JPH0995783A - スパッタ装置 - Google Patents
スパッタ装置Info
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- JPH0995783A JPH0995783A JP25760895A JP25760895A JPH0995783A JP H0995783 A JPH0995783 A JP H0995783A JP 25760895 A JP25760895 A JP 25760895A JP 25760895 A JP25760895 A JP 25760895A JP H0995783 A JPH0995783 A JP H0995783A
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- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 自動化されたスパッタ装置で半導体ウェハを
搬送する時、基板ホルダーに堆積した成膜物質が半導体
ウェハ裏面に付着しないようにする。 【解決手段】 基板ホルダー１４の半導体ウェハ載置部
２８を、半導体ウェハ１２のオリエンテーションフラッ
ト部１２ａがセットされる位置に対応した部分で、オリ
エンテーションフラット部１２ａとほぼ平行で、約１ｍ
ｍ内側のラインで除去した概略リング形状の構造とす
る。 【効果】 半導体ウェハ裏面に付着した成膜物質による
半導体ウェハの汚染が無くなり、半導体製造歩留が向上
する。
搬送する時、基板ホルダーに堆積した成膜物質が半導体
ウェハ裏面に付着しないようにする。 【解決手段】 基板ホルダー１４の半導体ウェハ載置部
２８を、半導体ウェハ１２のオリエンテーションフラッ
ト部１２ａがセットされる位置に対応した部分で、オリ
エンテーションフラット部１２ａとほぼ平行で、約１ｍ
ｍ内側のラインで除去した概略リング形状の構造とす
る。 【効果】 半導体ウェハ裏面に付着した成膜物質による
半導体ウェハの汚染が無くなり、半導体製造歩留が向上
する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体製造装置のス
パッタ装置に関し、さらに詳しくは、スパッタ装置の基
板ホルダーの構造に関する。
パッタ装置に関し、さらに詳しくは、スパッタ装置の基
板ホルダーの構造に関する。
【０００２】
【従来の技術】最近、半導体集積回路の電極膜形成用に
スパッタ装置が多用され、このスパッタ装置の自動化の
進歩は顕著である。一例として、現在の自動化されたス
パッタ装置の概略構成は、半導体ウェハのカセットをロ
ーデング（Ｌ）したり、アンローデング（Ｕ）したりす
る予備排気室のＬ／Ｕチャンバー部、ローデングした半
導体ウェハやスパッタ処理終了後の半導体ウェハを一時
保管するチャンバー部、半導体ウェハをプラズマクリー
ニングするクリーニングチャンバー部およびスパッタチ
ャンバー部の４個の真空チャンバー部構成となってお
り、これら４個の真空チャンバー部間はゲートバルブで
分離され、半導体ウェハはベルト搬送等により自動的に
搬送される。
スパッタ装置が多用され、このスパッタ装置の自動化の
進歩は顕著である。一例として、現在の自動化されたス
パッタ装置の概略構成は、半導体ウェハのカセットをロ
ーデング（Ｌ）したり、アンローデング（Ｕ）したりす
る予備排気室のＬ／Ｕチャンバー部、ローデングした半
導体ウェハやスパッタ処理終了後の半導体ウェハを一時
保管するチャンバー部、半導体ウェハをプラズマクリー
ニングするクリーニングチャンバー部およびスパッタチ
ャンバー部の４個の真空チャンバー部構成となってお
り、これら４個の真空チャンバー部間はゲートバルブで
分離され、半導体ウェハはベルト搬送等により自動的に
搬送される。
【０００３】上述した従来例の自動化されたスパッタ装
置で、スパッタチャンバー部付近の概略断面図を示した
のが図４で、この図を参照してスパッタチャンバー部付
近の説明をする。スパッタチャンバー部１はクリーニン
グチャンバー部２とゲートバルブ１１にて分離されてい
る。半導体ウェハ１２をスパッタ処理する時は、ゲート
バルブ１１を開け、クリーニングチャンバー部２よりス
パッタチャンバー部１へ、ベルト搬送機構の搬送ベルト
１３ａ、１３ｂ、１３ｃで搬送され、基板ホルダー１４
に設置される。その後ゲートバルブ１１が閉じ、基板ホ
ルダー１４は垂直に立てられ、回転機構（図面省略）に
より回転してスパッタ処理部３に移動する。スパッタ処
理部３には、Ａｌ、Ｗ、Ｔｉ等の成膜物質供給源のター
ゲット１５が基板ホルダー１４と対向した形で配置され
ている。このスパッタ処理部３でスパッタ処理された半
導体ウェハ１２を載置した基板ホルダー１４は、回転機
構により回転して元の位置に戻り、その後基板ホルダー
１４は水平に倒される。次に、ゲートバルブ１１が開
き、半導体ウェハ１２はベルト搬送機構の搬送ベルト１
３ｃ、１３ｂ、１３ａで搬送され、スパッタチャンバー
部１からクリーニングチャンバー部２へと送られる。
置で、スパッタチャンバー部付近の概略断面図を示した
のが図４で、この図を参照してスパッタチャンバー部付
近の説明をする。スパッタチャンバー部１はクリーニン
グチャンバー部２とゲートバルブ１１にて分離されてい
る。半導体ウェハ１２をスパッタ処理する時は、ゲート
バルブ１１を開け、クリーニングチャンバー部２よりス
パッタチャンバー部１へ、ベルト搬送機構の搬送ベルト
１３ａ、１３ｂ、１３ｃで搬送され、基板ホルダー１４
に設置される。その後ゲートバルブ１１が閉じ、基板ホ
ルダー１４は垂直に立てられ、回転機構（図面省略）に
より回転してスパッタ処理部３に移動する。スパッタ処
理部３には、Ａｌ、Ｗ、Ｔｉ等の成膜物質供給源のター
ゲット１５が基板ホルダー１４と対向した形で配置され
ている。このスパッタ処理部３でスパッタ処理された半
導体ウェハ１２を載置した基板ホルダー１４は、回転機
構により回転して元の位置に戻り、その後基板ホルダー
１４は水平に倒される。次に、ゲートバルブ１１が開
き、半導体ウェハ１２はベルト搬送機構の搬送ベルト１
３ｃ、１３ｂ、１３ａで搬送され、スパッタチャンバー
部１からクリーニングチャンバー部２へと送られる。
【０００４】ここで、半導体ウェハ１２がスパッタチャ
ンバー部１に搬送されて、基板ホルダー１４に半導体ウ
ェハ１２が設置された状態での、基板ホルダー１４近傍
の概略平面図（図５）と、この図のＡ−Ａ部における半
導体ウェハ１２を載せた基板ホルダーの概略断面図（図
６）を参照し、基板ホルダー１４の構造と半導体ウェハ
１２の搬送とに関する説明をする。まず、図５に示すよ
うに、基板ホルダー１４は基板ホルダー押さえアーム２
１で支持されており、この基板ホルダー押さえアーム２
１は基板ホルダー１４を垂直または水平にする機構（図
面省略）と接続している。半導体ウェハ１２のオリエン
テーションフラット部１２ａを搬送方向の後方にした半
導体ウェハ１２が、搬送ベルト１３ｂ、１３ｃにより基
板ホルダー１４に送られてくると、半導体ウェハストッ
パー２２が、基板ホルダー１４の方に移動し、送られて
きた半導体ウェハ１４を基板ホルダー１４部の半導体ウ
ェハ載置部２３の定位置に止め、その後半導体ウェハ押
さえ部２４にて半導体ウェハ１２を基板ホルダー１４部
の半導体ウェハ載置部２３に押さえつけて保持する。そ
の後、半導体ウェハ１２がスパッタ処理され、この位置
に戻ってくると、まず始めに、半導体ウェハ押さえ部２
４が半導体ウェハ１２より離れ、その後半導体ウェハ突
き出しピン２５が、基板ホルダー１４と半導体ウェハ載
置部２３に設けられた突き出しピンのガイド溝２６に沿
って移動し、半導体ウェハ１２を半導体ウェハのオリエ
ンテーションフラット部１２ａの方向に少し押し出し、
続いて半導体ウェハ１２は、搬送ベルト１３ｃ、１３ｂ
により、スパッタチャンバー部１からクリーニングチャ
ンバー部２へと送られる。
ンバー部１に搬送されて、基板ホルダー１４に半導体ウ
ェハ１２が設置された状態での、基板ホルダー１４近傍
の概略平面図（図５）と、この図のＡ−Ａ部における半
導体ウェハ１２を載せた基板ホルダーの概略断面図（図
６）を参照し、基板ホルダー１４の構造と半導体ウェハ
１２の搬送とに関する説明をする。まず、図５に示すよ
うに、基板ホルダー１４は基板ホルダー押さえアーム２
１で支持されており、この基板ホルダー押さえアーム２
１は基板ホルダー１４を垂直または水平にする機構（図
面省略）と接続している。半導体ウェハ１２のオリエン
テーションフラット部１２ａを搬送方向の後方にした半
導体ウェハ１２が、搬送ベルト１３ｂ、１３ｃにより基
板ホルダー１４に送られてくると、半導体ウェハストッ
パー２２が、基板ホルダー１４の方に移動し、送られて
きた半導体ウェハ１４を基板ホルダー１４部の半導体ウ
ェハ載置部２３の定位置に止め、その後半導体ウェハ押
さえ部２４にて半導体ウェハ１２を基板ホルダー１４部
の半導体ウェハ載置部２３に押さえつけて保持する。そ
の後、半導体ウェハ１２がスパッタ処理され、この位置
に戻ってくると、まず始めに、半導体ウェハ押さえ部２
４が半導体ウェハ１２より離れ、その後半導体ウェハ突
き出しピン２５が、基板ホルダー１４と半導体ウェハ載
置部２３に設けられた突き出しピンのガイド溝２６に沿
って移動し、半導体ウェハ１２を半導体ウェハのオリエ
ンテーションフラット部１２ａの方向に少し押し出し、
続いて半導体ウェハ１２は、搬送ベルト１３ｃ、１３ｂ
により、スパッタチャンバー部１からクリーニングチャ
ンバー部２へと送られる。
【０００５】なお、図５におけるＡ−Ａ部での概略断面
は図６のようになっている。即ち、図６（ａ）に示すよ
うに、基板ホルダー１４部には、半導体ウェハ１２径よ
り少し小さいリング形状で、このリング形状の内径が半
導体ウェハ１３の理収部を囲む円程度のリング形状の半
導体ウェハ載置部２３が設けられており、半導体ウェハ
１２は半導体ウェハ載置部２３とほぼ中心を一致させた
状態にて保持されるようになっている。しかしながら、
半導体ウェハのオリエンテーションフラット部１２ａが
セットされる位置の半導体ウェハ載置部２３の一部分は
半導体ウェハ１２より外側となってしまう。この半導体
ウェハのオリエンテーションフラット部１２ａが基板ホ
ルダー１４に載置される付近部分、即ち、図６（ａ）の
一点鎖線で囲んだ部分Ｐを拡大して示したのが図６
（ｂ）である。なお、この図６（ｂ）は、何度もスパッ
タ処理が行われた後の状態を示していて、半導体ウェハ
のオリエンテーションフラット部１２ａより外側の半導
体ウェハ載置部２３表面と側壁、および基板ホルダーの
表面の一部には、何度もスパッタ処理が行われて出来た
Ａｌ、Ｗ、Ｔｉ等の成膜物質の堆積膜２７が厚く堆積し
ている。
は図６のようになっている。即ち、図６（ａ）に示すよ
うに、基板ホルダー１４部には、半導体ウェハ１２径よ
り少し小さいリング形状で、このリング形状の内径が半
導体ウェハ１３の理収部を囲む円程度のリング形状の半
導体ウェハ載置部２３が設けられており、半導体ウェハ
１２は半導体ウェハ載置部２３とほぼ中心を一致させた
状態にて保持されるようになっている。しかしながら、
半導体ウェハのオリエンテーションフラット部１２ａが
セットされる位置の半導体ウェハ載置部２３の一部分は
半導体ウェハ１２より外側となってしまう。この半導体
ウェハのオリエンテーションフラット部１２ａが基板ホ
ルダー１４に載置される付近部分、即ち、図６（ａ）の
一点鎖線で囲んだ部分Ｐを拡大して示したのが図６
（ｂ）である。なお、この図６（ｂ）は、何度もスパッ
タ処理が行われた後の状態を示していて、半導体ウェハ
のオリエンテーションフラット部１２ａより外側の半導
体ウェハ載置部２３表面と側壁、および基板ホルダーの
表面の一部には、何度もスパッタ処理が行われて出来た
Ａｌ、Ｗ、Ｔｉ等の成膜物質の堆積膜２７が厚く堆積し
ている。
【０００６】この図６のような基板ホルダー１４構造
で、上記のような自動化されたスパッタ装置において
は、半導体ウェハ１２をクリーンチャンバー２に向け送
り出す時に、上述した如く、半導体ウェハ突き出しピン
２５と搬送ベルトで移動させるため、半導体ウェハ載置
部２３表面に厚く堆積したＡｌ、Ｗ、Ｔｉ等の堆積膜２
７と半導体ウェハ１２裏面が擦れて、半導体ウェハ１２
裏面にＡｌ、Ｗ、Ｔｉ等が付着する。この半導体ウェハ
裏面に付着したＡｌ、Ｗ、Ｔｉ等は、スパッタ工程以後
の熱処理工程で半導体ウェハ１２内に拡散し、半導体デ
バイスの特性劣化を引き起して製造歩留を低下させる。
また、半導体ウェハ裏面に付着したＡｌ、Ｗ、Ｔｉ等
は、次工程以降で半導体製造装置を汚染させ、この汚染
された半導体製造装置を使用して製造した半導体装置の
製造歩留低下要因ともなる。
で、上記のような自動化されたスパッタ装置において
は、半導体ウェハ１２をクリーンチャンバー２に向け送
り出す時に、上述した如く、半導体ウェハ突き出しピン
２５と搬送ベルトで移動させるため、半導体ウェハ載置
部２３表面に厚く堆積したＡｌ、Ｗ、Ｔｉ等の堆積膜２
７と半導体ウェハ１２裏面が擦れて、半導体ウェハ１２
裏面にＡｌ、Ｗ、Ｔｉ等が付着する。この半導体ウェハ
裏面に付着したＡｌ、Ｗ、Ｔｉ等は、スパッタ工程以後
の熱処理工程で半導体ウェハ１２内に拡散し、半導体デ
バイスの特性劣化を引き起して製造歩留を低下させる。
また、半導体ウェハ裏面に付着したＡｌ、Ｗ、Ｔｉ等
は、次工程以降で半導体製造装置を汚染させ、この汚染
された半導体製造装置を使用して製造した半導体装置の
製造歩留低下要因ともなる。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、上述したス
パッタ装置における問題を解決することをその目的とす
る。即ち本発明の課題は、自動化されたスパッタ装置に
おける基板ホルダーの半導体ウェハ載置部表面に堆積し
た成膜物質と半導体ウェハとが擦れ、半導体ウェハ裏面
に成膜物質が付着し、この付着した成膜物質による製造
歩留低下という問題を解決することである。
パッタ装置における問題を解決することをその目的とす
る。即ち本発明の課題は、自動化されたスパッタ装置に
おける基板ホルダーの半導体ウェハ載置部表面に堆積し
た成膜物質と半導体ウェハとが擦れ、半導体ウェハ裏面
に成膜物質が付着し、この付着した成膜物質による製造
歩留低下という問題を解決することである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明のスパッタ装置
は、上述の課題を解決するために提案するものであり、
半導体ウェハを自動搬送する搬送装置を有し、成膜物質
供給源のターゲットと自動搬送する搬送装置の搬送ベル
トが配置されるためにリング形状をした基板ホルダーと
を有するスパッタ装置にあって、基板ホルダーの半導体
ウェハ載置部を、半導体ウェハの周縁部より内側となる
位置に配置する構造とした基板ホルダーを有することを
特徴とするものである。
は、上述の課題を解決するために提案するものであり、
半導体ウェハを自動搬送する搬送装置を有し、成膜物質
供給源のターゲットと自動搬送する搬送装置の搬送ベル
トが配置されるためにリング形状をした基板ホルダーと
を有するスパッタ装置にあって、基板ホルダーの半導体
ウェハ載置部を、半導体ウェハの周縁部より内側となる
位置に配置する構造とした基板ホルダーを有することを
特徴とするものである。
【０００９】また、本発明のスパッタ装置は、基板ホル
ダーの半導体ウェハ載置部を、半導体ウェハのオリエン
テーションフラット部のセットされる位置で、半導体ウ
ェハのオリエンテーションフラット部と略平行の内側の
ラインで削除した、略リング形状の構造としたことを特
徴とするものである。更に、本発明のスパッタ装置は、
基板ホルダーの半導体ウェハ載置部を、半導体ウェハの
オリエンテーションフラット部がセットされる位置で、
半導体ウェハのオリエンテーションフラット部の長さと
略同じ長さで除去し、略リング形状の構造としたことを
特徴とするものである。更にまた、本発明のスパッタ装
置は、基板ホルダーの半導体ウェハ載置部を、半導体ウ
ェハのオリエンテーションフラット部がセットされる位
置を除いて、略等間隔の複数箇所で半導体ウェハを載置
する構造としたことを特徴とするものである。
ダーの半導体ウェハ載置部を、半導体ウェハのオリエン
テーションフラット部のセットされる位置で、半導体ウ
ェハのオリエンテーションフラット部と略平行の内側の
ラインで削除した、略リング形状の構造としたことを特
徴とするものである。更に、本発明のスパッタ装置は、
基板ホルダーの半導体ウェハ載置部を、半導体ウェハの
オリエンテーションフラット部がセットされる位置で、
半導体ウェハのオリエンテーションフラット部の長さと
略同じ長さで除去し、略リング形状の構造としたことを
特徴とするものである。更にまた、本発明のスパッタ装
置は、基板ホルダーの半導体ウェハ載置部を、半導体ウ
ェハのオリエンテーションフラット部がセットされる位
置を除いて、略等間隔の複数箇所で半導体ウェハを載置
する構造としたことを特徴とするものである。
【００１０】本発明の骨子は、基板ホルダーの半導体ウ
ェハ載置部を半導体ウェハ周縁部より内側で、半導体ウ
ェハ周縁部に配置した構造とすることで、半導体ウェハ
載置部が半導体ウェハの理収部内に配置されることを可
能な範囲で避けた半導体ウェハ載置部構造とした上で、
スパッタ処理時の成膜物質が半導体ウェハ載置部に堆積
しないような構造とすることにある。この様にすること
で、半導体ウェハ裏面への成膜物質付着を防止すること
が可能となる。
ェハ載置部を半導体ウェハ周縁部より内側で、半導体ウ
ェハ周縁部に配置した構造とすることで、半導体ウェハ
載置部が半導体ウェハの理収部内に配置されることを可
能な範囲で避けた半導体ウェハ載置部構造とした上で、
スパッタ処理時の成膜物質が半導体ウェハ載置部に堆積
しないような構造とすることにある。この様にすること
で、半導体ウェハ裏面への成膜物質付着を防止すること
が可能となる。
【００１１】
【発明の実施の形態】以下、本発明の具体的実施の形態
例につき、添付図面を参照して説明する。なお従来技術
の説明で参照した図４〜６中の構成部分と同様の構成部
分には、同一の参照符号を付すものとする。
例につき、添付図面を参照して説明する。なお従来技術
の説明で参照した図４〜６中の構成部分と同様の構成部
分には、同一の参照符号を付すものとする。
【００１２】実施の形態例１ 本実施の形態例１はスパッタ装置に本発明を適用した例
であり、図１を参照にして説明する。なお、本発明の自
動化された平行平板型のスパッタ装置の概略基本構成
は、従来例にて説明したものと同様なので説明を省略す
る。図１（ａ）は、本発明のスパッタ装置に用いた基板
ホルダー１４に半導体ウェハ１２が載置された状態での
概略平面図である。基板ホルダー１４には、半導体ウェ
ハ載置部２８、半導体ウェハ抑え部２４、突き出しピン
のガイド溝２６が設けられてる。半導体ウェハ載置部２
８は半導体ウェハの周囲より約１ｍｍ内側に設けられた
略リング形状の構造で、半導体ウェハ１２のオリエンテ
ーションフラット部１２ａがセットされる位置に対応し
た半導体ウェハ載置部２８は、オリエンテーションフラ
ット部１２ａとほぼ平行で、約１ｍｍ内側のラインで従
来例の半導体ウェハ載置部２３を除去した構造となって
いる。
であり、図１を参照にして説明する。なお、本発明の自
動化された平行平板型のスパッタ装置の概略基本構成
は、従来例にて説明したものと同様なので説明を省略す
る。図１（ａ）は、本発明のスパッタ装置に用いた基板
ホルダー１４に半導体ウェハ１２が載置された状態での
概略平面図である。基板ホルダー１４には、半導体ウェ
ハ載置部２８、半導体ウェハ抑え部２４、突き出しピン
のガイド溝２６が設けられてる。半導体ウェハ載置部２
８は半導体ウェハの周囲より約１ｍｍ内側に設けられた
略リング形状の構造で、半導体ウェハ１２のオリエンテ
ーションフラット部１２ａがセットされる位置に対応し
た半導体ウェハ載置部２８は、オリエンテーションフラ
ット部１２ａとほぼ平行で、約１ｍｍ内側のラインで従
来例の半導体ウェハ載置部２３を除去した構造となって
いる。
【００１３】図１（ａ）のＢ−Ｂ部での概略断面図を示
したのが図１（ｂ）である。半導体ウェハ１２のオリエ
ンテーションフラット部１２ａも含めた周囲より内側に
半導体ウェハ載置部２８があるため、スパッタ処理時に
Ａｌ、Ｗ、Ｔｉ等の成膜物質は半導体ウェハ載置部２８
に堆積しない。また、何度もスパッタ処理を行うと、Ａ
ｌ、Ｗ、Ｔｉ等の成膜物質は、図１（ｂ）に示すよう
に、基板ホルダー１４の表面の一部に堆積し続け、厚い
堆積膜２７となる。この堆積膜２７の膜厚が増加し、堆
積膜２７の表面が半導体ウェハ載置部２８の表面と同じ
高さになるまでは、半導体ウェハ１２の搬送時に、半導
体ウェハ１２裏面に堆積膜２７の成膜物質が付着せず、
従って半導体ウェハ１２への汚染等が避けられ、製造歩
留が向上する。
したのが図１（ｂ）である。半導体ウェハ１２のオリエ
ンテーションフラット部１２ａも含めた周囲より内側に
半導体ウェハ載置部２８があるため、スパッタ処理時に
Ａｌ、Ｗ、Ｔｉ等の成膜物質は半導体ウェハ載置部２８
に堆積しない。また、何度もスパッタ処理を行うと、Ａ
ｌ、Ｗ、Ｔｉ等の成膜物質は、図１（ｂ）に示すよう
に、基板ホルダー１４の表面の一部に堆積し続け、厚い
堆積膜２７となる。この堆積膜２７の膜厚が増加し、堆
積膜２７の表面が半導体ウェハ載置部２８の表面と同じ
高さになるまでは、半導体ウェハ１２の搬送時に、半導
体ウェハ１２裏面に堆積膜２７の成膜物質が付着せず、
従って半導体ウェハ１２への汚染等が避けられ、製造歩
留が向上する。
【００１４】実施の形態例２ 本実施の形態例２は平行平板型のスパッタ装置に本発明
を適用した例であり、図２を参照にして説明する。図２
（ａ）は、本発明のスパッタ装置に用いた基板ホルダー
１４に半導体ウェハ１２が載置された状態での概略平面
図であり、図２（ｂ）は、図２（ａ）のＣ−Ｃ部におけ
る概略断面図である。基板ホルダー１４には、半導体ウ
ェハ載置部２９、半導体ウェハ抑え部２４、突き出しピ
ンのガイド溝２６が設けられてる。半導体ウェハ載置部
２９は、半導体ウェハの周囲より約１ｍｍ内側に設けら
れた略半リング形状の構造で、従来例のリング形状の半
導体ウェハ載置部２３と比較すると、半導体ウェハ１２
のオリエンテーションフラット部１２ａがセットされる
位置に対応した従来例の半導体ウェハ載置部２３を、オ
リエンテーションフラット部１２ａの長さとほぼ同じ長
さで除去した構造となっている。
を適用した例であり、図２を参照にして説明する。図２
（ａ）は、本発明のスパッタ装置に用いた基板ホルダー
１４に半導体ウェハ１２が載置された状態での概略平面
図であり、図２（ｂ）は、図２（ａ）のＣ−Ｃ部におけ
る概略断面図である。基板ホルダー１４には、半導体ウ
ェハ載置部２９、半導体ウェハ抑え部２４、突き出しピ
ンのガイド溝２６が設けられてる。半導体ウェハ載置部
２９は、半導体ウェハの周囲より約１ｍｍ内側に設けら
れた略半リング形状の構造で、従来例のリング形状の半
導体ウェハ載置部２３と比較すると、半導体ウェハ１２
のオリエンテーションフラット部１２ａがセットされる
位置に対応した従来例の半導体ウェハ載置部２３を、オ
リエンテーションフラット部１２ａの長さとほぼ同じ長
さで除去した構造となっている。
【００１５】半導体ウェハ載置部２９を上記のような構
造とすることで、半導体ウェハ載置部２９上にはスパッ
タ処理時の成膜物質が堆積しない。また、何度もスパッ
タ処理を行うと、Ａｌ、Ｗ、Ｔｉ等の成膜物質は、図２
（ｂ）に示すように、基板ホルダー１４の表面の一部に
堆積し続け、厚い堆積膜２７となる。この堆積膜２７の
膜厚が増加し、堆積膜２７の表面が半導体ウェハ載置部
２８の表面と同じ高さになるまでは、半導体ウェハ１２
の搬送時に、半導体ウェハ１２裏面に堆積膜２７の成膜
物質が付着せず、従って半導体ウェハ１３への汚染等が
避けられ、製造歩留が向上する。
造とすることで、半導体ウェハ載置部２９上にはスパッ
タ処理時の成膜物質が堆積しない。また、何度もスパッ
タ処理を行うと、Ａｌ、Ｗ、Ｔｉ等の成膜物質は、図２
（ｂ）に示すように、基板ホルダー１４の表面の一部に
堆積し続け、厚い堆積膜２７となる。この堆積膜２７の
膜厚が増加し、堆積膜２７の表面が半導体ウェハ載置部
２８の表面と同じ高さになるまでは、半導体ウェハ１２
の搬送時に、半導体ウェハ１２裏面に堆積膜２７の成膜
物質が付着せず、従って半導体ウェハ１３への汚染等が
避けられ、製造歩留が向上する。
【００１６】実施の形態例３ 本実施の形態例３は平行平板型のスパッタ装置に本発明
を適用した例であり、図３を参照にして説明する。図３
（ａ）は、本発明のスパッタ装置に用いた基板ホルダー
１４に半導体ウェハ１２が載置された状態での概略平面
図であり、図３（ｂ）は、図３（ａ）のＤ−Ｄ部におけ
る概略断面図である。基板ホルダー１４には、１１個の
半導体ウェハ載置部３０ａ〜３０ｋ、半導体ウェハ抑え
部２４、突き出しピンのガイド溝２６が設けられてる。
この１１個の半導体ウェハ載置部３０ａ〜３０ｋは、
リング形状の従来例の半導体ウェハ載置部２３を略一定
の長さで略等間隔に除去し、更に半導体ウェハ１２のオ
リエンテーションフラット部１２ａ直下に対応する従来
例の半導体ウェハ載置部２３を除去して形成した構造と
なっている。半導体ウェハ載置部３０ａ〜３０ｋを略等
間隔で配置する理由は、半導体ウェハ１２の安定保持
と、スパッタ処理時の半導体ウェハ１３の放熱を出来る
だけ均一にしてスパッタ処理時の成膜の均質性とを確保
するためである。
を適用した例であり、図３を参照にして説明する。図３
（ａ）は、本発明のスパッタ装置に用いた基板ホルダー
１４に半導体ウェハ１２が載置された状態での概略平面
図であり、図３（ｂ）は、図３（ａ）のＤ−Ｄ部におけ
る概略断面図である。基板ホルダー１４には、１１個の
半導体ウェハ載置部３０ａ〜３０ｋ、半導体ウェハ抑え
部２４、突き出しピンのガイド溝２６が設けられてる。
この１１個の半導体ウェハ載置部３０ａ〜３０ｋは、
リング形状の従来例の半導体ウェハ載置部２３を略一定
の長さで略等間隔に除去し、更に半導体ウェハ１２のオ
リエンテーションフラット部１２ａ直下に対応する従来
例の半導体ウェハ載置部２３を除去して形成した構造と
なっている。半導体ウェハ載置部３０ａ〜３０ｋを略等
間隔で配置する理由は、半導体ウェハ１２の安定保持
と、スパッタ処理時の半導体ウェハ１３の放熱を出来る
だけ均一にしてスパッタ処理時の成膜の均質性とを確保
するためである。
【００１７】半導体ウェハ載置部３０ａ〜３０ｋを上記
のような構造とすることで、半導体ウェハ載置部３０ａ
〜３０ｋ上にはスパッタ処理時の成膜物質が堆積しな
い。また、何度もスパッタ処理を行うと、Ａｌ等の成膜
物質は、図３（ｂ）に示すように、基板ホルダー１４の
表面の一部に堆積し続け、厚い堆積膜２７となる。この
堆積膜２７の膜厚が増加し、堆積膜２７の表面が半導体
ウェハ載置部２８の表面と同じ高さになるまでは、半導
体ウェハ１２の搬送時に、半導体ウェハ１２裏面に堆積
膜２７の成膜物質が付着せず、従って半導体ウェハ１３
への汚染等が避けられ、製造歩留が向上する。上記の実
施の形態例はいずれも平行平板型のスパッタ装置につい
て記したが、イオンビームスパッタ装置、ＥＣＲスパッ
タ装置等にも適用できることは言うまでのない。
のような構造とすることで、半導体ウェハ載置部３０ａ
〜３０ｋ上にはスパッタ処理時の成膜物質が堆積しな
い。また、何度もスパッタ処理を行うと、Ａｌ等の成膜
物質は、図３（ｂ）に示すように、基板ホルダー１４の
表面の一部に堆積し続け、厚い堆積膜２７となる。この
堆積膜２７の膜厚が増加し、堆積膜２７の表面が半導体
ウェハ載置部２８の表面と同じ高さになるまでは、半導
体ウェハ１２の搬送時に、半導体ウェハ１２裏面に堆積
膜２７の成膜物質が付着せず、従って半導体ウェハ１３
への汚染等が避けられ、製造歩留が向上する。上記の実
施の形態例はいずれも平行平板型のスパッタ装置につい
て記したが、イオンビームスパッタ装置、ＥＣＲスパッ
タ装置等にも適用できることは言うまでのない。
【００１８】
【発明の効果】以上の説明から明らかなように、本発明
の基板ホルダーを有する自動化されたスパッタ装置で
は、基板ホルダーからの半導体ウェハを搬送する際に、
半導体ウェハ裏面に成膜物質が付着しないので、従来の
ように付着した成膜物質が、半導体ウェハ内に拡散し、
半導体デバイスの特性劣化を引き起して製造歩留を低下
させたり、また付着した成膜物質が、次工程以降で半導
体製造装置を汚染させ、この汚染された半導体製造装置
を使用した半導体装置の製造歩留を低下させたりするこ
とがない。従って本発明の基板ホルダーを有する自動化
されたスパッタ装置を使用せれば、製造歩留が向上す
る。
の基板ホルダーを有する自動化されたスパッタ装置で
は、基板ホルダーからの半導体ウェハを搬送する際に、
半導体ウェハ裏面に成膜物質が付着しないので、従来の
ように付着した成膜物質が、半導体ウェハ内に拡散し、
半導体デバイスの特性劣化を引き起して製造歩留を低下
させたり、また付着した成膜物質が、次工程以降で半導
体製造装置を汚染させ、この汚染された半導体製造装置
を使用した半導体装置の製造歩留を低下させたりするこ
とがない。従って本発明の基板ホルダーを有する自動化
されたスパッタ装置を使用せれば、製造歩留が向上す
る。
【図１】本発明を適用した実施の形態例１のスパッタ装
置における基板ホルダーの構造で、（ａ）は概略平面
図、（ｂ）は図（ａ）のＢ−Ｂ部での概略断面図であ
る。
置における基板ホルダーの構造で、（ａ）は概略平面
図、（ｂ）は図（ａ）のＢ−Ｂ部での概略断面図であ
る。
【図２】本発明を適用した実施の形態例２のスパッタ装
置における基板ホルダーの構造で、（ａ）は概略平面
図、（ｂ）は図２（ａ）のＣ−Ｃ部での概略断面図であ
る。
置における基板ホルダーの構造で、（ａ）は概略平面
図、（ｂ）は図２（ａ）のＣ−Ｃ部での概略断面図であ
る。
【図３】本発明を適用した実施の形態例３のスパッタ装
置における基板ホルダーの構造で、（ａ）は概略平面
図、（ｂ）は図３（ａ）のＤ−Ｄ部での概略断面図であ
る。
置における基板ホルダーの構造で、（ａ）は概略平面
図、（ｂ）は図３（ａ）のＤ−Ｄ部での概略断面図であ
る。
【図４】従来例の自動化されたスパッタ装置で、スパッ
タチャンバー部付近の概略断面図である。
タチャンバー部付近の概略断面図である。
【図５】従来の自動化されたスパッタ装置の基板ホルダ
ーに半導体ウェハが設置された状態での、基板ホルダー
近傍の概略平面図である。
ーに半導体ウェハが設置された状態での、基板ホルダー
近傍の概略平面図である。
【図６】図５におけるＡ−Ａ部での概略断面を示したも
ので、（ａ）は半導体ウェハを載置した基板ホルダーの
概略断面図、（ｂ）は図６（ａ）の一点鎖線で囲んだ部
分Ｐの拡大図である。
ので、（ａ）は半導体ウェハを載置した基板ホルダーの
概略断面図、（ｂ）は図６（ａ）の一点鎖線で囲んだ部
分Ｐの拡大図である。
１ スパッタチャンバー部 ２ クリーニングチャンバー部 ３ スパッタ処理部 １１ ゲートバルブ １２ 半導体ウェハ １２ａ オリエンテーションフラッ
ト部 １３ａ、１３ｂ、１４ｃ 搬送ベルト １４ 基板ホルダー １５ ターゲット ２１ 基板ホルダー押さえアーム ２２ 半導体ウェハストッパー ２３ 半導体ウェハ載置部 ２４ 半導体ウェハ押さえ部 ２５ 半導体ウェハ突き出しピン ２６ ガイド溝 ２７ 堆積膜 ２８、２９ 半導体ウェハ載置部 ３０ａ〜３０ｋ 半導体ウェハ載置部
ト部 １３ａ、１３ｂ、１４ｃ 搬送ベルト １４ 基板ホルダー １５ ターゲット ２１ 基板ホルダー押さえアーム ２２ 半導体ウェハストッパー ２３ 半導体ウェハ載置部 ２４ 半導体ウェハ押さえ部 ２５ 半導体ウェハ突き出しピン ２６ ガイド溝 ２７ 堆積膜 ２８、２９ 半導体ウェハ載置部 ３０ａ〜３０ｋ 半導体ウェハ載置部
Claims (4)
- 【請求項１】 半導体ウェハの搬送装置を有し、前記搬
送装置の搬送ベルトが配置されるためにリング形状をし
た基板ホルダーを有するスパッタ装置において、 前記基板ホルダーの半導体ウェハ載置部を、前記半導体
ウェハの周縁部より内側となる位置に配置する構造とし
たことを特徴とするスパッタ装置。 - 【請求項２】 前記基板ホルダーの半導体ウェハ載置部
を、前記半導体ウェハのオリエンテーションフラット部
のセットされる位置で、前記半導体ウェハのオリエンテ
ーションフラット部と略平行の内側のラインで削除し
た、部分切り欠きリング形状の構造としたことを特徴と
する請求項１記載のスパッタ装置。 - 【請求項３】 前記基板ホルダーの半導体ウェハ載置部
を、前記半導体ウェハのオリエンテーションフラット部
がセットされる位置で、前記半導体ウェハのオリエンテ
ーションフラット部の長さと略同じ長さで除去し、略リ
ング形状の構造としたことを特徴とする請求項１記載の
スパッタ装置。 - 【請求項４】 前記基板ホルダーの半導体ウェハ載置部
を、前記半導体ウェハのオリエンテーションフラット部
がセットされる位置を除いて、略等間隔の複数箇所で半
導体ウェハを載置する構造としたことを特徴とする請求
項１記載のスパッタ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25760895A JPH0995783A (ja) | 1995-10-04 | 1995-10-04 | スパッタ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25760895A JPH0995783A (ja) | 1995-10-04 | 1995-10-04 | スパッタ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0995783A true JPH0995783A (ja) | 1997-04-08 |
Family
ID=17308638
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25760895A Pending JPH0995783A (ja) | 1995-10-04 | 1995-10-04 | スパッタ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0995783A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001338878A (ja) * | 2000-03-21 | 2001-12-07 | Sharp Corp | サセプタおよび表面処理方法 |
| JP2010087525A (ja) * | 2000-03-21 | 2010-04-15 | Sharp Corp | 表面処理方法 |
| CN104711534A (zh) * | 2013-12-13 | 2015-06-17 | 中国科学院大连化学物理研究所 | 一种不规则缺角型镜片镀膜前的装夹方法 |
| WO2020236916A1 (en) * | 2019-05-20 | 2020-11-26 | Applied Materials, Inc. | Process kit ring adaptor |
| US12159795B2 (en) | 2021-03-08 | 2024-12-03 | Applied Materials, Inc. | Enclosure system having walls comprising sidewalls and radio-frequency identifier holder coupled to rear wall |
| US12528207B2 (en) | 2022-12-12 | 2026-01-20 | Applied Materials, Inc. | Carrier with rotation prevention feature |
-
1995
- 1995-10-04 JP JP25760895A patent/JPH0995783A/ja active Pending
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001338878A (ja) * | 2000-03-21 | 2001-12-07 | Sharp Corp | サセプタおよび表面処理方法 |
| JP2010087525A (ja) * | 2000-03-21 | 2010-04-15 | Sharp Corp | 表面処理方法 |
| CN104711534A (zh) * | 2013-12-13 | 2015-06-17 | 中国科学院大连化学物理研究所 | 一种不规则缺角型镜片镀膜前的装夹方法 |
| WO2020236916A1 (en) * | 2019-05-20 | 2020-11-26 | Applied Materials, Inc. | Process kit ring adaptor |
| US10964584B2 (en) | 2019-05-20 | 2021-03-30 | Applied Materials, Inc. | Process kit ring adaptor |
| CN113853673A (zh) * | 2019-05-20 | 2021-12-28 | 应用材料公司 | 处理配件环适配器 |
| CN113853673B (zh) * | 2019-05-20 | 2022-12-27 | 应用材料公司 | 处理配件环适配器和更换处理配件环的方法 |
| US12159795B2 (en) | 2021-03-08 | 2024-12-03 | Applied Materials, Inc. | Enclosure system having walls comprising sidewalls and radio-frequency identifier holder coupled to rear wall |
| US12528207B2 (en) | 2022-12-12 | 2026-01-20 | Applied Materials, Inc. | Carrier with rotation prevention feature |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20040330 |