JPH0982594A - 半導体製造装置における室内減圧方法 - Google Patents
半導体製造装置における室内減圧方法Info
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- JPH0982594A JPH0982594A JP26347995A JP26347995A JPH0982594A JP H0982594 A JPH0982594 A JP H0982594A JP 26347995 A JP26347995 A JP 26347995A JP 26347995 A JP26347995 A JP 26347995A JP H0982594 A JPH0982594 A JP H0982594A
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Landscapes
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 目標減圧値への到達時間を速めた減圧方法を
提供する。室からのパーティクルの排出を容易とする。 【解決手段】 プロセスモジュールＰＭ１を大気圧から
１０００Ｐａまで減圧するには、排気側バルブＰＶ・供
給側バルブＶを共に開き、真空ポンプＶＰを駆動しつ
つ、ガスコントローラ１４よりＮ2ガスを供給する。Ｎ2
ガスでのパージを行いつつ、真空ポンプＶＰによりプロ
セスモジュールＰＭ１内の減圧を行う。プロセスモジュ
ールＰＭ１内には天井側から底壁に向かってＮ2ガス流
が生じる結果、大気圧によるプロセスモジュールＰＭ１
内の酸素および水分を、このＮ2ガス流により排出す
る。また、パーティクルも排除できる。Ｎ2ガスの流量
は２０程度とする。圧力センサで内圧を検出し、目標値
に達したら、バルブＶ・ＰＶを閉じ、パージを停止し、
真空ポンプＶＰの運転を停止する。
提供する。室からのパーティクルの排出を容易とする。 【解決手段】 プロセスモジュールＰＭ１を大気圧から
１０００Ｐａまで減圧するには、排気側バルブＰＶ・供
給側バルブＶを共に開き、真空ポンプＶＰを駆動しつ
つ、ガスコントローラ１４よりＮ2ガスを供給する。Ｎ2
ガスでのパージを行いつつ、真空ポンプＶＰによりプロ
セスモジュールＰＭ１内の減圧を行う。プロセスモジュ
ールＰＭ１内には天井側から底壁に向かってＮ2ガス流
が生じる結果、大気圧によるプロセスモジュールＰＭ１
内の酸素および水分を、このＮ2ガス流により排出す
る。また、パーティクルも排除できる。Ｎ2ガスの流量
は２０程度とする。圧力センサで内圧を検出し、目標値
に達したら、バルブＶ・ＰＶを閉じ、パージを停止し、
真空ポンプＶＰの運転を停止する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は半導体製造装置に
おける室内減圧方法、詳しくは反応室、搬送室、カセッ
ト室、冷却室等の半導体ウェーハまたは基板を処理する
室での室内減圧方法に関する。
おける室内減圧方法、詳しくは反応室、搬送室、カセッ
ト室、冷却室等の半導体ウェーハまたは基板を処理する
室での室内減圧方法に関する。
【０００２】
【従来技術】従来の枚葉式の拡散装置、ＣＶＤ装置、Ｐ
ＶＤ装置等の半導体製造装置は以下のように構成されて
いた。すなわち、図３に示すように、この装置はクラス
タツール型に構成されており、カセットモジュール（カ
セット室）ＣＭ、トランスファモジュール（搬送室）Ｔ
Ｍ、プロセスモジュール（反応室・処理室）ＰＭがそれ
らの隔壁のゲートバルブＧＶを介して連設されていた。
この構造の装置では、そのチャンバ容積を小さくするこ
とができるため、必要なガス等を少なくすることがで
き、付帯設備に対する負担を小さくしている。また、小
容積のためのガス置換等が手早く行え、プロセスの高機
能化に寄与している。
ＶＤ装置等の半導体製造装置は以下のように構成されて
いた。すなわち、図３に示すように、この装置はクラス
タツール型に構成されており、カセットモジュール（カ
セット室）ＣＭ、トランスファモジュール（搬送室）Ｔ
Ｍ、プロセスモジュール（反応室・処理室）ＰＭがそれ
らの隔壁のゲートバルブＧＶを介して連設されていた。
この構造の装置では、そのチャンバ容積を小さくするこ
とができるため、必要なガス等を少なくすることがで
き、付帯設備に対する負担を小さくしている。また、小
容積のためのガス置換等が手早く行え、プロセスの高機
能化に寄与している。
【０００３】ところで、このような半導体製造装置の反
応室ＰＭ等において、これらの室内を大気圧から例えば
１０００Ｐａまで減圧を行う場合、従来は、排気配管に
介設した真空ポンプのみで減圧を行っていた。すなわ
ち、ゲートバルブＧＶを閉止して当該反応室ＰＭを他の
室と隔離し、配管バルブＰＶを開いて真空ポンプを駆動
して減圧を行っていた。
応室ＰＭ等において、これらの室内を大気圧から例えば
１０００Ｐａまで減圧を行う場合、従来は、排気配管に
介設した真空ポンプのみで減圧を行っていた。すなわ
ち、ゲートバルブＧＶを閉止して当該反応室ＰＭを他の
室と隔離し、配管バルブＰＶを開いて真空ポンプを駆動
して減圧を行っていた。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】この場合、大気圧復帰
後の各モジュール（ＣＭ、ＴＭ、ＰＭ）内の酸素および
水分の影響で１０００Ｐａまで到達するのにかなり時間
がかかっていた。例えば目標が１０分であるに対し、実
際には１５分かかっていた。また、真空ポンプのみによ
る減圧では、各モジュール（チャンバ）の隅に残存する
パーティクルを排出することが困難であった。
後の各モジュール（ＣＭ、ＴＭ、ＰＭ）内の酸素および
水分の影響で１０００Ｐａまで到達するのにかなり時間
がかかっていた。例えば目標が１０分であるに対し、実
際には１５分かかっていた。また、真空ポンプのみによ
る減圧では、各モジュール（チャンバ）の隅に残存する
パーティクルを排出することが困難であった。
【０００５】そこで、この発明は、目標減圧値に到達す
るまでの時間を速めた室内減圧方法を提供することを、
その目的としている。また、この発明の目的は、チャン
バからのパーティクルの排出を容易とした半導体製造装
置における室内減圧方法を提供することである。
るまでの時間を速めた室内減圧方法を提供することを、
その目的としている。また、この発明の目的は、チャン
バからのパーティクルの排出を容易とした半導体製造装
置における室内減圧方法を提供することである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】請求項１に記載の発明で
は、半導体製造装置における反応室、搬送室、カセット
室等の処理対象基板を処理するための室内を減圧する方
法にあって、この室に不活性ガスを供給しながら、この
室内を減圧する半導体製造装置における室内減圧方法で
ある。
は、半導体製造装置における反応室、搬送室、カセット
室等の処理対象基板を処理するための室内を減圧する方
法にあって、この室に不活性ガスを供給しながら、この
室内を減圧する半導体製造装置における室内減圧方法で
ある。
【０００７】この発明に係る室内減圧方法にあっては、
不活性ガスである例えばＮ2ガス、Ａｒガス等を室内に
供給しながらこの室の減圧を行う。例えば室内を真空ポ
ンプで真空に引きながら減圧する。この結果、不活性ガ
スの流れにより室内のパーティクル等は排除され、か
つ、速やかに目標値まで減圧される。
不活性ガスである例えばＮ2ガス、Ａｒガス等を室内に
供給しながらこの室の減圧を行う。例えば室内を真空ポ
ンプで真空に引きながら減圧する。この結果、不活性ガ
スの流れにより室内のパーティクル等は排除され、か
つ、速やかに目標値まで減圧される。
【０００８】
【発明の実施の形態】以下、この発明の実施例に係る半
導体製造装置を図面を参照して説明する。図１、図２に
はこの発明の一実施例に係る室内減圧方法を適用する半
導体製造装置を示している。このクラスタ型の半導体製
造装置では、トランスファモジュール（トランスファチ
ャンバ、搬送室）ＴＭに対してその周囲に、プロセスモ
ジュール（プロセスチャンバ、反応室）ＰＭ１，ＰＭ２
と、カセットモジュール（カセットチャンバ、カセット
室）ＣＭ１，ＣＭ２とを連設している。これらのプロセ
スモジュールＰＭ１，ＰＭ２およびカセットモジュール
ＣＭ１，ＣＭ２は、それらの間の隔壁にそれぞれ設けた
ゲートバルブＧＶ１，ＧＶ２，ＧＶ３，ＧＶ４を介して
トランスファモジュールＴＭにそれぞれ連通可能に構成
されている。なお、トランスファモジュールＴＭ内には
処理対象基板または半導体ウェーハの搬送用ロボットＲ
が収容されている。
導体製造装置を図面を参照して説明する。図１、図２に
はこの発明の一実施例に係る室内減圧方法を適用する半
導体製造装置を示している。このクラスタ型の半導体製
造装置では、トランスファモジュール（トランスファチ
ャンバ、搬送室）ＴＭに対してその周囲に、プロセスモ
ジュール（プロセスチャンバ、反応室）ＰＭ１，ＰＭ２
と、カセットモジュール（カセットチャンバ、カセット
室）ＣＭ１，ＣＭ２とを連設している。これらのプロセ
スモジュールＰＭ１，ＰＭ２およびカセットモジュール
ＣＭ１，ＣＭ２は、それらの間の隔壁にそれぞれ設けた
ゲートバルブＧＶ１，ＧＶ２，ＧＶ３，ＧＶ４を介して
トランスファモジュールＴＭにそれぞれ連通可能に構成
されている。なお、トランスファモジュールＴＭ内には
処理対象基板または半導体ウェーハの搬送用ロボットＲ
が収容されている。
【０００９】そして、これらのトランスファモジュール
ＴＭ、プロセスモジュールＰＭ１，ＰＭ２、カセットモ
ジュールＣＭ１，ＣＭ２には、それぞれ、排気口１１お
よびガス導入口１２が設けられている。各排気口１１は
各モジュールの底壁に形成されており、排気管の途中に
設けられたバルブＰＶを介して真空ポンプＶＰに接続さ
れている。各ガス導入口１２は各モジュールの天井に形
成されており、配管に設けたバルブＶを介してガスコン
トローラ１４に接続されている。なお、ガスコントロー
ラ１４は図外の不活性ガス供給源に接続してある。不活
性ガスとしては、例えば、窒素ガス、ヘリウムガス、ア
ルゴンガス等が用いられるが、半導体ウェーハ等のプロ
セス処理条件などに応じて種々の不活性ガスを選択して
用いることができる。
ＴＭ、プロセスモジュールＰＭ１，ＰＭ２、カセットモ
ジュールＣＭ１，ＣＭ２には、それぞれ、排気口１１お
よびガス導入口１２が設けられている。各排気口１１は
各モジュールの底壁に形成されており、排気管の途中に
設けられたバルブＰＶを介して真空ポンプＶＰに接続さ
れている。各ガス導入口１２は各モジュールの天井に形
成されており、配管に設けたバルブＶを介してガスコン
トローラ１４に接続されている。なお、ガスコントロー
ラ１４は図外の不活性ガス供給源に接続してある。不活
性ガスとしては、例えば、窒素ガス、ヘリウムガス、ア
ルゴンガス等が用いられるが、半導体ウェーハ等のプロ
セス処理条件などに応じて種々の不活性ガスを選択して
用いることができる。
【００１０】また、これらのモジュールＴＭ，ＰＭ１，
ＰＭ２，ＣＭ１，ＣＭ２にその内圧を検出する圧力セン
サを配設し、これらの圧力センサの検出結果に基づいて
バルブ開閉制御手段（図外）により各排気側バルブＰＶ
および各供給側バルブＶの開閉を制御するように構成し
てある。なお、上記各ガス導入口１２の設置位置は各モ
ジュールの天井に限られず、側壁等に形成・設置しても
よい。
ＰＭ２，ＣＭ１，ＣＭ２にその内圧を検出する圧力セン
サを配設し、これらの圧力センサの検出結果に基づいて
バルブ開閉制御手段（図外）により各排気側バルブＰＶ
および各供給側バルブＶの開閉を制御するように構成し
てある。なお、上記各ガス導入口１２の設置位置は各モ
ジュールの天井に限られず、側壁等に形成・設置しても
よい。
【００１１】したがって、以上の構成に係る半導体製造
装置で各室（モジュール）をそれぞれ減圧する場合、例
えばプロセスモジュールＰＭ１を大気圧から１０００Ｐ
ａまで減圧するには以下のようにして行う。まず、排気
側バルブＰＶおよび供給側バルブＶをそれぞれ開き、真
空ポンプＶＰを駆動し、かつ、ガスコントローラ１４よ
りＮ2ガスを供給する。すなわち、Ｎ2ガスによるパージ
を行いながら、真空ポンプＶＰによってプロセスモジュ
ールＰＭ１内の減圧を行う。よって、図１に矢印で示す
ように、プロセスモジュールＰＭ１内には天井側から底
壁に向かって流れるＮ2ガス流が生ずる。この結果、大
気圧に復帰していたプロセスモジュールＰＭ１内の酸素
および水分を、最初の段階で、このＮ2ガス流により排
出することができる。この場合、例えばＮ2ガスの流量
は２０ 程度とする。
装置で各室（モジュール）をそれぞれ減圧する場合、例
えばプロセスモジュールＰＭ１を大気圧から１０００Ｐ
ａまで減圧するには以下のようにして行う。まず、排気
側バルブＰＶおよび供給側バルブＶをそれぞれ開き、真
空ポンプＶＰを駆動し、かつ、ガスコントローラ１４よ
りＮ2ガスを供給する。すなわち、Ｎ2ガスによるパージ
を行いながら、真空ポンプＶＰによってプロセスモジュ
ールＰＭ１内の減圧を行う。よって、図１に矢印で示す
ように、プロセスモジュールＰＭ１内には天井側から底
壁に向かって流れるＮ2ガス流が生ずる。この結果、大
気圧に復帰していたプロセスモジュールＰＭ１内の酸素
および水分を、最初の段階で、このＮ2ガス流により排
出することができる。この場合、例えばＮ2ガスの流量
は２０ 程度とする。
【００１２】目標値まで達したら、圧力センサでこれを
検出し、その後、バルブＶを閉じ、Ｎ2ガスでのパージ
を停止する。また、バルブＰＶを閉じ、真空ポンプＶＰ
の運転を停止する。このときの減圧の目標値にまで達す
る時間は、標準的なモジュールでは例えば約３分に短縮
することができる。
検出し、その後、バルブＶを閉じ、Ｎ2ガスでのパージ
を停止する。また、バルブＰＶを閉じ、真空ポンプＶＰ
の運転を停止する。このときの減圧の目標値にまで達す
る時間は、標準的なモジュールでは例えば約３分に短縮
することができる。
【００１３】なお、各モジュールを減圧する場合、各モ
ジュール間のゲートバルブＧＶは閉じられている。ま
た、各モジュールを同時に減圧する場合、各バルブＰ
Ｖ、Ｖを同時に開放して行うことができる。
ジュール間のゲートバルブＧＶは閉じられている。ま
た、各モジュールを同時に減圧する場合、各バルブＰ
Ｖ、Ｖを同時に開放して行うことができる。
【００１４】
【発明の効果】この発明によれば、各室の減圧における
目標圧力までに到達する時間を短縮することができる。
また、各室（チャンバ）からパーティクルを排出するこ
とができる。このため、各室のクリーニング回数・メン
テナンス回数を従来に比べて大幅に減らすことができ
る。さらに、半導体製造装置としてのパーティクルを低
減することができる結果、その信頼性が高まる。
目標圧力までに到達する時間を短縮することができる。
また、各室（チャンバ）からパーティクルを排出するこ
とができる。このため、各室のクリーニング回数・メン
テナンス回数を従来に比べて大幅に減らすことができ
る。さらに、半導体製造装置としてのパーティクルを低
減することができる結果、その信頼性が高まる。
【図１】この発明の一実施例に係る半導体製造装置の概
略構成を示すその模式図である。
略構成を示すその模式図である。
【図２】この発明の一実施例に係る半導体製造装置の概
略構成を示すその平面図である。
略構成を示すその平面図である。
【図３】従来の枚葉式半導体製造装置を示す側面図であ
る。
る。
ＰＭ１，ＰＭ２・・・プロセスモジュール（反応室）、 ＴＭ・・・トランスファモジュール（搬送室）、 ＣＭ１，ＣＭ２・・・カセットモジュール（カセット
室）、 ＶＰ・・・真空ポンプ、 １１・・・排気口、 １２・・・ガス導入口、 １４・・・ガスコントローラ、
室）、 ＶＰ・・・真空ポンプ、 １１・・・排気口、 １２・・・ガス導入口、 １４・・・ガスコントローラ、
Claims (1)
- 【請求項１】 半導体製造装置における反応室、搬送
室、カセット室等の処理対象基板を処理するための室内
を減圧する方法にあって、 この室に不活性ガスを供給しながら、この室内を減圧す
る半導体製造装置における室内減圧方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26347995A JPH0982594A (ja) | 1995-09-18 | 1995-09-18 | 半導体製造装置における室内減圧方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26347995A JPH0982594A (ja) | 1995-09-18 | 1995-09-18 | 半導体製造装置における室内減圧方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0982594A true JPH0982594A (ja) | 1997-03-28 |
Family
ID=17390088
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26347995A Pending JPH0982594A (ja) | 1995-09-18 | 1995-09-18 | 半導体製造装置における室内減圧方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0982594A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH11204508A (ja) * | 1998-01-09 | 1999-07-30 | Toshiba Corp | 半導体装置の製造方法及び半導体製造装置 |
| JP2001144020A (ja) * | 1999-08-31 | 2001-05-25 | Nippon Sanso Corp | Ｃｖｄ装置及びそのパージ方法 |
| JP2001345279A (ja) * | 2000-03-29 | 2001-12-14 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 半導体製造方法、基板処理方法、及び半導体製造装置 |
| JP2002025890A (ja) * | 2000-07-06 | 2002-01-25 | Canon Inc | 減圧処理装置、半導体製造装置およびデバイス製造方法 |
| WO2003034483A1 (fr) * | 2001-10-16 | 2003-04-24 | Tokyo Electron Limited | Mecanisme elevateur d'element a traiter et dispositif de traitement utilisant ce mecanisme |
| JP2005064526A (ja) * | 2000-03-29 | 2005-03-10 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 半導体製造方法、基板処理方法、及び半導体製造装置 |
-
1995
- 1995-09-18 JP JP26347995A patent/JPH0982594A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH11204508A (ja) * | 1998-01-09 | 1999-07-30 | Toshiba Corp | 半導体装置の製造方法及び半導体製造装置 |
| JP2001144020A (ja) * | 1999-08-31 | 2001-05-25 | Nippon Sanso Corp | Ｃｖｄ装置及びそのパージ方法 |
| JP2001345279A (ja) * | 2000-03-29 | 2001-12-14 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 半導体製造方法、基板処理方法、及び半導体製造装置 |
| JP2005064526A (ja) * | 2000-03-29 | 2005-03-10 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 半導体製造方法、基板処理方法、及び半導体製造装置 |
| JP2002025890A (ja) * | 2000-07-06 | 2002-01-25 | Canon Inc | 減圧処理装置、半導体製造装置およびデバイス製造方法 |
| WO2003034483A1 (fr) * | 2001-10-16 | 2003-04-24 | Tokyo Electron Limited | Mecanisme elevateur d'element a traiter et dispositif de traitement utilisant ce mecanisme |
| CN1331208C (zh) * | 2001-10-16 | 2007-08-08 | 东京毅力科创株式会社 | 被处理体的升降机构及使用它的处理装置 |
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