JPH099153A - 撮像パネルおよびその残留電荷を除去する方法 - Google Patents
撮像パネルおよびその残留電荷を除去する方法Info
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- JPH099153A JPH099153A JP8145515A JP14551596A JPH099153A JP H099153 A JPH099153 A JP H099153A JP 8145515 A JP8145515 A JP 8145515A JP 14551596 A JP14551596 A JP 14551596A JP H099153 A JPH099153 A JP H099153A
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-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01T—MEASUREMENT OF NUCLEAR OR X-RADIATION
- G01T1/00—Measuring X-radiation, gamma radiation, corpuscular radiation, or cosmic radiation
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- G01T1/24—Measuring radiation intensity with semiconductor detectors
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- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 撮像パネル内の残留電荷を除去すること。
【解決手段】 撮像パネルは、誘電材料の基板層に隣接
して配列された複数個のセンサと、当該センサの上に設
けられた放射線感応層とを有する。放射線感応層が、第
１の実質的に均一なパターンの光線により露光されて、
撮像パネル内に捕捉されている残留電荷が部分的に中和
される。次に、放射線感応層は、第２の実質的に均一な
パターンの十分な光線により露光されて、撮像パネル内
に捕捉されている実質的に全ての残留電荷が中和され
る。
して配列された複数個のセンサと、当該センサの上に設
けられた放射線感応層とを有する。放射線感応層が、第
１の実質的に均一なパターンの光線により露光されて、
撮像パネル内に捕捉されている残留電荷が部分的に中和
される。次に、放射線感応層は、第２の実質的に均一な
パターンの十分な光線により露光されて、撮像パネル内
に捕捉されている実質的に全ての残留電荷が中和され
る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、直接放射線像を撮
像するための撮像パネルに関する。特に、本発明は、次
の放射線像の撮像に先立って、撮像パネルに残っている
残留電荷を除去するための方法および装置に関する。
像するための撮像パネルに関する。特に、本発明は、次
の放射線像の撮像に先立って、撮像パネルに残っている
残留電荷を除去するための方法および装置に関する。
【０００２】なお、本明細書の記述は本件出願の優先権
の基礎たる米国特許出願第０８／４７５，４４９号（１
９９５年６月７日出願）の明細書の記載に基づくもので
あって、当該米国特許出願の番号を参照することによっ
て当該米国特許出願の明細書の記載内容が本明細書の一
部分を構成するものとする。
の基礎たる米国特許出願第０８／４７５，４４９号（１
９９５年６月７日出願）の明細書の記載に基づくもので
あって、当該米国特許出願の番号を参照することによっ
て当該米国特許出願の明細書の記載内容が本明細書の一
部分を構成するものとする。
【０００３】
【従来の技術】慣例の医学的診断過程では、Ｘ線像パタ
ーンがハロゲン化銀フィルムに記録される。これらの装
置は、当初均一なパターンの検査用Ｘ線を検査対象の患
者に向けて照射し、その結果として画像に従って変調さ
れたＸ線パターンをＸ線増感紙で受け、増感されたパタ
ーンをハロゲン化銀フィルムに記録し、この放射線潜像
パターンを化学的に変換してＸ線写真と呼ばれる永久可
視画像にする。
ーンがハロゲン化銀フィルムに記録される。これらの装
置は、当初均一なパターンの検査用Ｘ線を検査対象の患
者に向けて照射し、その結果として画像に従って変調さ
れたＸ線パターンをＸ線増感紙で受け、増感されたパタ
ーンをハロゲン化銀フィルムに記録し、この放射線潜像
パターンを化学的に変換してＸ線写真と呼ばれる永久可
視画像にする。
【０００４】Ｘ線写真はまた、放射線感応材料層を用い
て、放射線像を画像に従って変調された電荷パターンと
して直接撮影することによって得られてきた。入射Ｘ線
の強さによって、画素化される部分内にＸ線により電気
的または光学的に生成された電荷は、規則的に配置され
た離散的固体放射線センサの配列体により量子化され
る。１９９４年６月７日にLee 外に対して発行され、E.
I. du Pont de Nemoursに譲渡された米国特許第５，３
１９，２０６号に、光導電材料層を用いて、画像に従っ
て変調された電子−正孔対の面分布を生成し、次に、こ
の電子−正孔対を薄膜トランジスタ等の電気感応素子に
より、これに対応するアナログ画素（絵素）値に変換す
る装置が開示されている。米国特許第５，２６２，６４
９号（Antonuk 外）には、燐光または発光材料層を用い
て、画像に従って変調された光子分布を生成し、次に、
この光子をアモルファス・シリコン光ダイオード等の電
気感応素子により、これに対応する画像に従って変調さ
れた分布の電荷に変換する装置が開示されている。米国
特許第５，２５４，４８０号（Tran）には、光子分布を
創出する発光層と、これに対応する画像に従って変調さ
れた電荷分布を生成する隣接の光導電材料層とを組み合
わせ、次に、この電荷を電気感応素子により、これに対
応するアナログ画素値に変換して画像を得る装置が開示
されている。これらの固体装置は、ハロゲン化銀フィル
ムの消費および化学的処理を伴わずに繰り返しＸ線露光
を行なうのに有用であるという利点を有する。
て、放射線像を画像に従って変調された電荷パターンと
して直接撮影することによって得られてきた。入射Ｘ線
の強さによって、画素化される部分内にＸ線により電気
的または光学的に生成された電荷は、規則的に配置され
た離散的固体放射線センサの配列体により量子化され
る。１９９４年６月７日にLee 外に対して発行され、E.
I. du Pont de Nemoursに譲渡された米国特許第５，３
１９，２０６号に、光導電材料層を用いて、画像に従っ
て変調された電子−正孔対の面分布を生成し、次に、こ
の電子−正孔対を薄膜トランジスタ等の電気感応素子に
より、これに対応するアナログ画素（絵素）値に変換す
る装置が開示されている。米国特許第５，２６２，６４
９号（Antonuk 外）には、燐光または発光材料層を用い
て、画像に従って変調された光子分布を生成し、次に、
この光子をアモルファス・シリコン光ダイオード等の電
気感応素子により、これに対応する画像に従って変調さ
れた分布の電荷に変換する装置が開示されている。米国
特許第５，２５４，４８０号（Tran）には、光子分布を
創出する発光層と、これに対応する画像に従って変調さ
れた電荷分布を生成する隣接の光導電材料層とを組み合
わせ、次に、この電荷を電気感応素子により、これに対
応するアナログ画素値に変換して画像を得る装置が開示
されている。これらの固体装置は、ハロゲン化銀フィル
ムの消費および化学的処理を伴わずに繰り返しＸ線露光
を行なうのに有用であるという利点を有する。
【０００５】光導電層を用いたシステムの場合には、画
像に従って変調されたＸ線による露光に先立って、適切
な電界を印加することにより、光導電層の上表面が電荷
読取手段に対して均一にバイアスされる。Ｘ線露光中
に、画像的に変調されたＸ線パターンの強さに対応し
て、光導電層内に電子−正孔対が生じ、これらの電子−
正孔対は、印加されたバイアス電界により分離される。
電子−正孔対は、互いに逆方向に、電界の力線に沿って
光導電層の両表面の方へと移動する。Ｘ線露光が終わる
と、さまざまな大きさの電荷が画像に従って分布した形
の潜像が光導電層内に捕えられており、これが静電放射
線潜像である。光導電層に近接した複数個の電荷捕獲素
子とスイッチング・デバイスは画像的な分布の電荷を読
み取るようになっており、これによって画素化されたＸ
線写真が得られる。
像に従って変調されたＸ線による露光に先立って、適切
な電界を印加することにより、光導電層の上表面が電荷
読取手段に対して均一にバイアスされる。Ｘ線露光中
に、画像的に変調されたＸ線パターンの強さに対応し
て、光導電層内に電子−正孔対が生じ、これらの電子−
正孔対は、印加されたバイアス電界により分離される。
電子−正孔対は、互いに逆方向に、電界の力線に沿って
光導電層の両表面の方へと移動する。Ｘ線露光が終わる
と、さまざまな大きさの電荷が画像に従って分布した形
の潜像が光導電層内に捕えられており、これが静電放射
線潜像である。光導電層に近接した複数個の電荷捕獲素
子とスイッチング・デバイスは画像的な分布の電荷を読
み取るようになっており、これによって画素化されたＸ
線写真が得られる。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】このような電荷捕獲お
よび読取のやり方に付随する問題は、Ｘ線露光をやめ
て、読取りによって光導電層内に分布している電荷を決
定した後も、光導電層内に誘導された電荷の一部が、捕
捉電荷となって、光導電層内だけでなく光導電層の表面
とこれに隣接する層の表面との間の平面的な界面にも残
留したままになりうるという点にある。これらの残留電
荷は、次のＸ線露光に先立って完全に除去されなければ
ならない。さもなければ、前の照射パターンと関わりの
ある偽像パターンが、次のＸ線写真に付加されかねな
い。
よび読取のやり方に付随する問題は、Ｘ線露光をやめ
て、読取りによって光導電層内に分布している電荷を決
定した後も、光導電層内に誘導された電荷の一部が、捕
捉電荷となって、光導電層内だけでなく光導電層の表面
とこれに隣接する層の表面との間の平面的な界面にも残
留したままになりうるという点にある。これらの残留電
荷は、次のＸ線露光に先立って完全に除去されなければ
ならない。さもなければ、前の照射パターンと関わりの
ある偽像パターンが、次のＸ線写真に付加されかねな
い。
【０００７】たとえば、１９９４年１１月２４日にLee
外に対して発行され、E. I. du Pont de Nemours and C
ompanyに譲渡された米国特許第５，１６６，５２４号に
開示されているように、大線量の化学放射線により撮像
素子の光導電層を故意にフラッシュ露光して、光導電層
を瞬間的に実質導電性にすることによって、光導電層内
に蓄積されている残留電荷を除去しうることが知られて
いる。しかし、このような撮像素子は、フラッシュ露光
を行なう前に、これに接触する導電性フォームまたはゴ
ム等の導電層を電荷捕獲用マイクロプレートから物理的
に分離することによって、部分的に分解されなければな
らない。また、フラッシュ露光により、大きな中和電流
が局所的に発生することがあり、これが近くの読取部材
の電流容量を超過するかもしれない。また、たとえば米
国特許第５，３１９，２０６号に開示されているよう
に、逆に減少する電界を印加することにより、残留電荷
を最小限に抑えることも行なわれてきた。しかし、この
方法では、光導電層に残っている残留電荷を完全に中和
するためには、減少する逆の電界を多数回印加すること
が必要になる。
外に対して発行され、E. I. du Pont de Nemours and C
ompanyに譲渡された米国特許第５，１６６，５２４号に
開示されているように、大線量の化学放射線により撮像
素子の光導電層を故意にフラッシュ露光して、光導電層
を瞬間的に実質導電性にすることによって、光導電層内
に蓄積されている残留電荷を除去しうることが知られて
いる。しかし、このような撮像素子は、フラッシュ露光
を行なう前に、これに接触する導電性フォームまたはゴ
ム等の導電層を電荷捕獲用マイクロプレートから物理的
に分離することによって、部分的に分解されなければな
らない。また、フラッシュ露光により、大きな中和電流
が局所的に発生することがあり、これが近くの読取部材
の電流容量を超過するかもしれない。また、たとえば米
国特許第５，３１９，２０６号に開示されているよう
に、逆に減少する電界を印加することにより、残留電荷
を最小限に抑えることも行なわれてきた。しかし、この
方法では、光導電層に残っている残留電荷を完全に中和
するためには、減少する逆の電界を多数回印加すること
が必要になる。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明は、誘電材料の基
板層に隣接して配列された複数個のセンサを有する撮像
パネル内の残留電荷を除去するための装置と方法とを提
供する。これらのセンサの上には、放射線感応層が設け
られる。この放射線感応層は、第１の実質的に均一なパ
ターンの光放射により露光されて、撮像パネル内に捕捉
されている残留電荷が部分的に中和される。次に、放射
線感応層は、第２の実質的に均一なパターンの光放射に
より露光される。この光放射は、撮像パネル内に捕捉さ
れている残留電荷を実質的に全て中和するのに十分なも
のとする。
板層に隣接して配列された複数個のセンサを有する撮像
パネル内の残留電荷を除去するための装置と方法とを提
供する。これらのセンサの上には、放射線感応層が設け
られる。この放射線感応層は、第１の実質的に均一なパ
ターンの光放射により露光されて、撮像パネル内に捕捉
されている残留電荷が部分的に中和される。次に、放射
線感応層は、第２の実質的に均一なパターンの光放射に
より露光される。この光放射は、撮像パネル内に捕捉さ
れている残留電荷を実質的に全て中和するのに十分なも
のとする。
【０００９】請求項１記載の発明は、上面と下面とを有
する誘電材料の基板層と、前記基板層の前記上面に隣接
して配列されるとともに、各々がスイッチング・デバイ
スと検知素子とを有する複数個のセンサと、前記センサ
の上に配置された下面および自身の前記下面の反対側に
位置する上面を有する放射線感応層とを含む撮像パネル
において、前記基板層の前記下面に隣接して配置され
て、実質的に均一なパターンの光放射を前記基板層の上
に供給する発光パネルを具え、前記基板層と各検知素子
が、前記パネルからの光放射に対して実質的に透明な光
学密度を有し、それによって前記光放射が前記基板層と
前記検知素子とを通過して、前記放射線感応層の前記下
面に達するようにしたことを特徴とする撮像パネルであ
る。
する誘電材料の基板層と、前記基板層の前記上面に隣接
して配列されるとともに、各々がスイッチング・デバイ
スと検知素子とを有する複数個のセンサと、前記センサ
の上に配置された下面および自身の前記下面の反対側に
位置する上面を有する放射線感応層とを含む撮像パネル
において、前記基板層の前記下面に隣接して配置され
て、実質的に均一なパターンの光放射を前記基板層の上
に供給する発光パネルを具え、前記基板層と各検知素子
が、前記パネルからの光放射に対して実質的に透明な光
学密度を有し、それによって前記光放射が前記基板層と
前記検知素子とを通過して、前記放射線感応層の前記下
面に達するようにしたことを特徴とする撮像パネルであ
る。
【００１０】請求項２記載の発明は、前記発光パネル
は、第２の発光パネルを具え、前記パターンの光放射
は、第２のパターンの光放射を具え、前記放射線感応層
の前記上面に隣接して配置されて、第１の実質的に均一
なパターンの光放射を前記放射線感応層の上に供給する
第１の発光パネルをさらに具えたことを特徴とする請求
項１に記載の撮像パネルである。
は、第２の発光パネルを具え、前記パターンの光放射
は、第２のパターンの光放射を具え、前記放射線感応層
の前記上面に隣接して配置されて、第１の実質的に均一
なパターンの光放射を前記放射線感応層の上に供給する
第１の発光パネルをさらに具えたことを特徴とする請求
項１に記載の撮像パネルである。
【００１１】ここで、前記第１の発光パネルは、均一な
Ｘ線密度を有する材料を具えてもよい。
Ｘ線密度を有する材料を具えてもよい。
【００１２】請求項３記載の発明は、前記基板層の前記
上面に隣接して設けられて、前記スイッチング・デバイ
スの各々に個別に電子的にアクセスする手段をさらに具
えたことを特徴とする請求項１または２に記載の撮像パ
ネルである。
上面に隣接して設けられて、前記スイッチング・デバイ
スの各々に個別に電子的にアクセスする手段をさらに具
えたことを特徴とする請求項１または２に記載の撮像パ
ネルである。
【００１３】ここで、各スイッチング・デバイスは、前
記検知素子に接続されたソースと、いずれも前記アクセ
ス手段に接続されたドレインおよびゲートとを有する薄
膜電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）とすることができ
る。
記検知素子に接続されたソースと、いずれも前記アクセ
ス手段に接続されたドレインおよびゲートとを有する薄
膜電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）とすることができ
る。
【００１４】前記放射線感応層は、光導電性材料層を有
するものとすることができる。
するものとすることができる。
【００１５】前記第１のパターンの光放射は、４００〜
８００ナノメートルの範囲の波長を有する光放射を有す
るものとすることができる。
８００ナノメートルの範囲の波長を有する光放射を有す
るものとすることができる。
【００１６】前記第１のパターンの光放射は、２０〜１
０００ｅｒｇ／ｃｍ2 の範囲の単位面積毎のエネルギー
を供給することができる。
０００ｅｒｇ／ｃｍ2 の範囲の単位面積毎のエネルギー
を供給することができる。
【００１７】前記第２のパターンの光放射は、４００〜
８００ナノメートルの範囲の波長を有する光放射を有す
るものとすることができる。
８００ナノメートルの範囲の波長を有する光放射を有す
るものとすることができる。
【００１８】前記第２のパターンの光放射は、２０〜１
０００ｅｒｇ／ｃｍ2 の範囲の単位面積毎のエネルギー
を供給することができる。
０００ｅｒｇ／ｃｍ2 の範囲の単位面積毎のエネルギー
を供給することができる。
【００１９】前記第１の発光パネルは、前記センサ配列
体と同一の広がりを持つものとすることができる。
体と同一の広がりを持つものとすることができる。
【００２０】前記第２の発光パネルは、前記センサの配
列体と同一の広がりを持つものとすることができる。
列体と同一の広がりを持つものとすることができる。
【００２１】請求項４記載の発明は、上面と下面とを有
する誘電材料の基板層と、前記基板層の前記上面に隣接
して配列された複数個のセンサと、前記センサの上に配
置された下面および自身の前記下面の反対側に位置する
上面を有する放射線感応層とを含む撮像パネル内の残留
電荷を除去する方法において、前記放射線感応層を第１
の実質的に均一なパターンの光放射により露光して、前
記撮像パネル内に捕捉されている残留電荷を部分的に除
去する第１の露光ステップと、前記放射線感応層を第２
の実質的に均一なパターンの十分な光放射により露光し
て、前記撮像パネル内に捕捉されている実質的に全ての
残留電荷を中和する第２の露光ステップとを具えたこと
を特徴とする撮像パネル内の残留電荷を除去する方法で
ある。
する誘電材料の基板層と、前記基板層の前記上面に隣接
して配列された複数個のセンサと、前記センサの上に配
置された下面および自身の前記下面の反対側に位置する
上面を有する放射線感応層とを含む撮像パネル内の残留
電荷を除去する方法において、前記放射線感応層を第１
の実質的に均一なパターンの光放射により露光して、前
記撮像パネル内に捕捉されている残留電荷を部分的に除
去する第１の露光ステップと、前記放射線感応層を第２
の実質的に均一なパターンの十分な光放射により露光し
て、前記撮像パネル内に捕捉されている実質的に全ての
残留電荷を中和する第２の露光ステップとを具えたこと
を特徴とする撮像パネル内の残留電荷を除去する方法で
ある。
【００２２】請求項５記載の発明は、前記第１の露光ス
テップは、第１の発光パネルを前記放射線感応層の前記
上面に隣接して配置することにより実行し、前記第２の
露光ステップは、第２の発光パネルを前記基板層の前記
下面に隣接して配置することにより実行することを特徴
とする請求項４に記載の方法である。
テップは、第１の発光パネルを前記放射線感応層の前記
上面に隣接して配置することにより実行し、前記第２の
露光ステップは、第２の発光パネルを前記基板層の前記
下面に隣接して配置することにより実行することを特徴
とする請求項４に記載の方法である。
【００２３】ここで、前記第１のパターンの光放射は、
４００〜８００ナノメートルの範囲の波長を有する光放
射を有するものとすることができる。
４００〜８００ナノメートルの範囲の波長を有する光放
射を有するものとすることができる。
【００２４】前記第１のパターンの光放射は、２０〜１
０００ｅｒｇ／ｃｍ2 の範囲の単位面積毎のエネルギー
を供給することができる。
０００ｅｒｇ／ｃｍ2 の範囲の単位面積毎のエネルギー
を供給することができる。
【００２５】前記第２のパターンの光放射は、４００〜
８００ナノメートルの範囲の波長を有する光放射を有す
るものとすることができる。
８００ナノメートルの範囲の波長を有する光放射を有す
るものとすることができる。
【００２６】前記第２のパターンの光放射は、２０〜１
０００ｅｒｇ／ｃｍ2 の範囲の単位面積毎のエネルギー
を供給することができる。
０００ｅｒｇ／ｃｍ2 の範囲の単位面積毎のエネルギー
を供給することができる。
【００２７】前記第２の露光ステップは、前記第２のパ
ターンを、毎秒２０〜８００ｅｒｇ／ｃｍ2 の範囲の放
射線線量率で与えることによって実行することができ
る。
ターンを、毎秒２０〜８００ｅｒｇ／ｃｍ2 の範囲の放
射線線量率で与えることによって実行することができ
る。
【００２８】前記第２の露光ステップは、第２のパター
ンを、毎秒２０〜８００ｅｒｇ／ｃｍ2 で増加する時間
調節された放射線量率で与えることによって実行するこ
とができる。
ンを、毎秒２０〜８００ｅｒｇ／ｃｍ2 で増加する時間
調節された放射線量率で与えることによって実行するこ
とができる。
【００２９】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の実
施の形態を詳細に説明する。
施の形態を詳細に説明する。
【００３０】図１に、画像的に変調された入射放射線パ
ターンを捕えるＸ線撮像パネル１０を示す。ここで、放
射線とは、高エネルギーの電磁波、特に約２０Ｋｅｖ〜
約１５０Ｋｅｖのエネルギー準位を有したＸ線を含めた
ものを意味する。撮像パネル１０は、上下面を有する誘
電体基板層７を具える。複数個の放射線感応センサ１２
ｎ（すなわち１２ａ，１２ｂ，１２ｃ，…，１２ｎ）
が、層７の上面に隣接して、縦横のマトリクス状に配列
される。センサ１２ｎは適当な電気的読取手段５ｎによ
り読出される。読取手段５ｎは一般に、各センサ１２ｎ
に個別に電子的にアクセスする手段と、センサ１２ｎ内
に捕獲された電荷を個別に決定する手段とを具える。セ
ンサ１２ｎは、複数個のスイッチング・デバイス１４ｎ
（すなわち１４ａ，１４ｂ，１４ｃ，…，１４ｎ）と複
数個の検知素子１６ｎ（すなわち１６ａ，１６ｂ，１６
ｃ，…，１６ｎ）とを有する。検知素子１６ｎは、基板
層７上に配置された第１の複数個の導電性マイクロプレ
ート２４ｎ（すなわち２４ａ，２４ｂ，２４ｃ，…，２
４ｎ）を有し、この導電性マイクロプレートは、二酸化
珪素等の容量性誘電材料１５によって被覆される。第２
の複数個の導電性マイクロプレート２６ｎ（すなわち２
６ａ，２６ｂ，２６ｃ，…，２６ｎ）が、基板層７の上
に配置される。基板層７は、好ましくは光に対して実質
的に透明な材料、たとえばガラスからなる。導電性マイ
クロプレート２４ｎおよび２６ｎは、低い光学密度を有
し、たとえばインジウム酸化第一錫（ＩＴＯ）の薄層ま
たは５０〜１００Åの間の金やアルミニウム等の金属の
薄層とされる。
ターンを捕えるＸ線撮像パネル１０を示す。ここで、放
射線とは、高エネルギーの電磁波、特に約２０Ｋｅｖ〜
約１５０Ｋｅｖのエネルギー準位を有したＸ線を含めた
ものを意味する。撮像パネル１０は、上下面を有する誘
電体基板層７を具える。複数個の放射線感応センサ１２
ｎ（すなわち１２ａ，１２ｂ，１２ｃ，…，１２ｎ）
が、層７の上面に隣接して、縦横のマトリクス状に配列
される。センサ１２ｎは適当な電気的読取手段５ｎによ
り読出される。読取手段５ｎは一般に、各センサ１２ｎ
に個別に電子的にアクセスする手段と、センサ１２ｎ内
に捕獲された電荷を個別に決定する手段とを具える。セ
ンサ１２ｎは、複数個のスイッチング・デバイス１４ｎ
（すなわち１４ａ，１４ｂ，１４ｃ，…，１４ｎ）と複
数個の検知素子１６ｎ（すなわち１６ａ，１６ｂ，１６
ｃ，…，１６ｎ）とを有する。検知素子１６ｎは、基板
層７上に配置された第１の複数個の導電性マイクロプレ
ート２４ｎ（すなわち２４ａ，２４ｂ，２４ｃ，…，２
４ｎ）を有し、この導電性マイクロプレートは、二酸化
珪素等の容量性誘電材料１５によって被覆される。第２
の複数個の導電性マイクロプレート２６ｎ（すなわち２
６ａ，２６ｂ，２６ｃ，…，２６ｎ）が、基板層７の上
に配置される。基板層７は、好ましくは光に対して実質
的に透明な材料、たとえばガラスからなる。導電性マイ
クロプレート２４ｎおよび２６ｎは、低い光学密度を有
し、たとえばインジウム酸化第一錫（ＩＴＯ）の薄層ま
たは５０〜１００Åの間の金やアルミニウム等の金属の
薄層とされる。
【００３１】図１に、検知素子１６ｎが示されており、
この検知素子は、マイクロプレート２６ｎとマイクロプ
レート２４ｎと容量性誘電材料１５とによって構成され
た電荷蓄積キャパシタとして機能する。各マイクロプレ
ート２６ｎは、これに隣接するスイッチング・デバイス
１４ｎに接続される。これらのスイッチング・デバイス
１４ｎは、好ましくは、水素化非晶質珪素、結晶珪素、
多結晶珪素またはセレン化カドミウム層１３と、絶縁層
９９と、導電ゲート２１と、２つの導電性電極２３およ
び２５とを具えた薄膜電界トランジスタ（ＦＥＴ）とさ
れる。各電極２３は、複数本の読取線２０ｎ（図２に示
す）の内の１本に接続されて、ドレーン電極として動作
する。各電極２５は、マイクロプレート２６ｎの内の１
つに接続されて、ソース電極として動作する。各スイッ
チング・デバイス１４ｎのゲート２１は、スイッチング
線１８ｎ（図２に示す）に接続されて、バイアス電圧が
スイッチング線１８ｎを介してゲート２１に印加された
か否かによって、読取線２０と検知素子１６ｎとの間に
電流を流す双方向スイッチの働きをする。各スイッチン
グ・デバイス１４ｎは、パッシベーション層９８によっ
て被覆される。好ましくは、パッシベーション層９８
は、絶縁層９９の厚さを上回る厚さを有することとす
る。スイッチング・デバイス１４ｎを形成するための技
術は、当技術分野においてよく知られている。たとえ
ば、１９８８年にAddison-Wesleyから発行されたR. C.
JaegerによるIntroduction to Microelectronics Fabri
cation（マイクロエレクトロニクス製造入門）の第５
巻、「Modular Series on Solid StateDevices （固体
素子のモジュラー・シリーズ）」を参照されたい。
この検知素子は、マイクロプレート２６ｎとマイクロプ
レート２４ｎと容量性誘電材料１５とによって構成され
た電荷蓄積キャパシタとして機能する。各マイクロプレ
ート２６ｎは、これに隣接するスイッチング・デバイス
１４ｎに接続される。これらのスイッチング・デバイス
１４ｎは、好ましくは、水素化非晶質珪素、結晶珪素、
多結晶珪素またはセレン化カドミウム層１３と、絶縁層
９９と、導電ゲート２１と、２つの導電性電極２３およ
び２５とを具えた薄膜電界トランジスタ（ＦＥＴ）とさ
れる。各電極２３は、複数本の読取線２０ｎ（図２に示
す）の内の１本に接続されて、ドレーン電極として動作
する。各電極２５は、マイクロプレート２６ｎの内の１
つに接続されて、ソース電極として動作する。各スイッ
チング・デバイス１４ｎのゲート２１は、スイッチング
線１８ｎ（図２に示す）に接続されて、バイアス電圧が
スイッチング線１８ｎを介してゲート２１に印加された
か否かによって、読取線２０と検知素子１６ｎとの間に
電流を流す双方向スイッチの働きをする。各スイッチン
グ・デバイス１４ｎは、パッシベーション層９８によっ
て被覆される。好ましくは、パッシベーション層９８
は、絶縁層９９の厚さを上回る厚さを有することとす
る。スイッチング・デバイス１４ｎを形成するための技
術は、当技術分野においてよく知られている。たとえ
ば、１９８８年にAddison-Wesleyから発行されたR. C.
JaegerによるIntroduction to Microelectronics Fabri
cation（マイクロエレクトロニクス製造入門）の第５
巻、「Modular Series on Solid StateDevices （固体
素子のモジュラー・シリーズ）」を参照されたい。
【００３２】検知素子１６ｎはさらに、それぞれマイク
ロプレート２６ｎ上およびスイッチング・デバイス１４
ｎ上に設けられた複数個の導電性集電素子６ｎ（すなわ
ち６ａ，６ｂ，６ｃ，…，６ｎ）を具える。集電素子６
ｎの上面の上には、電荷の漏洩を防ぐように選択された
厚さを有する電荷阻止層２８が設けられる。導電性集電
素子６ｎおよび電荷阻止層２８もまた、いずれも低い光
学密度を有する。電荷阻止層２８は、好ましくは、集電
素子６ｎ上に形成された酸化アルミ層により構成される
こととするが、その他の阻止インタフェースを用いるこ
ともできる。
ロプレート２６ｎ上およびスイッチング・デバイス１４
ｎ上に設けられた複数個の導電性集電素子６ｎ（すなわ
ち６ａ，６ｂ，６ｃ，…，６ｎ）を具える。集電素子６
ｎの上面の上には、電荷の漏洩を防ぐように選択された
厚さを有する電荷阻止層２８が設けられる。導電性集電
素子６ｎおよび電荷阻止層２８もまた、いずれも低い光
学密度を有する。電荷阻止層２８は、好ましくは、集電
素子６ｎ上に形成された酸化アルミ層により構成される
こととするが、その他の阻止インタフェースを用いるこ
ともできる。
【００３３】図２に、センサ１２ｎ間の空間に設けられ
た複数本の導電性スイッチング線１８ｎと導電性読取線
２０ｎとが示されている。スイッチング・デバイス１４
ｎは、検知素子１６ｎとスイッチング線１８ｎと読取線
２０ｎとの間の空間に設けられる。スイッチング線１８
ｎは、多重化装置３２に接続された複数本のリード線を
介して、個別にアクセス可能になっている。すでに述べ
たように、各スイッチング・デバイス１４ｎは、バイア
ス電圧がスイッチング線１８ｎを介してゲート２１に印
加されたか否かによって、読取線２０ｎと検知素子１６
ｎとの間に電流を流す双方向スイッチの働きをする。
た複数本の導電性スイッチング線１８ｎと導電性読取線
２０ｎとが示されている。スイッチング・デバイス１４
ｎは、検知素子１６ｎとスイッチング線１８ｎと読取線
２０ｎとの間の空間に設けられる。スイッチング線１８
ｎは、多重化装置３２に接続された複数本のリード線を
介して、個別にアクセス可能になっている。すでに述べ
たように、各スイッチング・デバイス１４ｎは、バイア
ス電圧がスイッチング線１８ｎを介してゲート２１に印
加されたか否かによって、読取線２０ｎと検知素子１６
ｎとの間に電流を流す双方向スイッチの働きをする。
【００３４】図１には、さらに、電荷阻止層２８とスイ
ッチング線１８ｎと読取線２０ｎとの上に設けられた放
射線感応層８、好ましくは光導電材料層が示されてい
る。層６ｎと２８と８との複合体は、ブロッキング・ダ
イオードとして動作し、ある種類の電荷が、ある方向に
流れるのを阻止する。光導電層８は、好ましくは、非常
に高い暗抵抗率を有し、非晶質セレン、酸化鉛、ブロム
化タリウム、テルル化カドミウム、硫化カドミウム、ヨ
ウ化第二水銀または他の何らかの同様の材料からなるも
のとすることができる。光導電層８もまた、Ｘ線吸収性
組成物が添加された光導電性高分子等の、光導電性を示
す有機材料から構成することができる。好適な実施例に
おいて、光導電層８は、高いＸ線検出効率が得られるよ
うに、３００〜５００マイクロメートルの非晶セレンか
らなるものとされ、電荷阻止層２８は、１００Åを上回
る厚さを有する。
ッチング線１８ｎと読取線２０ｎとの上に設けられた放
射線感応層８、好ましくは光導電材料層が示されてい
る。層６ｎと２８と８との複合体は、ブロッキング・ダ
イオードとして動作し、ある種類の電荷が、ある方向に
流れるのを阻止する。光導電層８は、好ましくは、非常
に高い暗抵抗率を有し、非晶質セレン、酸化鉛、ブロム
化タリウム、テルル化カドミウム、硫化カドミウム、ヨ
ウ化第二水銀または他の何らかの同様の材料からなるも
のとすることができる。光導電層８もまた、Ｘ線吸収性
組成物が添加された光導電性高分子等の、光導電性を示
す有機材料から構成することができる。好適な実施例に
おいて、光導電層８は、高いＸ線検出効率が得られるよ
うに、３００〜５００マイクロメートルの非晶セレンか
らなるものとされ、電荷阻止層２８は、１００Åを上回
る厚さを有する。
【００３５】１マイクロメートルを上回る厚さを有する
上部誘電体層１１が、光導電層８の上面の上に設けられ
る。２５マイクロメートルの厚さを有するMylar(登録商
標）（すなわちポリエチレン・テレフタレート）フィル
ムを積層して誘電体層１１としてもよく、または、好ま
しくはParylene（登録商標）（すなわちポリキシレン）
を真空蒸着して誘電体層１１を形成してもよい。低い光
学密度を有する最上部誘電体層９は、たとえば、光に対
して本質的に透明な、インジウム酸化銀（ＩＴＯ）の薄
層または５０〜１００Åのクロム等の金属の薄層であっ
て、上部誘電層１１の上に均一に形成される。撮像パネ
ル１０全体は、センサ１２ｎと障壁層２８と光導電層８
と上部誘電体層１１と上部導電層９とを誘電体基板層７
の上に設けることによって製造可能である。製造は、た
とえばプラズマ化学蒸着、真空蒸着、積層またはスパッ
タリングにより行うことができる。
上部誘電体層１１が、光導電層８の上面の上に設けられ
る。２５マイクロメートルの厚さを有するMylar(登録商
標）（すなわちポリエチレン・テレフタレート）フィル
ムを積層して誘電体層１１としてもよく、または、好ま
しくはParylene（登録商標）（すなわちポリキシレン）
を真空蒸着して誘電体層１１を形成してもよい。低い光
学密度を有する最上部誘電体層９は、たとえば、光に対
して本質的に透明な、インジウム酸化銀（ＩＴＯ）の薄
層または５０〜１００Åのクロム等の金属の薄層であっ
て、上部誘電層１１の上に均一に形成される。撮像パネ
ル１０全体は、センサ１２ｎと障壁層２８と光導電層８
と上部誘電体層１１と上部導電層９とを誘電体基板層７
の上に設けることによって製造可能である。製造は、た
とえばプラズマ化学蒸着、真空蒸着、積層またはスパッ
タリングにより行うことができる。
【００３６】図１に、撮像パネル１０に並列された露光
手段Ｌが示されている。撮像パネル１０内に残留して、
次の画像に関する照射工程で偽像を作りうる残留電荷を
除去する上で、この露光手段Ｌが有効であることが発見
された。露光手段Ｌは、均一なパターンの低エネルギー
光放射が光導電層８の上に与えられるように配置され
る。好適な実施例では、露光手段Ｌは、上部導電層９の
上に配置されて当該導電層９から短い距離、たとえば２
ミリメートルだけ位置がずれた第１の発光パネル２２Ｆ
を具える。この第１のパネル２２Ｆは、光導電層８を第
１のパターンの低エネルギー光放射により露光するよう
になっている。ここで、「光」という用語は、４００〜
８００ナノメートルの範囲の波長と２０〜１０００ｅｒ
ｇ／ｃｍ2の範囲のエネルギーとを有する低エネルギー
電磁放射線を表すものとして用いられる。この第１のパ
ターンの低エネルギー光放射としては、光がほとんど吸
収されないまま上部導電層９と上部誘電体層１１とを透
過して、光導電層８の最上部分付近で完全に吸収される
ような波長とエネルギーとを有するものが選ばれる。好
ましくは、発光パネル２２Ｆは、オハイオ州ストロング
スヴィルのLumitex, Inc. から入手可能なもののよう
に、光ファイバーを柔軟な束にしたものから織られたパ
ネルとする。パネル２２Ｆは、実質的に均一なパターン
の低エネルギー光線を供給し得、４００〜８００ナノメ
ートルの範囲内の広範な波長を有し、および２０〜１０
００ｅｒｇ／ｃｍ2 、好ましくは約５００ｅｒｇ／ｃｍ
2 の単位面積あてのエネルギーを供給しうるものとす
る。被検者の照射時に、Ｘ線が第１のパネル２２Ｆを透
過しなければならないので、第１のパネル２２Ｆは、低
いＸ線減衰率と均一なＸ線密度との両方を兼ね備えた材
料からなっていることが必要である。Ｘ線密度を均一に
することは、いかなる内部パネル構造もＸ線像に現れな
いようにするために重要である。タングステン・ハロゲ
ン光源が好適である遠隔低エネルギー光放射源２２Ｌ
が、発光パネル２２Ｆの研磨されたファイバー端を介し
て発光パネル２２Ｆと結合されて、発光パネル２２Ｆ内
に低エネルギー光放射を供給する。光ファイバー内に送
出された光は、ファイバーの側部から放出されて、導電
層９と誘電体層１１とを通り抜けた後に、光導電層８上
に達する。織られた光ファイバーの多層体を選択するこ
とによって、低エネルギー光源２２Ｌを、より効果的に
用いることができ、上部導電層９に入射する低エネルギ
ー光線の輝度および均一性が高まる。
手段Ｌが示されている。撮像パネル１０内に残留して、
次の画像に関する照射工程で偽像を作りうる残留電荷を
除去する上で、この露光手段Ｌが有効であることが発見
された。露光手段Ｌは、均一なパターンの低エネルギー
光放射が光導電層８の上に与えられるように配置され
る。好適な実施例では、露光手段Ｌは、上部導電層９の
上に配置されて当該導電層９から短い距離、たとえば２
ミリメートルだけ位置がずれた第１の発光パネル２２Ｆ
を具える。この第１のパネル２２Ｆは、光導電層８を第
１のパターンの低エネルギー光放射により露光するよう
になっている。ここで、「光」という用語は、４００〜
８００ナノメートルの範囲の波長と２０〜１０００ｅｒ
ｇ／ｃｍ2の範囲のエネルギーとを有する低エネルギー
電磁放射線を表すものとして用いられる。この第１のパ
ターンの低エネルギー光放射としては、光がほとんど吸
収されないまま上部導電層９と上部誘電体層１１とを透
過して、光導電層８の最上部分付近で完全に吸収される
ような波長とエネルギーとを有するものが選ばれる。好
ましくは、発光パネル２２Ｆは、オハイオ州ストロング
スヴィルのLumitex, Inc. から入手可能なもののよう
に、光ファイバーを柔軟な束にしたものから織られたパ
ネルとする。パネル２２Ｆは、実質的に均一なパターン
の低エネルギー光線を供給し得、４００〜８００ナノメ
ートルの範囲内の広範な波長を有し、および２０〜１０
００ｅｒｇ／ｃｍ2 、好ましくは約５００ｅｒｇ／ｃｍ
2 の単位面積あてのエネルギーを供給しうるものとす
る。被検者の照射時に、Ｘ線が第１のパネル２２Ｆを透
過しなければならないので、第１のパネル２２Ｆは、低
いＸ線減衰率と均一なＸ線密度との両方を兼ね備えた材
料からなっていることが必要である。Ｘ線密度を均一に
することは、いかなる内部パネル構造もＸ線像に現れな
いようにするために重要である。タングステン・ハロゲ
ン光源が好適である遠隔低エネルギー光放射源２２Ｌ
が、発光パネル２２Ｆの研磨されたファイバー端を介し
て発光パネル２２Ｆと結合されて、発光パネル２２Ｆ内
に低エネルギー光放射を供給する。光ファイバー内に送
出された光は、ファイバーの側部から放出されて、導電
層９と誘電体層１１とを通り抜けた後に、光導電層８上
に達する。織られた光ファイバーの多層体を選択するこ
とによって、低エネルギー光源２２Ｌを、より効果的に
用いることができ、上部導電層９に入射する低エネルギ
ー光線の輝度および均一性が高まる。
【００３７】好適な実施例において、露光手段Ｌはさら
に、基板７の下に配置されて基板７から小距離、たとえ
ば２ミリメートルだけ位置がずれた第２の発光パネル２
２Ｓを具える。この第２のパネル２２Ｓは、第２のパタ
ーンの低エネルギー光線を基板７上に、そして当該基板
を介して光導電層８上に供給するようになっている。好
ましくは、発光パネル２２Ｓは、ペンシルヴァニア州キ
ング・オブ・プルシャのBKL, Inc. から「Aviation Gre
en N3 」という商標で市販されているパネル等のエレク
トロルミネッセンス低エネルギー光放射パネルとする。
このパネル２２Ｓは、エレクトロルミネッセンス材料を
薄いＩＴＯ箔とＡｌ箔との間に挟み込んで構成されてお
り、均一なパターンの低エネルギー光放射を供給するこ
とができ、この低エネルギー光放射は、４００〜８００
ナノメートルの範囲の波長を有するとともに、２０〜１
０００ｅｒｇ／ｃｍ2 、好ましくは約４００ｅｒｇ／ｃ
ｍ2 の単位面積あてのエネルギーを持つ。この第２のパ
ネル２２Ｓにおいて、低エネルギー光放射の源は、発光
パネル２２Ｓへの供給電力に対応してエレクトロルミネ
ッセンス材料から放出されるエネルギーである。発光パ
ネル２２Ｓは、ＩＴＯ被覆面が撮像パネル１０に隣接す
るように配向される。この第２のパターンの低エネルギ
ー光放射としては、光吸収を最小限として、誘電体基板
７と、マイクロプレート２４ｎおよび２６ｎと、集電素
子６ｎと、電荷阻止層２８とを透過して、光導電層８の
最下部分付近で完全に吸収されるような波長とエネルギ
ーとを有するものが選択される。図２に示すように、第
１の発光パネル２２Ｆは、センサ１２ｎの配列体と同一
の広がりを持つ。第２の発光パネル２２Ｓは、破線で示
されており、これもまたセンサ１２ｎの配列体と同一の
広がりを持つ。
に、基板７の下に配置されて基板７から小距離、たとえ
ば２ミリメートルだけ位置がずれた第２の発光パネル２
２Ｓを具える。この第２のパネル２２Ｓは、第２のパタ
ーンの低エネルギー光線を基板７上に、そして当該基板
を介して光導電層８上に供給するようになっている。好
ましくは、発光パネル２２Ｓは、ペンシルヴァニア州キ
ング・オブ・プルシャのBKL, Inc. から「Aviation Gre
en N3 」という商標で市販されているパネル等のエレク
トロルミネッセンス低エネルギー光放射パネルとする。
このパネル２２Ｓは、エレクトロルミネッセンス材料を
薄いＩＴＯ箔とＡｌ箔との間に挟み込んで構成されてお
り、均一なパターンの低エネルギー光放射を供給するこ
とができ、この低エネルギー光放射は、４００〜８００
ナノメートルの範囲の波長を有するとともに、２０〜１
０００ｅｒｇ／ｃｍ2 、好ましくは約４００ｅｒｇ／ｃ
ｍ2 の単位面積あてのエネルギーを持つ。この第２のパ
ネル２２Ｓにおいて、低エネルギー光放射の源は、発光
パネル２２Ｓへの供給電力に対応してエレクトロルミネ
ッセンス材料から放出されるエネルギーである。発光パ
ネル２２Ｓは、ＩＴＯ被覆面が撮像パネル１０に隣接す
るように配向される。この第２のパターンの低エネルギ
ー光放射としては、光吸収を最小限として、誘電体基板
７と、マイクロプレート２４ｎおよび２６ｎと、集電素
子６ｎと、電荷阻止層２８とを透過して、光導電層８の
最下部分付近で完全に吸収されるような波長とエネルギ
ーとを有するものが選択される。図２に示すように、第
１の発光パネル２２Ｆは、センサ１２ｎの配列体と同一
の広がりを持つ。第２の発光パネル２２Ｓは、破線で示
されており、これもまたセンサ１２ｎの配列体と同一の
広がりを持つ。
【００３８】動作時には、画像に従って変調されたパタ
ーンのＸ線が、被検者に近接して位置する撮像パネル１
０に入射する。しかし、均一なパターンのＸ線を被検者
に照射する前に、撮像パネル１０内の残留電荷を最小限
にして、偽像パターン、すなわちゴースト像パターンを
なくす。まず最初に、電源１９Ｐからの動作バイアス電
圧をゼロまで下げ、全ての読取スイッチ・ゲート２１を
作動させて、集電素子６ｎと上部導電層９とを共通のゼ
ロ電位にする。次に、第１の発光パネル２２Ｆを作動さ
せて、光導電層８を第１の均一なパターンの低エネルギ
ー光放射によりフラッシュ露光する。この第１のフラッ
シュ露光は、光導電層８の本体内に残っている残留電荷
と、光導電層８と上部誘電体層１１との間の界面付近に
残っている残留電荷とを部分的に中和しうる十分な電荷
キャリヤを光導電層８内に生成するようなエネルギーに
調節される。低エネルギー発光パネル２２Ｆと結合させ
たタングステン・ハロゲン光源２２Ｌを用いた光放射フ
ラッシュ露光では、２０〜１０００ｅｒｇ／ｃｍ2 の範
囲のエネルギーを１〜３０秒の時間隔にわたって供給す
るのが適当であることがわかった。自由電荷のこの第１
の生成は、光導電層８の本体内に捕捉されたり、光導電
層８とセンサ１２ｎとの間の界面付近に残留したりし
て、局所的に大量に蓄積している電荷を、第２の発光パ
ネル２２Ｓの作動に先立って部分的に除去する役割を果
たす。局所的に大量に蓄積した電荷をまず最初に減少さ
せておかなければ、以下に説明する次の放電工程で、電
気読取手段５ｎのある部分、特にスイッチング・デバイ
ス１４ｎが、電気読取手段５ｎの負荷限度を超える充電
電流密度のサージを受けて、読取手段５ｎが故障しかね
ない。
ーンのＸ線が、被検者に近接して位置する撮像パネル１
０に入射する。しかし、均一なパターンのＸ線を被検者
に照射する前に、撮像パネル１０内の残留電荷を最小限
にして、偽像パターン、すなわちゴースト像パターンを
なくす。まず最初に、電源１９Ｐからの動作バイアス電
圧をゼロまで下げ、全ての読取スイッチ・ゲート２１を
作動させて、集電素子６ｎと上部導電層９とを共通のゼ
ロ電位にする。次に、第１の発光パネル２２Ｆを作動さ
せて、光導電層８を第１の均一なパターンの低エネルギ
ー光放射によりフラッシュ露光する。この第１のフラッ
シュ露光は、光導電層８の本体内に残っている残留電荷
と、光導電層８と上部誘電体層１１との間の界面付近に
残っている残留電荷とを部分的に中和しうる十分な電荷
キャリヤを光導電層８内に生成するようなエネルギーに
調節される。低エネルギー発光パネル２２Ｆと結合させ
たタングステン・ハロゲン光源２２Ｌを用いた光放射フ
ラッシュ露光では、２０〜１０００ｅｒｇ／ｃｍ2 の範
囲のエネルギーを１〜３０秒の時間隔にわたって供給す
るのが適当であることがわかった。自由電荷のこの第１
の生成は、光導電層８の本体内に捕捉されたり、光導電
層８とセンサ１２ｎとの間の界面付近に残留したりし
て、局所的に大量に蓄積している電荷を、第２の発光パ
ネル２２Ｓの作動に先立って部分的に除去する役割を果
たす。局所的に大量に蓄積した電荷をまず最初に減少さ
せておかなければ、以下に説明する次の放電工程で、電
気読取手段５ｎのある部分、特にスイッチング・デバイ
ス１４ｎが、電気読取手段５ｎの負荷限度を超える充電
電流密度のサージを受けて、読取手段５ｎが故障しかね
ない。
【００３９】次に、第２の発光パネル２２Ｓを作動させ
て、光導電層８を第２の均一なパターンの低エネルギー
光放射によりフラッシュ露光する。この第２のフラッシ
ュ露光は、光導電層８の本体内または光導電層８とセン
サ１２ｎとの界面付近のいずれに捕捉されている残留電
荷をも全て効果的に中和すなわち除去しうる十分な個数
の電子−正孔対を光導電層８内に生じさせうるエネルギ
ー出力が得られるように調節される。残留電荷を除去す
ることによって、誘電体層１１を横切って存在する電界
が除去される。前記「Aviation Green N3 」エレクトロ
ルミネッセンス低エネルギー光線パネルを用いた場合
は、光導電層８内に残っているあらゆる残留電荷を完全
に中和するには、１〜３０秒の時間隔にわたって単位面
積あたり２０〜１０００ｅｒｇ／ｃｍ2 の範囲のエネル
ギーが得られる低エネルギー光放射のフラッシュ露光が
適切であることがわかった。第１の均一なパターンの低
エネルギー光放射によって、局所的な残留電荷の量が部
分的に減ったために、誘電体層１１を横切る残留電界の
振幅分布が全体として小さくなって最小限に抑えられて
おり、これらの電荷を次の第２のフラッシュ露光によっ
て除去した時に読取手段５の電流容量を超過してしまう
危険が最小限に抑えられる。
て、光導電層８を第２の均一なパターンの低エネルギー
光放射によりフラッシュ露光する。この第２のフラッシ
ュ露光は、光導電層８の本体内または光導電層８とセン
サ１２ｎとの界面付近のいずれに捕捉されている残留電
荷をも全て効果的に中和すなわち除去しうる十分な個数
の電子−正孔対を光導電層８内に生じさせうるエネルギ
ー出力が得られるように調節される。残留電荷を除去す
ることによって、誘電体層１１を横切って存在する電界
が除去される。前記「Aviation Green N3 」エレクトロ
ルミネッセンス低エネルギー光線パネルを用いた場合
は、光導電層８内に残っているあらゆる残留電荷を完全
に中和するには、１〜３０秒の時間隔にわたって単位面
積あたり２０〜１０００ｅｒｇ／ｃｍ2 の範囲のエネル
ギーが得られる低エネルギー光放射のフラッシュ露光が
適切であることがわかった。第１の均一なパターンの低
エネルギー光放射によって、局所的な残留電荷の量が部
分的に減ったために、誘電体層１１を横切る残留電界の
振幅分布が全体として小さくなって最小限に抑えられて
おり、これらの電荷を次の第２のフラッシュ露光によっ
て除去した時に読取手段５の電流容量を超過してしまう
危険が最小限に抑えられる。
【００４０】図３に、撮像および読取時における撮像パ
ネル１０の動作を示す。各読取線２０ｎは、電荷積分増
幅装置４１ｎとサンプルおよびホールド回路４５ｎとを
具えた読取手段３４に接続される。回路４５ｎの出力を
順次サンプリングして、Ｘ線放射像出力信号を得てもよ
く、これを行なうための技術は、当技術分野においてよ
く知られている。本発明に関わりのない別の電子的な操
作を撮像前または撮像後に行なって、最終的な放射線像
の全体としての品質を向上させることもできる。
ネル１０の動作を示す。各読取線２０ｎは、電荷積分増
幅装置４１ｎとサンプルおよびホールド回路４５ｎとを
具えた読取手段３４に接続される。回路４５ｎの出力を
順次サンプリングして、Ｘ線放射像出力信号を得てもよ
く、これを行なうための技術は、当技術分野においてよ
く知られている。本発明に関わりのない別の電子的な操
作を撮像前または撮像後に行なって、最終的な放射線像
の全体としての品質を向上させることもできる。
【００４１】被検者が均一なパターンのＸ線により照射
され、これによって撮像パネル１０に入射する、画像に
従って変調されたＸ線パターンが生じる。このパターン
によって、これに対応する画像に従って変調された電荷
パターンが検知素子１６ｎの配列体内に生じる。Ｘ線露
光が終わると、マイクロプロセッサ制御装置３８が多重
化装置３２に、被検者のＸ線吸収パターンに対応した電
荷値パターンを読み取らせる。
され、これによって撮像パネル１０に入射する、画像に
従って変調されたＸ線パターンが生じる。このパターン
によって、これに対応する画像に従って変調された電荷
パターンが検知素子１６ｎの配列体内に生じる。Ｘ線露
光が終わると、マイクロプロセッサ制御装置３８が多重
化装置３２に、被検者のＸ線吸収パターンに対応した電
荷値パターンを読み取らせる。
【００４２】読取信号が復元された後に、ここに開示さ
れているように、それぞれ第１および第２の露光装置２
２Ｆおよび２２Ｓを使用して、光導電層８の表面２付近
に残っている残留電荷の振幅分布を小さくし、次に層８
の表面３付近に保持されている全ての残留電荷を完全に
除去するという順序で、パネル１０のあらゆる残留電荷
が除去される。この残留電荷削減段階を適宜繰り返し
て、最終的に、捕捉されている全ての電荷を除去し、次
の撮像工程のために撮像パネル１０の準備を整えてもよ
い。
れているように、それぞれ第１および第２の露光装置２
２Ｆおよび２２Ｓを使用して、光導電層８の表面２付近
に残っている残留電荷の振幅分布を小さくし、次に層８
の表面３付近に保持されている全ての残留電荷を完全に
除去するという順序で、パネル１０のあらゆる残留電荷
が除去される。この残留電荷削減段階を適宜繰り返し
て、最終的に、捕捉されている全ての電荷を除去し、次
の撮像工程のために撮像パネル１０の準備を整えてもよ
い。
【００４３】本発明において、単一の発光パネル、たと
えば第２の発光パネル２２Ｆから第１および第２のパタ
ーンの両光放射を供給してもよい。しかし、好適な実施
例では、第１の発光パネル２２Ｆが第２の発光パネル２
２Ｓと協働するように組み合わされており、読取手段５
の電流容量を超過することなく、全ての残留電荷が除去
される。第１のパネル２２Ｆは、あらゆる残留捕捉電荷
の全体的な強さを低下させるために用いられ、一方、第
２のパネル２２Ｓは、全ての残留電荷を完全に除去する
役割を果たす。
えば第２の発光パネル２２Ｆから第１および第２のパタ
ーンの両光放射を供給してもよい。しかし、好適な実施
例では、第１の発光パネル２２Ｆが第２の発光パネル２
２Ｓと協働するように組み合わされており、読取手段５
の電流容量を超過することなく、全ての残留電荷が除去
される。第１のパネル２２Ｆは、あらゆる残留捕捉電荷
の全体的な強さを低下させるために用いられ、一方、第
２のパネル２２Ｓは、全ての残留電荷を完全に除去する
役割を果たす。
【００４４】図４の（ａ）に、局所的な捕捉電荷の強さ
を低下させてから全ての捕捉電荷を除去するという、こ
の組合せの簡単な電気的説明図を示す。光導電層８内に
残っているあらゆる残留電荷を中和するための好適な工
程には、２つの低エネルギー光源２２Ｆおよび２２Ｓが
用いられる。読取手段５と上部導電層９とを大地に短絡
させ、電源１９Ｐからの動作バイアス電圧をゼロまで下
げても、放射によって生じた電子−正孔対の「少数キャ
リヤ」の電荷輸送範囲が限られているために、不均等な
分布の電荷が光導電層８内に「捕捉」されたままになり
うる。これらの電荷は、光導電層８の本体内だけでなく
誘電体層１１との界面付近にも捕捉されており、近くの
接地された層内に逆極性の電荷を誘引する。このため、
誘電体層１１と放射線感応性光導電層８とは、センサ１
２ｎの各々に対して、ＣｄおよびＣｒｓとして示す２つ
の直列コンデンサを構成する。図４の（ａ）において、
誘電体層１１の下面は、符号１で示されており、これと
並置される光導電層８の面は、符号２で示されている。
光導電層８が、Ｐ型セレンのように、正に帯電した孔を
「多数キャリヤ」として有するときは、画像に従って変
調された入射光線パターンによって層８内に生成される
少数電荷キャリヤは、層８の本体内において、限られた
電荷輸送範囲と、それに対応するより短い範囲とを有す
ることになる。その結果、前記開示のものと同様の第１
の放射線露光および読取工程が終わると、「−」電荷と
して示される光導電層８内の残留捕捉電荷は、一般に、
撮像パネル１０全体にわたって不均等に分布することに
なる。
を低下させてから全ての捕捉電荷を除去するという、こ
の組合せの簡単な電気的説明図を示す。光導電層８内に
残っているあらゆる残留電荷を中和するための好適な工
程には、２つの低エネルギー光源２２Ｆおよび２２Ｓが
用いられる。読取手段５と上部導電層９とを大地に短絡
させ、電源１９Ｐからの動作バイアス電圧をゼロまで下
げても、放射によって生じた電子−正孔対の「少数キャ
リヤ」の電荷輸送範囲が限られているために、不均等な
分布の電荷が光導電層８内に「捕捉」されたままになり
うる。これらの電荷は、光導電層８の本体内だけでなく
誘電体層１１との界面付近にも捕捉されており、近くの
接地された層内に逆極性の電荷を誘引する。このため、
誘電体層１１と放射線感応性光導電層８とは、センサ１
２ｎの各々に対して、ＣｄおよびＣｒｓとして示す２つ
の直列コンデンサを構成する。図４の（ａ）において、
誘電体層１１の下面は、符号１で示されており、これと
並置される光導電層８の面は、符号２で示されている。
光導電層８が、Ｐ型セレンのように、正に帯電した孔を
「多数キャリヤ」として有するときは、画像に従って変
調された入射光線パターンによって層８内に生成される
少数電荷キャリヤは、層８の本体内において、限られた
電荷輸送範囲と、それに対応するより短い範囲とを有す
ることになる。その結果、前記開示のものと同様の第１
の放射線露光および読取工程が終わると、「−」電荷と
して示される光導電層８内の残留捕捉電荷は、一般に、
撮像パネル１０全体にわたって不均等に分布することに
なる。
【００４５】図４の（ｂ）に、本発明の例示である簡単
な電気等価回路が示されており、ここで、図４の（ｂ）
にＦＲで示されている第１のフラッシュ露光は、上部誘
電体層１１を透過して光導電層８に入射する。前述した
ように、この第１のフラッシュ露光は、光導電層８の表
面付近で大部分吸収されるが、光導電層８内に十分な電
子−正孔対を生成するようなエネルギーに調節されてお
り、この電子−正孔対が残留捕捉電荷と組み合わさっ
て、主として光導電層８の表面２付近に保持されている
いかなる電荷も部分的に除去される。少数電荷キャリヤ
の電荷輸送範囲が限られているために、限られた個数の
残留捕捉電荷しか除去されないことになる。しかし、残
留捕捉電荷の個数を部分的に減少させることにより、第
１のフラッシュ露光は、パネル１０内のセンサ１２ｎ全
体にわたって、Ｃｄの残留電界の最大振幅を全体として
小さくするという効果をもたらす。
な電気等価回路が示されており、ここで、図４の（ｂ）
にＦＲで示されている第１のフラッシュ露光は、上部誘
電体層１１を透過して光導電層８に入射する。前述した
ように、この第１のフラッシュ露光は、光導電層８の表
面付近で大部分吸収されるが、光導電層８内に十分な電
子−正孔対を生成するようなエネルギーに調節されてお
り、この電子−正孔対が残留捕捉電荷と組み合わさっ
て、主として光導電層８の表面２付近に保持されている
いかなる電荷も部分的に除去される。少数電荷キャリヤ
の電荷輸送範囲が限られているために、限られた個数の
残留捕捉電荷しか除去されないことになる。しかし、残
留捕捉電荷の個数を部分的に減少させることにより、第
１のフラッシュ露光は、パネル１０内のセンサ１２ｎ全
体にわたって、Ｃｄの残留電界の最大振幅を全体として
小さくするという効果をもたらす。
【００４６】図４の（ｃ）に、本発明の例示である簡単
な電気等価回路が示されており、ここで、図４の（ｃ）
にＳＲで示されている第２のフラッシュ露光は、誘電体
基板７を透過して複数個のセンサ１２ｎ全体に入射す
る。前述したように、この第２のフラッシュ露光は、光
導電層８の表面付近で大部分吸収されるが、光導電層８
内に十分な電子−正孔対を生成するようなエネルギーに
調節されており、この電子−正孔対が残留捕捉電荷と組
み合わさって、パネル１０内に保持されている全ての残
留電荷が完全に除去される。第２のフラッシュ露光ＳＲ
は、毎秒２０〜８００ｅｒｇ／ｃｍ2 の範囲の照射線量
率で第２のパターンを照射することによって行ってもよ
い。好ましくは、第２のフラッシュ露光の放射線量率
は、入射光線が毎秒２０〜８００ｅｒｇ／ｃｍ2 で増加
する線量率で放射されて、電子−正孔対の発生数を徐々
に増やしながら残留電荷を除去しうるように時間調節さ
れることとする。まず光導電層８の表面２付近に残って
いる残留電荷の振幅分布を小さくしておき、次に上部導
電層９付近に保持されている全ての残留電荷を除去する
という、この工程は、パネル１０から読取手段５ｎを介
して放電される残留電荷に由来する電界の振幅を小さく
することができるため、パネル１０内の読取手段５ｎを
保護する上で有効である。
な電気等価回路が示されており、ここで、図４の（ｃ）
にＳＲで示されている第２のフラッシュ露光は、誘電体
基板７を透過して複数個のセンサ１２ｎ全体に入射す
る。前述したように、この第２のフラッシュ露光は、光
導電層８の表面付近で大部分吸収されるが、光導電層８
内に十分な電子−正孔対を生成するようなエネルギーに
調節されており、この電子−正孔対が残留捕捉電荷と組
み合わさって、パネル１０内に保持されている全ての残
留電荷が完全に除去される。第２のフラッシュ露光ＳＲ
は、毎秒２０〜８００ｅｒｇ／ｃｍ2 の範囲の照射線量
率で第２のパターンを照射することによって行ってもよ
い。好ましくは、第２のフラッシュ露光の放射線量率
は、入射光線が毎秒２０〜８００ｅｒｇ／ｃｍ2 で増加
する線量率で放射されて、電子−正孔対の発生数を徐々
に増やしながら残留電荷を除去しうるように時間調節さ
れることとする。まず光導電層８の表面２付近に残って
いる残留電荷の振幅分布を小さくしておき、次に上部導
電層９付近に保持されている全ての残留電荷を除去する
という、この工程は、パネル１０から読取手段５ｎを介
して放電される残留電荷に由来する電界の振幅を小さく
することができるため、パネル１０内の読取手段５ｎを
保護する上で有効である。
【００４７】別の実施例において、負に帯電した電子を
「多数キャリヤ」として有するセレン化カドミウム等の
Ｎ型放射線感応材料を用いることができる。この場合、
光導電層８内に創出され、限られた電荷輸送範囲を有す
る少数キャリヤは、正に帯電する。前述した方法もま
た、パネル１０内の読取手段５ｎを保護する上で有効で
あるが、上部導電層９に印加される動作バイアス電圧は
逆になる。
「多数キャリヤ」として有するセレン化カドミウム等の
Ｎ型放射線感応材料を用いることができる。この場合、
光導電層８内に創出され、限られた電荷輸送範囲を有す
る少数キャリヤは、正に帯電する。前述した方法もま
た、パネル１０内の読取手段５ｎを保護する上で有効で
あるが、上部導電層９に印加される動作バイアス電圧は
逆になる。
【００４８】
【発明の効果】本発明によれば、第１の実質的に均一な
パターンの光放射により放射線感応層を露光して撮像パ
ネル内に捕捉されている残留電荷を部分的に中和し、次
いで第２の実質的に均一なパターンの光放射により放射
線感応層を露光して、撮像パネル内に捕捉されている残
留電荷を実質的に全て中和することによって、撮像パネ
ル内の残留電荷を除去することができる。
パターンの光放射により放射線感応層を露光して撮像パ
ネル内に捕捉されている残留電荷を部分的に中和し、次
いで第２の実質的に均一なパターンの光放射により放射
線感応層を露光して、撮像パネル内に捕捉されている残
留電荷を実質的に全て中和することによって、撮像パネ
ル内の残留電荷を除去することができる。
【図１】本発明を例示するＸ線撮像素子の断面略図であ
る。
る。
【図２】図１に示したＸ線撮像素子の平面略図である。
【図３】図１に示したＸ線撮像素子の別な平面略図であ
る。
る。
【図４】本発明の方法を（ａ），（ｂ）および（ｃ）に
分けて例示する略図である。
分けて例示する略図である。
１ 誘電層１１の下面 ２ 光導電層８の並置面 ３ 光導電層８の反対側表面 ５ｎ 読取手段 ６ｎ 導電性集電素子 ７ 誘電体基板 ８ 光導電層 ９ 最上部誘電体層 １０ 撮像パネル １１ 上部誘電体層 １２ｎ 放射線感応センサ １３ 水素化非晶質珪素 １４ｎ スイッチング・デバイス １５ 容量性誘電材料 １６ｎ 検知素子 １８ｎ スイッチング線 １９ 電源線 １９ｐ 電源 ２０ｎ 読取線 ２１ 導電ゲート ２２Ｆ 第１の発光パネル ２２Ｓ 第２の発光パネル ２２Ｌ 低エネルギー光放射源 ２３，２５ 導電性電極 ２４ｎ，２６ｎ 導電性マイクロプレート ２８ 電荷阻止層 ３２ 多重化装置 ３４ 読取手段 ３８ マイクロプロセッサ制御装置 ４１ｎ 電荷積分増幅装置 ４５ｎ サンプルおよびホールド回路 ９８ パッシベーション層 ９９ 絶縁層 Ｌ 露光手段
フロントページの続き (72)発明者 ローレンス カイ−フン シェン アメリカ合衆国 19312 ペンシルヴァニ ア州 バーウィン グリーン ヒル サー クル 1520
Claims (5)
- 【請求項１】 上面と下面とを有する誘電材料の基板層
と、前記基板層の前記上面に隣接して配列されるととも
に、各々がスイッチング・デバイスと検知素子とを有す
る複数個のセンサと、前記センサの上に配置された下面
および自身の前記下面の反対側に位置する上面を有する
放射線感応層とを含む撮像パネルにおいて、前記基板層
の前記下面に隣接して配置されて、実質的に均一なパタ
ーンの光放射を前記基板層の上に供給する発光パネルを
具え、前記基板層と各検知素子が、前記パネルからの光
放射に対して実質的に透明な光学密度を有し、それによ
って前記光放射が前記基板層と前記検知素子とを通過し
て、前記放射線感応層の前記下面に達するようにしたこ
とを特徴とする撮像パネル。 - 【請求項２】 前記発光パネルは、第２の発光パネルを
具え、前記パターンの光放射は、第２のパターンの光放
射を具え、前記放射線感応層の前記上面に隣接して配置
されて、第１の実質的に均一なパターンの光放射を前記
放射線感応層の上に供給する第１の発光パネルをさらに
具えたことを特徴とする請求項１に記載の撮像パネル。 - 【請求項３】 前記基板層の前記上面に隣接して設けら
れて、前記スイッチング・デバイスの各々に個別に電子
的にアクセスする手段をさらに具えたことを特徴とする
請求項１または２に記載の撮像パネル。 - 【請求項４】 上面と下面とを有する誘電材料の基板層
と、前記基板層の前記上面に隣接して配列された複数個
のセンサと、前記センサの上に配置された下面および自
身の前記下面の反対側に位置する上面を有する放射線感
応層とを含む撮像パネル内の残留電荷を除去する方法に
おいて、 前記放射線感応層を第１の実質的に均一なパターンの光
放射により露光して、前記撮像パネル内に捕捉されてい
る残留電荷を部分的に除去する第１の露光ステップと、 前記放射線感応層を第２の実質的に均一なパターンの十
分な光放射により露光して、前記撮像パネル内に捕捉さ
れている実質的に全ての残留電荷を中和する第２の露光
ステップとを具えたことを特徴とする撮像パネル内の残
留電荷を除去する方法。 - 【請求項５】 前記第１の露光ステップは、第１の発光
パネルを前記放射線感応層の前記上面に隣接して配置す
ることにより実行し、前記第２の露光ステップは、第２
の発光パネルを前記基板層の前記下面に隣接して配置す
ることにより実行することを特徴とする請求項４に記載
の方法。
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|---|---|---|---|
| US08/475,449 US5563421A (en) | 1995-06-07 | 1995-06-07 | Apparatus and method for eliminating residual charges in an image capture panel |
| US475449 | 1995-06-07 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH099153A true JPH099153A (ja) | 1997-01-10 |
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|---|---|---|---|
| JP8145515A Pending JPH099153A (ja) | 1995-06-07 | 1996-06-07 | 撮像パネルおよびその残留電荷を除去する方法 |
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|---|---|
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| AT (1) | ATE285123T1 (ja) |
| DE (1) | DE69634025T2 (ja) |
Cited By (17)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100394461B1 (ko) * | 2001-02-14 | 2003-08-09 | 주식회사 디알텍 | 디지털 ｘ선 촬영 패널 |
| JP2004228448A (ja) * | 2003-01-24 | 2004-08-12 | Sharp Corp | アクティブマトリクス基板および電磁波検出器 |
| US6995375B2 (en) | 2002-08-30 | 2006-02-07 | Shimadzu Corporation | Split-electrode radiation detector free of sensibility variations and after-outputs |
| JP2006074037A (ja) * | 2004-08-31 | 2006-03-16 | Xerox Corp | センサから電荷を駆逐するイメージングシステム及び方法 |
| WO2007096968A1 (ja) | 2006-02-23 | 2007-08-30 | Shimadzu Corporation | 放射線撮像装置および放射線検出信号処理方法 |
| WO2007096937A1 (ja) | 2006-02-20 | 2007-08-30 | Shimadzu Corporation | 放射線撮像装置および放射線検出信号処理方法 |
| JP2008070253A (ja) * | 2006-09-14 | 2008-03-27 | Shimadzu Corp | 電磁波検出器およびこれを用いた放射線撮影装置 |
| JP2009011526A (ja) * | 2007-07-04 | 2009-01-22 | Shimadzu Corp | Ｘ線診断装置 |
| EP2110254A1 (en) | 2008-03-28 | 2009-10-21 | Fujifilm Corporation | Liquid coating method, liquid coating device, and method of manufacturing radiation detector |
| US7786446B2 (en) | 2007-07-27 | 2010-08-31 | Fujifilm Corporation | Radiation detector |
| US7787590B2 (en) | 2005-11-14 | 2010-08-31 | Shimadzu Corporation | Radiographic apparatus and radiation detection signal processing method |
| US7810997B2 (en) | 2005-08-31 | 2010-10-12 | Shimadzu Corporation | Radiographic apparatus and radiation detection signal processing method |
| US8044360B2 (en) | 2009-03-12 | 2011-10-25 | Fujifilm Corporation | Radiation detector |
| US8071980B2 (en) | 2007-03-30 | 2011-12-06 | Fujifilm Corporation | Radiation detector |
| WO2012056996A1 (ja) * | 2010-10-27 | 2012-05-03 | 富士フイルム株式会社 | 放射線撮影装置 |
| WO2012137425A1 (ja) * | 2011-04-04 | 2012-10-11 | 株式会社島津製作所 | Ｘ線検出器 |
| JP2017506326A (ja) * | 2014-02-20 | 2017-03-02 | エックスカウンター アーベー | 放射線検出器、および放射線検出器内の捕捉電荷担体の量を低減する方法 |
Families Citing this family (42)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0791230B1 (en) * | 1995-09-12 | 2008-08-13 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | X-ray image sensor |
| US5981931A (en) * | 1996-03-15 | 1999-11-09 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Image pick-up device and radiation imaging apparatus using the device |
| GB9702202D0 (en) | 1997-02-04 | 1997-03-26 | Osteometer Meditech As | Diagnosis of arthritic conditions |
| CA2200532C (en) * | 1997-03-20 | 2002-02-26 | Benoit Adam | X-ray image erasure method |
| US5895936A (en) * | 1997-07-09 | 1999-04-20 | Direct Radiography Co. | Image capture device using a secondary electrode |
| US5969360A (en) * | 1997-11-26 | 1999-10-19 | Direct Radiography Corp. | Readout sequence for residual image elimination in a radiation detection panel |
| US6025599A (en) * | 1997-12-09 | 2000-02-15 | Direct Radiography Corp. | Image capture element |
| IL123006A (en) | 1998-01-20 | 2005-12-18 | Edge Medical Devices Ltd | X-ray imaging system |
| JP3545247B2 (ja) * | 1998-04-27 | 2004-07-21 | シャープ株式会社 | 二次元画像検出器 |
| US6194727B1 (en) | 1998-07-06 | 2001-02-27 | Direct Radiography Corp. | Direct radiographic imaging panel having a dielectric layer with an adjusted time constant |
| US6627895B2 (en) * | 1998-08-28 | 2003-09-30 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Radiation image detecting system |
| IL126018A0 (en) | 1998-09-01 | 1999-05-09 | Edge Medical Devices Ltd | X-ray imaging system |
| US6075248A (en) * | 1998-10-22 | 2000-06-13 | Direct Radiography Corp. | Direct radiographic imaging panel with shielding electrode |
| JP2002530171A (ja) | 1998-11-20 | 2002-09-17 | ディレクト レディオグラフィ コーポレーション | インタラクティブなデジタル放射線撮像システム |
| DE69913475T2 (de) * | 1999-01-05 | 2004-10-14 | Direct Radiography Corp., Newark | Auslesesequenz zum Entfernen eines Restbildes aus einer Strahlungsdetektorplatte |
| EP1018768A1 (en) | 1999-01-05 | 2000-07-12 | Direct Radiography Corp. | Image capture element |
| US6326625B1 (en) | 1999-01-20 | 2001-12-04 | Edge Medical Devices Ltd. | X-ray imaging system |
| US6178225B1 (en) | 1999-06-04 | 2001-01-23 | Edge Medical Devices Ltd. | System and method for management of X-ray imaging facilities |
| US6281507B1 (en) | 1999-06-30 | 2001-08-28 | Siemens Medical Systems, Inc. | Interdigital photoconductor structure for direct X-ray detection in a radiography imaging system |
| US6354737B1 (en) | 1999-11-12 | 2002-03-12 | Direct Radiography Corp. | Digital image orientation marker |
| DE10132924A1 (de) * | 2001-07-06 | 2003-01-16 | Philips Corp Intellectual Pty | Flacher dynamischer Strahlungsdetektor |
| US6621887B2 (en) | 2001-10-15 | 2003-09-16 | General Electric Company | Method and apparatus for processing a fluoroscopic image |
| US6895077B2 (en) * | 2001-11-21 | 2005-05-17 | University Of Massachusetts Medical Center | System and method for x-ray fluoroscopic imaging |
| KR100886972B1 (ko) * | 2002-08-01 | 2009-03-04 | 하이디스 테크놀로지 주식회사 | 엑스레이 영상 감지소자 및 그 제조방법 |
| US20040195513A1 (en) * | 2003-04-01 | 2004-10-07 | George Zentai | Densifying deposited films on an integrated circuit |
| US6920198B2 (en) * | 2003-05-02 | 2005-07-19 | Ge Medical Systems Global Technology Company, Llc | Methods and apparatus for processing a fluoroscopic image |
| DE602004000379T2 (de) * | 2003-06-18 | 2006-10-19 | Canon K.K. | Vorrichtung und Verfahren für Röntgenaufnahmen |
| US6928144B2 (en) * | 2003-08-01 | 2005-08-09 | General Electric Company | Guard ring for direct photo-to-electron conversion detector array |
| US7151006B2 (en) * | 2003-11-04 | 2006-12-19 | Varian Medical Systems Technologies, Inc. | Process to reduce the dark current in semiconducting films |
| US7795592B2 (en) * | 2005-11-21 | 2010-09-14 | Fujifilm Corporation | Image detector and manufacturing method of the same |
| JP2008196032A (ja) * | 2007-02-15 | 2008-08-28 | Fujifilm Corp | 蒸着材料蒸発装置 |
| US20100116996A1 (en) * | 2007-04-23 | 2010-05-13 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Detector with a partially transparent scintillator substrate |
| JP5185013B2 (ja) * | 2008-01-29 | 2013-04-17 | 富士フイルム株式会社 | 電磁波検出素子 |
| US8324582B2 (en) * | 2009-07-16 | 2012-12-04 | Lee Denny L | Direct conversion X-ray imaging device with strip electrodes |
| EP2617188A4 (en) | 2010-09-13 | 2017-09-13 | Thunder Bay Regional Health Research Institute | Systems and methods for resetting photoconductive x-ray imaging detectors |
| DE102012202200B3 (de) * | 2012-02-14 | 2013-04-11 | Siemens Aktiengesellschaft | Röntgenstrahlungsdetektor und Verfahren zum Messen von Röntgenstrahlung |
| DE102012213411B4 (de) | 2012-07-31 | 2018-11-29 | Siemens Healthcare Gmbh | Verfahren zur Detektion von Röntgenstrahlung |
| JP6388608B2 (ja) * | 2013-03-01 | 2018-09-12 | コーニンクレッカ フィリップス エヌ ヴェＫｏｎｉｎｋｌｉｊｋｅ Ｐｈｉｌｉｐｓ Ｎ．Ｖ． | 検出器、検出方法、投影データ生成システム、投影データ生成方法及びコンピュータプログラム |
| KR20150027636A (ko) * | 2013-09-04 | 2015-03-12 | 삼성전자주식회사 | 잔류 전하 제거 방법, 이 방법을 이용한 엑스선 영상 촬영 방법 및 장치 |
| KR20160017488A (ko) * | 2014-08-06 | 2016-02-16 | 삼성전자주식회사 | 방사선 검출기 및 그 동작방법 |
| US11056527B2 (en) * | 2016-05-04 | 2021-07-06 | General Electric Company | Metal oxide interface passivation for photon counting devices |
| US11504079B2 (en) | 2016-11-30 | 2022-11-22 | The Research Foundation For The State University Of New York | Hybrid active matrix flat panel detector system and method |
Family Cites Families (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01253679A (ja) * | 1988-04-01 | 1989-10-09 | Hitachi Ltd | 放射線撮像素子 |
| US5262649A (en) * | 1989-09-06 | 1993-11-16 | The Regents Of The University Of Michigan | Thin-film, flat panel, pixelated detector array for real-time digital imaging and dosimetry of ionizing radiation |
| DE69116770T2 (de) * | 1990-08-30 | 1996-07-04 | Shimadzu Corp | Strahlungsdetektor |
| US5127038A (en) * | 1991-06-28 | 1992-06-30 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Method for capturing and displaying a latent radiographic image |
| US5168160A (en) * | 1991-06-28 | 1992-12-01 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Method and apparatus for acquiring an electrical signal representing a radiographic image |
| US5166524A (en) * | 1991-06-28 | 1992-11-24 | E. I. Du Pont De Nemours & Company | Element, device and associated method for capturing a latent radiographic image |
| US5254480A (en) * | 1992-02-20 | 1993-10-19 | Minnesota Mining And Manufacturing Company | Process for producing a large area solid state radiation detector |
| US5313066A (en) * | 1992-05-20 | 1994-05-17 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Electronic method and apparatus for acquiring an X-ray image |
| US5331179A (en) * | 1993-04-07 | 1994-07-19 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Method and apparatus for acquiring an X-ray image using a thin film transistor array |
| US5319206A (en) * | 1992-12-16 | 1994-06-07 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Method and apparatus for acquiring an X-ray image using a solid state device |
-
1995
- 1995-06-07 US US08/475,449 patent/US5563421A/en not_active Expired - Lifetime
-
1996
- 1996-05-17 EP EP96107889A patent/EP0747970B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1996-05-17 AT AT96107889T patent/ATE285123T1/de not_active IP Right Cessation
- 1996-05-17 DE DE69634025T patent/DE69634025T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1996-06-07 JP JP8145515A patent/JPH099153A/ja active Pending
Cited By (21)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100394461B1 (ko) * | 2001-02-14 | 2003-08-09 | 주식회사 디알텍 | 디지털 ｘ선 촬영 패널 |
| US6995375B2 (en) | 2002-08-30 | 2006-02-07 | Shimadzu Corporation | Split-electrode radiation detector free of sensibility variations and after-outputs |
| US7034312B2 (en) | 2002-08-30 | 2006-04-25 | Shimadzu Corporation | Radiation detector |
| JP2004228448A (ja) * | 2003-01-24 | 2004-08-12 | Sharp Corp | アクティブマトリクス基板および電磁波検出器 |
| JP2006074037A (ja) * | 2004-08-31 | 2006-03-16 | Xerox Corp | センサから電荷を駆逐するイメージングシステム及び方法 |
| US7810997B2 (en) | 2005-08-31 | 2010-10-12 | Shimadzu Corporation | Radiographic apparatus and radiation detection signal processing method |
| US7787590B2 (en) | 2005-11-14 | 2010-08-31 | Shimadzu Corporation | Radiographic apparatus and radiation detection signal processing method |
| US7760856B2 (en) | 2006-02-20 | 2010-07-20 | Shimadzu Corporation | Radiographic apparatus and radiation detection signal processing method |
| WO2007096937A1 (ja) | 2006-02-20 | 2007-08-30 | Shimadzu Corporation | 放射線撮像装置および放射線検出信号処理方法 |
| WO2007096968A1 (ja) | 2006-02-23 | 2007-08-30 | Shimadzu Corporation | 放射線撮像装置および放射線検出信号処理方法 |
| US7787592B2 (en) | 2006-02-23 | 2010-08-31 | Shimadzu Corporation | Radiographic apparatus and radiation detection signal processing method |
| JP2008070253A (ja) * | 2006-09-14 | 2008-03-27 | Shimadzu Corp | 電磁波検出器およびこれを用いた放射線撮影装置 |
| US8071980B2 (en) | 2007-03-30 | 2011-12-06 | Fujifilm Corporation | Radiation detector |
| JP2009011526A (ja) * | 2007-07-04 | 2009-01-22 | Shimadzu Corp | Ｘ線診断装置 |
| US7786446B2 (en) | 2007-07-27 | 2010-08-31 | Fujifilm Corporation | Radiation detector |
| EP2110254A1 (en) | 2008-03-28 | 2009-10-21 | Fujifilm Corporation | Liquid coating method, liquid coating device, and method of manufacturing radiation detector |
| US8133536B2 (en) | 2008-03-28 | 2012-03-13 | Fujifilm Corporation | Liquid coating method, liquid coating device, and method of manufacturing radiation detector |
| US8044360B2 (en) | 2009-03-12 | 2011-10-25 | Fujifilm Corporation | Radiation detector |
| WO2012056996A1 (ja) * | 2010-10-27 | 2012-05-03 | 富士フイルム株式会社 | 放射線撮影装置 |
| WO2012137425A1 (ja) * | 2011-04-04 | 2012-10-11 | 株式会社島津製作所 | Ｘ線検出器 |
| JP2017506326A (ja) * | 2014-02-20 | 2017-03-02 | エックスカウンター アーベー | 放射線検出器、および放射線検出器内の捕捉電荷担体の量を低減する方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US5563421A (en) | 1996-10-08 |
| EP0747970B1 (en) | 2004-12-15 |
| EP0747970A2 (en) | 1996-12-11 |
| DE69634025D1 (de) | 2005-01-20 |
| EP0747970A3 (en) | 1998-09-02 |
| ATE285123T1 (de) | 2005-01-15 |
| DE69634025T2 (de) | 2005-12-08 |
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| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20060630 |
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| A02 | Decision of refusal |
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