JPH0987522A - 半導体封止材 - Google Patents
半導体封止材Info
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Landscapes
- Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 電気的特性に悪影響を与える有害物質の半導
体装置内部への侵入を抑制する作用を向上する。 【解決手段】 半導体装置の凹部内に充填され且つ半導
体チップを被覆する保護樹脂（半導体封止材）７は、１
００重量部のシリコーン樹脂と、８０〜１４０重量部の
フィラー材とを含有する。フィラー材はシリカ粉末と酸
化チタン粉末を有し、シリカ粉末の含有率はシリコーン
樹脂１００重量部に対して２０〜５０重量部である。保
護樹脂７に含まれるシリカ粉末及び酸化チタン粉末はシ
リコーン樹脂よりも熱膨張係数が小さく、保護樹脂７の
熱膨張係数を低減して支持電極との熱膨張係数差を減少
する作用がある。また、シリカ粉末の含有率が特定され
ているので、水分が付着した状態で電界が印加されるよ
うな厳しい環境下で使用しても保護樹脂が支持電極から
剥離しない。
体装置内部への侵入を抑制する作用を向上する。 【解決手段】 半導体装置の凹部内に充填され且つ半導
体チップを被覆する保護樹脂（半導体封止材）７は、１
００重量部のシリコーン樹脂と、８０〜１４０重量部の
フィラー材とを含有する。フィラー材はシリカ粉末と酸
化チタン粉末を有し、シリカ粉末の含有率はシリコーン
樹脂１００重量部に対して２０〜５０重量部である。保
護樹脂７に含まれるシリカ粉末及び酸化チタン粉末はシ
リコーン樹脂よりも熱膨張係数が小さく、保護樹脂７の
熱膨張係数を低減して支持電極との熱膨張係数差を減少
する作用がある。また、シリカ粉末の含有率が特定され
ているので、水分が付着した状態で電界が印加されるよ
うな厳しい環境下で使用しても保護樹脂が支持電極から
剥離しない。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、電気的特性に悪影
響を与える有害物質の半導体装置の内部への侵入を抑制
できる半導体封止材に関連する。
響を与える有害物質の半導体装置の内部への侵入を抑制
できる半導体封止材に関連する。
【０００２】
【従来の技術】例えば、実公平４−５２９９９号公報に
示されるように、自動車に使用される交流発電機（オル
タネータ）の出力を整流する素子では、軟質樹脂、即ち
ラバー状の保護樹脂で半導体チップを封止した構造の樹
脂封止ダイオードが使用されている。この樹脂封止ダイ
オード及び保護樹脂を図４について説明する。ダイオー
ド１は、平坦なベース部２ａ及びベース部２ａから屈曲
して伸び出す側部２ｂを有して凹部２ｃの形成された椀
形の支持電極２と、フランジ状のヘッダー３ａ及びヘッ
ダー３ａより小さい横断面を有するリード部３ｂからな
るリード電極３と、ベース部２ａとヘッダー３ａとの間
に接続された半導体チップ４と、凹部２ｃ内に充填され
且つ半導体チップ４を封止するシリコーン樹脂５とを備
えている。半導体チップ４の上面４ａ及び下面４ｂは、
それぞれ半田６によりヘッダー３ａの下面３ａ1及びベ
ース部２ａの上面２ａ1に接着されている。
示されるように、自動車に使用される交流発電機（オル
タネータ）の出力を整流する素子では、軟質樹脂、即ち
ラバー状の保護樹脂で半導体チップを封止した構造の樹
脂封止ダイオードが使用されている。この樹脂封止ダイ
オード及び保護樹脂を図４について説明する。ダイオー
ド１は、平坦なベース部２ａ及びベース部２ａから屈曲
して伸び出す側部２ｂを有して凹部２ｃの形成された椀
形の支持電極２と、フランジ状のヘッダー３ａ及びヘッ
ダー３ａより小さい横断面を有するリード部３ｂからな
るリード電極３と、ベース部２ａとヘッダー３ａとの間
に接続された半導体チップ４と、凹部２ｃ内に充填され
且つ半導体チップ４を封止するシリコーン樹脂５とを備
えている。半導体チップ４の上面４ａ及び下面４ｂは、
それぞれ半田６によりヘッダー３ａの下面３ａ1及びベ
ース部２ａの上面２ａ1に接着されている。
【０００３】半導体チップ４が動作時に発生する熱を放
熱する椀形の支持電極２のベース部２ａは、約１ｍｍの
厚さを有する。また、ベース部２ａから屈曲して伸び出
す側部２ｂは、直径約９.５ｍｍ、高さ約２.３ｍｍ及び
厚さ約０.５ｍｍの環状である。リード電極３のヘッダ
ー３ａは、約５ｍｍの直径と約０.５ｍｍの厚さを有す
る。ヘッダー３ａから上方に伸びるリード部３ｂは、約
１.５ｍｍの直径で約１８ｍｍの長さを有する。リード
部３ｂにはＵ字形のベンド部３ｂ1が形成される。しか
し、Ｕ字形のベンド部３ｂ1を設けずに、リード部３ｂ
を直線状に形成してもよい。
熱する椀形の支持電極２のベース部２ａは、約１ｍｍの
厚さを有する。また、ベース部２ａから屈曲して伸び出
す側部２ｂは、直径約９.５ｍｍ、高さ約２.３ｍｍ及び
厚さ約０.５ｍｍの環状である。リード電極３のヘッダ
ー３ａは、約５ｍｍの直径と約０.５ｍｍの厚さを有す
る。ヘッダー３ａから上方に伸びるリード部３ｂは、約
１.５ｍｍの直径で約１８ｍｍの長さを有する。リード
部３ｂにはＵ字形のベンド部３ｂ1が形成される。しか
し、Ｕ字形のベンド部３ｂ1を設けずに、リード部３ｂ
を直線状に形成してもよい。
【０００４】半導体チップ４の両主面４ａ、４ｂにはニ
ッケル電極（図示せず）が形成されている。半田６は、
鉛（Ｐｂ）９５重量％、錫（Ｓｎ）５重量％のＰｂ−Ｓ
ｎ系合金である。椀形の支持電極２及びリード電極３
は、ニッケルが被覆された銅材である。シリコーン樹脂
５は、椀形の支持電極２の凹部２ｃから少し盛り上がる
ように形成され、半導体チップ４の側面４ｃ、ヘッダー
３ａに続くリード部３ｂの下部及び椀形の支持電極２の
凹部２ｃ側を被覆する。また、シリコーン樹脂５は、椀
形の支持電極２に半導体チップ４とリード電極３を固着
した後に椀形の支持電極２の凹部２ｃに樹脂形成用粘液
を注ぎ、熱処理を施して形成される。
ッケル電極（図示せず）が形成されている。半田６は、
鉛（Ｐｂ）９５重量％、錫（Ｓｎ）５重量％のＰｂ−Ｓ
ｎ系合金である。椀形の支持電極２及びリード電極３
は、ニッケルが被覆された銅材である。シリコーン樹脂
５は、椀形の支持電極２の凹部２ｃから少し盛り上がる
ように形成され、半導体チップ４の側面４ｃ、ヘッダー
３ａに続くリード部３ｂの下部及び椀形の支持電極２の
凹部２ｃ側を被覆する。また、シリコーン樹脂５は、椀
形の支持電極２に半導体チップ４とリード電極３を固着
した後に椀形の支持電極２の凹部２ｃに樹脂形成用粘液
を注ぎ、熱処理を施して形成される。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】ところで、半導体チッ
プ４を被覆するシリコーン樹脂５は支持電極２を形成す
る金属に対して熱膨張係数及び硬化収縮が大きいため、
支持電極２との接着界面において剥離が生じ易く、電気
的特性を低下させるおそれがあった。即ち、シリコーン
樹脂５の支持電極２及びリード電極３との接着は、酸や
アルカリの存在によって分断されやすい。しかも、シリ
コーン樹脂５を固化する熱処理工程では、シリコーン樹
脂５に収縮が伴い、矢印Ａ及びＢで示す接着部にストレ
スが集中する。このため、接着部Ａ及びＢにおいてシリ
コーン樹脂５がリード電極３のリード部３ｂ又は椀形の
支持電極２の上部２ｂ2の表面から剥離しやすい状態に
なる。従って、厳しい環境の下でダイオード１を長期間
使用すると、接着部Ａ及びＢを起点としてリード電極３
のリード部３ｂ又は椀形の支持電極２の側部２ｂの表面
に沿ってシリコーン樹脂５の剥離が進行し、最終的には
ヘッダー３ａの上面３ａ2及び側面３ａ3又は椀形の支持
電極２の側部２ｂの内面２ｂ1及びベース部２ａの上面
２ａ1を経て、半導体チップ４の側面４ｃにまでシリコ
ーン樹脂５の剥離が達することがある。このように剥離
が進行した状態では、ダイオード１は、シリコーン樹脂
５の剥離部から半導体チップ４の側面４ｃに侵入する水
分やイオン性不純物等の有害物質により、逆方向電流が
増加するなどの特性不良が生じる。
プ４を被覆するシリコーン樹脂５は支持電極２を形成す
る金属に対して熱膨張係数及び硬化収縮が大きいため、
支持電極２との接着界面において剥離が生じ易く、電気
的特性を低下させるおそれがあった。即ち、シリコーン
樹脂５の支持電極２及びリード電極３との接着は、酸や
アルカリの存在によって分断されやすい。しかも、シリ
コーン樹脂５を固化する熱処理工程では、シリコーン樹
脂５に収縮が伴い、矢印Ａ及びＢで示す接着部にストレ
スが集中する。このため、接着部Ａ及びＢにおいてシリ
コーン樹脂５がリード電極３のリード部３ｂ又は椀形の
支持電極２の上部２ｂ2の表面から剥離しやすい状態に
なる。従って、厳しい環境の下でダイオード１を長期間
使用すると、接着部Ａ及びＢを起点としてリード電極３
のリード部３ｂ又は椀形の支持電極２の側部２ｂの表面
に沿ってシリコーン樹脂５の剥離が進行し、最終的には
ヘッダー３ａの上面３ａ2及び側面３ａ3又は椀形の支持
電極２の側部２ｂの内面２ｂ1及びベース部２ａの上面
２ａ1を経て、半導体チップ４の側面４ｃにまでシリコ
ーン樹脂５の剥離が達することがある。このように剥離
が進行した状態では、ダイオード１は、シリコーン樹脂
５の剥離部から半導体チップ４の側面４ｃに侵入する水
分やイオン性不純物等の有害物質により、逆方向電流が
増加するなどの特性不良が生じる。
【０００６】この問題を解決するためにシリコーン樹脂
にシリカ粉末を含有させて熱膨張係数を小さくして、保
護樹脂の熱膨張係数を支持電極の熱膨張係数に近づける
方法が公知になっている。この保護樹脂では、通常の環
境下では剥離が生じないが、保護樹脂に水分が付着した
状態で電界中に配置して、電界が印加されると、剥離防
止効果が損なわれることが判明した。
にシリカ粉末を含有させて熱膨張係数を小さくして、保
護樹脂の熱膨張係数を支持電極の熱膨張係数に近づける
方法が公知になっている。この保護樹脂では、通常の環
境下では剥離が生じないが、保護樹脂に水分が付着した
状態で電界中に配置して、電界が印加されると、剥離防
止効果が損なわれることが判明した。
【０００７】そこで本発明は、厳しい環境下で使用して
も支持電極から剥離せずに、電気的特性に悪影響を与え
る有害物質の内部への侵入を阻止する能力の大きい保護
樹脂として適用可能な半導体封止材を提供することを目
的とする。
も支持電極から剥離せずに、電気的特性に悪影響を与え
る有害物質の内部への侵入を阻止する能力の大きい保護
樹脂として適用可能な半導体封止材を提供することを目
的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明による半導体封止
材は、１００重量部のシリコーン樹脂と、８０〜１４０
重量部のフィラー材とを含有する。フィラー材はシリカ
粉末と酸化チタン粉末を有し、シリカ粉末の含有率はシ
リコーン樹脂１００重量部に対して２０〜５０重量部で
ある。
材は、１００重量部のシリコーン樹脂と、８０〜１４０
重量部のフィラー材とを含有する。フィラー材はシリカ
粉末と酸化チタン粉末を有し、シリカ粉末の含有率はシ
リコーン樹脂１００重量部に対して２０〜５０重量部で
ある。
【０００９】半導体封止材に含まれるシリカ粉末及び酸
化チタン粉末はシリコーン樹脂よりも熱膨張係数が小さ
く、保護樹脂として熱膨張係数を低減して支持電極との
熱膨張係数差を減少する作用がある。シリカ粉末と酸化
チタン粉末から成るフィラー材をシリコーン樹脂１００
重量部に対して８０〜１４０重量部となるように含有す
る半導体封止材は、良好な熱膨張係数と硬化収縮率を備
える。また、フィラー中のシリカ粉末の含有割合がシリ
コーン樹脂１００重量部に対して２０重量部以上である
ため、フィラー材が半導体封止材中に均一に分布する。
また、フィラー中のシリカ粉末の含有割合がシリコーン
樹脂１００重量部に対して５０重量部以下であるため、
本発明の半導体封止材を用いた保護樹脂に水分が付着し
た状態で電界が印加されても保護樹脂が支持電極から剥
離しない。
化チタン粉末はシリコーン樹脂よりも熱膨張係数が小さ
く、保護樹脂として熱膨張係数を低減して支持電極との
熱膨張係数差を減少する作用がある。シリカ粉末と酸化
チタン粉末から成るフィラー材をシリコーン樹脂１００
重量部に対して８０〜１４０重量部となるように含有す
る半導体封止材は、良好な熱膨張係数と硬化収縮率を備
える。また、フィラー中のシリカ粉末の含有割合がシリ
コーン樹脂１００重量部に対して２０重量部以上である
ため、フィラー材が半導体封止材中に均一に分布する。
また、フィラー中のシリカ粉末の含有割合がシリコーン
樹脂１００重量部に対して５０重量部以下であるため、
本発明の半導体封止材を用いた保護樹脂に水分が付着し
た状態で電界が印加されても保護樹脂が支持電極から剥
離しない。
【００１０】
【発明の実施の形態】次に、自動車用整流ダイオードに
適用した本発明による半導体封止材及びこれを利用した
半導体装置の実施の形態を図１〜図３について説明す
る。図１では、図４に示す箇所と同一の部分には同一符
号を付し、説明を省略する。本実施形態の整流ダイオー
ド１０は、半導体チップ４を被覆する保護樹脂（半導体
封止材）７がシリカ粒末と酸化チタン粉末を含むフィラ
ー材を含有するシリコーン樹脂から成る点で図４に示す
従来の整流ダイオード１と異なる。本実施形態の保護樹
脂７は、シリコーン樹脂１００重量部に対してフィラー
材を１１０重量部含有する。また、フィラー材中のシリ
カ粉末の割合はシリコーン樹脂１００重量部に対して４
０重量部であり、残部は酸化チタン粉末である。
適用した本発明による半導体封止材及びこれを利用した
半導体装置の実施の形態を図１〜図３について説明す
る。図１では、図４に示す箇所と同一の部分には同一符
号を付し、説明を省略する。本実施形態の整流ダイオー
ド１０は、半導体チップ４を被覆する保護樹脂（半導体
封止材）７がシリカ粒末と酸化チタン粉末を含むフィラ
ー材を含有するシリコーン樹脂から成る点で図４に示す
従来の整流ダイオード１と異なる。本実施形態の保護樹
脂７は、シリコーン樹脂１００重量部に対してフィラー
材を１１０重量部含有する。また、フィラー材中のシリ
カ粉末の割合はシリコーン樹脂１００重量部に対して４
０重量部であり、残部は酸化チタン粉末である。
【００１１】本発明の効果を確認するため、図１と同一
の構造を備えた多数の整流ダイオードサンプルを製作し
て、電界品質試験を行った。即ち、各サンプルを塩水中
に浸漬した後、恒温槽内に配置してサンプル中の水分を
蒸発させる。この際、支持電極２とリード電極３との間
に１５Ｖの直流電圧を印加しておく。これを複数回反復
して印加した後にサンプルの逆方向特性を検査した。シ
ョート状態となったとき、不良発生として、不良発生に
至るまでのトータルの電圧印加回数を測定した。
の構造を備えた多数の整流ダイオードサンプルを製作し
て、電界品質試験を行った。即ち、各サンプルを塩水中
に浸漬した後、恒温槽内に配置してサンプル中の水分を
蒸発させる。この際、支持電極２とリード電極３との間
に１５Ｖの直流電圧を印加しておく。これを複数回反復
して印加した後にサンプルの逆方向特性を検査した。シ
ョート状態となったとき、不良発生として、不良発生に
至るまでのトータルの電圧印加回数を測定した。
【００１２】図２に示すグラフは、シリコーン樹脂１０
０重量部に対してフィラー材を１１０部として、シリコ
ーン樹脂中のフィラー材の含有率を一定とし、フィラー
材中のシリカ粉末の含有割合を変化させたときの試験結
果である。シリカ粉末の含有率がシリコーン樹脂１００
重量部に対して５０重量部を超えるサンプル及び２０重
量部に満たないサンプルは電圧印加回数が３回未満で不
良が生じた。なお各サンプルは１０個であり、試験回数
はその平均値である。
０重量部に対してフィラー材を１１０部として、シリコ
ーン樹脂中のフィラー材の含有率を一定とし、フィラー
材中のシリカ粉末の含有割合を変化させたときの試験結
果である。シリカ粉末の含有率がシリコーン樹脂１００
重量部に対して５０重量部を超えるサンプル及び２０重
量部に満たないサンプルは電圧印加回数が３回未満で不
良が生じた。なお各サンプルは１０個であり、試験回数
はその平均値である。
【００１３】シリカ粉末の含有率がシリコーン樹脂１０
０重量部に対して５０重量部を超えるサンプルに不良が
発生する理由は、シリカ粉末の含有率が５０重量部を超
えると、シリカ粉末中に不純物として残留するＳｉＯ
（一酸化珪素）及びＳｉ（珪素）等の未反応物の影響が
無視できなくなるためと考えられる。これらの未反応物
は一般に電界印加時にシリコーン樹脂の耐アルカリ性を
低下させることが本発明者によって確認されている。ま
た、シリカ粉末の含有率がフィラー材１００重量部に対
して２０重量部に満たないサンプルにおいて電圧印加回
数が３回未満で不良が生じる理由は、シリカ粉末に比べ
て比重の大きい酸化チタン粉末の含有率が相対的に増加
し、フィラー材が保護樹脂中に均一に分布しないためと
考えられる。事実、フィラー材を実質的に全て酸化チタ
ンとしたときに、フィラー材の沈降が生じ、電界印加時
に剥離防止効果は向上するが、発明者の所望値には至ら
ない。
０重量部に対して５０重量部を超えるサンプルに不良が
発生する理由は、シリカ粉末の含有率が５０重量部を超
えると、シリカ粉末中に不純物として残留するＳｉＯ
（一酸化珪素）及びＳｉ（珪素）等の未反応物の影響が
無視できなくなるためと考えられる。これらの未反応物
は一般に電界印加時にシリコーン樹脂の耐アルカリ性を
低下させることが本発明者によって確認されている。ま
た、シリカ粉末の含有率がフィラー材１００重量部に対
して２０重量部に満たないサンプルにおいて電圧印加回
数が３回未満で不良が生じる理由は、シリカ粉末に比べ
て比重の大きい酸化チタン粉末の含有率が相対的に増加
し、フィラー材が保護樹脂中に均一に分布しないためと
考えられる。事実、フィラー材を実質的に全て酸化チタ
ンとしたときに、フィラー材の沈降が生じ、電界印加時
に剥離防止効果は向上するが、発明者の所望値には至ら
ない。
【００１４】図３に示すグラフは、フィラー材中のシリ
カ粉末と酸化チタン粉末の含有割合（シリカ粉末対酸化
チタン粉末の重量比）を一定とし、シリコーン樹脂中の
フィラー材の含有率を変化させたときの試験結果を示
す。フィラー材を８０重量部〜１４０重量部含有するサ
ンプルは、良好な熱膨張係数と硬化収縮率を有するた
め、支持電極に対して良好に密着して４回の電圧印加回
数に対する耐久性を示した。しかしながら、フィラー材
の含有率が８０重量部に満たない場合には熱膨張係数と
硬化収縮率が得られないため、３回程度の電圧印加回数
で不良が生じた。また、フィラーを１４０重量部を超え
て入れると粘度が上がり作業性が著しく低下した。
カ粉末と酸化チタン粉末の含有割合（シリカ粉末対酸化
チタン粉末の重量比）を一定とし、シリコーン樹脂中の
フィラー材の含有率を変化させたときの試験結果を示
す。フィラー材を８０重量部〜１４０重量部含有するサ
ンプルは、良好な熱膨張係数と硬化収縮率を有するた
め、支持電極に対して良好に密着して４回の電圧印加回
数に対する耐久性を示した。しかしながら、フィラー材
の含有率が８０重量部に満たない場合には熱膨張係数と
硬化収縮率が得られないため、３回程度の電圧印加回数
で不良が生じた。また、フィラーを１４０重量部を超え
て入れると粘度が上がり作業性が著しく低下した。
【００１５】本実施形態の保護樹脂では、フィラー材の
含有率とフィラー材を構成するシリカ粉末と酸化チタン
粉末の含有割合が最適に設定されているから、通常の環
境下ではもちろん、水分が付着した状態で電界が多数回
反復して印加される使用条件の下でも保護樹脂の支持電
極に対する密着力は低下せず、信頼性の高い整流ダイオ
ードが実現される。また、酸化チタン（ＴｉＯ）に比べ
て安価なＳｉＯを使用すると原価低減を図ることができ
る。
含有率とフィラー材を構成するシリカ粉末と酸化チタン
粉末の含有割合が最適に設定されているから、通常の環
境下ではもちろん、水分が付着した状態で電界が多数回
反復して印加される使用条件の下でも保護樹脂の支持電
極に対する密着力は低下せず、信頼性の高い整流ダイオ
ードが実現される。また、酸化チタン（ＴｉＯ）に比べ
て安価なＳｉＯを使用すると原価低減を図ることができ
る。
【００１６】本発明の実施態様は前記の実施の形態に限
定されず、変更が可能である。例えば、自動車用整流ダ
イオード以外の半導体装置に使用する封止材にも本発明
を適用することができる。また、保護樹脂７中には、フ
ィラー材の外に、本発明の効果が阻害されない範囲内
で、硬化促進剤、軟化剤、接着剤等他の添加剤を混入さ
せてもよい。
定されず、変更が可能である。例えば、自動車用整流ダ
イオード以外の半導体装置に使用する封止材にも本発明
を適用することができる。また、保護樹脂７中には、フ
ィラー材の外に、本発明の効果が阻害されない範囲内
で、硬化促進剤、軟化剤、接着剤等他の添加剤を混入さ
せてもよい。
【００１７】
【発明の効果】本発明によれば、水分が付着した状態で
電界が印加されるような厳しい環境の下で使用されて
も、保護樹脂と電極との剥離が進行し難く、有害物質の
侵入を阻止する能力が強化された半導体封止材が得ら
れ、これを使用した半導体では信頼性を十分に高めるこ
とができる。
電界が印加されるような厳しい環境の下で使用されて
も、保護樹脂と電極との剥離が進行し難く、有害物質の
侵入を阻止する能力が強化された半導体封止材が得ら
れ、これを使用した半導体では信頼性を十分に高めるこ
とができる。
【図１】 本発明による半導体封止材を適用した半導体
装置の断面図
装置の断面図
【図２】 シリカ粉末の含有率の変化と電圧印加回数と
の関係を示すグラフ
の関係を示すグラフ
【図３】 シリコーン樹脂中のフィラー材の含有率と電
圧印加回数との関係を示すグラフ
圧印加回数との関係を示すグラフ
【図４】 従来の自動車用整流ダイオードの断面図
【符号の説明】 ２．．支持電極、 ２ａ．．ベース部、 ２ｂ．．側部、
２ｃ．．凹部、 ３．．リード電極、 ３ａ．．ヘッダ
ー、 ３ｂ．．リード部、 ４．．半導体チップ、
６．．半田、 ７．．保護樹脂（半導体封止材）、
２ｃ．．凹部、 ３．．リード電極、 ３ａ．．ヘッダ
ー、 ３ｂ．．リード部、 ４．．半導体チップ、
６．．半田、 ７．．保護樹脂（半導体封止材）、
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 23/31
Claims (1)
- 【請求項１】 １００重量部のシリコーン樹脂と、８０
〜１４０重量部のフィラー材とを含有し、前記フィラー
材はシリカ粉末と酸化チタン粉末を有し、前記シリカ粉
末の含有率は前記シリコーン樹脂１００重量部に対して
２０〜５０重量部であることを特徴とする半導体封止
材。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7240246A JP3024740B2 (ja) | 1995-09-19 | 1995-09-19 | 半導体封止材及び半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7240246A JP3024740B2 (ja) | 1995-09-19 | 1995-09-19 | 半導体封止材及び半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0987522A true JPH0987522A (ja) | 1997-03-31 |
| JP3024740B2 JP3024740B2 (ja) | 2000-03-21 |
Family
ID=17056638
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7240246A Expired - Fee Related JP3024740B2 (ja) | 1995-09-19 | 1995-09-19 | 半導体封止材及び半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3024740B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2019087692A (ja) * | 2017-11-09 | 2019-06-06 | トヨタ自動車株式会社 | 半導体装置 |
-
1995
- 1995-09-19 JP JP7240246A patent/JP3024740B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2019087692A (ja) * | 2017-11-09 | 2019-06-06 | トヨタ自動車株式会社 | 半導体装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3024740B2 (ja) | 2000-03-21 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| FPAY | Renewal fee payment |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090121 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment |
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| FPAY | Renewal fee payment |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110121 Year of fee payment: 11 |
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