ＬＰＥ）、分子線エピタキシ成長（Ｍ
ＢＥ）など他の成長方法による結晶成長を行っても、マ
イグレーションを大きくする成長条件を選ぶことにより
凹凸形状は軽減され、ほぼ平坦に埋め込まれ、同様な効
果が得られた。
【００２６】また、リッジ形成時のエッチングストップ
面となるｎ−Ａｌ0.7Ｇａ0.3Ａｓエッチングストップ層
４７の上面でのグレーティングの凹凸形状を反映した凹
凸の深さと選択エッチング時のリッジ底部のサイドエッ
チ量との関係は、図３に示した第１の実施例の結果とほ
ぼ同じ関係が得られ、凹凸の深さが１５ｎｍ以下になる
とサイドエッチ量は０.１μｍ以下となり、前述のよう
にリッジ幅を±０.１μｍの精度で制御することが可能
となった。このため、エッチングストップ層表面の凹凸
の深さを１５ｎｍ以下にすることにより、素子特性の再
現性は向上し、作製歩留まりが向上した。
面となるｎ−Ａｌ0.7Ｇａ0.3Ａｓエッチングストップ層
４７の上面でのグレーティングの凹凸形状を反映した凹
凸の深さと選択エッチング時のリッジ底部のサイドエッ
チ量との関係は、図３に示した第１の実施例の結果とほ
ぼ同じ関係が得られ、凹凸の深さが１５ｎｍ以下になる
とサイドエッチ量は０.１μｍ以下となり、前述のよう
にリッジ幅を±０.１μｍの精度で制御することが可能
となった。このため、エッチングストップ層表面の凹凸
の深さを１５ｎｍ以下にすることにより、素子特性の再
現性は向上し、作製歩留まりが向上した。
【００２７】
【発明の効果】リッジ導波路型分布帰還半導体レーザに
おいて、グレーティングの凹凸形状を埋め込み、ほぼ平
坦な結晶成長面とすることによって成長層の歪が軽減さ
れ、成長層の結晶性が向上する。従って、ストライプ状
リッジ構造を形成するための選択エッチングを行うエッ
チングストップ面としてこのほぼ平坦化された面を用い
ることにより、このほぼ平坦面上の被エッチング層のエ
ッチングレートは、エッチングストップ面との界面近傍
においても同組成の無歪の連続成長層のエッチングレー
トの値に近づくことから、リッジ底部でのサイドエッチ
が抑制され、リッジ形状の制御性が向上する。
おいて、グレーティングの凹凸形状を埋め込み、ほぼ平
坦な結晶成長面とすることによって成長層の歪が軽減さ
れ、成長層の結晶性が向上する。従って、ストライプ状
リッジ構造を形成するための選択エッチングを行うエッ
チングストップ面としてこのほぼ平坦化された面を用い
ることにより、このほぼ平坦面上の被エッチング層のエ
ッチングレートは、エッチングストップ面との界面近傍
においても同組成の無歪の連続成長層のエッチングレー
トの値に近づくことから、リッジ底部でのサイドエッチ
が抑制され、リッジ形状の制御性が向上する。
【００２８】このように、グレーティングを有するＤＦ
Ｂ−ＬＤにおいてもほぼ平坦となったエッチングストッ
プ面とストライプ状リッジ構造の底面とが一致した構造
であれば、リッジ底部でサイドエッチの無いリッジ形状
となり、リッジ幅及びリッジの残し厚を精度よく再現よ
く制御できるため、光及び電流の閉じ込めが各素子ごと
に同様に設計通り行われるため、素子の再現性が向上
し、作製歩留まりが向上する。
Ｂ−ＬＤにおいてもほぼ平坦となったエッチングストッ
プ面とストライプ状リッジ構造の底面とが一致した構造
であれば、リッジ底部でサイドエッチの無いリッジ形状
となり、リッジ幅及びリッジの残し厚を精度よく再現よ
く制御できるため、光及び電流の閉じ込めが各素子ごと
に同様に設計通り行われるため、素子の再現性が向上
し、作製歩留まりが向上する。
【００２９】また、ストライプ状リッジ構造を形成する
際、エッチングストップ面のグレーティングの凹凸形状
を反映した凹凸の深さを１５ｎｍ以下とすることによ
り、リッジ底部でのサイドエッチ量はリッジ幅変動によ
る素子の特性の変動に影響を与えない程度に減少し、素
子の再現性が向上し、作製歩留まりが向上する。
際、エッチングストップ面のグレーティングの凹凸形状
を反映した凹凸の深さを１５ｎｍ以下とすることによ
り、リッジ底部でのサイドエッチ量はリッジ幅変動によ
る素子の特性の変動に影響を与えない程度に減少し、素
子の再現性が向上し、作製歩留まりが向上する。
【図１】本発明のリッジ導波路型分布帰還半導体レーザ
装置の第１の実施例を表す図である。
装置の第１の実施例を表す図である。
【図２】本発明の第１の実施例の製造過程を表す図であ
る。
る。
【図３】エッチングストップ面の凹凸の深さとストライ
プ状リッジ構造底部のサイドエッチ量との関係を示す図
である。
プ状リッジ構造底部のサイドエッチ量との関係を示す図
である。
【図４】本発明のリッジ導波路型分布帰還半導体レーザ
装置の第２の実施例を表す図である。
装置の第２の実施例を表す図である。
【図５】従来のリッジ導波路型分布帰還半導体レーザ装
置を表す図である。
置を表す図である。
１０，５０ ｎ−ＧａＡｓ基板 １１，５１ ｎ−Ａｌ0.6Ｇａ0.4Ａｓクラッド層 １２，５２ Ａｌ0.15Ｇａ0.85Ａｓ活性層 １３，５３ ｐ−Ａｌ0.5Ｇａ0.5Ａｓキャリアバリア層 １４，５４ ｐ−Ａｌ0.25Ｇａ0.75Ａｓガイド層 １５，５５ ｐ−ＧａＡｓ光吸収層 １６， ｐ−Ａｌ0.25Ｇａ0.75Ａｓガイド埋め込み
層 １７，５７ ｐ−Ａｌ0.75Ｇａ0.25Ａｓクラッド層 １８，５８ ｐ−ＧａＡｓコンタクト層 ４０ ｐ−ＧａＡｓ基板 ４１ ｐ−Ａｌ0.5Ｇａ0.5Ａｓクラッド層 ４２ Ａｌ0.15Ｇａ0.85Ａｓ活性層 ４３ ｎ−Ａｌ0.5Ｇａ0.5Ａｓキャリアバリア層 ４４ ｎ−Ａｌ0.25Ｇａ0.75Ａｓガイド層 ４６ ｎ−Ａｌ0.5Ｇａ0.5Ａｓ埋め込み層 ４７ ｎ−Ａｌ0.7Ｇａ0.3Ａｓエッチングストップ層 ４８ ｎ−Ａｌ0.25Ｇａ0.75Ａｓ層 ４９ ｎ−ＧａＡｓコンタクト層
層 １７，５７ ｐ−Ａｌ0.75Ｇａ0.25Ａｓクラッド層 １８，５８ ｐ−ＧａＡｓコンタクト層 ４０ ｐ−ＧａＡｓ基板 ４１ ｐ−Ａｌ0.5Ｇａ0.5Ａｓクラッド層 ４２ Ａｌ0.15Ｇａ0.85Ａｓ活性層 ４３ ｎ−Ａｌ0.5Ｇａ0.5Ａｓキャリアバリア層 ４４ ｎ−Ａｌ0.25Ｇａ0.75Ａｓガイド層 ４６ ｎ−Ａｌ0.5Ｇａ0.5Ａｓ埋め込み層 ４７ ｎ−Ａｌ0.7Ｇａ0.3Ａｓエッチングストップ層 ４８ ｎ−Ａｌ0.25Ｇａ0.75Ａｓ層 ４９ ｎ−ＧａＡｓコンタクト層
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 種谷 元隆 大阪府大阪市阿倍野区長池町22番22号 シ ャープ株式会社内
Claims (3)
- 【請求項１】 回折格子と、該回折格子上に形成され、
回折格子の凹凸形状を徐々に軽減し表面で凹凸が緩和さ
れている半導体層と、該半導体層上にストライプ状リッ
ジ構造と、を有することを特徴とするリッジ導波路型分
布帰還半導体レーザ装置。 - 【請求項２】 前記回折格子上に形成した半導体層は、
回折格子の凹凸形状を反映した上面の凹凸の深さが１５
ｎｍ以下であることを特徴とする請求項１記載のリッジ
導波路型分布帰還半導体レーザ装置。 - 【請求項３】 半導体ウェハ表面に回折格子を形成する
工程と、該回折格子上に回折格子の凹凸形状を軽減し、
表面で凹凸が緩和されている少なくとも１層の半導体層
を形成する工程と、該半導体層上にストライプ状リッジ
構造を形成するためのクラッド層及びコンタクト層を形
成し、前記半導体層をエッチングストップ面として、前
記クラッド層及びコンタクト層を選択エッチングするこ
とによりストライプ状リッジ構造を形成する工程と、を
含むことを特徴とするリッジ導波路型分布帰還半導体レ
ーザ装置の製造方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22336395A JP3710524B2 (ja) | 1995-08-31 | 1995-08-31 | リッジ導波路型分布帰還半導体レーザ装置及びその製造方法 |
| US08/700,555 US5880028A (en) | 1995-08-31 | 1996-08-07 | Ridge waveguide type distributed feedback semiconductor laser device and method for manufacturing the same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22336395A JP3710524B2 (ja) | 1995-08-31 | 1995-08-31 | リッジ導波路型分布帰還半導体レーザ装置及びその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0969664A true JPH0969664A (ja) | 1997-03-11 |
| JP3710524B2 JP3710524B2 (ja) | 2005-10-26 |
Family
ID=16796983
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22336395A Expired - Fee Related JP3710524B2 (ja) | 1995-08-31 | 1995-08-31 | リッジ導波路型分布帰還半導体レーザ装置及びその製造方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5880028A (ja) |
| JP (1) | JP3710524B2 (ja) |
Cited By (3)
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|---|---|---|---|---|
| JP2002057405A (ja) * | 2000-08-07 | 2002-02-22 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体レーザ装置及びその製造方法 |
| JP2011049535A (ja) * | 2009-07-30 | 2011-03-10 | Hamamatsu Photonics Kk | 分布帰還型半導体レーザ |
| JP2013077744A (ja) * | 2011-09-30 | 2013-04-25 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体レーザ及びその製造方法 |
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| US7167495B2 (en) * | 1998-12-21 | 2007-01-23 | Finisar Corporation | Use of GaAs extended barrier layers between active regions containing nitrogen and AlGaAs confining layers |
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| US7435660B2 (en) * | 1998-12-21 | 2008-10-14 | Finisar Corporation | Migration enhanced epitaxy fabrication of active regions having quantum wells |
| US7050472B2 (en) | 2000-03-01 | 2006-05-23 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Semiconductor laser device and method for manufacturing the same |
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| WO2005043701A1 (en) * | 2003-10-31 | 2005-05-12 | Bookham Technology Plc | Method for manufacturing gratings in semiconductor materials |
| WO2006039341A2 (en) * | 2004-10-01 | 2006-04-13 | Finisar Corporation | Vertical cavity surface emitting laser having multiple top-side contacts |
| US7860137B2 (en) * | 2004-10-01 | 2010-12-28 | Finisar Corporation | Vertical cavity surface emitting laser with undoped top mirror |
| DE102017118477A1 (de) * | 2017-08-14 | 2019-02-14 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Halbleiterlaserdiode |
Family Cites Families (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60145685A (ja) * | 1984-01-09 | 1985-08-01 | Nec Corp | 分布帰還型半導体レ−ザ |
| JPS60247985A (ja) * | 1984-05-23 | 1985-12-07 | Nec Corp | 分布帰還形半導体レ−ザ |
| JPS6395687A (ja) * | 1986-10-13 | 1988-04-26 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 光導波路付き分布帰還型レ−ザ |
| JPH073909B2 (ja) * | 1987-09-08 | 1995-01-18 | 三菱電機株式会社 | 半導体レーザの製造方法 |
| US5140149A (en) * | 1989-03-10 | 1992-08-18 | Canon Kabushiki Kaisha | Optical apparatus using wavelength selective photocoupler |
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