JPH0978236A - 酸化インジウム・すず透明導電膜の成膜方法 - Google Patents
酸化インジウム・すず透明導電膜の成膜方法Info
- Publication number
- JPH0978236A JPH0978236A JP7236412A JP23641295A JPH0978236A JP H0978236 A JPH0978236 A JP H0978236A JP 7236412 A JP7236412 A JP 7236412A JP 23641295 A JP23641295 A JP 23641295A JP H0978236 A JPH0978236 A JP H0978236A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- transparent conductive
- conductive film
- gas
- sputtering
- film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】薄膜太陽電池の透明電極に用いるＩＴＯ膜を低
抵抗にして集電損失を低減し、下層との付着力を強化し
て耐候性を高める。 【解決手段】従来スパッタリングガスとして用いられた
Ａｒガスに代わってＸｅガスを用いる。これにより、成
膜されたＩＴＯ膜の抵抗率は、ＤＣスパッタリング、Ｒ
Ｆスパッタリングのいずれの場合も低くなり、キャリア
密度も増大する。また、下層から剥離しにくくなる。
抵抗にして集電損失を低減し、下層との付着力を強化し
て耐候性を高める。 【解決手段】従来スパッタリングガスとして用いられた
Ａｒガスに代わってＸｅガスを用いる。これにより、成
膜されたＩＴＯ膜の抵抗率は、ＤＣスパッタリング、Ｒ
Ｆスパッタリングのいずれの場合も低くなり、キャリア
密度も増大する。また、下層から剥離しにくくなる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、薄膜太陽電池の透
明電極などに用いられる酸化インジウム・すず（ＩＴ
Ｏ）透明導電膜の成膜方法に関する。
明電極などに用いられる酸化インジウム・すず（ＩＴ
Ｏ）透明導電膜の成膜方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】ＩＴＯ透明導電膜は、抵抗が比較的低い
ことと透明であることとの特徴から、幅広い応用が行わ
れている。特に、アモルファス半導体よりなる光電変換
層をもつ薄膜太陽電池の透明電極に用いられていること
はよく知られている。大面積の薄膜太陽電池から効率よ
く電力を取り出すための構造として、図３、図４に示さ
れるように複数の単位太陽電池セルを直列接続したもの
である。図３では、ガラスや透明高分子フィルムなどの
透光性絶縁基板１１上に、ＩＴＯの薄膜からなる透明電
極４１、４２、４３…を短冊状に形成し、その上に光起
電力発生部であるアモルファス半導体層領域３１、３
２、３３…を、次いでＡｌやＡｇなどの金属薄膜からな
る金属電極２１、２２、２３…を形成したものである。
ここで、透明電極４１、アモルファス半導体層３１およ
び金属電極２１の組合わせ、透明電極４２、アモルファ
ス半導体層３２および金属電極２２の組合わせ等が各ユ
ニットセルを構成する。そして、一つのユニットセルの
金属電極の延長部５１、５２、５３…が隣接するユニッ
トセルの透明電極の縁部と接触するように両電極および
アモルファス半導体層のパターンが形成されて、各ユニ
ットセルは直列に接続される。
ことと透明であることとの特徴から、幅広い応用が行わ
れている。特に、アモルファス半導体よりなる光電変換
層をもつ薄膜太陽電池の透明電極に用いられていること
はよく知られている。大面積の薄膜太陽電池から効率よ
く電力を取り出すための構造として、図３、図４に示さ
れるように複数の単位太陽電池セルを直列接続したもの
である。図３では、ガラスや透明高分子フィルムなどの
透光性絶縁基板１１上に、ＩＴＯの薄膜からなる透明電
極４１、４２、４３…を短冊状に形成し、その上に光起
電力発生部であるアモルファス半導体層領域３１、３
２、３３…を、次いでＡｌやＡｇなどの金属薄膜からな
る金属電極２１、２２、２３…を形成したものである。
ここで、透明電極４１、アモルファス半導体層３１およ
び金属電極２１の組合わせ、透明電極４２、アモルファ
ス半導体層３２および金属電極２２の組合わせ等が各ユ
ニットセルを構成する。そして、一つのユニットセルの
金属電極の延長部５１、５２、５３…が隣接するユニッ
トセルの透明電極の縁部と接触するように両電極および
アモルファス半導体層のパターンが形成されて、各ユニ
ットセルは直列に接続される。
【０００３】図３に示す太陽電池は基板１１を通して入
射する光により発電するが、図４に示すサブストレート
型太陽電池は反基板側から入射する光により発電する。
すなわちガラス板、高分子フィルム、あるいは金属フィ
ルムに絶縁膜を被覆したものなどの絶縁性基板１２上
に、ＡｌやＡｇなどの金属電極２１、２２、２３…を短
冊状に形成し、その上に薄膜半導体層領域３１、３２、
３３…を、次いで透明電極４１、４２、４３…を短冊状
に形成したもので同様に複数のユニットセルが直列接続
されている。
射する光により発電するが、図４に示すサブストレート
型太陽電池は反基板側から入射する光により発電する。
すなわちガラス板、高分子フィルム、あるいは金属フィ
ルムに絶縁膜を被覆したものなどの絶縁性基板１２上
に、ＡｌやＡｇなどの金属電極２１、２２、２３…を短
冊状に形成し、その上に薄膜半導体層領域３１、３２、
３３…を、次いで透明電極４１、４２、４３…を短冊状
に形成したもので同様に複数のユニットセルが直列接続
されている。
【０００４】このような透明電極形成のためのＩＴＯ透
明導電膜の成膜は、真空中に放電ガスとしてＡｒガスを
導入し、電極間に直流もしくは高周波電圧の印加により
グロー放電を発生させ、Ａｒ+ を陰極上のＩＴＯターゲ
ットに衝突させてスパッタ現象をひき起こすことによっ
て行う。低抵抗のＩＴＯ膜を得るには、その組成が化学
量論比よりずれたことが望ましい。そのために、直流電
圧印加によってグロー放電を起こす場合には、スパッタ
リングガスＡｒに１〜２％程度、最大５％以下のＯ2 、
Ｎ2 Ｏ、ＮＯ2 あるいはＯ3 等の酸化ガスを添加するこ
とが行われる。
明導電膜の成膜は、真空中に放電ガスとしてＡｒガスを
導入し、電極間に直流もしくは高周波電圧の印加により
グロー放電を発生させ、Ａｒ+ を陰極上のＩＴＯターゲ
ットに衝突させてスパッタ現象をひき起こすことによっ
て行う。低抵抗のＩＴＯ膜を得るには、その組成が化学
量論比よりずれたことが望ましい。そのために、直流電
圧印加によってグロー放電を起こす場合には、スパッタ
リングガスＡｒに１〜２％程度、最大５％以下のＯ2 、
Ｎ2 Ｏ、ＮＯ2 あるいはＯ3 等の酸化ガスを添加するこ
とが行われる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】図３あるいは図４に示
した透明電極４１、４２、４３…は、光をより多く発電
層の半導体層３１、３２、３３…に供給するために、そ
の透明度が重要となる。同時に、発電により発生したキ
ャリアを取り込む（集電する）電極となるため、その抵
抗率が十分低くならなければならない。さらに、太陽電
池などの製品は、数十年という保証期間を考慮しなけれ
ばならないため、ＩＴＯ透明電極の耐候性の面から、下
層との付着力に優れたＩＴＯ膜の形成を行う必要があ
る。特に、図４のような透明電極４１、４２、４３…が
露出するサブストレート型太陽電池に使用するＩＴＯ透
明導電膜は、たかだか１００〜３００ｎｍ程度の膜厚し
かなく、デバイス最表面に形成されるため、薄膜付着
力、耐候性に優れたものを使用しなければならない。
した透明電極４１、４２、４３…は、光をより多く発電
層の半導体層３１、３２、３３…に供給するために、そ
の透明度が重要となる。同時に、発電により発生したキ
ャリアを取り込む（集電する）電極となるため、その抵
抗率が十分低くならなければならない。さらに、太陽電
池などの製品は、数十年という保証期間を考慮しなけれ
ばならないため、ＩＴＯ透明電極の耐候性の面から、下
層との付着力に優れたＩＴＯ膜の形成を行う必要があ
る。特に、図４のような透明電極４１、４２、４３…が
露出するサブストレート型太陽電池に使用するＩＴＯ透
明導電膜は、たかだか１００〜３００ｎｍ程度の膜厚し
かなく、デバイス最表面に形成されるため、薄膜付着
力、耐候性に優れたものを使用しなければならない。
【０００６】本発明の目的は、上述の要求に対応し、低
抵抗でかつ下層との付着力の高いＩＴＯ透明導電膜の成
膜方法を提供することにある。
抵抗でかつ下層との付着力の高いＩＴＯ透明導電膜の成
膜方法を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに、本発明は、ＩＴＯよりなるターゲットを用い、ス
パッタリングガス中にグロー放電を発生させて基板上に
成膜するＩＴＯ透明導電膜の成膜方法において、スパッ
タリングガスにＸｅを主体としたガスを用いるものとす
る。従来のＡｒガスをスパッタリングガスとして用いた
場合に比し、Ｘｅガスをスパッタリングガスとして用い
て成膜したＩＴＯ膜の抵抗率が低いことが確かめられ
た。その理由はまだ解明されていない。また、下層との
付着力も高くなることが剥離試験で確かめられた。そし
て、マグネトロン・スパッタリング装置を用いることが
よい。マグネトロン・スパッタリングは被着速度が高
く、１０-3Ｔｏｒｒ台の高真空で数百Ｖの電圧で放電で
きるため、成膜基板への荷電粒子衝撃による損傷がな
い。グロー放電のためには、電極間に直流電圧を印加し
ても、高周波電圧を印加してもよい。直流電圧を印加す
るＤＣスパッタリングの場合、スパッタリングガスに酸
化ガスを添加することがよい。ＤＣスパッタリングの際
には、酸化ガスの添加がＩＴＯの組成を化学量論比より
ずらして低抵抗化することに有効であるは、Ａｒガスを
スパッタリングガスとして用いたときと同様である。高
周波電圧を印加するＲＦスパッタリングでは、ＩＴＯ成
長表面へのイオンボンバードメントによってＤＣスパッ
タリングより低抵抗の膜が得られるが、さらに、スパッ
タリングガスにＸｅガスを用いることにより、Ａｒガス
を用いたよりもＩＴＯの高いキャリア密度がヒータ設定
温度２００℃ないし３５０℃で得られることが確かめら
れた。また、ＩＴＯのホール移動度も、ヒータ設定温度
３００℃以下の低温成膜の場合に、Ｘｅガスを用いるこ
とによってＡｒガスを用いるよりも高い値になることが
確かめられた。これらの方法で成膜されたＩＴＯ透明導
電膜は、低抵抗で薄膜付着力が高いので、この成膜方法
を薄膜太陽電池の透明電極形成のために行うことが有効
である。
めに、本発明は、ＩＴＯよりなるターゲットを用い、ス
パッタリングガス中にグロー放電を発生させて基板上に
成膜するＩＴＯ透明導電膜の成膜方法において、スパッ
タリングガスにＸｅを主体としたガスを用いるものとす
る。従来のＡｒガスをスパッタリングガスとして用いた
場合に比し、Ｘｅガスをスパッタリングガスとして用い
て成膜したＩＴＯ膜の抵抗率が低いことが確かめられ
た。その理由はまだ解明されていない。また、下層との
付着力も高くなることが剥離試験で確かめられた。そし
て、マグネトロン・スパッタリング装置を用いることが
よい。マグネトロン・スパッタリングは被着速度が高
く、１０-3Ｔｏｒｒ台の高真空で数百Ｖの電圧で放電で
きるため、成膜基板への荷電粒子衝撃による損傷がな
い。グロー放電のためには、電極間に直流電圧を印加し
ても、高周波電圧を印加してもよい。直流電圧を印加す
るＤＣスパッタリングの場合、スパッタリングガスに酸
化ガスを添加することがよい。ＤＣスパッタリングの際
には、酸化ガスの添加がＩＴＯの組成を化学量論比より
ずらして低抵抗化することに有効であるは、Ａｒガスを
スパッタリングガスとして用いたときと同様である。高
周波電圧を印加するＲＦスパッタリングでは、ＩＴＯ成
長表面へのイオンボンバードメントによってＤＣスパッ
タリングより低抵抗の膜が得られるが、さらに、スパッ
タリングガスにＸｅガスを用いることにより、Ａｒガス
を用いたよりもＩＴＯの高いキャリア密度がヒータ設定
温度２００℃ないし３５０℃で得られることが確かめら
れた。また、ＩＴＯのホール移動度も、ヒータ設定温度
３００℃以下の低温成膜の場合に、Ｘｅガスを用いるこ
とによってＡｒガスを用いるよりも高い値になることが
確かめられた。これらの方法で成膜されたＩＴＯ透明導
電膜は、低抵抗で薄膜付着力が高いので、この成膜方法
を薄膜太陽電池の透明電極形成のために行うことが有効
である。
【０００８】
【発明の実施の形態】本発明の実施は、従来のスパッタ
リング法に対してスパッタリングガスを変更するだけで
あるので、スパッタリング装置、ターゲット材料等は従
来のものを使用する。成膜条件は、得られるＩＴＯ透明
導電膜の特性に対応して若干の変更を要することもあ
る。スパッタリングガスとして、Ｘｅの一部をＡｒで置
き換えてもよい。酸化ガスとしては、従来同様、Ｏ2 以
外にＮ2 Ｏ、ＮＯ2 あるいはＯ3を用いることができ
る。
リング法に対してスパッタリングガスを変更するだけで
あるので、スパッタリング装置、ターゲット材料等は従
来のものを使用する。成膜条件は、得られるＩＴＯ透明
導電膜の特性に対応して若干の変更を要することもあ
る。スパッタリングガスとして、Ｘｅの一部をＡｒで置
き換えてもよい。酸化ガスとしては、従来同様、Ｏ2 以
外にＮ2 Ｏ、ＮＯ2 あるいはＯ3を用いることができ
る。
【０００９】
【実施例】マグネトロンスパッタリングスパッタリング
装置を用い、ＳｎＯ2 を１０ｗｔ％含むＩＴＯターゲッ
トを取付けた陰極と基板を加熱するために１９０℃に温
度を設定したヒータを内蔵した陽極とを、ターゲット基
板間距離５０ｍｍとなるように対向させた。スパッタリ
ングガスとしてＡｒおよびＸｅを用いたが、いずれもＯ
2 を１〜２％添加した。陽極・陰極間の印加電圧は直流
で、Ａｒの場合４６０Ｖ、Ｘｅの場合６９０Ｖであり、
放電電流は、それぞれ０．４５Ａおよび０．３Ａであっ
た。形成されたＩＴＯ透明導電膜の抵抗率は、放電ガス
がＡｒ／Ｏ2混合ガスの場合２．６３×１０4 Ωｃｍで
あるのに対し、Ｘｅ／Ｏ2 混合ガスの場合２．４９×１
０4 Ωｃｍであり、抵抵抗化が達成できた。
装置を用い、ＳｎＯ2 を１０ｗｔ％含むＩＴＯターゲッ
トを取付けた陰極と基板を加熱するために１９０℃に温
度を設定したヒータを内蔵した陽極とを、ターゲット基
板間距離５０ｍｍとなるように対向させた。スパッタリ
ングガスとしてＡｒおよびＸｅを用いたが、いずれもＯ
2 を１〜２％添加した。陽極・陰極間の印加電圧は直流
で、Ａｒの場合４６０Ｖ、Ｘｅの場合６９０Ｖであり、
放電電流は、それぞれ０．４５Ａおよび０．３Ａであっ
た。形成されたＩＴＯ透明導電膜の抵抗率は、放電ガス
がＡｒ／Ｏ2混合ガスの場合２．６３×１０4 Ωｃｍで
あるのに対し、Ｘｅ／Ｏ2 混合ガスの場合２．４９×１
０4 Ωｃｍであり、抵抵抗化が達成できた。
【００１０】次に、両極間に１３．５６ＭＨZ の高周波
電圧を印加するＲＦスパッタリングを行ったときの抵抗
率のヒータ設定温度依存性を図１に示す。この場合は、
スパッタリングガスのＡｒガスおよびＸｅガスにはＯ2
を添加しない。線１がＸｅガス、線２がＡｒガスの場合
である。比較のために、Ａｒ／Ｏ2 ガスをスパッタリン
グガスとして、ＤＣスパッタリングにより形成したＩＴ
Ｏ透明導電膜のデータを線３として示している。図示し
ないが、Ｘｅ／Ｏ2 ガスをスパッタリングとしてＤＣス
パッタリングを行った場合は、線３よりやや下側にあ
る。ＲＦスパッタリングでは、ＩＴＯ成長表面へのイオ
ンボンバードメントが生じ、ＤＣスパッタリングよりも
低抵抗なＩＴＯ透明導電膜が形成できる。さらに、スパ
ッタリングガスとしてＡｒの代わりにＸｅガスを用いる
ことにより、その抵抗率を低下できていることが確認で
きる。Ｘｅを用いた効果は、ＲＦスパッタリングの方が
ＤＣスパッタリングより顕著に現れた。図２には、それ
ぞれの方法により形成したＩＴＯ透明導電膜のホール測
定により求めたキャリア密度のヒータ設定温度依存性を
図１と同様に線１、２、３で示す。ＩＴＯ透明導電膜の
抵抗率の低下は、主にキャリア密度の増加により引き起
こされていることが確認でき、成膜方法により、これら
の物性を制御できる。図５は、それぞれのＩＴＯ膜のホ
ール移動度のヒータ設定温度依存性である。Ｘｅガスを
スパッタリングガスとして、ＲＦスパッタリングにより
ＩＴＯ薄膜を形成した場合、特に、低いヒータ設定温度
でも高いホール移動度が達成されており、低温プロセス
として、非常に有効な手段であることが確認できる。
電圧を印加するＲＦスパッタリングを行ったときの抵抗
率のヒータ設定温度依存性を図１に示す。この場合は、
スパッタリングガスのＡｒガスおよびＸｅガスにはＯ2
を添加しない。線１がＸｅガス、線２がＡｒガスの場合
である。比較のために、Ａｒ／Ｏ2 ガスをスパッタリン
グガスとして、ＤＣスパッタリングにより形成したＩＴ
Ｏ透明導電膜のデータを線３として示している。図示し
ないが、Ｘｅ／Ｏ2 ガスをスパッタリングとしてＤＣス
パッタリングを行った場合は、線３よりやや下側にあ
る。ＲＦスパッタリングでは、ＩＴＯ成長表面へのイオ
ンボンバードメントが生じ、ＤＣスパッタリングよりも
低抵抗なＩＴＯ透明導電膜が形成できる。さらに、スパ
ッタリングガスとしてＡｒの代わりにＸｅガスを用いる
ことにより、その抵抗率を低下できていることが確認で
きる。Ｘｅを用いた効果は、ＲＦスパッタリングの方が
ＤＣスパッタリングより顕著に現れた。図２には、それ
ぞれの方法により形成したＩＴＯ透明導電膜のホール測
定により求めたキャリア密度のヒータ設定温度依存性を
図１と同様に線１、２、３で示す。ＩＴＯ透明導電膜の
抵抗率の低下は、主にキャリア密度の増加により引き起
こされていることが確認でき、成膜方法により、これら
の物性を制御できる。図５は、それぞれのＩＴＯ膜のホ
ール移動度のヒータ設定温度依存性である。Ｘｅガスを
スパッタリングガスとして、ＲＦスパッタリングにより
ＩＴＯ薄膜を形成した場合、特に、低いヒータ設定温度
でも高いホール移動度が達成されており、低温プロセス
として、非常に有効な手段であることが確認できる。
【００１１】次に、薄膜付着力の検討のため、ＩＴＯ透
明導電膜形成スパッタリング装置のヒータ内蔵の陽極上
に設けたサセプタの表面に、１〜５μｍ厚のＩＴＯ膜を
上記の各方法で形成し、その付着力を試験した。付着力
は、ＩＴＯ膜上に粘着テープを貼り着け、それを引き剥
がした際にＩＴＯ膜が剥離するか否かによって判定し
た。また、ＩＴＯ膜を約１μｍも厚く成膜したとき、剥
離が起こるか否かを肉眼観察により判定した。その結
果、ＤＣスパッタリングにより形成したＩＴＯ透明導電
膜より、ＲＦスパッタリングにより形成したＩＴＯ透明
導電膜の方が剥離しにくく、薄膜付着力に優れているこ
とが明らかとなった。同時に、Ａｒを主体とするスパッ
タリングガスにより形成したＩＴＯ透明導電膜より、Ｘ
ｅを主体とするスパッタリングガスにより形成したＩＴ
Ｏ透明導電膜の方が、薄膜付着力に優れていることが明
らかとなった。
明導電膜形成スパッタリング装置のヒータ内蔵の陽極上
に設けたサセプタの表面に、１〜５μｍ厚のＩＴＯ膜を
上記の各方法で形成し、その付着力を試験した。付着力
は、ＩＴＯ膜上に粘着テープを貼り着け、それを引き剥
がした際にＩＴＯ膜が剥離するか否かによって判定し
た。また、ＩＴＯ膜を約１μｍも厚く成膜したとき、剥
離が起こるか否かを肉眼観察により判定した。その結
果、ＤＣスパッタリングにより形成したＩＴＯ透明導電
膜より、ＲＦスパッタリングにより形成したＩＴＯ透明
導電膜の方が剥離しにくく、薄膜付着力に優れているこ
とが明らかとなった。同時に、Ａｒを主体とするスパッ
タリングガスにより形成したＩＴＯ透明導電膜より、Ｘ
ｅを主体とするスパッタリングガスにより形成したＩＴ
Ｏ透明導電膜の方が、薄膜付着力に優れていることが明
らかとなった。
【００１２】
【発明の効果】本発明によれば、スパッタリングガスに
従来のＡｒガスに代わってＸｅガスを用いることによ
り、ＤＣスパッタリング、ＲＦスパッタリングのいずれ
においても従来より低抵抗のＩＴＯ透明導電膜を形成す
ることが可能となった。この成膜方法も用いると、同時
に、薄膜付着力に優れた、すなわち、耐候性に優れたＩ
ＴＯ透明導電膜を得ることができた。そして、このよう
な低抵抗かつ高信頼性のＩＴＯ透明導電膜を低温プロセ
スにより形成できることになり、特に薄膜太陽電池の透
明電極形成に適用して、集電の際の抵抗損失を低減し、
長寿命を保証可能にすることができた。
従来のＡｒガスに代わってＸｅガスを用いることによ
り、ＤＣスパッタリング、ＲＦスパッタリングのいずれ
においても従来より低抵抗のＩＴＯ透明導電膜を形成す
ることが可能となった。この成膜方法も用いると、同時
に、薄膜付着力に優れた、すなわち、耐候性に優れたＩ
ＴＯ透明導電膜を得ることができた。そして、このよう
な低抵抗かつ高信頼性のＩＴＯ透明導電膜を低温プロセ
スにより形成できることになり、特に薄膜太陽電池の透
明電極形成に適用して、集電の際の抵抗損失を低減し、
長寿命を保証可能にすることができた。
【図１】本発明の実施例および比較例により成膜された
ＩＴＯ透明導電膜の抵抗率とヒータ設定温度との関係線
図
ＩＴＯ透明導電膜の抵抗率とヒータ設定温度との関係線
図
【図２】本発明の実施例および比較例により成膜された
ＩＴＯ透明導電膜のキャリア密度とヒータ設定温度との
関係線図
ＩＴＯ透明導電膜のキャリア密度とヒータ設定温度との
関係線図
【図３】本発明に実施例より成膜されるＩＴＯ透明導電
膜を用いる薄膜太陽電池の一例の断面図
膜を用いる薄膜太陽電池の一例の断面図
【図４】本発明に実施例より成膜されるＩＴＯ透明導電
膜を用いる薄膜太陽電池の他の例の断面図
膜を用いる薄膜太陽電池の他の例の断面図
【図５】本発明の実施例および比較例により成膜された
ＩＴＯ透明導電膜のホール移動度とヒータ設定温度との
関係線図
ＩＴＯ透明導電膜のホール移動度とヒータ設定温度との
関係線図
１ ＲＦスパッタリング（Ｘｅガス） ２ ＲＦスパッタリング（Ａｒガス） ３ ＤＣスパッタリング（Ａｒ／Ｏ2 ガス）
フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 31/04 Ｈ
Claims (6)
- 【請求項１】酸化インジウム・すずよりなるターゲット
を用い、スパッタリングガス中にグロー放電を発生させ
て基板上に成膜する酸化インジウム・すず透明導電膜の
成膜方法において、スパッタリングガスにキセノンを主
体としたガスを用いることを特徴とする酸化インジウム
・すず透明導電膜の成膜方法。 - 【請求項２】マグネトロン・スパッタリング装置による
請求項１記載の酸化インジウム・すず透明導電膜の成膜
方法。 - 【請求項３】グロー放電発生のために電極間に直流電圧
を印加する請求項１あるいは２記載の酸化インジウム・
すず透明導電膜の成膜方法。 - 【請求項４】スパッタリングガスに酸化ガスを添加する
請求項３記載の酸化インジウム・すず透明導電膜の成膜
方法。 - 【請求項５】グロー放電発生のために電極間に高周波電
圧を印加する請求項１あるいは２記載の酸化インジウム
・すず透明導電膜の成膜方法。 - 【請求項６】薄膜太陽電池の透明電極形成のために行う
請求項１ないし５のいずれかに記載の酸化インジウム・
すず透明導電膜の成膜方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7236412A JPH0978236A (ja) | 1995-09-14 | 1995-09-14 | 酸化インジウム・すず透明導電膜の成膜方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7236412A JPH0978236A (ja) | 1995-09-14 | 1995-09-14 | 酸化インジウム・すず透明導電膜の成膜方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0978236A true JPH0978236A (ja) | 1997-03-25 |
Family
ID=17000381
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7236412A Withdrawn JPH0978236A (ja) | 1995-09-14 | 1995-09-14 | 酸化インジウム・すず透明導電膜の成膜方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0978236A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6344608B2 (en) | 1998-06-30 | 2002-02-05 | Canon Kabushiki Kaisha | Photovoltaic element |
| JP2003517183A (ja) * | 1999-12-17 | 2003-05-20 | インスティチュート オブ マテリアルズ リサーチ アンド エンジニアリング | Ｏｌｅｄデバイスの品質向上のために改善された透明電極材料 |
| WO2012043570A1 (ja) | 2010-09-29 | 2012-04-05 | 東ソー株式会社 | 酸化物焼結体及びその製造方法、スパッタリングターゲット、酸化物透明導電膜及びその製造方法、並びに太陽電池 |
| JP2013175555A (ja) * | 2012-02-24 | 2013-09-05 | Tohoku Univ | 電界効果型薄膜トランジスタの製造方法及び酸化物半導体膜の形成方法 |
| JPWO2023042844A1 (ja) * | 2021-09-17 | 2023-03-23 |
-
1995
- 1995-09-14 JP JP7236412A patent/JPH0978236A/ja not_active Withdrawn
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6344608B2 (en) | 1998-06-30 | 2002-02-05 | Canon Kabushiki Kaisha | Photovoltaic element |
| JP2003517183A (ja) * | 1999-12-17 | 2003-05-20 | インスティチュート オブ マテリアルズ リサーチ アンド エンジニアリング | Ｏｌｅｄデバイスの品質向上のために改善された透明電極材料 |
| WO2012043570A1 (ja) | 2010-09-29 | 2012-04-05 | 東ソー株式会社 | 酸化物焼結体及びその製造方法、スパッタリングターゲット、酸化物透明導電膜及びその製造方法、並びに太陽電池 |
| US9399815B2 (en) | 2010-09-29 | 2016-07-26 | Tosoh Corporation | Sintered oxide material, method for manufacturing same, sputtering target, oxide transparent electrically conductive film, method for manufacturing same, and solar cell |
| JP2013175555A (ja) * | 2012-02-24 | 2013-09-05 | Tohoku Univ | 電界効果型薄膜トランジスタの製造方法及び酸化物半導体膜の形成方法 |
| JPWO2023042844A1 (ja) * | 2021-09-17 | 2023-03-23 | ||
| JP2025024115A (ja) * | 2021-09-17 | 2025-02-19 | 日東電工株式会社 | 透明導電性フィルム |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5922142A (en) | Photovoltaic devices comprising cadmium stannate transparent conducting films and method for making | |
| US5453134A (en) | Solar cell | |
| EP0781076B1 (en) | Transparent conductive laminate and electroluminescence element | |
| EP0060363B1 (en) | Method of manufacture of a pin amorphous silicon semi-conductor device | |
| JPS6184076A (ja) | 光起電力装置 | |
| WO2004065656A1 (ja) | Ｉｔｏ薄膜、その成膜方法、透明導電性フィルム及びタッチパネル | |
| US20100193352A1 (en) | Method for manufacturing solar cell | |
| WO2001045182A1 (en) | Improved transparent electrode material for quality enhancement of oled devices | |
| KR20030064604A (ko) | 투명 도전성 필름과 그 제조방법 및 그것을 사용한일렉트로루미네센스 발광소자 | |
| JP3419108B2 (ja) | 薄膜太陽電池の製造方法 | |
| EP0321136B1 (en) | Low light level solar cell | |
| CN105517335A (zh) | 一种触控屏线路板 | |
| JP2002231984A (ja) | 透明導電膜の成膜方法、半導体層の欠陥領域補償方法、光起電力素子、及びその製造方法 | |
| JPH0733301Y2 (ja) | 光電変換装置 | |
| US20040157351A1 (en) | Method of producing photovoltaic element | |
| JP4461923B2 (ja) | ｐ型透明酸化物膜の成膜方法 | |
| CN217690518U (zh) | 一种双面黑化铜导电膜 | |
| JP3346119B2 (ja) | 銀系の薄膜構造 | |
| JP2001156317A (ja) | 光起電力素子及びその製造方法 | |
| CN114927261A (zh) | 一种双面黑化铜导电膜及其制备方法 | |
| JP2815688B2 (ja) | 薄膜太陽電池の製造方法 | |
| JP3229547B2 (ja) | 太陽電池およびその製造方法 | |
| JPS6343798Y2 (ja) | ||
| CN114300571A (zh) | 一种柔性单晶薄膜光电探测器件及其制备方法 | |
| JP2001118516A (ja) | プラズマディスプレイパネル用電極及びその形成方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20040224 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20040309 |
|
| A761 | Written withdrawal of application |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A761 Effective date: 20040510 |