JPH097935A - レジストの露光方法 - Google Patents
レジストの露光方法Info
- Publication number
- JPH097935A JPH097935A JP7180876A JP18087695A JPH097935A JP H097935 A JPH097935 A JP H097935A JP 7180876 A JP7180876 A JP 7180876A JP 18087695 A JP18087695 A JP 18087695A JP H097935 A JPH097935 A JP H097935A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- thin film
- resist
- light
- light transmittance
- light source
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70425—Imaging strategies, e.g. for increasing throughput or resolution, printing product fields larger than the image field or compensating lithography- or non-lithography errors, e.g. proximity correction, mix-and-match, stitching or double patterning
- G03F7/70466—Multiple exposures, e.g. combination of fine and coarse exposures, double patterning or multiple exposures for printing a single feature
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】集積度の高いＩＣを製造することができるレジ
ストの露光方法を提供する。 【構成】入射光の強度に応じて光透過率が増大する薄膜
５をレジスト６上に塗布し、該薄膜５に光スポットを照
射して薄膜５の光透過率を局所的に増大させ、光スポッ
トとレジスト６とを相対的に走査することによって薄膜
５の光透過率増大部５ａを所望のパターンに形成し、薄
膜５の光透過率増大部５ａを通してレジスト６を露光す
ることを特徴とする。
ストの露光方法を提供する。 【構成】入射光の強度に応じて光透過率が増大する薄膜
５をレジスト６上に塗布し、該薄膜５に光スポットを照
射して薄膜５の光透過率を局所的に増大させ、光スポッ
トとレジスト６とを相対的に走査することによって薄膜
５の光透過率増大部５ａを所望のパターンに形成し、薄
膜５の光透過率増大部５ａを通してレジスト６を露光す
ることを特徴とする。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体基板上に設けたレ
ジストの露光方法に関する。
ジストの露光方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来のＩＣ製造における露光プロセスで
は、縮小投影型露光法、密接型露光（プロキシミティ）
法、密着型露光（コンタクトプリンティング）法などが
用いられてきた。
は、縮小投影型露光法、密接型露光（プロキシミティ）
法、密着型露光（コンタクトプリンティング）法などが
用いられてきた。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】上記従来の技術のう
ち、現在のところ最も解像度が高いのは縮小投影型露光
法である。しかしこの方法では光学的に形成したレチク
ル像で露光を行うために、回折限界による解像力の上限
があり、分解能は投影に用いる光の波長程度に制限され
ている。密接型露光法では、マスクとレジストとの間隔
をむやみに小さくできないために、一般的に解像力は縮
小投影露光法よりもさらに劣る。しかもマスクとレジス
トとの間隔が解像力に大きく影響するために、マスクの
平面度に極めて厳しい仕様が要求され、高解像化を妨げ
る大きな要因になっている。密着型露光では原理的には
回折限界は存在しないが、マスクを接触させるためレジ
ストの傷や汚れが無視できず、集積度の高いＩＣでは実
用にならない。したがって本発明は、集積度の高いＩＣ
を製造することができるレジストの露光方法を提供する
ことを目的とする。
ち、現在のところ最も解像度が高いのは縮小投影型露光
法である。しかしこの方法では光学的に形成したレチク
ル像で露光を行うために、回折限界による解像力の上限
があり、分解能は投影に用いる光の波長程度に制限され
ている。密接型露光法では、マスクとレジストとの間隔
をむやみに小さくできないために、一般的に解像力は縮
小投影露光法よりもさらに劣る。しかもマスクとレジス
トとの間隔が解像力に大きく影響するために、マスクの
平面度に極めて厳しい仕様が要求され、高解像化を妨げ
る大きな要因になっている。密着型露光では原理的には
回折限界は存在しないが、マスクを接触させるためレジ
ストの傷や汚れが無視できず、集積度の高いＩＣでは実
用にならない。したがって本発明は、集積度の高いＩＣ
を製造することができるレジストの露光方法を提供する
ことを目的とする。
【０００４】
【課題を解決するための装置】本発明は上記目的を達成
するためになされたものであり、すなわち、入射光の強
度に応じて光透過率が増大する薄膜をレジスト上に塗布
し、該薄膜に光スポットを照射して薄膜の光透過率を局
所的に増大させ、光スポットとレジストとを相対的に走
査することによって薄膜の光透過率増大部を所望のパタ
ーンに形成し、薄膜の光透過率増大部を通してレジスト
を露光するレジストの露光方法である。その際、前記薄
膜として、一定の融点又は昇華点を持つ不透明薄膜を用
い、光スポットによって薄膜の温度が局所的にその融点
又は昇華点を越えることにより、薄膜の光透過率を増大
させることができる。
するためになされたものであり、すなわち、入射光の強
度に応じて光透過率が増大する薄膜をレジスト上に塗布
し、該薄膜に光スポットを照射して薄膜の光透過率を局
所的に増大させ、光スポットとレジストとを相対的に走
査することによって薄膜の光透過率増大部を所望のパタ
ーンに形成し、薄膜の光透過率増大部を通してレジスト
を露光するレジストの露光方法である。その際、前記薄
膜として、一定の融点又は昇華点を持つ不透明薄膜を用
い、光スポットによって薄膜の温度が局所的にその融点
又は昇華点を越えることにより、薄膜の光透過率を増大
させることができる。
【０００５】
【作用】光強度に依存して光透過率が変化するような性
質は、一般に物質の非線形光学効果として扱われるが、
簡単のため先ず一定の融点を持つ不透明薄膜について説
明する。このような薄膜の上をレーザ走査型露光装置で
走査すると、レーザスポットの当たった部分では不透明
薄膜の温度が上昇する。しかるに図１に示すように、レ
ーザスポットの光強度分布は一般にガウス分布をなして
いるから、薄膜５の温度分布もほぼガウス分布をなす。
したがってレーザパワーを調節することにより、レーザ
スポットサイズφよりもはるかに狭い領域ｗだけの温度
を、融点以上とすることができる。この領域ｗでの薄膜
５は融点以上となって溶け、溶けた部分５ａは光が通る
ようになるから、たとえばレーザスポットを直線状に走
査した場合、不透明薄膜５上にレーザスポットサイズφ
よりもはるかに細い幅ｗの直線状の光透過部分５ａを形
成することができる。こうして得られる不透明薄膜５の
光透過部分５ａは、その幅ｗを細くすることができるだ
けでなく、一定間隔をおいて複数の直線状の光透過部分
５ａを形成した場合、その周期を光学的遮断周波数で決
まる回折限界値よりもはるかに小さくすることができ
る。したがって不透明薄膜５の光透過部分５ａによって
形成されるパターンは、基本的に光の回折による分解能
の制限を受けない。
質は、一般に物質の非線形光学効果として扱われるが、
簡単のため先ず一定の融点を持つ不透明薄膜について説
明する。このような薄膜の上をレーザ走査型露光装置で
走査すると、レーザスポットの当たった部分では不透明
薄膜の温度が上昇する。しかるに図１に示すように、レ
ーザスポットの光強度分布は一般にガウス分布をなして
いるから、薄膜５の温度分布もほぼガウス分布をなす。
したがってレーザパワーを調節することにより、レーザ
スポットサイズφよりもはるかに狭い領域ｗだけの温度
を、融点以上とすることができる。この領域ｗでの薄膜
５は融点以上となって溶け、溶けた部分５ａは光が通る
ようになるから、たとえばレーザスポットを直線状に走
査した場合、不透明薄膜５上にレーザスポットサイズφ
よりもはるかに細い幅ｗの直線状の光透過部分５ａを形
成することができる。こうして得られる不透明薄膜５の
光透過部分５ａは、その幅ｗを細くすることができるだ
けでなく、一定間隔をおいて複数の直線状の光透過部分
５ａを形成した場合、その周期を光学的遮断周波数で決
まる回折限界値よりもはるかに小さくすることができ
る。したがって不透明薄膜５の光透過部分５ａによって
形成されるパターンは、基本的に光の回折による分解能
の制限を受けない。
【０００６】しかし、いかに不透明薄膜上に微細なパタ
ーン５ａが形成できても、それがレジスト６に露光され
なければ意味はない。本発明ではこの露光にエバネッセ
ント光を用いることでこれを可能にしている。一般に、
物体のもつ空間周波数成分のうち光学的遮断周波数を越
える帯域は、回折の結果進行波ではなくエバネッセント
波に変換される。このエバネッセント波は物体近傍に留
まり空間を伝播することがないので、結像光学系を用い
てエバント波の持つ情報を取り出すことはできない。し
かし本発明の方法では、上述したように光学的遮断周波
数を越える微細なパターン５ａを形成した不透明薄膜５
がレジスト６上にコーティングしてあるため、微細パタ
ーン５ａで光が回折した結果生成されるエバネッセント
光も、すべてレジスト６の露光に寄与することができ
る。したがって不透明薄膜５上に形成された微細なパタ
ーン５ａは、回折限界の制限なくレジスト６に露光され
る。
ーン５ａが形成できても、それがレジスト６に露光され
なければ意味はない。本発明ではこの露光にエバネッセ
ント光を用いることでこれを可能にしている。一般に、
物体のもつ空間周波数成分のうち光学的遮断周波数を越
える帯域は、回折の結果進行波ではなくエバネッセント
波に変換される。このエバネッセント波は物体近傍に留
まり空間を伝播することがないので、結像光学系を用い
てエバント波の持つ情報を取り出すことはできない。し
かし本発明の方法では、上述したように光学的遮断周波
数を越える微細なパターン５ａを形成した不透明薄膜５
がレジスト６上にコーティングしてあるため、微細パタ
ーン５ａで光が回折した結果生成されるエバネッセント
光も、すべてレジスト６の露光に寄与することができ
る。したがって不透明薄膜５上に形成された微細なパタ
ーン５ａは、回折限界の制限なくレジスト６に露光され
る。
【０００７】上記の不透明薄膜として、入射光強度に依
存して光透過率が増大するような非線形光学効果を持っ
た薄膜を考える場合も、基本的には同じことである。薄
膜の光透過率が入射光強度に依存せずに一様なときに
は、この薄膜を透過したレーザ光の強度分布は当然にも
との分布のまま、すなわち元の分布の１乗に比例する
が、光透過率が入射光強度に比例するときには、この薄
膜を透過したレーザ光の強度分布はもとの分布の２乗に
比例する。一般に光透過率が入射光強度のｎ乗に比例す
るとき、この薄膜を透過したレーザスポット強度分布は
もとの分布のｎ＋１乗となり、ｎが大きければ大きいほ
どスポットは微小になる。したがって図２に示すよう
に、ある入射光強度を境として光透過率が急激に変化す
るように、入射光強度に対する光透過率がしきい値を持
つことが好ましい。フーリエ光学によればスポット強度
分布が通常の場合のｎ＋１乗になるとき、このスポット
の走査によって得られる光学像の遮断周波数は通常の場
合のｎ＋１倍になる。ｎがあまりに大きいと、薄膜を透
過した光が部分的にエバネッセント光に変換されるが、
本発明の方式ではエバネッセント光を含めた露光が行わ
れるため、なんら問題はない。
存して光透過率が増大するような非線形光学効果を持っ
た薄膜を考える場合も、基本的には同じことである。薄
膜の光透過率が入射光強度に依存せずに一様なときに
は、この薄膜を透過したレーザ光の強度分布は当然にも
との分布のまま、すなわち元の分布の１乗に比例する
が、光透過率が入射光強度に比例するときには、この薄
膜を透過したレーザ光の強度分布はもとの分布の２乗に
比例する。一般に光透過率が入射光強度のｎ乗に比例す
るとき、この薄膜を透過したレーザスポット強度分布は
もとの分布のｎ＋１乗となり、ｎが大きければ大きいほ
どスポットは微小になる。したがって図２に示すよう
に、ある入射光強度を境として光透過率が急激に変化す
るように、入射光強度に対する光透過率がしきい値を持
つことが好ましい。フーリエ光学によればスポット強度
分布が通常の場合のｎ＋１乗になるとき、このスポット
の走査によって得られる光学像の遮断周波数は通常の場
合のｎ＋１倍になる。ｎがあまりに大きいと、薄膜を透
過した光が部分的にエバネッセント光に変換されるが、
本発明の方式ではエバネッセント光を含めた露光が行わ
れるため、なんら問題はない。
【０００８】
【実施例】本発明の実施例を図面によって説明する。図
３は本発明の第１実施例を示し、レーザ光源１は光源制
御装置８によって制御されており、レーザ光源１から射
出したレーザ光は、コンデンサレンズ２によって平行光
に変換されている。この平行光はＸ−Ｙ２次元光走査装
置３に入射しており、こうしてレーザ光は、２次元走査
装置３によって光軸と直交する平面方向に走査するよう
に形成されている。２次元光走査装置３としては、一対
のガルバノミラー、ポリゴンミラー、音響光学素子など
を用いることができる。２次元走査装置３を射出したレ
ーザ光は投影レンズ４によって集光されており、この投
影レンズ４は、ウエハ７上のレジスト６上にコーティン
グされた不透明薄膜５上に、微小なレーザスポットを形
成するように配置されている。
３は本発明の第１実施例を示し、レーザ光源１は光源制
御装置８によって制御されており、レーザ光源１から射
出したレーザ光は、コンデンサレンズ２によって平行光
に変換されている。この平行光はＸ−Ｙ２次元光走査装
置３に入射しており、こうしてレーザ光は、２次元走査
装置３によって光軸と直交する平面方向に走査するよう
に形成されている。２次元光走査装置３としては、一対
のガルバノミラー、ポリゴンミラー、音響光学素子など
を用いることができる。２次元走査装置３を射出したレ
ーザ光は投影レンズ４によって集光されており、この投
影レンズ４は、ウエハ７上のレジスト６上にコーティン
グされた不透明薄膜５上に、微小なレーザスポットを形
成するように配置されている。
【０００９】本実施例は以上のように形成されており、
不透明薄膜５はレーザのもたらす熱によって局所的に昇
温し、その結果薄膜５が局所的に溶けて部分的に穴があ
く。このような特性を有する薄膜として、たとえばライ
トワンス型光ディスクの記録材料として知られる酸化テ
ルルなどが挙げられる。不透明薄膜５の穴のあいた部分
からは光がレジスト６へ透過するようになるから、不透
明薄膜５の光透過部分が所望のパターンとなるように、
２次元走査装置３によってレーザスポットを移動し、同
時に光源１の出力を光源制御装置８で制御する。これに
よりレジスト６に所望のパターンの露光を行うことがで
きる。このとき不透明薄膜５の光透過部分の径はレーザ
スポットの径よりもはるかに小さくすることが可能であ
り、回折限界の制限を受けない。また、レジスト６が不
透明薄膜５に密着しているため、エバネッセント波を含
めたすべての回折波が露光に寄与する。したがって本実
施例によれば、回折限界を越える微細なパターンの露光
が可能になる。
不透明薄膜５はレーザのもたらす熱によって局所的に昇
温し、その結果薄膜５が局所的に溶けて部分的に穴があ
く。このような特性を有する薄膜として、たとえばライ
トワンス型光ディスクの記録材料として知られる酸化テ
ルルなどが挙げられる。不透明薄膜５の穴のあいた部分
からは光がレジスト６へ透過するようになるから、不透
明薄膜５の光透過部分が所望のパターンとなるように、
２次元走査装置３によってレーザスポットを移動し、同
時に光源１の出力を光源制御装置８で制御する。これに
よりレジスト６に所望のパターンの露光を行うことがで
きる。このとき不透明薄膜５の光透過部分の径はレーザ
スポットの径よりもはるかに小さくすることが可能であ
り、回折限界の制限を受けない。また、レジスト６が不
透明薄膜５に密着しているため、エバネッセント波を含
めたすべての回折波が露光に寄与する。したがって本実
施例によれば、回折限界を越える微細なパターンの露光
が可能になる。
【００１０】なお上記実施例ではレーザビームを走査し
たが、ビームを固定し、ウエハ７を搭載したステージ
（図示せず）の方を走査させることもできる。またレジ
スト６上にコーティングする薄膜５は、現像時に剥離さ
れるような性質を持っていることが望ましい。また、不
透明薄膜５での回折で生じたエバネッセント光は、レジ
スト６中で光軸方向に急激に減衰し、且つ高い空間周波
数を伝えるエバネッセント光ほど減衰が早いので、薄く
且つ高感度なレジスト６を用いることが好ましい。
たが、ビームを固定し、ウエハ７を搭載したステージ
（図示せず）の方を走査させることもできる。またレジ
スト６上にコーティングする薄膜５は、現像時に剥離さ
れるような性質を持っていることが望ましい。また、不
透明薄膜５での回折で生じたエバネッセント光は、レジ
スト６中で光軸方向に急激に減衰し、且つ高い空間周波
数を伝えるエバネッセント光ほど減衰が早いので、薄く
且つ高感度なレジスト６を用いることが好ましい。
【００１１】また上記実施例では薄膜５のパターニング
とレジスト６の露光とを同時に行ったが、不透明薄膜５
に一度あいた穴は、再びふさがることはないと考えられ
るため、先ず薄膜５のパターニングのみを行い、しかる
後にレジスト６を一括して露光することもできる。その
ときにはレジスト６の一括露光に際して、例えば投影レ
ンズ４を除去すればよい。なお照明強度を均一化するた
めに、薄膜５のパターニングとレジスト６の露光とは別
に行う方がより好ましい。
とレジスト６の露光とを同時に行ったが、不透明薄膜５
に一度あいた穴は、再びふさがることはないと考えられ
るため、先ず薄膜５のパターニングのみを行い、しかる
後にレジスト６を一括して露光することもできる。その
ときにはレジスト６の一括露光に際して、例えば投影レ
ンズ４を除去すればよい。なお照明強度を均一化するた
めに、薄膜５のパターニングとレジスト６の露光とは別
に行う方がより好ましい。
【００１２】次に図４は本発明の第２実施例を示す。上
記第１実施例では、光源１が不透明薄膜５のパターニン
グとレジスト６の露光との両方を兼用していたが、この
第２実施例では、不透明薄膜５のパターニングを行うた
めの走査用の光源１０と、レジスト６の露光用の光源１
１とをそれぞれ独立に装備したものである。露光用光源
１１から出た光はレンズ１２を通り、２次元走査装置３
と投影レンズ４との間に介在させたとハーフミラー１３
によって反射し、投影レンズ４を経て不透明薄膜５上を
照射している。ハーフミラー１３としては、走査用光源
１０と露光用光源１１との波長が異なる場合には波長選
択ミラーを用いることもでき、もちろん着脱式のミラー
でもよい。投影レンズ４は、露光用光源１１に対しては
単なる照明レンズとして働くだけなので、収差は走査用
光源１０の波長に対してのみ補正されていればよい。
記第１実施例では、光源１が不透明薄膜５のパターニン
グとレジスト６の露光との両方を兼用していたが、この
第２実施例では、不透明薄膜５のパターニングを行うた
めの走査用の光源１０と、レジスト６の露光用の光源１
１とをそれぞれ独立に装備したものである。露光用光源
１１から出た光はレンズ１２を通り、２次元走査装置３
と投影レンズ４との間に介在させたとハーフミラー１３
によって反射し、投影レンズ４を経て不透明薄膜５上を
照射している。ハーフミラー１３としては、走査用光源
１０と露光用光源１１との波長が異なる場合には波長選
択ミラーを用いることもでき、もちろん着脱式のミラー
でもよい。投影レンズ４は、露光用光源１１に対しては
単なる照明レンズとして働くだけなので、収差は走査用
光源１０の波長に対してのみ補正されていればよい。
【００１３】この第２実施例のように露光用の光源１１
を独立に装備することにより、走査用光源１０は単に不
透明薄膜５のパターニングとしてのみ用い、レジスト６
の実際の露光を、不透明薄膜５のパターニングの後に一
括して行うことが容易になる。但し例えば２次元走査装
置３とハーフミラー１３とを入れ替えて配置することに
より、走査用光源１０によって不透明薄膜５のパターニ
ングを行い、このパターニングと同時に露光用光源１１
によってレジスト６の露光を行うこともできる。
を独立に装備することにより、走査用光源１０は単に不
透明薄膜５のパターニングとしてのみ用い、レジスト６
の実際の露光を、不透明薄膜５のパターニングの後に一
括して行うことが容易になる。但し例えば２次元走査装
置３とハーフミラー１３とを入れ替えて配置することに
より、走査用光源１０によって不透明薄膜５のパターニ
ングを行い、このパターニングと同時に露光用光源１１
によってレジスト６の露光を行うこともできる。
【００１４】次に、上記各実施例ではレジスト６上に塗
布する不透明薄膜５の温度が、部分的にその融点を越え
るようにレーザスポットによって昇温させたが、レジス
ト６上に塗布する薄膜としては、入射光強度に依存して
光透過率が増大するような非線形光学薄膜を用いること
もできる。これは一般に、非線形光学効果における飽和
吸収の特性を示すような薄膜である。この場合にも、同
一の光源１を用いて薄膜のパターニングとレジストの露
光とを行うこともできるし、走査用の光源１０と露光用
の光源１１とを別々に設けることもできる。但し走査用
の光源と露光用の光源とを別々に設ける場合には、光透
過率の波長依存性に注意して露光用光源１１の波長を選
ぶ必要がある。
布する不透明薄膜５の温度が、部分的にその融点を越え
るようにレーザスポットによって昇温させたが、レジス
ト６上に塗布する薄膜としては、入射光強度に依存して
光透過率が増大するような非線形光学薄膜を用いること
もできる。これは一般に、非線形光学効果における飽和
吸収の特性を示すような薄膜である。この場合にも、同
一の光源１を用いて薄膜のパターニングとレジストの露
光とを行うこともできるし、走査用の光源１０と露光用
の光源１１とを別々に設けることもできる。但し走査用
の光源と露光用の光源とを別々に設ける場合には、光透
過率の波長依存性に注意して露光用光源１１の波長を選
ぶ必要がある。
【００１５】またいずれの場合にも、レーザ光源１又は
走査用光源１０からのレーザ光によって増大した薄膜の
光透過率が、その後にレーザ光をなくしても増大した光
透過率を維持している場合には、薄膜のパターニングの
後にレジストを一括して露光することができる。但し一
括露光を行う場合には、光学像の遮断周波数はｎ＋１倍
ではなくｎ倍にしかならないことに注意する必要があ
る。これに対してレーザ光源１又は走査用光源１０から
の光をなくすと薄膜の光透過率が元の値に復するときに
は、薄膜のパターニングとレジストの露光とを同時に行
えばよい。
走査用光源１０からのレーザ光によって増大した薄膜の
光透過率が、その後にレーザ光をなくしても増大した光
透過率を維持している場合には、薄膜のパターニングの
後にレジストを一括して露光することができる。但し一
括露光を行う場合には、光学像の遮断周波数はｎ＋１倍
ではなくｎ倍にしかならないことに注意する必要があ
る。これに対してレーザ光源１又は走査用光源１０から
の光をなくすと薄膜の光透過率が元の値に復するときに
は、薄膜のパターニングとレジストの露光とを同時に行
えばよい。
【００１６】
【発明の効果】以上のように本発明によれば、回折限界
による制限を受けずに微細なパターンをレジストに露光
することが可能となり、したがって集積度の高いＩＣを
製造することができる。
による制限を受けずに微細なパターンをレジストに露光
することが可能となり、したがって集積度の高いＩＣを
製造することができる。
【図１】薄膜の融点を利用するときの本発明の原理を示
す説明図
す説明図
【図２】薄膜の光透過率特性を利用するときの本発明の
原理を示す説明図
原理を示す説明図
【図３】本発明の第１実施例の装置を示す概略構成図
【図４】第２実施例の装置を示す概略構成図
１…レーザ光源 ２…コンデンサレンズ ３
…２次元走査装置 ４…投影レンズ ５…薄膜 ５
ａ…光透過率増大部 ６…レジスト ７…ウエハ ８
…光源制御装置 １０…走査用光源 １１…露光用光源 １
２…レンズ １３…ハーフミラー
…２次元走査装置 ４…投影レンズ ５…薄膜 ５
ａ…光透過率増大部 ６…レジスト ７…ウエハ ８
…光源制御装置 １０…走査用光源 １１…露光用光源 １
２…レンズ １３…ハーフミラー
Claims (6)
- 【請求項１】入射光の強度に応じて光透過率が増大する
薄膜をレジスト上に塗布し、該薄膜に光スポットを照射
して薄膜の前記光透過率を局所的に増大させ、前記光ス
ポットと前記レジストとを相対的に走査することによっ
て薄膜の前記光透過率増大部を所望のパターンに形成
し、薄膜の前記光透過率増大部を通して前記レジストを
露光するレジストの露光方法。 - 【請求項２】前記薄膜は、一定の融点又は昇華点を持つ
不透明薄膜であり、前記光スポットによって前記薄膜の
温度が局所的に前記融点又は昇華点を越えることにより
前記光透過率が増大するものである、請求項１記載のレ
ジストの露光方法。 - 【請求項３】前記薄膜に前記光スポットを照射する光源
と同一の光源を用いて、前記レジストを露光する、請求
項１又は２記載のレジストの露光方法。 - 【請求項４】前記薄膜に前記光スポットを照射する光源
とは別に設けた光源を用いて、前記レジストを露光す
る、請求項１又は２記載のレジストの露光方法。 - 【請求項５】前記薄膜の光透過率を局所的に増大させる
工程と、前記レジストの露光とを、同時に行う、請求項
３又は４記載のレジストの露光方法。 - 【請求項６】前記薄膜の光透過率を局所的に増大させる
工程の後に、前記レジストを露光する、請求項３又は４
記載のレジストの露光方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7180876A JPH097935A (ja) | 1995-06-23 | 1995-06-23 | レジストの露光方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7180876A JPH097935A (ja) | 1995-06-23 | 1995-06-23 | レジストの露光方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH097935A true JPH097935A (ja) | 1997-01-10 |
Family
ID=16090891
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7180876A Pending JPH097935A (ja) | 1995-06-23 | 1995-06-23 | レジストの露光方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH097935A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001319875A (ja) * | 2000-03-03 | 2001-11-16 | Canon Inc | 近接場光による露光方法と露光装置、及び露光マスク |
| US6692894B1 (en) | 1999-08-30 | 2004-02-17 | Agency Of Industrial Science And Technology | Photolithographic pattern-forming material and method for formation of fine pattern therwith |
| US6721040B2 (en) | 2001-01-26 | 2004-04-13 | Canon Kabushiki Kaisha | Exposure method and apparatus using near field light |
| WO2006046475A1 (ja) * | 2004-10-26 | 2006-05-04 | Tokyo Institute Of Technology | 高解像度パターン転写方法 |
| JP2023502600A (ja) * | 2019-11-19 | 2023-01-25 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | リソグラフィ装置、パターニングシステム、及び積層構造体をパターニングする方法 |
-
1995
- 1995-06-23 JP JP7180876A patent/JPH097935A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6692894B1 (en) | 1999-08-30 | 2004-02-17 | Agency Of Industrial Science And Technology | Photolithographic pattern-forming material and method for formation of fine pattern therwith |
| JP2001319875A (ja) * | 2000-03-03 | 2001-11-16 | Canon Inc | 近接場光による露光方法と露光装置、及び露光マスク |
| US6721040B2 (en) | 2001-01-26 | 2004-04-13 | Canon Kabushiki Kaisha | Exposure method and apparatus using near field light |
| WO2006046475A1 (ja) * | 2004-10-26 | 2006-05-04 | Tokyo Institute Of Technology | 高解像度パターン転写方法 |
| JP2023502600A (ja) * | 2019-11-19 | 2023-01-25 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | リソグラフィ装置、パターニングシステム、及び積層構造体をパターニングする方法 |
| US11994804B2 (en) | 2019-11-19 | 2024-05-28 | Applied Materials, Inc. | Lithography apparatus, patterning system, and method of patterning a layered structure |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP4124396B2 (ja) | ホログラムの製造方法および装置 | |
| US7459242B2 (en) | Method and system for repairing defected photomasks | |
| JP4132750B2 (ja) | フェムト秒レーザー照射による量子ドット素子の作成方法 | |
| US4857425A (en) | Manufacture of integrated circuits using holographic techniques | |
| US6949215B2 (en) | Method for processing a three-dimensional structure by laser | |
| JP2799080B2 (ja) | レーザ加工方法とその装置並びに透過型液晶素子、配線パターン欠陥修正方法とその装置 | |
| US10101652B2 (en) | Exposure method, method of fabricating periodic microstructure, method of fabricating grid polarizing element and exposure apparatus | |
| US7436423B2 (en) | Apparatus and method of making a grayscale photo mask and an optical grayscale element | |
| US20040124184A1 (en) | Method and apparatus for forming periodic structures | |
| JPS62115166A (ja) | 光マスクとその製造方法 | |
| JP2005161372A (ja) | レーザ加工装置、構造体、光学素子、及びレーザ加工法 | |
| JPH097935A (ja) | レジストの露光方法 | |
| TWI894414B (zh) | 雷射加工裝置及雷射加工方法 | |
| JPH10270330A (ja) | パターン形成方法及び装置 | |
| JP2878490B2 (ja) | マスク修正方法及びそれに用いる装置及びマスク | |
| JP4292906B2 (ja) | レーザパターニング方法 | |
| JPH03210987A (ja) | 光処理装置 | |
| JPH10189416A (ja) | パターン形成方法及び装置 | |
| JPH0511454A (ja) | ホログラム描画装置 | |
| KR20130132782A (ko) | 음의 경사 측벽들을 갖는 메사 구조물들의 레이저 직접 기록을 위한 시스템 | |
| JP2002365454A (ja) | フォトニック結晶及びその製造装置と製造方法、並びに導波路の製造装置及び製造方法 | |
| Su et al. | Laser direct-write optical grating lenses and lenslet arrays on glass for optical interconnect applications | |
| JPH09103897A (ja) | 光加工法 | |
| JPH0943851A (ja) | 投影露光装置 | |
| JPH11109117A (ja) | 回折光学素子の製造方法及び製造装置 |