JPH0974227A - 熱電モジュールの組み立て方法 - Google Patents
熱電モジュールの組み立て方法Info
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- JPH0974227A JPH0974227A JP7230078A JP23007895A JPH0974227A JP H0974227 A JPH0974227 A JP H0974227A JP 7230078 A JP7230078 A JP 7230078A JP 23007895 A JP23007895 A JP 23007895A JP H0974227 A JPH0974227 A JP H0974227A
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- thermoelectric
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- thermoelectric element
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 熱電モジュールを容易に組み立てる。
【解決手段】 積層型熱電素子２の端子電極３を、隣接
する積層型熱電素子２の端子電極３に直接接合して複数
の素子２，２同志を直列に導通して熱電モジュールを製
造する。素子２を配列した状態で溶融半田浴に浸漬して
端子電極３，３間に半田６を充填する。 【効果】 端子電極をつなぐ配線が不要であるため、モ
ジュール内の素子占有率が高まり、省スペース、高出力
化が図れる。積層型熱電素子の一端側を溶融半田浴に浸
漬するのみで、積層型熱電素子同志を導通することがで
き、特別な設備を必要とすることなく、容易にモジュー
ル化することができる。
する積層型熱電素子２の端子電極３に直接接合して複数
の素子２，２同志を直列に導通して熱電モジュールを製
造する。素子２を配列した状態で溶融半田浴に浸漬して
端子電極３，３間に半田６を充填する。 【効果】 端子電極をつなぐ配線が不要であるため、モ
ジュール内の素子占有率が高まり、省スペース、高出力
化が図れる。積層型熱電素子の一端側を溶融半田浴に浸
漬するのみで、積層型熱電素子同志を導通することがで
き、特別な設備を必要とすることなく、容易にモジュー
ル化することができる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は熱電モジュールの組
み立て方法に係り、特に、熱エネルギーを電気エネルギ
ーに変換する発電装置として有用な、複数個の積層型熱
電素子を直列に接続してなる熱電モジュールを組み立て
る方法に関する。
み立て方法に係り、特に、熱エネルギーを電気エネルギ
ーに変換する発電装置として有用な、複数個の積層型熱
電素子を直列に接続してなる熱電モジュールを組み立て
る方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の熱電モジュールは、より大きな出
力を取り出すために、複数個のｐ型熱電素子とｎ型熱電
素子とを交互に接続して構成されている。即ち、このよ
うな熱電モジュールの最小単位は、ｐ型熱電素子とｎ型
熱電素子を各１個ずつ直列接続した対（つい）である
が、従来においては、これらの対を更に直列又は並列に
接続してモジュール化することにより、モジュール全体
として高電圧又は高出力を得ている。
力を取り出すために、複数個のｐ型熱電素子とｎ型熱電
素子とを交互に接続して構成されている。即ち、このよ
うな熱電モジュールの最小単位は、ｐ型熱電素子とｎ型
熱電素子を各１個ずつ直列接続した対（つい）である
が、従来においては、これらの対を更に直列又は並列に
接続してモジュール化することにより、モジュール全体
として高電圧又は高出力を得ている。
【０００３】従来の熱電モジュールでは、ｐ型熱電素子
とｎ型熱電素子とが別体となっているため、例えば、５
０対のモジュールを作製するためには、ｐ型熱電素子と
ｎ型熱電素子とを各５０個、即ち、合計１００個の熱電
素子が必要である。そして、更に、これらの熱電素子の
両端部を電気的に接続するための配線が必要となる。
とｎ型熱電素子とが別体となっているため、例えば、５
０対のモジュールを作製するためには、ｐ型熱電素子と
ｎ型熱電素子とを各５０個、即ち、合計１００個の熱電
素子が必要である。そして、更に、これらの熱電素子の
両端部を電気的に接続するための配線が必要となる。
【０００４】これに対して、ｐ型半導体とｎ型半導体と
を交互に積層し、積層界面において、ｐ型半導体とｎ型
半導体とを直接接合する接合部を形成し、この積層界面
の接合部以外の領域は絶縁セラミックス層により絶縁し
た積層型熱電素子によれば、ｐ型熱電素子とｎ型熱電素
子との接続スペースが不要であることから、省スペース
化が可能となる。
を交互に積層し、積層界面において、ｐ型半導体とｎ型
半導体とを直接接合する接合部を形成し、この積層界面
の接合部以外の領域は絶縁セラミックス層により絶縁し
た積層型熱電素子によれば、ｐ型熱電素子とｎ型熱電素
子との接続スペースが不要であることから、省スペース
化が可能となる。
【０００５】しかし、この積層型熱電素子１個だけでは
十分な出力が得られないことから、このような積層型熱
電素子を用いる場合であっても、更に大きな出力を得る
ために、これを複数個直列又は並列に接続してモジュー
ル化することが行われている。
十分な出力が得られないことから、このような積層型熱
電素子を用いる場合であっても、更に大きな出力を得る
ために、これを複数個直列又は並列に接続してモジュー
ル化することが行われている。
【０００６】積層型熱電素子をモジュール化する場合に
は、絶縁基板上に積層型熱電素子を配列し、積層型熱電
素子の端子電極同志を接続する。具体的には、配列のた
めの配線としての銅と素子を配線に接続させるための半
田ペーストがスクリーン印刷法等で形成された絶縁基板
を用い、この絶縁基板上に素子を並べ絶縁基板を加熱し
半田ペーストを軟化させて接続することによりモジュー
ル化する。
は、絶縁基板上に積層型熱電素子を配列し、積層型熱電
素子の端子電極同志を接続する。具体的には、配列のた
めの配線としての銅と素子を配線に接続させるための半
田ペーストがスクリーン印刷法等で形成された絶縁基板
を用い、この絶縁基板上に素子を並べ絶縁基板を加熱し
半田ペーストを軟化させて接続することによりモジュー
ル化する。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】このようにして複数の
積層型熱電素子をモジュール化すると、配線部分がロス
になり、基板面積当りの素子の占有率に限界が生じ（占
有率は、最大でも６０％程度である。）、基板単位面積
当りの出力が十分に得られない。しかも、配線による抵
抗増加や断線の可能性の問題もある。
積層型熱電素子をモジュール化すると、配線部分がロス
になり、基板面積当りの素子の占有率に限界が生じ（占
有率は、最大でも６０％程度である。）、基板単位面積
当りの出力が十分に得られない。しかも、配線による抵
抗増加や断線の可能性の問題もある。
【０００８】これに対して、本出願人は、先に、絶縁基
板を使わずにモジュール化する方法として、端子電極間
に共晶クリーム半田を充填し、リフロー炉で接合する方
法を提案したが（特願平６−１９８３８６号）、この方
法は、リフロー炉等の設備を必要とし、作業も煩雑であ
る。
板を使わずにモジュール化する方法として、端子電極間
に共晶クリーム半田を充填し、リフロー炉で接合する方
法を提案したが（特願平６−１９８３８６号）、この方
法は、リフロー炉等の設備を必要とし、作業も煩雑であ
る。
【０００９】本発明は上記従来の問題点を解決し、積層
型熱電素子の端子電極同士を直接接合して容易に熱電モ
ジュールを組み立てる方法を提供することを目的とす
る。
型熱電素子の端子電極同士を直接接合して容易に熱電モ
ジュールを組み立てる方法を提供することを目的とす
る。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明の熱電モジュール
の組み立て方法は、積層型熱電素子の外面に形成された
端子電極を該積層型熱電素子に隣接する積層型熱電素子
の外面に形成された端子電極に直接接合して導通させる
ことにより、複数個の積層型熱電素子を直列に接続して
なる熱電モジュールを組み立てる方法であって、複数個
の積層型熱電素子を、その外面に形成された端子電極
が、隣接する積層型熱電素子の端子電極と近接して対面
するように並列させた状態で、該積層型熱電素子の端子
電極が形成された側を溶融半田中に浸漬し、隣接する積
層型熱電素子の端子電極間に半田を充填することを特徴
とする。
の組み立て方法は、積層型熱電素子の外面に形成された
端子電極を該積層型熱電素子に隣接する積層型熱電素子
の外面に形成された端子電極に直接接合して導通させる
ことにより、複数個の積層型熱電素子を直列に接続して
なる熱電モジュールを組み立てる方法であって、複数個
の積層型熱電素子を、その外面に形成された端子電極
が、隣接する積層型熱電素子の端子電極と近接して対面
するように並列させた状態で、該積層型熱電素子の端子
電極が形成された側を溶融半田中に浸漬し、隣接する積
層型熱電素子の端子電極間に半田を充填することを特徴
とする。
【００１１】本発明では、積層型熱電素子の端子電極同
志を直接接合することにより、積層型熱電素子同志の導
通を図るため、端子電極をつなぐ配線が不要となる。こ
のため、配線による抵抗増加や断線の可能性は解消され
る。また、配線のためのスペースも不要となり、モジュ
ール内の素子占有率を高めることができることから、よ
り一層の省スペース化、高出力化を図ることができる。
志を直接接合することにより、積層型熱電素子同志の導
通を図るため、端子電極をつなぐ配線が不要となる。こ
のため、配線による抵抗増加や断線の可能性は解消され
る。また、配線のためのスペースも不要となり、モジュ
ール内の素子占有率を高めることができることから、よ
り一層の省スペース化、高出力化を図ることができる。
【００１２】しかも、複数の積層型熱電素子を配列した
状態で、積層型熱電素子の端子電極が形成された側を溶
融半田浴に浸漬するのみで、積層型熱電素子同志を導通
することができ、特別な設備を必要とすることなく、容
易にモジュール化することができる。
状態で、積層型熱電素子の端子電極が形成された側を溶
融半田浴に浸漬するのみで、積層型熱電素子同志を導通
することができ、特別な設備を必要とすることなく、容
易にモジュール化することができる。
【００１３】本発明においては、積層型熱電素子の端子
電極はその少なくとも表面が半田めっき又は半田ペース
トで形成されていることが重要であり、また、直列に配
列された積層型熱電素子の間隔は１００〜２００μｍで
あることが好ましい。更に、配列された積層型熱電素子
間にアルミナセメントを充填しておくことにより、積層
型熱電素子同志の間隔や位置ずれを防止して、浸漬作業
性を高めることができる。
電極はその少なくとも表面が半田めっき又は半田ペース
トで形成されていることが重要であり、また、直列に配
列された積層型熱電素子の間隔は１００〜２００μｍで
あることが好ましい。更に、配列された積層型熱電素子
間にアルミナセメントを充填しておくことにより、積層
型熱電素子同志の間隔や位置ずれを防止して、浸漬作業
性を高めることができる。
【００１４】
【発明の実施の形態】以下に図面を参照して本発明を詳
細に説明する。
細に説明する。
【００１５】図１は本発明の熱電モジュールの組み立て
方法の一実施例方法を示す斜視図である。図２は図１に
示す方法で用いられる積層型熱電素子を示す図であっ
て、（ａ）は斜視図、（ｂ）は（ａ）のＢ−Ｂ線に沿う
断面図である。
方法の一実施例方法を示す斜視図である。図２は図１に
示す方法で用いられる積層型熱電素子を示す図であっ
て、（ａ）は斜視図、（ｂ）は（ａ）のＢ−Ｂ線に沿う
断面図である。
【００１６】図２に示す積層型熱電素子１は、ｐ型半導
体２Ａとｎ型半導体２Ｂとが積層、接合され、接合部以
外の層間部に絶縁セラミックス層２Ｃが形成され、かつ
外面に端子電極３，３が形成された１対品の積層型熱電
素子である。なお、この端子電極３は、ニッケルめっき
膜３Ａ上に半田めっき膜３Ｂを形成したものである。
体２Ａとｎ型半導体２Ｂとが積層、接合され、接合部以
外の層間部に絶縁セラミックス層２Ｃが形成され、かつ
外面に端子電極３，３が形成された１対品の積層型熱電
素子である。なお、この端子電極３は、ニッケルめっき
膜３Ａ上に半田めっき膜３Ｂを形成したものである。
【００１７】積層型熱電素子は、コールドプレス法やホ
ットプレス法などのいわゆる粉末冶金的な手法及びグリ
ーンシートを用いたシート積層法により作製されるのが
一般的である。本発明は、このような手法で作製された
積層型熱電素子のうち、図２に示す如く、端子電極の少
なくとも表面が半田めっき又は半田ペーストで形成さ
れ、かつｐ型半導体とｎ型半導体とが一体となっている
ものに適用できる。
ットプレス法などのいわゆる粉末冶金的な手法及びグリ
ーンシートを用いたシート積層法により作製されるのが
一般的である。本発明は、このような手法で作製された
積層型熱電素子のうち、図２に示す如く、端子電極の少
なくとも表面が半田めっき又は半田ペーストで形成さ
れ、かつｐ型半導体とｎ型半導体とが一体となっている
ものに適用できる。
【００１８】本発明においては、このような積層型熱電
素子１を図１（ａ）に示す如く、必要個数直列配置とな
るように、即ち、隣接する積層型熱電素子１の端子電極
３同志が所定の間隔Ｄをおいて近接して対面するよう
に、また、ｐ型半導体２Ａとｎ型半導体２Ｂとが交互に
位置するように配列する。
素子１を図１（ａ）に示す如く、必要個数直列配置とな
るように、即ち、隣接する積層型熱電素子１の端子電極
３同志が所定の間隔Ｄをおいて近接して対面するよう
に、また、ｐ型半導体２Ａとｎ型半導体２Ｂとが交互に
位置するように配列する。
【００１９】そして、この状態で、積層型熱電素子１の
端子電極３側の端部を溶融半田浴に浸漬するが、その
際、積層型熱電素子同志の間隔ずれ及び位置ずれを防止
するために、隣接する積層型熱電素子１，１間にアルミ
ナセメントを充填するのが望ましい。
端子電極３側の端部を溶融半田浴に浸漬するが、その
際、積層型熱電素子同志の間隔ずれ及び位置ずれを防止
するために、隣接する積層型熱電素子１，１間にアルミ
ナセメントを充填するのが望ましい。
【００２０】この場合、まず、積層型熱電素子１，１間
に、ポリイミドフィルム等の樹脂フィルムよりなる適当
なスペーサ４を介在させ（図１（ｂ））、端子電極３の
上縁からスペーサ４の下面までの間にアルミナセメント
５を充填する（図１（ｃ））。
に、ポリイミドフィルム等の樹脂フィルムよりなる適当
なスペーサ４を介在させ（図１（ｂ））、端子電極３の
上縁からスペーサ４の下面までの間にアルミナセメント
５を充填する（図１（ｃ））。
【００２１】このアルミナセメントが乾燥固化した後、
スペーサ４を取り去り（図１（ｄ））、この状態で、積
層型熱電素子１の端子電極３形成側の端部を溶融半田浴
に浸漬する。これにより、端子電極３表面が半田である
ため、溶融半田が、積層型熱電素子１の端子電極３，３
の隙間に吸い上げられ、半田６で隣接する積層型熱電素
子１，１の端子電極３，３間が充填されることにより、
積層型熱電素子１，１同志が導通及び接続され（図１
（ｅ））、熱電モジュール１０が得られる。
スペーサ４を取り去り（図１（ｄ））、この状態で、積
層型熱電素子１の端子電極３形成側の端部を溶融半田浴
に浸漬する。これにより、端子電極３表面が半田である
ため、溶融半田が、積層型熱電素子１の端子電極３，３
の隙間に吸い上げられ、半田６で隣接する積層型熱電素
子１，１の端子電極３，３間が充填されることにより、
積層型熱電素子１，１同志が導通及び接続され（図１
（ｅ））、熱電モジュール１０が得られる。
【００２２】この溶融半田の吸い上げを良好に行って、
十分な導通ないし接続を行うために、積層型熱電素子
１，１間の間隔Ｄは１００〜２００μｍとするのが好ま
しい。この間隔Ｄが１００μｍより小さい場合、半田が
うまく吸い込まれないことがあり、端子電極間の導通が
得られなくなる。逆に、この間隔Ｄが２００μｍより大
きい場合、溶融半田は電極部を濡らすだけで、積層型熱
電素子同志の導通及び接続は起こらない。
十分な導通ないし接続を行うために、積層型熱電素子
１，１間の間隔Ｄは１００〜２００μｍとするのが好ま
しい。この間隔Ｄが１００μｍより小さい場合、半田が
うまく吸い込まれないことがあり、端子電極間の導通が
得られなくなる。逆に、この間隔Ｄが２００μｍより大
きい場合、溶融半田は電極部を濡らすだけで、積層型熱
電素子同志の導通及び接続は起こらない。
【００２３】なお、積層型熱電素子１，１同志の間隙の
充填材料として、アルミナセメント５を用いるのは、熱
電モジュールの使用環境が、場合によっては５００℃以
上の高温になるため、このような高温にも十分に耐え得
る耐熱性を確保するためである。
充填材料として、アルミナセメント５を用いるのは、熱
電モジュールの使用環境が、場合によっては５００℃以
上の高温になるため、このような高温にも十分に耐え得
る耐熱性を確保するためである。
【００２４】このような本発明の熱電モジュールの組み
立て方法によれば、積層型熱電素子１の集合体を単に溶
融半田浴に浸漬するのみで、所望の個数の積層型熱電素
子１を接続した熱電モジュール１０を容易に組み立てる
ことができる。しかも、この熱電モジュール１０は、積
層型熱電素子１，１間の配線が不要であるため、積層型
熱電素子１，１間の間隙を従来のものに比べて大幅に低
減することができる。この結果、熱電モジュール内の素
子占有率を９０％以上にまで高めることができ、より一
層の省スペース・高出力化が可能である。
立て方法によれば、積層型熱電素子１の集合体を単に溶
融半田浴に浸漬するのみで、所望の個数の積層型熱電素
子１を接続した熱電モジュール１０を容易に組み立てる
ことができる。しかも、この熱電モジュール１０は、積
層型熱電素子１，１間の配線が不要であるため、積層型
熱電素子１，１間の間隙を従来のものに比べて大幅に低
減することができる。この結果、熱電モジュール内の素
子占有率を９０％以上にまで高めることができ、より一
層の省スペース・高出力化が可能である。
【００２５】
【実施例】以下に実施例を挙げて本発明をより具体的に
説明する。
説明する。
【００２６】実施例１ 図１（ａ）〜（ｅ）に示す方法に従って、図２に示す積
層型熱電素子を組み立てて熱電モジュールを製造した。
層型熱電素子を組み立てて熱電モジュールを製造した。
【００２７】まず、ＦｅＳｉ2 系熱電素子をシート積層
法により作製した。ｐ型熱電半導体材料としてＦｅＳｉ
2 にＣｒＳｉ2 を２ｍｏｌ％添加したものを、ｎ型熱電
半導体材料としてＦｅＳｉ2 にＣｏＳｉ2 を２ｍｏｌ％
添加したものを用い、また、絶縁材料としてＺｒＯ2 に
ガラスを４０重量％加えたものを用い、上記３種類の材
料に各々、バインダーとしてポリビニルブチラール（Ｐ
ＶＢ）、可塑剤としてフタル酸ジブチル、分散剤として
ＧＡＦＡＣ（東邦化学製）、溶剤としてエタノール及び
トルエンを加えスラリー化し、ドクターブレード法によ
りグリーンシート化した。これらをｐ型、絶縁体、ｎ型
の順に一端のみがｐ−ｎ接合するように熱圧着した。こ
れを、所望の素子形状に切断後、大気中、４００℃で２
時間の脱脂工程によりバインダー及び溶剤を除去し、真
空中、１２００℃で４時間の焼結工程、大気中、８５０
℃で５０時間の熱処理工程を行った。次に、ｐ−ｎ接合
部の反対側に、電極部として電気めっき法によりニッケ
ル膜を厚さ０．５〜１μｍ程度に形成した後、同様に電
気めっき法で半田膜を厚さ０．５〜１μｍ程度に形成し
た。
法により作製した。ｐ型熱電半導体材料としてＦｅＳｉ
2 にＣｒＳｉ2 を２ｍｏｌ％添加したものを、ｎ型熱電
半導体材料としてＦｅＳｉ2 にＣｏＳｉ2 を２ｍｏｌ％
添加したものを用い、また、絶縁材料としてＺｒＯ2 に
ガラスを４０重量％加えたものを用い、上記３種類の材
料に各々、バインダーとしてポリビニルブチラール（Ｐ
ＶＢ）、可塑剤としてフタル酸ジブチル、分散剤として
ＧＡＦＡＣ（東邦化学製）、溶剤としてエタノール及び
トルエンを加えスラリー化し、ドクターブレード法によ
りグリーンシート化した。これらをｐ型、絶縁体、ｎ型
の順に一端のみがｐ−ｎ接合するように熱圧着した。こ
れを、所望の素子形状に切断後、大気中、４００℃で２
時間の脱脂工程によりバインダー及び溶剤を除去し、真
空中、１２００℃で４時間の焼結工程、大気中、８５０
℃で５０時間の熱処理工程を行った。次に、ｐ−ｎ接合
部の反対側に、電極部として電気めっき法によりニッケ
ル膜を厚さ０．５〜１μｍ程度に形成した後、同様に電
気めっき法で半田膜を厚さ０．５〜１μｍ程度に形成し
た。
【００２８】上記手法で作製した積層型熱電素子を、図
１（ａ）のように必要個数直列になるように並べ、次
に、素子同志の間隔が１００μｍになるように該当する
厚さのポリイミドフィルムをスペーサとして挟んだ後
（図１（ｂ））、端子電極部からスペーサまでの間にア
ルミナセメントを充填した（図１（ｃ））。アルミナセ
メントが乾燥固化した後、スペーサを取り去り（図１
（ｄ））、溶融半田浴槽に５秒間浸漬した。その結果、
積層型熱電素子の端子電極間が半田で安定に導通、接続
された熱電モジュールが得られた。
１（ａ）のように必要個数直列になるように並べ、次
に、素子同志の間隔が１００μｍになるように該当する
厚さのポリイミドフィルムをスペーサとして挟んだ後
（図１（ｂ））、端子電極部からスペーサまでの間にア
ルミナセメントを充填した（図１（ｃ））。アルミナセ
メントが乾燥固化した後、スペーサを取り去り（図１
（ｄ））、溶融半田浴槽に５秒間浸漬した。その結果、
積層型熱電素子の端子電極間が半田で安定に導通、接続
された熱電モジュールが得られた。
【００２９】
【発明の効果】以上詳述した通り、本発明の熱電モジュ
ールの組み立て方法によれば、複数の積層型熱電素子を
接続してなる、省スペース化が可能な高電圧、高出力熱
電モジュールであって、配線による抵抗増加や断線のお
それがない上に、モジュール内の素子占有率を大幅に高
めることができ、それにより単位面積当りの出力を大き
くすることができることから、より一層の省スペース・
高出力化が可能な熱電モジュールを、特別な設備を要す
ることなく極めて容易かつ効率的に組み立てることがで
きる。
ールの組み立て方法によれば、複数の積層型熱電素子を
接続してなる、省スペース化が可能な高電圧、高出力熱
電モジュールであって、配線による抵抗増加や断線のお
それがない上に、モジュール内の素子占有率を大幅に高
めることができ、それにより単位面積当りの出力を大き
くすることができることから、より一層の省スペース・
高出力化が可能な熱電モジュールを、特別な設備を要す
ることなく極めて容易かつ効率的に組み立てることがで
きる。
【００３０】従って、本発明によれば、信頼性が高く、
小型で高電圧、高出力かつ高生産性で安価な熱電モジュ
ールが提供される。
小型で高電圧、高出力かつ高生産性で安価な熱電モジュ
ールが提供される。
【図１】本発明の熱電モジュールの組み立て方法の一実
施例方法を示す斜視図である。
施例方法を示す斜視図である。
【図２】図１の熱電モジュールに適用されている積層型
熱電素子を示し、（ａ）は斜視図、（ｂ）は（ａ）のＢ
−Ｂ線に沿う断面図である。
熱電素子を示し、（ａ）は斜視図、（ｂ）は（ａ）のＢ
−Ｂ線に沿う断面図である。
１ 積層型熱電素子 ２Ａ ｐ型半導体 ２Ｂ ｎ型半導体 ２Ｃ 絶縁セラミックス層 ３ 端子電極 ４ スペーサ ５ アルミナセメント ６ 半田 １０ 熱電モジュール
Claims (4)
- 【請求項１】 積層型熱電素子の外面に形成された端子
電極を該積層型熱電素子に隣接する積層型熱電素子の外
面に形成された端子電極に直接接合して導通させること
により、複数個の積層型熱電素子を直列に接続してなる
熱電モジュールを組み立てる方法であって、 複数個の積層型熱電素子を、その外面に形成された端子
電極が、隣接する積層型熱電素子の端子電極と近接して
対面するように並列させた状態で、該積層型熱電素子の
端子電極が形成された側を溶融半田中に浸漬し、隣接す
る積層型熱電素子の端子電極間に半田を充填することを
特徴とする熱電モジュールの組み立て方法。 - 【請求項２】 請求項１の方法において、端子電極は、
その少なくとも表面が半田めっき又は半田ペーストで形
成されていることを特徴とする熱電モジュールの組み立
て方法。 - 【請求項３】 請求項１又は２の方法において、並列さ
れた積層型熱電素子同志の間隔が１００〜２００μｍで
あることを特徴とする熱電モジュールの組み立て方法。 - 【請求項４】 請求項１ないし３のいずれか１項の方法
において、並列された積層型熱電素子同志の間隙に、ア
ルミナセメントを充填して溶融半田中に浸漬することを
特徴とする熱電モジュールの組み立て方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7230078A JPH0974227A (ja) | 1995-09-07 | 1995-09-07 | 熱電モジュールの組み立て方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7230078A JPH0974227A (ja) | 1995-09-07 | 1995-09-07 | 熱電モジュールの組み立て方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0974227A true JPH0974227A (ja) | 1997-03-18 |
Family
ID=16902210
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7230078A Withdrawn JPH0974227A (ja) | 1995-09-07 | 1995-09-07 | 熱電モジュールの組み立て方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0974227A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2005124883A1 (ja) * | 2004-06-22 | 2005-12-29 | Aruze Corp. | 熱電素子 |
| JP2013539599A (ja) * | 2010-08-23 | 2013-10-24 | エミテック ゲゼルシヤフト フユア エミツシオンステクノロギー ミツト ベシユレンクテル ハフツング | 熱電モジュールのための半導体素子およびその生産方法 |
| WO2019003581A1 (ja) * | 2017-06-27 | 2019-01-03 | 株式会社村田製作所 | 熱電変換モジュールおよび電子部品モジュール |
-
1995
- 1995-09-07 JP JP7230078A patent/JPH0974227A/ja not_active Withdrawn
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2005124883A1 (ja) * | 2004-06-22 | 2005-12-29 | Aruze Corp. | 熱電素子 |
| US8013235B2 (en) | 2004-06-22 | 2011-09-06 | Universal Entertainment Corporation | Thermoelectric device |
| JP2013539599A (ja) * | 2010-08-23 | 2013-10-24 | エミテック ゲゼルシヤフト フユア エミツシオンステクノロギー ミツト ベシユレンクテル ハフツング | 熱電モジュールのための半導体素子およびその生産方法 |
| WO2019003581A1 (ja) * | 2017-06-27 | 2019-01-03 | 株式会社村田製作所 | 熱電変換モジュールおよび電子部品モジュール |
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