JPH0982848A - ハイブリッドｉｃ半導体装置 - Google Patents
ハイブリッドｉｃ半導体装置Info
- Publication number
- JPH0982848A JPH0982848A JP7241985A JP24198595A JPH0982848A JP H0982848 A JPH0982848 A JP H0982848A JP 7241985 A JP7241985 A JP 7241985A JP 24198595 A JP24198595 A JP 24198595A JP H0982848 A JPH0982848 A JP H0982848A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resin
- hybrid
- semiconductor device
- metal case
- fixing
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/22—Secondary treatment of printed circuits
- H05K3/28—Applying non-metallic protective coatings
- H05K3/284—Applying non-metallic protective coatings for encapsulating mounted components
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W74/00—Encapsulations, e.g. protective coatings
Landscapes
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 この発明は、真空注型法による樹脂封止をす
る際に、注型剤がゲル状樹脂内に入り込むのを防ぐこと
により、装置の信頼性を向上させ、さらに、コストアッ
プ及び装置サイズの拡大を抑えることができるハイブリ
ッドＩＣ半導体装置を提供することを課題とする。 【解決手段】 この発明は、第２の樹脂２１を第１の樹
脂７上に充填することで、真空注型する際に、注型剤が
装置内部に入り込むことを防ぎ、また、金属ケース５に
第２の樹脂２１を固定する手段を有することで、真空注
型する際に第２の樹脂２１が第１の樹脂７内の気泡によ
る圧力で押し出されることを防ぐように構成されてい
る。
る際に、注型剤がゲル状樹脂内に入り込むのを防ぐこと
により、装置の信頼性を向上させ、さらに、コストアッ
プ及び装置サイズの拡大を抑えることができるハイブリ
ッドＩＣ半導体装置を提供することを課題とする。 【解決手段】 この発明は、第２の樹脂２１を第１の樹
脂７上に充填することで、真空注型する際に、注型剤が
装置内部に入り込むことを防ぎ、また、金属ケース５に
第２の樹脂２１を固定する手段を有することで、真空注
型する際に第２の樹脂２１が第１の樹脂７内の気泡によ
る圧力で押し出されることを防ぐように構成されてい
る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ハイブリッドＩＣ
半導体装置に関し、特に、真空注型に適したハイブリッ
ドＩＣ半導体装置に関する。
半導体装置に関し、特に、真空注型に適したハイブリッ
ドＩＣ半導体装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】ハイブリッドＩＣ半導体装置では、電子
部品 (膜回路、トランジスタ、ダイオード、コンデンサ
等) を厚膜基板上に半田付けで接続することにより目的
の回路を構成しているが、その厚膜基板のパッケージ構
造には大別して２つの構造が従来より広く使用されてい
る。
部品 (膜回路、トランジスタ、ダイオード、コンデンサ
等) を厚膜基板上に半田付けで接続することにより目的
の回路を構成しているが、その厚膜基板のパッケージ構
造には大別して２つの構造が従来より広く使用されてい
る。
【０００３】図９は、従来のハイブリッドＩＣ半導体装
置の一例を示す断面図であり、回路を構成する電子部品
を半田付けした厚膜基板１が接着剤３で金属ケース５に
固定されており、金属ケース５内にはゲル状樹脂７が充
填されている。厚膜基板１と装置外部の電気的接続は、
厚膜基板１から直接取り出されたリード９によって行わ
れる。このような構造を有するハイブリッドＩＣ半導体
装置は、取り付ける相手側の装置に、リード９を巻き付
けて半田付けや溶接等により接続が行われる。
置の一例を示す断面図であり、回路を構成する電子部品
を半田付けした厚膜基板１が接着剤３で金属ケース５に
固定されており、金属ケース５内にはゲル状樹脂７が充
填されている。厚膜基板１と装置外部の電気的接続は、
厚膜基板１から直接取り出されたリード９によって行わ
れる。このような構造を有するハイブリッドＩＣ半導体
装置は、取り付ける相手側の装置に、リード９を巻き付
けて半田付けや溶接等により接続が行われる。
【０００４】ところが、ハイブリッドＩＣ半導体装置
は、通常、厚膜基板１等の機械的保護及び耐湿保護の目
的で樹脂封止されるが、例えば、その樹脂封止の方法と
して真空注型法を用いた場合に、上記構造のハイブリッ
ドＩＣ半導体装置では、厚膜基板や電子部品に含まれる
水分や空気が泡となって発生すると、注型剤１１がゲル
状樹脂７内に入り込み、ハイブリッドＩＣ半導体装置の
信頼性を低下させるという問題を持っていた。例えば、
図１０では、Ａで示す部分において、注型剤１１がゲル
状樹脂７内に入り込んでおり、ボンディングワイヤー１
３の変形を引き起こし、最悪、断線する可能性が生じて
いる。
は、通常、厚膜基板１等の機械的保護及び耐湿保護の目
的で樹脂封止されるが、例えば、その樹脂封止の方法と
して真空注型法を用いた場合に、上記構造のハイブリッ
ドＩＣ半導体装置では、厚膜基板や電子部品に含まれる
水分や空気が泡となって発生すると、注型剤１１がゲル
状樹脂７内に入り込み、ハイブリッドＩＣ半導体装置の
信頼性を低下させるという問題を持っていた。例えば、
図１０では、Ａで示す部分において、注型剤１１がゲル
状樹脂７内に入り込んでおり、ボンディングワイヤー１
３の変形を引き起こし、最悪、断線する可能性が生じて
いる。
【０００５】一方、上述した構造以外に、リードをコネ
クター形状とすることで取り付ける相手側の装置にソケ
ットによる接続が可能である、図１１に示すような構造
のハイブリッドＩＣ半導体装置も広く使用されている。
図１１に示すハイブリッドＩＣ半導体装置は、厚膜基板
１が接着剤３で金属プレート１５に固定され、さらに、
金属プレート１５には樹脂ケース１７も接着剤３で固定
されており、金属プレート１５と樹脂ケース１７からな
る空間内にゲル状樹脂７が充填されている。また、樹脂
プレート１９は、接着剤３により樹脂ケース１７に接着
固定され、ハイブリッドＩＣ半導体装置を封止している
ので、真空注型による樹脂封止を行う、図９に示すハイ
ブリッドＩＣ半導体装置で問題となる注型剤の入り込み
による信頼性の低下は発生しない。
クター形状とすることで取り付ける相手側の装置にソケ
ットによる接続が可能である、図１１に示すような構造
のハイブリッドＩＣ半導体装置も広く使用されている。
図１１に示すハイブリッドＩＣ半導体装置は、厚膜基板
１が接着剤３で金属プレート１５に固定され、さらに、
金属プレート１５には樹脂ケース１７も接着剤３で固定
されており、金属プレート１５と樹脂ケース１７からな
る空間内にゲル状樹脂７が充填されている。また、樹脂
プレート１９は、接着剤３により樹脂ケース１７に接着
固定され、ハイブリッドＩＣ半導体装置を封止している
ので、真空注型による樹脂封止を行う、図９に示すハイ
ブリッドＩＣ半導体装置で問題となる注型剤の入り込み
による信頼性の低下は発生しない。
【０００６】ところが、樹脂ケース１７、樹脂プレート
１９を使用するため、部品コストが高価になる、さら
に、樹脂ケース１７に樹脂プレート１９を接着している
ので、樹脂ケース１７にある程度の厚みが必要となり、
ハイブリッドＩＣ半導体装置のサイズを小さくすること
ができなかった。また、図１２において、 (ａ) に示す
ように、図９のハイブリッドＩＣ半導体装置では厚膜基
板１から直接リード９を取り出すことができたが、
(ｂ) に示すように、図１１のハイブリッドＩＣ半導体
装置では厚膜基板１から直接リード９を取り出すことが
できないので、補助リード９Ａを介して取り出すことと
なり、信頼性の低下が発生する可能性があった。
１９を使用するため、部品コストが高価になる、さら
に、樹脂ケース１７に樹脂プレート１９を接着している
ので、樹脂ケース１７にある程度の厚みが必要となり、
ハイブリッドＩＣ半導体装置のサイズを小さくすること
ができなかった。また、図１２において、 (ａ) に示す
ように、図９のハイブリッドＩＣ半導体装置では厚膜基
板１から直接リード９を取り出すことができたが、
(ｂ) に示すように、図１１のハイブリッドＩＣ半導体
装置では厚膜基板１から直接リード９を取り出すことが
できないので、補助リード９Ａを介して取り出すことと
なり、信頼性の低下が発生する可能性があった。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】以上説明したように、
従来のハイブリッドＩＣ半導体装置には、図９に示す構
造では、真空注型する際に、注型剤がゲル状樹脂内に入
り込み、ハイブリッドＩＣ半導体装置の信頼性を低下さ
せるという問題を持っており、図１１に示す構造では、
部品コストが高価になる、装置のサイズを小さくするこ
とができない、厚膜基板から直接リードを取り出すこと
ができないという問題があった。
従来のハイブリッドＩＣ半導体装置には、図９に示す構
造では、真空注型する際に、注型剤がゲル状樹脂内に入
り込み、ハイブリッドＩＣ半導体装置の信頼性を低下さ
せるという問題を持っており、図１１に示す構造では、
部品コストが高価になる、装置のサイズを小さくするこ
とができない、厚膜基板から直接リードを取り出すこと
ができないという問題があった。
【０００８】本発明は上記事情に鑑みて成されたもので
あり、その目的は、真空注型法による樹脂封止をする際
に、注型剤がゲル状樹脂内に入り込むのを防ぐことによ
り、装置の信頼性を向上させ、さらに、コストアップ及
び装置サイズの拡大を抑えることができるハイブリッド
ＩＣ半導体装置を提供することにある。
あり、その目的は、真空注型法による樹脂封止をする際
に、注型剤がゲル状樹脂内に入り込むのを防ぐことによ
り、装置の信頼性を向上させ、さらに、コストアップ及
び装置サイズの拡大を抑えることができるハイブリッド
ＩＣ半導体装置を提供することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに第１の発明は、回路を構成する電子部品等を半田付
けした回路基板と、前記回路基板を固定する金属ケース
と、前記電子部品等を保護するために前記金属ケース内
に充填される第１の樹脂を有するハイブリッドＩＣ半導
体装置において、前記第１の樹脂上に充填される第２の
樹脂と、前記金属ケースに設けられ、前記第２の樹脂を
固定する手段を有することを特徴とする。
めに第１の発明は、回路を構成する電子部品等を半田付
けした回路基板と、前記回路基板を固定する金属ケース
と、前記電子部品等を保護するために前記金属ケース内
に充填される第１の樹脂を有するハイブリッドＩＣ半導
体装置において、前記第１の樹脂上に充填される第２の
樹脂と、前記金属ケースに設けられ、前記第２の樹脂を
固定する手段を有することを特徴とする。
【００１０】第２の発明は、前記第２の樹脂が、加熱に
より硬化する性質を有することを特徴とする。
より硬化する性質を有することを特徴とする。
【００１１】第３の発明は、前記第２の樹脂を固定する
手段が、前記金属ケース上端に設けられた突起であるこ
とを特徴とする。
手段が、前記金属ケース上端に設けられた突起であるこ
とを特徴とする。
【００１２】第４の発明は、前記第２の樹脂を固定する
手段が、前記金属ケース上端に設けられた凹部であるこ
とを特徴とする。
手段が、前記金属ケース上端に設けられた凹部であるこ
とを特徴とする。
【００１３】第５の発明は、前記第２の樹脂を固定する
手段が、前記金属ケース上端に設けられた貫通穴である
ことを特徴とする。
手段が、前記金属ケース上端に設けられた貫通穴である
ことを特徴とする。
【００１４】第６の発明は、前記第２の樹脂を固定する
手段が、前記金属ケースの側面の内側への絞りであるこ
とを特徴とする。
手段が、前記金属ケースの側面の内側への絞りであるこ
とを特徴とする。
【００１５】第７の発明は、回路を構成する電子部品等
を半田付けした回路基板と、前記回路基板を固定する金
属ケースと、前記電子部品等を保護するために前記金属
ケース内に充填される第１の樹脂を有するハイブリッド
ＩＣ半導体装置において、前記第１の樹脂上に充填さ
れ、加熱により硬化する第２の樹脂と、前記金属ケース
内に固定されるガイドを有し、前記第２の樹脂を前記ガ
イドに接着させることで前記金属ケースに固定すること
を特徴とする。
を半田付けした回路基板と、前記回路基板を固定する金
属ケースと、前記電子部品等を保護するために前記金属
ケース内に充填される第１の樹脂を有するハイブリッド
ＩＣ半導体装置において、前記第１の樹脂上に充填さ
れ、加熱により硬化する第２の樹脂と、前記金属ケース
内に固定されるガイドを有し、前記第２の樹脂を前記ガ
イドに接着させることで前記金属ケースに固定すること
を特徴とする。
【００１６】上記構成によれば、第１の樹脂上に加熱で
硬化する第２の樹脂を充填することにより、真空注型に
よる樹脂封止を行う際に、第１の樹脂内に注型剤が入り
込むことを防ぐことができるので、装置不良や信頼性の
低下を抑えることができる。
硬化する第２の樹脂を充填することにより、真空注型に
よる樹脂封止を行う際に、第１の樹脂内に注型剤が入り
込むことを防ぐことができるので、装置不良や信頼性の
低下を抑えることができる。
【００１７】また、真空注型する際に、第１の樹脂内の
気泡の圧力により第２の樹脂が押し出されることを防ぐ
ために、金属ケースの第２の樹脂を固定するための手段
を有しているのである。
気泡の圧力により第２の樹脂が押し出されることを防ぐ
ために、金属ケースの第２の樹脂を固定するための手段
を有しているのである。
【００１８】
第１の実施の形態 図１は、第１の実施の形態に係るハイブリッドＩＣ半導
体装置の構成を示す断面図である。なお、従来例の図９
及び図１１と同一部分には同一符号が付してある。
体装置の構成を示す断面図である。なお、従来例の図９
及び図１１と同一部分には同一符号が付してある。
【００１９】図１において、第１の実施の形態に係るハ
イブリッドＩＣ半導体装置は、回路を構成する電子部品
を半田付けした厚膜基板１が接着剤３で金属ケース５に
固定されており、金属ケース５内にはゲル状樹脂７が充
填されている。厚膜基板１と装置外部の電気的接続は、
厚膜基板１から直接取り出されたリード９によって行わ
れる。ここまでは、従来例と同じであり、本発明の特徴
は、ゲル状樹脂７上に一定の硬度を有する熱硬化性樹脂
２１を金属ケース７上端まで充填し、さらに、金属ケー
ス７上端に熱硬化性樹脂２１を固定する固定部２３Ａを
有している点である。
イブリッドＩＣ半導体装置は、回路を構成する電子部品
を半田付けした厚膜基板１が接着剤３で金属ケース５に
固定されており、金属ケース５内にはゲル状樹脂７が充
填されている。厚膜基板１と装置外部の電気的接続は、
厚膜基板１から直接取り出されたリード９によって行わ
れる。ここまでは、従来例と同じであり、本発明の特徴
は、ゲル状樹脂７上に一定の硬度を有する熱硬化性樹脂
２１を金属ケース７上端まで充填し、さらに、金属ケー
ス７上端に熱硬化性樹脂２１を固定する固定部２３Ａを
有している点である。
【００２０】熱硬化性樹脂２１は、熱を加えると硬化す
る性質を有する樹脂のことをいい、例えばエポキシ樹脂
などがあり、一般に耐熱性、耐水性が優れている。室温
では熱硬化性樹脂２１は液状であるので、リード９を厚
膜基板１から直接取り出すことができ、さらに、充填後
加熱することにより硬化するので、完全密閉することが
できる。また、真空注型する際に、注型剤がゲル状樹脂
７内に入り込むことを防ぐことができる。
る性質を有する樹脂のことをいい、例えばエポキシ樹脂
などがあり、一般に耐熱性、耐水性が優れている。室温
では熱硬化性樹脂２１は液状であるので、リード９を厚
膜基板１から直接取り出すことができ、さらに、充填後
加熱することにより硬化するので、完全密閉することが
できる。また、真空注型する際に、注型剤がゲル状樹脂
７内に入り込むことを防ぐことができる。
【００２１】固定部２３Ａは、金属ケース５上端に設け
られた内側への突起であり、真空注型する際に、硬化し
た熱硬化性樹脂２１がゲル状樹脂７内の気泡の圧力によ
り外側に押し出されてしまうことを防ぎ、熱硬化性樹脂
２１を金属ケース５に固定している。
られた内側への突起であり、真空注型する際に、硬化し
た熱硬化性樹脂２１がゲル状樹脂７内の気泡の圧力によ
り外側に押し出されてしまうことを防ぎ、熱硬化性樹脂
２１を金属ケース５に固定している。
【００２２】このように、本実施の形態に係るハイブリ
ッドＩＣ半導体装置は、ゲル状樹脂上に熱硬化性樹脂を
充填したことにより、真空注型する際に、注型剤がゲル
状樹脂内に入り込むことを防ぐことができるので、装置
不良や信頼性の低下を抑えることができる。また、熱硬
化性樹脂の金属ケースへの固定は、金属ケース上端に設
けた突起である固定部のみによるので、金属ケースの厚
みを必要とはせず、装置サイズを小さくすることができ
る。
ッドＩＣ半導体装置は、ゲル状樹脂上に熱硬化性樹脂を
充填したことにより、真空注型する際に、注型剤がゲル
状樹脂内に入り込むことを防ぐことができるので、装置
不良や信頼性の低下を抑えることができる。また、熱硬
化性樹脂の金属ケースへの固定は、金属ケース上端に設
けた突起である固定部のみによるので、金属ケースの厚
みを必要とはせず、装置サイズを小さくすることができ
る。
【００２３】第２の実施の形態 図２は、第２の実施の形態に係るハイブリッドＩＣ半導
体装置の構成を示す断面図である。なお、図１、図９及
び図１１と同一部分には同一符号が付してある。
体装置の構成を示す断面図である。なお、図１、図９及
び図１１と同一部分には同一符号が付してある。
【００２４】図２において、金属ケース５の上端には外
側への突起である固定部２３Ｂが設けられている。
側への突起である固定部２３Ｂが設けられている。
【００２５】第３の実施の形態 図３は、第３の実施の形態に係るハイブリッドＩＣ半導
体装置の構成を示す断面図である。なお、図１、図９及
び図１１と同一部分には同一符号が付してある。
体装置の構成を示す断面図である。なお、図１、図９及
び図１１と同一部分には同一符号が付してある。
【００２６】図３において、金属ケース５の上端の内側
に凹部である固定部２３Ｃが設けられている。
に凹部である固定部２３Ｃが設けられている。
【００２７】第４の実施の形態 図４は、第４の実施の形態に係るハイブリッドＩＣ半導
体装置の構成を示す断面図である。なお、図１、図９及
び図１１と同一部分には同一符号が付してある。
体装置の構成を示す断面図である。なお、図１、図９及
び図１１と同一部分には同一符号が付してある。
【００２８】図４において、金属ケース５の上端に貫通
穴である固定部２３Ｄが設けられている。
穴である固定部２３Ｄが設けられている。
【００２９】第５の実施の形態 図５は、第５の実施の形態に係るハイブリッドＩＣ半導
体装置の構成を示す断面図である。なお、図１、図９及
び図１１と同一部分には同一符号が付してある。
体装置の構成を示す断面図である。なお、図１、図９及
び図１１と同一部分には同一符号が付してある。
【００３０】図５において、金属ケース５の側面に内側
への絞りである固定部２３Ｅが設けられている。
への絞りである固定部２３Ｅが設けられている。
【００３１】第６の実施の形態 図６は、第６の実施の形態に係るハイブリッドＩＣ半導
体装置の構成を示す断面図である。なお、図１、図９及
び図１１と同一部分には同一符号が付してある。
体装置の構成を示す断面図である。なお、図１、図９及
び図１１と同一部分には同一符号が付してある。
【００３２】図６において、樹脂ガイド２５は、金属ケ
ース５側面と厚膜基板１の間で金属ケース５底面に固定
され、樹脂ガイド２５内にゲル状樹脂７が充填されてい
る。一方、熱硬化性樹脂２１は、金属ケース５上端まで
充填され、樹脂ガイド２５と金属ケース５の隙間に入り
込んでいる。
ース５側面と厚膜基板１の間で金属ケース５底面に固定
され、樹脂ガイド２５内にゲル状樹脂７が充填されてい
る。一方、熱硬化性樹脂２１は、金属ケース５上端まで
充填され、樹脂ガイド２５と金属ケース５の隙間に入り
込んでいる。
【００３３】このように、本実施の形態に係るハイブリ
ッドＩＣ半導体装置は、樹脂ガイド２５と金属ケース５
の隙間に熱硬化性樹脂２１を入り込ませて熱硬化性樹脂
２１の接着面積を広くすることにより、熱硬化性樹脂２
１の接着力を大きくし、熱硬化性樹脂２１を金属ケース
５に固定している。
ッドＩＣ半導体装置は、樹脂ガイド２５と金属ケース５
の隙間に熱硬化性樹脂２１を入り込ませて熱硬化性樹脂
２１の接着面積を広くすることにより、熱硬化性樹脂２
１の接着力を大きくし、熱硬化性樹脂２１を金属ケース
５に固定している。
【００３４】第７の実施の形態 図７は、第７の実施の形態に係るハイブリッドＩＣ半導
体装置の構成を示す断面図である。なお、図１、図９及
び図１１と同一部分には同一符号が付してある。
体装置の構成を示す断面図である。なお、図１、図９及
び図１１と同一部分には同一符号が付してある。
【００３５】図７において、金属ケース５の内側に樹脂
ガイド２５が接着剤２５で固定されている。ゲル状樹脂
７は樹脂ガイド２５の下部まで充填され、その上に熱硬
化性樹脂２１が充填されており、熱硬化性樹脂２１は樹
脂ガイド２５と広い接着面積で接着している。
ガイド２５が接着剤２５で固定されている。ゲル状樹脂
７は樹脂ガイド２５の下部まで充填され、その上に熱硬
化性樹脂２１が充填されており、熱硬化性樹脂２１は樹
脂ガイド２５と広い接着面積で接着している。
【００３６】第８の実施の形態 図８は、第８の実施の形態に係るハイブリッドＩＣ半導
体装置の構成を示す断面図である。なお、図１、図９及
び図１１と同一部分には同一符号が付してある。
体装置の構成を示す断面図である。なお、図１、図９及
び図１１と同一部分には同一符号が付してある。
【００３７】図８において、本実施の形態に係るハイブ
リッドＩＣ半導体装置は、金属ケース５上端に、図１に
示す内側への突起、図３に示す内側への凹部、また、図
５に示す金属ケース５の側面の内側への絞りを組み合わ
せて、熱硬化性樹脂２１を固定している。
リッドＩＣ半導体装置は、金属ケース５上端に、図１に
示す内側への突起、図３に示す内側への凹部、また、図
５に示す金属ケース５の側面の内側への絞りを組み合わ
せて、熱硬化性樹脂２１を固定している。
【００３８】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、ハ
イブリッドＩＣ半導体装置を真空注型により樹脂封止を
する際に、注型剤が装置内部に入り込むことを防ぐこと
により装置不良や装置の信頼性の低下を抑えることがで
きる。
イブリッドＩＣ半導体装置を真空注型により樹脂封止を
する際に、注型剤が装置内部に入り込むことを防ぐこと
により装置不良や装置の信頼性の低下を抑えることがで
きる。
【００３９】また、装置の部品コストを抑え、装置サイ
ズを小さくすることができる。
ズを小さくすることができる。
【図１】第１の実施の形態に係るハイブリッドＩＣ半導
体装置の構成を示す断面図である。
体装置の構成を示す断面図である。
【図２】第２の実施の形態に係るハイブリッドＩＣ半導
体装置の構成を示す断面図である。
体装置の構成を示す断面図である。
【図３】第３の実施の形態に係るハイブリッドＩＣ半導
体装置の構成を示す断面図である。
体装置の構成を示す断面図である。
【図４】第４の実施の形態に係るハイブリッドＩＣ半導
体装置の構成を示す断面図である。
体装置の構成を示す断面図である。
【図５】第５の実施の形態に係るハイブリッドＩＣ半導
体装置の構成を示す断面図である。
体装置の構成を示す断面図である。
【図６】第６の実施の形態に係るハイブリッドＩＣ半導
体装置の構成を示す断面図である。
体装置の構成を示す断面図である。
【図７】第７の実施の形態に係るハイブリッドＩＣ半導
体装置の構成を示す断面図である。
体装置の構成を示す断面図である。
【図８】第８の実施の形態に係るハイブリッドＩＣ半導
体装置の構成を示す断面図である。
体装置の構成を示す断面図である。
【図９】従来のハイブリッドＩＣ半導体装置の一例を示
す断面図である。
す断面図である。
【図１０】図９に示す従来のハイブリッドＩＣ半導体装
置の問題点を説明するための図である。
置の問題点を説明するための図である。
【図１１】従来のハイブリッドＩＣ半導体装置の他の例
を示す断面図である。
を示す断面図である。
【図１２】図１１に示す従来のハイブリッドＩＣ半導体
装置の問題点を説明するための図である。
装置の問題点を説明するための図である。
１ 厚膜基板 ３ 接着剤 ５ 金属ケース ７ ゲル状樹脂 ９、９Ａ リード １１ 注型剤 １３ ボンティングワイヤー １５ 金属プレート １７ 樹脂ケース １９ 樹脂プレート ２１ 熱硬化性樹脂 ２３Ａ、２３Ｂ、２３Ｃ、２３Ｄ、２３Ｅ、２３Ｆ 固
定部 ２５ 樹脂ガイド
定部 ２５ 樹脂ガイド
Claims (7)
- 【請求項１】 回路を構成する電子部品等を半田付けし
た回路基板と、前記回路基板を固定する金属ケースと、
前記電子部品等を保護するために前記金属ケース内に充
填される第１の樹脂を有するハイブリッドＩＣ半導体装
置において、 前記第１の樹脂上に充填される第２の樹脂と、 前記金属ケースに設けられ、前記第２の樹脂を固定する
手段を有することを特徴とするハイブリッドＩＣ半導体
装置。 - 【請求項２】 前記第２の樹脂が、加熱により硬化する
性質を有することを特徴とする請求項１記載のハイブリ
ッドＩＣ半導体装置。 - 【請求項３】 前記第２の樹脂を固定する手段が、前記
金属ケース上端に設けられた突起であることを特徴とす
る請求項１又は２記載のハイブリッドＩＣ半導体装置。 - 【請求項４】 前記第２の樹脂を固定する手段が、前記
金属ケース上端に設けられた凹部であることを特徴とす
る請求項１又は２記載のハイブリッドＩＣ半導体装置。 - 【請求項５】 前記第２の樹脂を固定する手段が、前記
金属ケース上端に設けられた貫通穴であることを特徴と
する請求項１又は２記載のハイブリッドＩＣ半導体装
置。 - 【請求項６】 前記第２の樹脂を固定する手段が、前記
金属ケースの側面の内側への絞りであることを特徴とす
る請求項１又は２記載のハイブリッドＩＣ半導体装置。 - 【請求項７】 回路を構成する電子部品等を半田付けし
た回路基板と、前記回路基板を固定する金属ケースと、
前記電子部品等を保護するために前記金属ケース内に充
填される第１の樹脂を有するハイブリッドＩＣ半導体装
置において、 前記第１の樹脂上に充填され、加熱により硬化する第２
の樹脂と、 前記金属ケース内に固定されるガイドを有し、 前記第２の樹脂を前記ガイドに接着させることで前記金
属ケースに固定することを特徴とするハイブリッドＩＣ
半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7241985A JPH0982848A (ja) | 1995-09-20 | 1995-09-20 | ハイブリッドｉｃ半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7241985A JPH0982848A (ja) | 1995-09-20 | 1995-09-20 | ハイブリッドｉｃ半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0982848A true JPH0982848A (ja) | 1997-03-28 |
Family
ID=17082538
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7241985A Pending JPH0982848A (ja) | 1995-09-20 | 1995-09-20 | ハイブリッドｉｃ半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0982848A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006190725A (ja) * | 2005-01-04 | 2006-07-20 | Hitachi Ltd | 樹脂封止型エンジンコントロール装置並びにその製造方法 |
| JP2008186955A (ja) * | 2007-01-29 | 2008-08-14 | Hitachi Ltd | モジュール装置 |
| JP2008270688A (ja) * | 2007-04-25 | 2008-11-06 | Hitachi Ltd | 自動車の電気電子モジュール |
| JP2009173250A (ja) * | 2008-01-28 | 2009-08-06 | Hitachi Ltd | 樹脂封止型電子モジュール及びその樹脂封止成形方法 |
| JP2013065598A (ja) * | 2011-09-15 | 2013-04-11 | Shindengen Electric Mfg Co Ltd | 半導体装置 |
| JP2015198227A (ja) * | 2014-04-03 | 2015-11-09 | 富士電機株式会社 | 半導体装置 |
-
1995
- 1995-09-20 JP JP7241985A patent/JPH0982848A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006190725A (ja) * | 2005-01-04 | 2006-07-20 | Hitachi Ltd | 樹脂封止型エンジンコントロール装置並びにその製造方法 |
| JP2008186955A (ja) * | 2007-01-29 | 2008-08-14 | Hitachi Ltd | モジュール装置 |
| JP2008270688A (ja) * | 2007-04-25 | 2008-11-06 | Hitachi Ltd | 自動車の電気電子モジュール |
| JP2009173250A (ja) * | 2008-01-28 | 2009-08-06 | Hitachi Ltd | 樹脂封止型電子モジュール及びその樹脂封止成形方法 |
| JP2013065598A (ja) * | 2011-09-15 | 2013-04-11 | Shindengen Electric Mfg Co Ltd | 半導体装置 |
| JP2015198227A (ja) * | 2014-04-03 | 2015-11-09 | 富士電機株式会社 | 半導体装置 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2842355B2 (ja) | パッケージ | |
| US8093692B2 (en) | Semiconductor device packaging including a power semiconductor element | |
| JP2570917B2 (ja) | 支持体から離脱可能なリードを有する半導体パッケージ | |
| US6777268B2 (en) | Method of fabricating tape attachment chip-on-board assemblies | |
| KR100242393B1 (ko) | 반도체 패키지 및 제조방법 | |
| US6605779B2 (en) | Electronic control unit | |
| KR0147397B1 (ko) | 반도체장치 및 그 제조방법 | |
| US8242587B2 (en) | Electronic device and pressure sensor | |
| JPH0982848A (ja) | ハイブリッドｉｃ半導体装置 | |
| KR100366111B1 (ko) | 수지봉합형 반도체장치의 구조 | |
| JPH11330317A (ja) | 混成集積回路装置およびその製造方法 | |
| JPH03161958A (ja) | プラスチックピングリッドアレイ型半導体パッケージ構造 | |
| JPS61194754A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH0969591A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
| JPH0786459A (ja) | 半導体装置 | |
| JP2007214186A (ja) | モールドパッケージおよびその製造方法 | |
| JP2771475B2 (ja) | 半導体装置 | |
| KR960012635B1 (ko) | 반도체 패키지 제조방법 | |
| JPH09107009A (ja) | パワーモジュール装置及びその製造方法 | |
| KR19980079223A (ko) | 반도체 장치 및 그의 제조 방법 | |
| US6856028B1 (en) | Semiconductor device having an improved mounting structure | |
| JP2025104523A (ja) | カメラ装置およびカメラ装置の製造方法 | |
| JPH0831986A (ja) | 放熱板付半導体装置 | |
| JPH0334561A (ja) | 半導体装置 | |
| JP2002261197A (ja) | 自動車用電子回路装置 |