JPH0989929A - 高周波プローブのターミネータ構造 - Google Patents
高周波プローブのターミネータ構造Info
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- JPH0989929A JPH0989929A JP24583895A JP24583895A JPH0989929A JP H0989929 A JPH0989929 A JP H0989929A JP 24583895 A JP24583895 A JP 24583895A JP 24583895 A JP24583895 A JP 24583895A JP H0989929 A JPH0989929 A JP H0989929A
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- 239000000523 sample Substances 0.000 title claims description 35
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 40
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 14
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 abstract description 23
- 238000004088 simulation Methods 0.000 description 13
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 9
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 9
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
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- Measuring Leads Or Probes (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 測定対象物の高周波領域での信号特性を正確
に検出することができない問題を無くそうとする課題が
あった。 【構成】 セラミック基板９は、その中央を通るように
信号線１１が配設され、この信号線１１の長さ方向の両
脇にグランドプレーン１２を絶縁して配置し、前記信号
線１１の一端側に終端用抵抗１３を接続し、その終端用
抵抗１３は両脇のグランドプレーン１２に対して橋渡し
に接続したコプレーナ型の配線構造とした。
に検出することができない問題を無くそうとする課題が
あった。 【構成】 セラミック基板９は、その中央を通るように
信号線１１が配設され、この信号線１１の長さ方向の両
脇にグランドプレーン１２を絶縁して配置し、前記信号
線１１の一端側に終端用抵抗１３を接続し、その終端用
抵抗１３は両脇のグランドプレーン１２に対して橋渡し
に接続したコプレーナ型の配線構造とした。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、プリント配線板等
の測定対象物に高周波信号を出力し、その反射波を入力
して解析することで、プリント配線板等の測定対象物の
高周波信号特性を測定する高周波プローブのターミネー
タ構造に関する。
の測定対象物に高周波信号を出力し、その反射波を入力
して解析することで、プリント配線板等の測定対象物の
高周波信号特性を測定する高周波プローブのターミネー
タ構造に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の高周波プローブは、例えば、「CA
SCADE MICROTECH （メーカー名）」ののものが知られて
おり、又、そのマニュアルである文献名「 CASCADE MIC
ROTECHANALYTICAL PROBE STATION Instruction Manual
」にも記載されていた。以下に、図面を参照して、こ
の従来の高周波プローブのターミネータ構造を説明す
る。
SCADE MICROTECH （メーカー名）」ののものが知られて
おり、又、そのマニュアルである文献名「 CASCADE MIC
ROTECHANALYTICAL PROBE STATION Instruction Manual
」にも記載されていた。以下に、図面を参照して、こ
の従来の高周波プローブのターミネータ構造を説明す
る。
【０００３】図１０は高周波プローブの側面図、図１１
は高周波プローブの上面図である。この高周波プローブ
は、測定対象物Ｘに電気的に接触させるための信号線を
配設したセラミック基板１を本体２に固着し、前記セラ
ミック基板１と信号線により電気的に接続されたＳＭＡ
コネクタ３を前記本体２に固着した構造にしてある。
は高周波プローブの上面図である。この高周波プローブ
は、測定対象物Ｘに電気的に接触させるための信号線を
配設したセラミック基板１を本体２に固着し、前記セラ
ミック基板１と信号線により電気的に接続されたＳＭＡ
コネクタ３を前記本体２に固着した構造にしてある。
【０００４】次に、前記セラミック基板１の配線構造を
説明する。図１２は、セラミック基板の裏面図である。
このセラミック基板１は、その中央を通るように信号線
４が配設され、この信号線４の長さ方向の両脇にグラン
ドプレーン５を絶縁して配置したコプレーナ型の配線構
造としてある。
説明する。図１２は、セラミック基板の裏面図である。
このセラミック基板１は、その中央を通るように信号線
４が配設され、この信号線４の長さ方向の両脇にグラン
ドプレーン５を絶縁して配置したコプレーナ型の配線構
造としてある。
【０００５】図１３は、高周波プローブの使用例の説明
図である。なお、高周波プローブには、高周波信号入出
力用と、その反射波用の２種類が必要であり、ここで
は、その簡単なモデルである２つの高周波プローブを使
用する場合を説明する。一方の高周波プローブには、前
記ＳＭＡコネクタ３に終端用抵抗６を取り付け、この終
端用抵抗６で高周波信号を反射するようにしてある。他
方の高周波プローブには、前記ＳＭＡコネクタ３に同軸
ケーブル７を介して測定器８を取り付け、測定対象物Ｘ
に高周波信号を発信し、また、前記終端用抵抗６を介し
て反射される反射波を入力して解析するようにしてあ
る。このように、前記ＳＭＡコネクタ３は、終端用抵抗
６又は同軸ケーブル７の両方に接続可能にしてある。
図である。なお、高周波プローブには、高周波信号入出
力用と、その反射波用の２種類が必要であり、ここで
は、その簡単なモデルである２つの高周波プローブを使
用する場合を説明する。一方の高周波プローブには、前
記ＳＭＡコネクタ３に終端用抵抗６を取り付け、この終
端用抵抗６で高周波信号を反射するようにしてある。他
方の高周波プローブには、前記ＳＭＡコネクタ３に同軸
ケーブル７を介して測定器８を取り付け、測定対象物Ｘ
に高周波信号を発信し、また、前記終端用抵抗６を介し
て反射される反射波を入力して解析するようにしてあ
る。このように、前記ＳＭＡコネクタ３は、終端用抵抗
６又は同軸ケーブル７の両方に接続可能にしてある。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】上記従来の高周波プロ
ーブのターミネータ構造では、一方の高周波プローブの
ＳＭＡコネクタに終端用抵抗を取り付けるようにした構
造であった。ところで、測定対象物の高周波領域での信
号特性を正確に検出するためには、他の素子の影響をカ
ットして終端用抵抗の高周波領域での終端効果の劣化を
少なくするのが好ましい。
ーブのターミネータ構造では、一方の高周波プローブの
ＳＭＡコネクタに終端用抵抗を取り付けるようにした構
造であった。ところで、測定対象物の高周波領域での信
号特性を正確に検出するためには、他の素子の影響をカ
ットして終端用抵抗の高周波領域での終端効果の劣化を
少なくするのが好ましい。
【０００７】しかしながら、上記従来の高周波プローブ
のターミネータ構造では、終端用抵抗がＳＭＡコネクタ
と信号線を介して測定対象物に接続してあるので、コネ
クタと信号線の電気的特性が高周波信号に影響を及ぼし
終端用抵抗の高周波領域での終端効果を劣化させる問題
があり、測定対象物の高周波領域での信号特性を正確に
検出することができない問題があった。
のターミネータ構造では、終端用抵抗がＳＭＡコネクタ
と信号線を介して測定対象物に接続してあるので、コネ
クタと信号線の電気的特性が高周波信号に影響を及ぼし
終端用抵抗の高周波領域での終端効果を劣化させる問題
があり、測定対象物の高周波領域での信号特性を正確に
検出することができない問題があった。
【０００８】
【課題を解決するための手段】そこで本発明は、測定対
象物に電気的に接触させるための信号線及びグランドプ
レーンを基板上に配設し、前記信号線と電気的に接続し
た終端用抵抗を有する高周波プローブのターミネータ構
造において、信号線の一端側に終端用抵抗を接続して配
置した。従って、終端用抵抗が測定対象物に直近した位
置になり、終端用抵抗の高周波領域での終端効果が従来
のものに比べて良くなる。
象物に電気的に接触させるための信号線及びグランドプ
レーンを基板上に配設し、前記信号線と電気的に接続し
た終端用抵抗を有する高周波プローブのターミネータ構
造において、信号線の一端側に終端用抵抗を接続して配
置した。従って、終端用抵抗が測定対象物に直近した位
置になり、終端用抵抗の高周波領域での終端効果が従来
のものに比べて良くなる。
【０００９】
【発明の実施の形態】以下に、図面を参照して、本発明
の実施の形態の高周波プローブのターミネータ構造を説
明する。 第１の実施の形態 図１は、高周波プローブの側面図である。
の実施の形態の高周波プローブのターミネータ構造を説
明する。 第１の実施の形態 図１は、高周波プローブの側面図である。
【００１０】この高周波プローブは、測定対象物Ｘに電
気的に接触させるための信号線を配設したセラミック基
板９を本体１０に固着した構造にしてある。次に、前記
セラミック基板９の配線構造を説明する。図２は、セラ
ミック基板の裏面図である。このセラミック基板９は、
その中央を通るように信号線１１が配設され、この信号
線１１の長さ方向の両脇にグランドプレーン１２を絶縁
して配置し、前記信号線１１の一端側に終端用抵抗１３
を接続し、その終端用抵抗１３は両脇のグランドプレー
ン１２に対して橋渡しに接続したコプレーナ型の配線構
造としてある。
気的に接触させるための信号線を配設したセラミック基
板９を本体１０に固着した構造にしてある。次に、前記
セラミック基板９の配線構造を説明する。図２は、セラ
ミック基板の裏面図である。このセラミック基板９は、
その中央を通るように信号線１１が配設され、この信号
線１１の長さ方向の両脇にグランドプレーン１２を絶縁
して配置し、前記信号線１１の一端側に終端用抵抗１３
を接続し、その終端用抵抗１３は両脇のグランドプレー
ン１２に対して橋渡しに接続したコプレーナ型の配線構
造としてある。
【００１１】なお、前記終端用抵抗１３は、小型部品で
構成したり、又は、セラミック基板９上に厚膜抵抗印刷
によって形成するものとする。上述の構造とすること
で、終端用抵抗１３は、測定対象物Ｘとの電気的接触部
１４の直近に形成することができるようになる。次に、
上記実施の形態１のシミュレーションモデルを説明す
る。
構成したり、又は、セラミック基板９上に厚膜抵抗印刷
によって形成するものとする。上述の構造とすること
で、終端用抵抗１３は、測定対象物Ｘとの電気的接触部
１４の直近に形成することができるようになる。次に、
上記実施の形態１のシミュレーションモデルを説明す
る。
【００１２】図３はセラミック基板端面のシミュレーシ
ョンモデルの例示図である。図４はセラミック基板裏面
のシミュレーションモデルの例示図である。表１に、セ
ラミック基板９、信号線１１、グランドプレーン１２及
び終端用抵抗１３の各諸元を示す。
ョンモデルの例示図である。図４はセラミック基板裏面
のシミュレーションモデルの例示図である。表１に、セ
ラミック基板９、信号線１１、グランドプレーン１２及
び終端用抵抗１３の各諸元を示す。
【００１３】
【表１】 図５は、測定対象物のシミュレーションモデルの例示図
である。ここで、測定対象物は、プリント配線基板とす
る。このプリント配線基板Ｘ１は、その一方の面にマイ
クロストリップ線路Ｘ２を配線し、他方の面にグランド
プレーンを形成してある。その諸元を表２に示す。
である。ここで、測定対象物は、プリント配線基板とす
る。このプリント配線基板Ｘ１は、その一方の面にマイ
クロストリップ線路Ｘ２を配線し、他方の面にグランド
プレーンを形成してある。その諸元を表２に示す。
【００１４】
【表２】 上述の諸元でシミュレーションを行った。
【００１５】図６は、高周波測定のシミュレーションモ
デルの例示図である。プリント配線基板Ｘ１は、終端用
抵抗１９を介して入力した高周波信号を測定器８に出力
する。そして、測定器８はその高周波信号を解析する。
図７は、シミュレーション結果を示すグラフである。こ
の結果は、評価パラメーターとして反射係数（Ｓパラメ
ーターのＳ11）を用い、周波数に応じて反射係数を算出
したものである。横軸に周波数、縦軸に反射係数を取っ
ている。また、曲線Ａは第１の実施の形態の場合、曲線
Ｂは従来の場合、曲線Ｃは理想の終端用抵抗を用いた場
合を示す。なお、Ｃは、電気的に抵抗値だけを考慮し、
電気的反射や抵抗値の周波数特性の影響は無い場合であ
る。
デルの例示図である。プリント配線基板Ｘ１は、終端用
抵抗１９を介して入力した高周波信号を測定器８に出力
する。そして、測定器８はその高周波信号を解析する。
図７は、シミュレーション結果を示すグラフである。こ
の結果は、評価パラメーターとして反射係数（Ｓパラメ
ーターのＳ11）を用い、周波数に応じて反射係数を算出
したものである。横軸に周波数、縦軸に反射係数を取っ
ている。また、曲線Ａは第１の実施の形態の場合、曲線
Ｂは従来の場合、曲線Ｃは理想の終端用抵抗を用いた場
合を示す。なお、Ｃは、電気的に抵抗値だけを考慮し、
電気的反射や抵抗値の周波数特性の影響は無い場合であ
る。
【００１６】このグラフのように、曲線Ａは曲線Ｂより
も曲線Ｃにより近似するようになり、高周波プローブの
終端効果が従来に比べて向上する。上記第１の実施の形
態によると、セラミック基板９上に終端用抵抗を配設し
たので、ＳＭＡコネクタを介することがなくなり、ま
た、セラミック基板９上に配設したことで信号線１１を
短くすることが可能となり、測定対象物の直近に終端用
抵抗を配設できるため、従来の場合に比べてＳＭＡコネ
クタ及び信号線の影響を低減することができるようにな
る。このため、高周波領域で終端効果を向上させること
ができるようになる。
も曲線Ｃにより近似するようになり、高周波プローブの
終端効果が従来に比べて向上する。上記第１の実施の形
態によると、セラミック基板９上に終端用抵抗を配設し
たので、ＳＭＡコネクタを介することがなくなり、ま
た、セラミック基板９上に配設したことで信号線１１を
短くすることが可能となり、測定対象物の直近に終端用
抵抗を配設できるため、従来の場合に比べてＳＭＡコネ
クタ及び信号線の影響を低減することができるようにな
る。このため、高周波領域で終端効果を向上させること
ができるようになる。
【００１７】第２の実施の形態 図８は、高周波プローブの側面図である。この高周波プ
ローブは、薄膜である測定対象物Ｘに電気的に接触させ
るための信号線を配設した薄膜基板１５を本体１６に固
着した構造にしてある。次に、前記薄膜基板１５の配線
構造を説明する。
ローブは、薄膜である測定対象物Ｘに電気的に接触させ
るための信号線を配設した薄膜基板１５を本体１６に固
着した構造にしてある。次に、前記薄膜基板１５の配線
構造を説明する。
【００１８】図９は、薄膜基板の裏面図である。この薄
膜基板１５は、その中央を通るように信号線１７が配設
され、この信号線１７の長さ方向の両脇にグランドプレ
ーン１８を絶縁して配置し、前記信号線１７の一端側に
終端用抵抗１９を接続し、その終端用抵抗１９は両脇の
グランドプレーン１８に対して橋渡しに接続したコプレ
ーナ型の配線構造としてある。
膜基板１５は、その中央を通るように信号線１７が配設
され、この信号線１７の長さ方向の両脇にグランドプレ
ーン１８を絶縁して配置し、前記信号線１７の一端側に
終端用抵抗１９を接続し、その終端用抵抗１９は両脇の
グランドプレーン１８に対して橋渡しに接続したコプレ
ーナ型の配線構造としてある。
【００１９】なお、前記終端用抵抗１９は、薄膜基板１
５上に薄膜抵抗の形成プロセスによって形成するものと
する。上述の構造とすることで、終端用抵抗１９は、測
定対象物Ｘとの電気的接触部２０の直近に形成すること
ができるようになる。また、上記第１の実施の形態と同
様のシミュレーションは省略するが、その結果は同様に
従来の場合比べて理想抵抗の場合に近くなる。
５上に薄膜抵抗の形成プロセスによって形成するものと
する。上述の構造とすることで、終端用抵抗１９は、測
定対象物Ｘとの電気的接触部２０の直近に形成すること
ができるようになる。また、上記第１の実施の形態と同
様のシミュレーションは省略するが、その結果は同様に
従来の場合比べて理想抵抗の場合に近くなる。
【００２０】上記第２の実施の形態によると、薄膜基板
１５上に終端用抵抗を配設したので、ＳＭＡコネクタを
介することがなくなり、また、セラミック基板１５上に
配設したことで信号線１７を短くすることが可能とな
り、測定対象物の直近に終端用抵抗を配設できるため、
従来の場合に比べてＳＭＡコネクタ及び信号線の影響を
低減することができるようになる。このため、高周波領
域で終端効果を向上させることができるようになる。
１５上に終端用抵抗を配設したので、ＳＭＡコネクタを
介することがなくなり、また、セラミック基板１５上に
配設したことで信号線１７を短くすることが可能とな
り、測定対象物の直近に終端用抵抗を配設できるため、
従来の場合に比べてＳＭＡコネクタ及び信号線の影響を
低減することができるようになる。このため、高周波領
域で終端効果を向上させることができるようになる。
【００２１】また、薄膜基板及び薄膜の終端用抵抗とし
たことで微細構造に対応することが可能となり、終端用
抵抗の抵抗値の精度を上げることが可能となるので、高
周波領域での終端効果を更に向上させることが可能とな
る。
たことで微細構造に対応することが可能となり、終端用
抵抗の抵抗値の精度を上げることが可能となるので、高
周波領域での終端効果を更に向上させることが可能とな
る。
【００２２】
【発明の効果】以上説明したように本発明の高周波プロ
ーブのターミネータ構造によると、高周波プローブの基
板上に終端用抵抗を配設したので、ＳＭＡコネクタを介
することがなくなり、また、基板上に配設したことで信
号線を短くすることが可能となり、測定対象物の直近に
終端用抵抗を配設できる効果が得られる。このため、従
来の場合に比べてＳＭＡコネクタ及び信号線の影響を低
減することができる効果が得られる。従って、高周波領
域で終端効果を向上させることができる効果が得られ
る。
ーブのターミネータ構造によると、高周波プローブの基
板上に終端用抵抗を配設したので、ＳＭＡコネクタを介
することがなくなり、また、基板上に配設したことで信
号線を短くすることが可能となり、測定対象物の直近に
終端用抵抗を配設できる効果が得られる。このため、従
来の場合に比べてＳＭＡコネクタ及び信号線の影響を低
減することができる効果が得られる。従って、高周波領
域で終端効果を向上させることができる効果が得られ
る。
【図１】第１の実施の形態の高周波プローブの側面図
【図２】第１の実施の形態のセラミック基板の裏面図
【図３】セラミック基板端面のシミュレーションモデル
の例示図
の例示図
【図４】セラミック基板裏面のシミュレーションモデル
の例示図
の例示図
【図５】測定対象物のシミュレーションモデルの例示図
【図６】高周波測定のシミュレーションモデルの例示図
【図７】シミュレーション結果を示すグラフ
【図８】第２の実施の形態の高周波プローブの側面図
【図９】第２の実施の形態の薄膜基板の裏面図
【図１０】従来の高周波プローブの側面図
【図１１】従来の高周波プローブの上面図
【図１２】従来のセラミック基板の裏面図
【図１３】高周波プローブの使用例の説明図
Ｘ 測定対象物 ９ セラミック基板 １０ 本体 １１ 信号線 １２ グランドプレーン １３ 終端用抵抗 １４ 電気的接触部 １５ 薄膜基板 １６ 本体 １７ 信号線 １８ グランドプレーン １９ 終端用抵抗 ２０ 電気的接触部
Claims (3)
- 【請求項１】 測定対象物に電気的に接触させるための
信号線及びグランドプレーンを基板上に配設し、前記信
号線と電気的に接続した終端用抵抗を有する高周波プロ
ーブのターミネータ構造において、 信号線の一端側に終端用抵抗を接続して配置したことを
特徴とする高周波プローブのターミネータ構造。 - 【請求項２】 測定対象物に電気的に接触させるための
信号線及びグランドプレーンを基板上に配設し、前記信
号線と電気的に接続した終端用抵抗を有する高周波プロ
ーブのターミネータ構造において、 信号線の一端側に終端用抵抗を接続して配置し、その終
端用抵抗をグランドプレーンに接続したことを特徴とす
る高周波プローブのターミネータ構造。 - 【請求項３】 請求項１又は請求項２において、基板を
薄膜基板とし、終端用抵抗を薄膜としたことを特徴とす
る高周波プローブのターミネータ構造。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24583895A JPH0989929A (ja) | 1995-09-25 | 1995-09-25 | 高周波プローブのターミネータ構造 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24583895A JPH0989929A (ja) | 1995-09-25 | 1995-09-25 | 高周波プローブのターミネータ構造 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0989929A true JPH0989929A (ja) | 1997-04-04 |
Family
ID=17139610
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24583895A Pending JPH0989929A (ja) | 1995-09-25 | 1995-09-25 | 高周波プローブのターミネータ構造 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0989929A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007309676A (ja) * | 2006-05-16 | 2007-11-29 | Mitsubishi Electric Corp | 回路測定用終端プローブ |
-
1995
- 1995-09-25 JP JP24583895A patent/JPH0989929A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007309676A (ja) * | 2006-05-16 | 2007-11-29 | Mitsubishi Electric Corp | 回路測定用終端プローブ |
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