JPH0981936A - 磁気記録体の製造方法及び装置 - Google Patents
磁気記録体の製造方法及び装置Info
- Publication number
- JPH0981936A JPH0981936A JP23701295A JP23701295A JPH0981936A JP H0981936 A JPH0981936 A JP H0981936A JP 23701295 A JP23701295 A JP 23701295A JP 23701295 A JP23701295 A JP 23701295A JP H0981936 A JPH0981936 A JP H0981936A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- alloy
- magnetic
- gas
- sputtering
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
- Thin Magnetic Films (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】高い磁気保持力や高い角形比の磁気特性を備え
且つ媒体ノイズの低減された高密度記録に適する磁気記
録媒体の製造方法及びその製造に適した装置を提供する
こと 【解決手段】Ｃr等の金属の下地膜２を成膜した非磁性
基板１上に、スパッタリングによりエピタキシャル成長
し且つｈｃｐ相のｃ軸を基板面内方向へ配向したＣo合
金系磁性膜を成膜する磁気記録体の製造方法に於いて、
該Ｃo合金系磁性膜を、酸化物、窒化物、炭化物を含ま
ないＣo合金ターゲット７を使用して該下地膜上に第１
層Ｃo合金系磁性膜３をスパッタ成膜したのちその上に
酸化物、窒化物、炭化物のうちの少なくとも１つを含む
Ｃo合金ターゲット８を使用して第２層Ｃo合金系磁性膜
４をスパッタ成膜することにより作製した。
且つ媒体ノイズの低減された高密度記録に適する磁気記
録媒体の製造方法及びその製造に適した装置を提供する
こと 【解決手段】Ｃr等の金属の下地膜２を成膜した非磁性
基板１上に、スパッタリングによりエピタキシャル成長
し且つｈｃｐ相のｃ軸を基板面内方向へ配向したＣo合
金系磁性膜を成膜する磁気記録体の製造方法に於いて、
該Ｃo合金系磁性膜を、酸化物、窒化物、炭化物を含ま
ないＣo合金ターゲット７を使用して該下地膜上に第１
層Ｃo合金系磁性膜３をスパッタ成膜したのちその上に
酸化物、窒化物、炭化物のうちの少なくとも１つを含む
Ｃo合金ターゲット８を使用して第２層Ｃo合金系磁性膜
４をスパッタ成膜することにより作製した。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、主として面内型ハ
ードディスクとして使用される面内型の磁気記録体の製
造方法及び装置に関する。
ードディスクとして使用される面内型の磁気記録体の製
造方法及び装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、ハードディスクに用いられている
面内型磁気記録体は、図１に示すように、非磁性基板ａ
の両側面に、Ｃr等の下地膜ｂ、Ｃo合金の磁性膜ｃ、Ｃ
等の保護膜ｄを順次に成膜した構造を有している。該下
地膜ｂは、その上に形成されるＣo合金磁性膜のｃ軸を
面内方向にエピタキシャル成長させるべく作用し、面内
方向に高い保磁力等の磁気特性を持つようになる。該下
地膜ｂ上で磁性膜ｃを十分にエピタキシャル成長させる
ために、清浄な雰囲気で清浄な該下地膜ｂ上に磁性膜ｃ
をスパッタ成膜している。
面内型磁気記録体は、図１に示すように、非磁性基板ａ
の両側面に、Ｃr等の下地膜ｂ、Ｃo合金の磁性膜ｃ、Ｃ
等の保護膜ｄを順次に成膜した構造を有している。該下
地膜ｂは、その上に形成されるＣo合金磁性膜のｃ軸を
面内方向にエピタキシャル成長させるべく作用し、面内
方向に高い保磁力等の磁気特性を持つようになる。該下
地膜ｂ上で磁性膜ｃを十分にエピタキシャル成長させる
ために、清浄な雰囲気で清浄な該下地膜ｂ上に磁性膜ｃ
をスパッタ成膜している。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】一方、ハードディスク
は、将来的には高密度記録が要求されるようになること
が予想され、この要求を満足するには磁気記録媒体の媒
体ノイズを低減する必要がある。そのため、非磁性基板
に直接にＣo合金磁性膜を設けた下地膜を有さない単層
膜媒体型の磁気記録体では、Ｃo合金中にＳiＯ2やＣoＯ
等の酸化物を混合させたりＯ2雰囲気中で成膜する方法
が検討され始めている。
は、将来的には高密度記録が要求されるようになること
が予想され、この要求を満足するには磁気記録媒体の媒
体ノイズを低減する必要がある。そのため、非磁性基板
に直接にＣo合金磁性膜を設けた下地膜を有さない単層
膜媒体型の磁気記録体では、Ｃo合金中にＳiＯ2やＣoＯ
等の酸化物を混合させたりＯ2雰囲気中で成膜する方法
が検討され始めている。
【０００４】しかし、図１に示したようなＣo合金磁性
膜ｃの下に下地膜ｂを有する２層膜の磁気記録体では、
該下地膜ｂが存在するために該Ｃo合金磁性膜ｂがエピ
タキシャル成長し、高い磁気保持力や高い角形比の磁気
特性を得ているもので、前記単層膜媒体型の場合と同様
の方法で媒体ノイズの低減のために該磁性膜ｂ中に酸素
を混入させようとすると、該下地膜ｂの表面が酸化して
しまい、その上に形成されるべき該磁性膜ｂのエピタキ
シャル成長性が阻害され、高い保磁力等の磁気特性を保
ったまま媒体ノイズを低減させることは困難であること
が判明した。
膜ｃの下に下地膜ｂを有する２層膜の磁気記録体では、
該下地膜ｂが存在するために該Ｃo合金磁性膜ｂがエピ
タキシャル成長し、高い磁気保持力や高い角形比の磁気
特性を得ているもので、前記単層膜媒体型の場合と同様
の方法で媒体ノイズの低減のために該磁性膜ｂ中に酸素
を混入させようとすると、該下地膜ｂの表面が酸化して
しまい、その上に形成されるべき該磁性膜ｂのエピタキ
シャル成長性が阻害され、高い保磁力等の磁気特性を保
ったまま媒体ノイズを低減させることは困難であること
が判明した。
【０００５】本発明は、高い磁気保持力や高い角形比の
磁気特性を備え且つ媒体ノイズの低減された高密度記録
に適する磁気記録媒体の製造方法及びその製造に適した
装置を提供することを目的とするものである。
磁気特性を備え且つ媒体ノイズの低減された高密度記録
に適する磁気記録媒体の製造方法及びその製造に適した
装置を提供することを目的とするものである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明では、エピタキシ
ャル成長を可能にするＣr等の金属の下地膜を成膜した
非磁性基板上に、スパッタリングによりエピタキシャル
成長し且つｈｃｐ相のｃ軸を基板面内方向へ配向したＣ
o合金系磁性膜を成膜する磁気記録体の製造方法に於い
て、該Ｃo合金系磁性膜を、酸化物、窒化物、炭化物を
含まないＣo合金ターゲットを使用して該下地膜上に第
１層Ｃo合金系磁性膜をスパッタ成膜したのちその上に
酸化物、窒化物、炭化物のうちの少なくとも１つを含む
Ｃo合金ターゲットを使用して第２層Ｃo合金系磁性膜を
スパッタ成膜する方法により、高密度記録に適した磁気
記録体を適切に製造することができ、この方法は、Ａr
ガス等の希ガスの導入口を設けたスパッタ室内に、酸化
物、窒化物、炭化物を含まないＣo合金ターゲットと、
酸化物、窒化物、炭化物のうちの少なくとも１つを含む
Ｃo合金ターゲットとを設け、下地膜を成膜した非磁性
基板を該下地膜が酸化物、窒化物、炭化物を含まないＣ
o合金ターゲットの前面と酸化物、窒化物、炭化物のう
ちの少なくとも１つを含むＣo合金ターゲットの前面と
順次に対向するように搬送する装置により、適切に実施
できる。
ャル成長を可能にするＣr等の金属の下地膜を成膜した
非磁性基板上に、スパッタリングによりエピタキシャル
成長し且つｈｃｐ相のｃ軸を基板面内方向へ配向したＣ
o合金系磁性膜を成膜する磁気記録体の製造方法に於い
て、該Ｃo合金系磁性膜を、酸化物、窒化物、炭化物を
含まないＣo合金ターゲットを使用して該下地膜上に第
１層Ｃo合金系磁性膜をスパッタ成膜したのちその上に
酸化物、窒化物、炭化物のうちの少なくとも１つを含む
Ｃo合金ターゲットを使用して第２層Ｃo合金系磁性膜を
スパッタ成膜する方法により、高密度記録に適した磁気
記録体を適切に製造することができ、この方法は、Ａr
ガス等の希ガスの導入口を設けたスパッタ室内に、酸化
物、窒化物、炭化物を含まないＣo合金ターゲットと、
酸化物、窒化物、炭化物のうちの少なくとも１つを含む
Ｃo合金ターゲットとを設け、下地膜を成膜した非磁性
基板を該下地膜が酸化物、窒化物、炭化物を含まないＣ
o合金ターゲットの前面と酸化物、窒化物、炭化物のう
ちの少なくとも１つを含むＣo合金ターゲットの前面と
順次に対向するように搬送する装置により、適切に実施
できる。
【０００７】また、該磁気記録体は、該非磁性基板上
に、スパッタリングによりエピタキシャル成長し且つｈ
ｃｐ相のｃ軸を基板面内方向へ配向したＣo合金系磁性
膜を成膜する磁気記録体の製造方法に於いて、該スパッ
タリングのターゲットとして、酸化物、窒化物、炭化物
を含まないＣo合金ターゲットを用意し、該Ｃo合金ター
ゲットをＡr等の希ガスの雰囲気中でスパッタして該下
地膜上に第１層Ｃo合金系磁性膜をスパッタ成膜したの
ち、該希ガスに酸素系ガス、若しくは窒素系ガス、若し
くは炭化水素系ガスを混入したガス雰囲気中で該Ｃo合
金ターゲットをスパッタして該第１層Ｃo合金系磁性膜
の上に第２層Ｃo合金系磁性膜をスパッタ成膜する方法
によっても製造でき、この場合、Ａr等の希ガスの雰囲
気の第１スパッタ室と、該希ガスに酸素系ガス、若しく
は窒素系ガス、若しくは炭化水素系ガスを混合したガス
雰囲気の第２スパッタ室とを互いにその雰囲気を維持で
きる状態で連設すると共に、これらのスパッタ室に酸化
物、窒化物、炭化物を含まないＣo合金ターゲットを夫
々設け、下地膜を成膜した非磁性基板を該第１スパッタ
室内から第２スパッタ室内へ搬送する製造装置により、
或いは、酸化物、窒化物、炭化物を含まないＣo合金タ
ーゲットと、これに対向して下地膜を形成した非磁性基
板を設けたスパッタ室に、該室内へ希ガスを導入する希
ガス導入系と、該希ガスに酸素系ガス、若しくは窒素系
ガス、若しくは炭化水素系ガスを混合したガスを導入す
る混合ガス導入系を設け、これらのガス導入系を交互に
開いて該スパッタ室へガスを導入する開閉制御装置を設
けた製造装置により、適切に実施できる。
に、スパッタリングによりエピタキシャル成長し且つｈ
ｃｐ相のｃ軸を基板面内方向へ配向したＣo合金系磁性
膜を成膜する磁気記録体の製造方法に於いて、該スパッ
タリングのターゲットとして、酸化物、窒化物、炭化物
を含まないＣo合金ターゲットを用意し、該Ｃo合金ター
ゲットをＡr等の希ガスの雰囲気中でスパッタして該下
地膜上に第１層Ｃo合金系磁性膜をスパッタ成膜したの
ち、該希ガスに酸素系ガス、若しくは窒素系ガス、若し
くは炭化水素系ガスを混入したガス雰囲気中で該Ｃo合
金ターゲットをスパッタして該第１層Ｃo合金系磁性膜
の上に第２層Ｃo合金系磁性膜をスパッタ成膜する方法
によっても製造でき、この場合、Ａr等の希ガスの雰囲
気の第１スパッタ室と、該希ガスに酸素系ガス、若しく
は窒素系ガス、若しくは炭化水素系ガスを混合したガス
雰囲気の第２スパッタ室とを互いにその雰囲気を維持で
きる状態で連設すると共に、これらのスパッタ室に酸化
物、窒化物、炭化物を含まないＣo合金ターゲットを夫
々設け、下地膜を成膜した非磁性基板を該第１スパッタ
室内から第２スパッタ室内へ搬送する製造装置により、
或いは、酸化物、窒化物、炭化物を含まないＣo合金タ
ーゲットと、これに対向して下地膜を形成した非磁性基
板を設けたスパッタ室に、該室内へ希ガスを導入する希
ガス導入系と、該希ガスに酸素系ガス、若しくは窒素系
ガス、若しくは炭化水素系ガスを混合したガスを導入す
る混合ガス導入系を設け、これらのガス導入系を交互に
開いて該スパッタ室へガスを導入する開閉制御装置を設
けた製造装置により、適切に実施できる。
【０００８】
【発明の実施の形態】磁気記録媒体として代表的な面内
型ハードディスクは、アルミニウム等の非磁性体基板上
にＣr等の下地膜を形成し、該下地膜の上にスパッタに
よるＣo合金系磁性膜が設けられており、該下地膜の格
子定数が該Ｃo合金系磁性膜のｃ軸の格子定数にほぼ等
しいため、該磁性膜はエピタキシャル成長して該Ｃo合
金系磁性膜のｃ軸が該基板の面内方向に配向し、その面
内に高い保持力や高い角形比を有する優れた磁気特性を
示すようになる。従って、Ｃr等の下地膜の界面は、エ
ピタキシャル性を阻害しないような清浄な表面であるこ
とが要求される。
型ハードディスクは、アルミニウム等の非磁性体基板上
にＣr等の下地膜を形成し、該下地膜の上にスパッタに
よるＣo合金系磁性膜が設けられており、該下地膜の格
子定数が該Ｃo合金系磁性膜のｃ軸の格子定数にほぼ等
しいため、該磁性膜はエピタキシャル成長して該Ｃo合
金系磁性膜のｃ軸が該基板の面内方向に配向し、その面
内に高い保持力や高い角形比を有する優れた磁気特性を
示すようになる。従って、Ｃr等の下地膜の界面は、エ
ピタキシャル性を阻害しないような清浄な表面であるこ
とが要求される。
【０００９】一方、ハードディスクに一般的に用いられ
ているＣoＣrＴa等のＣo合金系磁性膜は、そのスパッタ
成膜の際に基板温度を高くしたりバイアス電圧を印加す
ることにより、合金中のＣrやＴaのような非磁性金属が
Ｃo粒子の粒界に偏析し、これにより膜内の磁気的な相
互作用が弱まり、媒体ノイズが比較的低い。しかし、Ｃ
rやＴaの偏析だけでは磁気的相互作用を断ち切る機能が
弱く、膜中に酸化物や窒化物、炭化物を添加してその相
互作用を更に弱めれば、従来の媒体に比べより低ノイズ
化を実現できると考えられる。だが、これら酸化物等の
添加物は、Ｃr等の下地膜表面を酸化若しくは窒化若し
くは炭化させてしまい、エピタキシャル性を損なうの
で、磁気特性が劣化してしまう。
ているＣoＣrＴa等のＣo合金系磁性膜は、そのスパッタ
成膜の際に基板温度を高くしたりバイアス電圧を印加す
ることにより、合金中のＣrやＴaのような非磁性金属が
Ｃo粒子の粒界に偏析し、これにより膜内の磁気的な相
互作用が弱まり、媒体ノイズが比較的低い。しかし、Ｃ
rやＴaの偏析だけでは磁気的相互作用を断ち切る機能が
弱く、膜中に酸化物や窒化物、炭化物を添加してその相
互作用を更に弱めれば、従来の媒体に比べより低ノイズ
化を実現できると考えられる。だが、これら酸化物等の
添加物は、Ｃr等の下地膜表面を酸化若しくは窒化若し
くは炭化させてしまい、エピタキシャル性を損なうの
で、磁気特性が劣化してしまう。
【００１０】本発明の場合、図２に示すように、アルミ
ニウム等の非磁性基板１の両面若しくは片面に形成した
Ｃr膜等の下地膜２上に、まず、これらの添加物を含ま
ない第１層Ｃo合金系磁性膜３をスパッタ成膜し、これ
に連続して該第１層Ｃo合金系磁性膜４上にこれらの添
加物を含む第２層Ｃo合金系磁性膜４をスパッタ成膜す
るもので、この添加物を含まない第１層Ｃo合金系磁性
膜３は、下地膜２上にエピタキシャル成長して該下地膜
を覆ってしまい、この添加物を含まない第１層Ｃo合金
系磁性膜３はＣr等の下地膜２よりも酸化（若しくは窒
化、炭化）しにくいので、これに続いて成膜した添加物
を含む第２層Ｃo合金系磁性膜４は、先に存在する添加
物を含まない磁性膜と同じ方位でエピタキシャル成長を
続け、その結果、面内方向にエピタキシャル性を有し、
磁性膜全体が優れた磁気特性を保ったままで酸素もしく
は窒素、炭素を含むので低ノイズの磁気記録体が得られ
る。同図の符号５は、第２層Ｃo合金系磁性膜４上に成
膜した炭素の保護膜を示す。
ニウム等の非磁性基板１の両面若しくは片面に形成した
Ｃr膜等の下地膜２上に、まず、これらの添加物を含ま
ない第１層Ｃo合金系磁性膜３をスパッタ成膜し、これ
に連続して該第１層Ｃo合金系磁性膜４上にこれらの添
加物を含む第２層Ｃo合金系磁性膜４をスパッタ成膜す
るもので、この添加物を含まない第１層Ｃo合金系磁性
膜３は、下地膜２上にエピタキシャル成長して該下地膜
を覆ってしまい、この添加物を含まない第１層Ｃo合金
系磁性膜３はＣr等の下地膜２よりも酸化（若しくは窒
化、炭化）しにくいので、これに続いて成膜した添加物
を含む第２層Ｃo合金系磁性膜４は、先に存在する添加
物を含まない磁性膜と同じ方位でエピタキシャル成長を
続け、その結果、面内方向にエピタキシャル性を有し、
磁性膜全体が優れた磁気特性を保ったままで酸素もしく
は窒素、炭素を含むので低ノイズの磁気記録体が得られ
る。同図の符号５は、第２層Ｃo合金系磁性膜４上に成
膜した炭素の保護膜を示す。
【００１１】これら第１層及び第２層のＣo合金系磁性
膜３、４は、図３に１例として示したスパッタ装置のス
パッタ室６内に２種のＣo合金ターゲット、即ち、酸化
物、窒化物、炭化物を含まない一対のＣo合金ターゲッ
ト７と、酸化物、窒化物、炭化物のうちのいずれか１つ
を含む一対のＣo合金ターゲット８を設け、該室６内を
真空のＡrガス等の希ガス雰囲気に調整し、下地膜２を
成膜した非磁性体基板１にバイアス電圧を印加しながら
該ターゲット７、７の前方及びターゲット８、８の前
方、即ち各ターゲットの間を順次に通過させ、その通過
時に順次に該ターゲット７、８との間に放電を発生させ
て第１層Ｃo合金系磁性膜３と第２層Ｃo合金系磁性膜４
を該基板１上にスパッタ成膜することができる。同図の
スパッタ装置は、非磁性基板１の両面に磁性膜を形成し
て磁気記録体とするまでの一連の工程を行える装置であ
り、スパッタ室６内にはＣrの下地膜２を成膜するため
の一対の下地ターゲット１８を上記Ｃo合金ターゲット
７の前方に設け、スパッタ室６の前方に、ヒータ９を備
えた加熱室１０を介して非磁性基板１を外部から導入す
るための仕込室１１を連設し、該スパッタ室６の後方
に、炭素の保護膜５を成膜するためのグラファイト等の
保護膜ターゲット１２を設備した保護膜スパッタ室１３
を介して成膜が完了して磁気記録体となった該基板１を
外部へ取り出すための取出室１４を連設したもので、各
室間はゲートバルブ１５により開閉自在に遮断した。ま
た、これらのスパッタ室６を含む各室は、図示してない
真空ポンプにより真空排気が可能になっており、仕込室
１１及び取出室１４には基板１の出し入れのために図示
してない扉が設けられる。更に、各室には、該基板１を
搬送するための搬送ロボットや搬送コンベア等の適当な
搬送手段が設けられ、図示してない基板ホルダーに保持
した基板１を仕込室１１から取出室１４まで搬送する。
該基板１に対して、スパッタ室６及び保護膜スパッタ室
１３の搬送中はバイアス電圧が該搬送手段を介して印加
される。符号１６は、スパッタ室６に希ガスを導入する
ための希ガス導入系である。尚、該仕込室１１には、複
数枚の基板１を用意しておき、これを一枚ずつ送り出し
て順次に成膜することが能率的で好ましい。
膜３、４は、図３に１例として示したスパッタ装置のス
パッタ室６内に２種のＣo合金ターゲット、即ち、酸化
物、窒化物、炭化物を含まない一対のＣo合金ターゲッ
ト７と、酸化物、窒化物、炭化物のうちのいずれか１つ
を含む一対のＣo合金ターゲット８を設け、該室６内を
真空のＡrガス等の希ガス雰囲気に調整し、下地膜２を
成膜した非磁性体基板１にバイアス電圧を印加しながら
該ターゲット７、７の前方及びターゲット８、８の前
方、即ち各ターゲットの間を順次に通過させ、その通過
時に順次に該ターゲット７、８との間に放電を発生させ
て第１層Ｃo合金系磁性膜３と第２層Ｃo合金系磁性膜４
を該基板１上にスパッタ成膜することができる。同図の
スパッタ装置は、非磁性基板１の両面に磁性膜を形成し
て磁気記録体とするまでの一連の工程を行える装置であ
り、スパッタ室６内にはＣrの下地膜２を成膜するため
の一対の下地ターゲット１８を上記Ｃo合金ターゲット
７の前方に設け、スパッタ室６の前方に、ヒータ９を備
えた加熱室１０を介して非磁性基板１を外部から導入す
るための仕込室１１を連設し、該スパッタ室６の後方
に、炭素の保護膜５を成膜するためのグラファイト等の
保護膜ターゲット１２を設備した保護膜スパッタ室１３
を介して成膜が完了して磁気記録体となった該基板１を
外部へ取り出すための取出室１４を連設したもので、各
室間はゲートバルブ１５により開閉自在に遮断した。ま
た、これらのスパッタ室６を含む各室は、図示してない
真空ポンプにより真空排気が可能になっており、仕込室
１１及び取出室１４には基板１の出し入れのために図示
してない扉が設けられる。更に、各室には、該基板１を
搬送するための搬送ロボットや搬送コンベア等の適当な
搬送手段が設けられ、図示してない基板ホルダーに保持
した基板１を仕込室１１から取出室１４まで搬送する。
該基板１に対して、スパッタ室６及び保護膜スパッタ室
１３の搬送中はバイアス電圧が該搬送手段を介して印加
される。符号１６は、スパッタ室６に希ガスを導入する
ための希ガス導入系である。尚、該仕込室１１には、複
数枚の基板１を用意しておき、これを一枚ずつ送り出し
て順次に成膜することが能率的で好ましい。
【００１２】この図３に示した装置では、例えばＮiＰ
メッキを施したアルミニウム基板の非磁性基板１を仕込
室１１に収め、仕込室１１、加熱室１０及び取出室１４
の真空圧を調整し、スパッタ室６及び保護膜スパッタ室
１３にはＡrガスを導入してスパッタに適した真空圧に
調整しておき、該基板１を仕込室１１から加熱室１０へ
と送り出す。該加熱室１０で例えば２７０℃に加熱され
た基板１は、スパッタ室６に搬送されて例えば−３００
Ｖのバイアス電圧を与えながらまずその両面にＣrの下
地ターゲット１８のスパッタで下地膜２が成膜され、続
いてバイアス電圧を与えながら酸化物等を含まないＣo
合金ターゲット７をスパッタして第１層Ｃo合金系磁性
膜３を該下地膜２の上に形成し、該第１層Ｃo合金系磁
性膜３の上にバイアス電圧を与えながら酸化物等を含む
Ｃo合金ターゲット８をスパッタして第２層Ｃo合金系磁
性膜４を形成し、この後保護膜スパッタ室１３に搬送
し、そこでカーボンの保護膜５が成膜されて完成した磁
気記録体として取出室１４へと送られ、そこから外部へ
取り出される。
メッキを施したアルミニウム基板の非磁性基板１を仕込
室１１に収め、仕込室１１、加熱室１０及び取出室１４
の真空圧を調整し、スパッタ室６及び保護膜スパッタ室
１３にはＡrガスを導入してスパッタに適した真空圧に
調整しておき、該基板１を仕込室１１から加熱室１０へ
と送り出す。該加熱室１０で例えば２７０℃に加熱され
た基板１は、スパッタ室６に搬送されて例えば−３００
Ｖのバイアス電圧を与えながらまずその両面にＣrの下
地ターゲット１８のスパッタで下地膜２が成膜され、続
いてバイアス電圧を与えながら酸化物等を含まないＣo
合金ターゲット７をスパッタして第１層Ｃo合金系磁性
膜３を該下地膜２の上に形成し、該第１層Ｃo合金系磁
性膜３の上にバイアス電圧を与えながら酸化物等を含む
Ｃo合金ターゲット８をスパッタして第２層Ｃo合金系磁
性膜４を形成し、この後保護膜スパッタ室１３に搬送
し、そこでカーボンの保護膜５が成膜されて完成した磁
気記録体として取出室１４へと送られ、そこから外部へ
取り出される。
【００１３】更に、これら第１層及び第２層のＣo合金
系磁性膜３、４は、図４に１例として示した如く、スパ
ッタ装置のスパッタ室６を、Ａrガス等の希ガス導入系
１６を設けた第１スパッタ室６ａと、希ガスに酸素系ガ
ス、若しくは窒素系ガス、若しくは炭化水素系ガスを混
合したガスを導入する混合ガス導入系１７を備えた第２
スパッタ室６ｂとに区分すると共にその各スパッタ室６
ａ、６ｂの雰囲気を維持できるようにゲートバルブ１５
を介して連設し、各スパッタ室に酸化物、窒化物、炭化
物を含まないＣo合金ターゲット７を夫々一対設けた構
成とし、下地膜２を形成した非磁性基板１に希ガスのみ
の雰囲気の第１スパッタ室６ａ内で第１層Ｃo合金系磁
性膜３をスパッタ成膜し、これに連続して上記混合ガス
雰囲気の第２スパッタ室６ｂ内で第２層Ｃo合金系磁性
膜４をスパッタ成膜することもできる。尚、基板１に
は、下地膜２の成膜時、第１層及び第２層Ｃo合金系磁
性膜３、４の成膜時に、バイアス電圧が与えられる。図
４に示した装置のスパッタ室６ａ、６ｂ以外の構成は、
図３に示した装置と同様であり、その構成の説明を省略
する。
系磁性膜３、４は、図４に１例として示した如く、スパ
ッタ装置のスパッタ室６を、Ａrガス等の希ガス導入系
１６を設けた第１スパッタ室６ａと、希ガスに酸素系ガ
ス、若しくは窒素系ガス、若しくは炭化水素系ガスを混
合したガスを導入する混合ガス導入系１７を備えた第２
スパッタ室６ｂとに区分すると共にその各スパッタ室６
ａ、６ｂの雰囲気を維持できるようにゲートバルブ１５
を介して連設し、各スパッタ室に酸化物、窒化物、炭化
物を含まないＣo合金ターゲット７を夫々一対設けた構
成とし、下地膜２を形成した非磁性基板１に希ガスのみ
の雰囲気の第１スパッタ室６ａ内で第１層Ｃo合金系磁
性膜３をスパッタ成膜し、これに連続して上記混合ガス
雰囲気の第２スパッタ室６ｂ内で第２層Ｃo合金系磁性
膜４をスパッタ成膜することもできる。尚、基板１に
は、下地膜２の成膜時、第１層及び第２層Ｃo合金系磁
性膜３、４の成膜時に、バイアス電圧が与えられる。図
４に示した装置のスパッタ室６ａ、６ｂ以外の構成は、
図３に示した装置と同様であり、その構成の説明を省略
する。
【００１４】図４に示す装置では、例えばＮiＰメッキ
を施したアルミニウム基板の非磁性基板１を仕込室１１
に収め、仕込室１１、加熱室１０及び取出室１４の真空
圧を調整することは図３の装置の場合と同様であるが、
第１スパッタ室６ａ及び保護膜スパッタ室１３にＡrガ
スを導入すると共に第２スパッタ室６ｂには前記酸素系
ガス等の混合ガスを導入して各室６ａ、６ｂ、１３をス
パッタに適した真空圧に調整しておき、該基板１を仕込
室１１から加熱室１０へと送り出す。該加熱室１０で加
熱された基板１は、希ガス雰囲気の第１スパッタ室６ａ
に搬送されてまずその両面にＣrの下地ターゲット１８
のスパッタで下地膜２が成膜され、続いて酸化物等を含
まないＣo合金ターゲット７のスパッタで第１層Ｃo合金
系磁性膜３が該下地膜２の上に形成される。該基板１
は、更に前記混合ガス雰囲気の第２スパッタ室６ｂへ搬
送されて該第１層Ｃo合金系磁性膜３の上に酸化物等を
含まないＣo合金ターゲット７のスパッタ膜が成膜され
るが、該第２スパッタ室６ｂは酸素系ガス等の混合ガス
の雰囲気であるため、その成膜時にスパッタ粒子は酸
化、若しくは窒化、若しくは炭化され、第２層Ｃo合金
系磁性膜４が形成される。この後、保護膜スパッタ室１
３に搬送され、そこでカーボンの保護膜５が成膜されて
完成した磁気記録体として取出室１４へと送られ、そこ
から外部へ取り出される。
を施したアルミニウム基板の非磁性基板１を仕込室１１
に収め、仕込室１１、加熱室１０及び取出室１４の真空
圧を調整することは図３の装置の場合と同様であるが、
第１スパッタ室６ａ及び保護膜スパッタ室１３にＡrガ
スを導入すると共に第２スパッタ室６ｂには前記酸素系
ガス等の混合ガスを導入して各室６ａ、６ｂ、１３をス
パッタに適した真空圧に調整しておき、該基板１を仕込
室１１から加熱室１０へと送り出す。該加熱室１０で加
熱された基板１は、希ガス雰囲気の第１スパッタ室６ａ
に搬送されてまずその両面にＣrの下地ターゲット１８
のスパッタで下地膜２が成膜され、続いて酸化物等を含
まないＣo合金ターゲット７のスパッタで第１層Ｃo合金
系磁性膜３が該下地膜２の上に形成される。該基板１
は、更に前記混合ガス雰囲気の第２スパッタ室６ｂへ搬
送されて該第１層Ｃo合金系磁性膜３の上に酸化物等を
含まないＣo合金ターゲット７のスパッタ膜が成膜され
るが、該第２スパッタ室６ｂは酸素系ガス等の混合ガス
の雰囲気であるため、その成膜時にスパッタ粒子は酸
化、若しくは窒化、若しくは炭化され、第２層Ｃo合金
系磁性膜４が形成される。この後、保護膜スパッタ室１
３に搬送され、そこでカーボンの保護膜５が成膜されて
完成した磁気記録体として取出室１４へと送られ、そこ
から外部へ取り出される。
【００１５】また、これら第１層及び第２層のＣo合金
系磁性膜３、４は、スパッタ室に希ガスと、希ガスに酸
素系ガス、若しくは窒素系ガス、若しくは炭化水素系ガ
スを混合した混合ガスを交互に導入してＣo合金ターゲ
ットをスパッタすることにより作製することができる。
その装置の１例は図５に示す如くであり、スパッタ室６
に、Ａrガス等の希ガス導入系１６と、希ガスに酸素系
ガス、若しくは窒素系ガス、若しくは炭化水素系ガスを
混合したガスを導入する混合ガス導入系１７に３方向バ
ルブで構成された切換制御装置１９を介して接続したス
パッタガス導入系２０を設け、該切換制御装置１９を操
作して該スパッタ室６に先ず希ガス導入系１６からスパ
ッタガス導入系２０を介して希ガスを導入し、希ガス雰
囲気に於いて該基板１の下地膜２上に第１層Ｃo合金系
磁性膜３をスパッタ成膜し、続いて混合ガス導入系１７
から該混合ガスを導入して混合ガスの雰囲気で該Ｃo合
金系磁性膜３上に第２層Ｃo合金系磁性膜４をスパッタ
成膜することができる。この場合、該スパッタ室６内に
は、酸化物、窒化物、炭化物を含まない一対のＣo合金
ターゲット７が互いに間隔を存して対向設置される。こ
の装置の構成は、図４の装置とスパッタ室６の構成が相
違するほか、該スパッタ室６の前方で加熱室１０の後方
に、一対のＣrの下地ターゲット１８を設けた下地膜ス
パッタ室２１をゲートバルブ１５で仕切って設け、該下
地膜スパッタ室２１及び保護膜スパッタ室１３に希ガス
導入系２２が設けられた点が相違し、残余の構成は図４
の構成と同様で、下地膜２の成膜時、第１層及び第２層
Ｃo合金系磁性膜３、４の成膜時に基板１にバイアス電
圧を印加することも図４の場合と同様である。
系磁性膜３、４は、スパッタ室に希ガスと、希ガスに酸
素系ガス、若しくは窒素系ガス、若しくは炭化水素系ガ
スを混合した混合ガスを交互に導入してＣo合金ターゲ
ットをスパッタすることにより作製することができる。
その装置の１例は図５に示す如くであり、スパッタ室６
に、Ａrガス等の希ガス導入系１６と、希ガスに酸素系
ガス、若しくは窒素系ガス、若しくは炭化水素系ガスを
混合したガスを導入する混合ガス導入系１７に３方向バ
ルブで構成された切換制御装置１９を介して接続したス
パッタガス導入系２０を設け、該切換制御装置１９を操
作して該スパッタ室６に先ず希ガス導入系１６からスパ
ッタガス導入系２０を介して希ガスを導入し、希ガス雰
囲気に於いて該基板１の下地膜２上に第１層Ｃo合金系
磁性膜３をスパッタ成膜し、続いて混合ガス導入系１７
から該混合ガスを導入して混合ガスの雰囲気で該Ｃo合
金系磁性膜３上に第２層Ｃo合金系磁性膜４をスパッタ
成膜することができる。この場合、該スパッタ室６内に
は、酸化物、窒化物、炭化物を含まない一対のＣo合金
ターゲット７が互いに間隔を存して対向設置される。こ
の装置の構成は、図４の装置とスパッタ室６の構成が相
違するほか、該スパッタ室６の前方で加熱室１０の後方
に、一対のＣrの下地ターゲット１８を設けた下地膜ス
パッタ室２１をゲートバルブ１５で仕切って設け、該下
地膜スパッタ室２１及び保護膜スパッタ室１３に希ガス
導入系２２が設けられた点が相違し、残余の構成は図４
の構成と同様で、下地膜２の成膜時、第１層及び第２層
Ｃo合金系磁性膜３、４の成膜時に基板１にバイアス電
圧を印加することも図４の場合と同様である。
【００１６】図５の装置に於いて、ＮiＰメッキを施し
たアルミニウムの非磁性基板１を仕込室１１に収め、各
室の真空圧スパッタ圧を調整し、該基板１を加熱室１０
に搬入して例えば２７０℃に加熱したのち下地膜スパッ
タ室２１に於いてＣrの下地膜２をスパッタ成膜し、更
に該基板１をスパッタ室６へ搬入してそこで上記のよう
に第１層及び第２層Ｃo合金系磁性膜３、４をスパッタ
成膜し、このあと保護膜スパッタ室１３で該基板１にカ
ーボンの保護膜５を成膜して磁気記録体となり、取出室
１４から外部へ取り出される。
たアルミニウムの非磁性基板１を仕込室１１に収め、各
室の真空圧スパッタ圧を調整し、該基板１を加熱室１０
に搬入して例えば２７０℃に加熱したのち下地膜スパッ
タ室２１に於いてＣrの下地膜２をスパッタ成膜し、更
に該基板１をスパッタ室６へ搬入してそこで上記のよう
に第１層及び第２層Ｃo合金系磁性膜３、４をスパッタ
成膜し、このあと保護膜スパッタ室１３で該基板１にカ
ーボンの保護膜５を成膜して磁気記録体となり、取出室
１４から外部へ取り出される。
【００１７】酸化物、窒化物、炭化物を含まないＣo合
金ターゲット７として、ＣoＣrＰtＢ、ＣoＣrＴa、Ｃo
ＮiＣr、ＣoＮiＰt、ＣoＣrＰt等の任意組成の各種Ｃo
合金を使用でき、これらの合金ターゲット７の組成に酸
素、窒素、炭素を添加した合金ターゲットが酸化物、窒
化物、炭化物を含むＣo合金ターゲット８として使用さ
れる。また、下地膜２としては、Ｃrの他に、Ｃo合金系
磁性膜のｃ軸と格子定数がほぼ等しく、Ｃo合金を基板
面内にエピタキシャル成長させる金属であれば良く、例
えばＭo、Ｗ、Ｎbやこれらを主成分とする合金であって
もよい。
金ターゲット７として、ＣoＣrＰtＢ、ＣoＣrＴa、Ｃo
ＮiＣr、ＣoＮiＰt、ＣoＣrＰt等の任意組成の各種Ｃo
合金を使用でき、これらの合金ターゲット７の組成に酸
素、窒素、炭素を添加した合金ターゲットが酸化物、窒
化物、炭化物を含むＣo合金ターゲット８として使用さ
れる。また、下地膜２としては、Ｃrの他に、Ｃo合金系
磁性膜のｃ軸と格子定数がほぼ等しく、Ｃo合金を基板
面内にエピタキシャル成長させる金属であれば良く、例
えばＭo、Ｗ、Ｎbやこれらを主成分とする合金であって
もよい。
【００１８】図６に後記比較例３に於いて使用した装置
を示した。この装置は、仕込室１１０、加熱室１００、
スパッタ室６０、保護膜スパッタ室１３０、取出室１４
０がゲートバルブ１５０により仕切って一連に設けら
れ、該スパッタ室６０にはＣrの下地ターゲット１８０
と酸化物、窒化物、炭化物を含まないＣo合金ターゲッ
ト７０を設け、該スパッタ室６０及び保護膜スパッタ室
１３０にＡrの希ガスを導入する希ガス導入系１６０を
設けたもので、これ以外の構成は、図３の構成とほぼ同
様である。
を示した。この装置は、仕込室１１０、加熱室１００、
スパッタ室６０、保護膜スパッタ室１３０、取出室１４
０がゲートバルブ１５０により仕切って一連に設けら
れ、該スパッタ室６０にはＣrの下地ターゲット１８０
と酸化物、窒化物、炭化物を含まないＣo合金ターゲッ
ト７０を設け、該スパッタ室６０及び保護膜スパッタ室
１３０にＡrの希ガスを導入する希ガス導入系１６０を
設けたもので、これ以外の構成は、図３の構成とほぼ同
様である。
【００１９】
【実施例】以下に本発明の具体的実施例を説明する。 （実施例１）ＮiＰメッキを施したアルミニウムの非磁
性基板１を図３の装置の仕込室１１に収め、各室の真空
圧を調整したのち該基板１を加熱室１０へ搬送して２７
０℃に加熱し、更に該基板１をスパッタ室６へ搬送して
希ガス導入系１６から導入した５×１０-3TorrのＡrガ
ス雰囲気中で該基板１に−３００Ｖのバイアス電圧を印
加しながらＣrの下地ターゲット１８をスパッタし、下
地膜２を１００ｎｍの厚さに成膜した。その後、直ちに
該スパッタ室内のＣo−１０ａｔ．％Ｃr−１０ａｔ．％
Ｐt−１０ａｔ．％Ｂの酸化物、窒化物、炭化物を含ま
ないＣo合金ターゲット７が設置された位置へ移動さ
せ、引き続き５×１０-3TorrのＡrガス雰囲気中で−３
００Ｖのバイアス電圧を印加しながらＣoＣrＰtＢの酸
化物、窒化物、炭化物を含まない第１層Ｃo合金系磁性
膜３を１０ｎｍの厚さでスパッタ成膜し、更に該スパッ
タ室内のＣo−１０ａｔ．％Ｃr−１０ａｔ．％Ｐt−１
０ａｔ．％Ｂ−５ａｔ．％Ｏの酸化物を含むＣo合金タ
ーゲット８の前方へ移動させて、該第１層Ｃo合金系磁
性膜３の上に基板１に−３００Ｖのバイアス電圧を印加
しながら酸化物を含むＣoＣrＰtＢＯの第２層Ｃo合金系
磁性膜４を３０ｎｍの厚さにスパッタ成膜した。このあ
と、該基板１を保護膜スパッタ室１３へ搬送して、５×
１０-3TorrのＡrガス雰囲気中でグラファイトの保護膜
ターゲット１２を２０ｎｍの厚さでスパッタ成膜し、磁
気記録体として完成させ、これを取出室１４から取り出
した。この磁気記録体を、薄膜ヘッドを用いて記録再生
特性及び試料振動式磁力計を用いて磁気特性を調べた。
その結果、積算媒体ノイズは、１１．４ｍＶ2であり、
媒体の保磁力、Ｂｒ・δ（残留磁化と膜厚の積）、保磁
力角形比は、各々３１００ Oe、２７０ Ｇ・μｍ、
０．９２であった。
性基板１を図３の装置の仕込室１１に収め、各室の真空
圧を調整したのち該基板１を加熱室１０へ搬送して２７
０℃に加熱し、更に該基板１をスパッタ室６へ搬送して
希ガス導入系１６から導入した５×１０-3TorrのＡrガ
ス雰囲気中で該基板１に−３００Ｖのバイアス電圧を印
加しながらＣrの下地ターゲット１８をスパッタし、下
地膜２を１００ｎｍの厚さに成膜した。その後、直ちに
該スパッタ室内のＣo−１０ａｔ．％Ｃr−１０ａｔ．％
Ｐt−１０ａｔ．％Ｂの酸化物、窒化物、炭化物を含ま
ないＣo合金ターゲット７が設置された位置へ移動さ
せ、引き続き５×１０-3TorrのＡrガス雰囲気中で−３
００Ｖのバイアス電圧を印加しながらＣoＣrＰtＢの酸
化物、窒化物、炭化物を含まない第１層Ｃo合金系磁性
膜３を１０ｎｍの厚さでスパッタ成膜し、更に該スパッ
タ室内のＣo−１０ａｔ．％Ｃr−１０ａｔ．％Ｐt−１
０ａｔ．％Ｂ−５ａｔ．％Ｏの酸化物を含むＣo合金タ
ーゲット８の前方へ移動させて、該第１層Ｃo合金系磁
性膜３の上に基板１に−３００Ｖのバイアス電圧を印加
しながら酸化物を含むＣoＣrＰtＢＯの第２層Ｃo合金系
磁性膜４を３０ｎｍの厚さにスパッタ成膜した。このあ
と、該基板１を保護膜スパッタ室１３へ搬送して、５×
１０-3TorrのＡrガス雰囲気中でグラファイトの保護膜
ターゲット１２を２０ｎｍの厚さでスパッタ成膜し、磁
気記録体として完成させ、これを取出室１４から取り出
した。この磁気記録体を、薄膜ヘッドを用いて記録再生
特性及び試料振動式磁力計を用いて磁気特性を調べた。
その結果、積算媒体ノイズは、１１．４ｍＶ2であり、
媒体の保磁力、Ｂｒ・δ（残留磁化と膜厚の積）、保磁
力角形比は、各々３１００ Oe、２７０ Ｇ・μｍ、
０．９２であった。
【００２０】（実施例２）図４に示した装置で、ＮiＰ
メッキを施したアルミニウムの非磁性基板１を仕込室１
１に用意し、これを加熱室１０に於いて２７０℃に加熱
したのち第１スパッタ室６ａへ搬送し、希ガス導入系１
６から導入した５×１０-3TorrのＡrガス雰囲気中で該
基板１に−３００Ｖのバイアス電圧を印加しながらＣr
の下地ターゲット１７をスパッタして下地膜２を１００
ｎｍの厚さに成膜した。その後、直ちに該スパッタ室内
のＣo−１０ａｔ．％Ｃr−１０ａｔ．％Ｐt−１０ａ
ｔ．％Ｂの酸化物、窒化物、炭化物を含まないＣo合金
ターゲット７が設置された位置へ移動させ、引き続き５
×１０-3TorrのＡrガス雰囲気中で−３００Ｖのバイア
ス電圧を印加しながらＣoＣrＰtＢの酸化物、窒化物、
炭化物を含まない第１層Ｃo合金系磁性膜３を１０ｎｍ
の厚さでスパッタ成膜した。該基板１をゲートバルブ１
５で仕切られた次の第２スパッタ室６ｂ内のＣo−１０
ａｔ．％Ｃr−１０ａｔ．％Ｐt−１０ａｔ．％Ｂの酸化
物等を含まないＣo合金ターゲット７の前方へ移動さ
せ、該室内で混合ガス導入系１７からＯ2ガスが５％混
合したＡrガスを５×１０-3Torr導入した混合ガス雰囲
気中で−３００Ｖのバイアス電圧を印加しながらスパッ
タ成膜し、厚さ３０ｎｍのＣoＣrＰtＢＯの酸化物膜の
第２層Ｃo合金系磁性膜４を形成した。このあと、該基
板１を保護膜スパッタ室１３へ搬送して、５×１０-3To
rrのＡrガス雰囲気中でグラファイトの保護膜ターゲッ
ト１２を２０ｎｍの厚さでスパッタ成膜し、磁気記録体
として完成させ、これを取出室１４から取り出した。こ
の磁気記録体を、薄膜ヘッドを用いて記録再生特性及び
試料振動式磁力計を用いて磁気特性を調べた。その結
果、積算媒体ノイズは、１２．１ｍＶ2であり、媒体の
保磁力、Ｂｒ・δ、保磁力角形比は、各々２９５０Oe、
２６０ Ｇ・μｍ、０．９４であった。
メッキを施したアルミニウムの非磁性基板１を仕込室１
１に用意し、これを加熱室１０に於いて２７０℃に加熱
したのち第１スパッタ室６ａへ搬送し、希ガス導入系１
６から導入した５×１０-3TorrのＡrガス雰囲気中で該
基板１に−３００Ｖのバイアス電圧を印加しながらＣr
の下地ターゲット１７をスパッタして下地膜２を１００
ｎｍの厚さに成膜した。その後、直ちに該スパッタ室内
のＣo−１０ａｔ．％Ｃr−１０ａｔ．％Ｐt−１０ａ
ｔ．％Ｂの酸化物、窒化物、炭化物を含まないＣo合金
ターゲット７が設置された位置へ移動させ、引き続き５
×１０-3TorrのＡrガス雰囲気中で−３００Ｖのバイア
ス電圧を印加しながらＣoＣrＰtＢの酸化物、窒化物、
炭化物を含まない第１層Ｃo合金系磁性膜３を１０ｎｍ
の厚さでスパッタ成膜した。該基板１をゲートバルブ１
５で仕切られた次の第２スパッタ室６ｂ内のＣo−１０
ａｔ．％Ｃr−１０ａｔ．％Ｐt−１０ａｔ．％Ｂの酸化
物等を含まないＣo合金ターゲット７の前方へ移動さ
せ、該室内で混合ガス導入系１７からＯ2ガスが５％混
合したＡrガスを５×１０-3Torr導入した混合ガス雰囲
気中で−３００Ｖのバイアス電圧を印加しながらスパッ
タ成膜し、厚さ３０ｎｍのＣoＣrＰtＢＯの酸化物膜の
第２層Ｃo合金系磁性膜４を形成した。このあと、該基
板１を保護膜スパッタ室１３へ搬送して、５×１０-3To
rrのＡrガス雰囲気中でグラファイトの保護膜ターゲッ
ト１２を２０ｎｍの厚さでスパッタ成膜し、磁気記録体
として完成させ、これを取出室１４から取り出した。こ
の磁気記録体を、薄膜ヘッドを用いて記録再生特性及び
試料振動式磁力計を用いて磁気特性を調べた。その結
果、積算媒体ノイズは、１２．１ｍＶ2であり、媒体の
保磁力、Ｂｒ・δ、保磁力角形比は、各々２９５０Oe、
２６０ Ｇ・μｍ、０．９４であった。
【００２１】（実施例３）図５に示した装置で、ＮiＰ
メッキを施したアルミニウムの非磁性基板１を仕込室１
１に用意し、これを加熱室１０に於いて２７０℃に加熱
したのち下地膜スパッタ室２１搬送し、希ガス導入系２
２から導入した５×１０-3TorrのＡrガス雰囲気中で該
基板１に−３００Ｖのバイアス電圧を印加しながらＣr
の下地ターゲット１８をスパッタして下地膜２を１００
ｎｍの厚さに成膜した。続いてこれをスパッタ室６内の
Ｃo−１０ａｔ．％Ｃr−１０ａｔ．％Ｐt−１０ａｔ．
％Ｂの酸化物、窒化物、炭化物を含まないＣo合金ター
ゲット７が設置された位置へ移動させ、切換制御装置１
９の制御により希ガス導入系１６から導入した５×１０
-3TorrのＡrガス雰囲気中で−３００Ｖのバイアス電圧
を印加しながらＣoＣrＰtＢの酸化物、窒化物、炭化物
を含まない第１層Ｃo合金系磁性膜３を１０ｎｍの厚さ
でスパッタ成膜し、その直後に該切換制御装置１９の作
動によりＯ2ガスが５％混入したＡrガスを混合ガス導入
系１７に切り換えて連続して該磁性膜３の上に３０μｍ
の厚さでＣoＣrＰtＢＯ膜の第２層Ｃo合金系磁性膜４を
スパッタ成膜した。該基板１を保護膜スパッタ室１３へ
搬送して、５×１０-3TorrのＡrガス雰囲気中でグラフ
ァイトの保護膜ターゲット１２を２０ｎｍの厚さでスパ
ッタ成膜し、磁気記録体として完成させ、これを取出室
１４から取り出した。この磁気記録体を、薄膜ヘッドを
用いて記録再生特性及び試料振動式磁力計を用いて磁気
特性を調べた。その結果、積算媒体ノイズは、１３．８
ｍＶ2であり、媒体の保磁力、Ｂｒ・δ、保磁力角形比
は、各々３０５０ Oe、２８０ Ｇ・μｍ、０．９０で
あった。
メッキを施したアルミニウムの非磁性基板１を仕込室１
１に用意し、これを加熱室１０に於いて２７０℃に加熱
したのち下地膜スパッタ室２１搬送し、希ガス導入系２
２から導入した５×１０-3TorrのＡrガス雰囲気中で該
基板１に−３００Ｖのバイアス電圧を印加しながらＣr
の下地ターゲット１８をスパッタして下地膜２を１００
ｎｍの厚さに成膜した。続いてこれをスパッタ室６内の
Ｃo−１０ａｔ．％Ｃr−１０ａｔ．％Ｐt−１０ａｔ．
％Ｂの酸化物、窒化物、炭化物を含まないＣo合金ター
ゲット７が設置された位置へ移動させ、切換制御装置１
９の制御により希ガス導入系１６から導入した５×１０
-3TorrのＡrガス雰囲気中で−３００Ｖのバイアス電圧
を印加しながらＣoＣrＰtＢの酸化物、窒化物、炭化物
を含まない第１層Ｃo合金系磁性膜３を１０ｎｍの厚さ
でスパッタ成膜し、その直後に該切換制御装置１９の作
動によりＯ2ガスが５％混入したＡrガスを混合ガス導入
系１７に切り換えて連続して該磁性膜３の上に３０μｍ
の厚さでＣoＣrＰtＢＯ膜の第２層Ｃo合金系磁性膜４を
スパッタ成膜した。該基板１を保護膜スパッタ室１３へ
搬送して、５×１０-3TorrのＡrガス雰囲気中でグラフ
ァイトの保護膜ターゲット１２を２０ｎｍの厚さでスパ
ッタ成膜し、磁気記録体として完成させ、これを取出室
１４から取り出した。この磁気記録体を、薄膜ヘッドを
用いて記録再生特性及び試料振動式磁力計を用いて磁気
特性を調べた。その結果、積算媒体ノイズは、１３．８
ｍＶ2であり、媒体の保磁力、Ｂｒ・δ、保磁力角形比
は、各々３０５０ Oe、２８０ Ｇ・μｍ、０．９０で
あった。
【００２２】（実施例４）Ａrに混合させるガスとして
Ｏ2ガスの代わりにＮ2ガスを用いた以外は（実施例３）
と同じ方法で成膜した。成膜された第２層Ｃo合金系磁
性膜４はＣoＣrＰtＢＮ膜である。得られた磁気記録体
の積算媒体ノイズは、１５．７ｍＶ2であり、媒体の保
磁力、Ｂｒ・δ、保磁力角形比は、各々３１００ Oe、
２９０ Ｇ・μｍ、０．８８であった。
Ｏ2ガスの代わりにＮ2ガスを用いた以外は（実施例３）
と同じ方法で成膜した。成膜された第２層Ｃo合金系磁
性膜４はＣoＣrＰtＢＮ膜である。得られた磁気記録体
の積算媒体ノイズは、１５．７ｍＶ2であり、媒体の保
磁力、Ｂｒ・δ、保磁力角形比は、各々３１００ Oe、
２９０ Ｇ・μｍ、０．８８であった。
【００２３】（実施例５）Ａrに混合させるガスとして
Ｏ2ガスの代わりにＣＨ4ガスを用いた以外は（実施例
３）と同じ方法で成膜した。成膜された第２層Ｃo合金
系磁性膜４はＣoＣrＰtＢＣ膜である。得られた磁気記
録体の積算媒体ノイズは、１８．０ｍＶ2であり、媒体
の保磁力、Ｂｒ・δ、保磁力角形比は、各々２７００
Oe、２９０ Ｇ・μｍ、０．８９であった。
Ｏ2ガスの代わりにＣＨ4ガスを用いた以外は（実施例
３）と同じ方法で成膜した。成膜された第２層Ｃo合金
系磁性膜４はＣoＣrＰtＢＣ膜である。得られた磁気記
録体の積算媒体ノイズは、１８．０ｍＶ2であり、媒体
の保磁力、Ｂｒ・δ、保磁力角形比は、各々２７００
Oe、２９０ Ｇ・μｍ、０．８９であった。
【００２４】（比較例１）図３に示す装置で、酸化物等
を含まないＣo−１０ａｔ．％Ｃr−１０ａｔ．％Ｐt−
１０ａｔ．％ＢのＣo合金ターゲット７を除去し、ＮiＰ
メッキを施したアルミニウムの非磁性基板１を仕込室１
１に収め、各室の真空圧を調整したのち該基板１を加熱
室１０へ搬送して２７０℃に加熱し、更に該基板１をス
パッタ室６へ搬送して５×１０-3TorrのＡrガス雰囲気
中で該基板１に−３００Ｖのバイアス電圧を印加しなが
らＣrの下地ターゲット１８をスパッタして下地膜２を
１００ｎｍの厚さに成膜した。その後、直ちに該スパッ
タ室内のＣo−１０ａｔ．％Ｃr−１０ａｔ．％Ｐt−１
０ａｔ．％Ｂ−５ａｔ．％Ｏの酸化物のＣo合金ターゲ
ット８が設置された位置へ移動させ、５×１０-3Torrの
Ａrガス雰囲気中で−３００Ｖのバイアス電圧を印加し
ながらＣoＣrＰtＢＯの酸化物のＣo合金系磁性膜を３０
ｎｍの厚さでスパッタ成膜した。このあと該基板１を保
護膜スパッタ室１３へ搬送して、５×１０-3TorrのＡr
ガス雰囲気でグラファイトの保護膜ターゲット１２を２
０ｎｍの厚さでスパッタ成膜し、磁気記録体として完成
させ、これを取出室１４から取り出した。この磁気記録
体を、上記実施例と同様に薄膜ヘッドを用いて記録再生
特性及び試料振動式磁力計を用いて磁気特性を調べた。
その結果、積算媒体ノイズは、２０．５ｍＶ2であり、
媒体の保磁力、Ｂｒ・δ、保磁力角形比は、各々６００
Oe、２００ Ｇ・μｍ、０．７０であった。
を含まないＣo−１０ａｔ．％Ｃr−１０ａｔ．％Ｐt−
１０ａｔ．％ＢのＣo合金ターゲット７を除去し、ＮiＰ
メッキを施したアルミニウムの非磁性基板１を仕込室１
１に収め、各室の真空圧を調整したのち該基板１を加熱
室１０へ搬送して２７０℃に加熱し、更に該基板１をス
パッタ室６へ搬送して５×１０-3TorrのＡrガス雰囲気
中で該基板１に−３００Ｖのバイアス電圧を印加しなが
らＣrの下地ターゲット１８をスパッタして下地膜２を
１００ｎｍの厚さに成膜した。その後、直ちに該スパッ
タ室内のＣo−１０ａｔ．％Ｃr−１０ａｔ．％Ｐt−１
０ａｔ．％Ｂ−５ａｔ．％Ｏの酸化物のＣo合金ターゲ
ット８が設置された位置へ移動させ、５×１０-3Torrの
Ａrガス雰囲気中で−３００Ｖのバイアス電圧を印加し
ながらＣoＣrＰtＢＯの酸化物のＣo合金系磁性膜を３０
ｎｍの厚さでスパッタ成膜した。このあと該基板１を保
護膜スパッタ室１３へ搬送して、５×１０-3TorrのＡr
ガス雰囲気でグラファイトの保護膜ターゲット１２を２
０ｎｍの厚さでスパッタ成膜し、磁気記録体として完成
させ、これを取出室１４から取り出した。この磁気記録
体を、上記実施例と同様に薄膜ヘッドを用いて記録再生
特性及び試料振動式磁力計を用いて磁気特性を調べた。
その結果、積算媒体ノイズは、２０．５ｍＶ2であり、
媒体の保磁力、Ｂｒ・δ、保磁力角形比は、各々６００
Oe、２００ Ｇ・μｍ、０．７０であった。
【００２５】（比較例２）図４に示す装置で、ＮiＰメ
ッキを施したアルミニウムの非磁性基板１を仕込室１１
に用意し、これを加熱室１０に於いて２７０℃に加熱し
たのち第１スパッタ室６ａへ搬送し、５×１０-3Torrの
Ａrガス雰囲気中で該基板１に−３００Ｖのバイアス電
圧を印加しながらＣrの下地ターゲット１８をスパッタ
して下地膜２を１００ｎｍの厚さに成膜した。その後、
該スパッタ室内のＣo−１０ａｔ．％Ｃr−１０ａｔ．％
Ｐt−１０ａｔ．％Ｂの酸化物、窒化物、炭化物を含ま
ないＣo合金ターゲット７によるスパッタを行わずに、
直ちに該基板１をゲートバルブ１５で仕切られた次の第
２スパッタ室６ｂ内のＣo−１０ａｔ．％Ｃr−１０ａ
ｔ．％Ｐt−１０ａｔ．％Ｂの酸化物等を含まないＣo合
金ターゲット７の前方へ移動させ、該室内でＯ2ガスを
５％混合したＡrガスを５×１０-3Torr導入したＡrガス
雰囲気中で−３００Ｖのバイアス電圧を印加しながらス
パッタ成膜し、厚さ３０ｎｍのＣoＣrＰtＢＯの酸化物
膜のＣo合金系磁性膜を形成した。このあと、該基板１
を保護膜スパッタ室１３へ搬送して、５×１０-3Torrの
Ａr雰囲気でグラファイトの保護膜ターゲット１２を２
０ｎｍの厚さでスパッタ成膜し、磁気記録体として完成
させ、これを取出室１４から取り出した。この磁気記録
体の積算媒体ノイズは、１９．０ｍＶ2であり、媒体の
保磁力、Ｂｒ・δ、保磁力角形比は、各々４５０ Oe、
２１０ Ｇ・μｍ、０．７１であった。
ッキを施したアルミニウムの非磁性基板１を仕込室１１
に用意し、これを加熱室１０に於いて２７０℃に加熱し
たのち第１スパッタ室６ａへ搬送し、５×１０-3Torrの
Ａrガス雰囲気中で該基板１に−３００Ｖのバイアス電
圧を印加しながらＣrの下地ターゲット１８をスパッタ
して下地膜２を１００ｎｍの厚さに成膜した。その後、
該スパッタ室内のＣo−１０ａｔ．％Ｃr−１０ａｔ．％
Ｐt−１０ａｔ．％Ｂの酸化物、窒化物、炭化物を含ま
ないＣo合金ターゲット７によるスパッタを行わずに、
直ちに該基板１をゲートバルブ１５で仕切られた次の第
２スパッタ室６ｂ内のＣo−１０ａｔ．％Ｃr−１０ａ
ｔ．％Ｐt−１０ａｔ．％Ｂの酸化物等を含まないＣo合
金ターゲット７の前方へ移動させ、該室内でＯ2ガスを
５％混合したＡrガスを５×１０-3Torr導入したＡrガス
雰囲気中で−３００Ｖのバイアス電圧を印加しながらス
パッタ成膜し、厚さ３０ｎｍのＣoＣrＰtＢＯの酸化物
膜のＣo合金系磁性膜を形成した。このあと、該基板１
を保護膜スパッタ室１３へ搬送して、５×１０-3Torrの
Ａr雰囲気でグラファイトの保護膜ターゲット１２を２
０ｎｍの厚さでスパッタ成膜し、磁気記録体として完成
させ、これを取出室１４から取り出した。この磁気記録
体の積算媒体ノイズは、１９．０ｍＶ2であり、媒体の
保磁力、Ｂｒ・δ、保磁力角形比は、各々４５０ Oe、
２１０ Ｇ・μｍ、０．７１であった。
【００２６】（比較例３）図６に示す装置で、仕込室１
１０に用意したＮiＰメッキを施したアルミニウムの非
磁性基板１を真空にした加熱室１００へ搬送して２７０
℃に加熱し、更に該基板１をスパッタ室６０へ搬送して
５×１０-3TorrのＡrガス雰囲気中で該基板１に−３０
０Ｖのバイアス電圧を印加しながらＣrの下地ターゲッ
ト１８０をスパッタして下地膜を１００ｎｍの厚さに成
膜した。その後、直ちに該スパッタ室内のＣo−１０ａ
ｔ．％Ｃr−１０ａｔ．％Ｐt−１０ａｔ．％Ｂの酸化
物、窒化物、炭化物を含まないＣo合金ターゲット７が
設置された位置へ移動させ、引き続き５×１０-3Torrの
Ａrガス雰囲気中で−３００Ｖのバイアス電圧を印加し
ながらＣoＣrＰtＢの酸化物、窒化物、炭化物を含まな
いＣo合金系磁性膜を４００ｎｍの厚さでスパッタ成膜
した。この基板１を保護膜スパッタ室１３へ搬送して、
５×１０-3TorrのＡrガス雰囲気でグラファイトの保護
膜ターゲット１２を２０ｎｍの厚さでスパッタ成膜し、
磁気記録体として完成させ、これを取出室１４から取り
出した。この磁気記録体の積算媒体ノイズは、２６．３
ｍＶ2であり、媒体の保磁力、Ｂｒ・δ、保磁力角形比
は、各々２９００ Oe、２９０ Ｇ・μｍ、０．８５で
あった。
１０に用意したＮiＰメッキを施したアルミニウムの非
磁性基板１を真空にした加熱室１００へ搬送して２７０
℃に加熱し、更に該基板１をスパッタ室６０へ搬送して
５×１０-3TorrのＡrガス雰囲気中で該基板１に−３０
０Ｖのバイアス電圧を印加しながらＣrの下地ターゲッ
ト１８０をスパッタして下地膜を１００ｎｍの厚さに成
膜した。その後、直ちに該スパッタ室内のＣo−１０ａ
ｔ．％Ｃr−１０ａｔ．％Ｐt−１０ａｔ．％Ｂの酸化
物、窒化物、炭化物を含まないＣo合金ターゲット７が
設置された位置へ移動させ、引き続き５×１０-3Torrの
Ａrガス雰囲気中で−３００Ｖのバイアス電圧を印加し
ながらＣoＣrＰtＢの酸化物、窒化物、炭化物を含まな
いＣo合金系磁性膜を４００ｎｍの厚さでスパッタ成膜
した。この基板１を保護膜スパッタ室１３へ搬送して、
５×１０-3TorrのＡrガス雰囲気でグラファイトの保護
膜ターゲット１２を２０ｎｍの厚さでスパッタ成膜し、
磁気記録体として完成させ、これを取出室１４から取り
出した。この磁気記録体の積算媒体ノイズは、２６．３
ｍＶ2であり、媒体の保磁力、Ｂｒ・δ、保磁力角形比
は、各々２９００ Oe、２９０ Ｇ・μｍ、０．８５で
あった。
【００２７】以上の実施例では、Ｃrの下地膜２上に
は、酸素や窒素、炭素等の不純物を含まないＣoＣrＰt
Ｂ膜が直接形成されており、この膜がＣrの下地膜上に
良好なエピタキシャル成長しているので、これに続いて
形成されるＣoＣrＰtＢＯ膜やＣoＣrＰtＢＮ膜やＣoＣr
ＰtＢＣ膜が面内方向に高い保磁力や角形性を有し、且
つ磁性膜の大部分は非磁性体の酸素や窒素、炭素を含ん
でおり、これら非磁性体がＣo粒子の粒界に析出して磁
気的相互作用を低減できる組成になるので、媒体ノイズ
を低減することができる。
は、酸素や窒素、炭素等の不純物を含まないＣoＣrＰt
Ｂ膜が直接形成されており、この膜がＣrの下地膜上に
良好なエピタキシャル成長しているので、これに続いて
形成されるＣoＣrＰtＢＯ膜やＣoＣrＰtＢＮ膜やＣoＣr
ＰtＢＣ膜が面内方向に高い保磁力や角形性を有し、且
つ磁性膜の大部分は非磁性体の酸素や窒素、炭素を含ん
でおり、これら非磁性体がＣo粒子の粒界に析出して磁
気的相互作用を低減できる組成になるので、媒体ノイズ
を低減することができる。
【００２８】一方、上記比較例１、２では、Ｃrの下地
膜上に直接酸素や窒素、炭素等の不純物が堆積したり、
またＣr下地膜表面が酸素雰囲気、窒素雰囲気、炭化水
素雰囲気等にさらされてＣr下地膜表面が酸化物、窒化
物、炭化物となってしまうので、Ｃr膜上に堆積する磁
性膜はエピタキシャル成長できない。そのため面内方向
の保磁力が著しく低下し、角形性もまた低下するいわゆ
る等方媒体的になってしまうため、優れた磁気特性が得
られない。また、比較例３では、エピタキシャル性は良
好に保たれているが、Ｃo合金膜中のＣrやＰt、Ｂ等の
非磁性金属がＣo粒子の粒界に析出する程度が弱く、磁
気的相互作用が十分に低減できないため、媒体のノイズ
が大きくなる結果をもたらしている。
膜上に直接酸素や窒素、炭素等の不純物が堆積したり、
またＣr下地膜表面が酸素雰囲気、窒素雰囲気、炭化水
素雰囲気等にさらされてＣr下地膜表面が酸化物、窒化
物、炭化物となってしまうので、Ｃr膜上に堆積する磁
性膜はエピタキシャル成長できない。そのため面内方向
の保磁力が著しく低下し、角形性もまた低下するいわゆ
る等方媒体的になってしまうため、優れた磁気特性が得
られない。また、比較例３では、エピタキシャル性は良
好に保たれているが、Ｃo合金膜中のＣrやＰt、Ｂ等の
非磁性金属がＣo粒子の粒界に析出する程度が弱く、磁
気的相互作用が十分に低減できないため、媒体のノイズ
が大きくなる結果をもたらしている。
【００２９】
【発明の効果】以上のように、本発明によるときは、Ｃ
r等の下地膜を成膜した非磁性基板上に、スパッタリン
グにより成膜するＣo合金系磁性膜を、酸化物、窒化
物、炭化物を含まないＣo合金ターゲットを使用して該
下地膜上に第１層Ｃo合金系磁性膜をスパッタ成膜した
のちその上に酸化物、窒化物、炭化物のうちの少なくと
も１つを含むＣo合金ターゲットを使用して第２層Ｃo合
金系磁性膜をスパッタ成膜することにより作製したの
で、該第１層Ｃo合金系磁性膜により下地膜界面近傍で
はエピタキシャル性が保持されると共に第２層Ｃo合金
系磁性膜のために酸素や窒素、炭素と化合した非磁性層
がＣo粒子の粒界に析出して磁気的相互作用を低減する
ので、面内方向に高保持力、高角形比等の良好な磁気特
性を有し、且つ媒体ノイズの低い高密度記録に適した面
内型ハードディスクが得られる効果があり、この方法は
請求項２に記載の構成を有する装置により適切に実施で
きる。また、請求項３の如く、スパッタリングのターゲ
ットとして、酸化物、窒化物、炭化物を含まないＣo合
金ターゲットを用意し、該Ｃo合金ターゲットをＡr等の
希ガスの雰囲気中でスパッタして該下地膜上に第１層Ｃ
o合金系磁性膜をスパッタ成膜したのち、該希ガスに酸
素系ガス、若しくは窒素系ガス、若しくは炭化水素系ガ
スを混合したガスのガス雰囲気中で該Ｃo合金ターゲッ
トをスパッタして該第１層Ｃo合金系磁性膜の上に第２
層Ｃo合金系磁性膜をスパッタ成膜する方法によって
も、前記と同様のエピタキシャル性を保持し且つ磁気的
相互作用を低減して磁気特性が良好で且つ媒体ノイズを
低減した磁気記録体を製造できる効果があり、この方法
は請求項４又は５に記載の構成の装置により適切に実施
できる。
r等の下地膜を成膜した非磁性基板上に、スパッタリン
グにより成膜するＣo合金系磁性膜を、酸化物、窒化
物、炭化物を含まないＣo合金ターゲットを使用して該
下地膜上に第１層Ｃo合金系磁性膜をスパッタ成膜した
のちその上に酸化物、窒化物、炭化物のうちの少なくと
も１つを含むＣo合金ターゲットを使用して第２層Ｃo合
金系磁性膜をスパッタ成膜することにより作製したの
で、該第１層Ｃo合金系磁性膜により下地膜界面近傍で
はエピタキシャル性が保持されると共に第２層Ｃo合金
系磁性膜のために酸素や窒素、炭素と化合した非磁性層
がＣo粒子の粒界に析出して磁気的相互作用を低減する
ので、面内方向に高保持力、高角形比等の良好な磁気特
性を有し、且つ媒体ノイズの低い高密度記録に適した面
内型ハードディスクが得られる効果があり、この方法は
請求項２に記載の構成を有する装置により適切に実施で
きる。また、請求項３の如く、スパッタリングのターゲ
ットとして、酸化物、窒化物、炭化物を含まないＣo合
金ターゲットを用意し、該Ｃo合金ターゲットをＡr等の
希ガスの雰囲気中でスパッタして該下地膜上に第１層Ｃ
o合金系磁性膜をスパッタ成膜したのち、該希ガスに酸
素系ガス、若しくは窒素系ガス、若しくは炭化水素系ガ
スを混合したガスのガス雰囲気中で該Ｃo合金ターゲッ
トをスパッタして該第１層Ｃo合金系磁性膜の上に第２
層Ｃo合金系磁性膜をスパッタ成膜する方法によって
も、前記と同様のエピタキシャル性を保持し且つ磁気的
相互作用を低減して磁気特性が良好で且つ媒体ノイズを
低減した磁気記録体を製造できる効果があり、この方法
は請求項４又は５に記載の構成の装置により適切に実施
できる。
【図１】従来の磁気記録体の拡大断面図
【図２】本発明により製造される磁気記録体の拡大断面
図
図
【図３】請求項２の実施例の装置の切断平面図
【図４】請求項４の実施例の装置の切断平面図
【図５】請求項５の実施例の装置の切断平面図
【図６】比較例３で使用した装置の切断平面図
１ 非磁性基板 ２ 下地膜 ３
第１層Ｃo合金系磁性膜 ４ 第２層Ｃo合金系磁性膜 ６ スパッタ室
６ａ 第１スパッタ室 ６ｂ 第２スパッタ室 ７ Ｃo合金ターゲット
８ Ｃo合金ターゲット １０ 加熱室 １１ 仕込室 １
６ 希ガス導入系 １７ 混合ガス導入系
第１層Ｃo合金系磁性膜 ４ 第２層Ｃo合金系磁性膜 ６ スパッタ室
６ａ 第１スパッタ室 ６ｂ 第２スパッタ室 ７ Ｃo合金ターゲット
８ Ｃo合金ターゲット １０ 加熱室 １１ 仕込室 １
６ 希ガス導入系 １７ 混合ガス導入系
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｃ２３Ｃ 14/56 Ｃ２３Ｃ 14/56 Ｈ Ｃ３０Ｂ 23/08 Ｃ３０Ｂ 23/08 Ｍ Ｈ０１Ｆ 41/18 Ｈ０１Ｆ 41/18 (72)発明者 橋本 征典 千葉県山武郡山武町横田523 日本真空技 術株式会社千葉超材料研究所内 (72)発明者 石川 道夫 千葉県山武郡山武町横田523 日本真空技 術株式会社千葉超材料研究所内
Claims (5)
- 【請求項１】エピタキシャル成長を可能にするＣr等の
金属の下地膜を成膜した非磁性基板上に、スパッタリン
グによりエピタキシャル成長し且つｈｃｐ相のｃ軸を基
板面内方向へ配向したＣo合金系磁性膜を成膜する磁気
記録体の製造方法に於いて、該Ｃo合金系磁性膜を、酸
化物、窒化物、炭化物を含まないＣo合金ターゲットを
使用して該下地膜上に第１層Ｃo合金系磁性膜をスパッ
タ成膜したのちその上に酸化物、窒化物、炭化物のうち
の少なくとも１つを含むＣo合金ターゲットを使用して
第２層Ｃo合金系磁性膜をスパッタ成膜することにより
作製したことを特徴とする磁気記録体の製造方法。 - 【請求項２】Ａrガス等の希ガスの導入口を設けたスパ
ッタ室内に、酸化物、窒化物、炭化物を含まないＣo合
金ターゲットと、酸化物、窒化物、炭化物のうちの少な
くとも１つを含むＣo合金ターゲットを設け、下地膜を
成膜した非磁性基板を該下地膜が酸化物、窒化物、炭化
物を含まないＣo合金ターゲットの前面と酸化物、窒化
物、炭化物のうちの少なくとも１つを含むＣo合金ター
ゲットの前面と順次に対向するように搬送することを特
徴とする磁気記録体の製造装置。 - 【請求項３】エピタキシャル成長を可能にするＣr等の
金属の下地膜を成膜した非磁性基板上に、スパッタリン
グによりエピタキシャル成長され且つｈｃｐ相のｃ軸を
基板面内方向へ配向したＣo合金系磁性膜を成膜する磁
気記録体の製造方法に於いて、該スパッタリングのター
ゲットとして、酸化物、窒化物、炭化物を含まないＣo
合金ターゲットを用意し、該Ｃo合金ターゲットをＡr等
の希ガスの雰囲気中でスパッタして該下地膜上に第１層
Ｃo合金系磁性膜をスパッタ成膜したのち、該希ガスに
酸素系ガス、若しくは窒素系ガス、若しくは炭化水素系
ガスを混合したガスのガス雰囲気中で該Ｃo合金ターゲ
ットをスパッタして該第１層Ｃo合金系磁性膜の上に第
２層Ｃo合金系磁性膜をスパッタ成膜することを特徴と
する磁気記録体の製造方法。 - 【請求項４】Ａr等の希ガスの雰囲気の第１スパッタ室
と、該希ガスに酸素系ガス、若しくは窒素系ガス、若し
くは炭化水素系ガスを混合したガス雰囲気の第２スパッ
タ室とを互いにその雰囲気を維持できる状態で連設する
と共に、これらのスパッタ室に酸化物、窒化物、炭化物
を含まないＣo合金ターゲットを夫々設け、下地膜を成
膜した非磁性基板を該第１スパッタ室内から第２スパッ
タ室内へ搬送することを特徴とする磁気記録体の製造装
置。 - 【請求項５】酸化物、窒化物、炭化物を含まないＣo合
金ターゲットと、これに対向して下地膜を形成した非磁
性基板を設けたスパッタ室に、該室内へ希ガスを導入す
る希ガス導入系と、該希ガスに酸素系ガス、若しくは窒
素系ガス、若しくは炭化水素系ガスを混合したガスを導
入する混合ガス導入系を設け、これらのガス導入系を交
互に開いて該スパッタ室へガスを導入する開閉制御装置
を設けたことを特徴とする磁気記録体の製造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23701295A JPH0981936A (ja) | 1995-09-14 | 1995-09-14 | 磁気記録体の製造方法及び装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23701295A JPH0981936A (ja) | 1995-09-14 | 1995-09-14 | 磁気記録体の製造方法及び装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0981936A true JPH0981936A (ja) | 1997-03-28 |
Family
ID=17009086
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23701295A Pending JPH0981936A (ja) | 1995-09-14 | 1995-09-14 | 磁気記録体の製造方法及び装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0981936A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101192782B1 (ko) * | 2005-08-29 | 2012-10-18 | 엘지디스플레이 주식회사 | 합금막 형성 장치 및 그를 이용한 합금막 형성방법 |
-
1995
- 1995-09-14 JP JP23701295A patent/JPH0981936A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101192782B1 (ko) * | 2005-08-29 | 2012-10-18 | 엘지디스플레이 주식회사 | 합금막 형성 장치 및 그를 이용한 합금막 형성방법 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5922442A (en) | Magnetic recording medium having a CoCr alloy interlayer of a low saturation magnetization | |
| US6143388A (en) | Thin film disk with onset layer | |
| US5846648A (en) | Magnetic alloy having a structured nucleation layer and method for manufacturing same | |
| US6077586A (en) | Laminated thin film disk for longitudinal recording | |
| US5993956A (en) | Manganese containing layer for magnetic recording media | |
| US6210819B1 (en) | Magnetic recording media having a CrTi underlayer deposited under a substrate bias | |
| US6586116B1 (en) | Nonmetallic thin film magnetic recording disk with pre-seed layer | |
| US5736013A (en) | Method for forming an improved magnetic media including sputtering of selected oxides or nitrides in the magnetic layer, and apparatus for same | |
| JPH08171716A (ja) | 磁性合金及びその製造方法 | |
| US6403241B1 (en) | CoCrPtB medium with a 1010 crystallographic orientation | |
| JPH0363919A (ja) | 磁気薄膜記録媒体及びその製法 | |
| US5834111A (en) | Multilayered magnetic recording medium with coercivity gradient | |
| US6150016A (en) | High coercivity magnetic recording medium comprising a thin CoCrTa intermediate layer | |
| JP2911782B2 (ja) | 磁気記録媒体及びその製造方法 | |
| US5746893A (en) | Method of manufacturing magnetic recording medium | |
| JP4716534B2 (ja) | 磁気記録媒体 | |
| US6146754A (en) | Substantially isotropic magnetic recording medium comprising a seedlayer | |
| JP2911798B2 (ja) | 磁気記録媒体及びその製造方法 | |
| JPH10302242A (ja) | 組織化された核生成層を有する磁性合金とその製造方法 | |
| US6242086B1 (en) | High coercivity, low noise magnetic recording medium comprising an intermediate cocrtaox layer | |
| US6348276B1 (en) | Magnetic recording media with a surface-oxidized nial sub-seedlayer | |
| US6346339B1 (en) | Magnetic recording media with a nialox sub-seedlayer | |
| US7314675B1 (en) | Magnetic media with high Ms magnetic layer | |
| JPH0981936A (ja) | 磁気記録体の製造方法及び装置 | |
| US6045931A (en) | Magnetic recording medium comprising a cobalt-samarium magnetic alloy layer and method |