JPH0990345A - 液晶表示装置 - Google Patents
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- JPH0990345A JPH0990345A JP7247219A JP24721995A JPH0990345A JP H0990345 A JPH0990345 A JP H0990345A JP 7247219 A JP7247219 A JP 7247219A JP 24721995 A JP24721995 A JP 24721995A JP H0990345 A JPH0990345 A JP H0990345A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】階調表示が可能な反射型カラー液晶表示装置を
提供する。 【解決手段】1画素をアクティブ素子を備えたサブピク
セルから構成し、各サブピクセルは白表示と黒表示と少
なくとも1色の色表示が可能であり、かつ各サブピクセ
ルの面積が異なる。
提供する。 【解決手段】1画素をアクティブ素子を備えたサブピク
セルから構成し、各サブピクセルは白表示と黒表示と少
なくとも1色の色表示が可能であり、かつ各サブピクセ
ルの面積が異なる。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は低消費電力を特徴と
する反射型カラー液晶表示装置に関する。
する反射型カラー液晶表示装置に関する。
【0002】
【従来の技術】反射型液晶表示装置は外光を光源として
表示を行うため、薄型かつ低消費電力である。また、反
射型液晶表示装置は今後急速に普及が進むと予想される
携帯型情報端末にも搭載可能である。
表示を行うため、薄型かつ低消費電力である。また、反
射型液晶表示装置は今後急速に普及が進むと予想される
携帯型情報端末にも搭載可能である。
【0003】カラー液晶表示装置では、一つの画素は独
立に制御可能な複数の部分から構成されている。例え
ば、透過型カラー液晶表示装置の1画素はR,G,B3
色のカラーフィルタに対応する三つの部分から構成され
ている。以後、1画素を構成する各部分を、サブピクセ
ルと呼ぶことにする。
立に制御可能な複数の部分から構成されている。例え
ば、透過型カラー液晶表示装置の1画素はR,G,B3
色のカラーフィルタに対応する三つの部分から構成され
ている。以後、1画素を構成する各部分を、サブピクセ
ルと呼ぶことにする。
【0004】透過型カラー液晶表示装置は、明暗の表示
とカラー表示を別々に行う。即ち、明暗を表示するのに
液晶層と位相板,偏光板を用い、カラー表示にカラーフ
ィルタを用いる。そして、明暗を表示するのに偏光板で
光を吸収し、またカラー表示を行うのにカラーフィルタ
で光を吸収する。この様に二つの部分で光を吸収するた
め、透過率が低かった。
とカラー表示を別々に行う。即ち、明暗を表示するのに
液晶層と位相板,偏光板を用い、カラー表示にカラーフ
ィルタを用いる。そして、明暗を表示するのに偏光板で
光を吸収し、またカラー表示を行うのにカラーフィルタ
で光を吸収する。この様に二つの部分で光を吸収するた
め、透過率が低かった。
【0005】これに対して、反射型カラー表示装置は1
つの部分で明暗の表示とカラー表示を行う。即ち、印加
電圧値に応じて表示色が変化する様に、液晶層と位相
板,偏光板を設定している。カラーフィルタは用いず、
液晶層と位相板と偏光板の複屈折干渉色により明暗の表
示とカラー表示を行う。光を吸収する部分は1つである
ため透過率が高く、反射型カラー表示が可能である。
つの部分で明暗の表示とカラー表示を行う。即ち、印加
電圧値に応じて表示色が変化する様に、液晶層と位相
板,偏光板を設定している。カラーフィルタは用いず、
液晶層と位相板と偏光板の複屈折干渉色により明暗の表
示とカラー表示を行う。光を吸収する部分は1つである
ため透過率が高く、反射型カラー表示が可能である。
【0006】透過型カラー液晶表示装置では、1つのサ
ブピクセルは常に同じ色を表示する。液晶配向を制御し
て各サブピクセルの透過率を変えることにより、1画素
の表示色と階調を変える。また、各サブピクセルの面積
はほぼ等しい。
ブピクセルは常に同じ色を表示する。液晶配向を制御し
て各サブピクセルの透過率を変えることにより、1画素
の表示色と階調を変える。また、各サブピクセルの面積
はほぼ等しい。
【0007】これに対して、反射型カラー液晶表示装置
では、1つのサブピクセルは印加電圧値に応じて異なる
色を表示する。即ち、白表示と黒表示を含む少なくとも
3色の色表示を行う。この様に、反射型カラー液晶表示
装置ではサブピクセルの動作が透過型カラー液晶表示装
置と異なるので、新しい階調表示法が必要になる。
では、1つのサブピクセルは印加電圧値に応じて異なる
色を表示する。即ち、白表示と黒表示を含む少なくとも
3色の色表示を行う。この様に、反射型カラー液晶表示
装置ではサブピクセルの動作が透過型カラー液晶表示装
置と異なるので、新しい階調表示法が必要になる。
【0008】従来の反射型カラー液晶表示装置では、例
えば特開平6−95151号では各サブピクセルの面積はほぼ
等しかった。
えば特開平6−95151号では各サブピクセルの面積はほぼ
等しかった。
【0009】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、反射型カラ
ー液晶表示装置の階調表示法を考案し、フルカラー表示
が可能な反射型カラー液晶表示装置を実現することを課
題とする。
ー液晶表示装置の階調表示法を考案し、フルカラー表示
が可能な反射型カラー液晶表示装置を実現することを課
題とする。
【0010】従来の反射型カラー液晶表示装置では各サ
ブピクセルの面積が等しいが、この場合の階調表示を緑
表示と白表示の間の階調を例に説明する。この場合各サ
ブピクセルは緑か白を表示するが、各サブピクセルの表
示色の組合せ数は次式で表される。
ブピクセルの面積が等しいが、この場合の階調表示を緑
表示と白表示の間の階調を例に説明する。この場合各サ
ブピクセルは緑か白を表示するが、各サブピクセルの表
示色の組合せ数は次式で表される。
【0011】
【数3】
【0012】数3中のnは1画素内のサブピクセルの数
である。透過型カラー液晶表示装置と同様にn=3とす
ると、各サブピクセルの表示色の組合せ数は8になる。
この場合の画素形状の1例を図2に示す。サブピクセル
に番号を付け(1,2,3,…)、i番目のサブピクセ
ルの面積をxi と表すことにする。すなわち、この場合
x1:x2:x3=1:1:1 である。各サブピクセルの
表示色の全組合せを図3に記した。図3中で、白ぬきで
示したサブピクセルは白表示を、斜線で示したサブピク
セルは緑表示を意味する。
である。透過型カラー液晶表示装置と同様にn=3とす
ると、各サブピクセルの表示色の組合せ数は8になる。
この場合の画素形状の1例を図2に示す。サブピクセル
に番号を付け(1,2,3,…)、i番目のサブピクセ
ルの面積をxi と表すことにする。すなわち、この場合
x1:x2:x3=1:1:1 である。各サブピクセルの
表示色の全組合せを図3に記した。図3中で、白ぬきで
示したサブピクセルは白表示を、斜線で示したサブピク
セルは緑表示を意味する。
【0013】人間が感じる色は1画素内の各色の面積比
によって決まる。図3中の(b),(c),(d)はいず
れも緑表示と白表示の面積比が2:1であり、人間はこ
れら三つを同じ色と感じる。また、(e),(f),(g)
もいずれも緑表示と白表示の面積比が1:2であり、人
間はこれら三つを同じ色と感じる。従って、図3に示し
た8通りの組合せは4階調しか表示できない。
によって決まる。図3中の(b),(c),(d)はいず
れも緑表示と白表示の面積比が2:1であり、人間はこ
れら三つを同じ色と感じる。また、(e),(f),(g)
もいずれも緑表示と白表示の面積比が1:2であり、人
間はこれら三つを同じ色と感じる。従って、図3に示し
た8通りの組合せは4階調しか表示できない。
【0014】
【課題を解決するための手段】上記の課題を解決するた
め、本発明では各サブピクセルの面積を異なる様に設定
した。
め、本発明では各サブピクセルの面積を異なる様に設定
した。
【0015】前節と同様、n=3の場合について考え
る。まず初めに、x1:x2:x3 =1:2:3とした。
この場合の画素形状の一例を図4に示す。緑表示と白表
示の間の階調について、各サブピクセルの表示色の全組
合せを図5に記した。x1+x2=x3 であるので図5中
の(d)と(e)が同じ色になるが、これ以外の組合せ
は互いに同じ色には成らない。図5に示した8通りの組
合せは、7階調の表示ができる。
る。まず初めに、x1:x2:x3 =1:2:3とした。
この場合の画素形状の一例を図4に示す。緑表示と白表
示の間の階調について、各サブピクセルの表示色の全組
合せを図5に記した。x1+x2=x3 であるので図5中
の(d)と(e)が同じ色になるが、これ以外の組合せ
は互いに同じ色には成らない。図5に示した8通りの組
合せは、7階調の表示ができる。
【0016】次に、x1:x2:x3=1:2:5 とした
場合について考える。この場合の画素形状の一例を図6
に示す。図7に記した様に、全ての組合せは互いに同じ
色には成らず、三つのサブピクセルによる最大の階調数
である8階調の表示ができる。n=3以外の場合でも、
xi に数1の関係が成り立てば全ての組合せは互いに同
じ色には成らず、最大の階調数が得られる。
場合について考える。この場合の画素形状の一例を図6
に示す。図7に記した様に、全ての組合せは互いに同じ
色には成らず、三つのサブピクセルによる最大の階調数
である8階調の表示ができる。n=3以外の場合でも、
xi に数1の関係が成り立てば全ての組合せは互いに同
じ色には成らず、最大の階調数が得られる。
【0017】図7では、表示色の組合せを白表示の面積
が多い順に並べてある。緑表示の面積比は0/8,1/
8,2/8,3/8,5/8,6/8,7/8,8/8
と変化する。赤表示の面積比は、0/8〜3/8,5/
8〜8/8の間では1/8ずつ増加するが、3/8と5
/8の間では2/8増加し、階調の変化の仕方は一定で
ない。そこで、次にx1:x2:x3=1:2:4 とす
る。この場合の画素形状の一例を図8に、各サブピクセ
ルの表示色の全組合せを図9にそれぞれ示す。緑表示の
面積比は0/7,1/7,2/7,3/7,4/7,5
/7,6/7,7/7と変化し、何れの階調の間でも緑
表示の面積比は1/7ずつ増加する。n=3以外の場合
でも、xi に数2の関係が成り立てば最大の階調数が得
られて、かつ階調の変化の仕方が一定になる。
が多い順に並べてある。緑表示の面積比は0/8,1/
8,2/8,3/8,5/8,6/8,7/8,8/8
と変化する。赤表示の面積比は、0/8〜3/8,5/
8〜8/8の間では1/8ずつ増加するが、3/8と5
/8の間では2/8増加し、階調の変化の仕方は一定で
ない。そこで、次にx1:x2:x3=1:2:4 とす
る。この場合の画素形状の一例を図8に、各サブピクセ
ルの表示色の全組合せを図9にそれぞれ示す。緑表示の
面積比は0/7,1/7,2/7,3/7,4/7,5
/7,6/7,7/7と変化し、何れの階調の間でも緑
表示の面積比は1/7ずつ増加する。n=3以外の場合
でも、xi に数2の関係が成り立てば最大の階調数が得
られて、かつ階調の変化の仕方が一定になる。
【0018】各表示色の色純度が高ければ表示色の範囲
が広がり、人間の視覚に識別可能な階調数も増大する。
本発明の液晶表示装置は各色の色純度が最高になる電圧
を液晶層に印加するために、TFT等のアクティブ素子
を用いる。アクティブ素子による開口率の低下を防ぐた
め、液晶層に電圧を直接印加する表示用電極をアクティ
ブ素子よりも上側の層に置く。アルミ等の高反射率の導
電体で表示用電極を形成し、反射板を兼ねる様にする。
表示用電極はアクティブ素子のソース電極とスルーホー
ルで接続する。
が広がり、人間の視覚に識別可能な階調数も増大する。
本発明の液晶表示装置は各色の色純度が最高になる電圧
を液晶層に印加するために、TFT等のアクティブ素子
を用いる。アクティブ素子による開口率の低下を防ぐた
め、液晶層に電圧を直接印加する表示用電極をアクティ
ブ素子よりも上側の層に置く。アルミ等の高反射率の導
電体で表示用電極を形成し、反射板を兼ねる様にする。
表示用電極はアクティブ素子のソース電極とスルーホー
ルで接続する。
【0019】アクティブ素子を用いる場合、非選択時間
の間液晶層の電圧を一定に保たなければならない。非選
択時間の間に液晶層の電圧が変化すれば表示色も変化
し、人間の目が認識する色純度は低下する。これを防ぐ
ため、保持容量を用いる。保持容量はソース電極を次列
のコモン電極の上方まで延長し、次列のコモン電極とソ
ース電極の間に形成する。
の間液晶層の電圧を一定に保たなければならない。非選
択時間の間に液晶層の電圧が変化すれば表示色も変化
し、人間の目が認識する色純度は低下する。これを防ぐ
ため、保持容量を用いる。保持容量はソース電極を次列
のコモン電極の上方まで延長し、次列のコモン電極とソ
ース電極の間に形成する。
【0020】あるいはまた、基準電極を新たに設ける。
基準電極は接地し、電気的に中性にする。ソース電極を
基準電極の上方まで延長し、基準電極とソース電極の間
に保持容量を形成する。この時、i番目のサブピクセル
とこれに接続するソース電極と保持容量は、他のサブピ
クセルと立体的に交差しない様に構成する。これによ
り、i番目のサブピクセルと他のサブピクセルとの間の
寄生容量の発生を防ぐことができる。
基準電極は接地し、電気的に中性にする。ソース電極を
基準電極の上方まで延長し、基準電極とソース電極の間
に保持容量を形成する。この時、i番目のサブピクセル
とこれに接続するソース電極と保持容量は、他のサブピ
クセルと立体的に交差しない様に構成する。これによ
り、i番目のサブピクセルと他のサブピクセルとの間の
寄生容量の発生を防ぐことができる。
【0021】
【発明の実施の形態】本発明の内容と効果を具体例を用
いて以下に説明する。
いて以下に説明する。
【0022】(実施例1)図1は本発明の液晶表示装置
の1画素とその周辺の構成の一例を示す平面図であり、
図10,図11はそれぞれ図1の1−1′切断線,2−
2′切断線における断面図である。図10,図11の下
側から順に、本発明の液晶表示装置の構成と製造方法を
説明する。
の1画素とその周辺の構成の一例を示す平面図であり、
図10,図11はそれぞれ図1の1−1′切断線,2−
2′切断線における断面図である。図10,図11の下
側から順に、本発明の液晶表示装置の構成と製造方法を
説明する。
【0023】下側基板10は無アルカリのホウケイサン
ガラス製11であり、上下に酸化シリコン層12を備え
る。
ガラス製11であり、上下に酸化シリコン層12を備え
る。
【0024】ゲート電極20は走査線27,27′から
垂直に突出し、TFTの能動領域を超える様に形成す
る。ゲート電極にはアルミニウム膜21を用い、スパッ
タ法で形成した。更にこの上に、陽極酸化アルミニウム
膜22を形成した。絶縁膜25には窒化シリコン膜を用
い、プラズマCVD法で形成し、膜厚は2000Åにし
た。
垂直に突出し、TFTの能動領域を超える様に形成す
る。ゲート電極にはアルミニウム膜21を用い、スパッ
タ法で形成した。更にこの上に、陽極酸化アルミニウム
膜22を形成した。絶縁膜25には窒化シリコン膜を用
い、プラズマCVD法で形成し、膜厚は2000Åにし
た。
【0025】TFTはゲート電極に正のバイアスを印加
するとソース−トレイン間のチャネル抵抗が小さくな
り、バイアスをゼロにするとチャネル抵抗が大きくなる
様に動作する。TFTはゲート電極20,絶縁膜25,
i型(真性,intrinsic ,導電型決定不純物がドープさ
れていない)非晶質シリコンからなるi型半導体層30
を有する。また、i型半導体層は走査線と信号線の交差
部にも形成した。ここで、i型半導体層は走査線と信号
線の間に分布し、両者の短絡を低減する。
するとソース−トレイン間のチャネル抵抗が小さくな
り、バイアスをゼロにするとチャネル抵抗が大きくなる
様に動作する。TFTはゲート電極20,絶縁膜25,
i型(真性,intrinsic ,導電型決定不純物がドープさ
れていない)非晶質シリコンからなるi型半導体層30
を有する。また、i型半導体層は走査線と信号線の交差
部にも形成した。ここで、i型半導体層は走査線と信号
線の間に分布し、両者の短絡を低減する。
【0026】i型半導体層には非晶層シリコン31を用
い、層厚は2000Åとした。i型半導体層のうち、ソ
ース電極,ドレイン電極と重なる部分の上方には、N
(+)型非晶質シリコン半導体層32を形成した。この
N(+)型非晶質シリコン半導体層は、非晶質シリコン
にオーミックコンタクト用のリンをドープしたものであ
る。
い、層厚は2000Åとした。i型半導体層のうち、ソ
ース電極,ドレイン電極と重なる部分の上方には、N
(+)型非晶質シリコン半導体層32を形成した。この
N(+)型非晶質シリコン半導体層は、非晶質シリコン
にオーミックコンタクト用のリンをドープしたものであ
る。
【0027】ソース電極40とドレイン電極45は2層
から成る。このうち上方の層41,46はアルミニウム
であり、スパッタ法で形成し、層厚は4000Åであ
る。下方の層42,47はクロムであり、同じくスパッ
タ法で形成し、層厚は600Åである。ソース電極を隣
合った走査電極27′の上方まで延長し、両者の間に保
持容量38を形成した。
から成る。このうち上方の層41,46はアルミニウム
であり、スパッタ法で形成し、層厚は4000Åであ
る。下方の層42,47はクロムであり、同じくスパッ
タ法で形成し、層厚は600Åである。ソース電極を隣
合った走査電極27′の上方まで延長し、両者の間に保
持容量38を形成した。
【0028】TFTの上には平坦化膜50を形成した。
平坦化膜は窒化シリコン膜であり、プラズマCVD装置
で形成し、膜厚は1μmとした。平坦化膜の上には画素
電極57を形成し、材質はアルミニウムとした。画素電
極は三つのサブピクセルが1画素を構成する様に形成し
た。各サブピクセルの面積比はx1:x2:x3 =1:
2:3とした。平坦化膜にスルーホール55を形成し、
ソース電極と画素電極を接続した。有機配向膜60には
日産化学製のポリイミド系有機高分子(RN718)を用い
た。液晶層70にはチッ素製HA−5073XXを用いた。HA−
5073XXはカイラル剤を含まず、常温でネマチック層を示
す。画素電極における液晶層の厚さの最大値は6.2μ
m、電圧無印加時における液晶層のリタデーションは
0.86μmとした。
平坦化膜は窒化シリコン膜であり、プラズマCVD装置
で形成し、膜厚は1μmとした。平坦化膜の上には画素
電極57を形成し、材質はアルミニウムとした。画素電
極は三つのサブピクセルが1画素を構成する様に形成し
た。各サブピクセルの面積比はx1:x2:x3 =1:
2:3とした。平坦化膜にスルーホール55を形成し、
ソース電極と画素電極を接続した。有機配向膜60には
日産化学製のポリイミド系有機高分子(RN718)を用い
た。液晶層70にはチッ素製HA−5073XXを用いた。HA−
5073XXはカイラル剤を含まず、常温でネマチック層を示
す。画素電極における液晶層の厚さの最大値は6.2μ
m、電圧無印加時における液晶層のリタデーションは
0.86μmとした。
【0029】上側基板80上の有機配向膜61は下側基
板のものと同じである。上下の基板の有機配向膜は配向
処理方向が互いに反平行であり、プレチルト角は5°で
ある。上側基板の共通透明画素電極75はスパッタリン
グで形成されたIndium−Tin−Oxide(ITO)膜からな
り、膜厚は1400Åである。上側基板80は下側基板
と同様無アルカリのホウケイサンガラス製81であり、
上下に酸化シリコン層82を備える。
板のものと同じである。上下の基板の有機配向膜は配向
処理方向が互いに反平行であり、プレチルト角は5°で
ある。上側基板の共通透明画素電極75はスパッタリン
グで形成されたIndium−Tin−Oxide(ITO)膜からな
り、膜厚は1400Åである。上側基板80は下側基板
と同様無アルカリのホウケイサンガラス製81であり、
上下に酸化シリコン層82を備える。
【0030】位相板90には日東電工製ポリカーボネー
ト位相板を用いた。位相板のリタデーションは0.22
μm とし、遅相軸の方位は液晶層の液晶配向方向の垂
直方向とした。偏光板95には日東電工製G1225DUAG25
を用い、吸収軸の方位は液晶配向方向に対して45°と
した。
ト位相板を用いた。位相板のリタデーションは0.22
μm とし、遅相軸の方位は液晶層の液晶配向方向の垂
直方向とした。偏光板95には日東電工製G1225DUAG25
を用い、吸収軸の方位は液晶配向方向に対して45°と
した。
【0031】この構成の液晶表示装置の表示パネルに駆
動装置を組合せ、ゲートオープン時の反射率の駆動電圧
(ソース電圧)依存性を測定した。測定範囲は1サブピ
クセル内とした。その結果を図13に示す。各表示色が
得られる駆動電圧を図13中に矢印で示した。0Vから
3Vまでの駆動電圧範囲で白,黒の他に、赤,緑,シア
ン,紫,黄,青の各色が表示された。また、図12は駆
動電圧変化に伴う表示色の変化をUCS(Unifom Chrom
aticity System)表示系の色度座標(u,v)上にプロ
ットした図である。次に、測定範囲を約10画素を含む
範囲に広げ、緑表示と白表示の間の各階調の色度を測定
した。図17に示した様に7階調が得られ、各階調は色
度座標上にほぼ等間隔で分布した。
動装置を組合せ、ゲートオープン時の反射率の駆動電圧
(ソース電圧)依存性を測定した。測定範囲は1サブピ
クセル内とした。その結果を図13に示す。各表示色が
得られる駆動電圧を図13中に矢印で示した。0Vから
3Vまでの駆動電圧範囲で白,黒の他に、赤,緑,シア
ン,紫,黄,青の各色が表示された。また、図12は駆
動電圧変化に伴う表示色の変化をUCS(Unifom Chrom
aticity System)表示系の色度座標(u,v)上にプロ
ットした図である。次に、測定範囲を約10画素を含む
範囲に広げ、緑表示と白表示の間の各階調の色度を測定
した。図17に示した様に7階調が得られ、各階調は色
度座標上にほぼ等間隔で分布した。
【0032】以上の様に、三つのサブピクセルで1画素
を構成し、各サブピクセルの面積比をx1:x2:x3 =
1:2:3とすることにより、7階調の表示が得られ
た。
を構成し、各サブピクセルの面積比をx1:x2:x3 =
1:2:3とすることにより、7階調の表示が得られ
た。
【0033】(実施例2)実施例1の液晶表示装置にお
いて、各サブピクセルの面積比は数1に従ってx1:
x2:x3 =1:2:5とした。緑表示と白表示の間の
各階調の色度を測定したところ、図18に示した様に三
つのサブピクセルで1画素を構成した場合の最大階調数
である8階調が得られた。
いて、各サブピクセルの面積比は数1に従ってx1:
x2:x3 =1:2:5とした。緑表示と白表示の間の
各階調の色度を測定したところ、図18に示した様に三
つのサブピクセルで1画素を構成した場合の最大階調数
である8階調が得られた。
【0034】(実施例3)実施例1の液晶表示装置にお
いて、各サブピクセルの面積比は数2に従ってx1:
x2:x3 =1:2:4とした。緑表示と白表示の間の
各階調の色度を測定したところ、図19に示した様に三
つのサブピクセルで1画素を構成した場合の最大階調数
である8階調が得られた。また、各階調は色度座標上に
ほぼ等間隔で分布しており、緑表示から白表示にかけて
連続的に変化する階調表示が得られた。
いて、各サブピクセルの面積比は数2に従ってx1:
x2:x3 =1:2:4とした。緑表示と白表示の間の
各階調の色度を測定したところ、図19に示した様に三
つのサブピクセルで1画素を構成した場合の最大階調数
である8階調が得られた。また、各階調は色度座標上に
ほぼ等間隔で分布しており、緑表示から白表示にかけて
連続的に変化する階調表示が得られた。
【0035】(実施例4)実施例1の液晶表示装置にお
いて、図1に示した様に四つのサブピクセルが1画素を
構成する様に画素電極を形成した。各サブピクセルの面
積比は数2に従ってx1:x2:x3:x4=1:2:4:
8とした。緑表示と白表示の間の各階調の色度を測定し
たところ、四つのサブピクセルで1画素を構成した場合
に最大階調数である16階調が得られた。また、各階調
は色度座標上にほぼ等間隔で分布しており、緑表示から
白表示にかけて連続的に変化する階調表示が得られた。
いて、図1に示した様に四つのサブピクセルが1画素を
構成する様に画素電極を形成した。各サブピクセルの面
積比は数2に従ってx1:x2:x3:x4=1:2:4:
8とした。緑表示と白表示の間の各階調の色度を測定し
たところ、四つのサブピクセルで1画素を構成した場合
に最大階調数である16階調が得られた。また、各階調
は色度座標上にほぼ等間隔で分布しており、緑表示から
白表示にかけて連続的に変化する階調表示が得られた。
【0036】(実施例5)実施例4の液晶表示装置にお
いて、図14に示した様に基準電極35を新たに設置し
た。基準電極は走査線と平行であり、図15,図16の
断面図に示した様にゲート電極と同層に形成した。ま
た、基準電極にはゲート電極と同様にアルミニウム膜3
6を用い、スパッタ法で形成した。更にこの上に、陽極
酸化アルミニウム膜37を形成した。基準電極の上方ま
でソース電極を延長し、両者の間に保持容量38を形成
した。図14に示した様に、i番目のサブピクセルに接
続した保持容量38は他のサブピクセルと立体的に交差
しない様に基準電極を形成した。基準電極は液晶表示装
置の表示領域の外側まで延長して接地し、電気的に中性
とした。
いて、図14に示した様に基準電極35を新たに設置し
た。基準電極は走査線と平行であり、図15,図16の
断面図に示した様にゲート電極と同層に形成した。ま
た、基準電極にはゲート電極と同様にアルミニウム膜3
6を用い、スパッタ法で形成した。更にこの上に、陽極
酸化アルミニウム膜37を形成した。基準電極の上方ま
でソース電極を延長し、両者の間に保持容量38を形成
した。図14に示した様に、i番目のサブピクセルに接
続した保持容量38は他のサブピクセルと立体的に交差
しない様に基準電極を形成した。基準電極は液晶表示装
置の表示領域の外側まで延長して接地し、電気的に中性
とした。
【0037】緑表示と白表示の間の各階調の色度を測定
したところ、四つのサブピクセルで1画素を構成した場
合の最大階調数である16階調が得られた。また、各階
調は色度座標上にほぼ等間隔で分布しており、緑表示か
ら白表示にかけて連続的に変化する階調表示が得られ
た。
したところ、四つのサブピクセルで1画素を構成した場
合の最大階調数である16階調が得られた。また、各階
調は色度座標上にほぼ等間隔で分布しており、緑表示か
ら白表示にかけて連続的に変化する階調表示が得られ
た。
【0038】(比較例1)実施例1の液晶表示装置にお
いて、各サブピクセルの面積比をx1:x2:x3=1:
1:1とした。
いて、各サブピクセルの面積比をx1:x2:x3=1:
1:1とした。
【0039】緑表示と白表示の間の各階調の色度を測定
したところ、図20に示した様に4階調が得られた。三
つサブピクセルで1画素を構成した場合には最大8階調
が得られるが、各サブピクセルの面積比を等しくしたた
めその半分の4階調しか得られなかった。
したところ、図20に示した様に4階調が得られた。三
つサブピクセルで1画素を構成した場合には最大8階調
が得られるが、各サブピクセルの面積比を等しくしたた
めその半分の4階調しか得られなかった。
【0040】
【発明の効果】本発明によれば、多階調表示が可能な反
射型液晶表示装置が得られる。
射型液晶表示装置が得られる。
【図1】本発明の液晶表示装置の構成の一例を示す正面
図。
図。
【図2】従来の液晶表示装置の画素構成を示す説明図。
【図3】従来の液晶表示装置の画素構成における階調表
示を示す説明図。
示を示す説明図。
【図4】本発明の液晶表示装置の画素構成の一例を示す
説明図。
説明図。
【図5】本発明の液晶表示装置の画素構成における階調
表示を示す説明図。
表示を示す説明図。
【図6】本発明の液晶表示装置の画素構成の一例を示す
説明図。
説明図。
【図7】本発明の液晶表示装置の画素構成における階調
表示を示す説明図。
表示を示す説明図。
【図8】本発明の液晶表示装置の画素構成の一例を示す
説明図。
説明図。
【図9】本発明の液晶表示装置の画素構成における階調
表示を示す説明図。
表示を示す説明図。
【図10】本発明の液晶表示装置のTFT部の構成の一
例を示す断面図。
例を示す断面図。
【図11】本発明の液晶表示装置のスルーホール部の構
成の一例を示す断面図。
成の一例を示す断面図。
【図12】表示色の色度の電圧変化を示す特性図。
【図13】表示色と反射率の電圧変化を示す斜視図。
【図14】本発明の液晶表示装置の構成の一例を示す正
面図。
面図。
【図15】本発明の液晶表示装置のTFT部の構成の一
例を示す断面図。
例を示す断面図。
【図16】本発明の液晶表示装置のスルーホール部の構
成の一例を示す断面図。
成の一例を示す断面図。
【図17】本発明の液晶表示装置の緑表示と白表示の間
の各階調の色度を表す特性図。
の各階調の色度を表す特性図。
【図18】本発明の液晶表示装置の緑表示と白表示の間
の各階調の色度を表す特性図。
の各階調の色度を表す特性図。
【図19】本発明の液晶表示装置の緑表示と白表示の間
の各階調の色度を表す特性図。
の各階調の色度を表す特性図。
【図20】従来の液晶表示装置の緑表示と白表示の間の
各階調の色度を表す特性図。
各階調の色度を表す特性図。
20…ゲート電極、27,27′…走査線、30…i型
半導体層、38…保持容量、40…ソース電極、45…
ドレイン電極、50…平坦化膜、57…画素電極、55
…スルーホール。
半導体層、38…保持容量、40…ソース電極、45…
ドレイン電極、50…平坦化膜、57…画素電極、55
…スルーホール。
Claims (6)
- 【請求項1】液晶層と駆動装置と偏光板と位相板と2枚
の基板から構成され、前記2枚の基板は表示電極と配向
膜とを備えており、下側基板の表示電極は反射板を兼ね
ており、前記下側基板の表示電極はアクティブ素子と接
続されており、2枚の透明基板は前記液晶層を挾持して
対向配置され、前記偏光板は上側基板の上側に配置さ
れ、前記位相板は偏光板と前記上側基板の間に配置され
ており、前記偏光板の吸収軸と液晶層の近接する配向方
向は平行でない反射型液晶表示装置において、 一つの画素は独立に制御可能な複数の単位を有し、各単
位をサブピクセルとすると、前記各サブピクセルは白表
示と黒表示と少なくとも1色の色表示が可能であり、前
記各サブピクセルの面積は互いに異なることを特徴とす
る液晶表示装置。 - 【請求項2】請求項1において、1画素内の前記サブピ
クセルに面積の小さい順に番号を付けると、i番目のサ
ブピクセルの面積xi は次式で表される液晶表示装置。 【数1】 - 【請求項3】請求項2において、1画素内のサブピクセ
ルに面積が小さい順に番号を付けると、i番目のサブピ
クセルの面積xi は次式で表される液晶表示装置。 【数2】 - 【請求項4】請求項1において、前記各サブピクセルの
下側基板上の表示電極はアクティブ素子のソース電極と
スルーホールで接続されており、かつソース電極は隣合
ったコモン電極との間に保持容量を形成する液晶表示装
置。 - 【請求項5】請求項1において、前記各サブピクセルの
下側基板上表示電極はアクティブ素子のソース電極とス
ルーホールで接続されており、かつソース電極は電気的
に中性な基準電極の間に保持容量を形成する液晶表示装
置。 - 【請求項6】請求項5において、i番目のサブピクセル
に接続するソース電極と保持容量は他のサブピクセルと
立体的に交差しない液晶表示装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7247219A JPH0990345A (ja) | 1995-09-26 | 1995-09-26 | 液晶表示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7247219A JPH0990345A (ja) | 1995-09-26 | 1995-09-26 | 液晶表示装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0990345A true JPH0990345A (ja) | 1997-04-04 |
Family
ID=17160227
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7247219A Pending JPH0990345A (ja) | 1995-09-26 | 1995-09-26 | 液晶表示装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0990345A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005148424A (ja) * | 2003-11-17 | 2005-06-09 | Sony Corp | 表示装置 |
| US6912021B2 (en) | 2001-01-22 | 2005-06-28 | Seiko Epson Corporation | Electro-optical device, method for driving electro-optical device, electronic apparatus, and method for driving electronic apparatus |
| KR100807510B1 (ko) * | 2001-10-22 | 2008-02-26 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 액정표시소자 |
| JP2010122695A (ja) * | 2009-12-24 | 2010-06-03 | Sony Corp | 表示装置 |
| US7782292B2 (en) | 2005-03-29 | 2010-08-24 | Seiko Epson Corporation | Electrophoretic display device and method for driving the same |
| CN111679477A (zh) * | 2013-03-25 | 2020-09-18 | 株式会社日本显示器 | 显示装置 |
-
1995
- 1995-09-26 JP JP7247219A patent/JPH0990345A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6912021B2 (en) | 2001-01-22 | 2005-06-28 | Seiko Epson Corporation | Electro-optical device, method for driving electro-optical device, electronic apparatus, and method for driving electronic apparatus |
| KR100807510B1 (ko) * | 2001-10-22 | 2008-02-26 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 액정표시소자 |
| JP2005148424A (ja) * | 2003-11-17 | 2005-06-09 | Sony Corp | 表示装置 |
| US7782292B2 (en) | 2005-03-29 | 2010-08-24 | Seiko Epson Corporation | Electrophoretic display device and method for driving the same |
| JP2010122695A (ja) * | 2009-12-24 | 2010-06-03 | Sony Corp | 表示装置 |
| CN111679477A (zh) * | 2013-03-25 | 2020-09-18 | 株式会社日本显示器 | 显示装置 |
| CN111679477B (zh) * | 2013-03-25 | 2023-08-08 | 株式会社日本显示器 | 显示装置 |
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