JPH098327A - 半導体圧力センサ - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 半導体圧力センサを構成する個々の感圧抵抗
体の電気抵抗値の均一性を向上させることによって、半
導体圧力センサの電気的特性を向上させる。 【構成】 感圧抵抗体層１と金属配線層７とを接続する
ために設けられたコンタクトホール３の部分に位置する
感圧抵抗体層１の部分に結晶亜粒界１９が含まれないよ
うに形成する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、半導体圧力センサに関
し、特に、感圧抵抗体層を有する半導体圧力センサに関
する。

【０００２】

【従来の技術】半導体圧力センサのうち、薄膜のシリコ
ン層（以下、「ＳＯＩ（Silicon On Insulator）層」と
いう。）構造の圧力センサは、高温における圧力測定が
可能な点や、導電性を有する媒質の圧力測定が可能とい
った特徴を有しており、非常に重要な素子となってい
る。

【０００３】ＳＯＩ構造の製造方法には種々あるが、低
コストという点で、レーザ再結晶法によるＳＯＩが圧力
センサ用として有望視されている。レーザ再結晶化法で
は、Sugaharaらにより報告されている反射防止膜（ＡＲ
Ｆ）を用いた方法が大面積で良質のＳＯＩを得ることが
できる。

【０００４】ＡＲＦを用いたレーザ再結晶化法で得られ
る従来のＳＯＩの典型的な構造を図１２に示す。図１２
を参照して、（１００）主面の単結晶シリコンウェハ１
１１を基板とし、その上に下地酸化膜１１３が厚さ約１
μｍで形成されている。下地酸化膜１１３には、シード
となる孔１７０が形成されている。酸化膜１１３上にレ
ーザ照射によるラテラルシーディング法で形成した単結
晶シリコン（ＳＯＩ）層１０１ａが形成されている。単
結晶シリコン（ＳＯＩ）層１０１ａの厚さは約０．６μ
ｍである。ＳＯＩ層１０１ａには、＜１００＞方向に延
びる結晶亜粒界１１９が約１５μｍの間隔で平行に形成
されている。

【０００５】図１３は、図１２で示したレーザ再結晶化
法によって形成されたＳＯＩに形成した圧力センサの平
面図である。図１３を参照して、この従来の圧力センサ
では、平面的にみると、４つの感圧抵抗体１０１が配置
され、それぞれ金属配線１０７で結ばれている。感圧抵
抗体１０１はＰ型シリコンによって形成され、感圧抵抗
体１０１の長軸（電流が流れる）方向は＜１１０＞に沿
うように形成されている。

【０００６】図１４は感圧抵抗体１０１の１つを拡大し
た平面図である。図１４を参照して、感圧抵抗体１０１
の両端には金属配線１０７との接続を行なうためのコン
タクト部１０３が形成されている。また、コンタクト部
１０３に位置する感圧抵抗体１０１の表面には高濃度不
純物領域１０５が形成されている。感圧抵抗体１０１全
体にわたって、等しい間隔で平行に結晶亜粒界１１９が
形成されている。

【０００７】また、前述の従来技術のように感圧抵抗体
１０１を金属配線１０７で結合するものとは別に、ＳＯ
Ｉ層に不純物を高濃度でドープした層を金属配線１０７
の代わりに用いることもできる。この場合の平面図を図
１５に示す。図１５を参照して、ＳＯＩ層に不純物を高
濃度でドープした層１８０が形成されており、この高濃
度ドープ層１８０によって感圧抵抗体１０１が結合され
ている。この図１５に示す場合、チップと外部との配線
は、図１５に示すように金バンプ１８５を形成してワイ
ヤリングすることによって行なう。

【０００８】図１６は、金バンプ１８５の拡大平面図で
ある。図１６を参照して、バンプ形成部１８７よりも１
回り小さくＳＯＩと金属配線との接触部１８９が形成さ
れている。このＳＯＩと金属配線との接触部１８９の全
面にわたって、結晶亜粒界１１９が存在している。

【０００９】

【発明が解決しようとする課題】従来の感圧抵抗体の抵
抗値はばらつきがあり、抵抗値の均一化を図るのが困難
であった。また、感圧抵抗体層間の配線にドープしたＳ
ＯＩ層を用いた場合、チップと外部とを接続するための
金バンプ１８５における配線とＳＯＩの結合部分におけ
る電気的な導通特性の均一化を図ることが困難であっ
た。

【００１０】感圧抵抗体の抵抗値のばらつきの原因を調
べたところ、ＳＯＩ層１０１ａを形成するためのレーザ
再結晶化工程におけるＡＲＦ（反射防止膜）から窒素が
混入し、これが抵抗値のばらつきを大きくしていること
が判明した。すなわち、混入した窒素はＳＯＩ層１０１
ａと下地酸化膜１１３との界面に濃縮されることによっ
てｎ型の導電層をＳＯＩ層１０１ａと下地酸化膜１１３
との界面に形成していることが明らかになった。

【００１１】図１７は、感圧抵抗体の断面図である。図
１７を参照して、ＳＯＩ層からなる感圧抵抗体１０１と
下地酸化膜１１３との間に混入した窒素によるｎ型の導
電層１１５が形成されている。ｎ型の導電層１１５は、
感圧抵抗体１０１がＰ型であるため、電気的には伝導に
関与しないはずである。しかし、金属配線１０７と感圧
抵抗体１０１のコンタクト部１０３には結晶亜粒界１１
９が存在する。このため、結晶亜粒界１１９を通じて、
配線金属１０７がｎ型の導電層１１５と電気的に接続さ
れる。この効果によって、図１７に示す従来の構造で
は、感圧抵抗体の電気的抵抗値のばらつきが大きくなっ
ていた。

【００１２】また、図１４に示すように感圧抵抗体１０
１のコンタクト部１０３以外の本体部においても結晶亜
粒界１１９が存在しているため、この結晶亜粒界１１９
によって個々の感圧抵抗体１０１の電気的特性が不均一
となり、その結果、個々の感圧抵抗体１０１の電気抵抗
値の均一化を図ることが困難であった。すなわち、結晶
亜粒界１１９にはキャリアトラップが多数存在し、この
トラップが捕獲したキャリアが作るクーロンポテンシャ
ルが電気伝導の障害となり、それにより個々の感圧抵抗
体１０１の電気的特性がばらつく。

【００１３】さらに、図１６に示したワイヤリングのた
めの金バンプ１８５が層１８０の結晶亜粒界と接触する
ことによって、結晶亜粒界が有する電気的特性の不均一
性から、接続部の電気的導伝特性の均一化を阻害する。

【００１４】

【課題を解決するための手段】請求項１における半導体
圧力センサは、感圧抵抗体層と、金属配線層とを備えて
いる。感圧抵抗体層は、その中に結晶亜粒界を含んでお
り、本体部と接続領域とを有する。金属配線層は感圧抵
抗体層に接続されるように形成されている。感圧抵抗体
層と金属配線層との接続領域に位置する感圧抵抗体層の
部分は結晶亜粒界を含まないように形成されている。ま
た好ましくは、感圧抵抗体層は第１導電型の不純物を含
んでおり、感圧抵抗体層の結晶亜粒界が存在する領域に
は、第１導電型の高濃度不純物領域が形成されていても
よい。

【００１５】請求項４における半導体圧力センサは、本
体部と、感圧抵抗体層と、金属配線層とを備えている。
本体部は、所定の方向に電流が流れる。感圧抵抗体層
は、本体部と連続して形成された外部との電気的接続を
行なうための接続部を有する。金属配線層は、感圧抵抗
体層の接続部に接続される。感圧抵抗体層の少なくとも
接続部には、結晶亜粒界が存在しない。感圧抵抗体層の
接続部は、本体部の電流が流れる方向の延長線上に位置
する領域とは異なる領域に形成されている。

【００１６】請求項５における半導体圧力センサは、感
圧抵抗体層と、半導体層と、金属電極とを備えている。
半導体層は、感圧抵抗体層に接続され、結晶亜粒界を含
む。金属電極は、半導体層の主表面上の所定領域に形成
される。半導体層と金属電極との接続領域に位置する半
導体層の部分は結晶亜粒界を含まない。

【００１７】

【作用】請求項１に係る半導体圧力センサでは、感圧抵
抗体層の接続領域に結晶亜粒界を含まないので、結晶亜
粒界の影響が除去され、個々の感圧抵抗体層の電気的抵
抗値の均一性が向上される。また、結晶亜粒界が存在す
る感圧抵抗体の領域に高濃度不純物領域が形成されるよ
うに構成すれば、結晶亜粒界に十分な電気伝導性が与え
られ、感圧抵抗体に含まれる結晶亜粒界の影響が除去さ
れる。

【００１８】請求項４に係る半導体圧力センサでは、感
圧抵抗体層の接続部が、本体部の電流が流れる方向の延
長線上に位置する領域とは異なる領域に形成されるの
で、結晶亜粒界に平行な方向を有効に利用することがで
き、寸法的な制約が緩和される。

【００１９】請求項５に係る半導体圧力センサでは、感
圧抵抗体層に接続される半導体層と、金属電極との接続
領域に位置する半導体層の部分が結晶亜粒界を含まない
ので、結晶亜粒界の影響が除去され、これにより接続部
における電気的抵抗値の均一性が向上される。

【００２０】

【実施例】以下、本発明の実施例を図面に基づいて説明
する。図１は本発明の第１実施例による半導体圧力セン
サを示した平面図である。

【００２１】図１を参照して、この第１実施例の半導体
圧力センサでは、感圧抵抗体層１の全面にわたって結晶
亜粒界１９が等しい間隔で平行に形成されている。感圧
抵抗体層１の両端には、電気的接続を得るための高濃度
不純物領域５が形成されている。高濃度不純物領域５上
にはコンタクトホール３が結晶亜粒界１９を避けるよう
に形成されている。コンタクトホール３において、高濃
度不純物領域に電気的に接続されるように、金属配線層
７が形成されている。

【００２２】図２は、図１に示した第１実施例の半導体
圧力センサの９００−９００に沿った断面図である。図
２を参照して、シリコン基板１１の主表面上に下地酸化
膜１３が形成されている。下地酸化膜１３の主表面の所
定領域には、感圧抵抗体層１が形成されている。感圧抵
抗体層１と下地酸化膜１３との界面には、従来と同様、
ｎ型の導電層１５が形成されている。感圧抵抗体層１の
両端部分には、電気的に良好な接続を得るために高濃度
不純物領域５が形成されている。高濃度不純物領域５
は、コンタクトホール部３を介して金属配線層７と接続
されている。素子全面を覆うように保護膜９０が形成さ
れている。

【００２３】この第１実施例では、図１４および図１７
に示した従来の半導体圧力センサと異なり、感圧抵抗体
層１のコンタクト部３において結晶亜粒界１９が金属配
線層７に直接接するように存在しないようにコンタクト
部を形成した。これにより、下地酸化膜１３と感圧抵抗
体層１との界面にできたｎ型の導電層１５と金属配線層
７とが電気的に接触しなくなる。このため、従来の半導
体圧力センサで問題となっていたｎ型の導電層１５と金
属配線層７との電気的接触が発生せず、それにより、半
導体圧力センサを構成する個々の感圧抵抗体層１の電気
抵抗値の均一性を向上させることができる。

【００２４】図３は本発明の第２実施例の半導体圧力セ
ンサを示した平面図である。図３を参照して、第２実施
例の半導体圧力センサは、感圧抵抗体層１の両端に結晶
亜粒界１９を避けるように、コンタクトホール３が複数
形成されている。前述の第１実施例の半導体圧力センサ
では、コンタクトホール３は結晶亜粒界１９を避けるよ
うに１個形成されていたが、結晶亜粒界１９を含まなけ
れば図３に示す第２実施例のようにコンタクトホール３
を複数形成してもよい。

【００２５】図４は本発明の第３実施例による半導体圧
力センサを示した平面図である。図４を参照して、この
第３実施例の半導体圧力センサでは、感圧抵抗体層１の
全体にわたって等間隔に平行に結晶亜粒界１９が形成さ
れている。感圧抵抗体層１の両端には結晶亜粒界１９を
避けるように、コンタクトホール３が形成されている。
また、金属配線層と良好な電気的結合を得るために、高
濃度不純物領域５が形成されている。さらに、感圧抵抗
体層１の本体部に存在する結晶亜粒界１９に沿った領域
に不純物を高濃度でドープした領域２３が形成されてい
る。

【００２６】次に、図５は図４の９００−９００に沿っ
た断面図である。図５を参照して、シリコン基板１１の
主表面上に下地酸化膜１３が形成されている。下地酸化
膜１３の主表面上の所定領域に感圧抵抗体層１が形成さ
れている。下地酸化膜１３と感圧抵抗体層１との境界部
分に、ｎ型の導電層１５が形成されている。感圧抵抗体
層１の全体にわたって、等間隔で平行に結晶亜粒界１９
が形成されている。感圧抵抗体層１の両端には、金属配
線層７との良好な電気伝導性を得るために、高濃度不純
物領域５が形成されている。高濃度不純物領域５は、コ
ンタクトホール３を介して、金属配線層７と電気的に結
合されている。素子の全面を覆うように保護膜９０が形
成されている。また、感圧抵抗体層１の本体部に存在す
る結晶亜粒界１９を含む所定領域には、高濃度不純物領
域２３が形成されている。

【００２７】感圧抵抗体層１には電流が流れる経路を横
切るように結晶亜粒界１９が存在している。この結晶亜
粒界１９は、電気伝導性を不均一にするため感圧抵抗体
層１の抵抗値の均一性を阻害する原因となっている。し
たがって、結晶亜粒界１９を含む領域に高濃度で不純物
をドープして十分な電気伝導性を得るようにすれば、結
晶亜粒界１９の影響を除去することができる。すなわ
ち、結晶亜粒界１９の付近に高濃度で不純物をドープし
た領域２３を形成することにより、ポテンシャルバリア
（電位障壁）が小さくなり、電気伝導に影響しなくな
る。図５に示した第３実施例では、結晶亜粒界１９を含
む一部の領域にのみ高濃度不純物領域２３を形成してい
るが、結晶亜粒界１９を含むすべての領域について高濃
度不純物領域２３を形成してもよい。この高濃度不純物
領域２３は、コンタクト部５に高濃度不純物領域５を形
成するときに、同一のマスクを用いて同時に形成するこ
とができる。

【００２８】図６は本発明の第４実施例による半導体圧
力センサを示した平面図である。図６を参照して、感圧
抵抗体層１の全面にわたって等間隔で平行に結晶亜粒界
１９が形成されている。感圧抵抗体層１の両端には、結
晶亜粒界１９を避けるように、コンタクトホール３が形
成されている。コンタクトホール３および結晶亜粒界１
９を含むように、高濃度不純物領域２５が形成されてい
る。図４および図５で示した第３実施例による半導体圧
力センサではコンタクトホール３を含むように形成され
た高濃度不純物領域５と結晶亜粒界１９を含む所定領域
に形成された高濃度不純物領域２３とは別個に形成され
ていた。しかし、図６に示される本発明の第４実施例で
は、コンタクトホール３の周辺に形成される高濃度不純
物領域と結晶亜粒界を含む領域に形成される高濃度不純
物領域を連続して形成している。このようにすることに
よって、高濃度不純物領域を形成する際のマスクの複雑
化を防止することができる。

【００２９】図７は本発明の第５実施例による半導体圧
力センサを示した平面図である。図７を参照して、感圧
抵抗体層１の全体にわたって、等間隔で平行に結晶亜粒
界１９が形成されている。感圧抵抗体層１の両端には、
結晶亜粒界１９を避けるように、コンタクトホール３が
形成されている。コンタクトホール３を含むように、良
好な電気伝導を得るために高濃度不純物領域５が形成さ
れている。また、結晶亜粒界１９の一部を含むように、
高濃度不純物領域２７が形成されている。図４および図
５で示した本発明の第３実施例による半導体圧力センサ
では、結晶亜粒界１９の影響を除去するための高濃度不
純物領域２３は結晶亜粒界１９の延びる方向に沿って形
成されていた。しかし、図７に示す本発明の第５実施例
による半導体圧力センサでは、高濃度不純物領域２７は
結晶亜粒界１９の一部にかかるように形成されている。
この、高濃度不純物領域２７は電流が流れる経路を結晶
亜粒界１９に形成するためのものであるので、結晶亜粒
界の一部にかかるように高濃度不純物領域２７を形成し
ても図４および図５で示した本発明の第３実施例による
半導体圧力センサと同様な効果が得られる。ただし、高
濃度不純物領域２７と結晶亜粒界１９が接する領域があ
る程度よりも小さくなると、高濃度不純物領域２７によ
る結晶亜粒界１９の電気抵抗値の低減効果が少なくな
り、結晶亜粒界１９の影響を除去する効果が少なくなっ
てくる。

【００３０】図８および図９は、本発明の第６実施例を
示した図である。図８は平面図を、図９は断面図を示し
ている。感圧抵抗体層間の配線に金属配線を用いずに、
ＳＯＩ層に不純物を高濃度でドープした配線を用いたも
のでは、チップと外部とを接続するためのワイヤリング
のためのバンプ部分の電気的特性の不均一性が問題とな
ることがある。すなわち、このワイヤリングのためのバ
ンプがドープされたＳＯＩ層からなる配線の結晶亜粒界
と接触すると、結晶亜粒界の有する電気伝導の不均一性
によって半導体圧力センサの動作に障害を与えるおそれ
がある。このため図８および図９に示す第６実施例によ
る半導体圧力センサでは、ワイヤリングのためのバンプ
が結晶亜粒界と接触しないように形成している。図８を
参照して、ＳＯＩ層に不純物を高濃度でドープした配線
層３１の全面にわたって等間隔で平行に結晶亜粒界１９
が形成されている。配線層３１の主表面の所定領域に
は、バンプ３７が形成されている。バンプが形成された
領域３７は、結晶亜粒界１９を避けるように、ＳＯＩ層
上の絶縁膜を開口している。また、この開口部に直接金
によるバンプを形成してもよい。

【００３１】次に、図９を参照して、シリコン基板１１
の主表面上に下地酸化膜１３が形成されている。下地酸
化膜１３の主表面上の所定領域には、ＳＯＩ層４５が形
成されている。ＳＯＩ層４５には全面にわたって、等間
隔で平行に結晶亜粒界１９が形成されている。ＳＯＩ層
４５の主表面上の結晶亜粒界１９が存在する領域上に
は、層間膜５１が形成されている。ＳＯＩ層４５および
層間膜５１の所定領域を覆うように、アルミニウムパッ
ド４３が形成されている。アルミニウムパッド４３の全
面を覆うように、バリアメタル４９が形成されている。
バリアメタル４９の全面を覆うように、金バンプ４７が
形成されている。また、チップの所定領域には、チップ
を保護するための保護膜４１が形成されている。このよ
うに構成することで、アルミニウムパッド４３を直接結
晶亜粒界１９と接触させないため、結晶亜粒界１９に起
因する電気的性質の不均一性による影響を除去すること
ができる。ここで、配線層に用いたＳＯＩ層では、高濃
度で不純物をドープするため、必ずしも単結晶である必
要はない。そのため、配線層に用いるシリコン層部分で
は、シードを用いない場合が多い。ただし、この場合に
おいてもレーザ再結晶化時には、ＡＲＦはチップ全体に
設けるため、ＡＲＦの下に結晶粒界が発生する。この結
晶粒界は、ＳＯＩ層と下地酸化膜界面にできるｎ型層へ
の電気的接触を引起こす点では結晶亜粒界の場合と同様
である。すなわち、シードを用いない場合でも、ＡＲＦ
の下にできる結晶粒界が金属層と接触しないように配置
することで、電気的性質の均一性を向上させることがで
きる。

【００３２】図１０は本発明の第７実施例による半導体
圧力センサを示した平面図である。図１０を参照して、
この第７実施例の半導体圧力センサでは、感圧抵抗体層
１は結晶亜粒界１９を含んでいない。感圧抵抗体層１の
両端には、コンタクトホール３が形成されている。コン
タクトホール３が位置する感圧抵抗体層１の表面には、
良好な電気導伝性を得るために高濃度不純物領域５が形
成されている。ここで、図中に示された点線１９は感圧
抵抗体層１の形成の際のパターニングをする前に結晶亜
粒界のあった位置を示している。感圧抵抗体層１は、結
晶亜粒界１９を避けるようにパターニングされているこ
とがわかる。

【００３３】前述のように、結晶亜粒界が感圧抵抗体層
に含まれると、結晶亜粒界の持つ電気伝導の不均一性に
より感圧抵抗体の有する抵抗値の均一性を阻害する。し
たがって、結晶亜粒界が感圧抵抗体に含まれないように
形成すれば、感圧抵抗体の電気的抵抗値の均一性を向上
させることができる。しかし、結晶亜粒界が感圧抵抗体
の電流が流れる経路とコンタクト部に存在しないように
形成する場合、問題となるのは寸法的な制約である。こ
れは、できるだけ低コスト化を図るために、ステッパを
用いず、１：１アライナーでパターン形成を行なう場
合、その寸法精度は５μｍ程度であることと、結晶亜粒
界の間隔が１５μｍであることによっている。すなわ
ち、感圧抵抗体の機能から感圧抵抗体の電流が流れる本
体部は結晶方向＜１１０＞方向に形成することが必要と
される。このとき、感圧抵抗体の電流が流れる方向の延
長線上に２つのコンタクトホールを形成すると、必ず感
圧抵抗体のいずれの部分かに結晶亜粒界を含んでしま
う。このため、図１０に示すように、感圧抵抗体の本体
部１は結晶方向＜１１０＞に向けながら、その方向の延
長線上からコンタクトホールの位置をずらすことによっ
て、結晶亜粒界を含まない感圧抵抗体を形成することが
できる。このように構成することにより、ｎ型の導電層
に起因する結晶亜粒界１９の影響を受けることなく、か
つ結晶亜粒界１９が感圧抵抗部１に存在しないことか
ら、感圧抵抗体の電気的抵抗値の均一性を大きく向上さ
せることができる。

【００３４】図１１は本発明の第８実施例による半導体
圧力センサを示した平面図である。図１１を参照して、
感圧抵抗体層１の両側には、コンタクトホール３が設け
られている。コンタクトホール３の良好な電気的接続を
得るために、高濃度不純物領域５が形成されている。図
中の点線は、感圧抵抗体層１を形成する際のパターニン
グ以前に結晶亜粒界が存在していた位置を示している。
結晶亜粒界１９は感圧抵抗体の一部６９に存在している
が、この存在位置は高濃度不純物領域５に含まれてい
る。このため、感圧抵抗体の一部に結晶亜粒界１９を含
んでいても、結晶亜粒界部に不純物が高濃度でドープさ
れているので、結晶亜粒界１９の影響を除去することが
できる。このため、感圧抵抗体の電気的抵抗値の均一性
を向上させることができる。

【００３５】今回開示された実施例はすべての点で例示
であって制限的なものではないと考えられるべきであ
る。本発明の範囲は上記した説明ではなくて特許請求の
範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味およ
び範囲内でのすべての変更が含まれることが意図され
る。

【００３６】

【発明の効果】請求項１に記載の半導体圧力センサによ
れば、感圧抵抗体のコンタクト部に結晶亜粒界を含まな
いことによって、電気伝導性の不均一な結晶亜粒界の影
響を除去することができるので、電気的抵抗値の均一性
を向上させることができ、圧力センサの歩留りを向上さ
せることができる。また、結晶亜粒界が存在する感圧抵
抗体に高濃度不純物領域が形成されるように構成するこ
とによって、結晶亜粒界に十分な電気伝導性を与えるこ
とができるので、感圧抵抗体に含まれる結晶亜粒界の影
響が除去されるので、電気的抵抗値の均一性がさらに向
上され、圧力センサの歩留りをさらに向上させることが
できる。

【００３７】請求項４に記載の半導体圧力センサによれ
ば、感圧抵抗体層の接続部は本体部の電流が流れる方向
の延長線上に位置する領域とは異なる領域に形成される
ことによって、結晶亜粒界に平行な方向を有効に利用す
ることができるので、寸法的な制約を緩和することがで
き、製品の低コスト化を図ることができる。

【００３８】請求項５に記載の半導体圧力センサによれ
ば、半導体層と金属電極との接続領域に位置する半導体
層の部分は結晶亜粒界を含まないことによって、電気的
特性の不均一な結晶亜粒界の影響を除去することができ
るので、接続部における電気的抵抗値の均一性を向上さ
せることができ、圧力センサの歩留りを向上させること
ができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】 本発明の第１実施例による半導体圧力センサ
を示した平面図である。

【図２】 図１に示した第１実施例の半導体圧力センサ
の９００−９００に沿った断面図である。

【図３】 本発明の第２実施例による半導体圧力センサ
を示した平面図である。

【図４】 本発明の第３実施例による半導体圧力センサ
を示した平面図である。

【図５】 図４に示した第３実施例の半導体圧力センサ
の９００−９００に沿った断面図である。

【図６】 本発明の第４実施例による半導体圧力センサ
を示した平面図である。

【図７】 本発明の第５実施例による半導体圧力センサ
を示した平面図である。

【図８】 本発明の第６実施例による半導体圧力センサ
を示した平面図である。

【図９】 本発明の第６実施例による半導体圧力センサ
の断面図である。

【図１０】 本発明の第７実施例による半導体圧力セン
サを示した平面図である。

【図１１】 本発明の第８実施例による半導体圧力セン
サを示した平面図である。

【図１２】 レーザ再結晶化法で形成したＳＯＩ構造を
示した斜視図である。

【図１３】 従来の金属配線を用いた圧力センサの平面
図である。

【図１４】 従来の感圧抵抗体部を示した平面図であ
る。

【図１５】 従来のＳＯＩ層を配線に用いた圧力センサ
を示した平面図である。

【図１６】 従来のＳＯＩ層を配線に用いた圧力センサ
のバンプ部の拡大図である。

【図１７】 従来の感圧抵抗体部を示した断面図であ
る。

【符号の説明】

１ 感圧抵抗体層、３ コンタクトホール、５ 高濃度
不純物領域、７ 金属配線、１１ シリコン基板、１３
下地酸化膜、１５ ｎ型の導電層、１９ 結晶亜粒
界、９０ 保護膜。

Claims (5)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 その中に結晶亜粒界を含み、かつ本体部
   と接続領域とを有する感圧抵抗体層と、 前記接続領域において前記感圧抵抗体層に接続される金
   属配線層とを備え、 前記感圧抵抗体層と前記金属配線層との接続領域に位置
   する前記感圧抵抗体層の部分は前記結晶亜粒界を含まな
   い、半導体圧力センサ。
2. 【請求項２】 前記感圧抵抗体層は、第１導電型の不純
   物を含んでおり、 前記感圧抵抗体層の前記結晶亜粒界が存在する領域に
   は、第１導電型の高濃度不純物領域が形成されている、
   請求項１に記載の半導体圧力センサ。
3. 【請求項３】 前記接続領域は、前記本体部の電流が流
   れる方向の延長線上に位置する領域とは異なる領域に形
   成されている、請求項１に記載の半導体圧力センサ。
4. 【請求項４】 所定の方向に電流が流れる本体部と、前
   記本体部と連続して形成された外部との電気的接続を行
   なうための接続部とを有する感圧抵抗体層と、 前記感圧抵抗体層の接続部に接続された金属配線層とを
   備え、 前記感圧抵抗体層の少なくとも接続部には結晶亜粒界が
   存在せず、 前記感圧抵抗体層の接続部は、前記本体部の電流が流れ
   る方向の延長線上に位置する領域とは異なる領域に形成
   されている、半導体圧力センサ。
5. 【請求項５】 感圧抵抗体層と、 前記感圧抵抗体層に接続される、結晶亜粒界を含む半導
   体層と、 前記半導体層の主表面上の所定領域に形成された金属電
   極とを備え、 前記半導体層と前記金属電極との接続領域に位置する前
   記半導体層の部分は前記結晶亜粒界を含まない、半導体
   圧力センサ。