JPH098409A - Ｉｉ−ｖｉ族半導体発光素子 - Google Patents
Ｉｉ−ｖｉ族半導体発光素子Info
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- JPH098409A JPH098409A JP15731095A JP15731095A JPH098409A JP H098409 A JPH098409 A JP H098409A JP 15731095 A JP15731095 A JP 15731095A JP 15731095 A JP15731095 A JP 15731095A JP H098409 A JPH098409 A JP H098409A
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- Japan
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- type
- light emitting
- confinement
- confinement layer
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 長寿命かつ低消費電力な青緑色領域のII−VI
族半導体発光素子を提供することにある。 【構成】 ＺnzＣd1-zＴe（０≦ｚ＜１）、ＨgvＺn1-v
Ｔe（０≦ｖ≦１）又はＩnwＧa1-wＳb（０≦ｗ≦１）か
らなる基板上に形成され、少なくとも、ＺnxＣdyＭg
1-x-yＴe層（０≦ｘ，ｙ，ｘ＋ｙ≦１）を有しているこ
とを特徴とする。
族半導体発光素子を提供することにある。 【構成】 ＺnzＣd1-zＴe（０≦ｚ＜１）、ＨgvＺn1-v
Ｔe（０≦ｖ≦１）又はＩnwＧa1-wＳb（０≦ｗ≦１）か
らなる基板上に形成され、少なくとも、ＺnxＣdyＭg
1-x-yＴe層（０≦ｘ，ｙ，ｘ＋ｙ≦１）を有しているこ
とを特徴とする。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、II−VI族半導体発光素
子に関する。
子に関する。
【０００２】
【従来の技術】II−VI族半導体を用いた青緑色領域（波
長４８０〜５２０ｎｍ）の発光素子では、従来、キャリ
ア注入及び光閉じ込めを行うクラッドにＺnＭgＳＳeを
用いていた。しかし、この材料はｐ型不純物添加が難し
く、かつ添加されてもアクセプタのエネルギー凖位が深
いため、ｐ型ＺnＭgＳＳeクラッド層の正孔濃度は約１
×１０17ｃｍ-3が限界であり、その結果、素子抵抗を増
大させていた。
長４８０〜５２０ｎｍ）の発光素子では、従来、キャリ
ア注入及び光閉じ込めを行うクラッドにＺnＭgＳＳeを
用いていた。しかし、この材料はｐ型不純物添加が難し
く、かつ添加されてもアクセプタのエネルギー凖位が深
いため、ｐ型ＺnＭgＳＳeクラッド層の正孔濃度は約１
×１０17ｃｍ-3が限界であり、その結果、素子抵抗を増
大させていた。
【０００３】さらに、この材料は、価電子帯のエネルギ
ー凖位が真空凖位より６．７〜６．８ｅＶと深いため、
ｐ型ＺnＭgＳＳe層に直接オーミック電極を形成するこ
とは原理的に困難である。このため、ｎ型基板を用いた
素子において、ｐ型ＺnＭgＳＳe層に直接電極を形成す
ると、接触電位が大きくなる。あわせて、低い正孔濃度
のため、電極との接触抵抗も大きくなる。
ー凖位が真空凖位より６．７〜６．８ｅＶと深いため、
ｐ型ＺnＭgＳＳe層に直接オーミック電極を形成するこ
とは原理的に困難である。このため、ｎ型基板を用いた
素子において、ｐ型ＺnＭgＳＳe層に直接電極を形成す
ると、接触電位が大きくなる。あわせて、低い正孔濃度
のため、電極との接触抵抗も大きくなる。
【０００４】これらの結果、素子の電流−電圧（Ｉ−
Ｖ）特性において、電流の立ち上がり電圧が高く、抵抗
も高くなる。さらに、ｐ型基板として従来用いられてい
るＧaＡs基板を用いた場合には、価電子帯のエネルギー
凖位が深いために、ｐ型クラッド層の価電子帯とｐ型Ｇ
aＡs基板の価電子帯の間に大きな電位障壁が生じ、Ｉ−
Ｖ特性の立ち上がり電圧が高くなる。
Ｖ）特性において、電流の立ち上がり電圧が高く、抵抗
も高くなる。さらに、ｐ型基板として従来用いられてい
るＧaＡs基板を用いた場合には、価電子帯のエネルギー
凖位が深いために、ｐ型クラッド層の価電子帯とｐ型Ｇ
aＡs基板の価電子帯の間に大きな電位障壁が生じ、Ｉ−
Ｖ特性の立ち上がり電圧が高くなる。
【０００５】これらの要因により、現在のII−VI族半導
体発光素子では、Ｉ−Ｖ特性における大きなビルトイン
電圧と高い微分抵抗のため駆動電圧が高くなり、素子の
寿命も一時間程度と短い。さらに、駆動のための消費電
力も高くなる。
体発光素子では、Ｉ−Ｖ特性における大きなビルトイン
電圧と高い微分抵抗のため駆動電圧が高くなり、素子の
寿命も一時間程度と短い。さらに、駆動のための消費電
力も高くなる。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、長寿
命かつ低消費電力な青緑色領域のII−VI族半導体発光素
子を提供することにある。
命かつ低消費電力な青緑色領域のII−VI族半導体発光素
子を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】斯かる目的を達成する本
発明は、ダブルヘテロ構造もしくはセパレートコンファ
インメントヘテロ構造を有するII−VI族半導体発光素子
において、クラッド層及び発光層の材料に、ＺnxＣdyＭ
g1-x-yＴe（０≦ｘ，ｙ，ｘ＋ｙ≦１）を用いることを
特徴とする。
発明は、ダブルヘテロ構造もしくはセパレートコンファ
インメントヘテロ構造を有するII−VI族半導体発光素子
において、クラッド層及び発光層の材料に、ＺnxＣdyＭ
g1-x-yＴe（０≦ｘ，ｙ，ｘ＋ｙ≦１）を用いることを
特徴とする。
【０００８】
【作用】ＺnxＣdyＭg1-x-yＴe（以下、ＺnＣdＭgＴeと
記す）は、VI族元素としてＴeを用いているため、高純
度のｐ型不純物添加（最大１×１０19ｃｍ-3）が可能で
ある。したがって、これらの材料を用いることにより、
従来のＺnＭgＳＳeを用いた場合より抵抗の低いｐ型ク
ラッド層を得ることができる。
記す）は、VI族元素としてＴeを用いているため、高純
度のｐ型不純物添加（最大１×１０19ｃｍ-3）が可能で
ある。したがって、これらの材料を用いることにより、
従来のＺnＭgＳＳeを用いた場合より抵抗の低いｐ型ク
ラッド層を得ることができる。
【０００９】また、これらの材料の価電子帯のエネルギ
ー凖位は、真空凖位から５．７〜５．８ｅＶ以下にあ
り，ＺnＭgＳＳeより約１ｅＶ浅い。このため、ｎ型基
板に用いた素子において、これらの材料によるｐ型クラ
ッド層あるいはコンタクト層に直接電極を形成すると、
接触電位が従来より小さくなる。
ー凖位は、真空凖位から５．７〜５．８ｅＶ以下にあ
り，ＺnＭgＳＳeより約１ｅＶ浅い。このため、ｎ型基
板に用いた素子において、これらの材料によるｐ型クラ
ッド層あるいはコンタクト層に直接電極を形成すると、
接触電位が従来より小さくなる。
【００１０】更に、キャリア濃度も高いため、ｐ型電極
における接触抵抗が従来より小さくなる。これらの結
果、素子のＩ−Ｖ特性において、電流の立ち上がり電圧
が低く、素子抵抗も低くなる。更に、ｐ型の基板を用い
た場合には、これらの材料の価電子帯のエネルギー凖位
が深いためにｐ型クラッド層の価電子帯と。ｐ型基板の
価電子帯の間の電位障壁が小さくなり、Ｉ−Ｖ特性の立
ち上がり電圧が小さくなる。
における接触抵抗が従来より小さくなる。これらの結
果、素子のＩ−Ｖ特性において、電流の立ち上がり電圧
が低く、素子抵抗も低くなる。更に、ｐ型の基板を用い
た場合には、これらの材料の価電子帯のエネルギー凖位
が深いためにｐ型クラッド層の価電子帯と。ｐ型基板の
価電子帯の間の電位障壁が小さくなり、Ｉ−Ｖ特性の立
ち上がり電圧が小さくなる。
【００１１】これらの理由により、従来のII−VI族半導
体発光層よりもＩ−Ｖ特性におけるビルトイン電圧と微
分抵抗が小さくなり、駆動電圧が大きく低減される。そ
の結果、発熱量が減少し、素子の長寿命化が可能とな
る。更に、駆動のための消費電力も低くなる。
体発光層よりもＩ−Ｖ特性におけるビルトイン電圧と微
分抵抗が小さくなり、駆動電圧が大きく低減される。そ
の結果、発熱量が減少し、素子の長寿命化が可能とな
る。更に、駆動のための消費電力も低くなる。
【００１２】
【実施例】以下、本発明について、図面に示す実施例を
参照して詳細に説明する。
参照して詳細に説明する。
【００１３】〔実施例１〕本発明の第１の実施例に係る
半導体レーザを図１に示す。本実施例は、ｐ型基板を用
いたものである。図１は、レーザ共振器を光の伝搬方向
に対し垂直に切断した断面図である。紙面に垂直な方向
が［１−１０］方向である。
半導体レーザを図１に示す。本実施例は、ｐ型基板を用
いたものである。図１は、レーザ共振器を光の伝搬方向
に対し垂直に切断した断面図である。紙面に垂直な方向
が［１−１０］方向である。
【００１４】図中において、１はｐ型Ｚn0.2Ｃd0.8Ｔe
基板、２はＺn0.2Ｃd0.8Ｔe基板に格子整合する窒素ド
ープｐ型Ｚn0.04Ｍg0.96Ｔe光閉じ込め層（厚さ２μ
ｍ、キャリア濃度１×１０18ｃｍ-3）、３は窒素ドープ
ｐ型Ｃd0.1Ｍg0.9Ｔeキャリア閉じ込め層（厚さ１μ
ｍ、キャリア濃度５×１０17ｃｍ-3）、４は厚さ１０μ
ｍのノンドープＣd0.36Ｍg0.64Ｔe単一量子井戸活性
層、５は塩素ドープｎ型Ｃd0.1Ｍg0.9Ｔeキャリア閉じ
込め層（厚さ１μｍ、キャリア濃度５×１０17ｃ
ｍ-3）、６は塩素ドープｎ型Ｚn0.04Ｍg0.96Ｔe光閉じ
込め層（厚さ２μｍ、キャリア濃度１×１０18ｃ
ｍ-3）、７は電流狭窄のためのシリコン酸化膜絶縁層、
８はチタン、白金、金の順に蒸着したｎ型オーミック電
極、９は金電極である。
基板、２はＺn0.2Ｃd0.8Ｔe基板に格子整合する窒素ド
ープｐ型Ｚn0.04Ｍg0.96Ｔe光閉じ込め層（厚さ２μ
ｍ、キャリア濃度１×１０18ｃｍ-3）、３は窒素ドープ
ｐ型Ｃd0.1Ｍg0.9Ｔeキャリア閉じ込め層（厚さ１μ
ｍ、キャリア濃度５×１０17ｃｍ-3）、４は厚さ１０μ
ｍのノンドープＣd0.36Ｍg0.64Ｔe単一量子井戸活性
層、５は塩素ドープｎ型Ｃd0.1Ｍg0.9Ｔeキャリア閉じ
込め層（厚さ１μｍ、キャリア濃度５×１０17ｃ
ｍ-3）、６は塩素ドープｎ型Ｚn0.04Ｍg0.96Ｔe光閉じ
込め層（厚さ２μｍ、キャリア濃度１×１０18ｃ
ｍ-3）、７は電流狭窄のためのシリコン酸化膜絶縁層、
８はチタン、白金、金の順に蒸着したｎ型オーミック電
極、９は金電極である。
【００１５】ここで、光閉じ込め層２、キャリア閉じ込
め層３、単一量子井戸活性層４、キャリア閉じ込め層５
及び光閉じ込め層６よりなる積層構造は、ダブルヘテロ
構造の一種である分離閉じ込めヘテロ構造（ＳＣＨ構
造）と言われる積層構造であり、光閉じ込め層２，６
と、キャリア閉じ込め層３，５とによって、光とキャリ
アをそれぞれ分離して閉じ込める。
め層３、単一量子井戸活性層４、キャリア閉じ込め層５
及び光閉じ込め層６よりなる積層構造は、ダブルヘテロ
構造の一種である分離閉じ込めヘテロ構造（ＳＣＨ構
造）と言われる積層構造であり、光閉じ込め層２，６
と、キャリア閉じ込め層３，５とによって、光とキャリ
アをそれぞれ分離して閉じ込める。
【００１６】・素子特性 図１の構造の素子をジャンクション・ダウンでダイヤモ
ンド・ヒートシンク上に鉛錫共晶合金用いてマウントし
たときの、室温でのＩ−Ｖ特性を図２に（ａ）で示す。
共振器長は１ｍｍ、室温での閾値電流密度は４８０Ａ／
ｃｍ2、発振波長は５１０ｎｍである。図２から、本実
施例の素子の室温での電流立ち上がり電圧が約４．３Ｖ
であることがわかる。
ンド・ヒートシンク上に鉛錫共晶合金用いてマウントし
たときの、室温でのＩ−Ｖ特性を図２に（ａ）で示す。
共振器長は１ｍｍ、室温での閾値電流密度は４８０Ａ／
ｃｍ2、発振波長は５１０ｎｍである。図２から、本実
施例の素子の室温での電流立ち上がり電圧が約４．３Ｖ
であることがわかる。
【００１７】比較例として、ＺnＭgＳＳeをクラッド層
に用い、本素子と同様のＳＣＨ構造を持つ従来型のレー
ザダイオードの特性を調べたところ、室温で図２に
（ｂ）で示すＩ−Ｖ特性が得られた。室温での電流立ち
上がり電圧は約１０．３Ｖであり、本素子に比較して２
倍以上大きい。また、同一測定条件下での閾値電流密度
は７００Ａ／ｃｍ2であり、本素子の約１．５倍であ
る。次に、本実施例の素子及び従来型素子の室温での寿
命を調べた。いずれの素子に対しても１ｍＷの一定光出
力条件下での連続動作時間を測定した。従来型の素子が
約１時間であるのに対して、本実施例の素子は寿命が飛
躍的に延び、２１３時間であった。
に用い、本素子と同様のＳＣＨ構造を持つ従来型のレー
ザダイオードの特性を調べたところ、室温で図２に
（ｂ）で示すＩ−Ｖ特性が得られた。室温での電流立ち
上がり電圧は約１０．３Ｖであり、本素子に比較して２
倍以上大きい。また、同一測定条件下での閾値電流密度
は７００Ａ／ｃｍ2であり、本素子の約１．５倍であ
る。次に、本実施例の素子及び従来型素子の室温での寿
命を調べた。いずれの素子に対しても１ｍＷの一定光出
力条件下での連続動作時間を測定した。従来型の素子が
約１時間であるのに対して、本実施例の素子は寿命が飛
躍的に延び、２１３時間であった。
【００１８】これらの素子特性の改善は、ＺnＭgＴe及
びＺnＣdＴeをそれぞれｐ型光閉じ込め層２及びキャリ
ア閉じ込め層３に用いたことによる、両層２，３の抵抗
の低減及び基板１とクラッド層２の間の価電子帯不連続
の低減に起因するものである。ここで、基板１として
は、ＺnＣdＴe基板を用いたが、本発明はこれに限るも
のではなく、ＨgＺnＴe基板やIII-Ｖ族半導体のＩnＧa
Ｓb基板などでも良い。また、層１と層２との間に、バ
ッファ層として基板と同一材料である窒素ドープｐ型Ｚ
n0.2Ｃd0.8Ｔe（厚さ０．１μｍ、キャリア濃度１×１
０18ｃｍ-3）を入れても良い。
びＺnＣdＴeをそれぞれｐ型光閉じ込め層２及びキャリ
ア閉じ込め層３に用いたことによる、両層２，３の抵抗
の低減及び基板１とクラッド層２の間の価電子帯不連続
の低減に起因するものである。ここで、基板１として
は、ＺnＣdＴe基板を用いたが、本発明はこれに限るも
のではなく、ＨgＺnＴe基板やIII-Ｖ族半導体のＩnＧa
Ｓb基板などでも良い。また、層１と層２との間に、バ
ッファ層として基板と同一材料である窒素ドープｐ型Ｚ
n0.2Ｃd0.8Ｔe（厚さ０．１μｍ、キャリア濃度１×１
０18ｃｍ-3）を入れても良い。
【００１９】〔実施例２〕本発明の第２の実施例に係る
半導体レーザを図３に示す。本実施例は、ｎ型基板を用
いたものである。そのため、図３に示すように、レーザ
構造はｐ基板を用いたときとｐｎを反転させた積層構造
としたものとなっている。
半導体レーザを図３に示す。本実施例は、ｎ型基板を用
いたものである。そのため、図３に示すように、レーザ
構造はｐ基板を用いたときとｐｎを反転させた積層構造
としたものとなっている。
【００２０】図中において、１０はｎ型Ｚn0.2Ｃd0.8Ｔ
e基板、１１はＺn0.2Ｃd0.8Ｔe基板に格子整合する塩素
ドープｎ型Ｚn0.04Ｍg0.96Ｔe光閉じ込め層（厚さ２μ
ｍ、キャリア濃度１×１０18ｃｍ-3）、１２は塩素ドー
プｎ型Ｃd0.1Ｍg0.9Ｔeキャリア閉じ込め層（厚さ１μ
ｍ、キャリア濃度５×１０17ｃｍ-3）、１３は厚さ１０
μｍのノンドープＣd0.36Ｍg0.64Ｔe単一量子井戸活性
層、１４は窒素ドープｐ型Ｃd0.1Ｍg0.9Ｔeキャリア閉
じ込め層（厚さ１μｍ、キャリア濃度５×１０1 7ｃ
ｍ-3）、１５は窒素ドープｐ型Ｚn0.04Ｍg0.96Ｔe光閉
じ込め層（厚さ２μｍ、キャリア濃度１×１０18ｃ
ｍ-3）、１６は電流狭窄のためのシリコン酸化膜絶縁
層、１７は金電極、１８はチタン、白金、金の順に蒸着
したｎ型オーミック電極である。
e基板、１１はＺn0.2Ｃd0.8Ｔe基板に格子整合する塩素
ドープｎ型Ｚn0.04Ｍg0.96Ｔe光閉じ込め層（厚さ２μ
ｍ、キャリア濃度１×１０18ｃｍ-3）、１２は塩素ドー
プｎ型Ｃd0.1Ｍg0.9Ｔeキャリア閉じ込め層（厚さ１μ
ｍ、キャリア濃度５×１０17ｃｍ-3）、１３は厚さ１０
μｍのノンドープＣd0.36Ｍg0.64Ｔe単一量子井戸活性
層、１４は窒素ドープｐ型Ｃd0.1Ｍg0.9Ｔeキャリア閉
じ込め層（厚さ１μｍ、キャリア濃度５×１０1 7ｃ
ｍ-3）、１５は窒素ドープｐ型Ｚn0.04Ｍg0.96Ｔe光閉
じ込め層（厚さ２μｍ、キャリア濃度１×１０18ｃ
ｍ-3）、１６は電流狭窄のためのシリコン酸化膜絶縁
層、１７は金電極、１８はチタン、白金、金の順に蒸着
したｎ型オーミック電極である。
【００２１】本実施例においても、前述した実施例１と
同様の素子特性の改善が得られる。これは、ＺnＭgＴe
及びＺnＣdＴeをそれぞれｐ型の光閉じ込め層１５及び
キャリア閉じ込め層１４に用いたことによる、両層１
４，１５の抵抗の低減及びｐ型電極１７とクラッド層１
５の間の接触抵抗のの低減に起因するものである。ここ
で、基板１０としては、ＺnＣdＴe基板を用いたが、本
発明はこれに限るものではなく、ＨgＺnＴe基板やIII-
Ｖ族半導体のＩnＧaＳb基板などでも良い。また、層１
５と層１７との間に、窒素高ドープｐ型Ｚn0.04Ｍg0.96
Ｔeコンタクト層（厚さ０．０５μｍ、キャリア濃度１
×１０19ｃｍ-3）を入れても良い。
同様の素子特性の改善が得られる。これは、ＺnＭgＴe
及びＺnＣdＴeをそれぞれｐ型の光閉じ込め層１５及び
キャリア閉じ込め層１４に用いたことによる、両層１
４，１５の抵抗の低減及びｐ型電極１７とクラッド層１
５の間の接触抵抗のの低減に起因するものである。ここ
で、基板１０としては、ＺnＣdＴe基板を用いたが、本
発明はこれに限るものではなく、ＨgＺnＴe基板やIII-
Ｖ族半導体のＩnＧaＳb基板などでも良い。また、層１
５と層１７との間に、窒素高ドープｐ型Ｚn0.04Ｍg0.96
Ｔeコンタクト層（厚さ０．０５μｍ、キャリア濃度１
×１０19ｃｍ-3）を入れても良い。
【００２２】また、上述の実施例では、光閉じ込め層及
びキャリア閉じ込め層として、ＺnＣdＴe又はＺnＭgＴe
を用いているが、それに代えて、ＺnＣdＭgＴeにしても
同様の効果が得られる。更に、上記実施例においては、
セパレートコンファインメントヘテロ構造のレーザの例
を示したが、ｐｎ接合や、ダブルヘテロ構造、あるいは
これらの改良構造の発光素子においても、同様の概念を
用いることにより、本発明の効果が得られる。
びキャリア閉じ込め層として、ＺnＣdＴe又はＺnＭgＴe
を用いているが、それに代えて、ＺnＣdＭgＴeにしても
同様の効果が得られる。更に、上記実施例においては、
セパレートコンファインメントヘテロ構造のレーザの例
を示したが、ｐｎ接合や、ダブルヘテロ構造、あるいは
これらの改良構造の発光素子においても、同様の概念を
用いることにより、本発明の効果が得られる。
【００２３】
【発明の効果】以上、実施例に基づいて具体的に説明し
たように、本発明のII−VI族半導体発光素子は、クラッ
ド層及び活性層の材料としてＺnＣdＭgＴeを用いたた
め、従来のＺnＭgＳＳeより抵抗の低いｐ型のクラッド
層を得ることができる。また、これらの材料の価電子帯
のエネルギー凖位が従来の材料より浅いことから、ｐ型
クラッド層と電極間の接触電位及び接触抵抗或いはｐ型
クラッド層と基板との間の接触抵抗が従来より小さくな
る。これらの効果によって、素子の駆動電圧の低減が図
られることから、本発明を用いると容易に長寿命かつ低
消費電力なII−VI族半導体レーザが得られるという効果
を奏する。
たように、本発明のII−VI族半導体発光素子は、クラッ
ド層及び活性層の材料としてＺnＣdＭgＴeを用いたた
め、従来のＺnＭgＳＳeより抵抗の低いｐ型のクラッド
層を得ることができる。また、これらの材料の価電子帯
のエネルギー凖位が従来の材料より浅いことから、ｐ型
クラッド層と電極間の接触電位及び接触抵抗或いはｐ型
クラッド層と基板との間の接触抵抗が従来より小さくな
る。これらの効果によって、素子の駆動電圧の低減が図
られることから、本発明を用いると容易に長寿命かつ低
消費電力なII−VI族半導体レーザが得られるという効果
を奏する。
【図１】本発明の第１の実施例に係る半導体レーザの断
面図である。
面図である。
【図２】本発明の半導体レーザの電流−電圧特性の例を
示すグラフである。
示すグラフである。
【図３】本発明の第２の実施例に係る半導体レーザの断
面図である。
面図である。
１ ｐ型Ｚn0.2Ｃd0.8Ｔe基板 ２ 窒素ドープｐ型Ｚn0.04Ｍg0.96Ｔe光閉じ込め層 ３ 窒素ドープｐ型Ｃd0.1Ｍg0.9Ｔeキャリア閉じ込め
層 ４ ノンドープＣd0.36Ｍg0.64Ｔe単一量子井戸活性層 ５ 塩素ドープｎ型Ｃd0.1Ｍg0.9Ｔeキャリア閉じ込め
層 ６ 塩素ドープｎ型Ｚn0.04Ｍg0.96Ｔe光閉じ込め層 ７ シリコン酸化膜絶縁層 ８ チタン／白金／金電極 ９ 金電極 １０ ｎ型Ｚn0.2Ｃd0.8Ｔe基板 １１ 塩素ドープｎ型Ｚn0.04Ｍg0.96Ｔe光閉じ込め層 １２ 塩素ドープｎ型Ｃd0.1Ｍg0.9Ｔeキャリア閉じ込
め層 １３ ノンドープＣd0.36Ｍg0.64Ｔe単一量子井戸活性
層 １４ 窒素ドープｐ型Ｃd0.1Ｍg0.9Ｔeキャリア閉じ込
め層 １５ 窒素ドープｐ型Ｚn0.04Ｍg0.96Ｔe光閉じ込め層 １６ シリコン酸化膜絶縁層 １７ 金電極 １８ チタン／白金／金電極
層 ４ ノンドープＣd0.36Ｍg0.64Ｔe単一量子井戸活性層 ５ 塩素ドープｎ型Ｃd0.1Ｍg0.9Ｔeキャリア閉じ込め
層 ６ 塩素ドープｎ型Ｚn0.04Ｍg0.96Ｔe光閉じ込め層 ７ シリコン酸化膜絶縁層 ８ チタン／白金／金電極 ９ 金電極 １０ ｎ型Ｚn0.2Ｃd0.8Ｔe基板 １１ 塩素ドープｎ型Ｚn0.04Ｍg0.96Ｔe光閉じ込め層 １２ 塩素ドープｎ型Ｃd0.1Ｍg0.9Ｔeキャリア閉じ込
め層 １３ ノンドープＣd0.36Ｍg0.64Ｔe単一量子井戸活性
層 １４ 窒素ドープｐ型Ｃd0.1Ｍg0.9Ｔeキャリア閉じ込
め層 １５ 窒素ドープｐ型Ｚn0.04Ｍg0.96Ｔe光閉じ込め層 １６ シリコン酸化膜絶縁層 １７ 金電極 １８ チタン／白金／金電極
Claims (2)
- 【請求項１】 ＺnzＣd1-zＴe（０≦ｚ＜１）、ＨgvＺn
1-vＴe（０≦ｖ≦１）又はＩnwＧa1-wＳb（０≦ｗ≦
１）からなる基板上に形成され、少なくとも、ＺnxＣdy
Ｍg1-x-yＴe層（０≦ｘ，ｙ，ｘ＋ｙ≦１）を有してい
ることを特徴とするII−VI族半導体発光素子。 - 【請求項２】 前記ＺnxＣdyＭg1-x-yＴe層は、ｐ型の
光閉じ込め層及びキャリア閉じ込め層として形成される
ことを特徴とする請求項１記載のII−VI族半導体発光素
子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15731095A JPH098409A (ja) | 1995-06-23 | 1995-06-23 | Ｉｉ−ｖｉ族半導体発光素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15731095A JPH098409A (ja) | 1995-06-23 | 1995-06-23 | Ｉｉ−ｖｉ族半導体発光素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH098409A true JPH098409A (ja) | 1997-01-10 |
Family
ID=15646883
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15731095A Withdrawn JPH098409A (ja) | 1995-06-23 | 1995-06-23 | Ｉｉ−ｖｉ族半導体発光素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH098409A (ja) |
-
1995
- 1995-06-23 JP JP15731095A patent/JPH098409A/ja not_active Withdrawn
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