JPH0992599A - Ｘ線露光用マスクの作製方法及び該ｘ線露光用マスクを用いたｘ線露光方法、及びｘ線露光装置、及びこれ等を用いた半導体ディバイスの製造方法及びそれで作られた半導体ディバイス - Google Patents
Ｘ線露光用マスクの作製方法及び該ｘ線露光用マスクを用いたｘ線露光方法、及びｘ線露光装置、及びこれ等を用いた半導体ディバイスの製造方法及びそれで作られた半導体ディバイスInfo
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- ray
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- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 任意の位置や大きさに位相シフト材を容易に
作製することができるＸ線露光用マスクを提供し、高精
度の半導体デバイスの製造方法を提供すること。 【解決手段】 電子ビーム描画時に露光量を複数の値に
設定して描画し、現像・メッキの工程または現像・エッ
チング工程またはその両方の工程によってパターンを形
成しＸ線露光用マスクを作製する。
作製することができるＸ線露光用マスクを提供し、高精
度の半導体デバイスの製造方法を提供すること。 【解決手段】 電子ビーム描画時に露光量を複数の値に
設定して描画し、現像・メッキの工程または現像・エッ
チング工程またはその両方の工程によってパターンを形
成しＸ線露光用マスクを作製する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、Ｘ線露光に用いる
マスクの製造方法およびそれを用いて作製される半導体
デバイスに関するものである。
マスクの製造方法およびそれを用いて作製される半導体
デバイスに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、半導体集積回路の微細化にともな
いＸ線を用いて被転写物体にＸ線マスクを近接して所望
のパターンを転写する方法が提案されている。この方法
では、Ｘ線マスク上のパターンがウェハ上に転写される
が、回折によって転写パターンの解像性が劣化する。Ｘ
線の波長は小さくその変化は大きくないので、その劣化
量を考慮してＸ線マスクのパターンを決定しておけば所
望のパターンを転写できる。ところが、さらに微細なパ
ターンを転写するときは、Ｘ線マスクのパターン寸法を
変化させておくだけでは、転写パターンの劣化に対応で
きなくなる。
いＸ線を用いて被転写物体にＸ線マスクを近接して所望
のパターンを転写する方法が提案されている。この方法
では、Ｘ線マスク上のパターンがウェハ上に転写される
が、回折によって転写パターンの解像性が劣化する。Ｘ
線の波長は小さくその変化は大きくないので、その劣化
量を考慮してＸ線マスクのパターンを決定しておけば所
望のパターンを転写できる。ところが、さらに微細なパ
ターンを転写するときは、Ｘ線マスクのパターン寸法を
変化させておくだけでは、転写パターンの劣化に対応で
きなくなる。
【０００３】そこでＸ線マスクのパターンの断面形状を
変化させ、パターンの端部のＸ線の位相をシフトさせる
ことによって解像性の劣化を小さくしようとする方法が
提案されている。この位相をシフトさせるマスクを位相
シフト型マスクと呼ぶが、このマスクにはパターンの端
部の吸収材の厚さを変化させたり、パターン端部に位相
をシフトさせる材料を付着させる方法がある。
変化させ、パターンの端部のＸ線の位相をシフトさせる
ことによって解像性の劣化を小さくしようとする方法が
提案されている。この位相をシフトさせるマスクを位相
シフト型マスクと呼ぶが、このマスクにはパターンの端
部の吸収材の厚さを変化させたり、パターン端部に位相
をシフトさせる材料を付着させる方法がある。
【０００４】以下これらの２種の位相シフト型マスクの
従来の作成方法を説明する。特開平５−３１４６には、
パターン端部にＸ線吸収材と異なる材質からなる位相シ
フタ材料をもつＸ線マスクの作成方法が示されている。
従来の作成方法を説明する。特開平５−３１４６には、
パターン端部にＸ線吸収材と異なる材質からなる位相シ
フタ材料をもつＸ線マスクの作成方法が示されている。
【０００５】従来例によれば図１０−１に示すように、
Ｘ線透過基板１上にＸ線吸収材からなるパターン７を作
成した後、図１０−２のようにパターン７の全表面に化
学気相成長法により吸収体と異なる屈折率をもつ位相シ
フト層１１を作製し、図１０−３に示す様に異方性エッ
チングを行うことで、パターン７の側壁だけのこして位
相シフト層１１を除去し、所望の形状のＸ線マスクを完
成させることができる。
Ｘ線透過基板１上にＸ線吸収材からなるパターン７を作
成した後、図１０−２のようにパターン７の全表面に化
学気相成長法により吸収体と異なる屈折率をもつ位相シ
フト層１１を作製し、図１０−３に示す様に異方性エッ
チングを行うことで、パターン７の側壁だけのこして位
相シフト層１１を除去し、所望の形状のＸ線マスクを完
成させることができる。
【０００６】さらに、特開平５−１３３１０には、Ｘ線
吸収材の厚さが異なるＸ線マスクの作製方法が記載され
ている。それによると、図１１−１に示すようにまずＳ
ｉ基板１４上にＸ線透過膜ＳｉＮとなる層１を、裏面に
Ｓｉ基板エッチングマスク層１５を形成する。Ｘ線透過
膜層１、ＳｉＮ上にＸ線吸収材層であるＴａ層７を、そ
の上にエッチングマスク層となるＳｉＯ2 層１３を、そ
の上に感光層であるレジスト層３を作成したうえで、完
成後の吸収材の薄い部分と厚い部分を合わせたパターン
寸法Ｌ１に対応した形にレジスト層３を露光・現像す
る。
吸収材の厚さが異なるＸ線マスクの作製方法が記載され
ている。それによると、図１１−１に示すようにまずＳ
ｉ基板１４上にＸ線透過膜ＳｉＮとなる層１を、裏面に
Ｓｉ基板エッチングマスク層１５を形成する。Ｘ線透過
膜層１、ＳｉＮ上にＸ線吸収材層であるＴａ層７を、そ
の上にエッチングマスク層となるＳｉＯ2 層１３を、そ
の上に感光層であるレジスト層３を作成したうえで、完
成後の吸収材の薄い部分と厚い部分を合わせたパターン
寸法Ｌ１に対応した形にレジスト層３を露光・現像す
る。
【０００７】図１１−２に示すようにレジスト層３をマ
スクとしエッチングマスク層１３をエッチングする。さ
らに、エッチングマスク層１３をマスクとし、Ｘ線吸収
材層Ｔａ７をエッチングする（図１１−３）。次に、エ
ッチングマスクＳｉＯ2 層１３をパターンの形状が厚い
膜のパターン寸法Ｌ２と一致する様にエッチングマスク
ＳｉＯ2 層１３を当方性エッチングする（図１１−
４）。その後、再度エッチングマスク層１３をマスクと
し、Ｘ線吸収材層Ｔａ層７をエッチングする（図１１−
５）。このようにして所望のパターン形状が得られた
後、Ｓｉ基板１４がＸ線透過膜の支持枠となるようにエ
ッチングマスク層１５を加工した後、裏面からＳｉ基板
１４をエッチングし、さらにＸ線吸収層７のエッチング
マスク層１３を除去し位相シフト型マスクを完成させる
（図１１−６）。
スクとしエッチングマスク層１３をエッチングする。さ
らに、エッチングマスク層１３をマスクとし、Ｘ線吸収
材層Ｔａ７をエッチングする（図１１−３）。次に、エ
ッチングマスクＳｉＯ2 層１３をパターンの形状が厚い
膜のパターン寸法Ｌ２と一致する様にエッチングマスク
ＳｉＯ2 層１３を当方性エッチングする（図１１−
４）。その後、再度エッチングマスク層１３をマスクと
し、Ｘ線吸収材層Ｔａ層７をエッチングする（図１１−
５）。このようにして所望のパターン形状が得られた
後、Ｓｉ基板１４がＸ線透過膜の支持枠となるようにエ
ッチングマスク層１５を加工した後、裏面からＳｉ基板
１４をエッチングし、さらにＸ線吸収層７のエッチング
マスク層１３を除去し位相シフト型マスクを完成させる
（図１１−６）。
【０００８】これらの作成方法は、位相シフトを生じさ
せるパターンの位置や大きさを任意に設定できないなど
の欠点があった。
せるパターンの位置や大きさを任意に設定できないなど
の欠点があった。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、上記従来の
方法の欠点を解決した位相シフト型のＸ線マスク作製方
法に関して述べたものである。
方法の欠点を解決した位相シフト型のＸ線マスク作製方
法に関して述べたものである。
【００１０】本発明は、現像速度に差が生じるように２
段階の露光量で電子ビームで描画し、その後、露光量が
大きい領域のみのレジストが除去されるように現像し、
メッキしパターンを形成した後、再度現像・メッキをす
ることで、２種類の厚さのパターンを形成する方法を提
供することである。また本発明はさらに、メッキの他エ
ッチングを用いた方法への応用や露光領域外の吸収材の
厚さが露光領域内の吸収材に比べ厚い様なＸ線マスクの
作製にも適応できる方法を提供することにある。
段階の露光量で電子ビームで描画し、その後、露光量が
大きい領域のみのレジストが除去されるように現像し、
メッキしパターンを形成した後、再度現像・メッキをす
ることで、２種類の厚さのパターンを形成する方法を提
供することである。また本発明はさらに、メッキの他エ
ッチングを用いた方法への応用や露光領域外の吸収材の
厚さが露光領域内の吸収材に比べ厚い様なＸ線マスクの
作製にも適応できる方法を提供することにある。
【００１１】即ち、本発明は電子ビーム描画時に露光量
を複数の値に設定して描画し、現像・メッキの工程また
は現像・エッチング工程またはその両方の工程によって
パターンを形成することを特徴とするＸ線露光用マスク
の作製方法を提供することにある。
を複数の値に設定して描画し、現像・メッキの工程また
は現像・エッチング工程またはその両方の工程によって
パターンを形成することを特徴とするＸ線露光用マスク
の作製方法を提供することにある。
【００１２】また上記描画が描画時間、描画回数、描画
時の電子ビーム電流量のいずれかまたはそれらの組み合
わせによって前記露光量を変えることを特徴とするＸ線
露光用マスクの作製方法を提供する。
時の電子ビーム電流量のいずれかまたはそれらの組み合
わせによって前記露光量を変えることを特徴とするＸ線
露光用マスクの作製方法を提供する。
【００１３】また、本発明の上記Ｘ線露光用マスクの作
製方法が、現像・メッキの工程を複数回繰り返すことを
特徴とする作製方法、エッチング工程を複数回繰り返す
ことを特徴とする作製方法又はエッチング工程を複数回
繰り返すことを特徴とするＸ線露光用マスクの作製方法
を提供することにある。
製方法が、現像・メッキの工程を複数回繰り返すことを
特徴とする作製方法、エッチング工程を複数回繰り返す
ことを特徴とする作製方法又はエッチング工程を複数回
繰り返すことを特徴とするＸ線露光用マスクの作製方法
を提供することにある。
【００１４】また、本発明は現像・メッキの工程を複数
回繰り返すことを特徴とするＸ線露光用マスクの作製方
法において、複数の現像・Ｘ線吸収層のメッキの工程間
にＸ線吸収層のメッキ抑止層のメッキ工程を含むことを
特徴とするＸ線露光用マスクの作製方法を提供すること
にある。
回繰り返すことを特徴とするＸ線露光用マスクの作製方
法において、複数の現像・Ｘ線吸収層のメッキの工程間
にＸ線吸収層のメッキ抑止層のメッキ工程を含むことを
特徴とするＸ線露光用マスクの作製方法を提供すること
にある。
【００１５】また、本発明は上記Ｘ線露光用マスクが位
相シフト型Ｘ線マスクであることであることにある。
相シフト型Ｘ線マスクであることであることにある。
【００１６】さらに本発明は上記いずれかの方法で作成
されたＸ線露光用マスクを用いたＸ線露光装置を提供す
る。
されたＸ線露光用マスクを用いたＸ線露光装置を提供す
る。
【００１７】さらに本発明は上記いずれかの方法によっ
て作製されたＸ線露光用マスクを用いたＸ線露光方法を
提供する。
て作製されたＸ線露光用マスクを用いたＸ線露光方法を
提供する。
【００１８】さらに本発明は上記いずれかの方法によっ
て作製されたＸ線露光用マスクを用いて作製された半導
体デバイス及びその製造方法を提供する。
て作製されたＸ線露光用マスクを用いて作製された半導
体デバイス及びその製造方法を提供する。
【００１９】
【発明の実施の形態】本発明では吸収材の厚さや材料の
異なる種々のＸ線露光用マスクに適用できるが、Ｘ線位
相シフトマスク（実施例１〜７）と露光領域内の吸収材
に比べ、露光領域の周辺の吸収材の厚いＸ線マスク（実
施例７）について説明する。
異なる種々のＸ線露光用マスクに適用できるが、Ｘ線位
相シフトマスク（実施例１〜７）と露光領域内の吸収材
に比べ、露光領域の周辺の吸収材の厚いＸ線マスク（実
施例７）について説明する。
【００２０】［Ｘ線位相シフト型マスクの説明］図８を
用いて一般的な位相シフト型Ｘ線マスクの構成の例につ
いて説明する。マスク基板１はＸ線を十分に透過し、か
つセルフスタンドする必要があり、０．１〜１０ｕｍの
範囲内の厚さとされることが望ましく、例えば、Ｓｉ
Ｎ、ＳｉＣ、ＳｉＣＮ、ＢＮ、ＡｌＮの無機膜のほか、
ポリイミド等の有機膜あるいは、これらの複合膜などの
公知の材料から構成される。次にＸ線パターンとしての
Ｘ線吸収体７は、Ｘ線を十分に吸収し加工性がよい膜と
してＡｕ、Ｗ、Ｔａ、Ｐｔ等の重金属さらにはこれらの
化合物で構成される。マスク基板１を保持するための保
持枠１２は、単結晶Ｓｉによって構成される。さらに、
Ｘ線マスクはＸ線吸収体の保護膜、アライメント光の反
射防止膜を付設したものでもよい。
用いて一般的な位相シフト型Ｘ線マスクの構成の例につ
いて説明する。マスク基板１はＸ線を十分に透過し、か
つセルフスタンドする必要があり、０．１〜１０ｕｍの
範囲内の厚さとされることが望ましく、例えば、Ｓｉ
Ｎ、ＳｉＣ、ＳｉＣＮ、ＢＮ、ＡｌＮの無機膜のほか、
ポリイミド等の有機膜あるいは、これらの複合膜などの
公知の材料から構成される。次にＸ線パターンとしての
Ｘ線吸収体７は、Ｘ線を十分に吸収し加工性がよい膜と
してＡｕ、Ｗ、Ｔａ、Ｐｔ等の重金属さらにはこれらの
化合物で構成される。マスク基板１を保持するための保
持枠１２は、単結晶Ｓｉによって構成される。さらに、
Ｘ線マスクはＸ線吸収体の保護膜、アライメント光の反
射防止膜を付設したものでもよい。
【００２１】次に位相シフトの効果を説明する。本マス
クは、パターン端部の厚さがｄ１で中心の厚さｄ２より
薄くなっており、これらの領域を透過してくるＸ線をそ
れぞれＸ１、Ｘ２とし、Ｘ１とＸ２のＸ線の位相差Δφ
がずれていることが必要で好ましくはπずれていれば、
解像性能が向上する。位相差Δφを膜厚差（ｄ２−ｄ
１）と露光波長λ、露光波長に対する吸収材の屈折率ｎ
で表わせば以下のようになる。
クは、パターン端部の厚さがｄ１で中心の厚さｄ２より
薄くなっており、これらの領域を透過してくるＸ線をそ
れぞれＸ１、Ｘ２とし、Ｘ１とＸ２のＸ線の位相差Δφ
がずれていることが必要で好ましくはπずれていれば、
解像性能が向上する。位相差Δφを膜厚差（ｄ２−ｄ
１）と露光波長λ、露光波長に対する吸収材の屈折率ｎ
で表わせば以下のようになる。
【００２２】 Δφ＝（ｎ−１）＊（ｄ２−ｄ１）＊２＊π／λ 位相差Δφをπとし、Ｘ線吸収材にＡｕを用いれば膜厚
差（ｄ１−ｄ２）は、概ね０．３６ｕｍとなる。従って
大きな吸収材パターンの厚さ（ｄ２）を０．７ｕｍとす
ると、パターンの両端の膜厚をその半分とすればよいこ
とになる。
差（ｄ１−ｄ２）は、概ね０．３６ｕｍとなる。従って
大きな吸収材パターンの厚さ（ｄ２）を０．７ｕｍとす
ると、パターンの両端の膜厚をその半分とすればよいこ
とになる。
【００２３】また、パターン端部に位相シフトを生じさ
せる部材を付着させて、位相シフトの効果を生じさせる
マスクの場合、位相シフト材料として吸収材料７と屈折
率の実部が異なる材質であればよく、必ずしも吸収材７
のようにＸ線の吸収率が大きい材料である必要はない。
せる部材を付着させて、位相シフトの効果を生じさせる
マスクの場合、位相シフト材料として吸収材料７と屈折
率の実部が異なる材質であればよく、必ずしも吸収材７
のようにＸ線の吸収率が大きい材料である必要はない。
【００２４】本発明の方法では電子ビーム描画時に露光
量を複数の値に設定して描画し、現像・メッキの工程ま
たは現像・エッチング工程またはその両方の工程によっ
てパターンを形成することを特徴とするＸ線露光用マス
クの作製方法である。
量を複数の値に設定して描画し、現像・メッキの工程ま
たは現像・エッチング工程またはその両方の工程によっ
てパターンを形成することを特徴とするＸ線露光用マス
クの作製方法である。
【００２５】電子ビーム描画時に露光量を複数の値に設
定して描画する手段としては特に限定はない。例えば露
光量Ｄは電子ビームの走査速度ｖ、描写回数ｎ、描写時
の電子ビーム電流量Ｉによって Ｄ∝（１／ｖ）・Ｉ・ｎ の関係があるので、走査速度を小さく、電流量を増加、
描写回数を増加させることで露光量を増加させることが
わかる。
定して描画する手段としては特に限定はない。例えば露
光量Ｄは電子ビームの走査速度ｖ、描写回数ｎ、描写時
の電子ビーム電流量Ｉによって Ｄ∝（１／ｖ）・Ｉ・ｎ の関係があるので、走査速度を小さく、電流量を増加、
描写回数を増加させることで露光量を増加させることが
わかる。
【００２６】本発明のＸ線露光用マスクは通常のＸ線露
光装置又は露光方法において使用することができ、一例
として図１２（実施例８）で示したような微小ディバイ
ス製造用の露光装置でマスクＥとして使用することがで
き、それによって半導体装置、薄膜磁気ヘッドマイクロ
シリンジ等を効率的にまた精度良く製造することができ
る。
光装置又は露光方法において使用することができ、一例
として図１２（実施例８）で示したような微小ディバイ
ス製造用の露光装置でマスクＥとして使用することがで
き、それによって半導体装置、薄膜磁気ヘッドマイクロ
シリンジ等を効率的にまた精度良く製造することができ
る。
【００２７】
第１の実施例 図１は本発明の一実施例である。電子ビームで描画しメ
ッキによって吸収材を形成し図１−６のように周辺が薄
い膜厚のパターンを作成する方法を示す。図１を図１−
１から図１−６まで各ステップに分けて説明する。
ッキによって吸収材を形成し図１−６のように周辺が薄
い膜厚のパターンを作成する方法を示す。図１を図１−
１から図１−６まで各ステップに分けて説明する。
【００２８】第１ステップ（図１−１）：マスク基板１
は、Ｘ線が透過可能な薄膜材料、例えばＳｉＮ ２ｕｍ
でできており、さらにマスク基板１は保持枠１２によっ
て支えられ、マスク基板１の表面にＡｕ ０．０５ｕｍ
のメッキ電極層２があらかじめ蒸着されている。さらに
メッキ電極層２の上に１ｕｍ厚のポジレジスト層３が塗
布されている。電子ビーム４によって、パターンの中心
Ｂ（露光量Ｄｂ）と周辺Ａ（露光量Ｄａ）で露光量がＤ
ａ＜Ｄｂとなるように描画する。 第２ステップ（図１−２）：加速電圧２０ｋＶにおける
電子ビームに対するポジレジスト（ＰＭＭＡ）の現像特
性を図９に示す。縦軸に現像速度を、横軸に電子ビーム
露光量をとった。図９からＡ部の現像速度はＢ部より小
さい。Ｂ部のレジストが完全に除去されるが、Ａ部のレ
ジストは残るように現像時間Ｔｄを設定する。即ちレジ
ストの初期膜厚をＴｏとすると Ｔｏ／Ｒａ ＜ Ｔｄ ＜ Ｔｏ／Ｒｂ となるように現像時間を設定する。ここで、Ｒａ、Ｒｂ
はそれぞれ露光量Ｄａ、Ｄｂに対応する現像速度であ
る。現像後はＢ部のレジストが除去されメッキ電極層２
が露出されるが、Ａ部のレジストは露光量が少ないため
に、レジストの膜厚は減少するが完全に除去されずに残
っている。 第３ステップ（図１−３）：図１−２に示す状態でメッ
キを行うと、Ａ部はメッキ電極層が露出されていないの
でＡｕはメッキされず、Ｂ部のみにＡｕがメッキされパ
ターンが形成される。 第４ステップ（図１−４）：追加現像をし、Ａ部のレジ
ストを完全に除去しメッキ電極層２を露出させる。 第５ステップ（図１−５）：再度メッキをしＡ部にもパ
ターンを形成する。 第６ステップ（図１−６）：ウエットエッチングやドラ
イエッチングによって、レジストを除去し所望のパター
ンを得る。その後必要に応じてメッキ電極層２を除去す
る。
は、Ｘ線が透過可能な薄膜材料、例えばＳｉＮ ２ｕｍ
でできており、さらにマスク基板１は保持枠１２によっ
て支えられ、マスク基板１の表面にＡｕ ０．０５ｕｍ
のメッキ電極層２があらかじめ蒸着されている。さらに
メッキ電極層２の上に１ｕｍ厚のポジレジスト層３が塗
布されている。電子ビーム４によって、パターンの中心
Ｂ（露光量Ｄｂ）と周辺Ａ（露光量Ｄａ）で露光量がＤ
ａ＜Ｄｂとなるように描画する。 第２ステップ（図１−２）：加速電圧２０ｋＶにおける
電子ビームに対するポジレジスト（ＰＭＭＡ）の現像特
性を図９に示す。縦軸に現像速度を、横軸に電子ビーム
露光量をとった。図９からＡ部の現像速度はＢ部より小
さい。Ｂ部のレジストが完全に除去されるが、Ａ部のレ
ジストは残るように現像時間Ｔｄを設定する。即ちレジ
ストの初期膜厚をＴｏとすると Ｔｏ／Ｒａ ＜ Ｔｄ ＜ Ｔｏ／Ｒｂ となるように現像時間を設定する。ここで、Ｒａ、Ｒｂ
はそれぞれ露光量Ｄａ、Ｄｂに対応する現像速度であ
る。現像後はＢ部のレジストが除去されメッキ電極層２
が露出されるが、Ａ部のレジストは露光量が少ないため
に、レジストの膜厚は減少するが完全に除去されずに残
っている。 第３ステップ（図１−３）：図１−２に示す状態でメッ
キを行うと、Ａ部はメッキ電極層が露出されていないの
でＡｕはメッキされず、Ｂ部のみにＡｕがメッキされパ
ターンが形成される。 第４ステップ（図１−４）：追加現像をし、Ａ部のレジ
ストを完全に除去しメッキ電極層２を露出させる。 第５ステップ（図１−５）：再度メッキをしＡ部にもパ
ターンを形成する。 第６ステップ（図１−６）：ウエットエッチングやドラ
イエッチングによって、レジストを除去し所望のパター
ンを得る。その後必要に応じてメッキ電極層２を除去す
る。
【００２９】本実施例において、電子ビーム露光量は描
画時間、描画回数、描画時の電子ビーム電流量のいずれ
かまたはそれらの組み合わせによって変えることによっ
て行える。さらに、Ａ部とＢ部の露光量に差があるよう
に露光すればよいのであるから、電子ビーム露光のほか
Ｘ線や光を用いて露光してもよい。
画時間、描画回数、描画時の電子ビーム電流量のいずれ
かまたはそれらの組み合わせによって変えることによっ
て行える。さらに、Ａ部とＢ部の露光量に差があるよう
に露光すればよいのであるから、電子ビーム露光のほか
Ｘ線や光を用いて露光してもよい。
【００３０】第２の実施例 第１の実施例では、図１−５に示す様なＡ部へのメッキ
の際に先に形成したＢ部のパターンの上や周囲にもＡｕ
がメッキされ、膜厚が制御しにくくなる場合がある。本
実施例は、そのような場合に先に形成したＢ部のパター
ンに再度メッキされることを防ぐものである。 第３ステップ（図２−３）までは、第１の実施例と同じ
であり、第４ステップから説明する。 第４ステップ（図２−４）：Ａ部にレジストがわずか残
るように現像時間を設定し現像をする。 第５ステップ（図２−５）：次にＢ部のパターンの表面
に、メッキ抑止層５をメッキによって形成する。メッキ
抑止層５はＮｉ等で構成され、Ｎｉの表面が酸化される
ので、表面にパターン材料Ａｕがメッキされない。 第６ステップ（図２−６）：追加現像をし、Ａ部のレジ
ストを完全に除去しメッキ電極層２を露出させる。 第７ステップ（図２−７）：再度メッキをし所望の厚さ
になるように、Ａ部にパターンを形成する。この場合、
メッキ抑止層５のために、先にメッキされたＢ部のパタ
ーン表面にはメッキされない。 第８ステップ（図２−８）：レジストをウエットエッチ
ングやドライエッチングし除去し、所望のパターンを得
る。
の際に先に形成したＢ部のパターンの上や周囲にもＡｕ
がメッキされ、膜厚が制御しにくくなる場合がある。本
実施例は、そのような場合に先に形成したＢ部のパター
ンに再度メッキされることを防ぐものである。 第３ステップ（図２−３）までは、第１の実施例と同じ
であり、第４ステップから説明する。 第４ステップ（図２−４）：Ａ部にレジストがわずか残
るように現像時間を設定し現像をする。 第５ステップ（図２−５）：次にＢ部のパターンの表面
に、メッキ抑止層５をメッキによって形成する。メッキ
抑止層５はＮｉ等で構成され、Ｎｉの表面が酸化される
ので、表面にパターン材料Ａｕがメッキされない。 第６ステップ（図２−６）：追加現像をし、Ａ部のレジ
ストを完全に除去しメッキ電極層２を露出させる。 第７ステップ（図２−７）：再度メッキをし所望の厚さ
になるように、Ａ部にパターンを形成する。この場合、
メッキ抑止層５のために、先にメッキされたＢ部のパタ
ーン表面にはメッキされない。 第８ステップ（図２−８）：レジストをウエットエッチ
ングやドライエッチングし除去し、所望のパターンを得
る。
【００３１】本実施例では、Ａ部、Ｂ部ともに同じ材料
の吸収材をメッキしたが、異なる材質の吸収材をメッキ
しパターンを形成することが可能である。その後必要に
応じてメッキ電極層２を除去する。
の吸収材をメッキしたが、異なる材質の吸収材をメッキ
しパターンを形成することが可能である。その後必要に
応じてメッキ電極層２を除去する。
【００３２】第３の実施例 本実施例では、Ａ部とＢ部を離して別の材質を形成する
方法について述べる。Ａ部とＢ部を離して同質のパター
ンを形成する方法は、第一の実施例でも可能であるが、
異なる材質を形成する場合には、本実施例が適してい
る。 第３ステップ（図３−３）までは、第１の実施例と同じ
であり、第４ステップから説明する。 第４ステップ（図３−４）：次にＢ部のパターンの表面
に、メッキ抑止層５を形成する。メッキ抑止層５はＮｉ
等で構成され、メッキ抑止層５の表面にパターン材料Ａ
ｕがメッキされない。 第５ステップ（図３−５）：追加現像をし、Ａ部のレジ
ストを完全に除去しメッキ電極層２を露出させる。 第６ステップ（図３−６）：所望の材質の材料を、所望
の厚さになるようにＡ部にメッキし、パターンを形成す
る。この場合、メッキ抑止層５のために、先にメッキさ
れたＢ部のパターン裏面にはメッキされない。 第７ステップ（図３−７）：レジストをウエットエッチ
ングやドライエッチングし除去し、所望のパターンを得
る。その後必要に応じてメッキ電極層２を除去する。
方法について述べる。Ａ部とＢ部を離して同質のパター
ンを形成する方法は、第一の実施例でも可能であるが、
異なる材質を形成する場合には、本実施例が適してい
る。 第３ステップ（図３−３）までは、第１の実施例と同じ
であり、第４ステップから説明する。 第４ステップ（図３−４）：次にＢ部のパターンの表面
に、メッキ抑止層５を形成する。メッキ抑止層５はＮｉ
等で構成され、メッキ抑止層５の表面にパターン材料Ａ
ｕがメッキされない。 第５ステップ（図３−５）：追加現像をし、Ａ部のレジ
ストを完全に除去しメッキ電極層２を露出させる。 第６ステップ（図３−６）：所望の材質の材料を、所望
の厚さになるようにＡ部にメッキし、パターンを形成す
る。この場合、メッキ抑止層５のために、先にメッキさ
れたＢ部のパターン裏面にはメッキされない。 第７ステップ（図３−７）：レジストをウエットエッチ
ングやドライエッチングし除去し、所望のパターンを得
る。その後必要に応じてメッキ電極層２を除去する。
【００３３】第４の実施例 本実施例は、薄い膜の大きさ、即ちＡ部のパターン寸法
ｄａが小さい場合に適応できる方法を示す。 第１のステップは第１の実施例と同じである。 第２ステップ（図４−２）：Ｂ部のメッキ電極層２が露
出しさらに、Ａ部のレジストの厚さがＡ部とＢ部のパタ
ーン膜厚差となるように現像する。 第３ステップ（図４−３）：所望の吸収材の厚さとなる
ようにメッキする。 第４ステップ（図４−４）：ウエットエッチング等によ
って除去し、所望のパターンを得る。
ｄａが小さい場合に適応できる方法を示す。 第１のステップは第１の実施例と同じである。 第２ステップ（図４−２）：Ｂ部のメッキ電極層２が露
出しさらに、Ａ部のレジストの厚さがＡ部とＢ部のパタ
ーン膜厚差となるように現像する。 第３ステップ（図４−３）：所望の吸収材の厚さとなる
ようにメッキする。 第４ステップ（図４−４）：ウエットエッチング等によ
って除去し、所望のパターンを得る。
【００３４】第５の実施例 本実施例では、エッチングを用いてパターンを形成する
方法に本発明を応用する場合について説明する。 第１ステップ（図５−１）：マスク基板１上に吸収材７
Ｗが蒸着され、さらに吸収材の上にポジレジスト層３が
塗布されている。電子ビーム４によって、Ｂ部（露光量
Ｄｂ）とＡ部（露光量Ｄａ）で露光量がＤａ＜Ｄｂとな
るように描画する。ただし、Ｃ部は露光しないものとす
る。 第２ステップ（図５−２）：Ｂ部のレジストを完全に除
去し、さらにＡ部のレジストが適切な厚さだけ残るよう
に現像時間を調節する。 第３ステップ（図５−３）：異方性ドライエッチングに
よって、吸収材７を上方からエッチングすると横方向に
吸収材は小さくならず吸収材の厚み方向のみにエッチン
グされる。レジストと吸収材のエッチング速度が等しい
場合、レジストの形状をたもったまま吸収材はエッチン
グされる。 第４ステップ（図５−４）：さらに、エッチングを続け
るとＢ部のパターンが完全に除去され、Ａ部の吸収材も
エッチングされ薄くなり、周辺の吸収材が薄いパターン
が得られる。本実施例では、レジストと吸収材のエッチ
ング速度が等しいとして説明したが、異なる場合は露光
量Ｄａ、Ｄｂまたはステップ２において現像時間を調節
することでステップ２で残っているレジストの膜厚を制
御し、ステップ４における最終的な吸収材の形状を制御
できる。また、本実施例でレジストとしてポジ型を用い
たが、ネガ型のレジストを使用してもよい。
方法に本発明を応用する場合について説明する。 第１ステップ（図５−１）：マスク基板１上に吸収材７
Ｗが蒸着され、さらに吸収材の上にポジレジスト層３が
塗布されている。電子ビーム４によって、Ｂ部（露光量
Ｄｂ）とＡ部（露光量Ｄａ）で露光量がＤａ＜Ｄｂとな
るように描画する。ただし、Ｃ部は露光しないものとす
る。 第２ステップ（図５−２）：Ｂ部のレジストを完全に除
去し、さらにＡ部のレジストが適切な厚さだけ残るよう
に現像時間を調節する。 第３ステップ（図５−３）：異方性ドライエッチングに
よって、吸収材７を上方からエッチングすると横方向に
吸収材は小さくならず吸収材の厚み方向のみにエッチン
グされる。レジストと吸収材のエッチング速度が等しい
場合、レジストの形状をたもったまま吸収材はエッチン
グされる。 第４ステップ（図５−４）：さらに、エッチングを続け
るとＢ部のパターンが完全に除去され、Ａ部の吸収材も
エッチングされ薄くなり、周辺の吸収材が薄いパターン
が得られる。本実施例では、レジストと吸収材のエッチ
ング速度が等しいとして説明したが、異なる場合は露光
量Ｄａ、Ｄｂまたはステップ２において現像時間を調節
することでステップ２で残っているレジストの膜厚を制
御し、ステップ４における最終的な吸収材の形状を制御
できる。また、本実施例でレジストとしてポジ型を用い
たが、ネガ型のレジストを使用してもよい。
【００３５】第６の実施例 本実施例では、エッチングとメッキの両方を用いてパタ
ーンを形成する方法について説明する。 第１ステップ（図６−１）：マスク基板１上に、メッキ
電極層２がおよび吸収材７が蒸着され、さらに吸収材の
上にポジレジスト層３が塗布されている。電子ビーム４
によって、Ｂ部（露光量Ｄｂ）とＡ部（露光量Ｄａ）で
露光量がＤａ＜Ｄｂとなるように描画する。ただし、Ｃ
部は露光しないものとする。 第２ステップ（図６−２）：Ｂ部のレジストを完全に除
去し、Ａ部のレジストが適切な厚さだけ残るように現像
時間を設定する。 第３ステップ（図６−３）：異方性ドライエッチングに
よって、吸収材７を上方からエッチングし、メッキ電極
層２を露出させる。 第４ステップ（図６−４）：所望の材質の材料を、所望
の厚さになるようにＢ部にメッキし、パターン９を形成
する。 第５ステップ（図６−５）：異方性ドライエッチングに
よって、吸収材７を上方からエッチングし、Ａ部の吸収
材を完全除去する。ここで、エッチングは、パターン９
より吸収材７の方がエッチング速度が大きいようなエッ
チングによって行われるのが望ましい。
ーンを形成する方法について説明する。 第１ステップ（図６−１）：マスク基板１上に、メッキ
電極層２がおよび吸収材７が蒸着され、さらに吸収材の
上にポジレジスト層３が塗布されている。電子ビーム４
によって、Ｂ部（露光量Ｄｂ）とＡ部（露光量Ｄａ）で
露光量がＤａ＜Ｄｂとなるように描画する。ただし、Ｃ
部は露光しないものとする。 第２ステップ（図６−２）：Ｂ部のレジストを完全に除
去し、Ａ部のレジストが適切な厚さだけ残るように現像
時間を設定する。 第３ステップ（図６−３）：異方性ドライエッチングに
よって、吸収材７を上方からエッチングし、メッキ電極
層２を露出させる。 第４ステップ（図６−４）：所望の材質の材料を、所望
の厚さになるようにＢ部にメッキし、パターン９を形成
する。 第５ステップ（図６−５）：異方性ドライエッチングに
よって、吸収材７を上方からエッチングし、Ａ部の吸収
材を完全除去する。ここで、エッチングは、パターン９
より吸収材７の方がエッチング速度が大きいようなエッ
チングによって行われるのが望ましい。
【００３６】また、本実施例でレジストとしてポジ型を
用いたが、ネガ型のレジストを使用してもよい。
用いたが、ネガ型のレジストを使用してもよい。
【００３７】第７の実施例 露光領域の外側のＸ線を完全に遮蔽すべき領域の吸収材
を露光領域内のパターンの吸収材より厚くする場合にも
本発明を適応することができる。本実施例のうち図７−
１に示すような露光領域内のパターンの吸収材の厚さが
一様なＸ線マスクの作成においては全体として、２種類
の厚さの吸収材が存在することになり、露光領域外のレ
ジストの露光量をＤｂ、露光領域内のレジストの露光量
をＤａとして露光を行えばよく、なんら第１の実施例と
変わることはない。この場合、光や電子ビーム等の複数
のエネルギービームに感度があるレジストを用いて、露
光領域外の露光を他のエネルギービームで露光をしても
よい。
を露光領域内のパターンの吸収材より厚くする場合にも
本発明を適応することができる。本実施例のうち図７−
１に示すような露光領域内のパターンの吸収材の厚さが
一様なＸ線マスクの作成においては全体として、２種類
の厚さの吸収材が存在することになり、露光領域外のレ
ジストの露光量をＤｂ、露光領域内のレジストの露光量
をＤａとして露光を行えばよく、なんら第１の実施例と
変わることはない。この場合、光や電子ビーム等の複数
のエネルギービームに感度があるレジストを用いて、露
光領域外の露光を他のエネルギービームで露光をしても
よい。
【００３８】さらに、図７−２に示すような露光領域の
パターンの吸収材の厚さが２種類あるＸ線マスクの作成
においては、３種類の厚さの吸収材パターンが混在する
ことになり、その場合、電子ビーム描画時の露光量を３
段階に設定し、現像・メッキの工程を３回繰り返すこと
で、３種類の所望の厚さのパターンを有するＸ線マスク
を得ることができる。
パターンの吸収材の厚さが２種類あるＸ線マスクの作成
においては、３種類の厚さの吸収材パターンが混在する
ことになり、その場合、電子ビーム描画時の露光量を３
段階に設定し、現像・メッキの工程を３回繰り返すこと
で、３種類の所望の厚さのパターンを有するＸ線マスク
を得ることができる。
【００３９】第８の実施例 次に上記説明したマスクを用いた微小デバイス（半導体
装置、薄膜磁気ヘッド、マイクロマシンなど）製造用の
露光装置の実施例を説明する。図１２は本実施例のＸ線
露光装置の構成を示す図である。図中、ＳＲ放射線、Ａ
から放射されたシートビーム形状のシンクロトロン放射
光Ｂを、凸面ミラーＣによって放射光軌道面に対して垂
直な方向に拡大する。凸面ミラーＣで反射拡大した放射
光は、シャッタＤによって照射領域内での露光量が均一
となるように調整し、シャッタＤを経た放射光はＸ線マ
スクＥに導かれる。Ｘ線マスクＥは上記説明したいずれ
か実施例で説明した方法によって製造されたものであ
る。Ｘ線マスクＥに形成されている露光パターンを、ス
テップ＆リピート方式やスキャニング方式などによって
ウェハＦ上に露光転写する。
装置、薄膜磁気ヘッド、マイクロマシンなど）製造用の
露光装置の実施例を説明する。図１２は本実施例のＸ線
露光装置の構成を示す図である。図中、ＳＲ放射線、Ａ
から放射されたシートビーム形状のシンクロトロン放射
光Ｂを、凸面ミラーＣによって放射光軌道面に対して垂
直な方向に拡大する。凸面ミラーＣで反射拡大した放射
光は、シャッタＤによって照射領域内での露光量が均一
となるように調整し、シャッタＤを経た放射光はＸ線マ
スクＥに導かれる。Ｘ線マスクＥは上記説明したいずれ
か実施例で説明した方法によって製造されたものであ
る。Ｘ線マスクＥに形成されている露光パターンを、ス
テップ＆リピート方式やスキャニング方式などによって
ウェハＦ上に露光転写する。
【００４０】第９の実施例 次に、上記説明したＸ線マスク構造体を利用した半導体
デバイスの製造方法の実施例を説明する。図１３は半導
体デバイス（ＩＣやＬＳＩ等の半導体チップ、あるいは
液晶パネルやＣＣＤ、薄膜磁気ヘッド、マイクロシリン
ジ等）の製造フローを示すフローチャートである。ステ
ップ１（回路設計）では半導体デバイスの回路設計を行
う。ステップ２（マスク製作）では設計した回路パター
ンを形成したＸ線マスク構造体を実施例１〜７の方法を
用いて製造する。一方、ステップ３（ウェハ製造）では
シリコン等の材料を用いてウェハを製造する。ステップ
４（ウェハプロセス）は前工程と呼ばれ、上記用意した
Ｘ線マスク構造体とウェハを用いて、Ｘ線リソグラフィ
技術によってウェハ上に実際の回路を形成する。次のス
テップ５（組み立て）は後工程と呼ばれ、ステップ４に
よって製造されたウェハを用いて半導体チップ化する工
程であり、アッセンブリ工程（ダイシング、ボンディン
グ）、パッケージング工程（チップ封入）等の工程を含
む。ステップ６（検査）ではステップ５で作成された半
導体デバイスの動作確認テスト、耐久性テスト等の検査
を行う。こうした工程を経て半導体デバイスが完成し、
これが出荷（ステップ７）される。
デバイスの製造方法の実施例を説明する。図１３は半導
体デバイス（ＩＣやＬＳＩ等の半導体チップ、あるいは
液晶パネルやＣＣＤ、薄膜磁気ヘッド、マイクロシリン
ジ等）の製造フローを示すフローチャートである。ステ
ップ１（回路設計）では半導体デバイスの回路設計を行
う。ステップ２（マスク製作）では設計した回路パター
ンを形成したＸ線マスク構造体を実施例１〜７の方法を
用いて製造する。一方、ステップ３（ウェハ製造）では
シリコン等の材料を用いてウェハを製造する。ステップ
４（ウェハプロセス）は前工程と呼ばれ、上記用意した
Ｘ線マスク構造体とウェハを用いて、Ｘ線リソグラフィ
技術によってウェハ上に実際の回路を形成する。次のス
テップ５（組み立て）は後工程と呼ばれ、ステップ４に
よって製造されたウェハを用いて半導体チップ化する工
程であり、アッセンブリ工程（ダイシング、ボンディン
グ）、パッケージング工程（チップ封入）等の工程を含
む。ステップ６（検査）ではステップ５で作成された半
導体デバイスの動作確認テスト、耐久性テスト等の検査
を行う。こうした工程を経て半導体デバイスが完成し、
これが出荷（ステップ７）される。
【００４１】図１４は上記ウェハプロセスの詳細なフロ
ーを示す。ステップ１１（酸化）ではウェハの表面を酸
化させる。ステップ１２（ＣＶＤ）ではウェハ表面に絶
縁膜を形成する。ステップ１３（電極形成）ではウェハ
上に電極を蒸着によって形成する。ステップ１４（イオ
ン打込み）ではウェハにイオンを打込む。ステップ１５
（レジスト処理）ではウェハに感光剤を塗布する。ステ
ップ１６（露光）では上記説明したＸ線露光方法によっ
てマスクの回路パターンをウェハに焼付け露光する。ス
テップ１７（現像）では露光したウェハを現像する。ス
テップ１８（エッチング）では現像したレジスト像以外
の部分を削り取る。ステップ１９（レジスト剥離）では
エッチングが済んで不要となったレジストを取り除く。
これらのステップを繰り返し行うことによって、ウェハ
上に多重に回路パターンが形成される。
ーを示す。ステップ１１（酸化）ではウェハの表面を酸
化させる。ステップ１２（ＣＶＤ）ではウェハ表面に絶
縁膜を形成する。ステップ１３（電極形成）ではウェハ
上に電極を蒸着によって形成する。ステップ１４（イオ
ン打込み）ではウェハにイオンを打込む。ステップ１５
（レジスト処理）ではウェハに感光剤を塗布する。ステ
ップ１６（露光）では上記説明したＸ線露光方法によっ
てマスクの回路パターンをウェハに焼付け露光する。ス
テップ１７（現像）では露光したウェハを現像する。ス
テップ１８（エッチング）では現像したレジスト像以外
の部分を削り取る。ステップ１９（レジスト剥離）では
エッチングが済んで不要となったレジストを取り除く。
これらのステップを繰り返し行うことによって、ウェハ
上に多重に回路パターンが形成される。
【００４２】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によって従
来困難であった任意の位置や大きさに位相シフト材を容
易に作製することができるようになった。さらに、本発
明の製造方法によって高精度の半導体デバイスの製造が
可能となった。
来困難であった任意の位置や大きさに位相シフト材を容
易に作製することができるようになった。さらに、本発
明の製造方法によって高精度の半導体デバイスの製造が
可能となった。
【図１】本発明の実施例を示す図。
【図２】本発明の実施例を示す図。
【図３】本発明の実施例を示す図。
【図４】本発明の実施例を示す図。
【図５】本発明の実施例を示す図。
【図６】本発明の実施例を示す図。
【図７】本発明の実施例を示す図。
【図８】位相シフト型マスクの構成を示す図。
【図９】ＰＭＭＡレジストの現像特性を示す図。
【図１０】従来の位相シフト型マスクの作製方法を示す
図。
図。
【図１１】従来の位相シフト型マスクの作製方法を示す
図。
図。
【図１２】本発明である位相シフト型マスクを用いた露
光装置。
光装置。
【図１３】本発明である位相シフト型マスクを用いたプ
ロセスによって、デバイスを作製するプロセスを示す
図。
ロセスによって、デバイスを作製するプロセスを示す
図。
【図１４】本発明である位相シフト型マスクを用いたプ
ロセスによって、デバイスを作製するプロセスを示す
図。
ロセスによって、デバイスを作製するプロセスを示す
図。
１ マスク基板 ２ メッキ電極層 ３ レジスト ４ 電子ビーム ５ メッキ抑止層 ７ Ｘ線吸収体層 ８ 露光領域外のＸ線を遮光するＸ線吸収体 １１ 位相シフト膜 １２ 保持枠 １３ エッチングマスク層 １４ Ｓｉ基板 １５ エッチングマスク層 Ａ ＳＲ放射源 Ｂ シンクロトロン放射光 Ｃ 凸面ミラー Ｄ シャッター Ｅ Ｘ線マスク
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 21/30 ５３１Ｅ
Claims (10)
- 【請求項１】 電子ビーム描画時に露光量を複数の値に
設定して描画し、現像・メッキの工程または現像・エッ
チング工程またはその両方の工程によってパターンを形
成することを特徴とするＸ線露光用マスクの作製方法。 - 【請求項２】 請求項１において、描画時間、描画回
数、描画時の電子ビーム電流量のいずれかまたはそれら
の組み合わせによって前記露光量を変えることを特徴と
するＸ線露光用マスクの作製方法。 - 【請求項３】 請求項１において、現像・メッキの工程
を複数回繰り返すことを特徴とするＸ線露光用マスクの
作製方法。 - 【請求項４】 請求項１において、エッチング工程を複
数回繰り返すことを特徴とするＸ線露光用マスクの作製
方法。 - 【請求項５】 請求項３において、複数の現像・Ｘ線吸
収層のメッキの工程間にＸ線吸収層のメッキ抑止層のメ
ッキ工程を含むことを特徴とするＸ線露光用マスクの作
製方法。 - 【請求項６】 請求項１において作製されるマスクが位
相シフト型Ｘ線マスクであることであるＸ線露光用マス
クの作製方法。。 - 【請求項７】 請求項１〜６によって作製されたＸ線露
光用マスクを用いたＸ線露光装置。 - 【請求項８】 請求項１〜６によって作製されたＸ線露
光用マスクを用いたＸ線露光方法。 - 【請求項９】 請求項１〜６によって作製されたＸ線露
光用マスクを用いて作製された半導体デバイス。 - 【請求項１０】 請求項１〜６によって作製されたＸ線
露光用マスクを用いることを特徴とする半導体デバイス
の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24616895A JPH0992599A (ja) | 1995-09-25 | 1995-09-25 | Ｘ線露光用マスクの作製方法及び該ｘ線露光用マスクを用いたｘ線露光方法、及びｘ線露光装置、及びこれ等を用いた半導体ディバイスの製造方法及びそれで作られた半導体ディバイス |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24616895A JPH0992599A (ja) | 1995-09-25 | 1995-09-25 | Ｘ線露光用マスクの作製方法及び該ｘ線露光用マスクを用いたｘ線露光方法、及びｘ線露光装置、及びこれ等を用いた半導体ディバイスの製造方法及びそれで作られた半導体ディバイス |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0992599A true JPH0992599A (ja) | 1997-04-04 |
Family
ID=17144529
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24616895A Pending JPH0992599A (ja) | 1995-09-25 | 1995-09-25 | Ｘ線露光用マスクの作製方法及び該ｘ線露光用マスクを用いたｘ線露光方法、及びｘ線露光装置、及びこれ等を用いた半導体ディバイスの製造方法及びそれで作られた半導体ディバイス |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0992599A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004273794A (ja) * | 2003-03-10 | 2004-09-30 | Mitsubishi Electric Corp | Ｘ線マスクの製造方法およびそれにより製造されたｘ線マスクを用いた半導体装置の製造方法 |
| JP2005099838A (ja) * | 1997-07-24 | 2005-04-14 | Optonix Seimitsu:Kk | Ｘ線マスクおよびこの製造方法およびこれを用いて製作したマイクロ部品 |
| JP2008209957A (ja) * | 1997-07-24 | 2008-09-11 | Optnics Precision Co Ltd | Ｘ線マスクおよびこの製造方法およびこれを用いて製作したマイクロ部品 |
| JP2019053141A (ja) * | 2017-09-13 | 2019-04-04 | 東芝メモリ株式会社 | 反射型露光マスクおよびパターン形成方法 |
-
1995
- 1995-09-25 JP JP24616895A patent/JPH0992599A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005099838A (ja) * | 1997-07-24 | 2005-04-14 | Optonix Seimitsu:Kk | Ｘ線マスクおよびこの製造方法およびこれを用いて製作したマイクロ部品 |
| JP2008209957A (ja) * | 1997-07-24 | 2008-09-11 | Optnics Precision Co Ltd | Ｘ線マスクおよびこの製造方法およびこれを用いて製作したマイクロ部品 |
| JP2004273794A (ja) * | 2003-03-10 | 2004-09-30 | Mitsubishi Electric Corp | Ｘ線マスクの製造方法およびそれにより製造されたｘ線マスクを用いた半導体装置の製造方法 |
| JP2019053141A (ja) * | 2017-09-13 | 2019-04-04 | 東芝メモリ株式会社 | 反射型露光マスクおよびパターン形成方法 |
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