JPH097956A - 半導体熱処理用電気抵抗発熱体 - Google Patents
半導体熱処理用電気抵抗発熱体Info
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- JPH097956A JPH097956A JP7171591A JP17159195A JPH097956A JP H097956 A JPH097956 A JP H097956A JP 7171591 A JP7171591 A JP 7171591A JP 17159195 A JP17159195 A JP 17159195A JP H097956 A JPH097956 A JP H097956A
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 7
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 42
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 34
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 24
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 23
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 23
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 45
- 238000001947 vapour-phase growth Methods 0.000 claims description 16
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 14
- 229910021431 alpha silicon carbide Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 238000000576 coating method Methods 0.000 abstract description 5
- 230000002708 enhancing effect Effects 0.000 abstract 1
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 37
- 238000000034 method Methods 0.000 description 7
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 2
- 239000003575 carbonaceous material Substances 0.000 description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 2
- 238000001000 micrograph Methods 0.000 description 2
- 229910003465 moissanite Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 2
- 238000010791 quenching Methods 0.000 description 2
- 230000000171 quenching effect Effects 0.000 description 2
- 238000004098 selected area electron diffraction Methods 0.000 description 2
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910018540 Si C Inorganic materials 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 229910021419 crystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- MROCJMGDEKINLD-UHFFFAOYSA-N dichlorosilane Chemical compound Cl[SiH2]Cl MROCJMGDEKINLD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000003628 erosive effect Effects 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 238000003780 insertion Methods 0.000 description 1
- 230000037431 insertion Effects 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 238000002791 soaking Methods 0.000 description 1
- 238000000859 sublimation Methods 0.000 description 1
- 230000008022 sublimation Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Resistance Heating (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 使用条件下で十分な強度を確保できる半導体
熱処理用電気抵抗発熱体を提供する。 【構成】 ウエハをウエハ保持部材で支持し、該ウエハ
保持部材の下方に配置する発熱体によりウエハを加熱し
て、ウエハ表面に気相成長膜を形成する気相成長装置に
用いる発熱体において、発熱体が、炭素基材と、その表
面に設けた炭化珪素質膜からなり、炭化珪素質膜の熱膨
張係数よりも炭素基材の熱膨張係数を高くし、その炭素
基材の熱膨張係数を４．３〜６．０×１０-6／℃（２０
℃〜４５０℃）にすることを特徴とする半導体熱処理用
電気抵抗発熱体。
熱処理用電気抵抗発熱体を提供する。 【構成】 ウエハをウエハ保持部材で支持し、該ウエハ
保持部材の下方に配置する発熱体によりウエハを加熱し
て、ウエハ表面に気相成長膜を形成する気相成長装置に
用いる発熱体において、発熱体が、炭素基材と、その表
面に設けた炭化珪素質膜からなり、炭化珪素質膜の熱膨
張係数よりも炭素基材の熱膨張係数を高くし、その炭素
基材の熱膨張係数を４．３〜６．０×１０-6／℃（２０
℃〜４５０℃）にすることを特徴とする半導体熱処理用
電気抵抗発熱体。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体熱処理用装置特に
エピタキシャル成長装置に用いられる発熱体に関する。
エピタキシャル成長装置に用いられる発熱体に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来から使用されている気相成長装置
は、例えば特開平５−１５２２０７号に示されている。
ウエハはウエハ保持部材で支持して、該ウエハ保持部材
の下方に配置する発熱体により加熱して、ウエハ表面に
気相成長膜を形成する。
は、例えば特開平５−１５２２０７号に示されている。
ウエハはウエハ保持部材で支持して、該ウエハ保持部材
の下方に配置する発熱体により加熱して、ウエハ表面に
気相成長膜を形成する。
【０００３】上記の気相成長装置においては、ベースの
下面に上方に向かって伸びる中空円筒体が取付けられ、
その上端に発熱体支えが取付けられており、その上方に
は皿状の反射板が配置され、その内部に発熱体を収容す
ると共に上端に均熱板が取付けられている。上記皿状の
反射板の上端は上記均熱板の上方に位置し、この上端に
はリング状のサセプタが嵌着されている。サセプタの内
周側にはザグリが形成され、この内にウエハが配置され
る。反応室内は５０〜４００Ｔｏｒｒの減圧雰囲気が形
成され、ガス導入口からジクロルシラン等の原料ガスと
水素等のキャリアガスが多量に導入され、気相成長が行
われる。ウエハ温度は１１５０℃程度に加熱される。
下面に上方に向かって伸びる中空円筒体が取付けられ、
その上端に発熱体支えが取付けられており、その上方に
は皿状の反射板が配置され、その内部に発熱体を収容す
ると共に上端に均熱板が取付けられている。上記皿状の
反射板の上端は上記均熱板の上方に位置し、この上端に
はリング状のサセプタが嵌着されている。サセプタの内
周側にはザグリが形成され、この内にウエハが配置され
る。反応室内は５０〜４００Ｔｏｒｒの減圧雰囲気が形
成され、ガス導入口からジクロルシラン等の原料ガスと
水素等のキャリアガスが多量に導入され、気相成長が行
われる。ウエハ温度は１１５０℃程度に加熱される。
【０００４】上記のような従来の気相成長装置において
は、発熱体として、高純度化処理された炭素材料あるい
はこの炭素材料の表面に炭化珪素質膜をコーティングし
た材料が用いられていた。
は、発熱体として、高純度化処理された炭素材料あるい
はこの炭素材料の表面に炭化珪素質膜をコーティングし
た材料が用いられていた。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな気相成長装置においても、大量生産性が重要課題で
あり、そのためにウエハの急熱、急冷が加速され、ま
た、製造過程において処理するウエハの挿入間隔が短縮
化されてきている。
うな気相成長装置においても、大量生産性が重要課題で
あり、そのためにウエハの急熱、急冷が加速され、ま
た、製造過程において処理するウエハの挿入間隔が短縮
化されてきている。
【０００６】従って、従来使用されていた炭化珪素質膜
をコーティングした炭素からなる発熱体では、最近の急
熱急冷の過酷な使用条件下で熱膨張の違いから使用時の
炭化珪素質膜と炭素基材との強度が重要になってきた。
炭化珪素質膜の強度が５０〜４００ＭＰａで炭素基材の
強度が２０〜６０ＭＰａと少ない為に、高温の過酷な使
用条件下で基材から膜にクラックが発生しやすくなり、
充分な寿命が確保できなかった。
をコーティングした炭素からなる発熱体では、最近の急
熱急冷の過酷な使用条件下で熱膨張の違いから使用時の
炭化珪素質膜と炭素基材との強度が重要になってきた。
炭化珪素質膜の強度が５０〜４００ＭＰａで炭素基材の
強度が２０〜６０ＭＰａと少ない為に、高温の過酷な使
用条件下で基材から膜にクラックが発生しやすくなり、
充分な寿命が確保できなかった。
【０００７】本発明の目的は、使用条件下で十分な強度
を確保できる半導体熱処理用電気抵抗発熱体を提供する
ことである。
を確保できる半導体熱処理用電気抵抗発熱体を提供する
ことである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明は、ウエハをウエ
ハ保持部材で支持し、ウエハを加熱して、ウエハ表面に
気相成長膜を形成する気相成長装置において、ウエハを
加熱するための発熱体が、炭素基材と、その表面に設け
た炭化珪素質膜からなり、炭化珪素質膜の熱膨張係数よ
りも炭素基材の熱膨張係数を高くし、その炭素基材の熱
膨張係数を４．３〜６．０×１０-6／℃（２０℃〜４５
０℃）にすることを特徴とする半導体熱処理用電気抵抗
発熱体を要旨とする。
ハ保持部材で支持し、ウエハを加熱して、ウエハ表面に
気相成長膜を形成する気相成長装置において、ウエハを
加熱するための発熱体が、炭素基材と、その表面に設け
た炭化珪素質膜からなり、炭化珪素質膜の熱膨張係数よ
りも炭素基材の熱膨張係数を高くし、その炭素基材の熱
膨張係数を４．３〜６．０×１０-6／℃（２０℃〜４５
０℃）にすることを特徴とする半導体熱処理用電気抵抗
発熱体を要旨とする。
【０００９】好ましくは、炭化珪素質膜がβ−ＳｉＣ結
晶粒子の中にα−ＳｉＣを筋状に介在させた複合組織の
ものである。
晶粒子の中にα−ＳｉＣを筋状に介在させた複合組織の
ものである。
【００１０】
【実施例】本発明による発熱体は、ウエハをウエハ保持
部材で支持し、ウエハ保持部材の下方に配置する発熱体
によりウエハを加熱して、ウエハ表面に気相成長膜を形
成する気相成長装置に用いる。発熱体が、炭素基材と、
その表面に設けた炭化珪素質膜からなる。
部材で支持し、ウエハ保持部材の下方に配置する発熱体
によりウエハを加熱して、ウエハ表面に気相成長膜を形
成する気相成長装置に用いる。発熱体が、炭素基材と、
その表面に設けた炭化珪素質膜からなる。
【００１１】発熱体は、熱膨張係数が４．３〜６．０×
１０-6／℃（２０℃〜４５０℃）である等方性炭素を基
材として使用し、その炭素基材の表面にＣＶＤコーティ
ング法により炭化珪素質膜を形成し、炭素基材が炭化珪
素質膜で覆われている。炭化珪素質膜の熱膨張係よりも
炭素基材の熱膨張係数を高くする。これにより、膜に残
留応力が残るようになり、高温の過酷な使用条件下で充
分な寿命が確保できる。なお、本発明の炭化珪素質膜の
熱膨張係数は、３．８×１０-6／℃（２０℃〜４５０
℃）である。
１０-6／℃（２０℃〜４５０℃）である等方性炭素を基
材として使用し、その炭素基材の表面にＣＶＤコーティ
ング法により炭化珪素質膜を形成し、炭素基材が炭化珪
素質膜で覆われている。炭化珪素質膜の熱膨張係よりも
炭素基材の熱膨張係数を高くする。これにより、膜に残
留応力が残るようになり、高温の過酷な使用条件下で充
分な寿命が確保できる。なお、本発明の炭化珪素質膜の
熱膨張係数は、３．８×１０-6／℃（２０℃〜４５０
℃）である。
【００１２】炭化珪素質膜は、β−ＳｉＣとα−ＳｉＣ
の複合組織であって、かつ少量のα−ＳｉＣがβ−Ｓｉ
Ｃの中に点在している状態にする。たとえば、α−Ｓｉ
Ｃは炭化珪素質膜全体の中で０．０１〜５容量％、好ま
しくは約０．１〜２容量％を占めるようにする。
の複合組織であって、かつ少量のα−ＳｉＣがβ−Ｓｉ
Ｃの中に点在している状態にする。たとえば、α−Ｓｉ
Ｃは炭化珪素質膜全体の中で０．０１〜５容量％、好ま
しくは約０．１〜２容量％を占めるようにする。
【００１３】図２は、炭化珪素質膜のＸ線回析スペクト
ルを示しており、粉末のほとんどがβ−ＳｉＣ（白丸で
示している）であるが、トレース程度のα−ＳｉＣ（黒
丸で示す６Ｈ及び１５Ｒ）が存在する形で検出されてい
る。
ルを示しており、粉末のほとんどがβ−ＳｉＣ（白丸で
示している）であるが、トレース程度のα−ＳｉＣ（黒
丸で示す６Ｈ及び１５Ｒ）が存在する形で検出されてい
る。
【００１４】図３は結晶構造を示す走査透過電子顕微鏡
像で、筋状の黒線部分がα−ＳｉＣ結晶である。
像で、筋状の黒線部分がα−ＳｉＣ結晶である。
【００１５】図４は結晶構造を示すＴＥＭ高分解能像で
ある。横縞部分がα−ＳｉＣ結晶である。
ある。横縞部分がα−ＳｉＣ結晶である。
【００１６】図５は結晶構造を示す制限視野電子回析像
である。白く流れる線の存在がα−ＳｉＣ結晶を示す。
である。白く流れる線の存在がα−ＳｉＣ結晶を示す。
【００１７】図６は約３０００倍のＳｉＣ膜の模式図で
ある。
ある。
【００１８】このような結晶構成にすることにより高温
における変形が少なくなり、耐浸食性が向上するなど高
温安定性が向上する。
における変形が少なくなり、耐浸食性が向上するなど高
温安定性が向上する。
【００１９】炭化珪素質膜は炉内部を高純度処理しか
つ、従来の温度（たとえば約１３００℃）よりも高温
（たとえば１６００〜１９００℃）でＣＶＤコーティン
グ法により形成する。
つ、従来の温度（たとえば約１３００℃）よりも高温
（たとえば１６００〜１９００℃）でＣＶＤコーティン
グ法により形成する。
【００２０】本発明の発熱体は、炭化珪素質膜の厚みを
４５〜３００μｍにするのが望ましい。
４５〜３００μｍにするのが望ましい。
【００２１】ＣＶＤコーティング法により形成された結
晶炭化珪素質膜が前述のようにβ−ＳｉＣとα−ＳｉＣ
の特別な複合組織で構成されていて、１４００℃以上の
非酸化性雰囲気においてβ−ＳｉＣ結晶の昇華を抑制で
き高寿命となる。
晶炭化珪素質膜が前述のようにβ−ＳｉＣとα−ＳｉＣ
の特別な複合組織で構成されていて、１４００℃以上の
非酸化性雰囲気においてβ−ＳｉＣ結晶の昇華を抑制で
き高寿命となる。
【００２２】図示例 以下に本発明の図示例について説明する。
【００２３】図１において、ベース１０の下面には上方
に向かって伸びる中空円筒体１１が取付けられ、その上
端にヒータ支え１２が取付けられている。ヒータ支え１
２には絶縁棒１３、反射板１４及び絶縁棒１５を介して
ヒータ１６が取付けられている。中空円筒体１１の下端
はフタ１８によって閉じられ、中空円筒体１１の内部に
はフタ１８を貫通してヒータ１６に接続された給電用配
線１７が設けられている。
に向かって伸びる中空円筒体１１が取付けられ、その上
端にヒータ支え１２が取付けられている。ヒータ支え１
２には絶縁棒１３、反射板１４及び絶縁棒１５を介して
ヒータ１６が取付けられている。中空円筒体１１の下端
はフタ１８によって閉じられ、中空円筒体１１の内部に
はフタ１８を貫通してヒータ１６に接続された給電用配
線１７が設けられている。
【００２４】中空円筒体１１の周囲を囲むように中空回
転軸２０が設けられ、中空回転軸２０はベアリング２１
により中空円筒体１１と無関係に回転自在にベース１０
に取付けられている。中空回転軸２０にはプーリ２２が
取付けられ、ベルト２３により図示しないモータにより
回転を与えられるようになっている。
転軸２０が設けられ、中空回転軸２０はベアリング２１
により中空円筒体１１と無関係に回転自在にベース１０
に取付けられている。中空回転軸２０にはプーリ２２が
取付けられ、ベルト２３により図示しないモータにより
回転を与えられるようになっている。
【００２５】中空回転軸２０の上端は、一部のみを示す
ベルジャ２４によってベース１０の上面上方に形成され
る反応室２５内に伸び、その上端にはキー２６を介して
炭素製の支持円盤２７が固着されている。支持円盤２７
には石英ガラス、炭素又はセラミックス製の支持リング
２８が支持円盤２７と一体的に回転可能に取付けられて
いる。
ベルジャ２４によってベース１０の上面上方に形成され
る反応室２５内に伸び、その上端にはキー２６を介して
炭素製の支持円盤２７が固着されている。支持円盤２７
には石英ガラス、炭素又はセラミックス製の支持リング
２８が支持円盤２７と一体的に回転可能に取付けられて
いる。
【００２６】支持リング２８は、ヒータ支え１２、反射
板１４及びヒータ１６の外周を囲んで、ヒータ１６より
上方へ伸びている。支持リング２８の内周面の上方寄り
の途中には段部２９が形成され、段部２９に加熱板３０
が嵌着されている。加熱板３０はヒータ１６と間隔を置
いてほぼ平行に配置され、ヒータ１６に非接触で加熱さ
れるようになっている。
板１４及びヒータ１６の外周を囲んで、ヒータ１６より
上方へ伸びている。支持リング２８の内周面の上方寄り
の途中には段部２９が形成され、段部２９に加熱板３０
が嵌着されている。加熱板３０はヒータ１６と間隔を置
いてほぼ平行に配置され、ヒータ１６に非接触で加熱さ
れるようになっている。
【００２７】支持リング２８の上端には段部３１が形成
され、段部３１にリング状のウエハ保持板３２が嵌着さ
れ、ウエハ保持板３２の上面内周寄りに形成された段部
３３内にウエハＷを保持するようになっている。ウエハ
保持板３２に支持されたウエハＷは、加熱板３０と好ま
しくは３ｍｍ以上の所定の間隔Ｃを有するように置かれ
る。
され、段部３１にリング状のウエハ保持板３２が嵌着さ
れ、ウエハ保持板３２の上面内周寄りに形成された段部
３３内にウエハＷを保持するようになっている。ウエハ
保持板３２に支持されたウエハＷは、加熱板３０と好ま
しくは３ｍｍ以上の所定の間隔Ｃを有するように置かれ
る。
【００２８】支持リング２８の外周には所定の隙間をも
って円筒状の保温筒４０が同心状に配置されている。
って円筒状の保温筒４０が同心状に配置されている。
【００２９】次いで前述の気相成長装置の作用について
説明する。
説明する。
【００３０】ヒータ１６に給電し、加熱板３０を加熱す
ると共に、中空回転軸２０を回転させ、加熱板３０、ウ
エハ保持板３２及びウエハＷを回転させる。ウエハＷと
ウエハ保持板３２は加熱板３０によって加熱される。
ると共に、中空回転軸２０を回転させ、加熱板３０、ウ
エハ保持板３２及びウエハＷを回転させる。ウエハＷと
ウエハ保持板３２は加熱板３０によって加熱される。
【００３１】ウエハ保持板３２は、間隔Ｃを所定値に保
つようにウエハＷを支持すると共に、加熱板３０によっ
て加熱され、ウエハＷの外周を加熱して該外周の温度低
下を抑え、ウエハＷの中心から外周までの全域にわた
り、均一な温度分布とする役目を有している。
つようにウエハＷを支持すると共に、加熱板３０によっ
て加熱され、ウエハＷの外周を加熱して該外周の温度低
下を抑え、ウエハＷの中心から外周までの全域にわた
り、均一な温度分布とする役目を有している。
【００３２】
【発明の効果】ヒータが、前述のような特別な発熱体で
形成されていると、次のような効果が得られる。すなわ
ち、炭素基材の表面に形成した炭化珪素質膜の強度が顕
著である。とくに高温の使用条件下で膜の強度が安定し
ており、粒子の形状が乱されない。特に渦巻形状等の複
雑な形状の場合に効果がある。膜形成時の条件を適切に
選択して気相成長の条件下で炭化珪素質膜に所望の残留
応力が残るようにすると、強度がさらに大となる。膜に
残留応力が残るようになり、高温の過酷な使用条件下で
充分な寿命が確保できる。
形成されていると、次のような効果が得られる。すなわ
ち、炭素基材の表面に形成した炭化珪素質膜の強度が顕
著である。とくに高温の使用条件下で膜の強度が安定し
ており、粒子の形状が乱されない。特に渦巻形状等の複
雑な形状の場合に効果がある。膜形成時の条件を適切に
選択して気相成長の条件下で炭化珪素質膜に所望の残留
応力が残るようにすると、強度がさらに大となる。膜に
残留応力が残るようになり、高温の過酷な使用条件下で
充分な寿命が確保できる。
【図１】本発明の第１実施例を示す図。
【図２】β−ＳｉＣ中にα−ＳｉＣが点在している状態
を示すＸ線強度スペクトルのグラフ。
を示すＸ線強度スペクトルのグラフ。
【図３】結晶構造を示す走査透過電子顕微鏡像である。
【図４】結晶構造を示すＴＥＭ高分解能像である。
【図５】結晶構造を示す制限視野電子回析像である。
【図６】約３０００倍のＳｉＣ膜の模式図である。
１０ ベース １１ 中空円筒体 １２ ヒータ支え １３，１５ 絶縁棒 １４ 反射板 １６ ヒータ １７ 給電用配線 １８ フタ ２０ 中空回転軸 ２１ ベアリング ２２ プーリ ２３ ベルト ２４ ベルジャ ２５ 反応室 ２７ 支持円盤 ２８ 支持リング ２９ 段部 ３０ 加熱板 ３１，３３ 段部 ３２ ウエハ保持板 ４０ 保温筒 Ｗ ウエハ
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成７年６月３０日
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正内容】
【００１０】
【実施例】本発明による発熱体は、ウエハをウエハ保持
部材で支持し、ウエハ保持部材の下方に配置する発熱体
によりウエハを加熱して、ウエハ表面に気相成長膜を形
成する気相成長装置に用いる。発熱体は、炭素基材と、
その表面に設けた炭化珪素質膜からなる。炭化珪素質膜
の熱膨張係数よりも炭素基材の熱膨張係数を高くする。
炭素基材の熱膨張係数は、４．３〜６．０×１０−６／
℃（２０℃〜４５０℃）で、炭化珪素質膜の熱膨張係数
は、３．８×１０−６／℃（２０℃〜４５０℃）にする
のが好ましい。
部材で支持し、ウエハ保持部材の下方に配置する発熱体
によりウエハを加熱して、ウエハ表面に気相成長膜を形
成する気相成長装置に用いる。発熱体は、炭素基材と、
その表面に設けた炭化珪素質膜からなる。炭化珪素質膜
の熱膨張係数よりも炭素基材の熱膨張係数を高くする。
炭素基材の熱膨張係数は、４．３〜６．０×１０−６／
℃（２０℃〜４５０℃）で、炭化珪素質膜の熱膨張係数
は、３．８×１０−６／℃（２０℃〜４５０℃）にする
のが好ましい。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正内容】
【００１７】図６は約３，０００倍のＳｉＣ膜の模式図
である。図４、図５及び図６から明らかなように、α−
ＳｉＣがβ−ＳｉＣ結晶粒子の中に筋状に介在されてい
る。
である。図４、図５及び図６から明らかなように、α−
ＳｉＣがβ−ＳｉＣ結晶粒子の中に筋状に介在されてい
る。
Claims (3)
- 【請求項１】 ウエハをウエハ保持部材で支持し、ウエ
ハを加熱して、ウエハ表面に気相成長膜を形成する気相
成長装置において、ウエハを加熱するための発熱体が、
炭素基材と、その表面に設けた炭化珪素質膜からなり、
炭化珪素質膜の熱膨張係数よりも炭素基材の熱膨張係数
を高くし、炭素基材の熱膨張係数を４．３〜６．０×１
０-6／℃（２０℃〜４５０℃）にすることを特徴とする
半導体熱処理用電気抵抗発熱体。 - 【請求項２】 ウエハをウエハ保持部材で支持し、ウエ
ハを加熱して、ウエハ表面に気相成長膜を形成する気相
成長装置において、ウエハを加熱するための発熱体が、
炭素基材と、その表面に設けた炭化珪素質膜からなり、
炭化珪素質膜がβ−ＳｉＣ結晶粒子の中にα−ＳｉＣを
筋状に介在させた複合組織であることを特徴とする半導
体熱処理用電気抵抗発熱体。 - 【請求項３】室温で−５０〜−４００ＭＰａの残留応力
が残るように炭化珪素質膜が炭素基材の表面に形成され
ている請求項１〜２のいずれか１項に記載の半導体熱処
理用電気抵抗発熱体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7171591A JPH097956A (ja) | 1995-06-15 | 1995-06-15 | 半導体熱処理用電気抵抗発熱体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7171591A JPH097956A (ja) | 1995-06-15 | 1995-06-15 | 半導体熱処理用電気抵抗発熱体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH097956A true JPH097956A (ja) | 1997-01-10 |
Family
ID=15926006
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7171591A Pending JPH097956A (ja) | 1995-06-15 | 1995-06-15 | 半導体熱処理用電気抵抗発熱体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH097956A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH10212181A (ja) * | 1997-01-30 | 1998-08-11 | Toyo Tanso Kk | アンモニア雰囲気炉用炭素複合材料 |
| US6541344B2 (en) | 2000-10-19 | 2003-04-01 | Hitachi Kokusai Electric Inc. | Substrate processing apparatus and semiconductor device manufacturing method |
| JP2006156686A (ja) * | 2004-11-29 | 2006-06-15 | Chemitoronics Co Ltd | 熱処理システム |
| CN111501004A (zh) * | 2020-05-09 | 2020-08-07 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 温度控制方法和系统、半导体设备 |
-
1995
- 1995-06-15 JP JP7171591A patent/JPH097956A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH10212181A (ja) * | 1997-01-30 | 1998-08-11 | Toyo Tanso Kk | アンモニア雰囲気炉用炭素複合材料 |
| US6541344B2 (en) | 2000-10-19 | 2003-04-01 | Hitachi Kokusai Electric Inc. | Substrate processing apparatus and semiconductor device manufacturing method |
| JP2006156686A (ja) * | 2004-11-29 | 2006-06-15 | Chemitoronics Co Ltd | 熱処理システム |
| CN111501004A (zh) * | 2020-05-09 | 2020-08-07 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 温度控制方法和系统、半导体设备 |
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Legal Events
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