JPH0990433A - 液晶表示素子およびその製造方法 - Google Patents

液晶表示素子およびその製造方法

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JPH0990433A
JPH0990433A JP24456095A JP24456095A JPH0990433A JP H0990433 A JPH0990433 A JP H0990433A JP 24456095 A JP24456095 A JP 24456095A JP 24456095 A JP24456095 A JP 24456095A JP H0990433 A JPH0990433 A JP H0990433A
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JP
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liquid crystal
electrodes
voltage
gap
crystal display
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JP24456095A
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English (en)
Inventor
Yuzo Hisatake
雄三 久武
Masumi Okamoto
ますみ 岡本
Ryoichi Watanabe
良一 渡辺
Hitoshi Hado
仁 羽藤
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Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】 【課題】大容量表示に用いるTFTスイッチング素子や
MIM素子が使用でき、立ちあげ時間が短縮され、ベン
ト配列維持電圧が低くてすむOCBモード構成の液晶表
示素子を得る。 【解決手段】電圧無印加時にスプレイ配列であり、電圧
印加によりベント配列になる液晶表示素子において、電
極13、14の電極間隙を決める間隙規制体(スぺー
サ)16の周囲を電圧無印加時にベント配列にする。電
極間隙に加熱されたアイソトロピック相の液晶組成物を
充填した後、電極に電圧を印加した状態で冷却し、ネマ
ティック液晶層20に相転移させて間隙規制体16の界
面16aに接触している液晶分子を電界に沿う方向に吸
着させ垂直に配向させてベント配列とする。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は液晶表示素子、とくに液
晶分子がベント配列した液晶表示素子およびその製造方
法に関する。
【0002】
【従来の技術】実用化されている代表的な液晶表示素子
に用いられる液晶はネマティック液晶であり、その動作
方式に、複屈折モードと旋光モードがある。
【0003】捩じれネマティック液晶を用いた複屈折モ
ードの液晶の代表はSTN方式であり、急峻な電気光学
特性まを持つことから、単純マトリクス構造で大容量表
示を得ることができる。一方、旋光モードの代表である
TN方式では高コントラスト比を示すことから、TFT
などのスイッチング素子を用いたアクティブマトリクス
構造の大容量表示の素子を実現している。
【0004】これらの素子は電極上の配向膜により液晶
分子配列を基板にほぼ水平な方向に、ややプレチルト角
をもって配列させており、基板に対して斜め方向から観
察したときに、角度や方角により特性が変化するいわゆ
る視角依存性がある。
【0005】この視角依存性は、液晶分子を基板に対し
て垂直方向に配列することにより改善されるが、その一
例として逆向き傾斜配向ネマティック液晶セル(電気通
信学会論文誌、VOL.J63-C NO.1, 1980/01/25)が提案さ
れている(OCBモード、Optically Compensated Bir
efringence mode )。
【0006】このOCBモードは図9(a)に示すよう
に、対向する電極1、2間に挟む液晶分子3が、ねじれ
ずにしかも各電極面で逆方向にプレチルト角α0 を有す
るように配列され、液晶層中間部で液晶分子3cが電極
に垂直になるような配置になっているモード(ベント配
列)で、液晶層の上半分とした半分が常時対称な形状に
なっている。このモードは電極1、2間に一定の電圧が
印加された状態で生じるものであり、電圧無印加状態で
は、図9(b)に示すように液晶層中間部の液晶分子3
cが電極に対して平行になるいわゆるスプレイ配列に戻
る。
【0007】OCBモードは上記のように液晶分子配列
が層を中心に対称的であるために視角を傾けても視角特
性は対称となり、さらに2軸の位相差板で補償すること
により、視角依存性がない表示が得られる。
【0008】このようにOCBモードは視角特性が優れ
ているが、上述のように、ベント配列を維持するために
常時一定の電圧を印加しておかなくてはならない。スプ
レイ配列からベント配列に転移させるには大きなエネル
ギーが必要であり、実際には駆動電圧を越える電圧を印
加しなくてはならない。大容量画素で高精細表示を行う
場合、TFTスイッチング素子が必要となるが、このT
FTでは印加できない高電圧が必要になる。また転移に
要する時間は1分以上を必要とし、ディスプレイを立ち
あげてから表示が出るまでが長くなる。
【0009】さらにまた、ベント配列を維持する電圧を
常時印加するが、駆動電圧を低くするには、維持電圧を
駆動電圧範囲の下限にして電圧設定をする。しかし、安
定なベント配列のための最小限の維持電圧は例えば2.
5Vと高いものであり、結果として駆動電圧が高いもの
となる。
【0010】
【発明が解決しようとする課題】OCBモード表示は、
STNモードやTNモード表示に比べて視角特性に優
れ、高応答性である利点があるが、大容量表示において
無印加電圧時のスプレイ配列からベント配列に転移させ
る高印加電圧に耐える実用的なスイッチング素子がない
こと、ベント配列に立ちあげる時間が1分以上と長いこ
とと、ベント配列を維持する印加電圧が2.5Vと高
く、その結果、駆動電圧が高くなることが問題となって
いる。
【0011】したがって、大容量表示に用いるTFTス
イッチング素子やMIM素子が使用できること、立ちあ
げ時間が短縮されること、ベント配列維持電圧が低くて
すむOCBモード構成が望まれ、本発明はこの構成を提
供することを目的とする。
【0012】
【課題を解決するための手段】本発明は、互いに間隔を
置いて配置された第1および第2の電極と、これら電極
間に配置され電極間の間隙を規制する間隙規制体と、前
記間隙に配置された液晶層とを有し、前記液晶層は前記
電極面上で液晶分子がプレチルト角を有するように、か
つ両電極面上で前記各プレチルト角が逆方向で、かつ液
晶分子のプレチルト方向が平行になるように配列され、
前記電極間の電圧が無印加の状態でスプレイ配列をな
し、電圧印加状態でベント配列をなしている液晶表示素
子において、前記間隙規制体は前記液晶層に接する界面
で液晶分子の一部を前記電極面に垂直な方向に配向させ
てなる液晶表示素子を得るものである。
【0013】さらに、間隙規制体が、間隙と等しい厚み
に設定されたパターン形成した膜を得るものである。
【0014】さらに、間隙と等しい厚みに設定したパタ
ーン形成した膜として、間隙と等しい粒径に設定した微
粒子を混入したものを得るものである。
【0015】さらに、電圧無印加状態において第1およ
び第2の電極間で液晶層の液晶分子をスプレイ配列さ
せ、間隙規制体周囲の領域をベント配列としてなるもの
を得るものである。
【0016】さらに、第1および第2の電極の各面を一
定方向に配向処理し、これら面を間隙規制体を介して対
面させて電極間に間隙を形成する工程と、液晶組成物を
液体状態に加熱して、前記間隙に充填する工程と、前記
第1および第2の電極間に電圧を印加しながら前記液体
状態の液晶組成物を液晶状態になるまで冷却すること工
程とを具備することを特徴とする液晶表示素子の製造方
法を提供するものである。
【0017】
【作用】本発明は電極間の液晶層の液晶分子をベント配
列させる構成において、間隙規制体に液晶分子配列機能
を付与するものである。ここに基板間隙規制体とは、一
対の電極付き基板を各電極を対向するように一定の間隙
をあけて対峙させ、この間に液晶層を充填し挟持する場
合に、電極間隙部分に間隙間隔が一定になるように基板
面に分布させる微小な粒状、繊維状または層状のスペー
サである。間隙が一定になることにより液晶層の厚みが
一定に規制され、均一な特性の表示が可能になる。通
常、この間隙規制体(以下スペーサと称する)は電極す
なわち基板間の間隙保持のためのものであるから、液晶
層による光制御を妨げこそすれ、役に立たない。
【0018】本発明によれば、スペーサが液晶層に接す
る面を、液晶分子の配列が基板に対して垂直成分をもつ
ような配向面に形成して、スペーサに接する液晶分子を
基板面に対してほぼ垂直な配向にし、この領域にベント
配列を形成する。
【0019】ベント配列は両電極面の配向処理方向が基
板面に水平な一定の方向望ましくは同一方向にあるた
め、この面に接する液晶層は、正の誘電異方性を持つた
めほぼ水平な方向に、実際にはあるプレチルト角をもっ
て整列し、スプレイ配列となる。
【0020】しかしながら、上述のスペーサ機能により
スペーサに接する液晶層の分子は垂直配向になってお
り、電極に電圧を印加しない状態において、液晶層の層
厚の中央部で水平配向の分子と垂直配向の分子が共存す
ることなる。
【0021】このような分子配向の共存状態の作用を説
明する前に、従来構成を説明する。
【0022】図9(b)に示すように、両電極1、2面
におけるプレチルト角α0 は等しく、したがって電圧を
印加しない状態で液晶分子3の配列は電極間のプレチル
ト角α0 が等しく層中間央の分子3cが電極面に平行な
スプレイ配列となっている。この分子配列に電界を印加
すると液晶分子3は両基板のいずれかのプレチルト角に
したがって配向する。このため、図9(c)のようにデ
ィスプレーの立ち上げの過程で一方の電極1の面にした
がったスプレー分子配列31 と他方の電極2面にしたが
ったスプレー分子配列32 とが混在し、さらに電圧を高
めると、一部の液晶分子がベント配列33 に変化して、
図9(d)のように表示面に分布する。これらの異なる
分子配列31 、32 、33 領域の境界にはディスクリネ
ーションラインDLが発生する。このような各種配列の
領域は不安定で複雑なパターンで発生し、この状態から
図9(a)の層中間の分子3cが電極面に垂直になるベ
ント配列に完全に転移させるには、さらに電圧を高めて
デイスクリネーションラインを消滅させる必要があり、
その分、余分なエネルギーを必要とする。このように従
来のOCBモードの表示素子はスプレイ配列からベント
配列に転移させるのに多大なエネルギーが必要であっ
た。
【0023】図1は本発明の作用を説明するものであ
る。図において、観察側基板である第1の基板11とそ
の対向基板である第2の基板12は各対向面に透明な第
1の電極13、第2の電極14を有しており、各電極面
13A、14Aに配向膜15a、15bを塗布してい
る。これら対向する電極13、14間にスペーサ16を
介在させて基板間隙を一定にしており、この間隙に液晶
層20が配置される。さらに第1の基板11の表面に補
償用位相差板17と偏光板18が貼付してあり、第2の
基板12の面に偏光板19が貼付してある。
【0024】図2に示すように、各電極面の配向膜の配
向処理方向F、Rは同一方向であり、電源30から電圧
が印加されない状態では、図1の右側および図2(a)
で示すように液晶層20の液晶分子21は両電極13、
14面上の液晶分子21aは同じプレチルト角α0 で配
向される。この場合、電極間で液晶分子はツイストされ
ず、さらに、スペーサ16がない領域では、液晶層20
の中間部分で液晶分子21cは両電極面に平行に配列さ
れる。すなわち電圧無印加状態で液晶分子はスプレイ配
列になっている。
【0025】一方、スペーサ16のある領域およびその
近傍は、図1右側のように液晶分子21cがスペーサ1
6(図2(b))の液晶に接する界面16aにそって延
び基板や電極面にほぼ垂直な配向を形成する。
【0026】電源30により電極間に電圧が印加された
状態で、図1左側に示すように液晶分子21は電極面上
の液晶分子21a、21b(図2(a))を除いて印加
される電界にほぼ沿って液晶分子が並びはじめ、液晶層
20の中間部分で液晶分子21cのうち、スペーサ16
に近い分子は垂直配向の分子21cを核として垂直方向
に配向方向を転移する。
【0027】さらに高い電圧を印加すると、図1の左側
部分に示すように、液晶層20の中間部の液晶分子21
cのすべてが印加電界方向に沿って電極13、14面に
ほぼ垂直な方向に配列する。この配列はベント配列であ
る。
【0028】以上のように、本発明の分子配列の水平、
垂直共存状態の液晶層においては、電極面全面に分布し
た例えば粒状のスペーサ周囲の液晶分子が垂直配向にな
っているために、電極間に電圧を印加すると、これらを
核として、周囲のスプレイ配列の液晶分子がベント配列
に転移する。このため低電圧かつ短時間にスプレイ配列
からベント配列に転移が完了する。
【0029】すなわち、初期的にベント配列の領域が存
在するので、この領域を核として全体が容易にベント配
列に転移する。しかも、ベント配列に転移した後は、弱
い印加電圧でも初期的にベント配列領域が存在する分、
スプレイ配列には転移しにくくなり、結果的に安定した
ベント相列が低電圧で維持できるものである。
【0030】スペーサ壁部の液晶に接する界面16aの
配向処理はラビングによらず次のようにして行う。
【0031】電極面に配向膜を形成し、ラビングにより
配向処理F、Rを施した後、基板間にスペーサ16を配
置して基板周囲を封止して空セルをつくり、基板間隙に
液晶を充填する工程で、充填する液晶組成物を液晶転移
温度以上の温度に保持して液体状態(液晶分子配列がラ
ンダムな状態)として充填する。この状態では未だスペ
ーサ界面での液晶分子配列は決定されない。
【0032】液晶は界面がラビング処理されてしない場
合は、最初に界面に触れたときに液晶分子が界面に吸着
され、その状態に分子配列が規定される。そこで加熱さ
れてアイソトロピック相(液体状態)になっている液晶
組成物を充填後、電極間に液晶層がベント配列を形成し
得る電圧を印加した状態で、液体状態の液晶を冷却す
る。液晶が液体状態から液晶状態に相転移するとき、液
晶層の分子配列はベント配列になっている。したがって
スペーサ界面にはベント配列状態で液晶分子が吸着す
る。すなわち基板面にほぼ垂直な配列になる。
【0033】この結果、スペーサ付近の領域の周辺の液
晶層の液晶分子配列はベント配列となり、電圧を印加し
ない状態に戻してもこの配列は維持される。
【0034】一方、スペーサがない領域は基板の配向処
理にしたがって液晶分子が配列するから、電圧を印加し
ない状態ではスペーサ領域のベント配列と、これに影響
を受けない領域のスプレイ配列とが混在した構造にな
る。
【0035】本発明に用いるスペーサとして代表的なも
のは次のものである。
【0036】図3(a)に示すスペーサ16は球状の微
粒子であり、材料としてポリスチレン、シリカ、アルミ
ナがある。一般的には静電気を利用した乾式散布、揮発
性のある液体を溶媒として噴霧器で散布する湿式散布な
どにより基板上に形成する。
【0037】図3(b)に示すスペーサ16は基板間隙
と等しい厚みに設定したパターン形成した膜であり、レ
ジスト材料などをフォトリソグラフィ法によりパターン
形成したり、印刷法によりパターン形成したり、レジス
トパターン形成後、電着法によりパターン形成して得る
ものである。
【0038】図3(c)に示すスペーサ16は円柱状の
微粒子であり、一般にはファイバーと呼ばれるもので、
材料としてシリカが使われる。この散布も球状微粒子と
同様にして行う。
【0039】図3(b)のパターンによるスペーサ膜
(スペーサ柱)は膜厚を制御すれば容易に基板間隙を均
一に制御することが可能であり、形成手段がパターン形
成によるものなので、配置する平面的位置や密度が自由
に制御できるので分布させる個数が多すぎたり少なすぎ
たりする問題は発生しない。また、所望の位置に形成で
きる点を含めると、本発明において図3(a)、(c)
の微粒子よりも優れている。
【0040】例えばスペーサ柱を電極が対向した領域に
ベント配列転移の必要数だけ配置すると、ベント配列転
移が効率よくなされて、作用を確実に得ることができ
る。
【0041】このようなスペーサ柱の膜厚を所望に形成
するには、膜の中に基板間隙に等しい粒径の図3
(a)、(c)に示すような微粒子を混入すればよい。
微粒子混入のスペーサ柱を図4に示す。
【0042】図4(a)は膜16c自体の厚みは微粒子
16b径よりも薄く形成して成膜した場合の構造を示
し、基板間隙規制の機能は微粒子が受け持っている。
【0043】図4(b)は膜16c自体の膜厚が混入微
粒子16bの径と等しい場合であり、微粒子を混入した
膜の材料を微粒子径よりも厚い膜厚で成膜した後、基板
とは別の平板を重ねて膜材料を硬化させ、その後、平板
を取り去ることにより得ることができる。
【0044】
【実施例】
(実施例1)図5は本発明をMIMスイッチング素子を
用いたマトリクス型液晶表示素子に適用した実施例を示
す。
【0045】図において、観察側基板としてガラス製の
第1の基板11と対向基板としてガラス製の第2の基板
12を間隔を置いて配置し、各基板の対向する面に第1
の電極13と第2の電極14を配置する。第1の電極1
3はITOの透明な複数の画素電極(300 μm×300 μ
m幅)13aを480×360画素のマトリクス配置に
したもので、各画素電極13aはMIMスイッチング素
子13bを備えており、このスイッチング素子を介して
電極の周りに配線された信号線13cに接続される。な
お、図示破線で囲む領域が1画素領域である。
【0046】ITOでできた第2の電極14は第2の基
板12上に幅350 μmのストライプ状に配置され、画素
電極13aに対向して配置され、画素電極と交差する領
域を画素領域とするもので、第2の電極14に走査信号
が印加されるようになっている。
【0047】両電極13、14上には、4°のプレチル
ト角α0 が得られる配向膜15a、5b(オプトマーA
L−3456、(株)日本合成ゴム製)を塗布し焼成し
た後、図4の矢印F、Rで示す同一方向にラビング配向
処理を施した。MIM素子付き第1の基板11にスペー
サ16として粒径7.5μmの球状微粒子(ミクロパー
ルSP、(株)積水ファインケミカル製)を散布密度1
00個/mm2 となるよう乾式散布法にて散布し、有効
表示領域の周辺に5mm幅の開口部を設けた周辺シール
パターンをスクリーン印刷法にて形成した。ここで用い
たシール材料は1液性エポキシ樹脂(XN−21、三井
東圧化学(株)製)である。
【0048】しかる後、前記2枚の基板を電極面が対向
するようにして重ね合わせて、基板間隙がスペーサ16
の粒径と等しくなるよう加圧しながら180℃で2時間
焼成し、本実施例の液晶表示素子に用いる空セルを得
た。
【0049】しかる後、空セルを真空チャンバー内に入
れ、液晶材料として正の誘電異方性を示すネマティック
液晶材料(ZLI−4801−100、(株)メルクジ
ャパン製。Δn=0.1055。Δε=+4.9。ネマ
ティック−液体状態相転移温度67℃)に黒色の染料
(LA103/4、(株)三菱化学製)を2.0wt%
添加した液晶組成物を、前記空セルを共に100℃に加
熱し、液晶組成物を液体状態として、減圧注入法にて前
記空セル注入し液晶層20とした。続いて、セルの温度
を100℃に保ったまま、前記周辺シールパターンの開
口部を紫外線硬化樹脂(UV−1000、(株)ソニー
ケミカル製)にて封止し、この状態で基板のMIMスイ
ッチング素子13bを用いてアイソトロピック相(液体
状態)の液晶層20に10Vの電圧を印加して、印加し
たまま、セルの温度が20℃となるまで徐冷してネマテ
ィック液晶相に相転移し、本実施例の液晶表示素子に用
いる液晶セルを得た。この方法で液晶分子は電極面上で
4°のプレチルト角を有するように、各電極13a、1
4で互いに逆方向でプレチルト方向が平行になるように
スプレイ配列し、スペーサ界面で液晶分子の一部が電極
面に垂直な方向に配列する。
【0050】得られた液晶セルの観察側の第1の基板1
3面に2軸光学補償フィルムとしてPC位相差板17
((株)日東電工製)をその屈折率の最も大きい方位が
セルのラビング処理方向Fと直交するように基板面に張
り合わせ、さらに、この位相差板17上と、セルの第2
の基板14面にそれぞれ偏光板18、19を互いに偏光
軸が直交しラビング処理方向、位相差板17の最大屈折
率方位と45°の角度をなすように張り合わせて本実施
例の液晶表示素子を得た。
【0051】この素子に電圧を印加し、全画素の電極間
に1乃至5Vの電圧を印加し、表示領域全面がベント配
列になるまでの時間を測定したところ、0.8秒と極め
て早かった。測定結果を下表に実施例2、3と比較例
1、2の結果とともに示す。
【0052】
【表1】
【0053】また、印加電圧が1.5Vでも容易にベン
ト配列に転移しており、この印加電圧1.5Vの状態を
1時間保ったところ、スプレイ配列への転移は生じなか
った。これらの結果から、本実施例の液晶表示素子は
1,5V〜4Vの範囲で駆動できることが確認された。
【0054】また、印加電圧1.5V〜4Vで駆動し、
観察角度に対するコントラスト比の変化を測定したとこ
ろ、正面でコントラスト比50:1、また30°コーン
の視角でコントラスト比が最小20:1となり良好な視
角依存性の改善が見られた。
【0055】(比較例1)実施例1における液晶組成物
を空セルに充填する工程(液晶注入工程)を、実施例1
同様、真空チャンバーを用いた減圧注入法にて行った。
本比較例では、実施例1と同様の材料、製法、条件にて
作成した空セル、および液晶組成物を用い、前記空セ
ル、液晶組成物ともに加熱しないで20℃にて空セルに
ネマティック液晶相の液晶組成物を充填した。これ以外
の工程は実施例1と同様にして従来のOCBモードであ
る液晶表示素子を得た。
【0056】実施例1同様に、表示領域全面がベント配
列となるまでの時間を測定した結果、駆動電圧5Vとし
ても、表示領域全面がベント配列となるまでの時間は5
分30秒と極めて遅かった。
【0057】また、全面がベント配列になった後、印加
電圧を2.0Vとしたところ、約1分で一部の画素がス
プレイ配列に転移した。
【0058】さらに、MIM素子は、5Vよりも大きな
電圧を印加することができないので、本例の素子の駆動
電圧は2.5V〜5Vの範囲で駆動せざるを得ず、この
範囲で得られる表示の観察角度に対するコントラスト比
の変化は、正面でコントラスト比15:1、30°コー
ンの視角ではコントラスト比10:1以上と正面コント
ラスト比が低いために視角特性が実施例1の素子よりも
劣化していた。
【0059】(実施例2)実施例1に用いたMIM素子
付き基板11、12を用い、実施例1同様、基板に配向
膜15a、15bとしてオプトマーAL−3456
((株)日本合成ゴム製。プレチルト角4°)を塗布
し、焼成した後、図5に示す方向にラビング配向処理
F、Rを施した。しかる後、図に示すITOストライプ
電極付きガラス基板12に、レジスト材料OFPR−5
000((株)東京応化製)を膜厚7.5μmとなるよ
うスピンナーで塗布し、焼成した後、図6に示すような
ストライプ電極ピッチの1/2間隔でかつストライプ間
およびストライプ中央にスペーサ膜16dが位置するよ
うに、角柱状パターンとなるようマスクを用いて露光、
現像し、スペーサ16dとした。しかる後、実施例1同
様、に有効表示領域の周辺に5mm幅の開口部を設けた
周辺シールパターンをスクリーン印刷法にて形成した。
ここで用いたシール材料は、実施例1同様、XN−21
である。
【0060】しかる後、前記2枚の基板を電極面が対向
するようにして重ね合わせて、電極の間隙が柱状スペー
サ16dの高さと等しくなるよう加圧しながら180℃
で2時間焼成し、本実施例の液晶表示素子に用いる空セ
ルを得た。
【0061】しかる後、前記空セルを用いて、実施例1
同様の材料、製法によって液晶表示素子を作製した。
【0062】この素子に電圧を印加し、全画素の電極間
に1〜5Vの電圧を印加し、表示領域全面がベント配列
になるまでの時間を測定した。
【0063】本実施例では素子の駆動電圧5Vにおい
て、表示領域全面がベント配列になるまでの時間は0.
5秒と極めて早かった。
【0064】また、印加電圧が1.5Vでも容易にベン
ト配列に転移しており、この印加電圧1.5Vの状態を
1時間保ったところ、スプレイ配列への転移は発生しな
かった。これらの結果から、本実施例の液晶表示素子は
1,5V〜4Vの範囲で駆動できることが確認された。
【0065】また、印加電圧1.5V〜4Vで駆動し、
観察角度に対するコントラスト比の変化を測定したとこ
ろ、正面でコントラスト比100:1と実施例1以上に
優れたコントラスト比であった。これはスペーサを各画
素電極ごとに1個しか配置しなかったことによるもので
ある。また30°コーンの視角でコントラスト比が2
5:1以上となり良好な視角依存性の改善が見られた。
【0066】(比較例2)実施例2における基板間隙材
形成工程をラビング処理工程前に行い、間隙規制体が形
成された後に実施例2同様にしてラビング処理を行っ
た。これ以外の製法、材料、条件は実施例2同様にし
て、従来のOCBモードである液晶表示素子を得た。
【0067】実施例2同様に、表示領域全面がベント配
列となるまでの時間を測定した結果、駆動電圧5Vとし
ても、表示領域全面がベント配列となるまでの時間は8
分30秒と極めて遅かった。
【0068】また、表示領域全面がベント配列となった
後、印加電圧を2.0Vとしたところ、約30秒で、一
部の画素がスプレイ配列に転移してしまった。
【0069】またMIM素子では、液晶層に5Vより大
きい電圧を印加できないので、結果的にこの液晶表示素
子は印加電圧2.5〜5Vでの駆動をせざるおえなくな
った。 印加電圧2.5〜5Vにて前記液晶表示素子を
駆動し、観察角度に対するコントラスト比の変化を測定
したところ、正面でコントラスト比15:1、30°コ
ーンの視角ではコントラスト比10:1以上と正面コン
トラスト比が低いことに起因し、視角特性が、比較例1
同様、実施例1、2より悪くなっていた。
【0070】(実施例3)図7に示すようなITOの隙
間のない共通電極13およびR,G,Bのカラーフィル
ター21をもつ基板11およびTFT素子14a付き基
板12を作製した。なお、図5と同符号の部分は同様部
分を示す。
【0071】図7(b)はTFT素子付き基板12の構
造を示すもので、各色フィルターRGBごとの画素電極
14R 14G 14B が各TFT14aを介して電極周囲
に配線された走査線22、信号線23に接続される。図
7(c)はITO共通電極付きカラーフィルター基板1
1の構造を示すもので、カラーフィルタ21R 、21G
、21B が電極14R 、14G 、14B に対応して配
置され、その周囲をブラックマトリクス層24が囲み、
これらフィルタ上に共通電極13を形成している。
【0072】これら2枚の基板を用い、双方の基板に、
配向膜15a、15bとして、オプトマーAL−345
6((株)日本合成ゴム製。プレチルト角4°)を塗布
し、このうちITO共通電極付きガラス基板11に、実
施例1で用いたスペーサ16である粒径7.5μmの球
状微粒子(ミクロパールSP、(株)積水ファインケミ
カル製)を実施例2で用いたレジスト材料(OFPR−
5000、(株)東京応化製)に重量比1:5で混入
し、拡販した後、基板全面に印刷法で膜厚10μmとな
るよう印刷し、平らなガラス基板を対向させ、重ね合わ
せて加圧し、基板間隙が前記球状微粒子の粒径7.5μ
mとなるようにして60℃30分の焼成を行った。しか
る後、前記素ガラス基板を剥離し、実施例2同様にし
て、図8に示すようなパターンとなるようマスクを用い
て露光、現像し、柱状の間隙規制体16eとした。しか
る後、有効表示領域の周辺に5mm幅の開口部を設けた
周辺シールパターンをスクリーン印刷法にて形成した。
ここで用いたシール材料は、実施例1、2同様、XN−
21である。
【0073】しかる後、前記2枚の基板を電極面が対向
するようにして重ね合わせて、基板間隙が前記基板間隙
材の粒径と等しくなるよう加圧しながら180℃で2時
間焼成し、本実施例の液晶表示素子に用いる空セルを得
た。
【0074】しかる後、前記空セルを用いて、実施例
1、2同様の材料、製法にて液晶表示素子を作製した。
【0075】こうして得られた本実施例の液晶表示素子
に基板のTFT素子14aを介して全画素に1〜5Vの
電圧を印加し、実施例1、2同様、表示領域全面がベン
ト配列となるまでの時間を測定した。本実施例では素子
の駆動電圧5Vにおいて、表示領域全面がベント配列と
なるまでの時間は0.2秒と極めて早かった。
【0076】また、印加電圧1.5Vでも、容易にベン
ト配列に転移しており、この印加電圧1.5Vの状態を
1時間保った状態にしたところ、スプレイ配列への転移
は発生しなかった。これらのことから、本実施例の液晶
表示素子は1.5〜5Vにて駆動できることが確認され
た。
【0077】また、印加電圧1.5〜5Vにて本実施例
の液晶表示素子を駆動し、観察角度に対するコントラス
ト比の変化を測定したところ、正面でコントラスト比2
00:1、30°コーンの視角で、コントラスト比5
0:1以上の良好な視角依存性が得られた。
【0078】
【発明の効果】本発明によれば、ディスプレーとして表
示を可能にする立上がり時間が著しく短縮され、液晶分
子のベント配列を維持する電圧を低くし、駆動電圧範囲
を拡大し、コントラスト比を向上できる大容量に適した
OCBモードの液晶表示素子を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の構成、作用を説明する断面図、
【図2】本発明の作用を説明するもので、(a)はスプ
レイ配列を説明する略図、(b)は電極と間隙規制体に
よる液晶分子配向を説明する略図、
【図3】(a)乃至(c)は間隙規制体の例を示す断面
略図、
【図4】(a)、(b)は間隙規制体の例を示す断面略
図、
【図5】本発明の一実施例を示すもので、(a)は断面
図、(b)、(c)は平面図、
【図6】本発明の他の実施例を示す平面略図、
【図7】本発明の他の実施例を示すもので、(a)は断
面図、(b)、(c)は平面略図、
【図8】図7の実施例の間隙規制体の配置を示す平面略
図、
【図9】従来装置の作用を説明するもので、(a)、
(b)、(c)は略図、(d)は平面図。
【符号の説明】
11…第1の基板 12…第2の基板 13…第1の電極 14…第2の電極 15a、15b…配向膜 16…間隙規制体 20…液晶層
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 羽藤 仁 神奈川県横浜市磯子区新杉田町8番地 株 式会社東芝横浜事業所内

Claims (5)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 互いに間隙を置いて配置された第1およ
    び第2の電極と、これら電極間に配置され電極間の間隙
    を規制する間隙規制体と、前記間隙に配置された液晶層
    とを有し、前記液晶層は前記電極面上で液晶分子がプレ
    チルト角を有するように、かつ両電極面上で前記各プレ
    チルト角が逆方向で、かつ液晶分子のプレチルト方向が
    平行になるように配列され、前記電極間の電圧が無印加
    の状態でスプレイ配列をなし、電圧印加状態でベント配
    列をなしている液晶表示素子において、前記間隙規制体
    は前記液晶層に接する界面で液晶分子の一部を前記電極
    面に垂直な方向に配向させてなる液晶表示素子。
  2. 【請求項2】 間隙規制体が、間隙と等しい厚みに設定
    されたパターン形成した膜からなることを特徴とする請
    求項1に記載の液晶表示素子。
  3. 【請求項3】 間隙と等しい厚みに設定したパターン形
    成した膜に、間隙と等しい粒径に設定した微粒子を混入
    したことを特徴とする請求項1または2に記載の液晶表
    示素子。
  4. 【請求項4】 電圧無印加状態において第1および第2
    の電極間で液晶層の液晶分子をスプレイ配列させ、間隙
    規制体周囲の領域をベント配列としてなる請求項1に記
    載の液晶表示素子。
  5. 【請求項5】 第1および第2の電極の各面を一定方向
    に配向処理し、これら面を間隙規制体を介して対面させ
    て電極間に間隙を形成する工程と、 液晶組成物を液体状態に加熱して、前記間隙に充填する
    工程と、 前記第1および第2の電極間に電圧を印加しながら前記
    液体状態の液晶組成物を液晶状態になるまで冷却するこ
    と工程とを具備することを特徴とする液晶表示素子の製
    造方法。
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO1999053366A1 (en) * 1998-04-08 1999-10-21 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Liquid crystal display device and splay-bent transition time evaluating method
KR100426920B1 (ko) * 1999-12-24 2004-04-13 엔이씨 엘씨디 테크놀로지스, 엘티디. 액정 디스플레이 장치
US6933916B2 (en) 2000-12-19 2005-08-23 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Liquid crystal display and its driving method

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KR100426920B1 (ko) * 1999-12-24 2004-04-13 엔이씨 엘씨디 테크놀로지스, 엘티디. 액정 디스플레이 장치
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