JPH0990631A - Negative resist composition and pattern forming method - Google Patents
Negative resist composition and pattern forming methodInfo
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- JPH0990631A JPH0990631A JP7243461A JP24346195A JPH0990631A JP H0990631 A JPH0990631 A JP H0990631A JP 7243461 A JP7243461 A JP 7243461A JP 24346195 A JP24346195 A JP 24346195A JP H0990631 A JPH0990631 A JP H0990631A
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Abstract
Description
【0001】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明はネガ型レジスト組成
物およびそれを用いたパターン形成方法に関し、特に基
板との密着性がよく、高感度で高解像な水現像が可能な
ネガ型レジスト組成物およびそれを用いたネガ型パター
ン形成方法に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a negative resist composition and a pattern forming method using the same, and in particular, a negative resist composition having good adhesion to a substrate and capable of high sensitivity and high resolution water development. The present invention relates to an object and a negative pattern forming method using the same.
【0002】[0002]
【従来の技術】従来より、ホトリソグラフィ、短波長紫
外線(deep UV)リソグラフィ、電子線(EB)
リソグラフィ、X線リソグラフィなどの各種リソグラフ
ィに用いられるレジスト材料とは、ポジ型およびネガ型
の各種材料が知られている。2. Description of the Related Art Conventionally, photolithography, short wavelength ultraviolet (deep UV) lithography, electron beam (EB)
As a resist material used for various kinds of lithography such as lithography and X-ray lithography, various positive type and negative type materials are known.
【0003】このなかで、水現像可能なネガ型パターン
形成用感光性樹脂(レジスト材料)としては、ゼラチ
ン,カゼインのような天然タンパク質あるいはポリビニ
ルアルコールに重クロム酸塩を添加したものが知られて
いる。しかしながら、この場合、重クロム酸塩を用いる
ため、種々の環境公害の問題を引き起こすという問題が
あり、また、経時安定性が悪いという問題もある。Among them, as a water-developable negative pattern-forming photosensitive resin (resist material), natural proteins such as gelatin and casein or polyvinyl alcohol to which a dichromate is added are known. There is. However, in this case, since the dichromate is used, there are problems that various problems of environmental pollution are caused and that stability with time is poor.
【0004】また、特公昭56−5761号公報,特公
昭56−5762号公報,特開昭56−11906号公
報などに開示されているように、スチリルピリジニウ
ム,あるいはスチリルキノリニウム系感光基をペンダン
トさせた感光性ポリビニルアルコールを用いたレジスト
材料が知られている。この場合、保存安定性がよく、高
感度であるが、解像性,基板への密着性がよくないとい
う問題がある。Further, as disclosed in JP-B-56-5761, JP-B-56-5762, and JP-A-56-11906, a styrylpyridinium or styrylquinolinium type photosensitive group is used. A resist material using a pendant photosensitive polyvinyl alcohol is known. In this case, the storage stability is good and the sensitivity is high, but there is a problem that the resolution and the adhesion to the substrate are not good.
【0005】ポリビニルピロリドンやアクリルアミドと
ジアセトンアクリルアミドとの共重合体と、水溶性ビス
アジド化合物とを用いたレジスト材料もある。この場合
には、高感度であり、保存安定性もよく、解像性もかな
りよいが、基板との密着性が良くなく、解像性もまた不
十分である。There is also a resist material using a water-soluble bisazide compound and polyvinylpyrrolidone or a copolymer of acrylamide and diacetone acrylamide. In this case, the sensitivity is high, the storage stability is good, and the resolution is quite good, but the adhesion to the substrate is not good and the resolution is also insufficient.
【0006】また、ポリビニルアルコールとジアゾニウ
ム塩とを用いた場合には、解像度、密着性は良好である
が、経時安定性、感度が良くないという問題がある。Further, when polyvinyl alcohol and a diazonium salt are used, there is a problem that the resolution and the adhesion are good, but the stability with time and the sensitivity are not good.
【0007】一方、水現像性の光重合系レジスト材料を
用いた場合には、高感度ではあるが、酸素の重合阻害の
影響を受けることがある。従って、これを防止するため
に、酸素防止の保護フィルムなどが必要となるので、製
造工程が煩雑となり、また解像度が低下するという問題
が招来する。On the other hand, when a water-developable photopolymerizable resist material is used, it may have a high sensitivity, but may be affected by the inhibition of oxygen polymerization. Therefore, in order to prevent this, a protective film for preventing oxygen is required, which complicates the manufacturing process and lowers the resolution.
【0008】[0008]
【発明が解決しようとする課題】したがって、現在、高
感度、高解像であり、基板との密着性が良好であり、酸
素の影響を受けず、経時安定性が良好なレジスト材料が
求められている。Therefore, at present, there is a demand for a resist material having high sensitivity, high resolution, good adhesion to a substrate, no influence of oxygen, and good stability over time. ing.
【0009】本発明は、このような事情に鑑み、高感
度、高解像であり、基板との密着性が良好であり、酸素
の影響を受けず、経時安定性が良好なレジスト組成物お
よびそれを用いたパターン形成方法を提供することを目
的とする。In view of such circumstances, the present invention provides a resist composition having high sensitivity, high resolution, good adhesion to a substrate, no influence of oxygen, and good stability over time. An object is to provide a pattern forming method using the same.
【0010】[0010]
【課題を解決するための手段】前記目的を達成する本発
明の第1の態様は、ヒドロキシプロピルセルロースと光
酸発生剤とを必須成分として含有することを特徴とする
ネガ型レジスト組成物にある。A first aspect of the present invention for achieving the above object is a negative resist composition containing hydroxypropyl cellulose and a photo-acid generator as essential components. .
【0011】本発明の第2の態様は、第1の態様におい
て、当該組成物を用いて形成した感光層の未露光部が水
で除去できることを特徴とするネガ型レジスト組成物に
ある。A second aspect of the present invention is the negative resist composition according to the first aspect, wherein the unexposed portion of the photosensitive layer formed using the composition can be removed with water.
【0012】本発明の第3の態様は、第1または2の態
様において、前記光酸発生剤が、有機溶媒可溶性のハロ
ゲン含有トリアジンあるいはハロゲン含有オキサジアゾ
ールであり、当該光酸発生剤および前記ヒドロキシプロ
ピルセルロースが有機溶媒に溶解されていることを特徴
とするネガ型レジスト組成物にある。A third aspect of the present invention is the photoacid generator according to the first or second aspect, wherein the photoacid generator is an organic solvent-soluble halogen-containing triazine or halogen-containing oxadiazole. A negative resist composition is characterized in that hydroxypropyl cellulose is dissolved in an organic solvent.
【0013】本発明の第4の態様は、第1,2または3
の態様において、さらに、蛍光体,無機粉体あるいは有
機粉体が分散されていることを特徴とするネガ型レジス
ト組成物にある。A fourth aspect of the present invention is the first, second or third aspect.
In the above embodiment, there is further provided a negative resist composition in which a phosphor, an inorganic powder or an organic powder is dispersed.
【0014】本発明の第5の態様は、第1〜4の何れか
の態様において、さらに、N−メチロール構造を有する
架橋剤および多官能エポシキ化合物からなる群から選ば
れる少なくとも一種を含有させたことを特徴とするネガ
型レジスト組成物にある。A fifth aspect of the present invention is any one of the first to fourth aspects, further containing at least one selected from the group consisting of a cross-linking agent having an N-methylol structure and a polyfunctional epoxy compound. And a negative resist composition.
【0015】本発明の第6の態様は、ヒドロキシプロピ
ルセルロースと光酸発生剤とを必須成分として含有する
ネガ型レジスト組成物を基板に塗布し、乾燥することに
より感光層を形成する工程と,この感光層を画像露光す
る工程と、この画像露光した感光層を熱処理する工程
と、この熱処理した感光層を水現像する工程とを含むこ
とを特徴とするネガ型パターン形成方法にある。A sixth aspect of the present invention is a step of forming a photosensitive layer by applying a negative resist composition containing hydroxypropyl cellulose and a photo-acid generator as essential components to a substrate and drying the composition. A negative pattern forming method is characterized by including a step of imagewise exposing the photosensitive layer, a step of heat-treating the imagewise exposed photosensitive layer, and a step of developing the heat-treated photosensitive layer with water.
【0016】本発明の第7の態様は、第6の態様におい
て、前記ネガ型レジスト組成物は、光酸発生剤として有
機溶媒可溶性のハロゲン含有トリアジンあるいはハロゲ
ン含有オキサジアゾールを含有し、当該光酸発生剤およ
び前記ヒドロキシプロピルセルロースが有機溶媒に溶解
されていることを特徴とするネガ型パターン形成方法に
ある。In a seventh aspect of the present invention based on the sixth aspect, the negative resist composition contains an organic solvent-soluble halogen-containing triazine or halogen-containing oxadiazole as a photo-acid generator. The method for forming a negative pattern is characterized in that the acid generator and the hydroxypropyl cellulose are dissolved in an organic solvent.
【0017】本発明の第8の態様は、第6または7の態
様において、前記ネガ型レジスト組成物には、さらに、
蛍光体,無機粉体あるいは有機粉体が分散されているこ
とを特徴とするパターン形成方法にある。An eighth aspect of the present invention is the negative resist composition according to the sixth or seventh aspect, further comprising:
A pattern forming method is characterized in that a phosphor, an inorganic powder or an organic powder is dispersed.
【0018】本発明の第9の態様は、第6〜8の何れか
の態様において、前記ネガ型レジスト組成物は、さら
に、N−メチロール構造を有する架橋剤および多官能エ
ポシキ化合物からなる群から選ばれる少なくとも一種を
含有することを特徴とするネガ型パターン形成方法にあ
る。In a ninth aspect of the present invention according to any one of the sixth to eighth aspects, the negative resist composition further comprises a cross-linking agent having an N-methylol structure and a polyfunctional epoxy compound. The negative pattern forming method is characterized by containing at least one selected.
【0019】本発明のネガ型レジスト材料は、ヒドロキ
シプロピルセルロースおよび光酸発生剤を有し、感光層
形成後露光(放射線照射)し、熱処理すると、光酸発生
剤から発生した酸によりヒドロキシプロピルセルロース
が架橋し、不溶化してネガ型パターンを形成すると考え
られる。The negative resist composition of the present invention has hydroxypropyl cellulose and a photo-acid generator, and when exposed (radiated) after the photosensitive layer is formed and heat-treated, hydroxypropyl cellulose is generated by the acid generated from the photo-acid generator. Are believed to crosslink and become insoluble to form a negative pattern.
【0020】本発明のネガ型レジスト組成物は、高感
度、高解像であり、基板との密着性が良好であり、酸素
の影響を受けず、経時安定性が良好である。The negative resist composition of the present invention has high sensitivity and high resolution, has good adhesion to the substrate, is not affected by oxygen, and has good stability over time.
【0021】また、蛍光体、無機粉体、あるいは有機粉
体が分散されている組成物では、蛍光体パターン、無機
粉体による絶縁膜パターン、有機粉体パターンの形成
後、焼成する場合の焼成性が良好なので、膜中でパター
ンが融着し、耐水性、耐化学薬品性が良好なパターン形
成が可能である。Further, in the composition in which the phosphor, the inorganic powder, or the organic powder is dispersed, the phosphor pattern, the insulating film pattern made of the inorganic powder, and the organic powder pattern are formed and then baked. Since the property is good, the pattern is fused in the film, and it is possible to form a pattern having good water resistance and chemical resistance.
【0022】なお、特開平6−342212号公報に
は、ヒドロキシプロピルセルロースを含むセルロース骨
格を主鎖に含み該主鎖が酸により開裂を起こす高分子化
合物と、放射線が照射されると酸を発生する酸発生剤と
を含む微細パターン形成用レジストが開示されている
が、これには酸によりセルロース骨格の高分子化合物が
低分子化して、ポジ型パターンが得られるとあり、本発
明と作用効果が全く異なる。In JP-A-6-342212, a polymer compound containing a cellulose skeleton containing hydroxypropyl cellulose in the main chain and the main chain being cleaved by an acid, and an acid generated when irradiated with radiation are disclosed. Disclosed is a resist for forming a fine pattern containing an acid generator for producing a positive-type pattern, in which a polymer compound of the cellulose skeleton is reduced in molecular weight by an acid, and a positive pattern is obtained. Is completely different.
【0023】本発明で用いるヒドロキシプロピルセルロ
ースは、セルロースに酸化プロピレンを反応させて製造
され、下記構造式に示す基本構造を有する。The hydroxypropyl cellulose used in the present invention is produced by reacting cellulose with propylene oxide and has a basic structure represented by the following structural formula.
【0024】[0024]
【化1】 Embedded image
【0025】ここで、水酸基のヒドロキシプロピル基へ
の置換率は、通常、53.4〜77.5%である。Here, the substitution ratio of the hydroxyl group to the hydroxypropyl group is usually 53.4 to 77.5%.
【0026】本発明で用いることができる光酸発生剤
は、光等の放射線が照射される(露光)と、酸を発生す
る化合物であり、ビス(トリハロメチル)−1,3,5
−トリアジン誘導体、2−ハロメチル−1,3,4−オ
キサジアゾール誘導体などのハロゲン化有機化合物;ト
リフェニルスルホニウム塩、ジフェニルヨードニウム
塩、フェニルジアゾニウム塩などのオニウム酸;1,2
−ナフトキノンジアジド−4−スルホニルクロリド、
1,2−ナフトキノンジアジド−4−スルホン酸エステ
ル、ニトロベンジルスルホネート化合物、アリールスル
ホン酸エステル、イミノスルホナートなどのスルホン酸
誘導体等を挙げることができる。The photoacid generator which can be used in the present invention is a compound which generates an acid when irradiated with radiation such as light (exposure), and is bis (trihalomethyl) -1,3,5.
-Halogenated organic compounds such as triazine derivatives and 2-halomethyl-1,3,4-oxadiazole derivatives; onium acids such as triphenylsulfonium salts, diphenyliodonium salts and phenyldiazonium salts; 1,2
-Naphthoquinonediazide-4-sulfonyl chloride,
Examples thereof include sulfonic acid derivatives such as 1,2-naphthoquinonediazide-4-sulfonic acid ester, nitrobenzyl sulfonate compound, aryl sulfonic acid ester, and imino sulfonate.
【0027】好ましくは、有機溶媒可溶性の光酸発生
剤、特に、ハロゲン含有トリアジンあるいはハロゲン含
有オキサジアゾールを用いるのがよい。これにより当該
光酸発生剤および前記ヒドロキシプロピルセルロースを
有機溶媒に溶解してネガ型レジスト組成物とすることが
できる。It is preferable to use a photoacid generator soluble in an organic solvent, particularly a halogen-containing triazine or a halogen-containing oxadiazole. Thereby, the photo-acid generator and the hydroxypropyl cellulose can be dissolved in an organic solvent to obtain a negative resist composition.
【0028】本発明のネガ型レジスト組成物は、さら
に、蛍光体,無機粉体あるいは有機粉体が分散されてい
てもよい。ここで、蛍光体を含有するものは、例えば、
蛍光表示管、カラーブラウン管、プラズマディスプレイ
用のパターンを形成するためのものである。また、有機
粉体を含有するものは、例えば、液晶表示装置やCCD
のカラーフィルタのパターンを形成するためのものであ
る。さらに、無機粉体として、硬質ガラス粉、セラミッ
ク粉を含有するものは、絶縁層を形成することができ、
また、酸化鉄(FeO3)、酸化クロム(CrO3)、酸
化銅(CuO)などの粉末を含有するものは遮光性能を
有する絶縁パターンを形成することができ、一方、金、
銀、銅などの粉末を含有するものは導電パターンを形成
することができる。The negative resist composition of the present invention may further contain a phosphor, an inorganic powder or an organic powder dispersed therein. Here, the one containing the phosphor is, for example,
It is for forming a pattern for a fluorescent display tube, a color cathode ray tube, and a plasma display. In addition, those containing organic powder are, for example, liquid crystal display devices and CCDs.
For forming the color filter pattern. Furthermore, as the inorganic powder, those containing hard glass powder and ceramic powder can form an insulating layer,
Further, those containing powders of iron oxide (FeO 3 ), chromium oxide (CrO 3 ), copper oxide (CuO), etc. can form an insulating pattern having light-shielding performance, while gold,
Those containing a powder of silver, copper or the like can form a conductive pattern.
【0029】本発明のネガ型レジスト組成物は、さら
に、N−メチロール構造を有する架橋剤および多官能エ
ポシキ化合物からなる群から選ばれる少なくとも一種を
含有していてもよい。かかるN−メチロール構造を有す
る架橋剤あるいは多官能エポキシ化合物を含有している
と、硬化膜の耐水性が向上し、感度が向上するという効
果がある。The negative resist composition of the present invention may further contain at least one selected from the group consisting of a crosslinking agent having an N-methylol structure and a polyfunctional epoxy compound. When the crosslinking agent having a N-methylol structure or the polyfunctional epoxy compound is contained, the water resistance of the cured film is improved, and the sensitivity is improved.
【0030】ここで、N−メチロール構造を有する架橋
剤としては、メチロール化尿素、メチロール化カルバミ
ン酸アルキル、メチロール化メラミン、メチロール化グ
アナミン、またはこれらのアルキルエーテルなどを挙げ
ることができる。Examples of the cross-linking agent having an N-methylol structure include methylolated urea, methylolated alkyl carbamate, methylolated melamine, methylolated guanamine, and alkyl ethers thereof.
【0031】また、多官能エポキシ化合物としては、ソ
ルビトールポリグリシジルエーテル、ペンタエリスリト
ールポリグリシジルエーテル、グリセロールトリグリシ
ジルエーテル、トリメチロールプロパンポリグリシジル
エーテル、ポリエチレングリコールジグリシジルエーテ
ルなどを挙げることができる。Examples of polyfunctional epoxy compounds include sorbitol polyglycidyl ether, pentaerythritol polyglycidyl ether, glycerol triglycidyl ether, trimethylolpropane polyglycidyl ether, and polyethylene glycol diglycidyl ether.
【0032】本発明のネガ型レジスト組成物では、上述
したように好ましくは各成分が有機溶剤に溶解されてい
る。ここで、本発明で用いることができる有機溶剤とし
ては、例えば、エチレングリコールモノメチルエーテ
ル、エチレングリコールモノエチルエーテル、エチレン
グリコールモノプロピルエーテル、エチレングリコール
モノブチルエーテル、エチレングリコールモノメチルエ
ーテルアセテート、エチレングリコールモノエチルエー
テルアセテート、ジエチレングリコールジメチルエーテ
ル、ジエチレングリコールジエチルエーテル、ジエチレ
ングリコールジプロピルエーテル、ジエチレングリコー
ルジブチルエーテル、2−メトキシエチルアセテート、
2−エトキシエチルアセテート、プロピレングリコール
モノメチルエーテル、プロピレングリコールモノエチル
エーテル、プロピレングリコールモノプロピルエーテ
ル、プロピレングリコールジメチルエーテル、プロピレ
ングリコールジエチルエーテル、プロピレングリコール
モノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコール
モノエチルエーテルアセテート、プロピレングリコール
モノプロピルエーテルアセテート、トルエン、キシレ
ン、メチルエチルケトン、2−ヘプタノン、3−ヘプタ
ノン、4−ヘプタノン、シクロヘキサン、2−ヒドロキ
シプロピオン酸メチル、2−ヒドロキシプロピオン酸エ
チル、2−ヒドロキシ−2−メチルプロピオン酸エチ
ル、エトキシ酢酸エチル、ヒドロキシ酢酸エチル、2−
ヒドロキシ−3−メチルブタン酸メチル、3−メトキシ
ブチルアセテート、3−メチル−3−メトキシブチルア
セテート、3−メチル−3−メトキシブチルプロピオネ
ート、3−メチル−3−メトキシブチルブチレート、酢
酸エチル、酢酸ブチル、アセト酢酸メチル、アセト酢酸
エチル、3−メトキシプロピオン酸メチル、3−エトキ
シプロピオン酸エチル、ピルビン酸メチル、ピルビン酸
エチル、N−メチルピロリドン、N,N−ジメチルホル
ムアミド、N,N−ジメチルアセトアミドなどを挙げる
ことができる。In the negative resist composition of the present invention, each component is preferably dissolved in an organic solvent as described above. Here, as the organic solvent that can be used in the present invention, for example, ethylene glycol monomethyl ether, ethylene glycol monoethyl ether, ethylene glycol monopropyl ether, ethylene glycol monobutyl ether, ethylene glycol monomethyl ether acetate, ethylene glycol monoethyl ether. Acetate, diethylene glycol dimethyl ether, diethylene glycol diethyl ether, diethylene glycol dipropyl ether, diethylene glycol dibutyl ether, 2-methoxyethyl acetate,
2-ethoxyethyl acetate, propylene glycol monomethyl ether, propylene glycol monoethyl ether, propylene glycol monopropyl ether, propylene glycol dimethyl ether, propylene glycol diethyl ether, propylene glycol monomethyl ether acetate, propylene glycol monoethyl ether acetate, propylene glycol monopropyl ether Acetate, toluene, xylene, methyl ethyl ketone, 2-heptanone, 3-heptanone, 4-heptanone, cyclohexane, methyl 2-hydroxypropionate, ethyl 2-hydroxypropionate, ethyl 2-hydroxy-2-methylpropionate, ethyl ethoxyacetate , Ethyl hydroxyacetate, 2-
Methyl hydroxy-3-methylbutanoate, 3-methoxybutyl acetate, 3-methyl-3-methoxybutyl acetate, 3-methyl-3-methoxybutyl propionate, 3-methyl-3-methoxybutylbutyrate, ethyl acetate, Butyl acetate, methyl acetoacetate, ethyl acetoacetate, methyl 3-methoxypropionate, ethyl 3-ethoxypropionate, methyl pyruvate, ethyl pyruvate, N-methylpyrrolidone, N, N-dimethylformamide, N, N-dimethyl An acetamide etc. can be mentioned.
【0033】さらに、本発明のネガ型レジスト組成物に
は、必要に応じて種々の添加剤を含有することができ
る。例えば、エチレングリコール、プロピレングリコー
ル、ヒドロキシエチルメタクリレート、ヒドロキシプロ
ピルメタクリレート、ソルビトールなどの水酸基を有す
る水溶性の希釈剤、あるいは各種界面活性剤、接着助
剤、保存安定剤などを含有することができる。Further, the negative resist composition of the present invention may contain various additives as required. For example, a water-soluble diluent having a hydroxyl group such as ethylene glycol, propylene glycol, hydroxyethyl methacrylate, hydroxypropyl methacrylate, and sorbitol, or various surfactants, adhesion aids, storage stabilizers and the like can be contained.
【0034】本発明のネガ型レジスト組成物の配合割合
は、本発明の目的に反しない限り限定されないが、一般
には、ヒドロキシプロピルセルロース100重量部に対
し、光酸発生剤を1〜50重量部、好ましくは4〜20
重量部である。The mixing ratio of the negative resist composition of the present invention is not limited as long as it does not deviate from the object of the present invention, but generally 1 to 50 parts by weight of a photo-acid generator is added to 100 parts by weight of hydroxypropyl cellulose. , Preferably 4 to 20
Parts by weight.
【0035】また、蛍光体、あるいは無機粉体を含有す
る場合には、ヒドロキシプロピルセルロースおよび光酸
発生剤からなる感光性組成物100重量部に対して、1
00〜5000重量部、好ましくは200〜3000重
量部配合する。さらに、有機粉体を含有する場合には、
感光性組成物100重量部に対して、10〜500重量
部、好ましくは20〜200重量部配合する。When the phosphor or the inorganic powder is contained, 1 part is added to 100 parts by weight of a photosensitive composition containing hydroxypropyl cellulose and a photoacid generator.
The amount is 00 to 5000 parts by weight, preferably 200 to 3000 parts by weight. Furthermore, when containing an organic powder,
The amount is 10 to 500 parts by weight, preferably 20 to 200 parts by weight, based on 100 parts by weight of the photosensitive composition.
【0036】本発明のネガ型レジスト組成物は、基板に
塗布し、乾燥することにより感光層を形成することがで
きる。また、このように形成した感光層には、画像露光
し、熱処理することにより、露光部は水不溶性となり、
これを水現像することによりネガ型パターンを形成する
ことができる。The negative resist composition of the present invention can be applied to a substrate and dried to form a photosensitive layer. Further, the photosensitive layer thus formed is exposed to an image and heat-treated to render the exposed portion water-insoluble,
A negative pattern can be formed by developing this with water.
【0037】ここで、感光層の形成方法、画像露光方
法、熱処理方法などは、通常当業者が行う方法であれば
特に限定されない。なお、画像露光後の熱処理は、通
常、30〜200℃、好ましくは40〜150℃であ
る。Here, the method for forming the photosensitive layer, the image exposure method, the heat treatment method and the like are not particularly limited as long as they are generally performed by those skilled in the art. The heat treatment after image exposure is usually 30 to 200 ° C, preferably 40 to 150 ° C.
【0038】[0038]
【実施の態様】以下、実施例により本発明をさらに詳細
に説明するが、これらの実施例は本発明の範囲を何ら限
定するものではない。BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION Hereinafter, the present invention will be described in more detail with reference to Examples, but these Examples do not limit the scope of the present invention in any way.
【0039】(実施例1)まず、下記組成の感光液(レ
ジスト組成物)を調製した。Example 1 First, a photosensitive solution (resist composition) having the following composition was prepared.
【0040】 ヒドロキシプロピルセルロース 10重量部 (日本曹達(株)製:HPC−M) 下記構造式の光酸発生剤 1重量部 (三和ケミカル社製:TFE−トリアジン) 蛍光体 100重量部 プロピレングリコールモノメチルエーテル 600重量部Hydroxypropyl cellulose 10 parts by weight (Nippon Soda Co., Ltd .: HPC-M) 1 part by weight of a photoacid generator having the following structural formula (Sanwa Chemical Co., Ltd .: TFE-triazine) Phosphor 100 parts by weight Propylene glycol 600 parts by weight of monomethyl ether
【0041】[0041]
【化2】 Embedded image
【0042】かかる感光液をスピンコータで、酸化イン
ジウムスズ(ITO)基板上に塗布し、70℃で10分
間乾燥することにより、蛍光体を含む厚さ10μmの感
光層を形成した。The photosensitive solution was applied onto an indium tin oxide (ITO) substrate with a spin coater and dried at 70 ° C. for 10 minutes to form a photosensitive layer containing a phosphor and having a thickness of 10 μm.
【0043】次いで、ドットパターンを有するマスクを
通して超高圧水銀灯で200mj/cm2の露光を行っ
た後、100℃で7分間加熱した。その後、スプレー水
により現像し、40μm角の蛍光体パターンを得た。Next, after exposing at 200 mj / cm 2 with an ultrahigh pressure mercury lamp through a mask having a dot pattern, it was heated at 100 ° C. for 7 minutes. Then, it was developed with spray water to obtain a 40 μm square phosphor pattern.
【0044】(実施例2)まず、下記組成の感光液(レ
ジスト組成物)を調製した。Example 2 First, a photosensitive solution (resist composition) having the following composition was prepared.
【0045】 ヒドロキシプロピルセルロース 10 重量部 (日本曹達(株)製:HPC−M) 実施例1で用いた光酸発生剤 1 重量部 (三和ケミカル社製:TFE−トリアジン) メチル化メラミン樹脂 1.6重量部 ヒドロキシメチルメタクリレート 1.4重量部 蛍光体 100 重量部 プロピレングリコールモノメチルエーテル 600 重量部Hydroxypropyl cellulose 10 parts by weight (manufactured by Nippon Soda Co., Ltd .: HPC-M) 1 part by weight of the photo-acid generator used in Example 1 (manufactured by Sanwa Chemical Co., Ltd .: TFE-triazine) methylated melamine resin 1 .6 parts by weight Hydroxymethyl methacrylate 1.4 parts by weight Phosphor 100 parts by weight Propylene glycol monomethyl ether 600 parts by weight
【0046】かかる感光液をスピンコータで、酸化イン
ジウムスズ(ITO)基板上に塗布し、70℃で10分
間乾燥することにより、蛍光体を含む厚さ10μmの感
光層を形成した。The photosensitive solution was applied onto an indium tin oxide (ITO) substrate with a spin coater and dried at 70 ° C. for 10 minutes to form a photosensitive layer containing a phosphor and having a thickness of 10 μm.
【0047】次いで、ドットパターンを有するマスクを
通して超高圧水銀灯で100mj/cm2の露光を行っ
た後、100℃で7分間加熱した。その後、スプレー水
により現像し、40μm角の蛍光体パターンを得た。Next, after exposing at 100 mj / cm 2 with an ultrahigh pressure mercury lamp through a mask having a dot pattern, it was heated at 100 ° C. for 7 minutes. Then, it was developed with spray water to obtain a 40 μm square phosphor pattern.
【0048】(実施例3)まず、下記組成の感光液(レ
ジスト組成物)を調製した。Example 3 First, a photosensitive solution (resist composition) having the following composition was prepared.
【0049】 ヒドロキシプロピルセルロース 100重量部 (日本曹達(株)製:HPC−M) 下記構造式の光酸発生剤 10重量部 (三和ケミカル社製:TME−トリアジン) プロピレングリコールモノメチルエーテル 330重量部Hydroxypropyl cellulose 100 parts by weight (Nippon Soda Co., Ltd .: HPC-M) Photoacid generator having the following structural formula 10 parts by weight (Sanwa Chemical Co., Ltd .: TME-triazine) Propylene glycol monomethyl ether 330 parts by weight
【0050】[0050]
【化3】 Embedded image
【0051】かかる感光液をスピンコータで、酸化イン
ジウムスズ(ITO)基板上に塗布し、70℃で10分
間乾燥することにより、厚さ2.2μmの感光層を形成
した。The photosensitive solution was applied onto an indium tin oxide (ITO) substrate with a spin coater and dried at 70 ° C. for 10 minutes to form a photosensitive layer having a thickness of 2.2 μm.
【0052】次いで、ラインアンドスペースパターン
(L/S)を有するマスクを通して超高圧水銀灯で30
mj/cm2の露光を行った後、80℃で5分間加熱し
た。その後、水により現像し、きれいな20μmのL/
Sパターンを得た。Then, through a mask having a line-and-space pattern (L / S), an ultra-high pressure mercury lamp is used for 30 times.
After performing mj / cm2 exposure, it was heated at 80 ° C. for 5 minutes. Then, develop with water to obtain a clean L / of 20 μm.
An S pattern was obtained.
【0053】(実施例4)まず、下記組成の感光液(レ
ジスト組成物)を調製した。Example 4 First, a photosensitive solution (resist composition) having the following composition was prepared.
【0054】 ヒドロキシプロピルセルロース 100重量部 (日本曹達(株)製:HPC−M) 実施例3で用いた光酸発生剤 10重量部 (三和ケミカル社製:TME−トリアジン) グリセロールトリグリシジルエーテル 20重量部 (ナガセ化成工業(株)製:デナコールEX−314) プロピレングリコールモノメチルエーテル 330重量部Hydroxypropyl cellulose 100 parts by weight (Nippon Soda Co., Ltd .: HPC-M) Photoacid generator used in Example 3 10 parts by weight (Sanwa Chemical Co., Ltd .: TME-triazine) Glycerol triglycidyl ether 20 Parts by weight (Nagase Kasei Co., Ltd .: Denacol EX-314) Propylene glycol monomethyl ether 330 parts by weight
【0055】かかる感光液を実施例3と同様に、酸化イ
ンジウムスズ(ITO)基板上に塗布・乾燥することに
より、厚さ2.2μmの感光層を形成した。The photosensitive solution was applied onto an indium tin oxide (ITO) substrate and dried in the same manner as in Example 3 to form a photosensitive layer having a thickness of 2.2 μm.
【0056】次いで、ラインアンドスペースパターン
(L/S)を有するマスクを通して超高圧水銀灯で20
mj/cm2の露光を行った後、90℃で3分間加熱し
た。その後、水により現像し、きれいな20μmのL/
Sパターンを得た。Then, using a mask having a line-and-space pattern (L / S), an ultra-high pressure mercury lamp is used for 20 times.
After performing mj / cm2 exposure, it was heated at 90 ° C. for 3 minutes. Then, develop with water to obtain a clean L / of 20 μm.
An S pattern was obtained.
【0057】(実施例5)まず、下記組成の感光液(レ
ジスト組成物)を調製した。Example 5 First, a photosensitive solution (resist composition) having the following composition was prepared.
【0058】 ヒドロキシプロピルセルロース 100重量部 (日本曹達(株)製:HPC−M) 実施例3で用いた光酸発生剤 10重量部 (三和ケミカル社製:TME−トリアジン) メチル化メラミン樹脂 15重量部 (三井サイアナミッド社製:サイメル301) プロピレングリコールモノメチルエーテル 330重量部Hydroxypropylcellulose 100 parts by weight (Nippon Soda Co., Ltd .: HPC-M) Photoacid generator used in Example 3 10 parts by weight (Sanwa Chemical Co., Ltd .: TME-triazine) Methylated melamine resin 15 Parts by weight (Mitsui Cyanamid: Cymel 301) Propylene glycol monomethyl ether 330 parts by weight
【0059】かかる感光液を実施例3と同様に、酸化イ
ンジウムスズ(ITO)基板上に塗布・乾燥することに
より、厚さ2.2μmの感光層を形成した。The photosensitive solution was applied onto an indium tin oxide (ITO) substrate and dried in the same manner as in Example 3 to form a photosensitive layer having a thickness of 2.2 μm.
【0060】次いで、ラインアンドスペースパターン
(L/S)を有するマスクを通して超高圧水銀灯で20
mj/cm2の露光を行った後、100℃で7分間加熱
した。その後、水現像により、きれいな20μmのL/
Sパターンを得た。Then, using a mask having a line-and-space pattern (L / S), an ultra-high pressure mercury lamp is used for 20 times.
After performing mj / cm2 exposure, it was heated at 100 ° C. for 7 minutes. Then, by water development, clean L / of 20 μm
An S pattern was obtained.
【0061】(実施例6)まず、下記組成の感光液(レ
ジスト組成物)を調製した。Example 6 First, a photosensitive solution (resist composition) having the following composition was prepared.
【0062】 ヒドロキシプロピルセルロース 100重量部 (日本曹達(株)製:HPC−M) 下記構造式を有する光酸発生剤 10重量部 メチル化メラミン樹脂 15重量部 (三井サイアナミッド社製:サイメル301) 2−ヒドロキシプロピルメタクリレート 14重量部 プロピレングリコールモノメチルエーテル 330重量部Hydroxypropylcellulose 100 parts by weight (Nippon Soda Co., Ltd .: HPC-M) Photoacid generator having the following structural formula 10 parts by weight Methylated melamine resin 15 parts by weight (Mitsui Cyanamid: Cymel 301) 2 -Hydroxypropyl methacrylate 14 parts by weight Propylene glycol monomethyl ether 330 parts by weight
【0063】[0063]
【化4】 Embedded image
【0064】かかる感光液を実施例3と同様に、酸化イ
ンジウムスズ(ITO)基板上に塗布し、50℃で5分
間乾燥することにより、厚さ2.2μmの感光層を形成
した。In the same manner as in Example 3, such a photosensitive solution was applied onto an indium tin oxide (ITO) substrate and dried at 50 ° C. for 5 minutes to form a photosensitive layer having a thickness of 2.2 μm.
【0065】次いで、ラインアンドスペースパターン
(L/S)を有するマスクを通して超高圧水銀灯で20
mj/cm2の露光を行った後、70℃で5分間加熱し
た。その後、2分間水現像し、きれいな20μmのL/
Sパターンを得た。Then, using a mask having a line-and-space pattern (L / S), an ultra-high pressure mercury lamp is used for 20 times.
After performing mj / cm 2 exposure, it was heated at 70 ° C. for 5 minutes. Then, develop with water for 2 minutes, and clean L / of 20 μm
An S pattern was obtained.
【0066】(実施例7)下記の表に示すように、上述
したHPC−M100重量部に対して、TFE−トリア
ジンを、4〜20重量部の範囲で変化させてそれぞれ添
加した感光液を調製し、それぞれガラス基板上に塗布
後、70℃で10分間乾燥し、厚さ1μmの感光層を形
成した。この感光層に対してそれぞれ15mj/cm2
の露光をした後、それぞれに対して下記表に示す加熱を
行った。次いで、それぞれを水現像した後、パターンを
顕微鏡で観察したところ、何れにも20μmのL/Sパ
ターンがきれいに解像されていた。(Example 7) As shown in the table below, a photosensitive solution was prepared by adding TFE-triazine in an amount of 4 to 20 parts by weight to 100 parts by weight of the above-mentioned HPC-M. Then, each was applied onto a glass substrate and then dried at 70 ° C. for 10 minutes to form a photosensitive layer having a thickness of 1 μm. 15 mj / cm2 for each photosensitive layer
After exposure, each of them was heated as shown in the following table. Next, after water-development of each, the patterns were observed with a microscope. As a result, a 20 μm L / S pattern was clearly resolved in each case.
【0067】[0067]
【表1】 [Table 1]
【0068】(実施例8)下記のレジスト組成物を調製
した。Example 8 The following resist composition was prepared.
【0069】 ヒドロキシプロピルセルロース 10重量部 (日本曹達(株)製:HPC−M) 1,2-ナフトキノンジアジド-4-スルホニルクロリド 1重量部 メチル化メラミン樹脂 1.6重量部 (三和ケミカル社製:ニカラックMW−30) ヒドロキシエチルメタクリレート 1.4重量部 プロピレングリコールモノメチルエーテル 350重量部Hydroxypropylcellulose 10 parts by weight (Nippon Soda Co., Ltd .: HPC-M) 1,2-naphthoquinonediazide-4-sulfonyl chloride 1 part by weight Methylated melamine resin 1.6 parts by weight (manufactured by Sanwa Chemical Co., Ltd.) : Nicalac MW-30) Hydroxyethyl methacrylate 1.4 parts by weight Propylene glycol monomethyl ether 350 parts by weight
【0070】かかるレジスト組成物を実施例3と同様に
アルカリガラス基板上に塗布・乾燥することにより、厚
さ1.0μmの感光層を形成した。次いで、L/Sを有
するマスクを通して超高圧水銀灯で1.0mj/cm2
の露光を行った後、80℃で5分間加熱した。その後、
2分間水現像し、きれいな20μmL/Sパターンを得
た。A resist layer having a thickness of 1.0 μm was formed by applying and drying the resist composition on an alkali glass substrate in the same manner as in Example 3. Then, 1.0 mj / cm 2 with an ultra-high pressure mercury lamp through a mask having L / S.
And then heated at 80 ° C. for 5 minutes. afterwards,
After water development for 2 minutes, a clear 20 μmL / S pattern was obtained.
【0071】[0071]
【発明の効果】本発明によれば、ヒドロキシプロピルセ
ルロースと光酸発生剤とを用いることにより、高感度、
高解像であり、基板との密着性が良好であり、酸素の影
響を受けず、経時安定性が良好なレジスト組成物および
それを用いたパターン形成方法を提供することができ
る。According to the present invention, by using hydroxypropyl cellulose and a photoacid generator, high sensitivity,
It is possible to provide a resist composition having a high resolution, good adhesion to a substrate, being not affected by oxygen, and having good stability over time, and a pattern forming method using the resist composition.
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 FI 技術表示箇所 H01L 21/027 H01L 21/30 502R 569F ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (51) Int.Cl. 6 Identification code Internal reference number FI Technical display location H01L 21/027 H01L 21/30 502R 569F
Claims (9)
生剤とを必須成分として含有することを特徴とするネガ
型レジスト組成物。1. A negative resist composition comprising hydroxypropyl cellulose and a photo-acid generator as essential components.
形成した感光層の未露光部が水で除去できることを特徴
とするネガ型レジスト組成物。2. The negative resist composition as claimed in claim 1, wherein the unexposed portion of the photosensitive layer formed by using the composition can be removed with water.
生剤が、有機溶媒可溶性のハロゲン含有トリアジンある
いはハロゲン含有オキサジアゾールであり、当該光酸発
生剤および前記ヒドロキシプロピルセルロースが有機溶
媒に溶解されていることを特徴とするネガ型レジスト組
成物。3. The photoacid generator according to claim 1 or 2, wherein the organic solvent-soluble halogen-containing triazine or halogen-containing oxadiazole is used, and the photoacid generator and the hydroxypropylcellulose are dissolved in an organic solvent. And a negative resist composition.
に、蛍光体,無機粉体あるいは有機粉体が分散されてい
ることを特徴とするネガ型レジスト組成物。4. The negative resist composition according to claim 1, further comprising a phosphor, an inorganic powder or an organic powder dispersed therein.
に、N−メチロール構造を有する架橋剤および多官能エ
ポシキ化合物からなる群から選ばれる少なくとも一種を
含有させたことを特徴とするネガ型レジスト組成物。5. The negative resist according to claim 1, further comprising at least one selected from the group consisting of a cross-linking agent having an N-methylol structure and a polyfunctional epoxy compound. Composition.
生剤とを必須成分として含有するネガ型レジスト組成物
を基板に塗布し、乾燥することにより感光層を形成する
工程と,この感光層を画像露光する工程と、この画像露
光した感光層を熱処理する工程と、この熱処理した感光
層を水現像する工程とを含むことを特徴とするネガ型パ
ターン形成方法。6. A step of forming a photosensitive layer by coating a negative resist composition containing hydroxypropyl cellulose and a photo-acid generator as essential components on a substrate and drying, and exposing the photosensitive layer to image exposure. A negative pattern forming method comprising: a step, a step of heat-treating the image-exposed photosensitive layer, and a step of developing the heat-treated photosensitive layer with water.
組成物は、光酸発生剤として有機溶媒可溶性のハロゲン
含有トリアジンあるいはハロゲン含有オキサジアゾール
を含有し、当該光酸発生剤および前記ヒドロキシプロピ
ルセルロースが有機溶媒に溶解されていることを特徴と
するネガ型パターン形成方法。7. The negative resist composition according to claim 6, wherein the organic acid-soluble halogen-containing triazine or halogen-containing oxadiazole is contained as the photo-acid generator, and the photo-acid generator and the hydroxypropyl cellulose are contained. Is dissolved in an organic solvent, a negative pattern forming method.
レジスト組成物には、さらに、蛍光体,無機粉体あるい
は有機粉体が分散されていることを特徴とするパターン
形成方法。8. The pattern forming method according to claim 6, wherein the negative resist composition further contains a phosphor, an inorganic powder or an organic powder dispersed therein.
ガ型レジスト組成物は、さらに、N−メチロール構造を
有する架橋剤および多官能エポシキ化合物からなる群か
ら選ばれる少なくとも一種を含有することを特徴とする
ネガ型パターン形成方法。9. The negative resist composition according to claim 6, further comprising at least one selected from the group consisting of a cross-linking agent having an N-methylol structure and a polyfunctional epoxy compound. And a negative pattern forming method.
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24346195A JP3507219B2 (en) | 1995-09-21 | 1995-09-21 | Negative resist composition and pattern forming method |
Applications Claiming Priority (1)
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Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0990631A true JPH0990631A (en) | 1997-04-04 |
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|---|---|
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