JPH0992785A - ＧａＡｓ集積回路とその回路方式および半導体集積回路 - Google Patents
ＧａＡｓ集積回路とその回路方式および半導体集積回路Info
- Publication number
- JPH0992785A JPH0992785A JP24943595A JP24943595A JPH0992785A JP H0992785 A JPH0992785 A JP H0992785A JP 24943595 A JP24943595 A JP 24943595A JP 24943595 A JP24943595 A JP 24943595A JP H0992785 A JPH0992785 A JP H0992785A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- circuit
- power supply
- negative voltage
- switch
- transmission
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
- Amplifiers (AREA)
- Input Circuits Of Receivers And Coupling Of Receivers And Audio Equipment (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 ＰＨＳの部品点数を削減し、機能を高集積化
すると共に、雑音発生の問題を解消し、消費電流を低減
することを目的とする。 【解決手段】 送信用電力増幅器（ＨＰＡ）１、負電圧
発生回路２とその電源端子および電源用スイッチ９、受
信用低雑音増幅器（ＬＮＡ）４を１つのＧａＡｓ基板上
に構成し、ＨＰＡ１の動作時のみ負電圧発生回路２が動
作するよう制御することにより、部品点数の削減および
消費電流の低減を図ることができる。さらに、信号の受
信時にはデジタル回路である負電圧発生回路２をオフし
ておくことで、負電圧発生回路２の発生する雑音を防ぐ
ことができる。また、アンテナ切り替えスイッチのスイ
ッチ切り替え信号により負電圧発生回路の電源用スイッ
チ９を制御する。
すると共に、雑音発生の問題を解消し、消費電流を低減
することを目的とする。 【解決手段】 送信用電力増幅器（ＨＰＡ）１、負電圧
発生回路２とその電源端子および電源用スイッチ９、受
信用低雑音増幅器（ＬＮＡ）４を１つのＧａＡｓ基板上
に構成し、ＨＰＡ１の動作時のみ負電圧発生回路２が動
作するよう制御することにより、部品点数の削減および
消費電流の低減を図ることができる。さらに、信号の受
信時にはデジタル回路である負電圧発生回路２をオフし
ておくことで、負電圧発生回路２の発生する雑音を防ぐ
ことができる。また、アンテナ切り替えスイッチのスイ
ッチ切り替え信号により負電圧発生回路の電源用スイッ
チ９を制御する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、無線機の送信部
等に使用するヒ素ガリウム（ＧａＡｓ）集積回路とその
回路方式および半導体集積回路に関するものである。
等に使用するヒ素ガリウム（ＧａＡｓ）集積回路とその
回路方式および半導体集積回路に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】次世代のコードレス電話（簡易型携帯電
話：以下ＰＨＳという）は、アナログ伝送方式からデジ
タル伝送方式へ変更され、使用する周波数が０. ４GHz
から１. ９GHz に高められている。このデジタル方式へ
の変更により、電話機を構成する部品のうち、音声の制
御などの部分がデジタル回路で構成できるために小型化
が可能となる。一方、無線の使用周波数が１. ９GHz と
高いために、無線信号を送受信する回路には高周波動作
が可能なＧａＡｓ素子による電界効果型トランジスタ
（ＦＥＴ）が使用される。このＧａＡｓＦＥＴの場合に
は、ゲートの順方向電圧が約０. ７Ｖと低いために、ゲ
ート電圧でＦＥＴの電流（ドレイン電流）をオフする電
圧を０Ｖ以下（約−２Ｖ）と低く設定している。このた
め、このＧａＡｓＦＥＴの電流をオフするためにはドレ
イン電圧を０Ｖとするか、ゲート電圧を０Ｖ以下に設定
する必要がある。この０Ｖ以下の電圧を得るため、Ｇａ
ＡｓＦＥＴで構成した高周波集積回路以外に、負電圧を
発生する回路が必要である。また、送信用電力増幅器
（以下ＨＰＡという）に電源（ドレイン電流）を与える
場合には、ＨＰＡのゲート電圧にはＨＰＡの電流を制御
する所望の負の電圧を事前に与えておく必要がある。
話：以下ＰＨＳという）は、アナログ伝送方式からデジ
タル伝送方式へ変更され、使用する周波数が０. ４GHz
から１. ９GHz に高められている。このデジタル方式へ
の変更により、電話機を構成する部品のうち、音声の制
御などの部分がデジタル回路で構成できるために小型化
が可能となる。一方、無線の使用周波数が１. ９GHz と
高いために、無線信号を送受信する回路には高周波動作
が可能なＧａＡｓ素子による電界効果型トランジスタ
（ＦＥＴ）が使用される。このＧａＡｓＦＥＴの場合に
は、ゲートの順方向電圧が約０. ７Ｖと低いために、ゲ
ート電圧でＦＥＴの電流（ドレイン電流）をオフする電
圧を０Ｖ以下（約−２Ｖ）と低く設定している。このた
め、このＧａＡｓＦＥＴの電流をオフするためにはドレ
イン電圧を０Ｖとするか、ゲート電圧を０Ｖ以下に設定
する必要がある。この０Ｖ以下の電圧を得るため、Ｇａ
ＡｓＦＥＴで構成した高周波集積回路以外に、負電圧を
発生する回路が必要である。また、送信用電力増幅器
（以下ＨＰＡという）に電源（ドレイン電流）を与える
場合には、ＨＰＡのゲート電圧にはＨＰＡの電流を制御
する所望の負の電圧を事前に与えておく必要がある。
【０００３】図９は、従来の送受信部の回路の構成を示
した回路図である。従来の回路構成は、各機能が個別の
素子で構成されていた。図において、１はＧａＡｓＩＣ
で構成された送信用電力増幅器（ＨＰＡ）、２は負電圧
発生回路、３はアンテナ切り替えスイッチ（以下ＳＷと
いう）、４は受信用低雑音増幅器（以下ＬＮＡとい
う）、５はＨＰＡ１の電源用スイッチ、６はＬＮＡ４の
電源用スイッチ、７はＳｉＩＣで構成された制御ＬＳ
Ｉ、８はアンテナである。ＰＨＳでは、送信と受信が時
間毎に異なるために、信号を送信する時間には、ＨＰＡ
１の電源スイッチ５をオンすると共にＳＷ３を送信側に
切り替える。送信する信号は、ＨＰＡ１で増幅されＳＷ
３を通過してアンテナ８より送信される。信号を受信す
る場合には、ＳＷ３を受信側に切り替える。アンテナ８
からの受信信号は、ＳＷ３で受信回路側へ流れ、ＬＮＡ
４で増幅され、受信信号として受信される。この信号は
復調された後、音声信号へ変換され、スピーカを通して
聞くことができる。
した回路図である。従来の回路構成は、各機能が個別の
素子で構成されていた。図において、１はＧａＡｓＩＣ
で構成された送信用電力増幅器（ＨＰＡ）、２は負電圧
発生回路、３はアンテナ切り替えスイッチ（以下ＳＷと
いう）、４は受信用低雑音増幅器（以下ＬＮＡとい
う）、５はＨＰＡ１の電源用スイッチ、６はＬＮＡ４の
電源用スイッチ、７はＳｉＩＣで構成された制御ＬＳ
Ｉ、８はアンテナである。ＰＨＳでは、送信と受信が時
間毎に異なるために、信号を送信する時間には、ＨＰＡ
１の電源スイッチ５をオンすると共にＳＷ３を送信側に
切り替える。送信する信号は、ＨＰＡ１で増幅されＳＷ
３を通過してアンテナ８より送信される。信号を受信す
る場合には、ＳＷ３を受信側に切り替える。アンテナ８
からの受信信号は、ＳＷ３で受信回路側へ流れ、ＬＮＡ
４で増幅され、受信信号として受信される。この信号は
復調された後、音声信号へ変換され、スピーカを通して
聞くことができる。
【０００４】コードレス電話では、持ち運びに便利なよ
うに小型で軽量なことが望まれており、これに対応する
ために部品点数を削減することが望まれている。すなわ
ち、機能の集積化が進められ、ＨＰＡ１やＳＷ３、ＬＮ
Ａ４等の高周波回路の一体化ＩＣの開発が進められてい
る。さらに、機能の集積化のために、負電圧発生回路２
の高周波回路との一体化も検討されている。
うに小型で軽量なことが望まれており、これに対応する
ために部品点数を削減することが望まれている。すなわ
ち、機能の集積化が進められ、ＨＰＡ１やＳＷ３、ＬＮ
Ａ４等の高周波回路の一体化ＩＣの開発が進められてい
る。さらに、機能の集積化のために、負電圧発生回路２
の高周波回路との一体化も検討されている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】以上のように回路構成
された従来のコードレス電話（ＰＨＳ）では、さらなる
小型化、軽量化のために部品点数の削減あるいは機能の
高集積化が求められている。また、負電圧発生回路２の
高周波回路との一体化が検討されているが、負電圧発生
回路２がデジタル回路であるために、雑音を発生すると
いう問題があった。さらに、高周波回路部と同様に、Ｇ
ａＡｓ素子上に負電圧発生回路２を構成すると、Ｓｉの
ＣＭＯＳＩＣに比較して消費電流が大きくなるという問
題があった。
された従来のコードレス電話（ＰＨＳ）では、さらなる
小型化、軽量化のために部品点数の削減あるいは機能の
高集積化が求められている。また、負電圧発生回路２の
高周波回路との一体化が検討されているが、負電圧発生
回路２がデジタル回路であるために、雑音を発生すると
いう問題があった。さらに、高周波回路部と同様に、Ｇ
ａＡｓ素子上に負電圧発生回路２を構成すると、Ｓｉの
ＣＭＯＳＩＣに比較して消費電流が大きくなるという問
題があった。
【０００６】この発明は、以上のような問題を解消する
ためになされたもので、ＰＨＳの部品点数を削減し、機
能を高集積化すると共に、雑音発生の問題を解消し、消
費電流を低減することを目的とする。
ためになされたもので、ＰＨＳの部品点数を削減し、機
能を高集積化すると共に、雑音発生の問題を解消し、消
費電流を低減することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】この発明に係わるＧａＡ
ｓ集積回路の回路方式は、送信用電力増幅器（ＨＰ
Ａ）、受信用低雑音増幅器（ＬＮＡ）およびＨＰＡの電
流制御に必要な負電圧を与える負電圧発生回路を備えた
ＧａＡｓ集積回路において、負電圧発生回路の電源端子
と電源用スイッチを独立して設け、ＨＰＡの動作時のみ
負電圧発生回路を動作させるよう構成したものである。
また、この発明に係わるＧａＡｓ集積回路は、送信用電
力増幅器（ＨＰＡ）とその電源端子、ＨＰＡの電流制御
に必要な負電圧を与える負電圧発生回路とその電源端子
および電源用スイッチ回路、負電圧発生回路の電源用ス
イッチ回路を制御する制御回路を備え、ＨＰＡの動作時
のみ負電圧発生回路を動作させるよう構成したものであ
る。
ｓ集積回路の回路方式は、送信用電力増幅器（ＨＰ
Ａ）、受信用低雑音増幅器（ＬＮＡ）およびＨＰＡの電
流制御に必要な負電圧を与える負電圧発生回路を備えた
ＧａＡｓ集積回路において、負電圧発生回路の電源端子
と電源用スイッチを独立して設け、ＨＰＡの動作時のみ
負電圧発生回路を動作させるよう構成したものである。
また、この発明に係わるＧａＡｓ集積回路は、送信用電
力増幅器（ＨＰＡ）とその電源端子、ＨＰＡの電流制御
に必要な負電圧を与える負電圧発生回路とその電源端子
および電源用スイッチ回路、負電圧発生回路の電源用ス
イッチ回路を制御する制御回路を備え、ＨＰＡの動作時
のみ負電圧発生回路を動作させるよう構成したものであ
る。
【０００８】また、アンテナを送信側または受信側に切
り替えるアンテナ切り替えスイッチ、送信用電力増幅器
（ＨＰＡ）とその電源端子、受信用低雑音増幅器（ＬＮ
Ａ）とその電源端子、ＨＰＡの電流制御に必要な負電圧
を与える負電圧発生回路とその電源端子および電源用ス
イッチ回路、アンテナのスイッチ切り替え信号より負電
圧発生回路の電源用スイッチ回路を制御する制御回路を
備え、送信時すなわちＨＰＡの動作時のみ負電圧発生回
路を動作させるよう構成したものである。また、送信用
電力増幅器（ＨＰＡ）とその電源端子および電源用スイ
ッチ回路、ＨＰＡの電源制御信号により制御されるスイ
ッチ回路を有し、ＨＰＡの電流制御に必要な制御電圧を
与える負電圧発生回路とその電源端子、負電圧発生回路
の出力電圧を検出しＨＰＡの電源用スイッチ回路を制御
するＨＰＡ電源用スイッチ制御回路を備え、負電圧発生
回路の出力が所定の電圧になったときＨＰＡを動作させ
るよう構成したものである。
り替えるアンテナ切り替えスイッチ、送信用電力増幅器
（ＨＰＡ）とその電源端子、受信用低雑音増幅器（ＬＮ
Ａ）とその電源端子、ＨＰＡの電流制御に必要な負電圧
を与える負電圧発生回路とその電源端子および電源用ス
イッチ回路、アンテナのスイッチ切り替え信号より負電
圧発生回路の電源用スイッチ回路を制御する制御回路を
備え、送信時すなわちＨＰＡの動作時のみ負電圧発生回
路を動作させるよう構成したものである。また、送信用
電力増幅器（ＨＰＡ）とその電源端子および電源用スイ
ッチ回路、ＨＰＡの電源制御信号により制御されるスイ
ッチ回路を有し、ＨＰＡの電流制御に必要な制御電圧を
与える負電圧発生回路とその電源端子、負電圧発生回路
の出力電圧を検出しＨＰＡの電源用スイッチ回路を制御
するＨＰＡ電源用スイッチ制御回路を備え、負電圧発生
回路の出力が所定の電圧になったときＨＰＡを動作させ
るよう構成したものである。
【０００９】また、アンテナを送信側または受信側に切
り替えるアンテナ切り替えスイッチ、送信用電力増幅器
（ＨＰＡ）とその電源端子、受信用低雑音増幅器（ＬＮ
Ａ）とその電源端子、ＨＰＡの電流制御に必要な負電圧
を与える負電圧発生回路とその電源端子、ＨＰＡの電源
を検出しアンテナ切り替えスイッチを切り替えるスイッ
チ制御回路を備えたものである。さらに、アンテナを送
信側または受信側に切り替えるアンテナ切り替えスイッ
チ、送信用電力増幅器（ＨＰＡ）とその電源端子、受信
用低雑音増幅器（ＬＮＡ）とその電源端子、ＨＰＡの電
流制御に必要な負電圧を与える負電圧発生回路とその電
源端子、ＨＰＡおよびＬＮＡの電源を検出しアンテナ切
り替えスイッチを切り替えるスイッチ制御回路を備えた
ものである。また、この発明に係わる半導体集積回路
は、アンテナ切り替えスイッチ、送信用電力増幅器（Ｈ
ＰＡ）および受信用低雑音増幅器（ＬＮＡ）をＧａＡｓ
基板上に、アンテナ切り替えスイッチを制御するスイッ
チ制御回路、ＨＰＡの電源用スイッチ回路およびＨＰＡ
の電流制御に必要な負電圧を与える負電圧発生回路をＳ
ｉ基板上に構成し、ＧａＡｓ基板上の回路とＳｉ基板上
の回路をワイヤで接続し、上記すべての回路を１つのパ
ッケージに収納したものである。
り替えるアンテナ切り替えスイッチ、送信用電力増幅器
（ＨＰＡ）とその電源端子、受信用低雑音増幅器（ＬＮ
Ａ）とその電源端子、ＨＰＡの電流制御に必要な負電圧
を与える負電圧発生回路とその電源端子、ＨＰＡの電源
を検出しアンテナ切り替えスイッチを切り替えるスイッ
チ制御回路を備えたものである。さらに、アンテナを送
信側または受信側に切り替えるアンテナ切り替えスイッ
チ、送信用電力増幅器（ＨＰＡ）とその電源端子、受信
用低雑音増幅器（ＬＮＡ）とその電源端子、ＨＰＡの電
流制御に必要な負電圧を与える負電圧発生回路とその電
源端子、ＨＰＡおよびＬＮＡの電源を検出しアンテナ切
り替えスイッチを切り替えるスイッチ制御回路を備えた
ものである。また、この発明に係わる半導体集積回路
は、アンテナ切り替えスイッチ、送信用電力増幅器（Ｈ
ＰＡ）および受信用低雑音増幅器（ＬＮＡ）をＧａＡｓ
基板上に、アンテナ切り替えスイッチを制御するスイッ
チ制御回路、ＨＰＡの電源用スイッチ回路およびＨＰＡ
の電流制御に必要な負電圧を与える負電圧発生回路をＳ
ｉ基板上に構成し、ＧａＡｓ基板上の回路とＳｉ基板上
の回路をワイヤで接続し、上記すべての回路を１つのパ
ッケージに収納したものである。
【００１０】
実施の形態１．図１は、本発明の一実施の形態であるＰ
ＨＳ送受信部のＧａＡｓ集積回路を示す回路図である。
図１に示された全ての回路はＧａＡｓ基板上の集積回路
で構成されている高周波一体化ＩＣである。図におい
て、１は送信用電力増幅器（ＨＰＡ）、２は負電圧発生
回路、４は受信用低雑音増幅器（ＬＮＡ）、９は負電圧
発生回路用の電源用スイッチである。なお、図１に示す
集積回路が従来例である図９に示す回路と同様の機能を
果たすためには、さらにアンテナ切り替えスイッチ（Ｓ
Ｗ）３、ＨＰＡの電源用スイッチ５、ＬＮＡの電源用ス
イッチ６、制御ＬＳＩ７、アンテナ８が必要である。
ＨＳ送受信部のＧａＡｓ集積回路を示す回路図である。
図１に示された全ての回路はＧａＡｓ基板上の集積回路
で構成されている高周波一体化ＩＣである。図におい
て、１は送信用電力増幅器（ＨＰＡ）、２は負電圧発生
回路、４は受信用低雑音増幅器（ＬＮＡ）、９は負電圧
発生回路用の電源用スイッチである。なお、図１に示す
集積回路が従来例である図９に示す回路と同様の機能を
果たすためには、さらにアンテナ切り替えスイッチ（Ｓ
Ｗ）３、ＨＰＡの電源用スイッチ５、ＬＮＡの電源用ス
イッチ６、制御ＬＳＩ７、アンテナ８が必要である。
【００１１】以上のように構成されたＧａＡｓ集積回路
を備えたＰＨＳでは、信号の送信時には、ＨＰＡの電源
用スイッチ（図示せず）をオンすると共に負電圧発生回
路用の電源用スイッチ９がオンされる。送信する信号
は、ＨＰＡ１で増幅されアンテナ８（図示せず）より送
信される。信号を受信する場合には、アンテナ８（図示
せず）からの受信信号は、ＬＮＡ４で増幅され、受信信
号として受信される。この信号は復調された後、音声信
号へ変換され、スピーカを通して聞くことができる。ま
た、信号の受信時には、負電圧発生回路２はオフされて
いる。このように、本実施の形態では負電圧発生回路２
の電源端子および電源用スイッチ回路を独立して設ける
ことにより、ＨＰＡ１の動作時のみ負電圧発生回路２が
動作するよう制御することが可能となった。
を備えたＰＨＳでは、信号の送信時には、ＨＰＡの電源
用スイッチ（図示せず）をオンすると共に負電圧発生回
路用の電源用スイッチ９がオンされる。送信する信号
は、ＨＰＡ１で増幅されアンテナ８（図示せず）より送
信される。信号を受信する場合には、アンテナ８（図示
せず）からの受信信号は、ＬＮＡ４で増幅され、受信信
号として受信される。この信号は復調された後、音声信
号へ変換され、スピーカを通して聞くことができる。ま
た、信号の受信時には、負電圧発生回路２はオフされて
いる。このように、本実施の形態では負電圧発生回路２
の電源端子および電源用スイッチ回路を独立して設ける
ことにより、ＨＰＡ１の動作時のみ負電圧発生回路２が
動作するよう制御することが可能となった。
【００１２】本実施の形態によれば、ＨＰＡ１および負
電圧発生回路２等を１つの基板上に集積することにより
部品点数を削減することができ、さらに負電圧発生回路
２をＧａＡｓ基板上に構成しているために高速で動作さ
せることが可能となる。また、ＨＰＡ１の動作時間のみ
オンすることで負電圧発生回路２自体の消費電流の低減
を図ることができる。さらに、信号の受信時にはデジタ
ル回路である負電圧発生回路２をオフしておくことで、
負電圧発生回路２の発生する雑音を防ぐことができる。
電圧発生回路２等を１つの基板上に集積することにより
部品点数を削減することができ、さらに負電圧発生回路
２をＧａＡｓ基板上に構成しているために高速で動作さ
せることが可能となる。また、ＨＰＡ１の動作時間のみ
オンすることで負電圧発生回路２自体の消費電流の低減
を図ることができる。さらに、信号の受信時にはデジタ
ル回路である負電圧発生回路２をオフしておくことで、
負電圧発生回路２の発生する雑音を防ぐことができる。
【００１３】実施の形態２．図２は、本発明の第２の実
施の形態であるＰＨＳ送受信部のＧａＡｓ集積回路を示
す回路図である。図において、１０はアンテナ切り替え
スイッチ（ＳＷ）３を切り替える信号から負電圧発生回
路用の電源用スイッチ９を制御する信号を生成する制御
回路である。なお、図中同一および相当部分には同一符
号を付し説明を省略する。
施の形態であるＰＨＳ送受信部のＧａＡｓ集積回路を示
す回路図である。図において、１０はアンテナ切り替え
スイッチ（ＳＷ）３を切り替える信号から負電圧発生回
路用の電源用スイッチ９を制御する信号を生成する制御
回路である。なお、図中同一および相当部分には同一符
号を付し説明を省略する。
【００１４】以上のように構成されたＧａＡｓ集積回路
を備えたＰＨＳでは、信号の送信時には、ＨＰＡの電源
をオンすると共にＳＷ３を送信側に切り替え、この切り
替え信号を利用して負電圧発生回路用の電源用スイッチ
９を制御する。すなわちＳＷ３を送信側に切り替え時に
は負電圧発生回路２をオンする。送信する信号は、ＨＰ
Ａ１で増幅されＳＷ３を通過してアンテナより送信され
る。信号を受信する場合には、ＳＷ３を受信側に切り替
え、この切り替え信号を利用して負電圧発生回路用の電
源用スイッチ９を制御する。すなわち、ＳＷ３を受信側
に切り替え時には負電圧発生回路２をオフする。アンテ
ナからの受信信号は、ＳＷ３で受信回路側へ流れ、ＬＮ
Ａ４で増幅され、受信信号として受信される。この信号
は復調された後、音声信号へ変換され、スピーカを通し
て聞くことができる。
を備えたＰＨＳでは、信号の送信時には、ＨＰＡの電源
をオンすると共にＳＷ３を送信側に切り替え、この切り
替え信号を利用して負電圧発生回路用の電源用スイッチ
９を制御する。すなわちＳＷ３を送信側に切り替え時に
は負電圧発生回路２をオンする。送信する信号は、ＨＰ
Ａ１で増幅されＳＷ３を通過してアンテナより送信され
る。信号を受信する場合には、ＳＷ３を受信側に切り替
え、この切り替え信号を利用して負電圧発生回路用の電
源用スイッチ９を制御する。すなわち、ＳＷ３を受信側
に切り替え時には負電圧発生回路２をオフする。アンテ
ナからの受信信号は、ＳＷ３で受信回路側へ流れ、ＬＮ
Ａ４で増幅され、受信信号として受信される。この信号
は復調された後、音声信号へ変換され、スピーカを通し
て聞くことができる。
【００１５】本実施の形態によれば、実施の形態１と同
様の効果が得られると共に、さらにＳＷ３の切り替え信
号を利用して負電圧発生回路２の電源を制御しているの
で、負電圧発生回路用の電源用スイッチ９を制御する専
用の信号を不要とすることができる。これによりＩＣの
ピン数を低減でき、また、このＩＣを使用する場合の電
話機の基板上の配線を削減することができる。
様の効果が得られると共に、さらにＳＷ３の切り替え信
号を利用して負電圧発生回路２の電源を制御しているの
で、負電圧発生回路用の電源用スイッチ９を制御する専
用の信号を不要とすることができる。これによりＩＣの
ピン数を低減でき、また、このＩＣを使用する場合の電
話機の基板上の配線を削減することができる。
【００１６】実施の形態３．図３は、本発明の第３の実
施の形態であるＰＨＳ送信部のＧａＡｓ集積回路を示す
回路図である。図において、１１はＧａＡｓ基板上に集
積化されたＨＰＡの電源用スイッチ、１２はＨＰＡのゲ
ート電圧を検出してＨＰＡの電源用スイッチ１１を制御
する信号を生成する電圧検出制御回路である。本実施の
形態は、ＨＰＡの電源制御信号で負電圧発生回路２の電
源を制御し、負電圧発生回路２の出力が所定の値になっ
たことを検出してＨＰＡの電源スイッチ回路１１を動作
させるものである。なお、図中図１、２、９と同一およ
び相当部分には同一符号を付し説明を省略する。
施の形態であるＰＨＳ送信部のＧａＡｓ集積回路を示す
回路図である。図において、１１はＧａＡｓ基板上に集
積化されたＨＰＡの電源用スイッチ、１２はＨＰＡのゲ
ート電圧を検出してＨＰＡの電源用スイッチ１１を制御
する信号を生成する電圧検出制御回路である。本実施の
形態は、ＨＰＡの電源制御信号で負電圧発生回路２の電
源を制御し、負電圧発生回路２の出力が所定の値になっ
たことを検出してＨＰＡの電源スイッチ回路１１を動作
させるものである。なお、図中図１、２、９と同一およ
び相当部分には同一符号を付し説明を省略する。
【００１７】図４は、図３の電圧検出制御回路１２の構
成例を示したものである。図において１３は電圧検出用
インバータ回路、１４はアンド回路である。Ｎ１からＮ
４はそれぞれ各端子のノードを示している。ＨＰＡ１の
電源制御信号Ｎ１がＬの場合にはＮ４はＮ２に関係なく
Ｌとなり、図３のＨＰＡの電源用スイッチ１１はオフと
なり、ＨＰＡ１にドレイン電圧は与えられない。Ｎ１が
Ｈの場合には、負電圧発生回路２の出力Ｎ２が所定の電
圧より低くなりＬとなった時にＮ３はＨとなり、電源用
スイッチ１１はオンとなり、ＨＰＡ１にドレイン電圧が
与えられる。したがって、信号の送信時にＨＰＡ１の電
源制御信号がＨ（オン）になるとまず負電圧発生回路２
が動作してＨＰＡ１のゲート電圧に与えられる負電圧が
発生し、これが所定の電圧まで下がったことを検出した
のちＨＰＡの電源用スイッチ１１がオンしてＨＰＡ１に
電源が加えられる。
成例を示したものである。図において１３は電圧検出用
インバータ回路、１４はアンド回路である。Ｎ１からＮ
４はそれぞれ各端子のノードを示している。ＨＰＡ１の
電源制御信号Ｎ１がＬの場合にはＮ４はＮ２に関係なく
Ｌとなり、図３のＨＰＡの電源用スイッチ１１はオフと
なり、ＨＰＡ１にドレイン電圧は与えられない。Ｎ１が
Ｈの場合には、負電圧発生回路２の出力Ｎ２が所定の電
圧より低くなりＬとなった時にＮ３はＨとなり、電源用
スイッチ１１はオンとなり、ＨＰＡ１にドレイン電圧が
与えられる。したがって、信号の送信時にＨＰＡ１の電
源制御信号がＨ（オン）になるとまず負電圧発生回路２
が動作してＨＰＡ１のゲート電圧に与えられる負電圧が
発生し、これが所定の電圧まで下がったことを検出した
のちＨＰＡの電源用スイッチ１１がオンしてＨＰＡ１に
電源が加えられる。
【００１８】図５は、図４の電圧検出用インバータ回路
１３の構成例を示したものであり、１５と１６はデプレ
ション型ＦＥＴである。Ｗｇ１とＷｇ２はそれぞれデプ
レション型ＦＥＴ１５、１６のゲート幅を表している。
Ｗｇ１とＷｇ２は電圧検出用インバータ回路１３が検出
する電圧により決定され、その電圧が ０Ｖの時には Ｗｇ１＝Ｗｇ２であり、 ０Ｖ以上の場合には Ｗｇ１＜Ｗｇ２ ０Ｖ以下の場合には Ｗｇ１＞Ｗｇ２とする。 本実施の形態によれば、負電圧発生回路２とＨＰＡ１の
電源を制御する信号を共通化することができシステムを
構成するのが容易になる。
１３の構成例を示したものであり、１５と１６はデプレ
ション型ＦＥＴである。Ｗｇ１とＷｇ２はそれぞれデプ
レション型ＦＥＴ１５、１６のゲート幅を表している。
Ｗｇ１とＷｇ２は電圧検出用インバータ回路１３が検出
する電圧により決定され、その電圧が ０Ｖの時には Ｗｇ１＝Ｗｇ２であり、 ０Ｖ以上の場合には Ｗｇ１＜Ｗｇ２ ０Ｖ以下の場合には Ｗｇ１＞Ｗｇ２とする。 本実施の形態によれば、負電圧発生回路２とＨＰＡ１の
電源を制御する信号を共通化することができシステムを
構成するのが容易になる。
【００１９】実施の形態４．本発明の第１の実施の形態
において、ＬＮＡ４を構成するＦＥＴのしきい値電圧
（Ｖｔｈ）を−０. ５Ｖ以上とし、またＨＰＡ１では出
力電力密度の向上を図るためにＨＰＡ１を構成するＦＥ
Ｔのしきい値電圧（Ｖｔｈ）を−１Ｖ以下とする。これ
によりＬＮＡ４の電流はゲート電圧を０Ｖ以下にする必
要がなく、負電圧発生回路２をＬＮＡ４に関係なく動作
させることができる。
において、ＬＮＡ４を構成するＦＥＴのしきい値電圧
（Ｖｔｈ）を−０. ５Ｖ以上とし、またＨＰＡ１では出
力電力密度の向上を図るためにＨＰＡ１を構成するＦＥ
Ｔのしきい値電圧（Ｖｔｈ）を−１Ｖ以下とする。これ
によりＬＮＡ４の電流はゲート電圧を０Ｖ以下にする必
要がなく、負電圧発生回路２をＬＮＡ４に関係なく動作
させることができる。
【００２０】実施の形態５．図６は、本発明の第５の実
施の形態であるＰＨＳ送受信部のＧａＡｓ集積回路を示
す回路図である。図において、１７はアンテナスイッチ
（ＳＷ）３の制御を行う回路である。この回路は、ＨＰ
Ａ１の電源を検出してＳＷを切り替えるよう構成されて
いる。なお、図中同一および相当部分には同一符号を付
し説明を省略する。以上のように構成されたＧａＡｓ集
積回路を備えたＰＨＳでは、ＨＰＡ１の電源がオフの場
合はＳＷ３は全て受信側に切り替わっており、いつでも
受信することが可能である。ＨＰＡ１の電源がオンの場
合のみＳＷ３をＨＰＡ側に切り替え、送信することがで
きる。本実施の形態によれば、ＳＷ３切り替え用の専用
信号が不要となり、ＩＣの端子の低減とシステム基板の
配線の低減が可能となる。さらに、回路電流および消費
電力低減の効果もある。
施の形態であるＰＨＳ送受信部のＧａＡｓ集積回路を示
す回路図である。図において、１７はアンテナスイッチ
（ＳＷ）３の制御を行う回路である。この回路は、ＨＰ
Ａ１の電源を検出してＳＷを切り替えるよう構成されて
いる。なお、図中同一および相当部分には同一符号を付
し説明を省略する。以上のように構成されたＧａＡｓ集
積回路を備えたＰＨＳでは、ＨＰＡ１の電源がオフの場
合はＳＷ３は全て受信側に切り替わっており、いつでも
受信することが可能である。ＨＰＡ１の電源がオンの場
合のみＳＷ３をＨＰＡ側に切り替え、送信することがで
きる。本実施の形態によれば、ＳＷ３切り替え用の専用
信号が不要となり、ＩＣの端子の低減とシステム基板の
配線の低減が可能となる。さらに、回路電流および消費
電力低減の効果もある。
【００２１】実施の形態６．図７は、本発明の第６の実
施の形態であるＰＨＳ送受信部のＧａＡｓ集積回路を示
す回路図である。本実施の形態では、アンテナスイッチ
（ＳＷ）制御回路１７は、ＨＰＡ１の電源とＬＮＡ４の
電源を検出してＳＷを切り替えるよう構成されている。
以上のように構成されたＧａＡｓ集積回路を備えたＰＨ
Ｓでは、ＨＰＡ１とＬＮＡ４の電源が共にオフの場合は
ＳＷ３は送信側、受信側のどちらにも接続されておら
ず、ＨＰＡ１の電源がオンの場合にはＳＷ３をＨＰＡ側
に切り替え、送信が可能となる。また、ＬＮＡ４の電源
がオンの場合にはＳＷ３をＬＮＡ４側に切り替え、受信
可能となる。ＨＰＡ１、ＬＮＡ４共にオンの場合はシス
テム上生じないが、回路構成上はどちら側もオン状態と
なる。本実施の形態によれば、ＳＷ３切り替え用の専用
信号が不要となり、ＩＣの端子の低減とシステム基板の
配線の低減が可能となる。さらに、回路電流および消費
電力低減の効果もある。
施の形態であるＰＨＳ送受信部のＧａＡｓ集積回路を示
す回路図である。本実施の形態では、アンテナスイッチ
（ＳＷ）制御回路１７は、ＨＰＡ１の電源とＬＮＡ４の
電源を検出してＳＷを切り替えるよう構成されている。
以上のように構成されたＧａＡｓ集積回路を備えたＰＨ
Ｓでは、ＨＰＡ１とＬＮＡ４の電源が共にオフの場合は
ＳＷ３は送信側、受信側のどちらにも接続されておら
ず、ＨＰＡ１の電源がオンの場合にはＳＷ３をＨＰＡ側
に切り替え、送信が可能となる。また、ＬＮＡ４の電源
がオンの場合にはＳＷ３をＬＮＡ４側に切り替え、受信
可能となる。ＨＰＡ１、ＬＮＡ４共にオンの場合はシス
テム上生じないが、回路構成上はどちら側もオン状態と
なる。本実施の形態によれば、ＳＷ３切り替え用の専用
信号が不要となり、ＩＣの端子の低減とシステム基板の
配線の低減が可能となる。さらに、回路電流および消費
電力低減の効果もある。
【００２２】実施の形態７．図８は、本発明の第７の実
施の形態であるＰＨＳ送受信部のＧａＡｓ集積回路を示
す回路図である。本実施の形態は、複数チップのパッケ
ージ構成の一例を示したものである。図において、２０
は本実施の形態のマルチチップＩＣであり、２１はＧａ
Ａｓ基板で構成した回路、２２はＳｉ基板で構成した回
路である。３１〜３３は、回路２１と回路２２を接続す
るワイヤである。本実施の形態の構成では、負電圧発生
回路２、ＨＰＡの電源用スイッチ１１およびアンテナス
イッチ（ＳＷ）制御回路１７をＳｉ基板２２上に配置
し、ＨＰＡ１、ＳＷ３およびＬＮＡ４をＧａＡｓ基板２
１上に配置している。
施の形態であるＰＨＳ送受信部のＧａＡｓ集積回路を示
す回路図である。本実施の形態は、複数チップのパッケ
ージ構成の一例を示したものである。図において、２０
は本実施の形態のマルチチップＩＣであり、２１はＧａ
Ａｓ基板で構成した回路、２２はＳｉ基板で構成した回
路である。３１〜３３は、回路２１と回路２２を接続す
るワイヤである。本実施の形態の構成では、負電圧発生
回路２、ＨＰＡの電源用スイッチ１１およびアンテナス
イッチ（ＳＷ）制御回路１７をＳｉ基板２２上に配置
し、ＨＰＡ１、ＳＷ３およびＬＮＡ４をＧａＡｓ基板２
１上に配置している。
【００２３】以上のように、負電圧発生回路２をＬＮＡ
４やＨＰＡ１と別チップにすることで、負電圧発生回路
２が発生する雑音が基板を介して伝わるのを防ぐことが
できる。また、ＨＰＡの電源用スイッチ１１をＳｉ素子
で構成できるために、スイッチでの電圧低下の損失を抑
えることができる。さらに、１つのパッケージに封止し
ているために部品点数としては最小限に抑えることがで
きる。
４やＨＰＡ１と別チップにすることで、負電圧発生回路
２が発生する雑音が基板を介して伝わるのを防ぐことが
できる。また、ＨＰＡの電源用スイッチ１１をＳｉ素子
で構成できるために、スイッチでの電圧低下の損失を抑
えることができる。さらに、１つのパッケージに封止し
ているために部品点数としては最小限に抑えることがで
きる。
【図１】 この発明の一実施の形態であるＰＨＳの送受
信部を構成するＧａＡｓ集積回路を示す回路図である。
信部を構成するＧａＡｓ集積回路を示す回路図である。
【図２】 この発明の実施の形態２であるＰＨＳの送受
信部を構成するＧａＡｓ集積回路を示す回路図である。
信部を構成するＧａＡｓ集積回路を示す回路図である。
【図３】 この発明の実施の形態３であるＰＨＳの送信
部を構成するＧａＡｓ集積回路を示す回路図である。
部を構成するＧａＡｓ集積回路を示す回路図である。
【図４】 この発明の実施の形態３であるＧａＡｓ集積
回路を構成する電圧検出制御回路を示す回路図である。
回路を構成する電圧検出制御回路を示す回路図である。
【図５】 電圧検出制御回路を構成する電圧検出用イン
バータの例を示す回路図である。
バータの例を示す回路図である。
【図６】 この発明の実施の形態５であるＰＨＳの送受
信部を構成するＧａＡｓ集積回路を示す回路図である。
信部を構成するＧａＡｓ集積回路を示す回路図である。
【図７】 この発明の実施の形態６であるＰＨＳの送受
信部を構成するＧａＡｓ集積回路を示す回路図である。
信部を構成するＧａＡｓ集積回路を示す回路図である。
【図８】 この発明の実施の形態７であるＰＨＳの送受
信部を構成するマルチチップＩＣを示す回路図である。
信部を構成するマルチチップＩＣを示す回路図である。
【図９】 従来のＧａＡｓ集積回路を用いてＰＨＳの送
受信部を構成した回路図である。
受信部を構成した回路図である。
１ ＧａＡｓＩＣで構成された送信用電力増幅器（ＨＰ
Ａ）、２ 負電圧発生回路、３ アンテナ切り替えスイ
ッチ（ＳＷ）、４ 受信用低雑音増幅器（ＬＮＡ）、５
ＨＰＡの電源用スイッチ、６ ＬＮＡの電源用スイッ
チ、７ ＳｉＩＣで構成された制御ＬＳＩ、８ アンテ
ナ、９ 負電圧発生回路の電源用スイッチ、１０ 負電
圧発生回路の電源用スイッチの制御回路、１１ ＨＰＡ
の電源用スイッチ、１２ ＨＰＡの電源用スイッチの制
御回路（電圧検出制御回路）、１３ 電圧検出用インバ
ータ、１４ アンド回路、１５、１６ デプレッション
型のＧａＡｓ電界効果型トランジスタ（ＦＥＴ）、１７
スイッチ（ＳＷ）制御回路、２０ マルチチップＩ
Ｃ、２１ ＧａＡｓ基板上に構成された回路、２２ Ｓ
ｉ基板上に構成された回路、３１、３２、３３ ワイ
ヤ。
Ａ）、２ 負電圧発生回路、３ アンテナ切り替えスイ
ッチ（ＳＷ）、４ 受信用低雑音増幅器（ＬＮＡ）、５
ＨＰＡの電源用スイッチ、６ ＬＮＡの電源用スイッ
チ、７ ＳｉＩＣで構成された制御ＬＳＩ、８ アンテ
ナ、９ 負電圧発生回路の電源用スイッチ、１０ 負電
圧発生回路の電源用スイッチの制御回路、１１ ＨＰＡ
の電源用スイッチ、１２ ＨＰＡの電源用スイッチの制
御回路（電圧検出制御回路）、１３ 電圧検出用インバ
ータ、１４ アンド回路、１５、１６ デプレッション
型のＧａＡｓ電界効果型トランジスタ（ＦＥＴ）、１７
スイッチ（ＳＷ）制御回路、２０ マルチチップＩ
Ｃ、２１ ＧａＡｓ基板上に構成された回路、２２ Ｓ
ｉ基板上に構成された回路、３１、３２、３３ ワイ
ヤ。
Claims (7)
- 【請求項１】 送信用電力増幅器、受信用低雑音増幅器
および上記送信用電力増幅器の電流制御に必要な負電圧
を与える負電圧発生回路を備えたＧａＡｓ集積回路の回
路方式において、上記負電圧発生回路の電源端子と電源
用スイッチ回路を独立に設け、上記送信用電力増幅器の
動作時のみ上記負電圧発生回路を動作させるよう構成し
たこと特徴とするＧａＡｓ集積回路の回路方式。 - 【請求項２】 送信用電力増幅器とその電源端子、 上記送信用電力増幅器の電流制御に必要な負電圧を与え
る負電圧発生回路とその電源端子および電源用スイッチ
回路、 上記送信用電力増幅器の動作時のみ上記負電圧発生回路
を動作させるよう上記負電圧発生回路の電源用スイッチ
回路を制御する制御回路を備えたことを特徴とするＧａ
Ａｓ集積回路。 - 【請求項３】 アンテナを送信側または受信側に切り替
えるアンテナ切り替えスイッチ、 送信用電力増幅器とその電源端子、 受信用低雑音増幅器とその電源端子、 上記送信用電力増幅器の電流制御に必要な負電圧を与え
る負電圧発生回路とその電源端子および電源用スイッチ
回路、 上記アンテナのスイッチ切り替え信号により上記負電圧
発生回路の電源用スイッチ回路を制御する制御回路を備
え、送信時すなわち上記送信用電力増幅器の動作時のみ
上記負電圧発生回路を動作させるよう構成したことを特
徴とするＧａＡｓ集積回路。 - 【請求項４】 送信用電力増幅器とその電源端子および
電源用スイッチ回路、 上記送信用電力増幅器の電源を制御する送信用電力増幅
器電源制御信号により制御されるスイッチ回路を有し、
上記送信用電力増幅器の電流制御に必要な制御電圧を与
える負電圧発生回路とその電源端子、 上記負電圧発生回路の出力電圧を検出し、上記送信用電
力増幅器の電源用スイッチ回路を制御する送信用電力増
幅器電源用スイッチ制御回路を備え、上記負電圧発生回
路の出力が所定の電圧になったとき上記送信用電力増幅
器を動作させるよう構成したことを特徴とするＧａＡｓ
集積回路。 - 【請求項５】 アンテナを送信側または受信側に切り替
えるアンテナ切り替えスイッチ、 送信用電力増幅器とその電源端子、 受信用低雑音増幅器とその電源端子、 上記送信用電力増幅器の電流制御に必要な負電圧を与え
る負電圧発生回路とその電源端子、 上記送信用電力増幅器の電源を検出し、上記アンテナ切
り替えスイッチを切り替えるスイッチ制御回路を備えた
ことを特徴とするＧａＡｓ集積回路。 - 【請求項６】 アンテナを送信側または受信側に切り替
えるアンテナ切り替えスイッチ、 送信用電力増幅器とその電源端子、 受信用低雑音増幅器とその電源端子、 上記送信用電力増幅器の電流制御に必要な負電圧を与え
る負電圧発生回路とその電源端子、 上記送信用電力増幅器および受信用低雑音増幅器の電源
を検出し、上記アンテナ切り替えスイッチを切り替える
スイッチ制御回路を備えたことを特徴とするＧａＡｓ集
積回路。 - 【請求項７】 ＧａＡｓ基板上に形成されたアンテナ切
り替えスイッチ、送信用電力増幅器および受信用低雑音
増幅器、 Ｓｉ基板上に構成された、上記アンテナ切り替えスイッ
チを制御するスイッチ制御回路、上記送信用電力増幅器
の電源用スイッチ回路および上記送信用電力増幅器の電
流制御に必要な負電圧を与える負電圧発生回路、 上記ＧａＡｓ基板上の回路と上記Ｓｉ基板上の回路を接
続するワイヤを備え、上記すべての回路を１つのパッケ
ージに収納したことを特徴とする半導体集積回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24943595A JP3647519B2 (ja) | 1995-09-27 | 1995-09-27 | ＧａＡｓ集積回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24943595A JP3647519B2 (ja) | 1995-09-27 | 1995-09-27 | ＧａＡｓ集積回路 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0992785A true JPH0992785A (ja) | 1997-04-04 |
| JP3647519B2 JP3647519B2 (ja) | 2005-05-11 |
Family
ID=17192933
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24943595A Expired - Fee Related JP3647519B2 (ja) | 1995-09-27 | 1995-09-27 | ＧａＡｓ集積回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3647519B2 (ja) |
Cited By (17)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2002015274A1 (en) * | 2000-08-14 | 2002-02-21 | Niigata Seimitsu Co., Ltd. | Semiconductor device for communication |
| US7133652B2 (en) | 2001-03-21 | 2006-11-07 | Funkwerk Dabendorf Gmbh | Circuit arrangement for compensation of the damping in an antenna feed cable for a mobile radio device |
| US9184706B2 (en) | 2013-01-29 | 2015-11-10 | Tdk Corporation | High-frequency amplifier |
| US9831857B2 (en) | 2015-03-11 | 2017-11-28 | Peregrine Semiconductor Corporation | Power splitter with programmable output phase shift |
| US9948281B2 (en) | 2016-09-02 | 2018-04-17 | Peregrine Semiconductor Corporation | Positive logic digitally tunable capacitor |
| JP2019033366A (ja) * | 2017-08-08 | 2019-02-28 | 日本電信電話株式会社 | 無線送信機、無線受信機および無線通信システム |
| US10236872B1 (en) | 2018-03-28 | 2019-03-19 | Psemi Corporation | AC coupling modules for bias ladders |
| US10505530B2 (en) | 2018-03-28 | 2019-12-10 | Psemi Corporation | Positive logic switch with selectable DC blocking circuit |
| US10622990B2 (en) | 2005-07-11 | 2020-04-14 | Psemi Corporation | Method and apparatus for use in improving linearity of MOSFETs using an accumulated charge sink |
| US10622993B2 (en) | 2001-10-10 | 2020-04-14 | Psemi Corporation | Switch circuit and method of switching radio frequency signals |
| US10790390B2 (en) | 2005-07-11 | 2020-09-29 | Psemi Corporation | Method and apparatus for use in improving linearity of MOSFETs using an accumulated charge sink-harmonic wrinkle reduction |
| US10804892B2 (en) | 2005-07-11 | 2020-10-13 | Psemi Corporation | Circuit and method for controlling charge injection in radio frequency switches |
| US10818796B2 (en) | 2005-07-11 | 2020-10-27 | Psemi Corporation | Method and apparatus improving gate oxide reliability by controlling accumulated charge |
| US10886911B2 (en) | 2018-03-28 | 2021-01-05 | Psemi Corporation | Stacked FET switch bias ladders |
| US10951210B2 (en) | 2007-04-26 | 2021-03-16 | Psemi Corporation | Tuning capacitance to enhance FET stack voltage withstand |
| USRE48965E1 (en) | 2005-07-11 | 2022-03-08 | Psemi Corporation | Method and apparatus improving gate oxide reliability by controlling accumulated charge |
| US11476849B2 (en) | 2020-01-06 | 2022-10-18 | Psemi Corporation | High power positive logic switch |
-
1995
- 1995-09-27 JP JP24943595A patent/JP3647519B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (28)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2002015274A1 (en) * | 2000-08-14 | 2002-02-21 | Niigata Seimitsu Co., Ltd. | Semiconductor device for communication |
| US7133652B2 (en) | 2001-03-21 | 2006-11-07 | Funkwerk Dabendorf Gmbh | Circuit arrangement for compensation of the damping in an antenna feed cable for a mobile radio device |
| US10812068B2 (en) | 2001-10-10 | 2020-10-20 | Psemi Corporation | Switch circuit and method of switching radio frequency signals |
| US10797694B2 (en) | 2001-10-10 | 2020-10-06 | Psemi Corporation | Switch circuit and method of switching radio frequency signals |
| US10790820B2 (en) | 2001-10-10 | 2020-09-29 | Psemi Corporation | Switch circuit and method of switching radio frequency signals |
| US10622993B2 (en) | 2001-10-10 | 2020-04-14 | Psemi Corporation | Switch circuit and method of switching radio frequency signals |
| US10622990B2 (en) | 2005-07-11 | 2020-04-14 | Psemi Corporation | Method and apparatus for use in improving linearity of MOSFETs using an accumulated charge sink |
| US10818796B2 (en) | 2005-07-11 | 2020-10-27 | Psemi Corporation | Method and apparatus improving gate oxide reliability by controlling accumulated charge |
| US10804892B2 (en) | 2005-07-11 | 2020-10-13 | Psemi Corporation | Circuit and method for controlling charge injection in radio frequency switches |
| USRE48944E1 (en) | 2005-07-11 | 2022-02-22 | Psemi Corporation | Method and apparatus for use in improving linearity of MOSFETS using an accumulated charge sink |
| US10680600B2 (en) | 2005-07-11 | 2020-06-09 | Psemi Corporation | Method and apparatus for use in improving linearity of MOSFETs using an accumulated charge sink |
| USRE48965E1 (en) | 2005-07-11 | 2022-03-08 | Psemi Corporation | Method and apparatus improving gate oxide reliability by controlling accumulated charge |
| US10790390B2 (en) | 2005-07-11 | 2020-09-29 | Psemi Corporation | Method and apparatus for use in improving linearity of MOSFETs using an accumulated charge sink-harmonic wrinkle reduction |
| US10797172B2 (en) | 2005-07-11 | 2020-10-06 | Psemi Corporation | Method and apparatus for use in improving linearity of MOSFETs using an accumulated charge sink-harmonic wrinkle reduction |
| US10797691B1 (en) | 2005-07-11 | 2020-10-06 | Psemi Corporation | Method and apparatus for use in improving linearity of MOSFETs using an accumulated charge sink |
| US12520525B2 (en) | 2005-07-11 | 2026-01-06 | Psemi Corporation | Method and apparatus improving gate oxide reliability by controlling accumulated charge |
| US10951210B2 (en) | 2007-04-26 | 2021-03-16 | Psemi Corporation | Tuning capacitance to enhance FET stack voltage withstand |
| US9184706B2 (en) | 2013-01-29 | 2015-11-10 | Tdk Corporation | High-frequency amplifier |
| US9831857B2 (en) | 2015-03-11 | 2017-11-28 | Peregrine Semiconductor Corporation | Power splitter with programmable output phase shift |
| US9948281B2 (en) | 2016-09-02 | 2018-04-17 | Peregrine Semiconductor Corporation | Positive logic digitally tunable capacitor |
| JP2019033366A (ja) * | 2017-08-08 | 2019-02-28 | 日本電信電話株式会社 | 無線送信機、無線受信機および無線通信システム |
| US10505530B2 (en) | 2018-03-28 | 2019-12-10 | Psemi Corporation | Positive logic switch with selectable DC blocking circuit |
| US10236872B1 (en) | 2018-03-28 | 2019-03-19 | Psemi Corporation | AC coupling modules for bias ladders |
| US10862473B2 (en) | 2018-03-28 | 2020-12-08 | Psemi Corporation | Positive logic switch with selectable DC blocking circuit |
| US10886911B2 (en) | 2018-03-28 | 2021-01-05 | Psemi Corporation | Stacked FET switch bias ladders |
| US11018662B2 (en) | 2018-03-28 | 2021-05-25 | Psemi Corporation | AC coupling modules for bias ladders |
| US11418183B2 (en) | 2018-03-28 | 2022-08-16 | Psemi Corporation | AC coupling modules for bias ladders |
| US11476849B2 (en) | 2020-01-06 | 2022-10-18 | Psemi Corporation | High power positive logic switch |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3647519B2 (ja) | 2005-05-11 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3647519B2 (ja) | ＧａＡｓ集積回路 | |
| US5554892A (en) | Signal processing circuit for switch capable of reducing insertion loss | |
| EP0700169B1 (en) | Transmit-receive switch circuit for radiocommunication apparatus | |
| US7227415B2 (en) | High frequency power amplifier circuit and radio communication system | |
| EP1458112B1 (en) | High frequency switch circuit and mobile communication terminal device using the same | |
| US6341216B1 (en) | Transmitter-receiver circuit for radio communication and semiconductor integrated circuit device | |
| US7197284B2 (en) | Antenna switches including field effect transistors | |
| US20020055376A1 (en) | Power amplifier | |
| JPH1075195A (ja) | 半導体による送信−受信−切換えスイツチ | |
| JP2005072671A (ja) | 通信用電子部品および送受信切替え用半導体装置 | |
| US11496163B2 (en) | Radio frequency circuit, radio frequency module, and communication device | |
| JPH08510108A (ja) | デュアル周波数源選択を具備する無線アーキテクチャ | |
| EP1246363A2 (en) | High frequency switch circuit, and communications terminal using the same | |
| JP2006025062A (ja) | 高周波スイッチ回路 | |
| JPH08507192A (ja) | 無線電話装置で用いるのに適した増幅器 | |
| CN117595801A (zh) | 高频模块和通信装置 | |
| US6518855B1 (en) | Integrated circuit for mobile radio and mobile telephone installations | |
| CN100477509C (zh) | 无线通信频率信号放大装置及发送和接收装置 | |
| JP3494046B2 (ja) | Ｔｄｍａ／ｃｄｍａ共用通信端末 | |
| JP4841670B2 (ja) | 送受信回路 | |
| JPH09181642A (ja) | 通信端末装置 | |
| KR20040014575A (ko) | 반도체 집적 회로 | |
| CN109286417A (zh) | 通信单元 | |
| JPH10215128A (ja) | 伝送回路 | |
| KR20030016449A (ko) | 무선 송신기의 송신 전력 제어장치 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Effective date: 20040907 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 |
|
| A521 | Written amendment |
Effective date: 20041027 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20050208 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Effective date: 20050209 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |