JPH0981908A - Method of manufacturing thin film magnetic head chip - Google Patents

Method of manufacturing thin film magnetic head chip

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JPH0981908A
JPH0981908A JP7260839A JP26083995A JPH0981908A JP H0981908 A JPH0981908 A JP H0981908A JP 7260839 A JP7260839 A JP 7260839A JP 26083995 A JP26083995 A JP 26083995A JP H0981908 A JPH0981908 A JP H0981908A
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JP
Japan
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layer
gap
conductive
insulating layer
film
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Withdrawn
Application number
JP7260839A
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Japanese (ja)
Inventor
Masaru Ajiki
賢 安食
Kiyohide Sakihama
清秀 崎浜
Hiroyuki Ujiie
裕幸 氏家
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Mitsumi Electric Co Ltd
Original Assignee
Mitsumi Electric Co Ltd
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】 (修正有) 【課題】 導通下地膜除去工程で、ギャップ部やギャッ
プ材の被傷害がなく、製造工程が簡単な薄膜磁気ヘッド
チップの製造方法を得る。 【解決手段】 コイル部導体層8Aの電解メッキ後にフ
ォトレジストフレーム7Aを除去した後、ギャップ部3
Aに積層された前記導通下地膜6Aをギャップ部保護層
9Aで部分的に覆う工程と、ギャップ部保護層9A以外
の導通下地膜6Aをエッチング法で除去してコイル部導
体層8Aを完成する工程と、ギャップ部保護層9Aを除
去して露呈したギャップ部導通下地膜6a以外の部分を
一時的にレジスト保護層10で被覆する工程と、ウエッ
トエッチング法によりギャップ部導通下地膜6Aを除去
した後に同レジスト保護層10を取り除く工程と、第1
絶縁層5A及びコイル部導体層8Aの表面を第2絶縁層
11Aで被覆する工程と、第2絶縁層11Aの一部に上
部磁極層12Aを積層する工程とを備えた。
(57) [Summary] (Correction) [PROBLEMS] To obtain a method for manufacturing a thin film magnetic head chip in which a conductive underlayer removing step does not damage a gap portion or a gap material and the manufacturing process is simple. SOLUTION: After the photoresist frame 7A is removed after electrolytic plating of a coil portion conductor layer 8A, the gap portion 3 is formed.
A step of partially covering the conductive underlying film 6A laminated on A with the gap protective layer 9A, and removing the conductive underlying film 6A other than the gap protective layer 9A by an etching method to complete the coil conductive layer 8A. The step, the step of removing the gap protection layer 9A and the step of temporarily covering the exposed portion other than the gap conduction base film 6a with the resist protection layer 10, and the removal of the gap conduction base film 6A by the wet etching method. A step of removing the resist protective layer 10 later, and a first step
The step of covering the surfaces of the insulating layer 5A and the coil portion conductor layer 8A with the second insulating layer 11A and the step of laminating the upper magnetic pole layer 12A on a part of the second insulating layer 11A were provided.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は例えばハードディス
クドライブ装置等に用いる磁気ヘッドに関し、特に、薄
膜形成法により製造される磁気ヘッドチップの製造方法
に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a magnetic head used in, for example, a hard disk drive, and more particularly to a method of manufacturing a magnetic head chip manufactured by a thin film forming method.

【0002】[0002]

【従来の技術】周知のように、図15に示すようなハー
ドディスクドライブ装置の磁気ヘッドにおいては、耐摩
耗性材料から構成されるスライダAの端部に形成される
薄膜磁気ヘッドチップBが用いられるが、この薄膜磁気
ヘッドチップBの渦巻き状コイル導体Cは、電解メッキ
フレーム法で製造されるのが普通である。
As is well known, in a magnetic head of a hard disk drive device as shown in FIG. 15, a thin film magnetic head chip B formed at an end portion of a slider A made of a wear resistant material is used. However, the spiral coil conductor C of the thin film magnetic head chip B is usually manufactured by an electrolytic plating frame method.

【0003】即ち、図16から図19は従来の薄膜磁気
ヘッドチップの製造方法を示し、ウエハー基板1の表面
には、図16に示すように、磁気コアとなる下部磁極層
2が部分的に積層され、同下部磁極層2の一部にはギャ
ップ部3が形成された後、ギャップ部3以外の下部磁極
層2及びウエハー基板1の表面は磁極短絡用スルーホー
ル4を残して第1絶縁層5で覆われる。そして、ウエハ
ー基板1の表面全体に電解メッキ用導通下地膜6が形成
され、同導通下地膜6の表面に渦状スロット7aをもつ
フォトレジストフレーム7がフォトレジスト法等で積層
される。
That is, FIGS. 16 to 19 show a conventional method for manufacturing a thin film magnetic head chip. As shown in FIG. 16, a lower magnetic pole layer 2 serving as a magnetic core is partially formed on the surface of a wafer substrate 1. After forming the gap portion 3 in a part of the lower magnetic pole layer 2 which is laminated, the surface of the lower magnetic pole layer 2 and the wafer substrate 1 other than the gap portion 3 is left with the through hole 4 for the magnetic pole short circuit and the first insulation. Covered with layer 5. Then, a conductive base film 6 for electrolytic plating is formed on the entire surface of the wafer substrate 1, and a photoresist frame 7 having spiral slots 7a is laminated on the surface of the conductive base film 6 by a photoresist method or the like.

【0004】この後、図17の電解メッキ工程では、C
uのコイル部導体層8が前記渦状スロット7aに電解メ
ッキされた後、図18に示すように、有機溶剤を用いて
フォトレジストフレーム7が除去されるが、この状態で
は、コイル部導体層8が機能しないために、従来では、
図19に示すように、イオンミリング法を用いてコイル
部導体層8以外の導通下地膜6が取り除かれる。
After that, in the electrolytic plating process of FIG.
After the u-shaped coil portion conductor layer 8 is electrolytically plated on the spiral slot 7a, the photoresist frame 7 is removed using an organic solvent as shown in FIG. 18, but in this state, the coil portion conductor layer 8 is formed. In the past,
As shown in FIG. 19, the conductive underlying film 6 other than the coil portion conductor layer 8 is removed by using the ion milling method.

【0005】[0005]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前述し
たような従来の導通下地膜除去工程では、イオンミリン
グ法を用いて導通下地膜6を完全に除去する必要がある
ので、同工程では、下部磁極層2の一部までも除去され
てしまうことがある。つまり、イオンミリング法による
イオン粒子の衝突により下部磁極層2の表面荒さが増加
すると、後続の上部磁極層の成膜時に、磁極層の配向性
や結晶粒径に悪影響が生じ、また、同下部磁極層2の表
面にギャップ材が積層されている場合には、同ギャップ
材が侵食され、均一な厚みのギャップを形成できなくな
り、製品の信頼性を維持できなくなる問題があった。
However, in the conventional conductive underlayer removing step as described above, it is necessary to completely remove the conductive underlayer film 6 by using the ion milling method. Even part of layer 2 may be removed. That is, when the surface roughness of the lower magnetic pole layer 2 increases due to the collision of ion particles by the ion milling method, the orientation and crystal grain size of the magnetic pole layer are adversely affected during the subsequent film formation of the upper magnetic pole layer, and When the gap material is laminated on the surface of the pole layer 2, the gap material is eroded, and a gap having a uniform thickness cannot be formed, so that there is a problem that the reliability of the product cannot be maintained.

【0006】本発明の目的は、以上に述べたような従来
の薄膜磁気ヘッドチップの製造方法の問題に鑑み、導通
下地膜除去工程で、ギャップ部やギャップ材が傷害され
ることがなく、製造工程が比較的簡単な薄膜磁気ヘッド
チップの製造方法を得るにある。
In view of the problems of the conventional method of manufacturing a thin film magnetic head chip as described above, the object of the present invention is to prevent the gap and the gap material from being damaged in the conductive underlayer removing step. An object is to obtain a method of manufacturing a thin film magnetic head chip having relatively simple steps.

【0007】[0007]

【課題を解決するための手段】この目的を達成するた
め、本発明は、ウエハー基板の表面に下部磁極層を積層
した後、同下部磁極層の目的部にギャップ部を形成して
下部磁極層及びウエハー基板の表面目的とする形状の第
1絶縁層を形成し、前記ギャップ部及び前記第1絶縁層
の表面に導通下地膜を形成して電解フレーム法により導
通下地膜の表面に渦巻き状のコイル部導体層を形成し、
前記ギャップ部及び前記第1絶縁層の表面の不必要な導
通下地膜を除去する薄膜磁気ヘッドチップの製造方法に
おいて、前記コイル部導体層の電解メッキ後にフォトレ
ジストフレームを除去した後、前記ギャップ部に積層さ
れた前記導通下地膜をギャップ部保護層で部分的に覆う
工程と、この工程の後、ギャップ部保護層以外の前記導
通下地膜をエッチング法で除去してコイル部導体層を完
成する工程と、前記ギャップ部保護層を除去して露呈し
たギャップ部導通下地膜以外の部分を一時的にレジスト
保護層で被覆する工程と、ウエットエッチング法により
ギャップ部導通下地膜を除去した後に同レジスト保護層
を取り除く工程と、前記第1絶縁層及びコイル部導体層
の表面を第2絶縁層で被覆する工程と、前記第2絶縁層
の一部に上部磁極層を積層する工程とを備える薄膜磁気
ヘッドチップの製造方法を提案するものである。
To achieve this object, according to the present invention, after a lower magnetic pole layer is laminated on the surface of a wafer substrate, a gap portion is formed at a target portion of the lower magnetic pole layer to form a lower magnetic pole layer. And a surface of the wafer substrate, a first insulating layer having a desired shape is formed, a conductive base film is formed on the surface of the gap portion and the first insulating layer, and a spiral frame is formed on the surface of the conductive base film by an electrolytic flame method. Forming a coil layer conductor layer,
In a method of manufacturing a thin film magnetic head chip for removing an unnecessary conductive base film on the surface of the gap part and the first insulating layer, after removing the photoresist frame after electrolytic plating of the coil part conductor layer, the gap part is formed. A step of partially covering the conduction underlayer film laminated on the substrate with a gap portion protective layer, and after this step, the conduction underlayer film other than the gap portion protective layer is removed by etching to complete the coil portion conductor layer. A step of removing the gap protective layer, and temporarily covering a portion other than the exposed portion of the gap conductive underlayer with a resist protective layer; and removing the gap conductive underlayer by a wet etching method, followed by the same resist. A step of removing the protective layer; a step of covering the surfaces of the first insulating layer and the coil portion conductor layer with a second insulating layer; and an upper magnetic pole part of the second insulating layer. Method of manufacturing a thin film magnetic head chip and a step of laminating a proposes a.

【0008】また、後述する本発明の好ましい実施例に
おいては、ウエハー基板の表面に下部磁極層を積層した
後、同下部磁極層の端部にギャップ部を形成して下部磁
極層及びウエハー基板の表面を第1絶縁層で覆い、前記
ギャップ部及び前記第1絶縁層の表面に導通下地膜を形
成して電解フレーム法により導通下地膜の表面に渦巻き
状のコイル部導体層を形成し、前記ギャップ部及び前記
第1絶縁層の表面の不必要な導通下地膜を除去する薄膜
磁気ヘッドチップの製造方法において、前記コイル部導
体層の電解メッキ後にフォトレジストフレームを除去し
かつ前記ギャップ部に積層された前記導通下地膜をギャ
ップ部保護層で部分的に覆う工程と、ギャップ部保護層
以外の前記導通下地膜をエッチング法で除去してコイル
部導体層を完成する工程と、前記ギャップ部保護層を取
り除いて前記コイル部導体層の表面を第2絶縁層で被覆
する工程と、前記ギャップ部保護層の除去により露呈し
たギャップ部導通下地膜以外の表面を保護層で被覆して
ウエットエッチング法により前記ギャップ部導通下地膜
を除去する工程と、前記保護層の除去の後、前記第2絶
縁層の一部に上部磁極層を積層する工程とを備える薄膜
磁気ヘッドチップの製造方法も説明される。また、本発
明の利点は、これらの薄膜磁気ヘッドチップの製造方法
により得られた磁気ヘッドにもある。
Further, in a preferred embodiment of the present invention described later, after the lower magnetic pole layer is laminated on the surface of the wafer substrate, a gap portion is formed at the end of the lower magnetic pole layer to form the lower magnetic pole layer and the wafer substrate. The surface is covered with a first insulating layer, a conductive underlayer film is formed on the surface of the gap portion and the first insulating layer, and a spiral coil part conductive layer is formed on the surface of the conductive underlayer film by an electrolytic flame method. In a method of manufacturing a thin film magnetic head chip for removing an unnecessary conductive underlayer film on a surface of a gap part and the first insulating layer, a photoresist frame is removed after electrolytic plating of the coil part conductor layer and laminated on the gap part. The step of partially covering the formed conductive underlayer film with the gap part protective layer, and removing the conductive underlayer film other than the gap part protective layer by an etching method to complete the coil part conductor layer. A step of removing the gap part protective layer and covering the surface of the coil part conductor layer with a second insulating layer, and a surface of the part other than the gap part conductive base film exposed by the removal of the gap part protective layer as a protective layer A thin film magnetic head including: a step of covering the underlayer conductive underlayer with a wet etching method; and a step of laminating an upper magnetic pole layer on a part of the second insulating layer after removing the protective layer. A method of manufacturing the chip is also described. Further, the advantage of the present invention is also present in the magnetic head obtained by the manufacturing method of these thin film magnetic head chips.

【0009】[0009]

【実施例】以下、図1から図14について本発明の実施
例の詳細を説明する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS The details of the embodiments of the present invention will be described below with reference to FIGS.

【0010】図1から図9は本発明の第1実施例による
薄膜磁気ヘッドチップの製造方法を示し、図1は同薄膜
磁気ヘッドチップの製造方法の電解フレーム形成工程を
示している。即ち、ウエハー基板1Aの表面には、磁気
コアとなる下部磁極層2Aが部分的に積層され、同下部
磁極層2Aの一部にはギャップ部3Aが形成された後、
目的とする形状で、ギャップ部3A以外の下部磁極層2
A及びウエハー基板1Aの表面は磁極短絡用スルーホー
ル4Aを残して第1絶縁層5Aで覆われる。そして、ウ
エハー基板1Aの表面全体に電解メッキ用導通下地膜6
A、即ちCr、Cu等の薄い膜が形成され、同導通下地
膜6Aの表面に渦状スロット7aをもつフォトレジスト
フレーム7Aがフォトレジスト法等で積層されるのは、
従来と同様である。
1 to 9 show a method of manufacturing a thin film magnetic head chip according to a first embodiment of the present invention, and FIG. 1 shows an electrolytic frame forming step of the method of manufacturing the same thin film magnetic head chip. That is, the lower magnetic pole layer 2A to be a magnetic core is partially laminated on the surface of the wafer substrate 1A, and the gap 3A is formed in a part of the lower magnetic pole layer 2A.
The bottom pole layer 2 having a target shape and having a shape other than the gap 3A
The surfaces of A and the wafer substrate 1A are covered with the first insulating layer 5A, leaving the through holes 4A for magnetic pole shorting. Then, a conductive base film 6 for electrolytic plating is formed on the entire surface of the wafer substrate 1A.
A, that is, a thin film of Cr, Cu or the like is formed, and the photoresist frame 7A having the spiral slot 7a on the surface of the conductive underlying film 6A is laminated by the photoresist method or the like.
It is the same as the conventional one.

【0011】この後、図2の電解メッキ工程では、Cu
のコイル部導体層8Aが前記渦状スロット7aに電解メ
ッキされた後、図3に示すように、有機溶剤を用いてフ
ォトレジストフレーム7Aが除去されるが、前述した導
通下地膜6Aを除去する前に、図4に示すように、前記
ギャップ部3Aに積層された前記導通下地膜6Aがフォ
トレジスト層等の厚みのあるギャップ部保護層9Aで部
分的に覆われ、厚みのあるこのギャップ部保護層9Aで
イオンミリングによる導通下地膜6A及びギャップ部3
Aの侵食が防止される。
Thereafter, in the electrolytic plating process of FIG.
After the coil portion conductor layer 8A is electrolytically plated on the spiral slot 7a, the photoresist frame 7A is removed using an organic solvent as shown in FIG. 3, but before the conductive base film 6A is removed. As shown in FIG. 4, the conductive base film 6A laminated on the gap 3A is partially covered with a thick gap protective layer 9A such as a photoresist layer to protect the thick gap. The conductive base film 6A and the gap portion 3 formed by ion milling in the layer 9A
Erosion of A is prevented.

【0012】次に、第1実施例による薄膜磁気ヘッドチ
ップの製造方法においては、図5に示すように、イオン
ミリング法により導通下地膜6Aが除去されるけれど
も、このイオンミリング法による導通下地膜6Aの除去
の場合、ギャップ部3Aがフォトレジスト層等の厚みの
あるギャップ部保護層9Aで充分に保護されているの
で、ギャップ部3Aを損傷することなく、不必要な導通
下地膜6Aを完全に除去することができる。つまり、露
呈した導通下地膜6Aに対する充分なイオンミリングに
より残留導通下地膜6Aによるコイル部導体層8Aの短
絡を防止できると共に、磁極短絡用スルーホール4Aの
完全な回復を図ることができる。
Next, in the method of manufacturing the thin film magnetic head chip according to the first embodiment, as shown in FIG. 5, the conductive underlayer film 6A is removed by the ion milling method, but the conductive underlayer film by this ion milling method is used. In the case of removing 6A, since the gap 3A is sufficiently protected by the thick gap protection layer 9A such as a photoresist layer, the unnecessary conductive base film 6A is completely removed without damaging the gap 3A. Can be removed. That is, it is possible to prevent short-circuiting of the coil portion conductor layer 8A due to the residual conduction underlayer film 6A by sufficient ion milling to the exposed conduction underlayer film 6A, and to completely recover the magnetic pole short-circuiting through hole 4A.

【0013】続いて、レジスト除去剤等を用いて、図6
に示すように、ギャップ部保護層9Aが除かれ、図7に
示すように、ギャップ部導通下地膜6a以外の表面にレ
ジスト保護層10が積層されて後続のウエットエッチン
グ工程でのコイル部導体層8Aの侵食が予め防止され
る。
Then, using a resist remover or the like, as shown in FIG.
As shown in FIG. 7, the gap portion protective layer 9A is removed, and as shown in FIG. 7, the resist protective layer 10 is laminated on the surface other than the gap portion conductive base film 6a to form the coil portion conductor layer in the subsequent wet etching step. Erosion of 8A is prevented in advance.

【0014】よって、図8のギャップ部導通下地膜除去
工程では、ギャップ部導通下地膜6aがウエットエッチ
ング法を用いて完全に除去されることになるけれども、
ギャップ部導通下地膜6a以外の表面はレジスト保護層
10で保護されているので、同ギャップ部導通下地膜6
aのみがエッチングされる。また、同エッチング処理液
では、第1絶縁層5Aやギャップ材は全く侵食しない点
にも留意されたい。
Therefore, in the step of removing the gap conductive underlayer film of FIG. 8, the gap conductive underlayer film 6a is completely removed by using the wet etching method.
Since the surface other than the gap conductive base film 6a is protected by the resist protective layer 10, the gap conductive base film 6 is not formed.
Only a is etched. Also, note that the same etching solution does not erode the first insulating layer 5A and the gap material at all.

【0015】これらの工程の後、図9に仮想線で示すよ
うに、コイル部スルーホール11aを形成した状態でコ
イル部導体層8Aの表面に第2絶縁層11Aが積層さ
れ、前記下部磁極層2Aの表面に上部磁極層12Aが形
成されて成膜が完成された後、ウエハー基板1Aが裁断
されて薄膜磁気ヘッドチップが完成されることになる。
After these steps, as shown by phantom lines in FIG. 9, the second insulating layer 11A is laminated on the surface of the coil conductor layer 8A with the coil through holes 11a formed, and the lower magnetic pole layer is formed. After the upper magnetic pole layer 12A is formed on the surface of 2A and the film formation is completed, the wafer substrate 1A is cut and the thin film magnetic head chip is completed.

【0016】第1実施例による薄膜磁気ヘッドチップの
製造方法は、以上のような工程で磁気ヘッドチップを製
造するから、ギャップ部導通下地膜除去工程で、第1絶
縁層5Aやギャップ材が損傷することがなくなるから、
安定した第1絶縁層5Aの厚みが得られ、同第1絶縁層
5Aの表面粗さも非常に緻密なものとなるから、上部磁
極層12Aの形成工程で、その配向性や結晶粒径への悪
影響を阻止できる。したがって、第1実施例によると、
導通下地膜6Aの除去不足によるコイル部導体層8Aの
絶縁不良がなく、ギャップ部3Aの厚みが均一で、上部
磁極層12Aの形成状態の良好な薄膜磁気ヘッドを得る
ことができる。
In the method of manufacturing the thin-film magnetic head chip according to the first embodiment, the magnetic head chip is manufactured by the above steps, so that the first insulating layer 5A and the gap material are damaged in the gap conductive underlayer removing step. Because there is nothing to do
A stable thickness of the first insulating layer 5A is obtained, and the surface roughness of the first insulating layer 5A is also extremely fine. Therefore, in the forming process of the upper magnetic pole layer 12A, its orientation and crystal grain size The adverse effect can be stopped. Therefore, according to the first embodiment,
It is possible to obtain a thin film magnetic head in which there is no insulation failure of the coil portion conductor layer 8A due to insufficient removal of the conductive underlying film 6A, the gap portion 3A has a uniform thickness, and the upper magnetic pole layer 12A is formed well.

【0017】図10から図14は本発明の第2実施例に
よる薄膜磁気ヘッドチップの製造方法を示し、図10は
前述した図6と同様の状態を示している。即ち、ウエハ
ー基板1Bの表面には、下部磁極層2Bが部分的に積層
され、同下部磁極層2Bの一部にはギャップ部3Bが形
成され、目的とする形状で、ギャップ部3B以外の下部
磁極層2B及びウエハー基板1Bの表面は磁極短絡用ス
ルーホール4Bを残して第1絶縁層5Bで覆われ、前述
したギャップ部保護層9Aを用いて導通下地膜6B及び
コイル部導体層8Bが成膜される。つまり、図10はギ
ャップ部保護層9Aを除去した状態であるが、このイオ
ンミリング工程では、完全な導通下地膜6Bの除去によ
り、磁極短絡用スルーホール4Bの回復が図られてい
る。
10 to 14 show a method of manufacturing a thin film magnetic head chip according to the second embodiment of the present invention, and FIG. 10 shows a state similar to that of FIG. 6 described above. That is, the lower magnetic pole layer 2B is partially laminated on the surface of the wafer substrate 1B, and the gap portion 3B is formed in a part of the lower magnetic pole layer 2B. The surfaces of the magnetic pole layer 2B and the wafer substrate 1B are covered with the first insulating layer 5B, leaving the magnetic pole shorting through holes 4B, and the conductive base film 6B and the coil portion conductor layer 8B are formed by using the gap protective layer 9A described above. Be filmed. That is, although FIG. 10 shows the state in which the gap protection layer 9A is removed, in this ion milling step, the magnetic pole shorting through hole 4B is recovered by completely removing the conductive base film 6B.

【0018】次に、第2実施例による薄膜磁気ヘッドチ
ップの製造方法においては、図11に示すように、コイ
ル部スルーホール11aを形成した状態でコイル部導体
層8Bの表面に第2絶縁層11Bが積層され、図12に
示すように、ギャップ部導通下地膜6a以外の表面を覆
う状態の一時的な保護層13Bがフォトレジスト等によ
り積層され、後続のウエットエッチング工程でのコイル
部導体層8Bの侵食が予め防止される。
Next, in the method of manufacturing the thin film magnetic head chip according to the second embodiment, as shown in FIG. 11, the second insulating layer is formed on the surface of the coil conductor layer 8B with the coil through holes 11a formed. 11B is laminated, and as shown in FIG. 12, a temporary protective layer 13B in a state of covering the surface other than the gap conductive base film 6a is laminated by a photoresist or the like, and a coil portion conductor layer in a subsequent wet etching step. Erosion of 8B is prevented in advance.

【0019】この後、図13のギャップ部導通下地膜除
去工程では、ギャップ部導通下地膜6aがウエットエッ
チング法を用いて完全に除去されることになるけれど
も、ギャップ部導通下地膜6a以外の表面は保護層13
Bで保護されているので、同ギャップ部導通下地膜6a
のみがエッチングされる。また、同エッチング処理液で
は、第1絶縁層5Bやギャップ材は全く侵食しない点に
も留意されたい。
After that, in the step of removing the gap conductive underlayer film shown in FIG. 13, although the gap conductive underlayer film 6a is completely removed by the wet etching method, the surface other than the gap conductive underlayer film 6a is removed. Is the protective layer 13
Since it is protected by B, the conduction base film 6a of the same gap portion is formed.
Only those are etched. Also, note that the same etching solution does not erode the first insulating layer 5B or the gap material.

【0020】これらの工程の後、一時的なコイル部保護
層13Bが除去され、図14に仮想線で示すように、前
記第2絶縁層11Bの表面に上部磁極層12Bが形成さ
れて成膜が完成された後、ウエハー基板1Bが裁断され
て薄膜磁気ヘッドチップが完成されることになる。
After these steps, the temporary coil part protective layer 13B is removed, and the upper magnetic pole layer 12B is formed on the surface of the second insulating layer 11B as shown by the phantom line in FIG. Is completed, the wafer substrate 1B is cut and the thin film magnetic head chip is completed.

【0021】第2実施例による薄膜磁気ヘッドチップの
製造方法は、以上のような工程で磁気ヘッドチップを製
造するから、ギャップ部導通下地膜除去工程で、第1絶
縁層5Bやギャップ材が損傷することがなくなるから、
安定した第1絶縁層5Bの厚みが得られ、同第1絶縁層
5Bの表面粗さも非常に緻密なものとなるから、上部磁
極層12Bの形成工程で、その配向性や結晶粒径への悪
影響を阻止できる。したがって、第2実施例によると、
導通下地膜6Bの除去不足によるコイル部導体層8Bの
絶縁不良がなく、ギャップの厚みが均一で、上部磁極層
12Bの形成状態の良好な薄膜磁気ヘッドを得ることが
できる。
In the method of manufacturing the thin film magnetic head chip according to the second embodiment, since the magnetic head chip is manufactured by the above-mentioned steps, the first insulating layer 5B and the gap material are damaged in the step of removing the gap conductive underlayer film. Because there is nothing to do
A stable thickness of the first insulating layer 5B is obtained, and the surface roughness of the first insulating layer 5B is also very fine. Therefore, in the forming process of the upper magnetic pole layer 12B, its orientation and crystal grain size are not changed. The adverse effect can be stopped. Therefore, according to the second embodiment,
It is possible to obtain a thin film magnetic head in which there is no insulation failure of the coil portion conductor layer 8B due to insufficient removal of the conductive base film 6B, the gap thickness is uniform, and the upper magnetic pole layer 12B is formed well.

【発明の効果】以上の説明から明らかなように、本発明
によれば、コイル部導体層の形成のために用いられる導
通下地膜及びギャップ部導通下地膜を的確に除去できる
から、ギャップ部の厚みを安定したものとすることがで
き、上部磁極層の配向性や結晶粒径への悪影響を阻止し
た品質の高い薄膜磁気ヘッドチップを得ることができ
る。
As is apparent from the above description, according to the present invention, the conductive base film and the gap conductive base film used for forming the coil conductor layer can be accurately removed. It is possible to obtain a high-quality thin film magnetic head chip in which the thickness can be made stable and the adverse effect on the orientation and crystal grain size of the top pole layer is prevented.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】(a)は本発明の第2実施例による薄膜磁気ヘ
ッドチップの製造方法における電解フレーム形成工程の
断面図、(b)は(a)のb−b線に沿う断面図であ
る。
1A is a sectional view of an electrolytic frame forming step in a method of manufacturing a thin film magnetic head chip according to a second embodiment of the present invention, and FIG. 1B is a sectional view taken along line bb of FIG. 1A. .

【図2】(a)は同薄膜磁気ヘッドチップの製造方法に
おける電解メッキ工程の断面図、(b)は(a)のb−
b線に沿う断面図である。
FIG. 2A is a sectional view of an electrolytic plating step in the method of manufacturing the same thin film magnetic head chip, and FIG.
It is sectional drawing which follows the b line.

【図3】(a)は同薄膜磁気ヘッドチップの製造方法に
おけるレジスト除去工程の断面図、(b)は(a)のb
−b線に沿う断面図である。
3A is a sectional view of a resist removing step in the method of manufacturing the same thin-film magnetic head chip, and FIG. 3B is a sectional view of FIG.
It is sectional drawing which follows the -b line.

【図4】(a)は同薄膜磁気ヘッドチップの製造方法に
おけるギャップ部保護層形成工程の断面図、(b)は
(a)のb−b線に沿う断面図である。
FIG. 4A is a sectional view of a gap protective layer forming step in the method of manufacturing the same thin film magnetic head chip, and FIG. 4B is a sectional view taken along the line bb of FIG.

【図5】(a)は同薄膜磁気ヘッドチップの製造方法に
おけるコイル部導通下地膜除去工程の断面図、(b)は
(a)のb−b線に沿う断面図である。
FIG. 5A is a cross-sectional view of a coil part conduction underlayer removal step in the method of manufacturing the same thin-film magnetic head chip, and FIG. 5B is a cross-sectional view taken along the line bb of FIG.

【図6】(a)は同薄膜磁気ヘッドチップの製造方法に
おけるギャップ部保護層除去工程の断面図、(b)は
(a)のb−b線に沿う断面図である。
6A is a cross-sectional view of a gap protective layer removing step in the method of manufacturing the same thin-film magnetic head chip, and FIG. 6B is a cross-sectional view taken along line bb of FIG.

【図7】(a)は同薄膜磁気ヘッドチップの製造方法に
おけるコイル部保護層形成工程の断面図、(b)は
(a)のb−b線に沿う断面図である。
7A is a sectional view of a coil part protective layer forming step in the method of manufacturing the same thin-film magnetic head chip, and FIG. 7B is a sectional view taken along line bb of FIG. 7A.

【図8】(a)は同薄膜磁気ヘッドチップの製造方法に
おけるギャップ部導通下地膜除去工程の断面図、(b)
は(a)のb−b線に沿う断面図である。
FIG. 8A is a sectional view of a step of removing a conductive film under a gap in the method of manufacturing the same thin film magnetic head chip;
FIG. 7A is a sectional view taken along line bb of FIG.

【図9】(a)は同薄膜磁気ヘッドチップの製造方法に
おけるコイル部保護層除去工程の断面図、(b)は
(a)のb−b線に沿う断面図である。
9A is a cross-sectional view of a coil protective layer removing step in the method of manufacturing the same thin-film magnetic head chip, and FIG. 9B is a cross-sectional view taken along line bb of FIG. 9A.

【図10】本発明の第2実施例による薄膜磁気ヘッドチ
ップの製造方法におけるギャップ部保護膜除去工程の断
面図である。
FIG. 10 is a cross-sectional view of the gap protective film removing step in the method of manufacturing a thin-film magnetic head chip according to the second embodiment of the present invention.

【図11】同薄膜磁気ヘッドチップの製造方法における
コイル部絶縁層形成工程の断面図である。
FIG. 11 is a sectional view of a coil insulating layer forming step in the method of manufacturing the same thin-film magnetic head chip.

【図12】同薄膜磁気ヘッドチップの製造方法における
コイル部保護層形成工程の断面図である。
FIG. 12 is a sectional view of a coil part protective layer forming step in the method of manufacturing the same thin-film magnetic head chip.

【図13】同薄膜磁気ヘッドチップの製造方法における
ギャップ部導通下地膜除去工程の断面図である。
FIG. 13 is a sectional view of a step of removing a gap conductive underlayer film in the method of manufacturing the same thin-film magnetic head chip.

【図14】同薄膜磁気ヘッドチップの製造方法における
コイル部保護層除去工程の断面図である。
FIG. 14 is a sectional view of a coil part protective layer removing step in the method of manufacturing the same thin-film magnetic head chip.

【図15】従来のハードディスク用磁気ヘッドの一部切
欠き要部拡大斜視図である。
FIG. 15 is an enlarged perspective view of a partly cutaway main part of a conventional magnetic head for a hard disk.

【図16】従来の薄膜磁気ヘッドチップの製造方法にお
ける電解フレーム形成工程の断面図である。
FIG. 16 is a sectional view of an electrolytic frame forming step in the conventional method of manufacturing a thin film magnetic head chip.

【図17】同薄膜磁気ヘッドチップの製造方法における
電解メッキ工程の断面図である。
FIG. 17 is a sectional view of an electrolytic plating step in the method of manufacturing the same thin-film magnetic head chip.

【図18】同薄膜磁気ヘッドチップの製造方法における
レジスト除去工程の断面図である。
FIG. 18 is a sectional view of a resist removing step in the method of manufacturing the same thin-film magnetic head chip.

【図19】同薄膜磁気ヘッドチップの製造方法における
導通下地膜除去工程の断面図である。
FIG. 19 is a cross-sectional view of a conductive base film removing step in the method of manufacturing the same thin-film magnetic head chip.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1A,1B ウエハー基板 2A,2B 下部磁極層 3A,3B ギャップ部 5A,5B 第1絶縁層 6A,6B 導通下地膜 6a ギャップ部導通下地膜 7A,7B フォトレジストフレーム 8A,8B コイル部導体層 9A ギャップ部保護層 10 レジスト保護層 11A,11B 第2絶縁層 12A,12B 上部磁極層 13B 保護層 1A, 1B Wafer substrate 2A, 2B Lower magnetic pole layer 3A, 3B Gap part 5A, 5B First insulating layer 6A, 6B Conductive underlayer film 6a Gap part conductive underlayer film 7A, 7B Photoresist frame 8A, 8B Coil part conductive layer 9A Gap Part protective layer 10 Resist protective layer 11A, 11B Second insulating layer 12A, 12B Upper magnetic pole layer 13B Protective layer

Claims (3)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 ウエハー基板の表面に下部磁極層を積層
した後、同下部磁極層の目的部にギャップ部を形成して
下部磁極層及びウエハー基板の表面に目的とする形状の
第1絶縁層を形成し、前記ギャップ部及び前記第1絶縁
層の表面に導通下地膜を形成して電解フレーム法により
導通下地膜の表面に渦巻き状のコイル部導体層を形成
し、前記ギャップ部及び前記第1絶縁層の表面の不必要
な導通下地膜を除去する薄膜磁気ヘッドチップの製造方
法において、前記コイル部導体層の電解メッキ後にフォ
トレジストフレームを除去した後、前記ギャップ部に積
層された前記導通下地膜をギャップ部保護層で部分的に
覆う工程と、この工程の後、ギャップ部保護層以外の前
記導通下地膜をエッチング法で除去してコイル部導体層
を完成する工程と、前記ギャップ部保護層を除去して露
呈したギャップ部導通下地膜以外の部分を一時的にレジ
スト保護層で被覆する工程と、ウエットエッチング法に
よりギャップ部導通下地膜を除去した後に同レジスト保
護層を取り除く工程と、前記第1絶縁層及びコイル部導
体層の表面を第2絶縁層で被覆する工程と、前記第2絶
縁層の一部に上部磁極層を積層する工程とを備えること
を特徴とする薄膜磁気ヘッドチップの製造方法。
1. A first insulating layer having a desired shape on the surfaces of the lower magnetic pole layer and the wafer substrate by laminating a lower magnetic pole layer on the surface of the wafer substrate and then forming a gap portion at a target portion of the lower magnetic pole layer. And forming a conducting underlayer film on the surface of the gap portion and the first insulating layer and forming a spiral coil portion conductor layer on the surface of the conducting underlayer film by an electrolytic flame method. 1. In a method of manufacturing a thin film magnetic head chip for removing an unnecessary conductive base film on the surface of an insulating layer, a photoresist frame is removed after electrolytic plating of the coil portion conductive layer, and then the conductive layer stacked in the gap portion is removed. A step of partially covering the underlayer film with a gap portion protective layer, and a step of completing the coil portion conductor layer by removing the conductive underlayer film other than the gap portion protective layer by an etching method after this step, and The step of temporarily covering the portion other than the exposed portion of the gap conductive underlayer with the resist protective layer by removing the protective layer for the gap portion, and the step of removing the conductive underlayer of the gap portion by a wet etching method and then removing the resist protective layer A removing step, a step of covering the surfaces of the first insulating layer and the coil portion conductor layer with a second insulating layer, and a step of laminating an upper magnetic pole layer on a part of the second insulating layer. Method for manufacturing thin film magnetic head chip.
【請求項2】 ウエハー基板の表面に下部磁極層を積層
した後、同下部磁極層の目的部にギャップ部を形成して
下部磁極層及びウエハー基板の表面に目的とする形状の
第1絶縁層を形成し、前記ギャップ部及び前記第1絶縁
層の表面に導通下地膜を形成して電解フレーム法により
導通下地膜の表面に渦巻き状のコイル部導体層を形成
し、前記ギャップ部及び前記第1絶縁層の表面の不必要
な導通下地膜を除去する薄膜磁気ヘッドチップの製造方
法において、前記コイル部導体層の電解メッキ後にフォ
トレジストフレームを除去しかつ前記ギャップ部に積層
された前記導通下地膜をギャップ部保護層で部分的に覆
う工程と、ギャップ部保護層以外の前記導通下地膜をエ
ッチング法で除去してコイル部導体層を完成する工程
と、前記ギャップ部保護層を取り除いて前記コイル部導
体層の表面を第2絶縁層で被覆する工程と、前記ギャッ
プ部保護層の除去により露呈したギャップ部導通下地膜
以外の表面を保護層で被覆してウエットエッチング法に
より前記ギャップ部導通下地膜を除去する工程と、前記
保護層の除去の後、前記第2絶縁層の一部に上部磁極層
を積層する工程とを備えることを特徴とする薄膜磁気ヘ
ッドチップの製造方法。
2. A first insulating layer having a desired shape on the surface of the lower magnetic pole layer and the surface of the wafer substrate by laminating a lower magnetic pole layer on the surface of the wafer substrate and then forming a gap portion at a target portion of the lower magnetic pole layer. And forming a conducting underlayer film on the surface of the gap portion and the first insulating layer and forming a spiral coil portion conductor layer on the surface of the conducting underlayer film by an electrolytic flame method. 1. In a method of manufacturing a thin film magnetic head chip for removing an unnecessary conductive base film on the surface of an insulating layer, the photoresist frame is removed after electrolytic plating of the coil portion conductor layer, and the conductive underlayer laminated in the gap portion is removed. A step of partially covering the ground film with a gap part protection layer; a step of removing the conductive underlayer film other than the gap part protection layer by an etching method to complete a coil part conductor layer; Removing the layer to cover the surface of the coil portion conductor layer with a second insulating layer, and covering the surface other than the gap portion conductive base film exposed by the removal of the gap portion protective layer with a protective layer, and a wet etching method And a step of laminating an upper magnetic pole layer on a part of the second insulating layer after removing the protective layer, and Production method.
【請求項3】 請求項1または請求項2に記載された製
造方法で製造された薄膜磁気ヘッド。
3. A thin film magnetic head manufactured by the manufacturing method according to claim 1.
JP7260839A 1995-09-13 1995-09-13 Method of manufacturing thin film magnetic head chip Withdrawn JPH0981908A (en)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN114175860A (en) * 2019-08-08 2022-03-11 株式会社村田制作所 Resin multilayer substrate and manufacturing method of resin multilayer substrate

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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