JPH0982934A - Ｃｃｄ固体撮像素子 - Google Patents
Ｃｃｄ固体撮像素子Info
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- JPH0982934A JPH0982934A JP7257284A JP25728495A JPH0982934A JP H0982934 A JPH0982934 A JP H0982934A JP 7257284 A JP7257284 A JP 7257284A JP 25728495 A JP25728495 A JP 25728495A JP H0982934 A JPH0982934 A JP H0982934A
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- Japan
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-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F39/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one element covered by group H10F30/00, e.g. radiation detectors comprising photodiode arrays
- H10F39/10—Integrated devices
- H10F39/12—Image sensors
- H10F39/15—Charge-coupled device [CCD] image sensors
- H10F39/158—Charge-coupled device [CCD] image sensors having arrangements for blooming suppression
Landscapes
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 暗電流を低減し、暗電流の各画素ごとの分散
を低減してマイクロホワイト欠点を低減しうる高感度の
ＣＣＤ固体撮像素子を提供する。 【解決手段】 本発明は、基板内に形成され、一定の深
さを有する信号電荷転送用第１導電型の埋込チャネル領
域と、第１チャネル領域と隣接して形成されたチャネル
ストップ用第２導電型の第１高濃度不純物領域と、第１
チャネル領域上に形成された暗電流電荷転送用第２導電
型の第１表面チャネル領域と、第１高濃度不純物領域上
に形成され、前記表面チャネル領域の暗電流電荷を除去
するための第１導電型の第２高濃度不純物領域と、第２
高濃度不純物領域と第２チャネル領域との間の基板内に
形成され、一定の深さを有する第２導電型の第２表面チ
ャネル領域とを含む。
を低減してマイクロホワイト欠点を低減しうる高感度の
ＣＣＤ固体撮像素子を提供する。 【解決手段】 本発明は、基板内に形成され、一定の深
さを有する信号電荷転送用第１導電型の埋込チャネル領
域と、第１チャネル領域と隣接して形成されたチャネル
ストップ用第２導電型の第１高濃度不純物領域と、第１
チャネル領域上に形成された暗電流電荷転送用第２導電
型の第１表面チャネル領域と、第１高濃度不純物領域上
に形成され、前記表面チャネル領域の暗電流電荷を除去
するための第１導電型の第２高濃度不純物領域と、第２
高濃度不純物領域と第２チャネル領域との間の基板内に
形成され、一定の深さを有する第２導電型の第２表面チ
ャネル領域とを含む。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はＣＣＤ固体撮像素子
に係り、特に暗電流及びマイクロホワイト欠点を減少さ
せるＣＣＤ固体撮像素子に関する。
に係り、特に暗電流及びマイクロホワイト欠点を減少さ
せるＣＣＤ固体撮像素子に関する。
【０００２】
【従来の技術】ＣＣＤ固体撮像素子の高感度化及び小型
化に障害となる幾つかの要素があるが、その中で特に深
刻な問題がマイクロホワイト欠点（ｍｉｃｒｏ ｗｈｉ
ｔｅｄｅｆｅｃｔ）と暗電流である。
化に障害となる幾つかの要素があるが、その中で特に深
刻な問題がマイクロホワイト欠点（ｍｉｃｒｏ ｗｈｉ
ｔｅｄｅｆｅｃｔ）と暗電流である。
【０００３】マイクロホワイト欠点は、特に６０℃の高
温テストで問題となる。というのは、通常このような欠
点の出力は１０℃温度上昇で約２倍に増加するからであ
る。各画素の暗時出力は分散する。その分布の自然な裾
野から外れた出力をもつ画素がマイクロホワイト欠点を
もつ画素である。マイクロホワイト欠点は通常の画素よ
りやや暗時の出力が大きいだけであり、実温条件ではほ
とんど見つける事が出来ない。マイクロホワイト欠点の
要因は重金属汚染により形成された発生−再結合中心
（Ｇｅｎｅｒａｔｉｏｎ−Ｒｅｃｏｍｂｉｎａｔｉｏｎ
Ｃｅｎｔｅｒ、以下ＧＲＣという）である。もし画素
内に一つのＧＲＣがあれば、マイクロホワイト欠点にな
ると考えられる。通常、このような欠点は６０℃の条件
で、１６μＶ／ｅ- 程度の電荷検出感度で見ると、３〜
４ｍＶ程度の出力をもつ。暗電流とマイクロホワイト欠
点の出力はピン構造のフォトダイオードを利用したイン
タライン転送方式のＣＣＤ固体撮像素子における数値を
意味する。
温テストで問題となる。というのは、通常このような欠
点の出力は１０℃温度上昇で約２倍に増加するからであ
る。各画素の暗時出力は分散する。その分布の自然な裾
野から外れた出力をもつ画素がマイクロホワイト欠点を
もつ画素である。マイクロホワイト欠点は通常の画素よ
りやや暗時の出力が大きいだけであり、実温条件ではほ
とんど見つける事が出来ない。マイクロホワイト欠点の
要因は重金属汚染により形成された発生−再結合中心
（Ｇｅｎｅｒａｔｉｏｎ−Ｒｅｃｏｍｂｉｎａｔｉｏｎ
Ｃｅｎｔｅｒ、以下ＧＲＣという）である。もし画素
内に一つのＧＲＣがあれば、マイクロホワイト欠点にな
ると考えられる。通常、このような欠点は６０℃の条件
で、１６μＶ／ｅ- 程度の電荷検出感度で見ると、３〜
４ｍＶ程度の出力をもつ。暗電流とマイクロホワイト欠
点の出力はピン構造のフォトダイオードを利用したイン
タライン転送方式のＣＣＤ固体撮像素子における数値を
意味する。
【０００４】一方、暗電流は全画素の暗時出力の平均値
として定義される。その値は各画素ごとにばらつくため
ヒストグラムを作ると、暗電流はガウス分布に近い形に
なる（Ｐｈｉｌｌｐｓ Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ｒｅｓ
ｅａｒｃｈ Ｖｏｌ．４８，Ｎｏ．３，１９９４，ｐｐ
１５９−１８４，ＦＩＧ．２２参照）。暗電流分布の
自然な裾野は、分布の中心から１ｍＶあたりのところに
存る。この値は各製造ラインの汚染状態などによって異
なる。
として定義される。その値は各画素ごとにばらつくため
ヒストグラムを作ると、暗電流はガウス分布に近い形に
なる（Ｐｈｉｌｌｐｓ Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ｒｅｓ
ｅａｒｃｈ Ｖｏｌ．４８，Ｎｏ．３，１９９４，ｐｐ
１５９−１８４，ＦＩＧ．２２参照）。暗電流分布の
自然な裾野は、分布の中心から１ｍＶあたりのところに
存る。この値は各製造ラインの汚染状態などによって異
なる。
【０００５】これを解決するためにＣＣＤ固体撮像素子
の電荷検出回路の感度を高くすれば、出力電圧も増加す
るので、電荷検出素子の感度を高くする場合にはまず最
初にマイクロホワイト欠点が問題となる。マイクロホワ
イト欠点を無くしても、暗電流の分散を低減しなけれ
ば、大きな暗電流をもつ画素がマイクロホワイト欠点と
して観察されることにより、高感度に対応してマイクロ
ホワイト欠点が指数関数的に増加する。しかも、暗電流
の分散だけでなく絶対値も問題となるが、これは均一な
暗電流でも高感度の信号電荷検出を行えば、暗電流のシ
ョットノイズが発生するからである。
の電荷検出回路の感度を高くすれば、出力電圧も増加す
るので、電荷検出素子の感度を高くする場合にはまず最
初にマイクロホワイト欠点が問題となる。マイクロホワ
イト欠点を無くしても、暗電流の分散を低減しなけれ
ば、大きな暗電流をもつ画素がマイクロホワイト欠点と
して観察されることにより、高感度に対応してマイクロ
ホワイト欠点が指数関数的に増加する。しかも、暗電流
の分散だけでなく絶対値も問題となるが、これは均一な
暗電流でも高感度の信号電荷検出を行えば、暗電流のシ
ョットノイズが発生するからである。
【０００６】固体撮像素子の電荷検出回路は例えば、米
国特許第４，０７４，３０２号もしくは第４，９８４，
０４５号等の技術を実用すれば、現在の１０倍以上まで
高感度化し、しかも電荷検出に伴う等価雑音電子数を１
ｅ- 以下まで低減することが可能である。（「ＩＥＤＭ
Ｔｅｃｈ．Ｄｉｇ．，ｐｐ１１６−１１９，１９８
７」、「Ｅｘｔｅｎｄｅｄ Ａｂｓｔｒａｃｔｓ ｏｆ
２０ｔｈ Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ Ｃｏｎｆｅ
ｒｅｎｃｅ ｏｎ Ｓｏｌｉｄ Ｓｔａｔｅ Ｄｅｖｉ
ｃｅ ａｎｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ．，ｐｐ３５５−３
５８」参照）しかし、前記のように高感度の信号電荷検
出を行えば、画面いっぱいのマイクロホワイト欠点と、
かなり目立つショットノイズが観察されるという問題点
があった。これにより、ＣＣＤ固体撮像素子の高感度信
号電荷検出技術は未だに実用されないでいる。
国特許第４，０７４，３０２号もしくは第４，９８４，
０４５号等の技術を実用すれば、現在の１０倍以上まで
高感度化し、しかも電荷検出に伴う等価雑音電子数を１
ｅ- 以下まで低減することが可能である。（「ＩＥＤＭ
Ｔｅｃｈ．Ｄｉｇ．，ｐｐ１１６−１１９，１９８
７」、「Ｅｘｔｅｎｄｅｄ Ａｂｓｔｒａｃｔｓ ｏｆ
２０ｔｈ Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ Ｃｏｎｆｅ
ｒｅｎｃｅ ｏｎ Ｓｏｌｉｄ Ｓｔａｔｅ Ｄｅｖｉ
ｃｅ ａｎｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ．，ｐｐ３５５−３
５８」参照）しかし、前記のように高感度の信号電荷検
出を行えば、画面いっぱいのマイクロホワイト欠点と、
かなり目立つショットノイズが観察されるという問題点
があった。これにより、ＣＣＤ固体撮像素子の高感度信
号電荷検出技術は未だに実用されないでいる。
【０００７】図１は一般的なフレーム転送方式のＣＣＤ
固体撮像素子のブロック図である。図１によれば、一般
的なフレーム転送方式のＣＣＤ固体撮像素子は受光部１
１、蓄積部１２、ＨＣＣＤ部１３、信号電荷検出及び増
幅部１４から構成されている。通常、入射する光に対し
て受光部１１は信号電荷を発生させ、発生した信号電荷
を一定時間累積させる。受光部１１に累積された信号電
荷は垂直消去期間に同時に蓄積部１２へ転送されて蓄積
され、蓄積部１２に蓄積された信号電荷はその次の垂直
消去期間まで１ラインずつ抽出されてＨＣＣＤ部１３へ
転送される。蓄積部１２に蓄積されていた信号電荷が全
て抽出されると、その間受光部で発生して累積された信
号電荷はさらに蓄積部に移動して前記の動作を繰り返
す。蓄積部１２の信号電荷は信号電荷検出及び増幅回路
１４で検出されて信号処理される。
固体撮像素子のブロック図である。図１によれば、一般
的なフレーム転送方式のＣＣＤ固体撮像素子は受光部１
１、蓄積部１２、ＨＣＣＤ部１３、信号電荷検出及び増
幅部１４から構成されている。通常、入射する光に対し
て受光部１１は信号電荷を発生させ、発生した信号電荷
を一定時間累積させる。受光部１１に累積された信号電
荷は垂直消去期間に同時に蓄積部１２へ転送されて蓄積
され、蓄積部１２に蓄積された信号電荷はその次の垂直
消去期間まで１ラインずつ抽出されてＨＣＣＤ部１３へ
転送される。蓄積部１２に蓄積されていた信号電荷が全
て抽出されると、その間受光部で発生して累積された信
号電荷はさらに蓄積部に移動して前記の動作を繰り返
す。蓄積部１２の信号電荷は信号電荷検出及び増幅回路
１４で検出されて信号処理される。
【０００８】図２は図１の一般的なフレーム転送方式の
ＣＣＤ固体撮像素子の、１セルに対応する受光部の断面
構造を示す。図２によれば、一般的なフレーム転送方式
のＣＣＤ固体撮像素子の受光部１１は、ｎ- 型基板１１
１にｐ- 型ウェル１１２が形成され、このｐ- 型ウェル
１１２内にはｎ型埋込チャネル領域１１３が形成され
る。ｎ型埋込チャネル領域１１３の両側にはｐ+ 型チャ
ネルストップ領域１１４が形成される。そして、これら
を形成させた基板１１１上にＳｉＯ2 からなる絶縁膜１
１５が形成され、絶縁膜１１５上にはポリシリコン膜か
らなる転送電極１１６が形成され、転送電極１１６上に
は保護膜として絶縁層１１７が形成される。前記構造の
受光部１１は、ｎ型埋込チャネル領域１１３に所定以上
の過剰電子が発生する場合には、過剰の電子が基板１１
へ吸収させる垂直のオーバーフロードレイン構造をも
つ。
ＣＣＤ固体撮像素子の、１セルに対応する受光部の断面
構造を示す。図２によれば、一般的なフレーム転送方式
のＣＣＤ固体撮像素子の受光部１１は、ｎ- 型基板１１
１にｐ- 型ウェル１１２が形成され、このｐ- 型ウェル
１１２内にはｎ型埋込チャネル領域１１３が形成され
る。ｎ型埋込チャネル領域１１３の両側にはｐ+ 型チャ
ネルストップ領域１１４が形成される。そして、これら
を形成させた基板１１１上にＳｉＯ2 からなる絶縁膜１
１５が形成され、絶縁膜１１５上にはポリシリコン膜か
らなる転送電極１１６が形成され、転送電極１１６上に
は保護膜として絶縁層１１７が形成される。前記構造の
受光部１１は、ｎ型埋込チャネル領域１１３に所定以上
の過剰電子が発生する場合には、過剰の電子が基板１１
へ吸収させる垂直のオーバーフロードレイン構造をも
つ。
【０００９】前記構造をもつ受光部１１では転送電極１
１６を通過した光によってｎ型埋込チャネル領域１１３
で信号電荷、即ち電子が発生して集積される。この時、
絶縁膜１１５と基板１１１間の界面、即ちＳｉＯ2／Ｓ
ｉ界面やｐ-型ウェル１１２内で発生した電子も同時に
ｎ型埋込チャネル領域１１３に蓄積されて、入力光が全
く無い場合にもＣＣＤ固体撮像素子を通して暗電流が流
れる。しかし、図２に示すように、垂直オーバーフロー
ドレイン構造を有する場合には、ｐ- 型ウェル１１２が
非常に薄くＧＲＣもほとんど無いため、ｐ- 型ウェル１
１２内で発生した電子による暗電流は無視できるほど小
さい。しかし、空乏状態にあるＳｉＯ2／Ｓｉ界面の界
面準位（ｉｎｔｅｒｆａｃｅｓｔａｔｅ）で発生した電
子は、暗電流に大きな影響を及ぼす。即ち、図２のよう
な構造を有する受光部１では、ＳｉＯ2 ／Ｓｉ界面はほ
とんど空乏状態にあり、界面準位で発生する電子のほと
んどは受光部１１のｎ型埋込チャネル領域１１３に蓄積
される。従って、一般的なフレーム方式のＣＣＤ固体撮
像素子において、蓄積部１２とＨＣＣＤ部１３も、断面
構造は前記受光部１１とほぼ同一であるため、ＣＣＤ固
体撮像素子全体のＳｉＯ2 ／Ｓｉ界面で発生した電子に
よって大きな暗電流が引き起こされる。ＳｉＯ2 ／Ｓｉ
界面は結晶構造が局所的に歪んでいるため、重金属等が
析出（ｐｒｅｃｉｐｉｔａｔｉｏｎ）し易い場所でもあ
る。従って、ほとんどのマイクロホワイト欠点もＳｉＯ
2 ／Ｓｉ界面に存在する。
１６を通過した光によってｎ型埋込チャネル領域１１３
で信号電荷、即ち電子が発生して集積される。この時、
絶縁膜１１５と基板１１１間の界面、即ちＳｉＯ2／Ｓ
ｉ界面やｐ-型ウェル１１２内で発生した電子も同時に
ｎ型埋込チャネル領域１１３に蓄積されて、入力光が全
く無い場合にもＣＣＤ固体撮像素子を通して暗電流が流
れる。しかし、図２に示すように、垂直オーバーフロー
ドレイン構造を有する場合には、ｐ- 型ウェル１１２が
非常に薄くＧＲＣもほとんど無いため、ｐ- 型ウェル１
１２内で発生した電子による暗電流は無視できるほど小
さい。しかし、空乏状態にあるＳｉＯ2／Ｓｉ界面の界
面準位（ｉｎｔｅｒｆａｃｅｓｔａｔｅ）で発生した電
子は、暗電流に大きな影響を及ぼす。即ち、図２のよう
な構造を有する受光部１では、ＳｉＯ2 ／Ｓｉ界面はほ
とんど空乏状態にあり、界面準位で発生する電子のほと
んどは受光部１１のｎ型埋込チャネル領域１１３に蓄積
される。従って、一般的なフレーム方式のＣＣＤ固体撮
像素子において、蓄積部１２とＨＣＣＤ部１３も、断面
構造は前記受光部１１とほぼ同一であるため、ＣＣＤ固
体撮像素子全体のＳｉＯ2 ／Ｓｉ界面で発生した電子に
よって大きな暗電流が引き起こされる。ＳｉＯ2 ／Ｓｉ
界面は結晶構造が局所的に歪んでいるため、重金属等が
析出（ｐｒｅｃｉｐｉｔａｔｉｏｎ）し易い場所でもあ
る。従って、ほとんどのマイクロホワイト欠点もＳｉＯ
2 ／Ｓｉ界面に存在する。
【００１０】図３は一般的なインタライン転送方式のＣ
ＣＤ固体撮像素子の構造を示す。図３によれば、一般的
なインタライン転送方式のＣＣＤ固体撮像素子はフォト
ダイオードとＶＣＣＤとからなる画素部３１、ＨＣＣＤ
３２、信号電荷検出及び増幅部３３で構成される。図３
に示すように、一般的なインタライン転送方式のＣＣＤ
固体撮像素子は、図１の一般的なフレーム転送方式のＣ
ＣＤ固体撮像素子とは異なり、蓄積部を含めない。
ＣＤ固体撮像素子の構造を示す。図３によれば、一般的
なインタライン転送方式のＣＣＤ固体撮像素子はフォト
ダイオードとＶＣＣＤとからなる画素部３１、ＨＣＣＤ
３２、信号電荷検出及び増幅部３３で構成される。図３
に示すように、一般的なインタライン転送方式のＣＣＤ
固体撮像素子は、図１の一般的なフレーム転送方式のＣ
ＣＤ固体撮像素子とは異なり、蓄積部を含めない。
【００１１】図４は図３の一般的なインタライン転送方
式のＣＣＤ固体撮像素子の画素部に対応する断面構造を
示す。図４によれば、一般的なインタライン転送方式の
ＣＣＤ固体撮像素子の画素部は、ｎ- 型基板３１１にｐ
- 型ウェル３１２が形成され、ｐ- 型ウェル３１２内に
ｎ型フォトダイオード３１３とｎ型ＶＣＣＤ３１５が互
いに一定の間隔を置いて形成され、ｎ型フォトダイオー
ド３１３の表面にはｐ+ 型ホール蓄積層３１４が形成さ
れ、隣合うｎ型フォトダイオード３１３とｎ型ＶＣＣＤ
３１５はｐ+ 型チャネルストップ領域３１６によって隔
離されている。そして、基板３１１上にはゲート絶縁膜
３１７が形成され、フォトダイオード３１３の上部を除
いたゲート絶縁膜３１７上にはポリシリコン膜からなる
転送電極３１８、絶縁膜３１９及び遮光膜３２０が順次
形成され、遮光膜３２０を含んだゲート絶縁膜３１７上
には平坦化層３２１が形成され、フォトダイオード３１
３に対応する平坦化層上にはマイクロレンズ３２２が形
成された構造を有する。
式のＣＣＤ固体撮像素子の画素部に対応する断面構造を
示す。図４によれば、一般的なインタライン転送方式の
ＣＣＤ固体撮像素子の画素部は、ｎ- 型基板３１１にｐ
- 型ウェル３１２が形成され、ｐ- 型ウェル３１２内に
ｎ型フォトダイオード３１３とｎ型ＶＣＣＤ３１５が互
いに一定の間隔を置いて形成され、ｎ型フォトダイオー
ド３１３の表面にはｐ+ 型ホール蓄積層３１４が形成さ
れ、隣合うｎ型フォトダイオード３１３とｎ型ＶＣＣＤ
３１５はｐ+ 型チャネルストップ領域３１６によって隔
離されている。そして、基板３１１上にはゲート絶縁膜
３１７が形成され、フォトダイオード３１３の上部を除
いたゲート絶縁膜３１７上にはポリシリコン膜からなる
転送電極３１８、絶縁膜３１９及び遮光膜３２０が順次
形成され、遮光膜３２０を含んだゲート絶縁膜３１７上
には平坦化層３２１が形成され、フォトダイオード３１
３に対応する平坦化層上にはマイクロレンズ３２２が形
成された構造を有する。
【００１２】前記の一般的なインタライン転送方式のＣ
ＣＤ固体撮像素子は、フレーム転送方式のＣＣＤ固体撮
像素子の受光領域と同じ役割を果たすフォトダイオード
３１３の表面にｐ+ 型ホール蓄積層が形成されているの
で、フォトダイオード３１３の暗電流をかなり低減する
ことができる。しかし、前記の一般的なインタライン転
送方式のＣＣＤ固体撮像素子のＶＣＣＤ及びＨＣＣＤの
構造が一般的なフレーム転送方式のＣＣＤ固体撮像素子
と同一の構造を有するので、一般的なインタライン転送
方式のＣＣＤ固体撮像素子でも同様に、ＳｉＯ2 ／Ｓｉ
界面で発生した電子による暗電流は依然と存在する。
ＣＤ固体撮像素子は、フレーム転送方式のＣＣＤ固体撮
像素子の受光領域と同じ役割を果たすフォトダイオード
３１３の表面にｐ+ 型ホール蓄積層が形成されているの
で、フォトダイオード３１３の暗電流をかなり低減する
ことができる。しかし、前記の一般的なインタライン転
送方式のＣＣＤ固体撮像素子のＶＣＣＤ及びＨＣＣＤの
構造が一般的なフレーム転送方式のＣＣＤ固体撮像素子
と同一の構造を有するので、一般的なインタライン転送
方式のＣＣＤ固体撮像素子でも同様に、ＳｉＯ2 ／Ｓｉ
界面で発生した電子による暗電流は依然と存在する。
【００１３】以上説明したように、暗電流とマイクロホ
ワイト欠点が主にＳｉＯ2 ／Ｓｉ界面で発生するので、
この界面で発生した電子が信号電荷に混入することをど
うやって防止するかが、高感度電荷検出に重要な鍵とな
る。
ワイト欠点が主にＳｉＯ2 ／Ｓｉ界面で発生するので、
この界面で発生した電子が信号電荷に混入することをど
うやって防止するかが、高感度電荷検出に重要な鍵とな
る。
【００１４】これまでに極的に実用化されてきた従来技
術としては、“Ａｌｌ ＧａｔｅＰｉｎｎｉｎｇ Ｔｅ
ｃｈｎｉｑｕｅ（ＩＥＥＥ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｄｅｖ
ｉｃｅ Ｌｅｔｔ．１（７），ｐｐ１３１−１３３，１
９８０／ＰｈｉｌｉｐｓＪｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ｒｅｓ
ｅａｒｃｈ Ｖｏｌ．４８ Ｎｏ．３ ｐｐ１５９−１
８４，１９９４）”と“Ｉｎｔｅｒｌｉｎｅ Ｔｒａｎ
ｓｆｅｒ ＣＣＤのＳｕｒｆａｃｅ Ｐｉｎｎｅｄ Ｐ
ｈｏｔｏｄｉｏｄｅ（“ＩＥＤＭ”８２Ｄｉｇｅｓｔ．
ｐｐ３２４−３２７，１９８２／ＵＳＰ ４，４８４，
２１０）”等がある。しかし、前記技術の後者は、すで
に図４で説明しているように、ｐ+ 型ホール蓄積層をＳ
ｉＯ2 ／Ｓｉ界面下に形成することで、ｎ型フォトダイ
オードの表面から電子が発生して拡散することを抑制す
る技術である。この技術の導入でフォトダイオードで発
生する暗電流は１／１０以下に低減したが、その分散は
まだ大きい。又、ＶＣＣＤとＨＣＣＤのＳｉＯ2 ／Ｓｉ
界面では電子が発生して信号電荷に混入してしまうとい
う問題点があった。そして、前者の技術の場合も、電荷
の転送動作時は、「ピンニング（ｐｉｎｎｉｎｇ）」状
態を維持出来ないため、ＶＣＣＤとＨＣＣＤのＳｉＯ2
／Ｓｉ界面で電子が発生して信号電荷に混入するという
問題点があった。
術としては、“Ａｌｌ ＧａｔｅＰｉｎｎｉｎｇ Ｔｅ
ｃｈｎｉｑｕｅ（ＩＥＥＥ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｄｅｖ
ｉｃｅ Ｌｅｔｔ．１（７），ｐｐ１３１−１３３，１
９８０／ＰｈｉｌｉｐｓＪｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ｒｅｓ
ｅａｒｃｈ Ｖｏｌ．４８ Ｎｏ．３ ｐｐ１５９−１
８４，１９９４）”と“Ｉｎｔｅｒｌｉｎｅ Ｔｒａｎ
ｓｆｅｒ ＣＣＤのＳｕｒｆａｃｅ Ｐｉｎｎｅｄ Ｐ
ｈｏｔｏｄｉｏｄｅ（“ＩＥＤＭ”８２Ｄｉｇｅｓｔ．
ｐｐ３２４−３２７，１９８２／ＵＳＰ ４，４８４，
２１０）”等がある。しかし、前記技術の後者は、すで
に図４で説明しているように、ｐ+ 型ホール蓄積層をＳ
ｉＯ2 ／Ｓｉ界面下に形成することで、ｎ型フォトダイ
オードの表面から電子が発生して拡散することを抑制す
る技術である。この技術の導入でフォトダイオードで発
生する暗電流は１／１０以下に低減したが、その分散は
まだ大きい。又、ＶＣＣＤとＨＣＣＤのＳｉＯ2 ／Ｓｉ
界面では電子が発生して信号電荷に混入してしまうとい
う問題点があった。そして、前者の技術の場合も、電荷
の転送動作時は、「ピンニング（ｐｉｎｎｉｎｇ）」状
態を維持出来ないため、ＶＣＣＤとＨＣＣＤのＳｉＯ2
／Ｓｉ界面で電子が発生して信号電荷に混入するという
問題点があった。
【００１５】図５は従来の他のフレーム転送方式のＣＣ
Ｄ固体撮像素子の受光部の断面図であり、ＳｉＯ2 ／Ｓ
ｉ界面で発生した電子が信号電荷に混入するのを防止す
るための構造をもつ。図５のＣＣＤ固体撮像素子の受光
部の断面構造は、図２に示したＣＣＤ固体撮像素子の受
光部の断面構造とは異なり、ｎ型埋込チャネル領域５１
３上にｐ型表面チャネル領域５１８を積層形成した。従
って、転送電極５１７の下部の電位は図６に示すように
分布するので、暗電流の原因となるＳｉＯ2 ／Ｓｉ界面
で発生した電子はｐ型表面チャネル領域５１８に転送さ
れて蓄積され、信号電荷はｎ型埋込チャネル領域５１３
へ転送されることにより、ＳｉＯ2 ／Ｓｉ界面で発生し
た電子がｎ型埋込チャネル領域５１３の信号電荷に混入
することを防止して、ＳｉＯ2 ／Ｓｉ界面で発生した電
子による暗電流を低減する効果がある。
Ｄ固体撮像素子の受光部の断面図であり、ＳｉＯ2 ／Ｓ
ｉ界面で発生した電子が信号電荷に混入するのを防止す
るための構造をもつ。図５のＣＣＤ固体撮像素子の受光
部の断面構造は、図２に示したＣＣＤ固体撮像素子の受
光部の断面構造とは異なり、ｎ型埋込チャネル領域５１
３上にｐ型表面チャネル領域５１８を積層形成した。従
って、転送電極５１７の下部の電位は図６に示すように
分布するので、暗電流の原因となるＳｉＯ2 ／Ｓｉ界面
で発生した電子はｐ型表面チャネル領域５１８に転送さ
れて蓄積され、信号電荷はｎ型埋込チャネル領域５１３
へ転送されることにより、ＳｉＯ2 ／Ｓｉ界面で発生し
た電子がｎ型埋込チャネル領域５１３の信号電荷に混入
することを防止して、ＳｉＯ2 ／Ｓｉ界面で発生した電
子による暗電流を低減する効果がある。
【００１６】
【発明が解決しようとする課題】しかし、図５の従来の
フレーム転送方式のＣＣＤ固体撮像素子は、次のような
２つの問題点をもっている。第１に、入射光によって発
生した信号電荷が表面チャネル層にも蓄積されるため
に、一定の照度を超えると、暗電流がｐ型表面チャネル
領域からオーバーフローして埋込チャネル領域の信号電
荷に混入する。第２に、前記構造をもつフレーム転送方
式のＣＣＤ映像素子は、チャネルストップ領域とポリシ
リコン膜からなる転送電極の界面、即ちチャネル領域の
ＳｉＯ2 ／Ｓｉ界面で発生した電子まで完全に受け止め
ることは難しい。通常、チャネルストップ領域における
暗電流の密度がチャネル領域における暗電流の密度より
一層高いことが知られている。従って、高感度の電荷を
検出するためには、前記方法による暗電流の部分的な抑
制より、固体撮像素子の全体においてＳｉＯ2 ／Ｓｉ界
面における暗電流を抑制するか、もしくは、ＳｉＯ2 ／
Ｓｉ界面で発生した電子を完全に除去する技術が必要で
ある。
フレーム転送方式のＣＣＤ固体撮像素子は、次のような
２つの問題点をもっている。第１に、入射光によって発
生した信号電荷が表面チャネル層にも蓄積されるため
に、一定の照度を超えると、暗電流がｐ型表面チャネル
領域からオーバーフローして埋込チャネル領域の信号電
荷に混入する。第２に、前記構造をもつフレーム転送方
式のＣＣＤ映像素子は、チャネルストップ領域とポリシ
リコン膜からなる転送電極の界面、即ちチャネル領域の
ＳｉＯ2 ／Ｓｉ界面で発生した電子まで完全に受け止め
ることは難しい。通常、チャネルストップ領域における
暗電流の密度がチャネル領域における暗電流の密度より
一層高いことが知られている。従って、高感度の電荷を
検出するためには、前記方法による暗電流の部分的な抑
制より、固体撮像素子の全体においてＳｉＯ2 ／Ｓｉ界
面における暗電流を抑制するか、もしくは、ＳｉＯ2 ／
Ｓｉ界面で発生した電子を完全に除去する技術が必要で
ある。
【００１７】本発明は前記従来技術の問題点を解決する
ためのもので、その目的は暗電流を低減し、暗電流の各
画素ごとの分散を低減してマイクロホワイト欠点を低減
しうる高感度のＣＣＤ固体撮像素子を提供することにあ
る。
ためのもので、その目的は暗電流を低減し、暗電流の各
画素ごとの分散を低減してマイクロホワイト欠点を低減
しうる高感度のＣＣＤ固体撮像素子を提供することにあ
る。
【００１８】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するため
の本発明は、基板と、基板内に形成され、一定の深さを
有する信号電荷転送用第１導電型の埋込チャネル領域
と、第１チャネル領域に隣接して形成させたチャネルス
トップ用第２導電型の第１高濃度不純物領域と、第１チ
ャネル領域上に形成させた暗電流電荷転送用第２導電型
の第１表面チャネル領域と、第１高濃度不純物領域上に
形成され、前記表面チャネル領域の暗電流電荷を除去す
る第１導電型の第２高濃度不純物領域と、第２高濃度不
純物領域と第１表面チャネル領域との間に形成され、一
定の深さを有する第２導電型の第２導電型の第２表面チ
ャネル領域とを含むことを特徴とするＣＣＤ固体撮像素
子である。
の本発明は、基板と、基板内に形成され、一定の深さを
有する信号電荷転送用第１導電型の埋込チャネル領域
と、第１チャネル領域に隣接して形成させたチャネルス
トップ用第２導電型の第１高濃度不純物領域と、第１チ
ャネル領域上に形成させた暗電流電荷転送用第２導電型
の第１表面チャネル領域と、第１高濃度不純物領域上に
形成され、前記表面チャネル領域の暗電流電荷を除去す
る第１導電型の第２高濃度不純物領域と、第２高濃度不
純物領域と第１表面チャネル領域との間に形成され、一
定の深さを有する第２導電型の第２導電型の第２表面チ
ャネル領域とを含むことを特徴とするＣＣＤ固体撮像素
子である。
【００１９】尚、本発明は、第１導電型の低濃度基板
と、基板上に形成された第２導電型の低濃度ウェルと、
ウェル内に形成された信号電荷発生用光検出領域と、前
記光検出領域と一定の間隔を置いてウェル内に形成さ
れ、一定の深さを有する信号電荷転送用第１導電型の埋
込チャネル領域と、前記光検出領域上に形成された暗電
流減少用第２導電型の第１高濃度不純物領域と、埋込チ
ャネル領域上に形成された第２導電型の第１表面チャネ
ル領域と、ウェル内に形成された第２導電型の第２高濃
度不純物領域と、第２高濃度不純物領域上に形成された
暗電流掃引用第１導電型の第３高濃度不純物領域と、第
３高濃度不純物領域と第２表面チャネル領域との間のウ
ェル内に形成され、一定の深さを有する第２導電型の第
２表面チャネル領域とを含むことを特徴とするＣＣＤ固
体撮像素子である。
と、基板上に形成された第２導電型の低濃度ウェルと、
ウェル内に形成された信号電荷発生用光検出領域と、前
記光検出領域と一定の間隔を置いてウェル内に形成さ
れ、一定の深さを有する信号電荷転送用第１導電型の埋
込チャネル領域と、前記光検出領域上に形成された暗電
流減少用第２導電型の第１高濃度不純物領域と、埋込チ
ャネル領域上に形成された第２導電型の第１表面チャネ
ル領域と、ウェル内に形成された第２導電型の第２高濃
度不純物領域と、第２高濃度不純物領域上に形成された
暗電流掃引用第１導電型の第３高濃度不純物領域と、第
３高濃度不純物領域と第２表面チャネル領域との間のウ
ェル内に形成され、一定の深さを有する第２導電型の第
２表面チャネル領域とを含むことを特徴とするＣＣＤ固
体撮像素子である。
【００２０】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図面
に基づいて詳細に説明する。図７は本発明の第１実施の
形態によるＣＣＤ固体撮像素子の受光部の断面構造であ
る。図７によれば、ｎ- 型基板７１１にはｐ- 型ウェル
７１２が形成される。ｐ-型ウェル７１２内にはｎ型信
号電荷転送用埋込チャネル領域７１３が形成され、その
ｎ型埋込チャネル領域に隣接してｐ+ 型チャネルストッ
プ領域７１５が形成され、それらを形成した基板上にＳ
ｉＯ2 膜からなるゲート絶縁膜７１８、転送電極７１
９、及び絶縁膜７２０が順次形成された構造である。し
かも、第１実施の形態によるＣＣＤ固体撮像素子の受光
部は、ｎ型埋込チャネル領域７１３とゲート絶縁膜との
界面で発生した暗電流発生用電子がｎ型埋込チャネル領
域７１３に移動するのを防止するための第１のｐ型表面
チャネル領域７１４がｎ型埋込チャネル領域７１３上に
形成されている。また、ｐ+ 型チャネルストップ領域７
１５上にはこのチャネルストップ領域７１５とゲート絶
縁膜７１８との界面及び第１のｐ型表面チャネル領域７
１４で発生した電子を除去するための暗電流掃引用ｎ+
型ドレイン領域７１６が形成されている。さらに暗電流
掃引用ｎ+ 型ドレイン領域７１６と第１のｐ型表面チャ
ネル領域７１４を分離し、前記ｐ型表面チャネル領域７
１４に形成された電子を暗電流掃引用ｎ+ 型ドレイン領
域７１６に移動させるための暗電流掃引用第２のｐ型表
面チャネル領域７１７がｎ+ 型ドレイン領域１７６と第
１のｐ型表面チャネル領域１７４との間に形成される。
に基づいて詳細に説明する。図７は本発明の第１実施の
形態によるＣＣＤ固体撮像素子の受光部の断面構造であ
る。図７によれば、ｎ- 型基板７１１にはｐ- 型ウェル
７１２が形成される。ｐ-型ウェル７１２内にはｎ型信
号電荷転送用埋込チャネル領域７１３が形成され、その
ｎ型埋込チャネル領域に隣接してｐ+ 型チャネルストッ
プ領域７１５が形成され、それらを形成した基板上にＳ
ｉＯ2 膜からなるゲート絶縁膜７１８、転送電極７１
９、及び絶縁膜７２０が順次形成された構造である。し
かも、第１実施の形態によるＣＣＤ固体撮像素子の受光
部は、ｎ型埋込チャネル領域７１３とゲート絶縁膜との
界面で発生した暗電流発生用電子がｎ型埋込チャネル領
域７１３に移動するのを防止するための第１のｐ型表面
チャネル領域７１４がｎ型埋込チャネル領域７１３上に
形成されている。また、ｐ+ 型チャネルストップ領域７
１５上にはこのチャネルストップ領域７１５とゲート絶
縁膜７１８との界面及び第１のｐ型表面チャネル領域７
１４で発生した電子を除去するための暗電流掃引用ｎ+
型ドレイン領域７１６が形成されている。さらに暗電流
掃引用ｎ+ 型ドレイン領域７１６と第１のｐ型表面チャ
ネル領域７１４を分離し、前記ｐ型表面チャネル領域７
１４に形成された電子を暗電流掃引用ｎ+ 型ドレイン領
域７１６に移動させるための暗電流掃引用第２のｐ型表
面チャネル領域７１７がｎ+ 型ドレイン領域１７６と第
１のｐ型表面チャネル領域１７４との間に形成される。
【００２１】図８（Ａ）は図７の７Ａ−７Ａ′線におけ
る断面図、図８（Ｂ）は図７の７Ｂ−７Ｂ′線における
断面図、図８（Ｃ）はそれぞれの断面による電位分布図
である。図８（Ｃ）のＡは７Ａ−７Ａ′線における電位
分布、Ｂは７Ｂ−７Ｂ′線における電位分布をそれぞれ
示す。図９（Ａ）は図７の７Ｃ−７Ｃ′線における断面
図、図９（Ｂ）は図７の７Ｃ−７Ｃ′線における電位分
布図である。
る断面図、図８（Ｂ）は図７の７Ｂ−７Ｂ′線における
断面図、図８（Ｃ）はそれぞれの断面による電位分布図
である。図８（Ｃ）のＡは７Ａ−７Ａ′線における電位
分布、Ｂは７Ｂ−７Ｂ′線における電位分布をそれぞれ
示す。図９（Ａ）は図７の７Ｃ−７Ｃ′線における断面
図、図９（Ｂ）は図７の７Ｃ−７Ｃ′線における電位分
布図である。
【００２２】ｎ型埋込チャネル領域７１３上に形成され
た第１のｐ型表面チャネル領域７１４と、ｎ+ 型ドレイ
ン領域７１６とｐ型表面チャネル領域７１４との間に形
成された第２のｐ型表面チャネル領域７１７はいずれも
表面チャネル領域であるが、図８（Ｃ）に示すように、
７Ａ−７Ａ′線における表面チャネル領域の電位より７
Ｂ−７Ｂ′線における表面チャネル領域の電位が一層高
い。よって、ｐ型表面チャネル領域７１７の電位がｐ型
表面チャネル領域７１４の電位より低いから、ＳｉＯ2
／Ｓｉ界面で発生した電子は、図９（Ｂ）に示すよう
に、矢印方向に暗電流掃引用ｐ型ドレイン領域７１７を
通過して暗電流掃引用ｎ+ 型ドレイン領域７１６に移動
して除去される。
た第１のｐ型表面チャネル領域７１４と、ｎ+ 型ドレイ
ン領域７１６とｐ型表面チャネル領域７１４との間に形
成された第２のｐ型表面チャネル領域７１７はいずれも
表面チャネル領域であるが、図８（Ｃ）に示すように、
７Ａ−７Ａ′線における表面チャネル領域の電位より７
Ｂ−７Ｂ′線における表面チャネル領域の電位が一層高
い。よって、ｐ型表面チャネル領域７１７の電位がｐ型
表面チャネル領域７１４の電位より低いから、ＳｉＯ2
／Ｓｉ界面で発生した電子は、図９（Ｂ）に示すよう
に、矢印方向に暗電流掃引用ｐ型ドレイン領域７１７を
通過して暗電流掃引用ｎ+ 型ドレイン領域７１６に移動
して除去される。
【００２３】本発明のフレーム転送方式の固体撮像素子
は、受光部についてのみ説明したが、受光部ばかりでは
なく、蓄積部とＨＣＣＤ部も全て前記の構造を採用す
る。従って、図９（Ｂ）に示すように、固体撮像素子の
全表面領域がＳｉＯ2 ／Ｓｉ界面で発生した電子を掃引
する機能を有するので、信号電荷転送用ｎ型埋込チャネ
ル領域を表面領域から完全に隔離する。従って、ＳｉＯ
2 ／Ｓｉ界面で発生した電子を掃引する機能を有するの
で、信号電荷転送用ｎ型埋込チャネル領域を表面領域か
ら完全に隔離する。これにより、ＳｉＯ2 ／Ｓｉ界面で
発生した電子が信号電荷に混入せず完全に除去されるの
で、暗電流の発生を防止することができる。尚、第１及
び第２のｐ型表面チャネル領域及び暗電流掃引用ｎ+ 型
ドレイン領域７１６は、信号電荷転送用ｎ型埋込チャネ
ル領域７１３とは分離されているため、暗電流の低減に
一層効果的である。しかも、素子の表面領域に存るＧＲ
Ｃから発生した電子も除去されるために、再生画面上に
現れるマイクロホワイト欠点も著しく減少する。
は、受光部についてのみ説明したが、受光部ばかりでは
なく、蓄積部とＨＣＣＤ部も全て前記の構造を採用す
る。従って、図９（Ｂ）に示すように、固体撮像素子の
全表面領域がＳｉＯ2 ／Ｓｉ界面で発生した電子を掃引
する機能を有するので、信号電荷転送用ｎ型埋込チャネ
ル領域を表面領域から完全に隔離する。従って、ＳｉＯ
2 ／Ｓｉ界面で発生した電子を掃引する機能を有するの
で、信号電荷転送用ｎ型埋込チャネル領域を表面領域か
ら完全に隔離する。これにより、ＳｉＯ2 ／Ｓｉ界面で
発生した電子が信号電荷に混入せず完全に除去されるの
で、暗電流の発生を防止することができる。尚、第１及
び第２のｐ型表面チャネル領域及び暗電流掃引用ｎ+ 型
ドレイン領域７１６は、信号電荷転送用ｎ型埋込チャネ
ル領域７１３とは分離されているため、暗電流の低減に
一層効果的である。しかも、素子の表面領域に存るＧＲ
Ｃから発生した電子も除去されるために、再生画面上に
現れるマイクロホワイト欠点も著しく減少する。
【００２４】前述したように、図７の第１実施の形態に
よるＣＣＤ固体撮像素子は、素子の表面領域全体が暗電
流を掃引する機能をもっているばかりではなく、信号電
荷を転送する埋込チャネル領域を表面領域から完全に隔
離することで暗電流及びマイクロホワイト欠点を低減す
る効果が得られる。
よるＣＣＤ固体撮像素子は、素子の表面領域全体が暗電
流を掃引する機能をもっているばかりではなく、信号電
荷を転送する埋込チャネル領域を表面領域から完全に隔
離することで暗電流及びマイクロホワイト欠点を低減す
る効果が得られる。
【００２５】前記構造は埋込チャネルを通して信号電荷
を転送する素子全体に広範囲に適用することができる。
ｐ型暗電流掃引用チャネル領域の濃度を調節すると、暗
電流掃引用ドレイン領域をオーバーフロー領域として用
いることができる。
を転送する素子全体に広範囲に適用することができる。
ｐ型暗電流掃引用チャネル領域の濃度を調節すると、暗
電流掃引用ドレイン領域をオーバーフロー領域として用
いることができる。
【００２６】図１０は第２実施の形態によるＣＣＤ固体
撮像素子の受光部の断面構造を示す。図１０の第２実施
の形態による固体撮像素子において、ｐ- 型ウェル７１
２無しで直接ｐ- 型基板７１１′に前記ＣＣＤ固体撮像
素子を形成させている。この構造は、ｐ- 型基板７１
１′で発生した電荷がｎ型埋込チャネル領域７１３に集
積するために、暗電流ではやや不利であるが、長波長の
光（赤色光乃至赤外線）に対する感度を向上させること
ができるという利点がある。長波長光の感度向上と暗電
流の減少効果を両立させようとする場合は、図１１に示
す第３実施の形態によるＣＣＤ固体撮像素子のようにｐ
- 型ウェル７１２上にｎ- 型ウェル７２１を追加して形
成する。
撮像素子の受光部の断面構造を示す。図１０の第２実施
の形態による固体撮像素子において、ｐ- 型ウェル７１
２無しで直接ｐ- 型基板７１１′に前記ＣＣＤ固体撮像
素子を形成させている。この構造は、ｐ- 型基板７１
１′で発生した電荷がｎ型埋込チャネル領域７１３に集
積するために、暗電流ではやや不利であるが、長波長の
光（赤色光乃至赤外線）に対する感度を向上させること
ができるという利点がある。長波長光の感度向上と暗電
流の減少効果を両立させようとする場合は、図１１に示
す第３実施の形態によるＣＣＤ固体撮像素子のようにｐ
- 型ウェル７１２上にｎ- 型ウェル７２１を追加して形
成する。
【００２７】図１２は本発明の第４実施の形態によるＣ
ＣＤ固体撮像素子の受光部の断面図である。図１２の第
４実施の形態によるＣＣＤ固体撮像素子は、図７に示し
たものとほぼ同一の構造を有し、ｎ+ 型暗電流掃引用ド
レイン領域７１６の上部暗電流掃引用ゲート７２２を形
成させている。７２３は暗電流掃引用ゲート７２２と転
送電極７１９間を絶縁させるための絶縁膜である。前記
のような構造を採用する場合は、暗電流掃引用第２のｐ
型表面チャネル領域７１７の濃度の選択幅が広くなる。
また、電子シャッタ機能を実現することができる。即
ち、ｎ- 型基板７１１の印加電圧によってシャッタオン
する方法より、暗電流の掃引用ゲート７２２の印加電圧
によってシャッタオンする方法が低い電圧で迅速な応答
を得ることができる。
ＣＤ固体撮像素子の受光部の断面図である。図１２の第
４実施の形態によるＣＣＤ固体撮像素子は、図７に示し
たものとほぼ同一の構造を有し、ｎ+ 型暗電流掃引用ド
レイン領域７１６の上部暗電流掃引用ゲート７２２を形
成させている。７２３は暗電流掃引用ゲート７２２と転
送電極７１９間を絶縁させるための絶縁膜である。前記
のような構造を採用する場合は、暗電流掃引用第２のｐ
型表面チャネル領域７１７の濃度の選択幅が広くなる。
また、電子シャッタ機能を実現することができる。即
ち、ｎ- 型基板７１１の印加電圧によってシャッタオン
する方法より、暗電流の掃引用ゲート７２２の印加電圧
によってシャッタオンする方法が低い電圧で迅速な応答
を得ることができる。
【００２８】図１３は本発明の第５実施の形態によるＣ
ＣＤ固体撮像素子の断面図であり、図９の第２実施の形
態と同様に第２のｐ型表面チャネル領域７１７が暗電流
掃引用ドレイン機能ばかりではなくオーバーフロードレ
イン機能を果たす。そして、ｎ+ 型暗電流掃引用ドレイ
ン領域７１６の上部の基板上に形成された暗電流掃引用
ゲート７２２を第４実施の形態と同様にさらに備えてい
る。図１４は本発明の第６実施の形態によるＣＣＤ映像
素子の断面図であり、ｎ-基板７１１にｐ- ウェル７１
２及びｎ- ウェルを設け図１０の第３実施の形態と同様
に長波長の光に対する感度向上と暗電流の減少効果が同
時に得られる。また、ｎ+ 型暗電流掃引用ドレイン領域
７１６の上部の基板上に形成された暗電流掃引用ゲート
７２２も備えている。
ＣＤ固体撮像素子の断面図であり、図９の第２実施の形
態と同様に第２のｐ型表面チャネル領域７１７が暗電流
掃引用ドレイン機能ばかりではなくオーバーフロードレ
イン機能を果たす。そして、ｎ+ 型暗電流掃引用ドレイ
ン領域７１６の上部の基板上に形成された暗電流掃引用
ゲート７２２を第４実施の形態と同様にさらに備えてい
る。図１４は本発明の第６実施の形態によるＣＣＤ映像
素子の断面図であり、ｎ-基板７１１にｐ- ウェル７１
２及びｎ- ウェルを設け図１０の第３実施の形態と同様
に長波長の光に対する感度向上と暗電流の減少効果が同
時に得られる。また、ｎ+ 型暗電流掃引用ドレイン領域
７１６の上部の基板上に形成された暗電流掃引用ゲート
７２２も備えている。
【００２９】図１５は本発明の第７実施の形態によるフ
レーム転送方式のＣＣＤ固体撮像素子の受光部の断面図
である。第７実施の形態では第１実施の形態とほぼ同一
の構造を有し、第２のｐ型表面チャネル領域７１７の代
わりに、ｐ+ 型チャネルストップ７１５を大きくしてｎ
+ 型暗電流掃引用ドレイン領域７１６を下側から囲むよ
うにさせ、その領域７１６の両側にｎ型埋込チャネル領
域７２４を形成した構造となっている。
レーム転送方式のＣＣＤ固体撮像素子の受光部の断面図
である。第７実施の形態では第１実施の形態とほぼ同一
の構造を有し、第２のｐ型表面チャネル領域７１７の代
わりに、ｐ+ 型チャネルストップ７１５を大きくしてｎ
+ 型暗電流掃引用ドレイン領域７１６を下側から囲むよ
うにさせ、その領域７１６の両側にｎ型埋込チャネル領
域７２４を形成した構造となっている。
【００３０】図１６は本発明の第８実施の形態によるイ
ンタライン転送方式のＣＣＤ固体撮像素子の画素部の断
面図を示す。図１６を参照すると、インタライン転送方
式のＣＣＤ固体撮像素子の画素部は、ｎ- 型基板８１１
上に形成されたｐ- 型ウェル８１２と、入射光に対する
信号電荷発生用ｎ型フォトダイオード領域８１３と、こ
の領域８１３から所定の間隔を置いて形成された信号電
荷転送用ｎ型埋込チャネル領域８１４と、信号電荷転送
用クロックパルスを印加するポリシリコン膜からなる転
送電極８２１と、埋込チャネル領域８１４に入射する光
を遮蔽するための遮光層８２４と、基板の全面に形成さ
れた平坦化層８２５と、フォトダイオード領域８１３に
対応した平坦化層８２５上に設けられ、フォトダイオー
ド領域８１３の表面に入射する光を集光させるためのマ
イクロレンズ８２６とを含む。尚、フォトダイオード領
域８１３上に形成された暗電流減少用ｐ+ 型ホール蓄積
層８１５と、ｎ型埋込チャネル領域８１４上に形成され
た第１のｐ型表面チャネル領域８１６と、素子隔離用ｐ
+ 型チャネルストップ領域８１８と、ｐ+ 型チャネルス
トップ領域８１８上に形成された暗電流掃引用ｎ+ 型ド
レイン領域８１９と、第２のｐ型表面チャネル領域８１
７と、暗電流掃引用ｎ+ 型ドレイン領域８１９上に形成
された暗電流掃引用ゲート８２２と、この暗電流掃引用
ゲート８２２を転送ゲート８２１と遮光膜８２４とから
絶縁させるための絶縁膜８２３とをさらに含む。
ンタライン転送方式のＣＣＤ固体撮像素子の画素部の断
面図を示す。図１６を参照すると、インタライン転送方
式のＣＣＤ固体撮像素子の画素部は、ｎ- 型基板８１１
上に形成されたｐ- 型ウェル８１２と、入射光に対する
信号電荷発生用ｎ型フォトダイオード領域８１３と、こ
の領域８１３から所定の間隔を置いて形成された信号電
荷転送用ｎ型埋込チャネル領域８１４と、信号電荷転送
用クロックパルスを印加するポリシリコン膜からなる転
送電極８２１と、埋込チャネル領域８１４に入射する光
を遮蔽するための遮光層８２４と、基板の全面に形成さ
れた平坦化層８２５と、フォトダイオード領域８１３に
対応した平坦化層８２５上に設けられ、フォトダイオー
ド領域８１３の表面に入射する光を集光させるためのマ
イクロレンズ８２６とを含む。尚、フォトダイオード領
域８１３上に形成された暗電流減少用ｐ+ 型ホール蓄積
層８１５と、ｎ型埋込チャネル領域８１４上に形成され
た第１のｐ型表面チャネル領域８１６と、素子隔離用ｐ
+ 型チャネルストップ領域８１８と、ｐ+ 型チャネルス
トップ領域８１８上に形成された暗電流掃引用ｎ+ 型ド
レイン領域８１９と、第２のｐ型表面チャネル領域８１
７と、暗電流掃引用ｎ+ 型ドレイン領域８１９上に形成
された暗電流掃引用ゲート８２２と、この暗電流掃引用
ゲート８２２を転送ゲート８２１と遮光膜８２４とから
絶縁させるための絶縁膜８２３とをさらに含む。
【００３１】前記構造を有するＣＣＤ固体撮像素子は、
前記本発明の実施の形態によるフレーム転送方式と同様
に従来の素子で発生する暗電流を除去することができ
る。即ち、従来のインタライン転送方式のＣＣＤ固体撮
像素子のＶＣＣＤであるｎ型埋込チャネル領域８１４で
発生する暗電流を第１のｐ型表面チャネル領域８１６を
通して除去し、又、フォトダイオード領域８１３上のｐ
+ 型ホール蓄積層８１５で発生する暗電流も第２のｐ型
表面チャネル領域８１７を通して除去することができ
る。
前記本発明の実施の形態によるフレーム転送方式と同様
に従来の素子で発生する暗電流を除去することができ
る。即ち、従来のインタライン転送方式のＣＣＤ固体撮
像素子のＶＣＣＤであるｎ型埋込チャネル領域８１４で
発生する暗電流を第１のｐ型表面チャネル領域８１６を
通して除去し、又、フォトダイオード領域８１３上のｐ
+ 型ホール蓄積層８１５で発生する暗電流も第２のｐ型
表面チャネル領域８１７を通して除去することができ
る。
【００３２】図１７は本発明の第９実施の形態によるイ
ンタライン転送方式のＣＣＤ固体撮像素子の画素部の断
面図であり、第８実施の形態のＣＣＤ固体撮像素子とほ
ぼ同一の構造を有している。この例ではｎ型埋込チャネ
ル領域８１４の下面にスミア減少用ｐ+ 型埋込ウェル８
１７を形成させている。
ンタライン転送方式のＣＣＤ固体撮像素子の画素部の断
面図であり、第８実施の形態のＣＣＤ固体撮像素子とほ
ぼ同一の構造を有している。この例ではｎ型埋込チャネ
ル領域８１４の下面にスミア減少用ｐ+ 型埋込ウェル８
１７を形成させている。
【００３３】図１８と図１９はフレーム転送方式のＣＣ
Ｄ固体撮像素子だけでなく、インタライン転送方式のＣ
ＣＤ固体撮像素子のＨＣＣＤ部の実施の形態の断面を示
す。図１８及び図１９のＨＣＣＤの基本的な構造は図７
とほぼ同一である。ＨＣＣＤ部でも前述したように、Ｓ
ｉＯ2 ／Ｓｉ界面で発生した電子は第１のｐ型表面チャ
ネル領域９１４に止まり、界面を移動した後は暗電流掃
引用第２のｐ型表面チャネル領域９１７を通して暗電流
掃引用ｎ+ 型ドレイン領域９１６へ流れ込む。図１８は
暗電流掃引用ゲートが形成しなかった場合、図１９は暗
電流掃引用ゲート９２２を設けた場合の固体撮像素子を
それぞれ示している。
Ｄ固体撮像素子だけでなく、インタライン転送方式のＣ
ＣＤ固体撮像素子のＨＣＣＤ部の実施の形態の断面を示
す。図１８及び図１９のＨＣＣＤの基本的な構造は図７
とほぼ同一である。ＨＣＣＤ部でも前述したように、Ｓ
ｉＯ2 ／Ｓｉ界面で発生した電子は第１のｐ型表面チャ
ネル領域９１４に止まり、界面を移動した後は暗電流掃
引用第２のｐ型表面チャネル領域９１７を通して暗電流
掃引用ｎ+ 型ドレイン領域９１６へ流れ込む。図１８は
暗電流掃引用ゲートが形成しなかった場合、図１９は暗
電流掃引用ゲート９２２を設けた場合の固体撮像素子を
それぞれ示している。
【００３４】上述した本発明によれば、埋込チャネルを
用いるほとんど全てのタイプの素子に適用可能であり、
ＣＣＤ固体撮像素子のみならず他の素子でも同一の効果
が得られる。例えば、このようなＣＣＤ構造をＭＯＳト
ランジスタに適用することができる。
用いるほとんど全てのタイプの素子に適用可能であり、
ＣＣＤ固体撮像素子のみならず他の素子でも同一の効果
が得られる。例えば、このようなＣＣＤ構造をＭＯＳト
ランジスタに適用することができる。
【００３５】図２０は前記のＣＣＤ構造を適用したＭＯ
Ｓトランジスタの断面図である。図２０において、１０
１１はｐ型基板、１０１２はｎ型埋込チャネル領域、１
０１３、１０１６はｐ型表面チャネル領域、１０１４は
チャネルストップ領域、１０１５は暗電流掃引用ｎ+ 型
ドレイン領域、１０１７は読み出し用ｎ+ 型ドレイン領
域、１０１８はキャパシタ電極、１０１９は読み出し用
ゲート、１０２０〜１０２２は絶縁膜、そして１０２３
は読み出し線をそれぞれ示す。図２０のＭＯＳトランジ
スタは蓄積状態では読み出し用ゲート１０１９からキャ
パシタ電極１０１８−暗電流掃引用第２のｐ型表面チャ
ネル領域１０１５−暗電流掃引用ゲート（図示せず）へ
電子が移動するように各電極に電圧を印加する。電荷は
キャパシタ電極下のｎ型埋込チャネル領域１０１２に蓄
積される。前記ＭＯＳトランジスタもＣＣＤ固体撮像素
子と同様に電荷の蓄積されるｎ型埋込チャネル領域１０
１２がＳｉＯ2 ／Ｓｉ界面から完全に分離されているた
め、蓄積電荷に対するノイズ成分を減少させ、書き込み
転換周期を減少させることもできる。
Ｓトランジスタの断面図である。図２０において、１０
１１はｐ型基板、１０１２はｎ型埋込チャネル領域、１
０１３、１０１６はｐ型表面チャネル領域、１０１４は
チャネルストップ領域、１０１５は暗電流掃引用ｎ+ 型
ドレイン領域、１０１７は読み出し用ｎ+ 型ドレイン領
域、１０１８はキャパシタ電極、１０１９は読み出し用
ゲート、１０２０〜１０２２は絶縁膜、そして１０２３
は読み出し線をそれぞれ示す。図２０のＭＯＳトランジ
スタは蓄積状態では読み出し用ゲート１０１９からキャ
パシタ電極１０１８−暗電流掃引用第２のｐ型表面チャ
ネル領域１０１５−暗電流掃引用ゲート（図示せず）へ
電子が移動するように各電極に電圧を印加する。電荷は
キャパシタ電極下のｎ型埋込チャネル領域１０１２に蓄
積される。前記ＭＯＳトランジスタもＣＣＤ固体撮像素
子と同様に電荷の蓄積されるｎ型埋込チャネル領域１０
１２がＳｉＯ2 ／Ｓｉ界面から完全に分離されているた
め、蓄積電荷に対するノイズ成分を減少させ、書き込み
転換周期を減少させることもできる。
【００３６】
【発明の効果】以上説明した本発明によれば、素子の全
表面領域がＳｉＯ2 ／Ｓｉ界面で発生した電子を掃引す
る機能を有するので、信号電荷転送領域をＳｉＯ2 ／Ｓ
ｉ界面から完全に隔離することができる。よって、Ｓｉ
Ｏ2 ／Ｓｉ界面で発生した電子が信号電荷に混入せず完
全に除去されるので、暗電流の発生を防止することがで
きる。しかも、素子の表面領域に存るＧＲＣから発生し
た電子も除去されるので、再生画面上に現れるマイクロ
ホワイト欠点も著しく減少する。本発明のＣＣＤ構造
は、埋込チャネル領域を電荷転送、電荷蓄積、入射光検
出に用いる全ての素子に適用することができる。
表面領域がＳｉＯ2 ／Ｓｉ界面で発生した電子を掃引す
る機能を有するので、信号電荷転送領域をＳｉＯ2 ／Ｓ
ｉ界面から完全に隔離することができる。よって、Ｓｉ
Ｏ2 ／Ｓｉ界面で発生した電子が信号電荷に混入せず完
全に除去されるので、暗電流の発生を防止することがで
きる。しかも、素子の表面領域に存るＧＲＣから発生し
た電子も除去されるので、再生画面上に現れるマイクロ
ホワイト欠点も著しく減少する。本発明のＣＣＤ構造
は、埋込チャネル領域を電荷転送、電荷蓄積、入射光検
出に用いる全ての素子に適用することができる。
【図１】 一般的なフレーム転送方式のＣＣＤ固体撮像
素子のブロック図である。
素子のブロック図である。
【図２】 図１のフレーム転送方式のＣＣＤ固体撮像素
子において、受光部の断面構造図である。
子において、受光部の断面構造図である。
【図３】 一般的なインタライン転送方式のＣＣＤ固体
撮像素子のブロック図である。
撮像素子のブロック図である。
【図４】 図３のインタライン転送方式のＣＣＤ固体撮
像素子において、１画素セルに対する断面構造図であ
る。
像素子において、１画素セルに対する断面構造図であ
る。
【図５】 従来の表面チャネル領域を有するフレーム転
送方式のＣＣＤ固体撮像素子の断面構造図である。
送方式のＣＣＤ固体撮像素子の断面構造図である。
【図６】 図５の５Ａ−５Ａ′線における電位分布図で
ある。
ある。
【図７】 本発明の第１実施の形態によるフレーム転送
方式のＣＣＤ固体撮像素子の断面構造図である。
方式のＣＣＤ固体撮像素子の断面構造図である。
【図８】 （Ａ）〜（Ｃ）は図７の７Ａ−７Ａ′線及び
８Ｂ−８Ｂ′線における断面構造及びその電位分布図で
ある。
８Ｂ−８Ｂ′線における断面構造及びその電位分布図で
ある。
【図９】 （Ａ）〜（Ｂ）は図７Ｃ−７Ｃ′線における
断面構造及びその電位分布図である。
断面構造及びその電位分布図である。
【図１０】 本発明の第２実施の形態によるフレーム転
送方式のＣＣＤ固体撮像素子の断面構造図である。
送方式のＣＣＤ固体撮像素子の断面構造図である。
【図１１】 本発明の第３実施の形態によるフレーム転
送方式のＣＣＤ固体撮像素子の断面構造図である。
送方式のＣＣＤ固体撮像素子の断面構造図である。
【図１２】 本発明の第４実施の形態によるフレーム転
送方式のＣＣＤ固体撮像素子の断面構造図である。
送方式のＣＣＤ固体撮像素子の断面構造図である。
【図１３】 本発明の第５実施の形態によるフレーム転
送方式のＣＣＤ固体撮像素子の断面構造図である。
送方式のＣＣＤ固体撮像素子の断面構造図である。
【図１４】 本発明の第６実施の形態によるフレーム転
送方式のＣＣＤ固体撮像素子の断面構造図である。
送方式のＣＣＤ固体撮像素子の断面構造図である。
【図１５】 本発明の第７実施の形態によるフレーム転
送方式のＣＣＤ固体撮像素子の断面構造図である。
送方式のＣＣＤ固体撮像素子の断面構造図である。
【図１６】 本発明の第８実施の形態によるインタライ
ン転送方式のＣＣＤ固体撮像素子の断面構造図である。
ン転送方式のＣＣＤ固体撮像素子の断面構造図である。
【図１７】 本発明の第９実施の形態によるインタライ
ン転送方式のＣＣＤ固体撮像素子の断面構造図である。
ン転送方式のＣＣＤ固体撮像素子の断面構造図である。
【図１８】 本発明のフレーム転送方式とインタライン
転送方式のＣＣＤ固体撮像素子に適用されるＨＣＣＤの
断面構造図である。
転送方式のＣＣＤ固体撮像素子に適用されるＨＣＣＤの
断面構造図である。
【図１９】 本発明のフレーム転送方式とインタライン
転送方式のＣＣＤ固体撮像素子に適用されるＨＣＣＤの
断面構造図である。
転送方式のＣＣＤ固体撮像素子に適用されるＨＣＣＤの
断面構造図である。
【図２０】 本発明のＣＣＤ構造を適用したＭＯＳトラ
ンジスタの断面構造図である。
ンジスタの断面構造図である。
７１１…ｎ- 型基板、７１１′…ｐ- 型基板、７１２…
ｐ- 型ウェル、７２１…ｎ- 型ウェル、７１３，７２４
…ｎ型埋込チャネル領域、７１４…ｐ型表面チャネル領
域、７１５…ｐ+ 型チャネルストップ領域、７１６…暗
電流掃引用ｎ+型ドレイン領域、７１７…暗電流掃引用
ｐ型表面チャネル領域、７１８…ゲート絶縁膜、７１９
…転送電極、７２０，７２３…絶縁膜、７２２…暗電流
掃引用ゲート。
ｐ- 型ウェル、７２１…ｎ- 型ウェル、７１３，７２４
…ｎ型埋込チャネル領域、７１４…ｐ型表面チャネル領
域、７１５…ｐ+ 型チャネルストップ領域、７１６…暗
電流掃引用ｎ+型ドレイン領域、７１７…暗電流掃引用
ｐ型表面チャネル領域、７１８…ゲート絶縁膜、７１９
…転送電極、７２０，７２３…絶縁膜、７２２…暗電流
掃引用ゲート。
Claims (8)
- 【請求項１】 基板と、 基板内に形成され、一定の深さを有する信号電荷転送用
第１導電型の埋込チャネル領域と、 前記埋込チャネル領域に隣接して形成させたチャネルス
トップ用第２導電型の第１高濃度不純物領域と、 前記埋込チャネル領域上に形成させた暗電流電荷転送用
第２導電型の第１表面チャネル領域と、 前記第１高濃度不純物領域上に形成され、前記第１表面
チャネル領域の暗電流電荷を除去する第１導電型の第２
高濃度不純物領域と、 第２高濃度不純物領域と第１表面チャネル領域との間に
形成され、一定の深さを有する第２導電型の第２表面チ
ャネル領域と、を含むことを特徴とするＣＣＤ固体撮像
素子。 - 【請求項２】 基板に形成された第２導電型の低濃度の
ウェルをさらに含むことを特徴とする請求項１記載のＣ
ＣＤ固体撮像素子。 - 【請求項３】 基板に形成された第２導電型の第１低濃
度ウェルと、 第２導電型の第１低濃度ウェル上に形成された第１導電
型の第２低濃度ウェルとをさらに含むことを特徴とする
請求項１記載のＣＣＤ固体撮像素子。 - 【請求項４】 前記第２高濃度不純物領域の上に形成さ
れた暗電流掃引用ゲートをさらに含むことを特徴とする
請求項１記載のＣＣＤ固体撮像素子。 - 【請求項５】 第１導電型の低濃度基板と、 その基板に形成された第２導電型の低濃度ウェルと、 そのウェル内に形成された信号電荷発生用光検出領域
と、 前記光検出領域と一定の間隔を置いてウェル内に形成さ
れ、一定の深さを有する信号電荷転送用第１導電型の埋
込チャネル領域と、 前記光検出領域上に形成された暗電流減少用第２導電型
の第１高濃度不純物領域と、 前記埋込チャネル領域上に形成された第２導電型の第１
表面チャネル領域と、 前記ウェル内に形成された第２導電型の第２高濃度不純
物領域と、 第２高濃度不純物領域上に形成された暗電流掃引用第１
導電型の第３高濃度不純物領域と、 第３高濃度不純物領域と第２表面チャネル領域との間の
ウェル内に形成され、一定の深さを有する第２導電型の
第２表面チャネル領域と、を含むことを特徴とするＣＣ
Ｄ固体撮像素子。 - 【請求項６】 基板上に形成されたゲート絶縁膜と、 光検出領域の上部を除いたゲート絶縁膜上に形成された
転送電極と、 転送電極の上部に形成された絶縁膜と、 絶縁膜上に形成された遮光層と、 基板の全面に形成された平坦化層と、 光検出領域に対応する平坦化層上に形成されたマイクロ
レンズと、をさらに含むことを特徴とする請求項５記載
のＣＣＤ固体撮像素子。 - 【請求項７】 暗電流掃引用第１導電型の第２高濃度不
純物領域の上に形成された暗電流掃引用ゲートをさらに
含むことを特徴とする請求項５記載のＣＣＤ固体撮像素
子。 - 【請求項８】 埋込チャネル領域の下面に形成されたス
ミア減少用第２導電型の埋込ウェルをさらに含むことを
特徴とする請求項５記載のＣＣＤ固体撮像素子。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7257284A JP2816824B2 (ja) | 1995-09-11 | 1995-09-11 | Ｃｃｄ固体撮像素子 |
| US08/530,676 US5844264A (en) | 1995-09-11 | 1995-09-19 | Charge-coupled device image sensor |
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7257284A JP2816824B2 (ja) | 1995-09-11 | 1995-09-11 | Ｃｃｄ固体撮像素子 |
| US08/530,676 US5844264A (en) | 1995-09-11 | 1995-09-19 | Charge-coupled device image sensor |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0982934A true JPH0982934A (ja) | 1997-03-28 |
| JP2816824B2 JP2816824B2 (ja) | 1998-10-27 |
Family
ID=26543133
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7257284A Expired - Fee Related JP2816824B2 (ja) | 1995-09-11 | 1995-09-11 | Ｃｃｄ固体撮像素子 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5844264A (ja) |
| JP (1) | JP2816824B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004031878A (ja) * | 2002-06-28 | 2004-01-29 | Fuji Film Microdevices Co Ltd | 固体撮像装置 |
Families Citing this family (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100198622B1 (ko) * | 1995-12-11 | 1999-06-15 | 구본준 | 고체촬상소자 및 이의 제조방법 |
| TW393777B (en) * | 1997-09-02 | 2000-06-11 | Nikon Corp | Photoelectric conversion devices and photoelectric conversion apparatus employing the same |
| DE69941659D1 (de) * | 1998-09-25 | 2010-01-07 | Bae Systems Information | Erweiterung des Dynamikbereichs von CCD-Bildaufnahmevorrichtungen |
| JP3284986B2 (ja) * | 1998-12-04 | 2002-05-27 | 日本電気株式会社 | 光電変換素子およびそれを用いた固体撮像装置 |
| JP3276005B2 (ja) * | 1998-12-07 | 2002-04-22 | 日本電気株式会社 | 電荷結合素子及びその製造法 |
| JP2001156284A (ja) * | 1999-11-25 | 2001-06-08 | Sanyo Electric Co Ltd | 固体撮像素子及びその製造方法 |
| AU2222701A (en) * | 1999-12-24 | 2001-07-09 | Hamamatsu Photonics K.K. | Semiconductor energy sensor |
| US6861341B2 (en) * | 2002-02-22 | 2005-03-01 | Xerox Corporation | Systems and methods for integration of heterogeneous circuit devices |
| KR100508864B1 (ko) * | 2003-10-23 | 2005-08-17 | 동부아남반도체 주식회사 | 씨모스 이미지 센서 및 이의 제조 방법 |
| US8130289B2 (en) * | 2008-09-25 | 2012-03-06 | Aptima Imaging Corporation | System, method, and apparatus for correction of dark current error in semiconductor imaging devices |
| US8992042B2 (en) | 2011-11-14 | 2015-03-31 | Halma Holdings, Inc. | Illumination devices using natural light LEDs |
| CN102522417B (zh) * | 2012-01-11 | 2014-07-16 | 格科微电子（上海）有限公司 | 图像传感器及源跟随器 |
Family Cites Families (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB1548877A (en) * | 1975-06-26 | 1979-07-18 | Mullard Ltd | Semiconductor devices |
| US4484210A (en) * | 1980-09-05 | 1984-11-20 | Nippon Electric Co., Ltd. | Solid-state imaging device having a reduced image lag |
| US4696021A (en) * | 1982-06-03 | 1987-09-22 | Nippon Kogaku K.K. | Solid-state area imaging device having interline transfer CCD means |
| JPS614376A (ja) * | 1984-06-19 | 1986-01-10 | Olympus Optical Co Ltd | 固体撮像装置 |
| US4914493A (en) * | 1986-07-14 | 1990-04-03 | Fuji Electric Co., Ltd. | CCD (charge coupled device) solid-state image pickup element |
| JP2666928B2 (ja) * | 1987-07-13 | 1997-10-22 | 株式会社東芝 | 電荷転送素子の出力検出器 |
| JP3097121B2 (ja) * | 1990-09-27 | 2000-10-10 | ソニー株式会社 | 電荷／電圧変換効率の測定方法 |
| WO1992021151A2 (en) * | 1991-05-10 | 1992-11-26 | Q-Dot, Inc. | HIGH-SPEED PERISTALTIC CCD IMAGER WITH GaAs FET OUTPUT |
| KR930017195A (ko) * | 1992-01-23 | 1993-08-30 | 오가 노리오 | 고체촬상소자 및 그 제법 |
-
1995
- 1995-09-11 JP JP7257284A patent/JP2816824B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 1995-09-19 US US08/530,676 patent/US5844264A/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004031878A (ja) * | 2002-06-28 | 2004-01-29 | Fuji Film Microdevices Co Ltd | 固体撮像装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2816824B2 (ja) | 1998-10-27 |
| US5844264A (en) | 1998-12-01 |
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