JPH097117A - Thin film magnetic head and manufacturing method thereof - Google Patents
Thin film magnetic head and manufacturing method thereofInfo
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 絶縁層となるレジストを十分に加熱して良好
なハードベーク膜を形成でき、しかも磁性層の軟磁気特
性の劣化が生じず、良好な記録再生特性が得られるよう
にする。
【構成】 セラミックス基板10上に設ける下部磁性層
14と上部磁性層24との間をギャップ膜16で分離す
ると共に、その間に導体コイル層18を設け、導体コイ
ル層の上下を絶縁層20,22で絶縁した構造である。
下部磁性層はセンダスト膜を蒸着法又はスパッタ法によ
り形成して450〜500℃でアニール処理したもので
あり、上部磁性層はパーマロイ膜をメッキ法により形成
して300〜320℃でアニール処理したものである。
導体コイル層の上下に位置する絶縁層はレジストのハー
ドベーク膜であり、その処理温度は340〜370℃で
且つパーマロイ膜のアニール処理温度より40〜70℃
高く設定する。
(57) [Abstract] [Purpose] A good hard bake film can be formed by sufficiently heating the resist to be an insulating layer, and good recording and reproducing characteristics can be obtained without deterioration of the soft magnetic characteristics of the magnetic layer. To do so. A gap film 16 separates a lower magnetic layer 14 and an upper magnetic layer 24 provided on a ceramic substrate 10 from each other, and a conductor coil layer 18 is provided between them to form insulating layers 20 and 22 above and below the conductor coil layer. It is an insulated structure.
The lower magnetic layer is a sendust film formed by a vapor deposition method or a sputtering method and annealed at 450 to 500 ° C., and the upper magnetic layer is a permalloy film formed by a plating method and annealed at 300 to 320 ° C. Is.
The insulating layers located above and below the conductor coil layer are resist hard bake films, the processing temperature of which is 340 to 370 ° C., and the annealing temperature of the permalloy film is 40 to 70 ° C.
Set higher.
Description
【0001】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、薄膜磁気ヘッド及びそ
の製造方法に関し、更に詳しく述べると、下部磁性層が
センダスト膜、上部磁性層がパーマロイ膜からなり、パ
ーマロイ膜のアニール工程時に絶縁層の熱収縮を抑えて
記録再生特性の安定化を図った薄膜磁気ヘッドに関する
ものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a thin film magnetic head and a method of manufacturing the same. More specifically, the lower magnetic layer comprises a sendust film and the upper magnetic layer comprises a permalloy film. The present invention relates to a thin film magnetic head that suppresses thermal contraction and stabilizes recording / reproducing characteristics.
【0002】[0002]
【従来の技術】ハードディスク用薄膜磁気ヘッドは、一
般にセラミックス基板上に設ける下部磁性層と上部磁性
層の間をギャップ膜で分離し、その間に磁界発生用及び
誘導電流ピックアップ用の導体コイル層を形成する構成
となってる。導体コイル層は上下を絶縁層で電気的に絶
縁された構造であり、そのような導体コイル層が1層乃
至複数層設けられる。従って、複数層にわたって配設す
る場合は、絶縁層と導体コイル層とを交互に積み重ねて
いくことになる。使用材料は、下部磁性層と上部磁性層
は電気メッキ法又はスパッタ法により形成したパーマロ
イ膜(NiFe膜)であり、絶縁膜は加熱処理により硬
化したレジストハードベーク膜である。2. Description of the Related Art Generally, in a thin film magnetic head for a hard disk, a lower magnetic layer and an upper magnetic layer provided on a ceramic substrate are separated by a gap film, and a conductor coil layer for magnetic field generation and induction current pickup is formed therebetween. It is configured to do. The conductor coil layer has a structure in which the upper and lower sides are electrically insulated by an insulating layer, and one or a plurality of such conductor coil layers are provided. Therefore, when arranging over a plurality of layers, the insulating layers and the conductor coil layers are alternately stacked. As the material used, the lower magnetic layer and the upper magnetic layer are permalloy films (NiFe films) formed by electroplating or sputtering, and the insulating film is a resist hard bake film cured by heat treatment.
【0003】下部磁性層と上部磁性層となるパーマロイ
膜は、成膜後に適切な温度でアニール処理(熱処理)を
施すことによって必要な軟磁気特性の改善がなされる。
この時のアニール処理温度は、図4に示すパーマロイ膜
についての保磁力Hch(Oe)とアニール処理温度(℃)
の関係から、300〜320℃に設定するのが最適であ
る。330℃を超えると、軟磁気特性は急激に劣化して
しまう。The permalloy film to be the lower magnetic layer and the upper magnetic layer is subjected to annealing treatment (heat treatment) at an appropriate temperature after the film formation to improve the required soft magnetic characteristics.
The annealing temperature at this time is the coercive force Hch (Oe) and the annealing temperature (° C.) for the permalloy film shown in FIG.
Therefore, it is optimal to set the temperature to 300 to 320 ° C. If it exceeds 330 ° C., the soft magnetic properties will be rapidly deteriorated.
【0004】他方、絶縁層を構成するレジストハードベ
ーク膜は、必要十分な加熱処理によって硬化させなけれ
ば、硬化による熱収縮が不十分となり、その後に受ける
加熱処理によって更に収縮する。ここでレジストを硬化
するのに必要十分な加熱温度はパーマロイの最適熱処理
温度300〜320℃より40〜70℃高い340〜3
70℃程度である。しかし、この加熱温度は既に形成さ
れている下部磁性層のパーマロイ膜の軟磁気特性を劣化
させる温度である(図4参照)。On the other hand, if the resist hard bake film constituting the insulating layer is not cured by a necessary and sufficient heat treatment, the heat shrinkage due to the curing will be insufficient, and the resist hard bake film will be further shrunk by the subsequent heat treatment. Here, the heating temperature necessary and sufficient to cure the resist is 340 to 3 which is 40 to 70 ° C. higher than the optimum heat treatment temperature of Permalloy of 300 to 320 ° C.
It is about 70 ° C. However, this heating temperature is a temperature that deteriorates the soft magnetic characteristics of the already formed permalloy film of the lower magnetic layer (see FIG. 4).
【0005】そこで従来技術では、下部磁性層(パーマ
ロイ膜)のアニール処理温度、絶縁層(レジスト)のハ
ードベーク処理温度、及び上部磁性層(パーマロイ膜)
のアニール処理温度を、全て、パーマロイ膜の軟磁気特
性の改善に適合するように300〜320℃に設定して
いた。Therefore, in the prior art, the annealing temperature of the lower magnetic layer (permalloy film), the hard baking temperature of the insulating layer (resist), and the upper magnetic layer (permalloy film).
The annealing temperature was set to 300 to 320 ° C. so as to suit the improvement of the soft magnetic properties of the permalloy film.
【0006】[0006]
【発明が解決しようとする課題】絶縁層を構成するレジ
ストハードベーク膜を十分に硬化させるためには、前記
のように340〜370℃で加熱処理することが必要で
ある。しかし下部磁性層を構成しているパーマロイ膜に
対する熱的悪影響を回避するために、やむをえず300
〜320℃に加熱してハードベーク処理していたのであ
る。この温度は、レジストをハードベークするにはやや
低く、熱収縮が不十分である。このため、上部磁性層を
構成するパーマロイ膜の軟磁気特性改善のためにアニー
ル処理した時、レジストが更に熱収縮する。これによっ
て磁性層を構成しているパーマロイ膜がストレスを受
け、パーマロイ膜が本来もっている軟磁気特性の改善効
果が不十分となり、良好な記録再生特性が得られない。In order to sufficiently cure the resist hard bake film forming the insulating layer, it is necessary to perform heat treatment at 340 to 370 ° C. as described above. However, in order to avoid a thermal adverse effect on the permalloy film forming the lower magnetic layer, it is unavoidable that 300
It was heated to ~ 320 ° C and hard-baked. This temperature is rather low for hard baking the resist and the heat shrinkage is insufficient. For this reason, when the permalloy film forming the upper magnetic layer is annealed to improve the soft magnetic characteristics, the resist further shrinks. As a result, the permalloy film forming the magnetic layer is stressed, and the effect of improving the soft magnetic characteristics originally possessed by the permalloy film becomes insufficient, so that good recording / reproducing characteristics cannot be obtained.
【0007】本発明の目的は、絶縁層となるレジストに
必要十分な熱処理を施して良好なハードベーク膜を形成
することができ、下部磁性層に熱的悪影響を及ぼさなく
できるために、絶縁層の熱収縮を抑え、磁性層の軟磁気
特性の劣化が生じず、良好な記録再生特性が得られるよ
うにした薄膜磁気ヘッド及びその製造方法を提供するこ
とである。An object of the present invention is to perform a necessary and sufficient heat treatment on a resist to be an insulating layer to form a good hard bake film and to prevent the lower magnetic layer from being thermally adversely affected. (EN) Provided is a thin film magnetic head capable of suppressing the heat shrinkage of the magnetic recording layer, preventing the soft magnetic characteristics of the magnetic layer from deteriorating, and obtaining good recording and reproducing characteristics, and a method for manufacturing the same.
【0008】[0008]
【課題を解決するための手段】本発明は、セラミックス
基板上に設ける下部磁性層と上部磁性層との間をギャッ
プ膜で分離すると共に、その間に導体コイル層を設け、
該導体コイル層の上下を絶縁層で絶縁した構造の誘導型
の薄膜磁気ヘッドである。本発明の特徴は、下部磁性層
はセンダスト膜、上部磁性層はパーマロイ膜からなり、
導体コイル層の上下に位置する絶縁層はレジストのハー
ドベーク膜とする点である。このレジストのハードベー
ク膜は、例えばノボラック系のレジスト硬化膜である。According to the present invention, a lower magnetic layer and an upper magnetic layer provided on a ceramic substrate are separated by a gap film, and a conductor coil layer is provided between them.
The induction type thin film magnetic head has a structure in which the upper and lower sides of the conductor coil layer are insulated by insulating layers. The feature of the present invention is that the lower magnetic layer is a sendust film and the upper magnetic layer is a permalloy film.
The insulating layers located above and below the conductor coil layer are to be hard-baked resist films. The hard bake film of this resist is, for example, a novolac-based resist cured film.
【0009】また本発明は、このような薄膜磁気ヘッド
を製造する方法である。下部磁性層としてセンダスト膜
を蒸着法又はスパッタ法により形成して450〜500
℃でアニール処理し、次にギャップ膜を形成し、絶縁層
で絶縁したコイル層を設け絶縁層となるレジストを加熱
してハードベーク処理し、更に上部磁性層としてパーマ
ロイ膜をメッキ法又はスパッタ法により形成して300
〜320℃でアニール処理する。前記レジストのハード
ベーク処理温度は340〜370℃で且つパーマロイ膜
のアニール処理温度より40〜70℃高く設定する。The present invention is also a method of manufacturing such a thin film magnetic head. A sendust film is formed as a lower magnetic layer by a vapor deposition method or a sputtering method to form a lower magnetic layer of 450 to 500.
Annealing at ℃, then forming a gap film, providing a coil layer insulated by an insulating layer, heating the resist to be an insulating layer and performing a hard bake process, and further plating or sputtering a permalloy film as an upper magnetic layer. Formed by 300
Anneal at ~ 320 ° C. The hard bake temperature of the resist is set to 340 to 370 ° C. and 40 to 70 ° C. higher than the annealing temperature of the permalloy film.
【0010】[0010]
【作用】センダスト膜は、磁気特性上ではパーマロイ膜
に非常に似ているが、熱的に安定であり、そのアニール
温度は450〜500℃とかなり高い。このセンダスト
膜を下部磁性層とすることで、その上の絶縁層となるレ
ジストのハードベーク膜の加熱処理温度を340〜37
0℃に設定しても、センダスト膜に熱的悪影響を及ぼす
ことはなく、しかも該レジストは十分に熱収縮する。そ
の上に設ける上部磁性層のパーマロイ膜を、300〜3
20℃でアニール処理すると、この温度は既に行ってい
る両方の加熱処理温度よりも低いから、センダスト膜及
びレジストのハードベーク膜に悪影響を及ぼすことはな
く、且つパーマロイ膜の本来の良好な磁気特性が得られ
る。本発明では、下層の膜ほど熱処理温度が高く、上層
になるに従って順に熱処理温度か低くなるので、既に設
けた下方の層への熱的悪影響は回避されて、全体として
各層に必要な熱処理を施すことができ、良好な記録再生
特性が得られる。The sendust film is very similar to the permalloy film in terms of magnetic properties, but it is thermally stable and its annealing temperature is considerably high at 450 to 500 ° C. By using this sendust film as the lower magnetic layer, the heat treatment temperature of the hard bake film of the resist, which becomes the insulating layer thereabove, can be increased from 340 to 37
Even if the temperature is set to 0 ° C., the sendust film is not thermally adversely affected, and the resist is sufficiently heat-shrunk. The permalloy film of the upper magnetic layer provided thereon is 300 to 3
When annealed at 20 ° C., this temperature is lower than both of the heat treatment temperatures that have already been performed, so there is no adverse effect on the sendust film and the hard bake film of the resist, and the original good magnetic properties of the permalloy film are obtained. Is obtained. In the present invention, the lower layer film has a higher heat treatment temperature and the upper layer has a lower heat treatment temperature in sequence, so that thermal adverse effects on the already provided lower layer are avoided, and the necessary heat treatment is performed on each layer as a whole. It is possible to obtain good recording and reproducing characteristics.
【0011】[0011]
【実施例】図1は本発明に係る薄膜磁気ヘッドの一実施
例を示す部分断面図である。スライダとなるセラミック
ス基板10は、表面にアルミナによる絶縁層12を形成
して素子との電気的絶縁を図ったものである。その上に
下部磁性層14となるセンダスト(FeAlSi)膜を
形成する。そして、薄膜磁気ヘッドのギャップを確保す
るギャップ膜16を設ける。ギャップ膜16はアルミナ
スパッタ膜である。更に導体コイル層18を設けるが、
該導体コイル層18を分離絶縁するために、上下に絶縁
層20,22を設ける。ここでは図面を簡略化するため
に導体コイル層を1層としており、そのため絶縁層22
−導体コイル層18−絶縁層20の構造となっている
が、導体コイル層を複数層形成する場合には、絶縁層と
導体コイル層を繰り返し積み重ねることになる。その上
に、上部磁極層24としてパーマロイ(NiFe)膜を
メッキにより形成する。最後に上部磁性層24の上に加
工保護層26となるアルミナ膜を形成する。1 is a partial sectional view showing an embodiment of a thin film magnetic head according to the present invention. The ceramic substrate 10 that serves as a slider has an insulating layer 12 made of alumina formed on the surface for electrical insulation from the element. A sendust (FeAlSi) film to be the lower magnetic layer 14 is formed thereon. Then, the gap film 16 for ensuring the gap of the thin film magnetic head is provided. The gap film 16 is an alumina sputter film. Further, a conductor coil layer 18 is provided,
Insulating layers 20 and 22 are provided on the upper and lower sides to separate and insulate the conductor coil layer 18. Here, in order to simplify the drawing, the conductor coil layer is one layer, and therefore the insulating layer 22
-The structure of the conductor coil layer 18-insulating layer 20 is used. However, when a plurality of conductor coil layers are formed, the insulating layer and the conductor coil layer are repeatedly stacked. A permalloy (NiFe) film is formed thereon as the upper magnetic pole layer 24 by plating. Finally, an alumina film to be the processing protection layer 26 is formed on the upper magnetic layer 24.
【0012】下部磁性層14となるセンダスト(FeA
lSi)膜は電気メッキでは形成できないので、蒸着法
又はスパッタ法により成膜する。このセンダスト膜は、
例えば85Fe:5.4Al:9.6Siという組成で
ある。成膜したセンダスト膜は、450〜500℃に加
熱してアニール処理し、必要な軟磁気特性が得られる。Sendust (FeA) which becomes the lower magnetic layer 14
Since the (1Si) film cannot be formed by electroplating, it is formed by a vapor deposition method or a sputtering method. This sendust film is
For example, the composition is 85Fe: 5.4Al: 9.6Si. The formed sendust film is heated to 450 to 500 ° C. and annealed to obtain the necessary soft magnetic characteristics.
【0013】導体コイル層18を分離絶縁するために設
けた上下の絶縁層20,22は、レジストのハードベー
ク膜(ノボラック系のレジスト硬化膜)であり、このレ
ジストに最適な340〜370℃で加熱処理して熱硬化
させたものである。ハードベーク処理温度とその時のレ
ジストの熱収縮率の関係を図2に示す。収縮率は、熱処
理前後のレジストの膜厚変化で表しており、次式で定義
している。 収縮率(%)=100×(熱処理後の膜厚)/(熱処理
前の膜厚) 図2から明らかなように、従来の300〜320℃程度
の熱処理では、収縮率は未だ飽和状態に達せず、従って
その後に加熱処理を受けると、その時点で更に収縮する
可能性が残されている。それに対して、ハードベーク処
理温度が340〜370℃では収縮率はほぼ飽和に達
し、その後加熱されても、熱収縮が生じることはなく安
定したハードベーク膜が得られる。The upper and lower insulating layers 20 and 22 provided to separate and insulate the conductor coil layer 18 are hard bake films of resist (novolac-based resist hardened films), and at 340 to 370 ° C. which is optimum for this resist. It is heat-treated and heat-cured. FIG. 2 shows the relationship between the hard baking temperature and the heat shrinkage rate of the resist at that time. The shrinkage ratio is represented by the change in the resist film thickness before and after the heat treatment, and is defined by the following equation. Shrinkage (%) = 100 × (film thickness after heat treatment) / (film thickness before heat treatment) As is clear from FIG. 2, the heat treatment at the conventional temperature of about 300 to 320 ° C. does not reach the saturated state. Therefore, if it is subsequently subjected to a heat treatment, there is still a possibility of further shrinkage at that time. On the other hand, when the hard bake treatment temperature is 340 to 370 ° C., the shrinkage ratio almost reaches saturation, and even if it is subsequently heated, thermal shrinkage does not occur and a stable hard bake film is obtained.
【0014】ハードベークした絶縁層20の上に、上部
磁極層24としてパーマロイ(NiFe)膜を電気メッ
キ法により形成する。パーマロイ膜は、例えば82.5
〜83.5Ni:残部Feといった組成である。成膜し
たパーマロイ膜は、300〜320℃でアニール処理
し、所望の軟磁気特性が得られる。A permalloy (NiFe) film is formed as an upper magnetic pole layer 24 on the hard-baked insulating layer 20 by electroplating. Permalloy film is, for example, 82.5
~ 83.5Ni: the balance Fe. The formed permalloy film is annealed at 300 to 320 ° C. to obtain desired soft magnetic characteristics.
【0015】レジストのハードベーク処理温度とその上
に形成する上部磁性層のアニール温度との関係を図3に
示す。これはパーマロイ膜を300℃でアニール処理し
た時のハードベーク温度との関係を示している。本発明
ではレジストのハードベーク処理温度の方が上部磁性層
のアニール温度より40〜70℃高くなるように設定す
る。これによって、3回目の熱処理(上部磁性層のアニ
ール処理)を行った時の絶縁層の熱収縮率をほぼ零に抑
えることができる。それに対して、従来のようにハード
ベーク温度がアニール温度と同じか20℃以下の温度差
しかないと、3回目の熱処理の際に絶縁層にある程度の
熱収縮が生じ、これが磁性層の軟磁気特性劣化につなが
ることになる。FIG. 3 shows the relationship between the hard bake treatment temperature of the resist and the annealing temperature of the upper magnetic layer formed thereon. This shows the relationship with the hard bake temperature when the permalloy film was annealed at 300 ° C. In the present invention, the hard bake temperature of the resist is set to be 40 to 70 ° C. higher than the annealing temperature of the upper magnetic layer. This makes it possible to suppress the thermal contraction rate of the insulating layer to almost zero when the third heat treatment (annealing treatment of the upper magnetic layer) is performed. On the other hand, if the hard bake temperature is the same as the annealing temperature or the temperature is not more than 20 ° C. as in the conventional case, some degree of heat shrinkage occurs in the insulating layer during the third heat treatment, which is the soft magnetic property of the magnetic layer. It will lead to deterioration.
【0016】図5に薄膜磁気ヘッドの記録再生特性の比
較結果を示す。同図において、実線は本発明品の特性を
示し、破線は従来品の特性を示す。これは記録周波数を
変えて読み出し・書き込みを繰り返した時の出力電圧を
示すものであり、本発明の薄膜磁気ヘッドが従来型の薄
膜磁気ヘッドよりも出力が大きく、良好な記録再生特性
を呈することが分かる。FIG. 5 shows the comparison result of the recording / reproducing characteristics of the thin film magnetic head. In the figure, the solid line shows the characteristics of the product of the present invention, and the broken line shows the characteristics of the conventional product. This shows the output voltage when reading and writing are repeated while changing the recording frequency, and the thin film magnetic head of the present invention has a larger output than the conventional thin film magnetic head and exhibits good recording and reproducing characteristics. I understand.
【0017】[0017]
【発明の効果】本発明は上記のように下部磁性層に熱的
に安定なセンダスト膜を使用し、上部磁性層にパーマロ
イ膜を使用するので、間に位置する絶縁層に必要十分な
加熱処理を施すことができる。このため、上部磁性層
(パーマロイ膜)で必要なアニール処理したときには絶
縁層のレジストハードベーク膜が熱収縮せず、良好な記
録再生特性が生じることになる。As described above, the present invention uses the thermally stable sendust film for the lower magnetic layer and the permalloy film for the upper magnetic layer. Therefore, the heat treatment required for the insulating layer located between them is sufficient. Can be applied. Therefore, when the upper magnetic layer (permalloy film) is annealed as necessary, the resist hard bake film of the insulating layer is not thermally shrunk, and good recording and reproducing characteristics are produced.
【図1】本発明に係る薄膜磁気ヘッドの一実施例の拡大
断面図。FIG. 1 is an enlarged sectional view of an embodiment of a thin film magnetic head according to the present invention.
【図2】パーマロイ膜のアニール処理温度と保磁力の関
係を示す説明図。FIG. 2 is an explanatory diagram showing a relationship between an annealing temperature of a permalloy film and a coercive force.
【図3】レジストのハードベーク処理温度とその時のレ
ジストの熱収縮率の関係を示す説明図。FIG. 3 is an explanatory diagram showing a relationship between a resist hard baking temperature and a thermal shrinkage rate of the resist at that time.
【図4】レジストのハードベーク処理温度とパーマロイ
膜のアニール処理温度の差に対する3回目の熱処理後の
絶縁層の熱収縮率の関係を示す説明図。FIG. 4 is an explanatory diagram showing the relationship between the heat shrinkage rate of the insulating layer after the third heat treatment with respect to the difference between the hard bake treatment temperature of the resist and the annealing treatment temperature of the permalloy film.
【図5】記録周波数に対する出力電圧の関係を示す比較
結果の説明図。FIG. 5 is an explanatory diagram of a comparison result showing a relationship between an output voltage and a recording frequency.
10 セラミックス基板 14 下部磁性層 16 ギャップ膜 18 導体コイル層 20,22 絶縁層 24 上部磁性層 10 Ceramics Substrate 14 Lower Magnetic Layer 16 Gap Film 18 Conductor Coil Layer 20, 22 Insulating Layer 24 Upper Magnetic Layer
フロントページの続き (72)発明者 鈴木 敏晴 東京都港区新橋5丁目36番11号 富士電気 化学株式会社内Front page continued (72) Inventor Toshiharu Suzuki 5-36-11 Shimbashi, Minato-ku, Tokyo Inside Fuji Electric Chemical Co., Ltd.
Claims (3)
と上部磁性層との間をギャップ膜で分離すると共に、そ
の間に導体コイル層を設け、該導体コイル層の上下を絶
縁層で絶縁した構造の薄膜磁気ヘッドにおいて、下部磁
性層はセンダスト膜、上部磁性層はパーマロイ膜からな
り、導体コイル層の上下の絶縁層はレジストのハードベ
ーク膜からなる薄膜磁気ヘッド。1. A structure in which a lower magnetic layer and an upper magnetic layer provided on a ceramic substrate are separated by a gap film, a conductor coil layer is provided between them, and the upper and lower sides of the conductor coil layer are insulated by insulating layers. In the thin-film magnetic head, the lower magnetic layer is a sendust film, the upper magnetic layer is a permalloy film, and the insulating layers above and below the conductor coil layer are hard-baked resist films.
ク系のレジスト硬化膜である請求項1記載の薄膜磁気ヘ
ッド。2. The thin film magnetic head according to claim 1, wherein the hard bake film of the resist is a novolac-based resist cured film.
ギャップ膜と、上下を絶縁層で絶縁したコイル層と、上
部磁性層とを、その順序で形成する薄膜磁気ヘッドの製
造方法において、下部磁性層としてセンダスト膜を蒸着
法又はスパッタ法により形成して450〜500℃でア
ニール処理し、次にギャップ膜を形成し、絶縁層で絶縁
したコイル層を設け絶縁層となるレジストを加熱してハ
ードベーク処理し、更に上部磁性層としてパーマロイ膜
をメッキ法又はスパッタ法により形成し300〜320
℃でアニール処理し、前記レジストのハードベーク処理
温度を340〜370℃で且つパーマロイ膜のアニール
処理温度より40〜70℃高く設定したことを特徴とす
る薄膜磁気ヘッドの製造方法。3. A lower magnetic layer on a ceramic substrate,
In a method of manufacturing a thin film magnetic head in which a gap film, a coil layer having upper and lower insulation layers insulated by an insulating layer, and an upper magnetic layer are formed in that order, a sendust film is formed as a lower magnetic layer by an evaporation method or a sputtering method. Annealing is performed at 450 to 500 ° C., then a gap film is formed, a coil layer insulated by an insulating layer is provided, and a resist serving as an insulating layer is heated and hard baked, and a permalloy film is plated as an upper magnetic layer. Alternatively, it is formed by a sputtering method and is 300 to 320.
A method of manufacturing a thin film magnetic head, characterized in that annealing treatment is performed at a temperature of ℃, and the hard bake temperature of the resist is set to 340 to 370 ℃ and 40 to 70 ℃ higher than the annealing temperature of the permalloy film.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17953295A JPH097117A (en) | 1995-06-22 | 1995-06-22 | Thin film magnetic head and manufacturing method thereof |
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| JP17953295A JPH097117A (en) | 1995-06-22 | 1995-06-22 | Thin film magnetic head and manufacturing method thereof |
Publications (1)
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|---|---|
| JPH097117A true JPH097117A (en) | 1997-01-10 |
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ID=16067406
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17953295A Pending JPH097117A (en) | 1995-06-22 | 1995-06-22 | Thin film magnetic head and manufacturing method thereof |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH097117A (en) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63140065A (en) * | 1986-12-01 | 1988-06-11 | Japan Steel Works Ltd:The | Ferromagnetic steel combining high saturation magnetization with high wear resistance |
| CN120933167A (en) * | 2025-10-14 | 2025-11-11 | 浙江创豪半导体有限公司 | Packaging substrate manufacturing method and packaging substrate |
-
1995
- 1995-06-22 JP JP17953295A patent/JPH097117A/en active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63140065A (en) * | 1986-12-01 | 1988-06-11 | Japan Steel Works Ltd:The | Ferromagnetic steel combining high saturation magnetization with high wear resistance |
| CN120933167A (en) * | 2025-10-14 | 2025-11-11 | 浙江创豪半导体有限公司 | Packaging substrate manufacturing method and packaging substrate |
| CN120933167B (en) * | 2025-10-14 | 2026-02-03 | 浙江创豪半导体有限公司 | Packaging substrate manufacturing method and packaging substrate |
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