JPH098584A - 分波器及び高周波信号処理モジュール - Google Patents
分波器及び高周波信号処理モジュールInfo
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- JPH098584A JPH098584A JP15017195A JP15017195A JPH098584A JP H098584 A JPH098584 A JP H098584A JP 15017195 A JP15017195 A JP 15017195A JP 15017195 A JP15017195 A JP 15017195A JP H098584 A JPH098584 A JP H098584A
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- Japan
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- circuit
- transmission
- reception
- duplexer
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- Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 特性劣化や信頼性劣化を生じることなく小形
化や軽量化を図ることが可能な分波器や一体化高周波信
号処理モジュールを提供する。 【構成】 送信用フィルタ及び分波回路の各回路素子
を、多層基板(両面基板を含む)の導電パターン又はチ
ップ部品により構成し、受信用フィルタに弾性表面波共
振器を適用して上記多層基板に実装して分波器を構成す
る。又は、送信用フィルタ、受信用フィルタ及び分波回
路の各回路素子を多層基板の導電パターン又はチップ部
品により構成して分波器を構成する。このような分波器
を、高周波電力を増幅する高周波電力増幅器と一緒に、
同一の多層基板に一体的に形成して高周波信号処理モジ
ュールを構成する。
化や軽量化を図ることが可能な分波器や一体化高周波信
号処理モジュールを提供する。 【構成】 送信用フィルタ及び分波回路の各回路素子
を、多層基板(両面基板を含む)の導電パターン又はチ
ップ部品により構成し、受信用フィルタに弾性表面波共
振器を適用して上記多層基板に実装して分波器を構成す
る。又は、送信用フィルタ、受信用フィルタ及び分波回
路の各回路素子を多層基板の導電パターン又はチップ部
品により構成して分波器を構成する。このような分波器
を、高周波電力を増幅する高周波電力増幅器と一緒に、
同一の多層基板に一体的に形成して高周波信号処理モジ
ュールを構成する。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、携帯電話装置等の無線
装置に適用される分波器及び高周波信号処理モジュール
に関するものである。
装置に適用される分波器及び高周波信号処理モジュール
に関するものである。
【0002】
【従来の技術】図2は、携帯電話装置等の無線装置にお
ける高周波信号処理回路の一般的構成を示すブロック図
である。
ける高周波信号処理回路の一般的構成を示すブロック図
である。
【0003】図2において、変調されて高周波信号に変
換された送信信号は、制御部27から電力指示情報等が
与えられる高周波電力増幅器21によって電力増幅され
た後、送信用フィルタ22を介して帯域制限され、分波
回路23を介してアンテナ25に供給されて空間に放射
される。一方、アンテナ25が捕捉した受信信号は、分
波回路23を介して受信用フィルタ24に入力されて帯
域制限された後、受信増幅器26に入力されて増幅され
て図示しない復調処理部に供給される。この際、受信増
幅器26が得た受信電界強度情報等は制御部27に供給
される。
換された送信信号は、制御部27から電力指示情報等が
与えられる高周波電力増幅器21によって電力増幅され
た後、送信用フィルタ22を介して帯域制限され、分波
回路23を介してアンテナ25に供給されて空間に放射
される。一方、アンテナ25が捕捉した受信信号は、分
波回路23を介して受信用フィルタ24に入力されて帯
域制限された後、受信増幅器26に入力されて増幅され
て図示しない復調処理部に供給される。この際、受信増
幅器26が得た受信電界強度情報等は制御部27に供給
される。
【0004】移動無線装置においては、その携帯性等の
ために各部に対する小形化、軽量化要求が大きく、従来
においては、要求を考慮して所望の性能が達成できる単
位でモジュール化されている。例えば、高周波電力増幅
器21は1個のモジュールで構成されており、また、送
信用フィルタ22、分波回路23及び受信用フィルタ2
4でなる分波器は1個のモジュールで構成されている。
ために各部に対する小形化、軽量化要求が大きく、従来
においては、要求を考慮して所望の性能が達成できる単
位でモジュール化されている。例えば、高周波電力増幅
器21は1個のモジュールで構成されており、また、送
信用フィルタ22、分波回路23及び受信用フィルタ2
4でなる分波器は1個のモジュールで構成されている。
【0005】図3は従来の高周波電力増幅器21を示す
ものであり、図3(A)はその増幅処理本体の回路図で
あり、図3(B)はその主要部品の搭載図である。
ものであり、図3(A)はその増幅処理本体の回路図で
あり、図3(B)はその主要部品の搭載図である。
【0006】図3(A)において、電力増幅用半導体と
しては縦続接続された3個のトランジスタ31(Q1)
〜33(Q3)が適用され、トランジスタ31(Q1)
としてはシリコントランジスタ部品が用いられ、トラン
ジスタ32(Q2)及び33(Q3)としてはGaAs
トランジスタ部品が用いられる。そして、結合コンデン
サ等のキャパシタや、バイアス抵抗や、インダクタ(L
1 〜L3 )が表面層や内部層にストリップライン等によ
ってパターン形成されている基板に、トランジスタ31
〜33等の部品が搭載されて高周波電力増幅モジュール
が実現されている。
しては縦続接続された3個のトランジスタ31(Q1)
〜33(Q3)が適用され、トランジスタ31(Q1)
としてはシリコントランジスタ部品が用いられ、トラン
ジスタ32(Q2)及び33(Q3)としてはGaAs
トランジスタ部品が用いられる。そして、結合コンデン
サ等のキャパシタや、バイアス抵抗や、インダクタ(L
1 〜L3 )が表面層や内部層にストリップライン等によ
ってパターン形成されている基板に、トランジスタ31
〜33等の部品が搭載されて高周波電力増幅モジュール
が実現されている。
【0007】なお、高周波電力増幅器21は、増幅処理
本体の他に、例えばSAWフィルタ(弾性表面波共振器
を用いたフィルタ)が適用されている入力バンドパスフ
ィルタ(BPF)30や方向性結合器や検波器等もその
要素としており、モジュールの多層基板には、その要素
のチップ部品が実装されたり、その要素を構成するキャ
パシタや抵抗やインダクタが表面層や内部層にパターン
形成されている。
本体の他に、例えばSAWフィルタ(弾性表面波共振器
を用いたフィルタ)が適用されている入力バンドパスフ
ィルタ(BPF)30や方向性結合器や検波器等もその
要素としており、モジュールの多層基板には、その要素
のチップ部品が実装されたり、その要素を構成するキャ
パシタや抵抗やインダクタが表面層や内部層にパターン
形成されている。
【0008】図4は従来の分波器を示すものであり(米
国特許第5015973号参照)、図4(A)はその回
路図であり、図4(B)はその送信用フィルタ45(図
2では22で示している)及び受信用フィルタ51(図
2では22で示している)を搭載する基板表面のパター
ン図である。
国特許第5015973号参照)、図4(A)はその回
路図であり、図4(B)はその送信用フィルタ45(図
2では22で示している)及び受信用フィルタ51(図
2では22で示している)を搭載する基板表面のパター
ン図である。
【0009】図4(A)において、送信用フィルタ45
及び受信用フィルタ51は誘電体共振器を用いて実現さ
れている。この場合において、誘電体共振器として、誘
電率εs が70〜90であるかなり高いのものが用いら
れ、小形で十分な尖鋭度Q(高性能化)が図られてい
る。このような誘電体共振器構成の送信用フィルタ45
及び受信用フィルタ51のブロック体が表面に実装され
る基板54には、図4(B)に示すように、分波回路5
5(図2では23で示している)を構成する各種回路素
子(41〜44、48〜50)のパターンや入出力端子
も設けられている。
及び受信用フィルタ51は誘電体共振器を用いて実現さ
れている。この場合において、誘電体共振器として、誘
電率εs が70〜90であるかなり高いのものが用いら
れ、小形で十分な尖鋭度Q(高性能化)が図られてい
る。このような誘電体共振器構成の送信用フィルタ45
及び受信用フィルタ51のブロック体が表面に実装され
る基板54には、図4(B)に示すように、分波回路5
5(図2では23で示している)を構成する各種回路素
子(41〜44、48〜50)のパターンや入出力端子
も設けられている。
【0010】また、図示は省略するが、送信用フィルタ
及び受信用フィルタのそれぞれに、SAWフィルタを用
い、これら2個のSAWフィルタが実装される基板に、
分波回路を構成する回路素子を形成した分波器も既に提
案されている。
及び受信用フィルタのそれぞれに、SAWフィルタを用
い、これら2個のSAWフィルタが実装される基板に、
分波回路を構成する回路素子を形成した分波器も既に提
案されている。
【0011】上述のような高周波電力増幅器や分波器の
モジュールはそれぞれ、厳しい要求規格が課せられ、こ
の要求規格を満足するように設計されている。
モジュールはそれぞれ、厳しい要求規格が課せられ、こ
の要求規格を満足するように設計されている。
【0012】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
分波器だけを検討しても以下の課題を有するものであっ
た。
分波器だけを検討しても以下の課題を有するものであっ
た。
【0013】携帯電話装置等においては、その携帯性の
ために小形化、軽量化の要求は大きいが、送信用フィル
タ及び受信用フィルタとして誘電体共振器構成のフィル
タを用いている従来の分波器においては、さらなる小形
化や軽量化は困難となっている。一方、送信用フィルタ
及び受信用フィルタとしてSAWフィルタを用いている
分波器は、小形化や軽量化はある程度達成されるが、S
AWフィルタの耐電力性の問題から使用可能な範囲が限
定されてしまうという課題がある。
ために小形化、軽量化の要求は大きいが、送信用フィル
タ及び受信用フィルタとして誘電体共振器構成のフィル
タを用いている従来の分波器においては、さらなる小形
化や軽量化は困難となっている。一方、送信用フィルタ
及び受信用フィルタとしてSAWフィルタを用いている
分波器は、小形化や軽量化はある程度達成されるが、S
AWフィルタの耐電力性の問題から使用可能な範囲が限
定されてしまうという課題がある。
【0014】そのため、特性劣化や信頼性劣化を生じる
ことなく小形化や軽量化を図ることが可能な分波器が求
められている。
ことなく小形化や軽量化を図ることが可能な分波器が求
められている。
【0015】また、図2に示す高周波信号処理回路か
ら、従来の高周波電力増幅及び分波器のモジュールの双
方を検討した場合にも以下のような課題を有するもので
あった。すなわち、図3に示すような高周波電力増幅器
や図4に示すような分波器では、最近、一段と要求が厳
しくなった小形化、軽量化、高性能化等の要求に対応す
ることが困難になってきている。
ら、従来の高周波電力増幅及び分波器のモジュールの双
方を検討した場合にも以下のような課題を有するもので
あった。すなわち、図3に示すような高周波電力増幅器
や図4に示すような分波器では、最近、一段と要求が厳
しくなった小形化、軽量化、高性能化等の要求に対応す
ることが困難になってきている。
【0016】高周波電力増幅器及び分波器は各々厳しい
規格が課せられ、そのため、上述のように各々1個のモ
ジュールとして扱われ、製作されている。従って、高周
波電力増幅器、分波器の各モジュールの他に、図2に示
す高周波信号処理回路の実現に際しては、他の回路部分
のためのモジュール(部品を搭載した配線基板)が別に
用意されている。
規格が課せられ、そのため、上述のように各々1個のモ
ジュールとして扱われ、製作されている。従って、高周
波電力増幅器、分波器の各モジュールの他に、図2に示
す高周波信号処理回路の実現に際しては、他の回路部分
のためのモジュール(部品を搭載した配線基板)が別に
用意されている。
【0017】このように複数のモジュールによって構成
される図2に示す高周波信号処理回路においては、その
特性は、各モジュールにおける実装基板の部品搭載位置
や配線の位置に依存するだけでなく、複数のモジュール
の実装位置や複数のモジュール間の配線関係にも依存し
ている。すなわち、高周波信号処理回路の実装基板に対
する各モジュールの実装位置や、モジュール間の配線
や、各モジュールにおける部品搭載位置や配線位置によ
り、各モジュールの単体での特性がでない場合が多いこ
とが知られている。特に、(1) 高周波信号処理回路の実
装基板上の各部品の搭載位置や、(2) 高周波信号処理回
路の実装基板上の部品搭載位置における他の部品との接
続パッドの大きさや、(3) 各部品間の接続用配線の線路
幅等が特性に影響を与える。
される図2に示す高周波信号処理回路においては、その
特性は、各モジュールにおける実装基板の部品搭載位置
や配線の位置に依存するだけでなく、複数のモジュール
の実装位置や複数のモジュール間の配線関係にも依存し
ている。すなわち、高周波信号処理回路の実装基板に対
する各モジュールの実装位置や、モジュール間の配線
や、各モジュールにおける部品搭載位置や配線位置によ
り、各モジュールの単体での特性がでない場合が多いこ
とが知られている。特に、(1) 高周波信号処理回路の実
装基板上の各部品の搭載位置や、(2) 高周波信号処理回
路の実装基板上の部品搭載位置における他の部品との接
続パッドの大きさや、(3) 各部品間の接続用配線の線路
幅等が特性に影響を与える。
【0018】かかる課題は、携帯電話装置等において
は、この高周波信号処理回路の特性が携帯電話装置等の
性能に最も大きな影響を与えるので、大きな課題であ
る。
は、この高周波信号処理回路の特性が携帯電話装置等の
性能に最も大きな影響を与えるので、大きな課題であ
る。
【0019】そのため、特性劣化及び信頼性劣化を生じ
ることなく、小形化、軽量化を図ることの可能なより多
くの構成部分を一体化した高周波信号処理モジュールが
求められている。
ることなく、小形化、軽量化を図ることの可能なより多
くの構成部分を一体化した高周波信号処理モジュールが
求められている。
【0020】
【課題を解決するための手段】かかる課題を解決するた
め、請求項1に記載の本発明においては、送受共用アン
テナと、送信回路及び受信回路との間に介在され、送信
信号及び受信信号をそれぞれ所定の帯域に制限する分波
器において、送信用フィルタ及び分波回路の各回路素子
を、多層基板(両面基板を含む)の導電パターン又はチ
ップ部品により構成し、受信用フィルタに弾性表面波共
振器を適用して上記多層基板に実装したことを特徴とす
る。
め、請求項1に記載の本発明においては、送受共用アン
テナと、送信回路及び受信回路との間に介在され、送信
信号及び受信信号をそれぞれ所定の帯域に制限する分波
器において、送信用フィルタ及び分波回路の各回路素子
を、多層基板(両面基板を含む)の導電パターン又はチ
ップ部品により構成し、受信用フィルタに弾性表面波共
振器を適用して上記多層基板に実装したことを特徴とす
る。
【0021】また、請求項2に記載の本発明において
は、送受共用アンテナと、送信回路及び受信回路との間
に介在され、送信信号及び受信信号をそれぞれ所定の帯
域に制限する分波器において、送信用フィルタ、受信用
フィルタ及び分波回路の各回路素子を多層基板の導電パ
ターン又はチップ部品により構成したことを特徴とす
る。
は、送受共用アンテナと、送信回路及び受信回路との間
に介在され、送信信号及び受信信号をそれぞれ所定の帯
域に制限する分波器において、送信用フィルタ、受信用
フィルタ及び分波回路の各回路素子を多層基板の導電パ
ターン又はチップ部品により構成したことを特徴とす
る。
【0022】さらに、請求項6に記載の本発明において
は、高周波電力を増幅する高周波電力増幅器、並びに、
送受共用アンテナと、送信回路及び受信回路との間に介
在されて送信信号及び受信信号をそれぞれ所定の帯域に
制限する分波器を、同一の多層基板に一体的に形成する
高周波信号処理モジュールであって、分波器として、上
記記載の構成を有する分波器が適用されていることを特
徴とする。
は、高周波電力を増幅する高周波電力増幅器、並びに、
送受共用アンテナと、送信回路及び受信回路との間に介
在されて送信信号及び受信信号をそれぞれ所定の帯域に
制限する分波器を、同一の多層基板に一体的に形成する
高周波信号処理モジュールであって、分波器として、上
記記載の構成を有する分波器が適用されていることを特
徴とする。
【0023】
【作用】請求項1に記載の本発明においては、送信用フ
ィルタ及び分波回路の各回路素子を、多層基板の導電パ
ターン又はチップ部品により構成し、受信用フィルタに
弾性表面波共振器を適用して上記多層基板に実装したこ
とにより、特性劣化や信頼性劣化を生じることなく小形
化や軽量化を達成することができる。
ィルタ及び分波回路の各回路素子を、多層基板の導電パ
ターン又はチップ部品により構成し、受信用フィルタに
弾性表面波共振器を適用して上記多層基板に実装したこ
とにより、特性劣化や信頼性劣化を生じることなく小形
化や軽量化を達成することができる。
【0024】また、請求項2に記載の本発明において
は、送信用フィルタ、受信用フィルタ及び分波回路の各
回路素子を多層基板の導電パターン又はチップ部品によ
り構成したことにより、特性劣化や信頼性劣化を生じる
ことなく小形化や軽量化を達成することができる。
は、送信用フィルタ、受信用フィルタ及び分波回路の各
回路素子を多層基板の導電パターン又はチップ部品によ
り構成したことにより、特性劣化や信頼性劣化を生じる
ことなく小形化や軽量化を達成することができる。
【0025】さらに、請求項6に記載の本発明において
は、高周波電力増幅器及び分波器を同一の多層基板に一
体的に形成すると共に、分波器として、上記記載の構成
を有する分波器を適用したことにより、特性劣化及び信
頼性劣化を生じることなく、小形化、軽量化を達成でき
る一体化した高周波信号処理モジュールが実現できる。
は、高周波電力増幅器及び分波器を同一の多層基板に一
体的に形成すると共に、分波器として、上記記載の構成
を有する分波器を適用したことにより、特性劣化及び信
頼性劣化を生じることなく、小形化、軽量化を達成でき
る一体化した高周波信号処理モジュールが実現できる。
【0026】
(A)分波器の第1実施例 以下、第1の本発明による分波器の第1実施例を図面を
参照しながら詳述する。ここで、図1がこの第1実施例
の分波器の回路構成を示すブロック図である。
参照しながら詳述する。ここで、図1がこの第1実施例
の分波器の回路構成を示すブロック図である。
【0027】図1において、この分波器も、送信用フィ
ルタ100、受信用フィルタ200及び分波回路300
でなり、送信用フィルタ100は、Tx端(送信信号入
力端)101から入力された送信信号の帯域を所定の帯
域に制限して分波回路300に与えるものであり、受信
用フィルタ200は、分波回路300から与えられた受
信信号の帯域を所定の帯域に制限して不要な信号を除去
するものであり、分波回路300は、アンテナの入力イ
ンピーダンスと送信用フィルタ100の出力インピーダ
ンスを整合させると共に、アンテナの出力インピーダン
スと受信用フィルタ200の入力インピーダンスを整合
させるものである。
ルタ100、受信用フィルタ200及び分波回路300
でなり、送信用フィルタ100は、Tx端(送信信号入
力端)101から入力された送信信号の帯域を所定の帯
域に制限して分波回路300に与えるものであり、受信
用フィルタ200は、分波回路300から与えられた受
信信号の帯域を所定の帯域に制限して不要な信号を除去
するものであり、分波回路300は、アンテナの入力イ
ンピーダンスと送信用フィルタ100の出力インピーダ
ンスを整合させると共に、アンテナの出力インピーダン
スと受信用フィルタ200の入力インピーダンスを整合
させるものである。
【0028】送信用フィルタ100は、Tx端101か
ら分波回路300への送信信号伝送ライン上に直列に接
続された4個の集中定数インダクタ113(L34)〜1
10(L01)と、インダクタ112及び113間の接続
点とインダクタ110及び110の接続点との間に直列
に接続された集中定数インダクタ114(LB )及び集
中定数キャパシタ123(CB )と、Tx端101及び
アースラインE間に接続された集中定数キャパシタ12
5(C4 )と、インダクタ112及び113間の接続点
とアースラインEとの間に直列に接続された集中定数キ
ャパシタ122(C3 )及びストリップライン共振器1
1(S2)と、インダクタ111及び112間の接続点
とアースラインEとの間に直列に接続された集中定数キ
ャパシタ121(C2 )及び集中定数インダクタ115
(L2 )と、インダクタ110及び111間の接続点と
アースラインEとの間に直列に接続された集中定数キャ
パシタ120(C1 )及びストリップライン共振器10
(S1)と、分布回路300への送信信号ライン及びア
ースラインE間に接続された集中定数キャパシタ124
(C0 )とで構成されている。
ら分波回路300への送信信号伝送ライン上に直列に接
続された4個の集中定数インダクタ113(L34)〜1
10(L01)と、インダクタ112及び113間の接続
点とインダクタ110及び110の接続点との間に直列
に接続された集中定数インダクタ114(LB )及び集
中定数キャパシタ123(CB )と、Tx端101及び
アースラインE間に接続された集中定数キャパシタ12
5(C4 )と、インダクタ112及び113間の接続点
とアースラインEとの間に直列に接続された集中定数キ
ャパシタ122(C3 )及びストリップライン共振器1
1(S2)と、インダクタ111及び112間の接続点
とアースラインEとの間に直列に接続された集中定数キ
ャパシタ121(C2 )及び集中定数インダクタ115
(L2 )と、インダクタ110及び111間の接続点と
アースラインEとの間に直列に接続された集中定数キャ
パシタ120(C1 )及びストリップライン共振器10
(S1)と、分布回路300への送信信号ライン及びア
ースラインE間に接続された集中定数キャパシタ124
(C0 )とで構成されている。
【0029】ここで、集中定数インダクタ110〜11
5は、多層基板(両面基板を含む)の導電パターン(1
層だけでなく多層を利用した導電パターンを含む)、空
芯コイル又は銅線のいずれで構成されても良いものであ
る。なお、後述するように極形成回路を構成する集中定
数インダクタ115は大きなインダクタンスが求められ
るので、空芯コイルを適用することが好ましい。
5は、多層基板(両面基板を含む)の導電パターン(1
層だけでなく多層を利用した導電パターンを含む)、空
芯コイル又は銅線のいずれで構成されても良いものであ
る。なお、後述するように極形成回路を構成する集中定
数インダクタ115は大きなインダクタンスが求められ
るので、空芯コイルを適用することが好ましい。
【0030】また、集中定数キャパシタ120〜125
は、チップキャパシタ又は多層基板の導電パターン(1
層だけでなく多層を利用した導電パターンを含む)で構
成されるものである。なお、後述するように極形成回路
を構成する集中定数キャパシタ121は大きなキャパシ
タンスが求められるので、チップキャパシタを適用する
ことが好ましい。
は、チップキャパシタ又は多層基板の導電パターン(1
層だけでなく多層を利用した導電パターンを含む)で構
成されるものである。なお、後述するように極形成回路
を構成する集中定数キャパシタ121は大きなキャパシ
タンスが求められるので、チップキャパシタを適用する
ことが好ましい。
【0031】一般に、携帯電話装置等の場合、送信用フ
ィルタ100が弁別する送信周波数と受信用フィルタ2
00が弁別する受信周波数とは近接しており、そのた
め、送信用フィルタ100による通過帯域のすぐ近くに
通過を確実に阻止したい帯域がある。
ィルタ100が弁別する送信周波数と受信用フィルタ2
00が弁別する受信周波数とは近接しており、そのた
め、送信用フィルタ100による通過帯域のすぐ近くに
通過を確実に阻止したい帯域がある。
【0032】そのため、この送信用フィルタ100は有
極形フィルタとして構成されている。この送信用フィル
タ100において、通過帯域を規定する主たる要素は、
それぞれがLC直列共振回路と等価な一対のストリップ
ライン共振器10及び11であり、この通過帯域に最も
近い減衰極を形成させる極形成回路として、ストリップ
ライン共振器10又は11の共振特性と近似した共振特
性を有する集中定数キャパシタ121及び集中定数イン
ダクタ115のLC直列回路を適用している。
極形フィルタとして構成されている。この送信用フィル
タ100において、通過帯域を規定する主たる要素は、
それぞれがLC直列共振回路と等価な一対のストリップ
ライン共振器10及び11であり、この通過帯域に最も
近い減衰極を形成させる極形成回路として、ストリップ
ライン共振器10又は11の共振特性と近似した共振特
性を有する集中定数キャパシタ121及び集中定数イン
ダクタ115のLC直列回路を適用している。
【0033】なお、過去においては、送信用フィルタ1
00としての十分な特性をストリップライン共振器を利
用した小形な構成て得ることが困難であり、誘電体共振
器やSAW共振器が適用されていたが、上述した構成で
は、ストリップライン共振器10及び11を適用しても
十分な小形化を達成でき、SAW共振器を利用した場合
のような耐電力特性の問題も生じない。送信電力は受信
電力よりはるかに大きく、送信用フィルタ100に求め
られる耐電力特性の要求は受信用フィルタ200に対す
るものよりかなり大きい。
00としての十分な特性をストリップライン共振器を利
用した小形な構成て得ることが困難であり、誘電体共振
器やSAW共振器が適用されていたが、上述した構成で
は、ストリップライン共振器10及び11を適用しても
十分な小形化を達成でき、SAW共振器を利用した場合
のような耐電力特性の問題も生じない。送信電力は受信
電力よりはるかに大きく、送信用フィルタ100に求め
られる耐電力特性の要求は受信用フィルタ200に対す
るものよりかなり大きい。
【0034】この第1実施例の分波器においては、受信
用フィルタ200として、弾性表面波共振器を用いたバ
ンドパスフィルタ(SAWフィルタ)202を適用して
いる。上述のように、受信用フィルタ200に対する耐
電力特性の要求はさほど厳しくなく、SAWフィルタ2
02によってかかる要求を満足できると共に、SAWフ
ィルタ202を適用することによって通過帯域の特性面
及び小形化面の要求にも対応することができる。
用フィルタ200として、弾性表面波共振器を用いたバ
ンドパスフィルタ(SAWフィルタ)202を適用して
いる。上述のように、受信用フィルタ200に対する耐
電力特性の要求はさほど厳しくなく、SAWフィルタ2
02によってかかる要求を満足できると共に、SAWフ
ィルタ202を適用することによって通過帯域の特性面
及び小形化面の要求にも対応することができる。
【0035】分波回路300は、送信用フィルタ100
及びANT端(アンテナ入出力端)301間に直列に接
続された集中定数インダクタ310(LT1)と、この集
中定数インダクタ310に並列に接続された集中定数イ
ンダクタ311(LT2)及び集中定数キャパシタ320
(CT2)でなる直列回路と、送信用フィルタ100から
の送信信号ライン部分及びアースラインE間に接続され
た集中定数インダクタ312(LT3)及び集中定数キャ
パシタ321(CT3)とでなる送信用フィルタ100と
の整合回路部分と、ANT端301及び受信用フィルタ
200間に直列に接続された集中定数インダクタ313
(LR1)と、受信用フィルタ200への受信信号ライン
部分及びアースラインE間に接続された集中定数キャパ
シタ322(CR1)とでなる受信用フィルタ200との
整合回路部分と、ANT端301及びアースラインE間
に接続された両フィルタとの整合に寄与する集中定数キ
ャパシタ330(CA )とからなっている。
及びANT端(アンテナ入出力端)301間に直列に接
続された集中定数インダクタ310(LT1)と、この集
中定数インダクタ310に並列に接続された集中定数イ
ンダクタ311(LT2)及び集中定数キャパシタ320
(CT2)でなる直列回路と、送信用フィルタ100から
の送信信号ライン部分及びアースラインE間に接続され
た集中定数インダクタ312(LT3)及び集中定数キャ
パシタ321(CT3)とでなる送信用フィルタ100と
の整合回路部分と、ANT端301及び受信用フィルタ
200間に直列に接続された集中定数インダクタ313
(LR1)と、受信用フィルタ200への受信信号ライン
部分及びアースラインE間に接続された集中定数キャパ
シタ322(CR1)とでなる受信用フィルタ200との
整合回路部分と、ANT端301及びアースラインE間
に接続された両フィルタとの整合に寄与する集中定数キ
ャパシタ330(CA )とからなっている。
【0036】この分波回路300における集中定数イン
ダクタ310〜313も、送信用フィルタ100におけ
るものと同様に、多層基板の導電パターン、空芯コイル
又は銅線のいずれで構成されても良いものである。ま
た、分波回路300における集中定数キャパシタ320
〜322、330も、送信用フィルタ100におけるも
のと同様に、チップキャパシタ又は多層基板の導電性パ
ターンで構成されるものである。
ダクタ310〜313も、送信用フィルタ100におけ
るものと同様に、多層基板の導電パターン、空芯コイル
又は銅線のいずれで構成されても良いものである。ま
た、分波回路300における集中定数キャパシタ320
〜322、330も、送信用フィルタ100におけるも
のと同様に、チップキャパシタ又は多層基板の導電性パ
ターンで構成されるものである。
【0037】この分波回路300における回路素子のう
ち、送信用フィルタ100の出力端に直列に設けられた
インダクタ310は、送信用フィルタ100の通過帯域
よりむしろ減衰域を考慮したものであり、受信用フィル
タ200の入力端に直列に設けられたインダクタ313
も、受信用フィルタ200の通過帯域よりむしろ減衰域
を考慮したものである。上述した送信用フィルタ100
及び受信用フィルタ200は共に、フィルタの減衰域に
おいて入力インピーダンスが小さくなるという性質を有
し、この減衰域でのインピーダンス整合に対する影響を
考慮してインダクタ310及び313を設けている。
ち、送信用フィルタ100の出力端に直列に設けられた
インダクタ310は、送信用フィルタ100の通過帯域
よりむしろ減衰域を考慮したものであり、受信用フィル
タ200の入力端に直列に設けられたインダクタ313
も、受信用フィルタ200の通過帯域よりむしろ減衰域
を考慮したものである。上述した送信用フィルタ100
及び受信用フィルタ200は共に、フィルタの減衰域に
おいて入力インピーダンスが小さくなるという性質を有
し、この減衰域でのインピーダンス整合に対する影響を
考慮してインダクタ310及び313を設けている。
【0038】図5には、第1実施例の分波器モジュール
を実現する多層基板の構成例を示している。この例で
は、ガラスエポキシ材、ポリイミド材、PPO材等でな
る両面基板400が用いられており、第1層(表面)の
パターン401を図5(A)に示し、第2層(裏面)の
パターン402を図5(B)に示している。なお、図5
(B)は、裏面のパターンを下側から見たものではな
く、図5(A)に示す表面パターンとの対応を理解し易
いように、現実には見ることができないが表面側から見
たように記載したものである。また、図5には、図1に
おける符号を付して各回路素子の配置位置を明らかにし
ている。
を実現する多層基板の構成例を示している。この例で
は、ガラスエポキシ材、ポリイミド材、PPO材等でな
る両面基板400が用いられており、第1層(表面)の
パターン401を図5(A)に示し、第2層(裏面)の
パターン402を図5(B)に示している。なお、図5
(B)は、裏面のパターンを下側から見たものではな
く、図5(A)に示す表面パターンとの対応を理解し易
いように、現実には見ることができないが表面側から見
たように記載したものである。また、図5には、図1に
おける符号を付して各回路素子の配置位置を明らかにし
ている。
【0039】なお、ガラスエポキシ材、ポリイミド材、
PPO材等はtanδ(δは誘電損角)が低い材料であ
り、これを多層基板400に用いることにより、高い出
力電力特性が得られる。
PPO材等はtanδ(δは誘電損角)が低い材料であ
り、これを多層基板400に用いることにより、高い出
力電力特性が得られる。
【0040】図5に示す構成例の場合、符号202はS
AWフィルタ202を実装するための透孔部分を示して
おり、符号115は空芯コイルでなるインダクタ115
を実装するための透孔部分を示しており、符号114は
空芯コイルでなるインダクタ114を実装するための切
欠き部分を示している。他のインダクタは、スルーホー
ルが適宜利用されて表裏パターンで螺旋状になっている
ものや、スルーホールによって適宜の位置で連絡されて
いる基板を挾んだ表裏のパターンが平行のもの等で構成
されている。符号121はチップキャパシタでなるキャ
パシタ121の搭載位置を示している。図5で表記がな
いキャパシタ125及び330はそれぞれ例えばディス
クリート部品でなり、Tx端101又はANT端301
とアースパターンEとを接続する。他のキャパシタはそ
れぞれ、同一面の導電パターンの離間した領域として形
成されている。
AWフィルタ202を実装するための透孔部分を示して
おり、符号115は空芯コイルでなるインダクタ115
を実装するための透孔部分を示しており、符号114は
空芯コイルでなるインダクタ114を実装するための切
欠き部分を示している。他のインダクタは、スルーホー
ルが適宜利用されて表裏パターンで螺旋状になっている
ものや、スルーホールによって適宜の位置で連絡されて
いる基板を挾んだ表裏のパターンが平行のもの等で構成
されている。符号121はチップキャパシタでなるキャ
パシタ121の搭載位置を示している。図5で表記がな
いキャパシタ125及び330はそれぞれ例えばディス
クリート部品でなり、Tx端101又はANT端301
とアースパターンEとを接続する。他のキャパシタはそ
れぞれ、同一面の導電パターンの離間した領域として形
成されている。
【0041】以上のように、第1実施例の分波器によれ
ば、送信用フィルタ及び分波回路の回路素子を多層基板
の導電パターン又は多層基板に実装するチップ部品で構
成すると共に、受信用フィルタにはSAWフィルタを適
用して多層基板に実装するようにしたので、送信フィル
タ及び受信フィルタのフィルタ特性を劣化させることな
く、分波器を小形化、軽量化することができる。
ば、送信用フィルタ及び分波回路の回路素子を多層基板
の導電パターン又は多層基板に実装するチップ部品で構
成すると共に、受信用フィルタにはSAWフィルタを適
用して多層基板に実装するようにしたので、送信フィル
タ及び受信フィルタのフィルタ特性を劣化させることな
く、分波器を小形化、軽量化することができる。
【0042】ここで、第1実施例の場合、送信用フィル
タをストリップライン共振器を中心に構成しているにも
拘らず、LC共振器構成の極形成回路を設けて減衰極を
形成させているので、通過帯域の近くに通過を確実に阻
止したい帯域があってもその通過を確実に阻止でき、そ
のため、誘電体フィルタやSAWフィルタと同様なフィ
ルタ特性を発揮することができる。
タをストリップライン共振器を中心に構成しているにも
拘らず、LC共振器構成の極形成回路を設けて減衰極を
形成させているので、通過帯域の近くに通過を確実に阻
止したい帯域があってもその通過を確実に阻止でき、そ
のため、誘電体フィルタやSAWフィルタと同様なフィ
ルタ特性を発揮することができる。
【0043】さらに、第1実施例によれば、分波回路に
おいて、送信用フィルタの出力端に直列にインダクタを
設けると共に、受信用フィルタの入力端に直列にインダ
クタを設けたので、フィルタの減衰域における各フィル
タの入力インピーダンスの低下がインピーダンス整合に
悪影響を与えることを未然に防ぐことができる。
おいて、送信用フィルタの出力端に直列にインダクタを
設けると共に、受信用フィルタの入力端に直列にインダ
クタを設けたので、フィルタの減衰域における各フィル
タの入力インピーダンスの低下がインピーダンス整合に
悪影響を与えることを未然に防ぐことができる。
【0044】(B)分波器の第2実施例 次に、第1の本発明による分波器の第2実施例を図面を
参照しながら詳述する。ここで、図6がこの第2実施例
の分波器の受信用フィルタの詳細構成を示す回路図であ
る。
参照しながら詳述する。ここで、図6がこの第2実施例
の分波器の受信用フィルタの詳細構成を示す回路図であ
る。
【0045】上記第1実施例の分波器においては、受信
用フィルタ200にSAWフィルタ202を適用したも
のを示したが、この第2実施例においては、受信用フィ
ルタ200Aとして、送信用フィルタ100と同様に、
図6に示すようなストリップライン共振器等を利用した
ものを適用する。
用フィルタ200にSAWフィルタ202を適用したも
のを示したが、この第2実施例においては、受信用フィ
ルタ200Aとして、送信用フィルタ100と同様に、
図6に示すようなストリップライン共振器等を利用した
ものを適用する。
【0046】図6において、受信用フィルタ200A
は、分波回路300からRx端201への受信信号伝送
ライン上に直列に接続された4個の集中定数キャパシタ
226(C01)〜229(C34)と、キャパシタ226
及び227間の接続点とキャパシタ228及び229の
接続点との間に直列に接続された集中定数インダクタ2
10(LC )及び集中定数キャパシタ225(CC )
と、分波回路300からの入力端及びアースラインE間
に接続された集中定数キャパシタ224(C40)と、キ
ャパシタ226及び227間の接続点とアースラインE
との間に直列に接続された集中定数キャパシタ220
(C41)及びストリップライン共振器12(S3)と、
キャパシタ227及び228間の接続点とアースライン
Eとの間に直列に接続された集中定数キャパシタ221
(C42)及び集中定数インダクタ211(L1 )と、キ
ャパシタ228及び229間の接続点とアースラインE
との間に直列に接続された集中定数キャパシタ222
(C43)及びストリップライン共振器13(S4)と、
Rx端201及びアースラインE間に接続された集中定
数キャパシタ223(C44)とで構成されている。
は、分波回路300からRx端201への受信信号伝送
ライン上に直列に接続された4個の集中定数キャパシタ
226(C01)〜229(C34)と、キャパシタ226
及び227間の接続点とキャパシタ228及び229の
接続点との間に直列に接続された集中定数インダクタ2
10(LC )及び集中定数キャパシタ225(CC )
と、分波回路300からの入力端及びアースラインE間
に接続された集中定数キャパシタ224(C40)と、キ
ャパシタ226及び227間の接続点とアースラインE
との間に直列に接続された集中定数キャパシタ220
(C41)及びストリップライン共振器12(S3)と、
キャパシタ227及び228間の接続点とアースライン
Eとの間に直列に接続された集中定数キャパシタ221
(C42)及び集中定数インダクタ211(L1 )と、キ
ャパシタ228及び229間の接続点とアースラインE
との間に直列に接続された集中定数キャパシタ222
(C43)及びストリップライン共振器13(S4)と、
Rx端201及びアースラインE間に接続された集中定
数キャパシタ223(C44)とで構成されている。
【0047】ここで、集中定数インダクタ210及び2
11は、多層基板(両面基板を含む)の導電パターン
(1層だけでなく多層を利用した導電パターンを含
む)、空芯コイル又は銅線のいずれで構成されても良い
ものである。なお、極形成回路を構成する集中定数イン
ダクタ211は大きなインダクタンスが求められるの
で、空芯コイルを適用することが好ましい。また、集中
定数キャパシタ220〜229は、チップキャパシタ又
は多層基板の導電パターン(1層だけでなく多層を利用
した導電パターンを含む)で構成されるものである。な
お、極形成回路を構成する集中定数キャパシタ221は
大きなキャパシタンスが求められるので、チップキャパ
シタを適用することが好ましい。
11は、多層基板(両面基板を含む)の導電パターン
(1層だけでなく多層を利用した導電パターンを含
む)、空芯コイル又は銅線のいずれで構成されても良い
ものである。なお、極形成回路を構成する集中定数イン
ダクタ211は大きなインダクタンスが求められるの
で、空芯コイルを適用することが好ましい。また、集中
定数キャパシタ220〜229は、チップキャパシタ又
は多層基板の導電パターン(1層だけでなく多層を利用
した導電パターンを含む)で構成されるものである。な
お、極形成回路を構成する集中定数キャパシタ221は
大きなキャパシタンスが求められるので、チップキャパ
シタを適用することが好ましい。
【0048】この受信用フィルタ200Aも、上述から
明らかなように、有極形フィルタとして構成されてお
り、通過帯域を規定する主たる要素として一対のストリ
ップライン共振器12及び13が適用され、この通過帯
域に最も近い減衰極を形成させる極形成回路として、ス
トリップライン共振器12又は13の共振特性と近似し
た共振特性を有する集中定数キャパシタ221及び集中
定数インダクタ211の直列回路を適用されている。
明らかなように、有極形フィルタとして構成されてお
り、通過帯域を規定する主たる要素として一対のストリ
ップライン共振器12及び13が適用され、この通過帯
域に最も近い減衰極を形成させる極形成回路として、ス
トリップライン共振器12又は13の共振特性と近似し
た共振特性を有する集中定数キャパシタ221及び集中
定数インダクタ211の直列回路を適用されている。
【0049】なお、受信用フィルタ200Aをこのよう
に構成したことにより、SAWフィルタ202を適用し
た場合と、入力インピーダンスが異なるようになったな
らば、分波回路300における受信用フィルタ200A
とのインピーダンス整合部構成もその入力インピーダン
スに応じて変更することを要する。この場合において
も、受信用フィルタ200Aがフィルタの減衰域におい
て入力インピーダンスが小さくなる構成を有するので、
分波回路300における受信用フィルタ200Aに対す
る入力端にインダクタ(図1のインダクタ313参照)
を直列に設けることが好ましい。
に構成したことにより、SAWフィルタ202を適用し
た場合と、入力インピーダンスが異なるようになったな
らば、分波回路300における受信用フィルタ200A
とのインピーダンス整合部構成もその入力インピーダン
スに応じて変更することを要する。この場合において
も、受信用フィルタ200Aがフィルタの減衰域におい
て入力インピーダンスが小さくなる構成を有するので、
分波回路300における受信用フィルタ200Aに対す
る入力端にインダクタ(図1のインダクタ313参照)
を直列に設けることが好ましい。
【0050】従って、この第2実施例の分波器によって
も、第1実施例の分波器と同様な効果を得ることができ
る。
も、第1実施例の分波器と同様な効果を得ることができ
る。
【0051】なお、受信用フィルタ200Aもストリッ
プライン共振器を中心に構成しているので、耐電力特性
はSAWフィルタを適用したものより良好になる。
プライン共振器を中心に構成しているので、耐電力特性
はSAWフィルタを適用したものより良好になる。
【0052】(C)高周波信号処理モジュールの実施例 次に、第2の本発明による高周波信号処理モジュールの
一実施例を図面を参照しながら詳述する。
一実施例を図面を参照しながら詳述する。
【0053】多層基板の導電パターンやチップ部品によ
り回路素子を構成して実装している各種の高周波電力増
幅モジュールが既に提案されている。例えば、上述した
図3に示したものや、同一出願人による特願平6−26
3618号明細書及び図面に記載のもの等を挙げること
ができる(実施例では上述した図3に示したものを意識
している)。一方、第1の本発明に係る分波器において
は、少なくとも送信用フィルタをストリップライン共振
器を中心に構成したことにより、送信用フィルタ及び分
波回路(及び受信用フィルタ)の回路素子を、多層基板
の導電パターンやチップ部品で構成することができる。
り回路素子を構成して実装している各種の高周波電力増
幅モジュールが既に提案されている。例えば、上述した
図3に示したものや、同一出願人による特願平6−26
3618号明細書及び図面に記載のもの等を挙げること
ができる(実施例では上述した図3に示したものを意識
している)。一方、第1の本発明に係る分波器において
は、少なくとも送信用フィルタをストリップライン共振
器を中心に構成したことにより、送信用フィルタ及び分
波回路(及び受信用フィルタ)の回路素子を、多層基板
の導電パターンやチップ部品で構成することができる。
【0054】従って、既存の高周波電力増幅器のモジュ
ール構成と、第1の本発明に係る分波器のモジュール構
成とを同一多層基板に構成して一体化モジュールとする
ことができ、第2の本発明は、このように一体化した高
周波処理信号モジュールを提供する。
ール構成と、第1の本発明に係る分波器のモジュール構
成とを同一多層基板に構成して一体化モジュールとする
ことができ、第2の本発明は、このように一体化した高
周波処理信号モジュールを提供する。
【0055】図7は、第2の本発明の一実施例の高周波
信号処理モジュールの多層基板への各部回路の概念的配
置を示す基板構成図である。
信号処理モジュールの多層基板への各部回路の概念的配
置を示す基板構成図である。
【0056】図7において、多層基板(両面基板を含
む)90は、例えば、ガラスエポキシ材、ポリイミド
材、PPO材等のtanδ(δは誘電損角)が低い材料
でなる。多層基板90は、高周波電力増幅器を構成して
いる高周波電力増幅器領域60と、分波器を構成してい
る分波器領域70とに2分される。
む)90は、例えば、ガラスエポキシ材、ポリイミド
材、PPO材等のtanδ(δは誘電損角)が低い材料
でなる。多層基板90は、高周波電力増幅器を構成して
いる高周波電力増幅器領域60と、分波器を構成してい
る分波器領域70とに2分される。
【0057】高周波電力増幅器領域60には、入力バン
ドパスフィルタ61、電力増幅処理本体62、方向性結
合器63及び検波器64を構成するチップ部品が搭載さ
れたり、導電パターンが形成されたりしている。一方、
分波器領域70には、第1の本発明の第1実施例又は第
2実施例と同様な構成を有する送信用フィルタ71、受
信用フィルタ72及び分波回路73が形成されている。
ドパスフィルタ61、電力増幅処理本体62、方向性結
合器63及び検波器64を構成するチップ部品が搭載さ
れたり、導電パターンが形成されたりしている。一方、
分波器領域70には、第1の本発明の第1実施例又は第
2実施例と同様な構成を有する送信用フィルタ71、受
信用フィルタ72及び分波回路73が形成されている。
【0058】以下、高周波電力増幅器領域60の構成に
ついて簡単に説明する。入力バンドパスフィルタ61は
SAWフィルタで構成されて多層基板90に実装されて
おり、Pin端80からの送信信号の帯域を制限して電
力増幅処理本体62に与える。電力増幅処理本体62
は、多層基板90に実装された3個のトランジスタ部品
Q1〜Q3と、チップ部品や導電パターンで形成された
図示しないキャパシタやインダクタや抵抗等でなり、V
d端86からのドレイン電圧やVg端82からのゲート
バイアス電圧やVc端83からの制御電圧等の供給を受
けて、入力バンドパスフィルタ62からの送信信号を電
力増幅する。方向性結合器63は、チップ部品や導電パ
ターンで形成されたものであり、電力増幅処理本体62
からの増幅後の送信信号を分波器領域70に出力すると
共に、その送信信号(出力電力信号)を分岐して取り出
すものである。検波器64は、チップ部品でなる検波ダ
イオードや、チップ部品や導電パターンで形成されたバ
イアス抵抗等でなり、Vb端84からの検波バイアス電
圧の供給を受け、方向性結合器63からの送信信号(出
力電力信号)を検波して検波出力電圧をVdet端85
から出力させるものである。
ついて簡単に説明する。入力バンドパスフィルタ61は
SAWフィルタで構成されて多層基板90に実装されて
おり、Pin端80からの送信信号の帯域を制限して電
力増幅処理本体62に与える。電力増幅処理本体62
は、多層基板90に実装された3個のトランジスタ部品
Q1〜Q3と、チップ部品や導電パターンで形成された
図示しないキャパシタやインダクタや抵抗等でなり、V
d端86からのドレイン電圧やVg端82からのゲート
バイアス電圧やVc端83からの制御電圧等の供給を受
けて、入力バンドパスフィルタ62からの送信信号を電
力増幅する。方向性結合器63は、チップ部品や導電パ
ターンで形成されたものであり、電力増幅処理本体62
からの増幅後の送信信号を分波器領域70に出力すると
共に、その送信信号(出力電力信号)を分岐して取り出
すものである。検波器64は、チップ部品でなる検波ダ
イオードや、チップ部品や導電パターンで形成されたバ
イアス抵抗等でなり、Vb端84からの検波バイアス電
圧の供給を受け、方向性結合器63からの送信信号(出
力電力信号)を検波して検波出力電圧をVdet端85
から出力させるものである。
【0059】この検波出力電圧が、例えば、図示しない
外部の制御部(図2参照)によって目標出力電力を規定
する基準電圧と比較され、その差電圧に応じた上述した
制御電圧が電力増幅処理本体62にフィードバックされ
る。
外部の制御部(図2参照)によって目標出力電力を規定
する基準電圧と比較され、その差電圧に応じた上述した
制御電圧が電力増幅処理本体62にフィードバックされ
る。
【0060】分波器領域70の構成は第1の本発明と同
様であるのでその説明は省略するが、第1の本発明の分
波器モジュールとは送信信号の入力端(Tx端)が設け
られていない点は異なっている。
様であるのでその説明は省略するが、第1の本発明の分
波器モジュールとは送信信号の入力端(Tx端)が設け
られていない点は異なっている。
【0061】上記実施例によれば、第1の本発明による
分波器の実施例と同じ効果を分波器領域について得るこ
とができる。また、分波器及び高周波電力増幅器を同一
の多層基板に形成したので、かかるモジュールを利用す
る携帯電話装置等の小形化、軽量化に寄与でき、また、
分波器領域及び高周波電力増幅器領域間を個別配線では
なく配線パターンで接続できると共に分波器及び高周波
電力増幅器の各部品やパターンを最適配置でき、特性劣
化や信頼性劣化を防止することができる。
分波器の実施例と同じ効果を分波器領域について得るこ
とができる。また、分波器及び高周波電力増幅器を同一
の多層基板に形成したので、かかるモジュールを利用す
る携帯電話装置等の小形化、軽量化に寄与でき、また、
分波器領域及び高周波電力増幅器領域間を個別配線では
なく配線パターンで接続できると共に分波器及び高周波
電力増幅器の各部品やパターンを最適配置でき、特性劣
化や信頼性劣化を防止することができる。
【0062】(D)他の実施例 本発明は、分波器、又は、高周波信号処理モジュールに
おける分波器において、(1) 送信用フィルタをストリッ
プライン共振器を利用して構成し、受信用フィルタにS
AWフィルタを適用し、送信用フィルタ、受信用フィル
タ及び分波回路を同一の多層基板により実現したこと、
又は、(2) 送信用フィルタ及び受信用フィルタをストリ
ップライン共振器を利用して構成し、送信用フィルタ、
受信用フィルタ及び分波回路を同一の多層基板により実
現したことに主たる特徴があり、ストリップライン共振
器を利用したフィルタの詳細構成は、図1や図6に示す
ものに限定されない。例えば、同一出願人による特願平
6−8098号明細書及び図面に記載のものをストリッ
プライン共振器を利用したフィルタに適用することがで
きる。
おける分波器において、(1) 送信用フィルタをストリッ
プライン共振器を利用して構成し、受信用フィルタにS
AWフィルタを適用し、送信用フィルタ、受信用フィル
タ及び分波回路を同一の多層基板により実現したこと、
又は、(2) 送信用フィルタ及び受信用フィルタをストリ
ップライン共振器を利用して構成し、送信用フィルタ、
受信用フィルタ及び分波回路を同一の多層基板により実
現したことに主たる特徴があり、ストリップライン共振
器を利用したフィルタの詳細構成は、図1や図6に示す
ものに限定されない。例えば、同一出願人による特願平
6−8098号明細書及び図面に記載のものをストリッ
プライン共振器を利用したフィルタに適用することがで
きる。
【0063】上記実施例の高周波信号処理モジュール
は、高周波電力増幅器及び分波器を同一の多層基板に一
体的に形成したものであったが、さらに受信側の増幅器
の回路素子も同一の多層基板に形成するようにしても良
い。
は、高周波電力増幅器及び分波器を同一の多層基板に一
体的に形成したものであったが、さらに受信側の増幅器
の回路素子も同一の多層基板に形成するようにしても良
い。
【0064】
【発明の効果】請求項1に記載の本発明によれば、送信
用フィルタ及び分波回路の各回路素子を、多層基板の導
電パターン又はチップ部品により構成し、受信用フィル
タに弾性表面波共振器を適用して上記多層基板に実装し
たので、特性劣化や信頼性劣化を生じることなく分波器
の小形化や軽量化を達成することができる。
用フィルタ及び分波回路の各回路素子を、多層基板の導
電パターン又はチップ部品により構成し、受信用フィル
タに弾性表面波共振器を適用して上記多層基板に実装し
たので、特性劣化や信頼性劣化を生じることなく分波器
の小形化や軽量化を達成することができる。
【0065】請求項2に記載の本発明によれば、送信用
フィルタ、受信用フィルタ及び分波回路の各回路素子を
多層基板の導電パターン又はチップ部品により構成した
ので、特性劣化や信頼性劣化を生じることなく分波器の
小形化や軽量化を達成することができる。
フィルタ、受信用フィルタ及び分波回路の各回路素子を
多層基板の導電パターン又はチップ部品により構成した
ので、特性劣化や信頼性劣化を生じることなく分波器の
小形化や軽量化を達成することができる。
【0066】請求項6に記載の本発明によれば、高周波
電力増幅器及び分波器を同一の多層基板に一体的に形成
すると共に、分波器として、上記記載の構成を有する分
波器を適用したので、特性劣化及び信頼性劣化を生じる
ことなく、小形化、軽量化を達成できる一体化した高周
波信号処理モジュールを提供できる。
電力増幅器及び分波器を同一の多層基板に一体的に形成
すると共に、分波器として、上記記載の構成を有する分
波器を適用したので、特性劣化及び信頼性劣化を生じる
ことなく、小形化、軽量化を達成できる一体化した高周
波信号処理モジュールを提供できる。
【図1】分波器の第1実施例を示す回路図である。
【図2】携帯電話装置等の高周波信号処理回路を示すブ
ロック図である。
ロック図である。
【図3】従来の分波器を示す説明図である。
【図4】従来の高周波電力増幅器の要部構成を示す説明
図である。
図である。
【図5】分波器の第1実施例を具現化する多層基板(両
面基板)の表裏両面の導電パターン図である。
面基板)の表裏両面の導電パターン図である。
【図6】分波器の第2実施例の受信用フィルタを示す回
路図である。
路図である。
【図7】高周波信号処理モジュールの実施例の多層基板
への各回路部分の概略配置を示すブロック図である。
への各回路部分の概略配置を示すブロック図である。
60…高周波電力増幅器領域、70…分波器領域、7
1、100…送信用フィルタ、72、200、200A
…受信用フィルタ、73、300…分波回路、90、4
00…多層基板、202…SAWフィルタ。
1、100…送信用フィルタ、72、200、200A
…受信用フィルタ、73、300…分波回路、90、4
00…多層基板、202…SAWフィルタ。
フロントページの続き (72)発明者 駒崎 友和 東京都港区虎ノ門1丁目7番12号 沖電気 工業株式会社内 (72)発明者 郡司 勝彦 東京都港区虎ノ門1丁目7番12号 沖電気 工業株式会社内 (72)発明者 大沢 修 東京都港区虎ノ門1丁目7番12号 沖電気 工業株式会社内 (72)発明者 矢島 志郎 東京都港区虎ノ門1丁目7番12号 沖電気 工業株式会社内
Claims (6)
- 【請求項1】 送受共用アンテナと、送信回路及び受信
回路との間に介在され、送信信号及び受信信号をそれぞ
れ所定の帯域に制限する分波器において、 送信用フィルタ及び分波回路の各回路素子を、多層基板
の導電パターン又はチップ部品により構成し、 受信用フィルタに弾性表面波共振器を適用して上記多層
基板に実装したことを特徴とする分波器。 - 【請求項2】 送受共用アンテナと、送信回路及び受信
回路との間に介在され、送信信号及び受信信号をそれぞ
れ所定の帯域に制限する分波器において、 送信用フィルタ、受信用フィルタ及び分波回路の各回路
素子を多層基板の導電パターン又はチップ部品により構
成したことを特徴とする分波器。 - 【請求項3】 上記分波回路は、上記送信用フィルタの
出力端に直列に接続されたインダクタと、上記受信用フ
ィルタの入力端に直列に接続されたインダクタを有する
ことを特徴とする請求項1又は2に記載の分波器。 - 【請求項4】 各回路素子が多層基板の導電パターン又
はチップ部品により構成された上記送信用フィルタ及び
又は上記受信用フィルタを有極型フィルタとし、その減
衰極の形成回路に空芯コイルを適用したことを特徴とす
る請求項1〜3のいずれかに記載の分波器。 - 【請求項5】 上記減衰極の形成回路における上記空芯
コイルが、フィルタの通過帯域に最も近い減衰極の形成
に機能するものであることを特徴とする請求項4に記載
の分波器。 - 【請求項6】 高周波電力を増幅する高周波電力増幅
器、並びに、送受共用アンテナと、送信回路及び受信回
路との間に介在されて送信信号及び受信信号をそれぞれ
所定の帯域に制限する分波器を、同一の多層基板に一体
的に形成する高周波信号処理モジュールであって、 上記分波器として、請求項1〜5のいずれかに記載の分
波器が適用されていることを特徴とする高周波信号処理
モジュール。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15017195A JPH098584A (ja) | 1995-06-16 | 1995-06-16 | 分波器及び高周波信号処理モジュール |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15017195A JPH098584A (ja) | 1995-06-16 | 1995-06-16 | 分波器及び高周波信号処理モジュール |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH098584A true JPH098584A (ja) | 1997-01-10 |
Family
ID=15491061
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15017195A Pending JPH098584A (ja) | 1995-06-16 | 1995-06-16 | 分波器及び高周波信号処理モジュール |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH098584A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000278167A (ja) * | 1999-03-29 | 2000-10-06 | Murata Mfg Co Ltd | 送信出力制御装置及びそれを用いた無線機器 |
| US6879488B2 (en) | 2002-01-10 | 2005-04-12 | Hitachi, Ltd. | Radio frequency module |
| JP2005184773A (ja) * | 2003-11-26 | 2005-07-07 | Kyocera Corp | 複合型分波回路、並びにそれを用いたチップ部品、高周波モジュール及び無線通信機器 |
| JP2006210994A (ja) * | 2005-01-25 | 2006-08-10 | Kyocera Corp | 弾性表面波素子の実装構造、高周波モジュール並びに通信機器 |
-
1995
- 1995-06-16 JP JP15017195A patent/JPH098584A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000278167A (ja) * | 1999-03-29 | 2000-10-06 | Murata Mfg Co Ltd | 送信出力制御装置及びそれを用いた無線機器 |
| US6879488B2 (en) | 2002-01-10 | 2005-04-12 | Hitachi, Ltd. | Radio frequency module |
| US7362576B2 (en) | 2002-01-10 | 2008-04-22 | Hitachi, Ltd. | Radio frequency module |
| JP2005184773A (ja) * | 2003-11-26 | 2005-07-07 | Kyocera Corp | 複合型分波回路、並びにそれを用いたチップ部品、高周波モジュール及び無線通信機器 |
| JP2006210994A (ja) * | 2005-01-25 | 2006-08-10 | Kyocera Corp | 弾性表面波素子の実装構造、高周波モジュール並びに通信機器 |
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