JPH0987833A - 透明導電膜の製造方法 - Google Patents
透明導電膜の製造方法Info
- Publication number
- JPH0987833A JPH0987833A JP24802195A JP24802195A JPH0987833A JP H0987833 A JPH0987833 A JP H0987833A JP 24802195 A JP24802195 A JP 24802195A JP 24802195 A JP24802195 A JP 24802195A JP H0987833 A JPH0987833 A JP H0987833A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- target
- conductive film
- transparent conductive
- regulated
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Manufacturing Of Electric Cables (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】低い基板温度での成膜においても、低比抵抗の
酸化亜鉛系透明導電膜が得られる透明導電膜の製造方法
の提供。 【解決手段】スパッタリング法により、酸化ガリウムを
含有し酸化亜鉛を主成分とする透明導電膜を製造するに
あたり、ターゲット表面における最大水平磁束密度を５
００〜１２００ガウスとする。
酸化亜鉛系透明導電膜が得られる透明導電膜の製造方法
の提供。 【解決手段】スパッタリング法により、酸化ガリウムを
含有し酸化亜鉛を主成分とする透明導電膜を製造するに
あたり、ターゲット表面における最大水平磁束密度を５
００〜１２００ガウスとする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は透明導電膜の製造方
法に関する。
法に関する。
【０００２】
【従来の技術】透明導電膜としては、アンチモンやフッ
素をドーパントとして含む酸化錫（ＳｎＯ2 ）、あるい
は、錫をドーパントとして含む酸化インジウム（ＩＴ
Ｏ）、酸化亜鉛等が知られている。
素をドーパントとして含む酸化錫（ＳｎＯ2 ）、あるい
は、錫をドーパントとして含む酸化インジウム（ＩＴ
Ｏ）、酸化亜鉛等が知られている。
【０００３】ＩＴＯ膜は、低抵抗膜が容易に得られるこ
とから、主として液晶等の表示素子用電極として汎用さ
れている。しかし、インジウムが高価であることから、
低コスト化には限界がある。また、インジウムの資源埋
蔵量は、他の元素に比べて非常に少ないので、大幅な生
産量の増大は困難である。したがって、今後、表示素子
等の市場規模拡大に伴い透明導電膜の需要拡大が予想さ
れるが、原料であるインジウムの安定供給に問題があ
る。
とから、主として液晶等の表示素子用電極として汎用さ
れている。しかし、インジウムが高価であることから、
低コスト化には限界がある。また、インジウムの資源埋
蔵量は、他の元素に比べて非常に少ないので、大幅な生
産量の増大は困難である。したがって、今後、表示素子
等の市場規模拡大に伴い透明導電膜の需要拡大が予想さ
れるが、原料であるインジウムの安定供給に問題があ
る。
【０００４】一方、酸化亜鉛（ＺｎＯ）系の透明導電膜
は、原料がきわめて低価格であり、かつ、埋蔵量、生産
量ともにきわめて多く、資源枯渇や供給安定性の点で心
配がないという利点を有する。
は、原料がきわめて低価格であり、かつ、埋蔵量、生産
量ともにきわめて多く、資源枯渇や供給安定性の点で心
配がないという利点を有する。
【０００５】近年、各種素子の軽量化への要望から、透
明導電膜付きプラスチック板の需要の伸びが期待され
る。プラスチック基板上へ成膜する場合、ＩＴＯ膜はＯ
2 含有雰囲気で成膜するため基板へのダメージが大き
い。また、エッチングの際も強いエッチング溶液を使う
必要があるため基板が変質してしまう可能性がある。こ
れに対して、ＺｎＯ系膜は非酸化性雰囲気で成膜可能な
ので成膜時の基板のダメージは少ない。また、マイルド
な条件でエッチングできるため基板の変質を抑えうると
いうメリットがある。
明導電膜付きプラスチック板の需要の伸びが期待され
る。プラスチック基板上へ成膜する場合、ＩＴＯ膜はＯ
2 含有雰囲気で成膜するため基板へのダメージが大き
い。また、エッチングの際も強いエッチング溶液を使う
必要があるため基板が変質してしまう可能性がある。こ
れに対して、ＺｎＯ系膜は非酸化性雰囲気で成膜可能な
ので成膜時の基板のダメージは少ない。また、マイルド
な条件でエッチングできるため基板の変質を抑えうると
いうメリットがある。
【０００６】しかし、ＺｎＯ系透明導電膜は、低抵抗膜
が得にくいという欠点がある。特に、プラスチック基板
上へ成膜する場合、基板の耐熱温度以下（約１００℃）
で成膜しなければならないが、従来の方法では１００℃
以下で５×１０-4Ω・ｃｍ以下の低抵抗膜を得ることは
困難であった。ガラス基板上でも、特殊な成膜方法（基
板配置の工夫、非酸化性雰囲気中での高温加熱処理）で
は、２×１０-4Ω・ｃｍ程度の低比抵抗膜が作製できる
ことが知られているが、通常の生産容易な方法では３×
１０-4Ω・ｃｍ以下の低比抵抗膜を得ることは困難であ
った。
が得にくいという欠点がある。特に、プラスチック基板
上へ成膜する場合、基板の耐熱温度以下（約１００℃）
で成膜しなければならないが、従来の方法では１００℃
以下で５×１０-4Ω・ｃｍ以下の低抵抗膜を得ることは
困難であった。ガラス基板上でも、特殊な成膜方法（基
板配置の工夫、非酸化性雰囲気中での高温加熱処理）で
は、２×１０-4Ω・ｃｍ程度の低比抵抗膜が作製できる
ことが知られているが、通常の生産容易な方法では３×
１０-4Ω・ｃｍ以下の低比抵抗膜を得ることは困難であ
った。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、従来技術が
有していた上記の欠点を解決し、低い基板温度での成膜
においても、低比抵抗の酸化亜鉛系透明導電膜が得られ
る透明導電膜の製造方法の提供を目的とする。
有していた上記の欠点を解決し、低い基板温度での成膜
においても、低比抵抗の酸化亜鉛系透明導電膜が得られ
る透明導電膜の製造方法の提供を目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明は、マグネトロン
スパッタリング法により、酸化亜鉛を主成分とする透明
導電膜を製造する方法において、酸化ガリウムを含有す
る酸化亜鉛を主成分とするターゲットを用い、ターゲッ
ト表面における最大水平磁束密度を５００〜１２００ガ
ウスとすることを特徴とする透明導電膜の製造方法を提
供する。
スパッタリング法により、酸化亜鉛を主成分とする透明
導電膜を製造する方法において、酸化ガリウムを含有す
る酸化亜鉛を主成分とするターゲットを用い、ターゲッ
ト表面における最大水平磁束密度を５００〜１２００ガ
ウスとすることを特徴とする透明導電膜の製造方法を提
供する。
【０００９】本発明は、強磁場カソードを用いることに
より、歪の少ない低比抵抗Ｇａ添加ＺｎＯ（以下ＧＺＯ
と略す）膜が得られるという新規知見に基づくものであ
る。
より、歪の少ない低比抵抗Ｇａ添加ＺｎＯ（以下ＧＺＯ
と略す）膜が得られるという新規知見に基づくものであ
る。
【００１０】本発明においては、ターゲット表面の最大
水平磁束密度が５００ガウス以上となるような強磁場カ
ソードを用いる。５００ガウスより低い場合は、低抵抗
化の効果が少なく、また、１２００ガウスを超える場合
は、スパッタリングの面積が小さくなり、ターゲットの
有効利用率が低くなる。好ましくは、６００〜８００ガ
ウスである。
水平磁束密度が５００ガウス以上となるような強磁場カ
ソードを用いる。５００ガウスより低い場合は、低抵抗
化の効果が少なく、また、１２００ガウスを超える場合
は、スパッタリングの面積が小さくなり、ターゲットの
有効利用率が低くなる。好ましくは、６００〜８００ガ
ウスである。
【００１１】なお、このときの最大垂直磁束密度は、装
置によっても異なるが、８００〜２０００ガウスとなる
ようにすることが好ましい。
置によっても異なるが、８００〜２０００ガウスとなる
ようにすることが好ましい。
【００１２】前記ターゲットの酸化ガリウムの含有割合
は、ガリウム（Ｇａ）原子の割合に換算して、亜鉛（Ｚ
ｎ）原子に対し０．５〜１２原子％が好ましい。
は、ガリウム（Ｇａ）原子の割合に換算して、亜鉛（Ｚ
ｎ）原子に対し０．５〜１２原子％が好ましい。
【００１３】０．５原子％より少なくても、１２原子％
より多くても、比抵抗が高くなるので好ましくない。よ
り好ましい酸化ガリウムの含有割合は、ガリウム（Ｇ
ａ）原子の割合に換算して、亜鉛（Ｚｎ）原子に対し
２．６〜８．７原子％であり、これを、Ｇａ2 Ｏ3 とＺ
ｎＯとの総和に対するＧａ2 Ｏ3 の含有割合で表すと、
３．０〜１０．０重量％となる。
より多くても、比抵抗が高くなるので好ましくない。よ
り好ましい酸化ガリウムの含有割合は、ガリウム（Ｇ
ａ）原子の割合に換算して、亜鉛（Ｚｎ）原子に対し
２．６〜８．７原子％であり、これを、Ｇａ2 Ｏ3 とＺ
ｎＯとの総和に対するＧａ2 Ｏ3 の含有割合で表すと、
３．０〜１０．０重量％となる。
【００１４】本発明の透明導電膜には、Ｚｎ、Ｇａ以外
の金属元素が本発明の目的を損わない範囲で含まれてい
ても支障ないが、なるべく少量にとどめることが望まし
い。
の金属元素が本発明の目的を損わない範囲で含まれてい
ても支障ないが、なるべく少量にとどめることが望まし
い。
【００１５】透明導電膜を形成する基体としては、ガラ
ス、プラスチック板、プラスチックフィルム等が挙げら
れる。
ス、プラスチック板、プラスチックフィルム等が挙げら
れる。
【００１６】基体がソーダライムガラスのように、その
成分としてアルカリ金属を含む場合には、成膜時あるい
は熱処理時あるいは長期間の使用における基体から導電
膜へのアルカリ金属の拡散を防止するために、基体と透
明導電膜との間にＳｉ、Ａｌ、Ｚｒ等の金属の酸化物を
主成分とする下地層を形成することが好ましい。スパッ
タリング雰囲気は、アルゴン（Ａｒ）１００％等の非酸
化性雰囲気が好ましい。Ｏ2 等を含んだ酸化性雰囲気中
では、膜や基板へのダメージが大きくなるので好ましく
ない。
成分としてアルカリ金属を含む場合には、成膜時あるい
は熱処理時あるいは長期間の使用における基体から導電
膜へのアルカリ金属の拡散を防止するために、基体と透
明導電膜との間にＳｉ、Ａｌ、Ｚｒ等の金属の酸化物を
主成分とする下地層を形成することが好ましい。スパッ
タリング雰囲気は、アルゴン（Ａｒ）１００％等の非酸
化性雰囲気が好ましい。Ｏ2 等を含んだ酸化性雰囲気中
では、膜や基板へのダメージが大きくなるので好ましく
ない。
【００１７】図１に、Ｇａ2 Ｏ3 とＺｎＯとの総和に対
するＧａ2 Ｏ3 の含有割合（以下、単にＧａ2 Ｏ3 の含
有割合という）が７．５重量％（Ｚｎに対するＧａの含
有割合が６. ６原子％）であるＺｎＯターゲットを用い
て成膜したＧＺＯ膜の比抵抗の基板温度依存性を示す。
するＧａ2 Ｏ3 の含有割合（以下、単にＧａ2 Ｏ3 の含
有割合という）が７．５重量％（Ｚｎに対するＧａの含
有割合が６. ６原子％）であるＺｎＯターゲットを用い
て成膜したＧＺＯ膜の比抵抗の基板温度依存性を示す。
【００１８】ターゲット表面における最大水平磁束密度
が６５０ガウスとなる強磁場カソードを使用した方が、
３００ガウスとなる強磁場カソードを使用した場合に比
べ、すべての基板温度領域において、得られるＧＺＯ膜
の比抵抗が低い。特に、基板温度が１００℃以下の場合
には、その差が著しい。
が６５０ガウスとなる強磁場カソードを使用した方が、
３００ガウスとなる強磁場カソードを使用した場合に比
べ、すべての基板温度領域において、得られるＧＺＯ膜
の比抵抗が低い。特に、基板温度が１００℃以下の場合
には、その差が著しい。
【００１９】次に、Ｇａ2 Ｏ3 の含有割合が７．５重量
％であるＺｎＯターゲットを用いて、基板温度１００℃
でＧＺＯ膜を成膜し、該ＧＺＯ膜について、Ｃｕ−Ｋα
線を用いて測定した。その場合のＸ線回折パターンのＺ
ｎＯ（００２）回折線のピークプロファイルを図２に示
す。
％であるＺｎＯターゲットを用いて、基板温度１００℃
でＧＺＯ膜を成膜し、該ＧＺＯ膜について、Ｃｕ−Ｋα
線を用いて測定した。その場合のＸ線回折パターンのＺ
ｎＯ（００２）回折線のピークプロファイルを図２に示
す。
【００２０】ターゲット表面における最大水平磁束密度
が６５０ガウスとなる強磁場カソードを使用した方が、
３００ガウスとなる強磁場カソードを使用した場合に比
べ、ＺｎＯ（００２）ピークの位置が粉末ＺｎＯの値
（３４．４４°）に近くなっている。すなわち、格子歪
が低減している。これは、強磁場化によりスパッタ電圧
が４１０Ｖから３４０Ｖへと低下していることも考えあ
わせると、カソードで反跳されるスパッタ粒子のエネル
ギーが低下し、膜へのダメージが低減したため、歪の少
ない低比抵抗膜が得られたと考えられる。実用上は、３
４．３０°以上であることが好ましい。
が６５０ガウスとなる強磁場カソードを使用した方が、
３００ガウスとなる強磁場カソードを使用した場合に比
べ、ＺｎＯ（００２）ピークの位置が粉末ＺｎＯの値
（３４．４４°）に近くなっている。すなわち、格子歪
が低減している。これは、強磁場化によりスパッタ電圧
が４１０Ｖから３４０Ｖへと低下していることも考えあ
わせると、カソードで反跳されるスパッタ粒子のエネル
ギーが低下し、膜へのダメージが低減したため、歪の少
ない低比抵抗膜が得られたと考えられる。実用上は、３
４．３０°以上であることが好ましい。
【００２１】なお、この膜のＧａ濃度をＩＣＰ法（誘導
結合型発光分光法）により分析したところＧａはＺｎに
対して６. ６原子％の含有量であり、ターゲット組成と
一致していた。
結合型発光分光法）により分析したところＧａはＺｎに
対して６. ６原子％の含有量であり、ターゲット組成と
一致していた。
【００２２】
［例１］真空チャンバー内を１×１０-6Ｔｏｒｒ以下に
なるまで真空引きした後、直流マグネトロンスパッタリ
ング法により、ガラス基板上に、Ａｒのみの１×１０-2
Ｔｏｒｒの雰囲気中で、Ｇａ2 Ｏ3 の含有割合が５．７
重量であるＺｎＯ（Ｚｎに対するＧａの含有割合が５.
０原子％）焼結ターゲットを用いて、ＧＺＯ膜を３００
ｎｍ形成した。成膜中の基板温度は２５０℃、スパッタ
電力密度は、１．１Ｗ／ｃｍ2 であった。ターゲット表
面の最大水平磁束密度は６５０ガウスであった。得られ
た膜の比抵抗は２．２×１０-4Ω・ｃｍでありＩＴＯ膜
と同等の良好な導電性が得られた。ＺｎＯ（００２）回
折線のピーク位置は３４．４０°であった。
なるまで真空引きした後、直流マグネトロンスパッタリ
ング法により、ガラス基板上に、Ａｒのみの１×１０-2
Ｔｏｒｒの雰囲気中で、Ｇａ2 Ｏ3 の含有割合が５．７
重量であるＺｎＯ（Ｚｎに対するＧａの含有割合が５.
０原子％）焼結ターゲットを用いて、ＧＺＯ膜を３００
ｎｍ形成した。成膜中の基板温度は２５０℃、スパッタ
電力密度は、１．１Ｗ／ｃｍ2 であった。ターゲット表
面の最大水平磁束密度は６５０ガウスであった。得られ
た膜の比抵抗は２．２×１０-4Ω・ｃｍでありＩＴＯ膜
と同等の良好な導電性が得られた。ＺｎＯ（００２）回
折線のピーク位置は３４．４０°であった。
【００２３】［例２］ターゲットとして、Ｇａ2 Ｏ3 の
含有割合が７．５重量％であるＺｎＯ（Ｚｎに対するＧ
ａの含有割合が６. ６原子％）焼結ターゲットを用い、
基板温度を１００℃とした以外は、例１と同様にしてＧ
ＺＯ膜を形成した。得られた膜の比抵抗は２．９×１０
-4Ω・ｃｍであり、基板温度が１００℃でも良好な導電
性が得られた。ＺｎＯ（００２）回折線のピーク位置は
３４．３６°であった。
含有割合が７．５重量％であるＺｎＯ（Ｚｎに対するＧ
ａの含有割合が６. ６原子％）焼結ターゲットを用い、
基板温度を１００℃とした以外は、例１と同様にしてＧ
ＺＯ膜を形成した。得られた膜の比抵抗は２．９×１０
-4Ω・ｃｍであり、基板温度が１００℃でも良好な導電
性が得られた。ＺｎＯ（００２）回折線のピーク位置は
３４．３６°であった。
【００２４】［例３］例２におけるガラス基板に代え
て、ポリカーボネート基板を用いた以外は例２と同様に
ＧＺＯ膜を形成した。得られた膜の比抵抗は３．１×１
０-4Ω・ｃｍであり導電性は良好である。ＺｎＯ（００
２）回折線のピーク位置は３４．３４°であった。
て、ポリカーボネート基板を用いた以外は例２と同様に
ＧＺＯ膜を形成した。得られた膜の比抵抗は３．１×１
０-4Ω・ｃｍであり導電性は良好である。ＺｎＯ（００
２）回折線のピーク位置は３４．３４°であった。
【００２５】［例４］基板温度を室温とした以外は、例
２と同様にしてＧＺＯ膜を形成した。得られた膜の比抵
抗は４．３×１０-4Ω・ｃｍであり、基板温度が室温で
も良好な導電性が得られた。ＺｎＯ（００２）回折線の
ピーク位置は３４．３２°であった。
２と同様にしてＧＺＯ膜を形成した。得られた膜の比抵
抗は４．３×１０-4Ω・ｃｍであり、基板温度が室温で
も良好な導電性が得られた。ＺｎＯ（００２）回折線の
ピーク位置は３４．３２°であった。
【００２６】［例５（比較例）］ターゲット表面の最大
水平磁束密度を３００ガウスとした以外は、例１と同様
にＧＺＯ膜を形成した。得られた膜の比抵抗は２．８×
１０-4Ω・ｃｍであり、ＺｎＯ（００２）回折線のピー
ク位置は３４．２８°であった。
水平磁束密度を３００ガウスとした以外は、例１と同様
にＧＺＯ膜を形成した。得られた膜の比抵抗は２．８×
１０-4Ω・ｃｍであり、ＺｎＯ（００２）回折線のピー
ク位置は３４．２８°であった。
【００２７】［例６（比較例）］ターゲット表面の最大
水平磁束密度を３００ガウスとした以外は、例２と同様
にＧＺＯ膜を形成した。得られた膜の比抵抗は６．５×
１０-4Ω・ｃｍであり、ＺｎＯ（００２）回折線のピー
ク位置は３４．２６°であった。
水平磁束密度を３００ガウスとした以外は、例２と同様
にＧＺＯ膜を形成した。得られた膜の比抵抗は６．５×
１０-4Ω・ｃｍであり、ＺｎＯ（００２）回折線のピー
ク位置は３４．２６°であった。
【００２８】［例７（比較例）］ターゲット表面の最大
水平磁束密度を３００ガウスとした以外は、例３と同様
にＧＺＯ膜を形成した。得られた膜の比抵抗は６．８×
１０-4Ω・ｃｍであり、ＺｎＯ（００２）回折線のピー
ク位置は３４．２５°であった。
水平磁束密度を３００ガウスとした以外は、例３と同様
にＧＺＯ膜を形成した。得られた膜の比抵抗は６．８×
１０-4Ω・ｃｍであり、ＺｎＯ（００２）回折線のピー
ク位置は３４．２５°であった。
【００２９】［例８（比較例）］ターゲットとして、Ａ
ｌ2 Ｏ3 とＺｎＯとの総和に対するＡｌ2 Ｏ3 の含有割
合が３．１重量％であるＡｌ2 Ｏ3 添加ＺｎＯ（Ｚｎに
対するＡｌの含有割合が５. ０原子％）焼結ターゲット
を用いた以外は、例１と同様にして成膜し、Ａｌドープ
ＺｎＯ膜を３００ｎｍ形成した。得られた膜の比抵抗は
４．８×１０-4Ω・ｃｍであり、Ｇａ添加に比べて２倍
以上であった。ＺｎＯ（００２）回折線のピーク位置は
３４．３４°であった。
ｌ2 Ｏ3 とＺｎＯとの総和に対するＡｌ2 Ｏ3 の含有割
合が３．１重量％であるＡｌ2 Ｏ3 添加ＺｎＯ（Ｚｎに
対するＡｌの含有割合が５. ０原子％）焼結ターゲット
を用いた以外は、例１と同様にして成膜し、Ａｌドープ
ＺｎＯ膜を３００ｎｍ形成した。得られた膜の比抵抗は
４．８×１０-4Ω・ｃｍであり、Ｇａ添加に比べて２倍
以上であった。ＺｎＯ（００２）回折線のピーク位置は
３４．３４°であった。
【００３０】以上の例１〜８の結果を表１に示す。
【００３１】
【表１】
【００３２】
【発明の効果】本発明によれば、ＩＴＯ膜と同等の低比
抵抗のＺｎＯ系透明導電膜を、低温で、かつ、安価で安
定供給できる。
抵抗のＺｎＯ系透明導電膜を、低温で、かつ、安価で安
定供給できる。
【図１】ＧＺＯ膜の比抵抗の基板温度依存性を示す図
【図２】ＧＺＯ膜のＸ線回折パターンのＺｎＯ（００
２）回折線のピークプロファイル
２）回折線のピークプロファイル
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 西村 啓道 神奈川県横浜市神奈川区羽沢町1150番地 旭硝子株式会社中央研究所内
Claims (2)
- 【請求項１】マグネトロンスパッタリング法により、酸
化亜鉛を主成分とする透明導電膜を製造する方法におい
て、酸化ガリウムを含有する酸化亜鉛を主成分とするタ
ーゲットを用い、ターゲット表面における最大水平磁束
密度を５００〜１２００ガウスとすることを特徴とする
透明導電膜の製造方法。 - 【請求項２】前記ターゲットの酸化ガリウムの含有割合
が、ガリウム原子の割合に換算して、亜鉛原子に対し
０．５〜１２原子％であることを特徴とする請求項１記
載の透明導電膜の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24802195A JPH0987833A (ja) | 1995-09-26 | 1995-09-26 | 透明導電膜の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24802195A JPH0987833A (ja) | 1995-09-26 | 1995-09-26 | 透明導電膜の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0987833A true JPH0987833A (ja) | 1997-03-31 |
Family
ID=17172029
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24802195A Pending JPH0987833A (ja) | 1995-09-26 | 1995-09-26 | 透明導電膜の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0987833A (ja) |
Cited By (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6136162A (en) * | 1998-02-17 | 2000-10-24 | Canon Kabushiki Kaisha | Method and apparatus for depositing zinc oxide film and method for producing photoelectric converter device |
| CN100370057C (zh) * | 2005-06-29 | 2008-02-20 | 山东大学 | 射频磁控溅射法制备ZnO∶Zr透明导电薄膜的方法 |
| WO2009028372A1 (ja) | 2007-08-24 | 2009-03-05 | Ulvac, Inc. | 透明導電膜の形成方法 |
| WO2009038091A1 (ja) * | 2007-09-19 | 2009-03-26 | Ulvac, Inc. | 太陽電池の製造方法 |
| WO2009038094A1 (ja) | 2007-09-19 | 2009-03-26 | Ulvac, Inc. | 太陽電池の製造方法 |
| JP2009135220A (ja) * | 2007-11-29 | 2009-06-18 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | 光電変換装置の製造方法 |
| WO2009084441A1 (ja) * | 2007-12-28 | 2009-07-09 | Ulvac, Inc. | 透明導電膜の成膜方法及び成膜装置 |
| CN1962508B (zh) | 2006-11-28 | 2010-11-17 | 浙江大学 | 透明的高导电近红外反射镀膜玻璃及其制备方法 |
| DE112008003495T5 (de) | 2007-12-28 | 2010-11-18 | ULVAC, Inc., Chigasaki-shi | Verfahren zum Herstellen einer fotovoltaischen Zelle sowie fotovoltaische Zelle |
| WO2010140362A1 (ja) | 2009-06-03 | 2010-12-09 | 株式会社ニコン | 被膜形成物および被膜形成物の製造方法 |
| DE112009000156T5 (de) | 2008-01-24 | 2011-06-22 | ULVAC, Inc., Kanagawa | Verfahren zur Herstellung einer Flüssigkristallanzeigevorrichtung |
| CN102465272A (zh) * | 2010-11-15 | 2012-05-23 | 海洋王照明科技股份有限公司 | 多元复合透明导电薄膜的制备方法及其制备的薄膜和应用 |
-
1995
- 1995-09-26 JP JP24802195A patent/JPH0987833A/ja active Pending
Cited By (18)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6136162A (en) * | 1998-02-17 | 2000-10-24 | Canon Kabushiki Kaisha | Method and apparatus for depositing zinc oxide film and method for producing photoelectric converter device |
| CN100370057C (zh) * | 2005-06-29 | 2008-02-20 | 山东大学 | 射频磁控溅射法制备ZnO∶Zr透明导电薄膜的方法 |
| CN1962508B (zh) | 2006-11-28 | 2010-11-17 | 浙江大学 | 透明的高导电近红外反射镀膜玻璃及其制备方法 |
| WO2009028372A1 (ja) | 2007-08-24 | 2009-03-05 | Ulvac, Inc. | 透明導電膜の形成方法 |
| JP5145342B2 (ja) * | 2007-08-24 | 2013-02-13 | 株式会社アルバック | 透明導電膜の形成方法 |
| EP2194157A4 (en) * | 2007-08-24 | 2012-08-01 | Ulvac Inc | METHOD FOR FORMING A TRANSPARENT CONDUCTIVE FILM |
| WO2009038094A1 (ja) | 2007-09-19 | 2009-03-26 | Ulvac, Inc. | 太陽電池の製造方法 |
| JPWO2009038094A1 (ja) * | 2007-09-19 | 2011-01-06 | 株式会社アルバック | 太陽電池の製造方法 |
| JPWO2009038091A1 (ja) * | 2007-09-19 | 2011-01-06 | 株式会社アルバック | 太陽電池の製造方法 |
| WO2009038091A1 (ja) * | 2007-09-19 | 2009-03-26 | Ulvac, Inc. | 太陽電池の製造方法 |
| JP2009135220A (ja) * | 2007-11-29 | 2009-06-18 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | 光電変換装置の製造方法 |
| DE112008003492T5 (de) | 2007-12-28 | 2010-10-28 | ULVAC, Inc., Chigasaki-shi | Schichtbildendes Verfahren und Vorrichtung zum Schichtbilden für transparente, elektrisch-leitfähige Schichten |
| WO2009084441A1 (ja) * | 2007-12-28 | 2009-07-09 | Ulvac, Inc. | 透明導電膜の成膜方法及び成膜装置 |
| DE112008003495T5 (de) | 2007-12-28 | 2010-11-18 | ULVAC, Inc., Chigasaki-shi | Verfahren zum Herstellen einer fotovoltaischen Zelle sowie fotovoltaische Zelle |
| KR101238926B1 (ko) * | 2007-12-28 | 2013-03-06 | 가부시키가이샤 아루박 | 투명 도전막의 성막 방법 및 성막 장치 |
| DE112009000156T5 (de) | 2008-01-24 | 2011-06-22 | ULVAC, Inc., Kanagawa | Verfahren zur Herstellung einer Flüssigkristallanzeigevorrichtung |
| WO2010140362A1 (ja) | 2009-06-03 | 2010-12-09 | 株式会社ニコン | 被膜形成物および被膜形成物の製造方法 |
| CN102465272A (zh) * | 2010-11-15 | 2012-05-23 | 海洋王照明科技股份有限公司 | 多元复合透明导电薄膜的制备方法及其制备的薄膜和应用 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| Wang et al. | Effect of substrate temperature on transparent conducting Al and F co-doped ZnO thin films prepared by rf magnetron sputtering | |
| EP0578046B1 (en) | Transparent conductive film, and target and material for vapor deposition to be used for its production | |
| JP5561358B2 (ja) | 透明導電膜 | |
| JP3906766B2 (ja) | 酸化物焼結体 | |
| CN102348827B (zh) | 透明导电膜和透明导电膜层叠体及其制造方法、以及硅系薄膜太阳能电池 | |
| JP2018502215A (ja) | 金属酸化物薄膜、金属酸化物薄膜を堆積する方法及び金属酸化物薄膜を備える装置 | |
| JP2000040429A (ja) | 酸化亜鉛系透明導電膜の製造方法 | |
| JPH0987833A (ja) | 透明導電膜の製造方法 | |
| JP2007314364A (ja) | 酸化物焼結体、ターゲット、及びそれを用いて得られる酸化物透明導電膜ならびにその製造方法 | |
| JP4926977B2 (ja) | 酸化ガリウム−酸化亜鉛系焼結体スパッタリングターゲット | |
| JPS61205619A (ja) | 耐熱性酸化亜鉛透明導電膜 | |
| TW201240123A (en) | Method of manufacturing transparent conductive film, and method of manufacturing thin-film solar cell | |
| JP2011184715A (ja) | 酸化亜鉛系透明導電膜形成材料、その製造方法、それを用いたターゲット、および酸化亜鉛系透明導電膜の形成方法 | |
| JP4168689B2 (ja) | 薄膜積層体 | |
| JP4805648B2 (ja) | 半導体薄膜及びその製造方法 | |
| JPH0784654B2 (ja) | Ｉｔｏ透明導電膜用スパッタリングターゲットの製造方法 | |
| JP4779798B2 (ja) | 酸化物焼結体、ターゲット、およびそれを用いて得られる透明導電膜 | |
| JP2017193755A (ja) | 透明導電膜の製造方法、及び透明導電膜 | |
| JP3058278B2 (ja) | 酸化物焼結体及びその用途 | |
| JP4370868B2 (ja) | 酸化物焼結体及びスパッタリングターゲット、酸化物透明電極膜の製造方法 | |
| JPH06248427A (ja) | 真空蒸着用原料 | |
| JPH01283369A (ja) | Ｉｔｏ透明導電膜形成用スパッタリングターゲット | |
| CN107099771A (zh) | 多层azo薄膜的制备方法 | |
| JPH0765167B2 (ja) | Ｉｔｏ透明導電膜用スパッタリングターゲット | |
| CN101104548A (zh) | 一种铟铝共掺的低阻p型二氧化锡薄膜材料及其制造方法 |