JPH0983068A - 半導体光集積素子 - Google Patents
半導体光集積素子Info
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- JPH0983068A JPH0983068A JP24130395A JP24130395A JPH0983068A JP H0983068 A JPH0983068 A JP H0983068A JP 24130395 A JP24130395 A JP 24130395A JP 24130395 A JP24130395 A JP 24130395A JP H0983068 A JPH0983068 A JP H0983068A
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- Japan
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- integrated device
- semiconductor optical
- substrate
- layer
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 高出力かつ超短光パルスを発生する半導体光
集積素子を提供することにある。 【構成】 半導体集積モード同期レーザの増幅領域７に
おいて、基板に垂直方向のテーパ型導波路２と４を有す
る。その素子は、結晶面方位が（００１）から２０度〜
９０度の範囲で傾いた基板１上に形成され、活性層３は
圧縮歪み量子井戸層によって形成される。 【効果】 安定で低コストかつ超小型の高出力超短光パ
ルス発生素子が実現できる。この素子は、長距離大容量
光通信用または計測用の短パルス発生光源に好適であ
る。
集積素子を提供することにある。 【構成】 半導体集積モード同期レーザの増幅領域７に
おいて、基板に垂直方向のテーパ型導波路２と４を有す
る。その素子は、結晶面方位が（００１）から２０度〜
９０度の範囲で傾いた基板１上に形成され、活性層３は
圧縮歪み量子井戸層によって形成される。 【効果】 安定で低コストかつ超小型の高出力超短光パ
ルス発生素子が実現できる。この素子は、長距離大容量
光通信用または計測用の短パルス発生光源に好適であ
る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体光集積素子に係
わり、特に長距離大容量光通信に好適な高出力超短光パ
ルス発生集積素子に関する。
わり、特に長距離大容量光通信に好適な高出力超短光パ
ルス発生集積素子に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体集積モード同期レーザにおいて、
高出力化と短パルス化を同時に行うために、基板に水平
方向のテーパ型導波路を増幅領域に用いている（文献：
マー他、アプライドフィジックスレター、６６巻、３５
５８頁 （１９９５））。また、その素子は、結晶方位
面（００１）基板上に形成されている。この水平方向の
テーパ型導波路を増幅領域に用いたモード同期レーザの
例を、図８に従って詳しく説明する。このモード同期レ
ーザは、１００％反射ミラー１９、光学レンズ２０、２
電極半導体レーザ２１から構成されている。電極２２で
は、順バイアスされて増幅領域が、電極２３では、逆バ
イアス電圧印加により、吸収領域が形成されている。電
極２２は、図８に示すように、不純物添加による組成無
秩序化を用いて、電極２３に対して反対方向に向かって
テーパ状に拡がっている。
高出力化と短パルス化を同時に行うために、基板に水平
方向のテーパ型導波路を増幅領域に用いている（文献：
マー他、アプライドフィジックスレター、６６巻、３５
５８頁 （１９９５））。また、その素子は、結晶方位
面（００１）基板上に形成されている。この水平方向の
テーパ型導波路を増幅領域に用いたモード同期レーザの
例を、図８に従って詳しく説明する。このモード同期レ
ーザは、１００％反射ミラー１９、光学レンズ２０、２
電極半導体レーザ２１から構成されている。電極２２で
は、順バイアスされて増幅領域が、電極２３では、逆バ
イアス電圧印加により、吸収領域が形成されている。電
極２２は、図８に示すように、不純物添加による組成無
秩序化を用いて、電極２３に対して反対方向に向かって
テーパ状に拡がっている。
【０００３】モード同期レーザにおいて、その光出力の
上限は、主に増幅領域の飽和エネルギー：Ｅgsatで制限
される。また、光パルス幅は、増幅領域と可飽和吸収領
域の飽和エネルギーの比：σが小さい時、より短い光パ
ルスが得られることが知られている（文献：デリクソン
他、ＩＥＥＥ量子エレクトロニクスジャーナル、２８
巻、２１８６頁（１９９２））。
上限は、主に増幅領域の飽和エネルギー：Ｅgsatで制限
される。また、光パルス幅は、増幅領域と可飽和吸収領
域の飽和エネルギーの比：σが小さい時、より短い光パ
ルスが得られることが知られている（文献：デリクソン
他、ＩＥＥＥ量子エレクトロニクスジャーナル、２８
巻、２１８６頁（１９９２））。
【０００４】飽和エネルギーは、次式で与えられる。
【０００５】
【数１】 Ｅsat＝ｈνＡ／Γ／(ｄｇ/ｄｎ) …(1) ここで、ｈはプランク定数、νは光パルスの中心周波
数、Ａは活性層領域の断面積（Ａ＝ｗｄ，ｗ：活性層
幅，ｄ：活性層厚）、Γは光閉じ込め係数，ｄｇ/ｄｎ
は微分利得係数である。基板に水平方向のみのテーパ型
光導波路を有する従来型半導体集積モード同期レーザで
は、式（１）のΓを一定に保ったまま、増幅領域におい
て、可飽和吸収領域の在る端と反対の端に向かってｗを
増加（即ち、Ａを増加）させることによって、Ｅgsatの
増大とσの低減を行い、半導体集積モード同期レーザの
高出力化と短パルス化を同時に可能にしている。
数、Ａは活性層領域の断面積（Ａ＝ｗｄ，ｗ：活性層
幅，ｄ：活性層厚）、Γは光閉じ込め係数，ｄｇ/ｄｎ
は微分利得係数である。基板に水平方向のみのテーパ型
光導波路を有する従来型半導体集積モード同期レーザで
は、式（１）のΓを一定に保ったまま、増幅領域におい
て、可飽和吸収領域の在る端と反対の端に向かってｗを
増加（即ち、Ａを増加）させることによって、Ｅgsatの
増大とσの低減を行い、半導体集積モード同期レーザの
高出力化と短パルス化を同時に可能にしている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】基板に水平方向のみの
テーパ型導波路を有する従来型の半導体集積モード同期
レーザでは、光出力を制限する、増幅領域と可飽和吸収
領域の飽和エネルギー（それぞれ、ＥgsatとＥasatで表
す。）を十分に大きくすることは容易でない。また、光
パルス幅を制限する、増幅領域と可飽和吸収領域の飽和
エネルギーの比：σ＝ＥasatとＥasatを十分に小さくす
ることは容易でない等の欠点を持つ。さらに、活性層領
域に歪み量子井戸構造を用いることによって、周波数チ
ャーピングの低減化を図っているが、まだ十分ではな
い。
テーパ型導波路を有する従来型の半導体集積モード同期
レーザでは、光出力を制限する、増幅領域と可飽和吸収
領域の飽和エネルギー（それぞれ、ＥgsatとＥasatで表
す。）を十分に大きくすることは容易でない。また、光
パルス幅を制限する、増幅領域と可飽和吸収領域の飽和
エネルギーの比：σ＝ＥasatとＥasatを十分に小さくす
ることは容易でない等の欠点を持つ。さらに、活性層領
域に歪み量子井戸構造を用いることによって、周波数チ
ャーピングの低減化を図っているが、まだ十分ではな
い。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
には、基板に垂直方向のテーパ型光導波路、または、基
板に水平、垂直両方向のテーパ型導波路を増幅領域に導
入する。また、本発明の半導体集積モード同期レーザ
を、結晶面方位が（００１）から２０度〜９０度の範囲
で傾いた基板上に形成し、その活性層に圧縮歪み量子井
戸層を用いる。
には、基板に垂直方向のテーパ型光導波路、または、基
板に水平、垂直両方向のテーパ型導波路を増幅領域に導
入する。また、本発明の半導体集積モード同期レーザ
を、結晶面方位が（００１）から２０度〜９０度の範囲
で傾いた基板上に形成し、その活性層に圧縮歪み量子井
戸層を用いる。
【０００８】
【作用】本発明の半導体集積モード同期レーザの場合、
基板に垂直方向のテーパ型光導波路を用いて、上述の式
（１）のＡを一定に保ったまま、増幅領域におけるΓを
小さくし、Ｅgsatの増大を図る。この場合、従来型素子
と比較して、容易にＥgsatをより大きくかつσをより小
さくできる。また、従来型素子の基板に水平方向のテー
パ型導波路を本発明と組み合わせると、さらに容易にＥ
gsatをより大きく、かつσをより小さくできる。即ち、
より高出力かつ、より短い光パルスが得られる。
基板に垂直方向のテーパ型光導波路を用いて、上述の式
（１）のＡを一定に保ったまま、増幅領域におけるΓを
小さくし、Ｅgsatの増大を図る。この場合、従来型素子
と比較して、容易にＥgsatをより大きくかつσをより小
さくできる。また、従来型素子の基板に水平方向のテー
パ型導波路を本発明と組み合わせると、さらに容易にＥ
gsatをより大きく、かつσをより小さくできる。即ち、
より高出力かつ、より短い光パルスが得られる。
【０００９】本発明の半導体集積モード同期レーザを、
結晶面方位（００１）から２０度〜９０度の範囲で傾い
た基板上に形成し、かつ活性層に、圧縮歪み量子井戸構
造にすることによって、線幅増大因子を２以下に低減で
き、周波数チャーピングの小さい、トランスフォームリ
ミットに近い光パルスが得られる。
結晶面方位（００１）から２０度〜９０度の範囲で傾い
た基板上に形成し、かつ活性層に、圧縮歪み量子井戸構
造にすることによって、線幅増大因子を２以下に低減で
き、周波数チャーピングの小さい、トランスフォームリ
ミットに近い光パルスが得られる。
【００１０】
【実施例】本発明に係る半導体光集積素子の実施例につ
き、添付図面を参照しながら以下詳細に説明する。
き、添付図面を参照しながら以下詳細に説明する。
【００１１】（実施例１）図１を用いて、半導体集積能
動モード同期レーザについて説明する。図１の（Ａ）と
（Ｂ）は、それぞれ素子の断面図と上部から見た図であ
る。結晶方位（１１１）または（１１０）面のｎ−Ｉｎ
Ｐ（禁制帯幅波長λg＝０.９２μｍ，ドナー濃度：ＮD
＝２×１０18cm-3）基板１上に有機金属気相成長（ＭＯ
ＶＰＥ：Metal Organic Vapor Phase Epitaxy）法によ
り、アンドープＩｎＧａＡｓＰ（λg＝１.４５μｍ）
を、選択成長技術（文献：青木他、マイクロウェーブ
アンドオプティカルテクノロジー レター、７巻、１３
２頁（１９９４））を用いて成長し、テーパ型光導波路
層２を形成する。次に、ＩｎＧａＡｓ量子井戸層（λg
＝１.５５μｍ，厚さ３.５nm）とＩｎＧａＡｓＰ（λg
＝１.１５μｍ，厚さ１５nm）障壁層からなる５周期の
圧縮歪み多重量子井戸層３を成長する。続けて、アンド
ープＩｎＧａＡｓＰ（λg＝１.４５μｍ）を選択成長技
術を用いて成長し、テーパ型光導波路層４を形成する。
さらに、ｐ−ＩｎＰ（λg＝０.９２μｍ、アクセプター
濃度：ＮA＝２×１０18cm-3）層５、ｐ+−ＩｎＧａＡｓ
（ＮA＝８×１０18cm-3）層６を成長する。ｐ+−ＩｎＧ
ａＡｓをエッチングによって分離し、各領域にＡｕ／Ａ
ｕＺｎを蒸着することによって、利得領域電極７と可飽
和吸収領域電極８を形成する。また、ｎ側電極１０を、
ＡｕＧｅＮｉ／Ａｕをｎ−ＩｎＰ基板に蒸着することに
よって形成する。最後に、可飽和吸収領域側の側面の鏡
１１をＨＲコーティングにより、利得領域電極側の鏡１
２を劈開によって形成する。
動モード同期レーザについて説明する。図１の（Ａ）と
（Ｂ）は、それぞれ素子の断面図と上部から見た図であ
る。結晶方位（１１１）または（１１０）面のｎ−Ｉｎ
Ｐ（禁制帯幅波長λg＝０.９２μｍ，ドナー濃度：ＮD
＝２×１０18cm-3）基板１上に有機金属気相成長（ＭＯ
ＶＰＥ：Metal Organic Vapor Phase Epitaxy）法によ
り、アンドープＩｎＧａＡｓＰ（λg＝１.４５μｍ）
を、選択成長技術（文献：青木他、マイクロウェーブ
アンドオプティカルテクノロジー レター、７巻、１３
２頁（１９９４））を用いて成長し、テーパ型光導波路
層２を形成する。次に、ＩｎＧａＡｓ量子井戸層（λg
＝１.５５μｍ，厚さ３.５nm）とＩｎＧａＡｓＰ（λg
＝１.１５μｍ，厚さ１５nm）障壁層からなる５周期の
圧縮歪み多重量子井戸層３を成長する。続けて、アンド
ープＩｎＧａＡｓＰ（λg＝１.４５μｍ）を選択成長技
術を用いて成長し、テーパ型光導波路層４を形成する。
さらに、ｐ−ＩｎＰ（λg＝０.９２μｍ、アクセプター
濃度：ＮA＝２×１０18cm-3）層５、ｐ+−ＩｎＧａＡｓ
（ＮA＝８×１０18cm-3）層６を成長する。ｐ+−ＩｎＧ
ａＡｓをエッチングによって分離し、各領域にＡｕ／Ａ
ｕＺｎを蒸着することによって、利得領域電極７と可飽
和吸収領域電極８を形成する。また、ｎ側電極１０を、
ＡｕＧｅＮｉ／Ａｕをｎ−ＩｎＰ基板に蒸着することに
よって形成する。最後に、可飽和吸収領域側の側面の鏡
１１をＨＲコーティングにより、利得領域電極側の鏡１
２を劈開によって形成する。
【００１２】テーパ型導波路２と４の形状は、レーザ光
の横モードが常に基本モードに保たれるように決定す
る。
の横モードが常に基本モードに保たれるように決定す
る。
【００１３】素子は、電極７に順バイアス電流（１
５），電極８に逆バイアス電圧（１６）を印加すること
によって動作する。本実施例は、能動モード同期レーザ
に関するものであるが、利得領域に変調電流（図１
（Ｃ）の１５のRadio Frequency：ＲＦ信号）を印加し
なければ、受動モード同期レーザとしても動作可能であ
る。
５），電極８に逆バイアス電圧（１６）を印加すること
によって動作する。本実施例は、能動モード同期レーザ
に関するものであるが、利得領域に変調電流（図１
（Ｃ）の１５のRadio Frequency：ＲＦ信号）を印加し
なければ、受動モード同期レーザとしても動作可能であ
る。
【００１４】（実施例２）図２を用いて、半導体集積衝
突パルスモード同期レーザについて説明する。図２の
（Ａ）と（Ｂ）は、それぞれ素子の断面図と上部から見
た図である。結晶方位（１１１）または（１１０）面の
ｎ−ＩｎＰ（禁制帯幅波長：λg＝０.９２μｍ，ドナー
濃度：ＮD＝２×１０18cm-3）基板１上に有機金属気相
成長（ＭＯＶＰＥ：Metal Organic Vapor Phase Epitax
y）法により、アンドープＩｎＧａＡｓＰ（λg＝１.４
５μｍ）を、選択成長技術を用いて成長し、テーパ型光
導波路層２を形成する。次に、ＩｎＧａＡｓ量子井戸層
（λg＝１.５５μｍ、厚さ３.５μｍ）とＩｎＧａＡｓ
Ｐ（λg＝１.１５μｍ、厚さ１５ｎｍ）障壁層からなる
５周期の圧縮歪み多重量子井戸層３を成長する。続け
て、アンドープＩｎＧａＡｓＰ（λg＝１.４５μｍ）を
選択成長技術を用いて成長し、テーパ型光導波路層４を
形成する。さらに、ｐ−ＩｎＰ（λg＝０.９２μｍ、ア
クセプター濃度：ＮA＝２×１０18cm-3）層５、ｐ+−Ｉ
ｎＧａＡｓ（ＮA＝８×１０18cm-3）層６を成長する。
ｐ+−ＩｎＧａＡｓをエッチングによって分離し、各領
域にＡｕ/ＡｕＺｎを蒸着することによって、利得領域
電極７，９と可飽和吸収領域電極８を形成する。また、
ｎ側電極１０を、ＡｕＧｅＮｉ/Ａｕをｎ−ＩｎＰ基板
に蒸着することによって形成する。最後に、可飽和吸収
領域側の側面の鏡１１をＨＲコーティングにより、利得
領域電極側の鏡１２を劈開によって形成する。
突パルスモード同期レーザについて説明する。図２の
（Ａ）と（Ｂ）は、それぞれ素子の断面図と上部から見
た図である。結晶方位（１１１）または（１１０）面の
ｎ−ＩｎＰ（禁制帯幅波長：λg＝０.９２μｍ，ドナー
濃度：ＮD＝２×１０18cm-3）基板１上に有機金属気相
成長（ＭＯＶＰＥ：Metal Organic Vapor Phase Epitax
y）法により、アンドープＩｎＧａＡｓＰ（λg＝１.４
５μｍ）を、選択成長技術を用いて成長し、テーパ型光
導波路層２を形成する。次に、ＩｎＧａＡｓ量子井戸層
（λg＝１.５５μｍ、厚さ３.５μｍ）とＩｎＧａＡｓ
Ｐ（λg＝１.１５μｍ、厚さ１５ｎｍ）障壁層からなる
５周期の圧縮歪み多重量子井戸層３を成長する。続け
て、アンドープＩｎＧａＡｓＰ（λg＝１.４５μｍ）を
選択成長技術を用いて成長し、テーパ型光導波路層４を
形成する。さらに、ｐ−ＩｎＰ（λg＝０.９２μｍ、ア
クセプター濃度：ＮA＝２×１０18cm-3）層５、ｐ+−Ｉ
ｎＧａＡｓ（ＮA＝８×１０18cm-3）層６を成長する。
ｐ+−ＩｎＧａＡｓをエッチングによって分離し、各領
域にＡｕ/ＡｕＺｎを蒸着することによって、利得領域
電極７，９と可飽和吸収領域電極８を形成する。また、
ｎ側電極１０を、ＡｕＧｅＮｉ/Ａｕをｎ−ＩｎＰ基板
に蒸着することによって形成する。最後に、可飽和吸収
領域側の側面の鏡１１をＨＲコーティングにより、利得
領域電極側の鏡１２を劈開によって形成する。
【００１５】テーパ型導波路２と４の形状は、レーザ光
の横モードが常に基本モードに保たれるように決定す
る。
の横モードが常に基本モードに保たれるように決定す
る。
【００１６】素子は、電極７と９に順バイアス電流（１
５）、電極８に逆バイアス電圧（１６）を印加すること
によって動作する。
５）、電極８に逆バイアス電圧（１６）を印加すること
によって動作する。
【００１７】（実施例３）図３を用いて、半導体集積能
動モード同期レーザについて説明する。図３の（Ｂ）と
（Ｃ）は、それぞれ素子の断面図と上部から見た図であ
る。図３の（Ａ）は、主に、層に水平方向のリッジ型導
波路の形状を説明するためのものであり、図の煩雑さを
避けるため、電極等の部分を省略した。
動モード同期レーザについて説明する。図３の（Ｂ）と
（Ｃ）は、それぞれ素子の断面図と上部から見た図であ
る。図３の（Ａ）は、主に、層に水平方向のリッジ型導
波路の形状を説明するためのものであり、図の煩雑さを
避けるため、電極等の部分を省略した。
【００１８】結晶方位（１１１）または（１１０）面の
ｎ−ＩｎＰ（禁制帯幅波長：λg＝０.９２μｍ、ドナー
濃度：ＮD＝２×１０18cm-3）基板１上に有機金属気相
成長（ＭＯＶＰＥ：Metal Organic Vapor Phase Epitax
y）法により、アンドープＩｎＧａＡｓＰ（λg＝１.４
５μｍ）を、選択成長技術を用いて成長し、テーパ型光
導波路層２を形成する。次に、ＩｎＧａＡｓ量子井戸層
（λg＝１.５５μｍ、厚さ３.５nm）とＩｎＧａＡｓＰ
（λg＝１.１５μｍ、厚さ１５nm）障壁層からなる５周
期の圧縮歪み多重量子井戸層３を成長する。続けて、ア
ンドープＩｎＧａＡｓＰ（λg＝１.４５μｍ）を選択成
長技術を用いて成長し、テーパ型光導波路層４を形成す
る。さらに、ｐ−ＩｎＰ（λg＝０.９２μｍ、アクセプ
ター濃度：ＮA＝２×１０18cm-3）層５、ｐ+−ＩｎＧａ
Ａｓ（ＮA＝８×１０18cm-3）層６を成長する。次に、
ｐ−ＩｎＰ層５とｐ+−ＩｎＧａＡｓ層６を、基板に水
平方向のテーパ型に、垂直メサ形状でエッチングし、水
平方向のテーパ型導波路１３を形成する。その後、取り
除いた部分をポリイミド層１４で埋め込む。次に、ｐ+
−ＩｎＧａＡｓをエッチングによって分離し、各領域に
Ａｕ/ＡｕＺｎを蒸着することによって、利得領域電極
７と可飽和吸収領域電極８を形成する。また、ｎ側電極
１０を、ＡｕＧｅＮｉ/Ａｕをｎ−ＩｎＰ基板に蒸着す
ることによって形成する。最後に、可飽和吸収領域側の
側面の鏡１１をＨＲコーティングにより、利得領域電極
側の鏡１２を劈開によって形成する。
ｎ−ＩｎＰ（禁制帯幅波長：λg＝０.９２μｍ、ドナー
濃度：ＮD＝２×１０18cm-3）基板１上に有機金属気相
成長（ＭＯＶＰＥ：Metal Organic Vapor Phase Epitax
y）法により、アンドープＩｎＧａＡｓＰ（λg＝１.４
５μｍ）を、選択成長技術を用いて成長し、テーパ型光
導波路層２を形成する。次に、ＩｎＧａＡｓ量子井戸層
（λg＝１.５５μｍ、厚さ３.５nm）とＩｎＧａＡｓＰ
（λg＝１.１５μｍ、厚さ１５nm）障壁層からなる５周
期の圧縮歪み多重量子井戸層３を成長する。続けて、ア
ンドープＩｎＧａＡｓＰ（λg＝１.４５μｍ）を選択成
長技術を用いて成長し、テーパ型光導波路層４を形成す
る。さらに、ｐ−ＩｎＰ（λg＝０.９２μｍ、アクセプ
ター濃度：ＮA＝２×１０18cm-3）層５、ｐ+−ＩｎＧａ
Ａｓ（ＮA＝８×１０18cm-3）層６を成長する。次に、
ｐ−ＩｎＰ層５とｐ+−ＩｎＧａＡｓ層６を、基板に水
平方向のテーパ型に、垂直メサ形状でエッチングし、水
平方向のテーパ型導波路１３を形成する。その後、取り
除いた部分をポリイミド層１４で埋め込む。次に、ｐ+
−ＩｎＧａＡｓをエッチングによって分離し、各領域に
Ａｕ/ＡｕＺｎを蒸着することによって、利得領域電極
７と可飽和吸収領域電極８を形成する。また、ｎ側電極
１０を、ＡｕＧｅＮｉ/Ａｕをｎ−ＩｎＰ基板に蒸着す
ることによって形成する。最後に、可飽和吸収領域側の
側面の鏡１１をＨＲコーティングにより、利得領域電極
側の鏡１２を劈開によって形成する。
【００１９】層２と層４から成る垂直方向のテーパ型導
波路と水平方向のテーパ型導波路１３の形状は、レーザ
光の横モードが常に基本モードに保たれるように決定す
る。
波路と水平方向のテーパ型導波路１３の形状は、レーザ
光の横モードが常に基本モードに保たれるように決定す
る。
【００２０】（実施例４）図４を用いて、半導体集積能
動モード同期レーザについて説明する。図４の（Ｂ）と
（Ｃ）は、それぞれ素子の断面図と上部から見た図であ
る。図４の（Ａ）は、主に、基板に水平方向のリッジ型
導波路の形状を説明するためのものであり、図の煩雑さ
を避けるため、電極等の部分を省略した。
動モード同期レーザについて説明する。図４の（Ｂ）と
（Ｃ）は、それぞれ素子の断面図と上部から見た図であ
る。図４の（Ａ）は、主に、基板に水平方向のリッジ型
導波路の形状を説明するためのものであり、図の煩雑さ
を避けるため、電極等の部分を省略した。
【００２１】結晶方位（１１１）または（１１０）面の
ｎ−ＩｎＰ（禁制帯幅波長：λg＝０.９２μｍ、ドナー
濃度：ＮD＝２×１０18cm-3）基板１上に有機金属気相
成長（ＭＯＶＰＥ：Metal Organic Vapor Phase Epitax
y）法により、アンドープＩｎＧａＡｓＰ（λg＝１.４
５μｍ）を、選択成長技術を用いて成長し、テーパ型光
導波路層２を形成する。次に、ＩｎＧａＡｓ量子井戸層
（λg＝１.５５μｍ、厚さ３.５nm）とＩｎＧａＡｓＰ
（λg＝１.１５μｍ、厚さ１５nm）障壁層からなる５周
期の圧縮歪み多重量子井戸層３を成長する。続けて、ア
ンドープＩｎＧａＡｓＰ（λg＝１.４５μｍ）を選択成
長技術を用いて成長し、テーパ型光導波路層４を形成す
る。さらに、ｐ−ＩｎＰ（λg＝０.９２μｍ、アクセプ
ター濃度：ＮA＝２×１０18cm-3）層５、ｐ+−ＩｎＧａ
Ａｓ（ＮA＝８×１０18cm-3）層６を成長する。次に、
ｐ−ＩｎＰ層５とｐ+−ＩｎＧａＡｓ層６を、基板に水
平方向のテーパ型に、逆メサ形状でエッチングし、水平
方向のテーパ型導波路１３を形成する。その後、取り除
いた部分をポリイミド層１４で埋め込む。次に、ｐ+−
ＩｎＧａＡｓをエッチングによって分離し、各領域にＡ
ｕ/ＡｕＺｎを蒸着することによって、利得領域電極７
と可飽和吸収領域電極８を形成する。また、ｎ側電極１
０を、ＡｕＧｅＮｉ／Ａｕをｎ−ＩｎＰ基板に蒸着する
ことによって形成する。最後に、可飽和吸収領域側の側
面の鏡１１をＨＲコーティングにより、利得領域電極側
の鏡１２を劈開によって形成する。
ｎ−ＩｎＰ（禁制帯幅波長：λg＝０.９２μｍ、ドナー
濃度：ＮD＝２×１０18cm-3）基板１上に有機金属気相
成長（ＭＯＶＰＥ：Metal Organic Vapor Phase Epitax
y）法により、アンドープＩｎＧａＡｓＰ（λg＝１.４
５μｍ）を、選択成長技術を用いて成長し、テーパ型光
導波路層２を形成する。次に、ＩｎＧａＡｓ量子井戸層
（λg＝１.５５μｍ、厚さ３.５nm）とＩｎＧａＡｓＰ
（λg＝１.１５μｍ、厚さ１５nm）障壁層からなる５周
期の圧縮歪み多重量子井戸層３を成長する。続けて、ア
ンドープＩｎＧａＡｓＰ（λg＝１.４５μｍ）を選択成
長技術を用いて成長し、テーパ型光導波路層４を形成す
る。さらに、ｐ−ＩｎＰ（λg＝０.９２μｍ、アクセプ
ター濃度：ＮA＝２×１０18cm-3）層５、ｐ+−ＩｎＧａ
Ａｓ（ＮA＝８×１０18cm-3）層６を成長する。次に、
ｐ−ＩｎＰ層５とｐ+−ＩｎＧａＡｓ層６を、基板に水
平方向のテーパ型に、逆メサ形状でエッチングし、水平
方向のテーパ型導波路１３を形成する。その後、取り除
いた部分をポリイミド層１４で埋め込む。次に、ｐ+−
ＩｎＧａＡｓをエッチングによって分離し、各領域にＡ
ｕ/ＡｕＺｎを蒸着することによって、利得領域電極７
と可飽和吸収領域電極８を形成する。また、ｎ側電極１
０を、ＡｕＧｅＮｉ／Ａｕをｎ−ＩｎＰ基板に蒸着する
ことによって形成する。最後に、可飽和吸収領域側の側
面の鏡１１をＨＲコーティングにより、利得領域電極側
の鏡１２を劈開によって形成する。
【００２２】層２と層４から成る垂直方向のテーパ型導
波路と水平方向のテーパ型導波路１３の形状は、レーザ
光の横モードが常に基本モードに保たれるように決定す
る。
波路と水平方向のテーパ型導波路１３の形状は、レーザ
光の横モードが常に基本モードに保たれるように決定す
る。
【００２３】（実施例５）図５を用いて、半導体集積衝
突パルスモード同期レーザについて説明する。図５の
（Ｂ）と（Ｃ）は、それぞれ素子の断面図と上部から見
た図である。図５の（Ａ）は、主に、基板に水平方向の
リッジ型導波路の形状を説明するためのものであり、図
の煩雑さを避けるため、電極等の部分を省略した。
突パルスモード同期レーザについて説明する。図５の
（Ｂ）と（Ｃ）は、それぞれ素子の断面図と上部から見
た図である。図５の（Ａ）は、主に、基板に水平方向の
リッジ型導波路の形状を説明するためのものであり、図
の煩雑さを避けるため、電極等の部分を省略した。
【００２４】結晶方位（１１１）または（１１０）面の
ｎ−ＩｎＰ（禁制帯幅波長：λg＝０.９２μｍ、ドナー
濃度：ＮD＝２×１０18cm-3）基板１上に有機金属気相
成長（ＭＯＶＰＥ：Metal Organic Vapor Phase Epitax
y）法により、アンドープＩｎＧａＡｓＰ（λg＝１.４
５μｍ）を、選択成長技術を用いて成長し、テーパ型光
導波路層２を形成する。次に、ＩｎＧａＡｓ量子井戸層
（λg＝１.５５μｍ、厚さ３.５nm）とＩｎＧａＡｓＰ
（λg＝１.１５μｍ、厚さ１５nm）障壁層からなる５周
期の圧縮歪み多重量子井戸層３を成長する。続けて、ア
ンドープＩｎＧａＡｓＰ（λg＝１.４５μｍ）を選択成
長技術を用いて成長し、テーパ型光導波路層４を形成す
る。さらに、ｐ−ＩｎＰ（λg＝０.９２μｍ、アクセプ
ター濃度：ＮA＝２×１０18cm-3）層５、ｐ+−ＩｎＧａ
Ａｓ（ＮA＝８×１０18cm-3）層６を成長する。次に、
ｐ−ＩｎＰ層５とｐ+−ＩｎＧａＡｓ層６を、基板に水
平方向のテーパ型に、逆メサ形状でエッチングし、水平
方向のテーパ型導波路１３を形成する。その後、取り除
いた部分をポリイミド層１４で埋め込む。次に、ｐ+−
ＩｎＧａＡｓをエッチングによって分離し、各領域にＡ
ｕ/ＡｕＺｎを蒸着することによって、利得領域電極
７，９と可飽和吸収領域電極８を形成する。また、ｎ側
電極１０を、ＡｕＧｅＮｉ／Ａｕをｎ−ＩｎＰ基板に蒸
着することによって形成する。最後に、可飽和吸収領域
側の側面の鏡１１をＨＲコーティングにより、利得領域
電極側の鏡１２を劈開によって形成する。
ｎ−ＩｎＰ（禁制帯幅波長：λg＝０.９２μｍ、ドナー
濃度：ＮD＝２×１０18cm-3）基板１上に有機金属気相
成長（ＭＯＶＰＥ：Metal Organic Vapor Phase Epitax
y）法により、アンドープＩｎＧａＡｓＰ（λg＝１.４
５μｍ）を、選択成長技術を用いて成長し、テーパ型光
導波路層２を形成する。次に、ＩｎＧａＡｓ量子井戸層
（λg＝１.５５μｍ、厚さ３.５nm）とＩｎＧａＡｓＰ
（λg＝１.１５μｍ、厚さ１５nm）障壁層からなる５周
期の圧縮歪み多重量子井戸層３を成長する。続けて、ア
ンドープＩｎＧａＡｓＰ（λg＝１.４５μｍ）を選択成
長技術を用いて成長し、テーパ型光導波路層４を形成す
る。さらに、ｐ−ＩｎＰ（λg＝０.９２μｍ、アクセプ
ター濃度：ＮA＝２×１０18cm-3）層５、ｐ+−ＩｎＧａ
Ａｓ（ＮA＝８×１０18cm-3）層６を成長する。次に、
ｐ−ＩｎＰ層５とｐ+−ＩｎＧａＡｓ層６を、基板に水
平方向のテーパ型に、逆メサ形状でエッチングし、水平
方向のテーパ型導波路１３を形成する。その後、取り除
いた部分をポリイミド層１４で埋め込む。次に、ｐ+−
ＩｎＧａＡｓをエッチングによって分離し、各領域にＡ
ｕ/ＡｕＺｎを蒸着することによって、利得領域電極
７，９と可飽和吸収領域電極８を形成する。また、ｎ側
電極１０を、ＡｕＧｅＮｉ／Ａｕをｎ−ＩｎＰ基板に蒸
着することによって形成する。最後に、可飽和吸収領域
側の側面の鏡１１をＨＲコーティングにより、利得領域
電極側の鏡１２を劈開によって形成する。
【００２５】層２と層４から成る垂直方向のテーパ型導
波路と水平方向のテーパ型導波路１３の形状は、レーザ
光の横モードが常に基本モードに保たれるように決定す
る。
波路と水平方向のテーパ型導波路１３の形状は、レーザ
光の横モードが常に基本モードに保たれるように決定す
る。
【００２６】（実施例６）図６を用いて、半導体集積能
動モード同期レーザについて説明する。図６の（Ｂ）と
（Ｃ）は、それぞれ素子の断面図と上部から見た図であ
る。図６の（Ａ）は、主に、基板に水平方向のリッジ型
導波路の形状を説明するためのものであり、図の煩雑さ
を避けるため、電極等の部分を省略した。
動モード同期レーザについて説明する。図６の（Ｂ）と
（Ｃ）は、それぞれ素子の断面図と上部から見た図であ
る。図６の（Ａ）は、主に、基板に水平方向のリッジ型
導波路の形状を説明するためのものであり、図の煩雑さ
を避けるため、電極等の部分を省略した。
【００２７】結晶方位（１１１）または（１１０）面の
ｎ−ＩｎＰ（禁制帯幅波長：λg＝０.９２μｍ、ドナー
濃度：ＮD＝２×１０18cm-3）基板１上に有機金属気相
成長（ＭＯＶＰＥ：Metal Organic Vapor Phase Epitax
y）法により、アンドープＩｎＧａＡｓＰ（λg＝１.４
５μｍ）を、選択成長技術を用いて成長し、テーパ型光
導波路層２を形成する。次に、ＩｎＧａＡｓ量子井戸層
（λg＝１.５５μｍ、厚さ３.５nm）とＩｎＧａＡｓＰ
（λg＝１.１５μｍ、厚さ１５nm）障壁層からなる５周
期の圧縮歪み多重量子井戸層３を成長する。続けて、ア
ンドープＩｎＧａＡｓＰ（λg＝１.４５μｍ）を選択成
長技術を用いて成長し、指数関数的に変化するテーパ型
光導波路層４を形成する。さらに、ｐ−ＩｎＰ（λg＝
０.９２μｍ、アクセプター濃度：ＮA＝２×１０18c
m-3）層５、ｐ+−ＩｎＧａＡｓ（ＮA＝８×１０18c
m-3）層６を成長する。次に、ｐ−ＩｎＰ層５とｐ+−Ｉ
ｎＧａＡｓ層６を、層に水平方向のテーパ型に、逆メサ
形状でエッチングし、指数関数的に拡がった水平方向の
テーパ型導波路１３を形成する。その後、取り除いた部
分をポリイミド層１４で埋め込む。次に、ｐ+−ＩｎＧ
ａＡｓをエッチングによって分離し、各領域にＡｕ/Ａ
ｕＺｎを蒸着することによって、利得領域電極７と可飽
和吸収領域電極８を形成する。また、ｎ側電極１０を、
ＡｕＧｅＮｉ/Ａｕをｎ−ＩｎＰ基板に蒸着することに
よって形成する。最後に、可飽和吸収領域側の側面の鏡
１１をＨＲコーティングにより、利得領域電極側の鏡１
２を劈開によって形成する。
ｎ−ＩｎＰ（禁制帯幅波長：λg＝０.９２μｍ、ドナー
濃度：ＮD＝２×１０18cm-3）基板１上に有機金属気相
成長（ＭＯＶＰＥ：Metal Organic Vapor Phase Epitax
y）法により、アンドープＩｎＧａＡｓＰ（λg＝１.４
５μｍ）を、選択成長技術を用いて成長し、テーパ型光
導波路層２を形成する。次に、ＩｎＧａＡｓ量子井戸層
（λg＝１.５５μｍ、厚さ３.５nm）とＩｎＧａＡｓＰ
（λg＝１.１５μｍ、厚さ１５nm）障壁層からなる５周
期の圧縮歪み多重量子井戸層３を成長する。続けて、ア
ンドープＩｎＧａＡｓＰ（λg＝１.４５μｍ）を選択成
長技術を用いて成長し、指数関数的に変化するテーパ型
光導波路層４を形成する。さらに、ｐ−ＩｎＰ（λg＝
０.９２μｍ、アクセプター濃度：ＮA＝２×１０18c
m-3）層５、ｐ+−ＩｎＧａＡｓ（ＮA＝８×１０18c
m-3）層６を成長する。次に、ｐ−ＩｎＰ層５とｐ+−Ｉ
ｎＧａＡｓ層６を、層に水平方向のテーパ型に、逆メサ
形状でエッチングし、指数関数的に拡がった水平方向の
テーパ型導波路１３を形成する。その後、取り除いた部
分をポリイミド層１４で埋め込む。次に、ｐ+−ＩｎＧ
ａＡｓをエッチングによって分離し、各領域にＡｕ/Ａ
ｕＺｎを蒸着することによって、利得領域電極７と可飽
和吸収領域電極８を形成する。また、ｎ側電極１０を、
ＡｕＧｅＮｉ/Ａｕをｎ−ＩｎＰ基板に蒸着することに
よって形成する。最後に、可飽和吸収領域側の側面の鏡
１１をＨＲコーティングにより、利得領域電極側の鏡１
２を劈開によって形成する。
【００２８】層２と層４から成る垂直方向のテーパ型導
波路と水平方向のテーパ型導波路１３の形状は、レーザ
光の横モードが常に基本モードに保たれるように決定す
る。
波路と水平方向のテーパ型導波路１３の形状は、レーザ
光の横モードが常に基本モードに保たれるように決定す
る。
【００２９】（実施例７）図７を用いて、半導体集積能
動モード同期レーザについて説明する。図７の（Ｂ）と
（Ｃ）は、それぞれ素子の断面図と上部から見た図であ
る。図７の（Ａ）は、主に、基板に水平方向のリッジ型
導波路の形状を説明するためのものであり、図の煩雑さ
を避けるため、電極等の部分を省略した。実施例１〜６
では垂直方向のテーパ型導波路作業のため選択成長法を
２回用いたのに対して、本実施例では１回のみ用いる。
従って、作製法がより簡単になる。
動モード同期レーザについて説明する。図７の（Ｂ）と
（Ｃ）は、それぞれ素子の断面図と上部から見た図であ
る。図７の（Ａ）は、主に、基板に水平方向のリッジ型
導波路の形状を説明するためのものであり、図の煩雑さ
を避けるため、電極等の部分を省略した。実施例１〜６
では垂直方向のテーパ型導波路作業のため選択成長法を
２回用いたのに対して、本実施例では１回のみ用いる。
従って、作製法がより簡単になる。
【００３０】結晶方位（１１１）または（１１０）面の
ｎ−ＩｎＰ（禁制帯幅波長：λg＝０.９２μｍ、ドナー
濃度：ＮD＝２×１０18cm-3）基板１上に有機金属気相
成長（ＭＯＶＰＥ：Metal Organic Vapor Phase Epitax
y）法により、アンドープＩｎＧａＡｓＰ（λg＝１.４
５μｍ）を、平坦な光導波路層１８を形成する。次に、
ＩｎＧａＡｓ量子井戸層（λg＝１.５５μｍ、厚さ３.
５nm）とＩｎＧａＡｓＰ（λg＝１.１５μｍ、厚さ１５
nm）障壁層からなる５周期の圧縮歪み多重量子井戸層３
を成長する。続けて、アンドープＩｎＧａＡｓＰ（λg
＝１.４５μｍ）を選択成長技術を用いて成長し、テー
パ型光導波路層４を形成する。さらに、ｐ−ＩｎＰ（λ
g＝０.９２μｍ、アクセプター濃度：ＮA＝２×１０18c
m-3）層５、ｐ+−ＩｎＧａＡｓ（ＮA＝８×１０18c
m-3）層６を成長する。次に、ｐ−ＩｎＰ層５とｐ+−Ｉ
ｎＧａＡｓ層６を、基板に水平方向のテーパ型に、逆メ
サ形状でエッチングし、水平方向のテーパ型導波路１３
を形成する。その後、取り除いた部分をポリイミド層１
４で埋め込む。次に、ｐ+−ＩｎＧａＡｓをエッチング
によって分離し、各領域にＡｕ/ＡｕＺｎを蒸着するこ
とによって、利得領域電極７と可飽和吸収領域電極８を
形成する。また、ｎ側電極１０を、ＡｕＧｅＮｉ/Ａｕ
をｎ−ＩｎＰ基板に蒸着することによって形成する。最
後に、可飽和吸収領域側の側面の鏡１１をＨＲコーティ
ングにより、利得領域電極側の鏡１２を劈開によって形
成する。
ｎ−ＩｎＰ（禁制帯幅波長：λg＝０.９２μｍ、ドナー
濃度：ＮD＝２×１０18cm-3）基板１上に有機金属気相
成長（ＭＯＶＰＥ：Metal Organic Vapor Phase Epitax
y）法により、アンドープＩｎＧａＡｓＰ（λg＝１.４
５μｍ）を、平坦な光導波路層１８を形成する。次に、
ＩｎＧａＡｓ量子井戸層（λg＝１.５５μｍ、厚さ３.
５nm）とＩｎＧａＡｓＰ（λg＝１.１５μｍ、厚さ１５
nm）障壁層からなる５周期の圧縮歪み多重量子井戸層３
を成長する。続けて、アンドープＩｎＧａＡｓＰ（λg
＝１.４５μｍ）を選択成長技術を用いて成長し、テー
パ型光導波路層４を形成する。さらに、ｐ−ＩｎＰ（λ
g＝０.９２μｍ、アクセプター濃度：ＮA＝２×１０18c
m-3）層５、ｐ+−ＩｎＧａＡｓ（ＮA＝８×１０18c
m-3）層６を成長する。次に、ｐ−ＩｎＰ層５とｐ+−Ｉ
ｎＧａＡｓ層６を、基板に水平方向のテーパ型に、逆メ
サ形状でエッチングし、水平方向のテーパ型導波路１３
を形成する。その後、取り除いた部分をポリイミド層１
４で埋め込む。次に、ｐ+−ＩｎＧａＡｓをエッチング
によって分離し、各領域にＡｕ/ＡｕＺｎを蒸着するこ
とによって、利得領域電極７と可飽和吸収領域電極８を
形成する。また、ｎ側電極１０を、ＡｕＧｅＮｉ/Ａｕ
をｎ−ＩｎＰ基板に蒸着することによって形成する。最
後に、可飽和吸収領域側の側面の鏡１１をＨＲコーティ
ングにより、利得領域電極側の鏡１２を劈開によって形
成する。
【００３１】層２と層４から成る垂直方向のテーパ型導
波路と水平方向のテーパ型導波路１３の形状は、レーザ
光の横モードが常に基本モードに保たれるように決定す
る。また、以上の垂直方向のテーパ型光導波路形成のた
め選択成長法を１回のみ用いる方法は、実施例１〜６に
おいても応用可能である。
波路と水平方向のテーパ型導波路１３の形状は、レーザ
光の横モードが常に基本モードに保たれるように決定す
る。また、以上の垂直方向のテーパ型光導波路形成のた
め選択成長法を１回のみ用いる方法は、実施例１〜６に
おいても応用可能である。
【００３２】
【発明の効果】本発明によれば、高出力かつ超短光パル
ス発生素子が実現できる。この素子は、長距離大容量光
通信用の短パルス発生光源に好適である。
ス発生素子が実現できる。この素子は、長距離大容量光
通信用の短パルス発生光源に好適である。
【図１】本発明による第一の実施例を示す図で、（Ａ）
は断面図、（Ｂ）は上部から見た図である。
は断面図、（Ｂ）は上部から見た図である。
【図２】本発明による第二の実施例を示す図で、（Ａ）
は断面図、（Ｂ）は上部から見た図である。
は断面図、（Ｂ）は上部から見た図である。
【図３】本発明による第三の実施例を示す図で（Ａ）は
斜視図、（Ｂ）は断面図、（Ｃ）は上部から見た図であ
る。
斜視図、（Ｂ）は断面図、（Ｃ）は上部から見た図であ
る。
【図４】本発明による第四の実施例を示す図で（Ａ）は
斜視図、（Ｂ）は断面図、（Ｃ）は上部から見た図であ
る。
斜視図、（Ｂ）は断面図、（Ｃ）は上部から見た図であ
る。
【図５】本発明による第五の実施例を示す図で（Ａ）は
斜視図、（Ｂ）は断面図、（Ｃ）は上部から見た図であ
る。
斜視図、（Ｂ）は断面図、（Ｃ）は上部から見た図であ
る。
【図６】本発明による第六の実施例で示す図で（Ａ）は
斜視図、（Ｂ）は断面図、（Ｃ）は上部から見た図であ
る。
斜視図、（Ｂ）は断面図、（Ｃ）は上部から見た図であ
る。
【図７】本発明による第七の実施例を示す図で（Ａ）は
斜視図、（Ｂ）は断面図、（Ｃ）は上部から見た図であ
る。
斜視図、（Ｂ）は断面図、（Ｃ）は上部から見た図であ
る。
【図８】従来技術の基板に水平方向のテーパ型導波路を
有するモード同期レーザの上部から見た図である。
有するモード同期レーザの上部から見た図である。
１…ｎ型ＩｎＰ基板、２…垂直テーパ型光導波路層、３
…ＩｎＧａＡｓ/ＩｎＧａＡｓＰ圧縮歪み多重量子井戸
層、４…垂直テーパ型光導波路層、５…ｐ型ＩｎＰ層、
６…ｐ+型ＩｎＧａＡｓ層、７…利得領域電極、８…可
飽和吸収領域電極、９…利得領域電極、１０…ｎ側電
極、１１…ＨＲコート鏡、１２…劈開面鏡、１３…水平
テーパ型光導波路、１４…ポリイミド層、１５…順バイ
アス電源、１６…逆バイアス電源、１７…順バイアス、
１８…光導波路層、１９…高反射ミラー、２０…光学レ
ンズ、２１…２電極半導体レーザー、２２…水平テーパ
型増幅領域電極、２３…吸収領域電極。
…ＩｎＧａＡｓ/ＩｎＧａＡｓＰ圧縮歪み多重量子井戸
層、４…垂直テーパ型光導波路層、５…ｐ型ＩｎＰ層、
６…ｐ+型ＩｎＧａＡｓ層、７…利得領域電極、８…可
飽和吸収領域電極、９…利得領域電極、１０…ｎ側電
極、１１…ＨＲコート鏡、１２…劈開面鏡、１３…水平
テーパ型光導波路、１４…ポリイミド層、１５…順バイ
アス電源、１６…逆バイアス電源、１７…順バイアス、
１８…光導波路層、１９…高反射ミラー、２０…光学レ
ンズ、２１…２電極半導体レーザー、２２…水平テーパ
型増幅領域電極、２３…吸収領域電極。
Claims (11)
- 【請求項１】基板に垂直方向のテーパ型光導波路を有す
ることを特徴とする半導体光集積素子。 - 【請求項２】基板に平行方向のテーパ型光導波路を有す
ることを特徴とする請求項１記載の半導体光集積素子。 - 【請求項３】指数関数的に導波路の幅が変化するテーパ
型導波路を有することを特徴とする請求項１又は２記載
の半導体光集積素子。 - 【請求項４】基板に垂直方向のテーパ型光導波路を選択
成長技術を用いて形成することを特徴とする請求項１か
ら３のいずれかに記載の半導体光集積素子。 - 【請求項５】基板に平行方向のテーパ型光導波路にリッ
ジ型導波路構造を用いて形成することを特徴とする請求
項１から４のいずれかに記載の半導体光集積素子。 - 【請求項６】結晶面方位が（００１）から２０度〜９０
度の範囲で傾いた基板上に形成されることを特徴とする
請求項１から５のいずれかに記載の半導体光集積素子。 - 【請求項７】活性層部分が圧縮歪み量子井戸構造である
ことを特徴とする請求項１から６のいずれかに記載の半
導体光集積素子。 - 【請求項８】モード同期法として能動モード同期法で動
作することを特徴とする請求項１から７のいずれかに記
載の半導体光集積素子。 - 【請求項９】モード同期法として受動モード同期法で動
作することを特徴とする請求項１から７のいずれかに記
載の半導体光集積素子。 - 【請求項１０】モード同期法としてパルス衝突モード同
期法で動作することを特徴とする請求項１から７のいず
れかに記載の半導体光集積素子。 - 【請求項１１】モード同期法としてハイブリッドモード
同期法で動作することを特徴とする請求項１から７のい
ずれかに記載の半導体光集積素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24130395A JPH0983068A (ja) | 1995-09-20 | 1995-09-20 | 半導体光集積素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24130395A JPH0983068A (ja) | 1995-09-20 | 1995-09-20 | 半導体光集積素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0983068A true JPH0983068A (ja) | 1997-03-28 |
Family
ID=17072282
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24130395A Pending JPH0983068A (ja) | 1995-09-20 | 1995-09-20 | 半導体光集積素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0983068A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003523092A (ja) * | 2000-02-11 | 2003-07-29 | ギガテラ・アクチェンゲゼルシャフト | 受動モード同期光ポンピング半導体の外部空洞共振器面発光レーザ |
-
1995
- 1995-09-20 JP JP24130395A patent/JPH0983068A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003523092A (ja) * | 2000-02-11 | 2003-07-29 | ギガテラ・アクチェンゲゼルシャフト | 受動モード同期光ポンピング半導体の外部空洞共振器面発光レーザ |
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