JPH0997408A - 薄膜磁気ヘッド及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 基板１上に少なくとも１個のヘッド素子を具
え、ヘッド素子から引き出された複数条のターミナル層
14の先端部にはバンプ層12が積層され、ヘッド素子を覆
うと共にバンプ層12を包囲して保護層16が形成され、バ
ンプ層12上には、外部回路と接続するためのパッド層13
が積層されている薄膜磁気ヘッドに於いて、製造工程の
歩留まりを改善する。 【解決手段】 パッド層13の表面を、保護層16の表面よ
りも低く形成し、或いは保護層16の表面と同一面に揃え
る。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は薄膜磁気ヘッドに関
し、特に、ヘッド素子を外部回路と接続するために、ヘ
ッド素子から伸びるターミナル層の先端部にバンプ層を
介してパッド層を形成した薄膜磁気ヘッド、及びその製
造方法に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】従来より、薄膜磁気ヘッドとしては、信
号の書込み及び読取りが可能な誘導型ヘッド素子を具え
たものが一般的であるが、近年の磁気記録装置における
高記録密度化に対応するべく、磁気抵抗効果型(ＭＲ)ヘ
ッド素子を具えた再生専用の薄膜磁気ヘッドや、誘導型
ヘッド素子及びＭＲヘッド素子を一体に具えた複合型薄
膜磁気ヘッド、更には、バルク型のコアを有すると共に
コイルを薄膜によって形成したハイブリット型ＭＩＧ
(メタルインギャップ)ヘッドが開発されている。この様
な高記録密度化に対応した薄膜磁気ヘッドに於いては、
ヘッド素子を外部回路と接続するために、ヘッド素子か
ら伸びるターミナル層の先端部に、バンプ層を介してパ
ッド層が形成され、該パッド層にリード線がボンディン
グされることになる。

【０００３】例えば、一般にハードディスクドライブ装
置等に装備されている浮動式の複合型薄膜磁気ヘッド
は、図５及び図６に示す如く、ヘッドスライダーとなる
基板(１)の側面に、信号記録用の誘導型ヘッド素子Ｈ１
と、信号再生用のＭＲヘッド素子Ｈ２とを具えており、
該側面には、両ヘッド素子を外部回路と接続するための
４つのバンプ層(15)(15)(15)(15)が形成されている。
又、基板(１)のディスクとの対向面には、エアベアリン
グ面Ｓと、横方向加圧断面形状(Transverse Pressuriza
tion Contour)を与えるための溝Ｃが形成されている。
各ヘッド素子から伸びる一対の電極層(６)(６)と一対の
バンプ層(15)(15)とはターミナル層(14)(14)によって互
いに接続されている。又、両ヘッド素子やターミナル層
(14)は保護層(16)によって覆われている。

【０００４】更に、バンプ層(15)の表面には、図７に示
す如くパッド層(17)が形成され、該パッド層(17)に対し
てリード線(18)がボンディングされる。

【０００５】上述の如き複合型薄膜磁気ヘッドの製造工
程に於いては、基板(１)となるウエハ上に多数のヘッド
モジュール(90)が形成される。各ヘッドモジュール(90)
の形成工程では、ウエハ上に、薄膜堆積法及びフォトリ
ソグラフィ技術を用いて、ＭＲヘッド素子Ｈ２及び誘導
型ヘッド素子Ｈ１を形成した後、ターミナル層(14)を所
定パターンに形成し、続いて該ターミナル層(14)の先端
部に重ねてバンプ層(15)を形成し、その後、両ヘッド素
子及びバンプ層(15)を覆って保護層(16)を形成する。

【０００６】最後に、保護層(16)の表面を研磨してバン
プ層(15)の表面を露出させ、該バンプ層(15)の表面に金
メッキを施して、パッド層(17)を形成するのである。

【０００７】この様にして多数のヘッドモジュール(90)
が形成されたウエハは、スライス工程によって先ずバー
状のヘッドブロックに分断された後、ヘッド毎に分断さ
れ、更に洗浄工程(超音波洗浄、布等による拭き取り洗
浄)を経て、複合型薄膜磁気ヘッドが完成する。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
薄膜磁気ヘッドに於いては、図７に示す如く、パッド層
(17)の表面が保護層(16)の表面より高く形成されている
ため、後の洗浄工程にて、パッド層(17)が大きな外力を
受けて、バンプ層(15)から剥離することがある。又、基
板(１)のディスクとの対向面に溝Ｃをエッチングによっ
て加工する溝形成工程では、図８及び図９に示す如く、
前記複数本のヘッドブロック(93)を台(91)上に固定し、
その表面にレジスト(92)を塗布した後、露光、現像処理
を施すことにより、溝Ｃの加工領域を開口せしめ、該開
口領域に対してエッチングを施す。しかし、パッド層(1
7)の表面が保護層(16)の表面より高く形成されているた
め、ヘッドブロック(93)を配列する際に、ヘッドブロッ
ク(93)間に隙間Ｇが生じ、図９の如くレジスト(92)に塗
布むらが生じる。この結果、前記溝加工のための開口形
状に誤差が生じ、これが溝加工の精度を低下させること
となって、薄膜磁気ヘッドの製造工程の歩留まりが低下
する問題があった。本発明の目的は、薄膜磁気ヘッドの
製造工程に於いて、ヘッドモジュール形成後、洗浄を行
なう際のパッド層の剥離、及びディスクとの対向面に溝
を加工する際の加工精度を上げることである。

【０００９】

【課題を解決する為の手段】本発明に係る薄膜磁気ヘッ
ドは、基板上に少なくとも１個のヘッド素子を具え、ヘ
ッド素子から引き出された複数条のターミナル層の先端
部にはバンプ層が積層され、ヘッド素子を覆うと共にバ
ンプ層を包囲して保護層が形成され、バンプ層上には、
外部回路と接続するためのパッド層が積層されている薄
膜磁気ヘッドに於いて、パッド層の表面は、保護層の表
面と同一面に揃えて、又は保護層の表面よりも低く形成
されている。

【００１０】具体的には、前記バンプ層とパッド層の間
には、メッキ処理の下地となるシード層が介在し、或い
はバンプ層の表面には、直接にパッド層が積層されてい
る。

【００１１】上記本発明の薄膜磁気ヘッドに於いては、
パッド層の表面は、保護層の表面と同一面に揃えて、或
いは保護層の表面よりも低く形成されているので、パッ
ド層が大きな外力を受けることはなく、洗浄工程におけ
るパッド層の剥離が防止される。又、溝形成工程にて複
数本のヘッドブロックを隙間なく配列することが出来る
ので、レジストの塗布むらが防止されて、溝の加工精度
が向上する。

【００１２】本発明に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法
は、基板上に少なくとも１個のヘッド素子を形成すると
共に、ヘッド素子から伸びる複数条のターミナル層を形
成する第１工程と、該ターミナル層の先端部にバンプ層
を積層すると共に、該バンプ層を包囲して保護層を形成
する第２工程と、バンプ層の表面に、メッキ処理の下地
となるシード層を形成すると共に、該シード層の表面に
外部回路との接続のためのパッド層を形成する第３工程
とから構成される。そして、前記第２工程は、ターミナ
ル層の上面に、メッキによってバンプ層を形成する工程
と、ヘッド素子及びバンプ層を覆って保護層を形成する
工程と、保護層の表面に平面加工を施して、バンプ層の
表面を露出させる工程と、保護層及びバンプ層の表面に
対し、選択性を有するエッチングを施して、バンプ層の
表面を保護層の表面よりも低く加工する工程とを具えて
いる。又、前記第３工程は、バンプ層及びその周辺の保
護層を覆ってメッキ処理の下地となるシード層を形成し
た後、該シード層の表面に、バンプ層の表面と重なる領
域が開口したレジストフレームを形成する工程と、レジ
ストフレームの開口領域にメッキを施して、表面が保護
層の表面と同一面に揃う厚さ、或いは表面が保護層表面
よりも低くなる厚さのパッド層を形成する工程と、レジ
ストフレームを除去した後、シード層の表面にエッチン
グを施して、パッド層の外周縁よりも外側に拡がるシー
ド層部分を除去する工程とを具えている。

【００１３】上記薄膜磁気ヘッドの製造方法によって、
本発明の請求項２に係る薄膜磁気ヘッドが得られる。該
製造方法に於いては、第２工程にて、保護層及びバンプ
層の表面に選択性を有するエッチングを施すことによっ
て、バンプ層の表面は保護層の表面よりも速くエッチン
グが進み、或いはバンプ層の表面のみがエッチングされ
て、最終的にバンプ層の表面は保護層の表面よりも十分
に低くなる。この表面高さの差は、次の第３工程でバン
プ層の表面に積層されるパッド層の表面が保護層の表面
と同一若しくは該表面よりも低くなる様、適切な大きさ
に設定される。この結果、パッド層の表面が保護層の表
面と同一面に揃った、或いは保護層の表面よりも低い薄
膜磁気ヘッドが完成する。

【００１４】又、本発明に係る薄膜磁気ヘッドの他の製
造方法は、基板上に少なくとも１個のヘッド素子を形成
すると共に、ヘッド素子から伸びる複数条のターミナル
層を形成する第１工程と、ターミナル層の上面に、ター
ミナル層の先端部を開口させたレジストフレームを形成
する第２工程と、該レジストフレームの開口領域にメッ
キを施して、表面がレジストフレームの表面よりも低く
なる厚さのバンプ層を形成する第３工程と、外部回路と
の接続に用いられるパッド層を形成する工程であって、
前記レジストフレームの開口領域にメッキを施して、前
記バンプ層の表面にパッド層を形成する第４工程と、レ
ジストフレームを除去した後、バンプ層及びパッド層を
覆って保護層を形成する第５工程と、保護層の表面に平
面加工を施して、パッド層の表面を露出させる第６工程
とを具えている。

【００１５】上記薄膜磁気ヘッドの製造方法によって、
本発明の請求項３に係る薄膜磁気ヘッドが得られる。該
製造方法に於いては、第２工程にて、レジストフレーム
を用いてバンプ層を形成した後、レジストフレームを除
去せず、これを次のパッド層の形成に利用する。この
際、レジストフレームの厚さを、バンプ層とパッド層の
厚さの合計よりも大きく形成することによって、連続す
るメッキ処理が可能となる。この様に、共通のレジスト
フレームを用いてバンプ層及びパッド層を連続して形成
することにより、これらの層は同一の平面形状を有する
ことになる。その後、第６工程にて、パッド層の表面が
露出するまで、パッド層の表面と保護層の表面に平面加
工を施すことにより、これらの表面は同一平面に揃うこ
とになる。この結果、パッド層の表面が保護層の表面と
同一面に揃った薄膜磁気ヘッドが完成する。

【００１６】

【発明の効果】本発明の薄膜磁気ヘッド及びその製造方
法によれば、パッド層の表面を保護層の表面と同一面、
又は保護層の表面よりも低くすることによって、製造工
程の歩留まりが改善される。

【００１７】

【発明の実施の形態】以下、本発明を、ハードディスク
ドライブ装置等に装備される浮動式の複合型薄膜磁気ヘ
ッドに実施した形態につき、２つの実施例に沿って具体
的に説明する。第１実施例 本実施例の複合型薄膜磁気ヘッドの構造は、バンプ層及
びパッド層を除いて図５に示す従来と同一であって、以
下、図中のバンプ層(15)を本発明のバンプ層(12)に置き
換えて、先ずその全体構成について説明する。図５に示
す如く、Ａl₂Ｏ₃−ＴiＣからなる基板(１)によって、エ
アベアリング面Ｓ及び溝Ｃを有するヘッドスライダーが
形成されており、該基板(１)の側面には、信号記録用の
誘導型ヘッド素子Ｈ１と、信号再生用のＭＲヘッド素子
Ｈ２とを具えている。

【００１８】図６は、２つのヘッド素子Ｈ１及びＨ２を
磁気記録媒体との対向面側から見た構成を表わしてい
る。基板(１)上には、Ａl₂Ｏ₃からなる絶縁層(２)、Ｎi
−Ｆe合金からなるシールド層(３)、Ａl₂Ｏ₃からなる下
部絶縁層(４)、Ｎi−Ｆe合金からなるＭＲ素子層(５)、
Ｃuからなる電極層(６)(６)、及びＡl₂Ｏ₃からなる上部
絶縁層(７)が積層されて、ＭＲ型ヘッド素子Ｈ２が構成
されている。又、該ヘッド素子上には、Ｎi−Ｆe合金か
らなる下部コア層(８)、Ａl₂Ｏ₃からなるギャップスペ
ーサ層(９)、Ｎi−Ｆe合金からなる上部コア層(80)、及
びＡl₂Ｏ₃からなる保護層(16)が積層されて、誘導型ヘ
ッド素子Ｈ１が構成されている。

【００１９】図５の如く誘導型ヘッド素子Ｈ１は、上部
コア層(80)を包囲して伸びるコイル層(10)を具え、該コ
イル層(10)の両端部は、一対のターミナル層(14)(14)を
経て、一対のバンプ層(12)(12)へ接続されている。一
方、ＭＲヘッド素子Ｈ２は、前記ＭＲ素子層(５)から伸
びる一対の電極層(６)(６)が、一対のターミナル層(14)
(14)を経て一対のバンプ層(12)(12)へ接続されている。
ここで、ターミナル層(14)及びバンプ層(12)はＣuから
形成される。電極層(６)及びターミナル層(14)は、両ヘ
ッド素子と共に保護層(16)によって覆われており、バン
プ層(12)は、保護層(16)によって包囲され、その表面が
保護層(16)の表面より低く形成されている。バンプ層(1
2)の表面には、パッド層(図示省略)が、保護層(16)の表
面より低く形成される。

【００２０】図１は、バンプ層(12)及びパッド層(13)が
形成された状態における、図５Ａ−Ａ線に沿う拡大断面
図であって、基板(１)上には絶縁層(２)を介してターミ
ナル層(14)が形成されており、該ターミナル層(14)上に
シード層(11)を介してバンプ層(12)が形成されている。
該バンプ層(12)は厚さ数μｍに形成され、厚さ３０〜４
０μｍの保護層(16)によって包囲されている。

【００２１】バンプ層(12)の表面には、Ｎi−Ｆe或いは
Ａu等からなるシード層(19)が略１０００Åの厚さに形
成され、更に該シード層(19)の表面には、Ａuからなる
パッド層(13)が形成されている。該パッド層(13)は、数
μｍの厚さを有し、保護層(16)の表面よりも低く形成さ
れている。

【００２２】上記複合型薄膜磁気ヘッドの製造工程に於
いては、基板(１)となるウエハ上に多数のヘッドモジュ
ールが同時に形成される。ヘッドモジュール形成工程で
は、ウエハ上に、薄膜堆積法及びフォトリソグラフィ技
術を用いて、ＭＲヘッド素子Ｈ２及び誘導型ヘッド素子
Ｈ１を形成した後、ターミナル層(14)を所定パターンに
形成し、続いて該ターミナル層(14)の先端部にシード層
(11)を介してバンプ層(12)を形成する。

【００２３】図３(ａ)乃至(ｆ)は、バンプ層(12)形成
後、パッド層(13)を形成するまでの具体的な工程を示し
ている。図３(ａ)に示す如く、ターミナル層(14)の先端
部には、シード層(11)を介して銅メッキを施すことによ
って、バンプ層(12)が３０〜４０μｍに形成されてお
り、該バンプ層(12)を覆って、Ａl₂Ｏ₃からなる保護層
(16)をスパッタリングによって、略４０μｍの厚さに成
膜する。

【００２４】次に図３(ｂ)の如く、保護層(16)の表面を
研磨して、バンプ層(12)を露出させる。その後、同図
(ｃ)の如く、バンプ層(12)及び保護層(16)の表面に、ウ
エットエッチング、或いはイオンビームエッチングを施
す。ウエットエッチングに於いては、例えば、バンプ層
(12)及び保護層(16)を、ＣuとＡl₂Ｏ₃の選択性を有する
塩化第２鉄等の水溶液に浸すことによって、バンプ層(1
2)の表面のみをエッチングする。又、イオンビームエッ
チングに於いては、例えば、バンプ層(12)及び保護層(1
6)の表面に、Ｃuのエッチング速度に対しＡl₂Ｏ₃のエッ
チング速度が１／４の選択比を有するイオンビームを放
射することによって、バンプ層(12)の表面を保護層(16)
の表面よりも速い速度でエッチングする。この様にし
て、バンプ層(12)を数μｍの厚さに加工する。

【００２５】続いて図３(ｄ)の如く、バンプ層(12)及び
保護層(16)を覆って、Ｎi−Ｆe、或いはＡuからなるシ
ード層(19)をスパッタリングによって、略１０００Åの
厚さに形成する。そして、シード層(19)の全面にレジス
トを塗布し、該レジストに露光、現像処理を施すことに
より、パッド層形成領域に開口(22a)を設けて、厚さ数
μｍのレジストフレーム(22)を形成する。次に、同図
(ｅ)の如く、レジストフレーム(22)の開口(22a)に対し
て金メッキを施し、厚さ数μｍのパッド層(13)を形成す
る。

【００２６】その後、図３(ｆ)の如く、レジストフレー
ム(22)をアセトン等の有機溶剤によって除去した後、シ
ード層(19)の表面に、ウエットエッチング、或いはイオ
ンビームエッチングを施し、パッド層の外周縁よりも外
側に拡がるシード層部分を除去する。

【００２７】この様にしてウエハ上に形成された多数の
ヘッドモジュールは、スライス工程によって個々に分断
され、更に洗浄工程(超音波洗浄、布等による拭き取り
洗浄)を経て、図１、図５及び図６に示す複合型薄膜磁
気ヘッドが完成する。

【００２８】上記第１実施例の薄膜磁気ヘッドに於いて
は、保護層(16)の厚さが３０〜４０μｍであるのに対
し、バンプ層(12)及びパッド層(13)の厚さが数μｍ、シ
ード層(19)の厚さが１０００Åであるので、パッド層(1
3)の表面は保護層(16)の表面よりも低い。この結果、洗
浄工程におけるパッド層の剥離が防止されると共に、デ
ィスクとの対向面に溝を形成する工程にて、ヘッドブロ
ックを隙間なく配列することが出来るので、レジストの
塗布むらが防止され、これによって溝の加工精度を上げ
ることが出来る。この結果、製造工程における歩留まり
が改善される。又、上記第１実施例の製造方法に於いて
は、保護層(16)の表面を研磨してバンプ層(12)を露出さ
せる際、バンプ層(12)及び保護層(16)の表面は研磨液に
よって汚染される。しかし、バンプ層(12)を数μｍの厚
さに加工する工程にて、イオンビームエッチングを施し
た場合、前記汚染されたバンプ層(12)及び保護層(16)の
表面がイオンビームによって洗浄されるので、バンプ層
(12)及び保護層(16)に対するシード層(19)の付着強度の
増大を図ることが出来る。

【００２９】第２実施例 本実施例の複合型薄膜磁気ヘッドの構造を図２に示す。
第１実施例におけるパッド層が保護層(16)の表面より低
く形成されているのに対し、本実施例では、パッド層(2
1)が保護層(16)の表面と同一面に揃えて形成されてい
る。

【００３０】基板(１)上には絶縁層(２)を介してターミ
ナル層(14)が形成され、該ターミナル層(14)上にシード
層(11)を介してバンプ層(20)が形成されている。該バン
プ層(20)は厚さ数μｍに形成され、厚さ３０〜４０μｍ
の保護層(16)によって包囲されている。

【００３１】バンプ層(20)の表面には、直接に、Ａuか
らなるパッド層(21)が形成されている。該パッド層(21)
は、数μｍの厚さを有し、保護層(16)の表面と同一面に
揃えて形成されている。

【００３２】図４(ａ)乃至(ｄ)は、シード層(11)形成
後、パッド層(21)を形成するまでの具体的な工程を示し
ている。先ず、図４(ａ)に示すシード層(11)の全面にレ
ジストを塗布した後、該レジストに露光及び現像処理を
施すことにより、バンプ層(20)の形成領域に開口(23a)
を設けて、レジストフレーム(23)を形成する。該レジス
トフレーム(23)の厚さは、後の工程で形成されるバンプ
層(20)とパッド層(21)の厚さの合計よりも大きく形成さ
れる。そして、該レジストフレーム(23)の開口(23a)に
対して銅メッキを施すことによって、バンプ層(20)を形
成する。ここまでの工程は従来及び第１実施例と同じで
あるが、レジストフレーム(23)は除去せず、残存させて
おく。

【００３３】次に図４(ｂ)の如く、レジストフレーム(2
3)の開口(23a)に対して金メッキを施し、バンプ層(20)
の表面に、厚さ数μｍのパッド層(13)を直接に形成す
る。

【００３４】続いて図４(ｃ)の如く、レジストフレーム
(23)をアセトン等の有機溶剤によって除去した後、バン
プ層(20)及びパッド層(21)を覆って、Ａl₂Ｏ₃からなる
保護層(16)をスパッタリングによって、略４０μｍの厚
さに成膜する。

【００３５】その後、図４(ｄ)の如く、保護層(16)の表
面に研磨、或いはウエットエッチングを施して、パッド
層(21)を露出させる。

【００３６】この様にしてウエハ上に形成された多数の
ヘッドモジュールは、スライス工程によって個々に分断
され、更に洗浄工程(超音波洗浄、布等による拭き取り
洗浄)を経て、図２、図５及び図６に示す複合型薄膜磁
気ヘッドが完成する。

【００３７】上記第２実施例の薄膜磁気ヘッドは、その
製造方法に於いて、バンプ層(20)の表面にパッド層(21)
を形成した後、保護層(16)を形成し、パッド層(21)の表
面を露出させるので、パッド層(21)の表面が保護層(16)
の表面と同一面に揃っている。従って、洗浄工程におけ
るパッド層の剥離が防止されると共に、ディスクとの対
向面に溝を形成する工程にて、ヘッドブロックを隙間な
く配列することが出来るので、レジストの塗布むらが防
止され、これによって溝の加工精度を上げることが出来
る。この結果、製造工程における歩留まりが改善され
る。又、上記第２実施例の製造方法に於いては、バンプ
層を形成した後、連続してパッド層を形成するので、バ
ンプ層の形成とパッド層の形成に、シード層及びレジス
トフレームを共用することが出来、従来はパッド層形成
のために再度、実施することが必要であったシード層形
成工程及びレジストフレーム形成工程を省略することが
出来る。

【００３８】上記２つの実施例によれば、パッド層の表
面を保護層の表面と同一面、又は保護層の表面よりも低
くすることによって、製造工程の歩留まりが改善され
る。

【００３９】上記実施の形態の説明は、本発明を説明す
るためのものであって、特許請求の範囲に記載の発明を
限定し、或は範囲を減縮する様に解すべきではない。
又、本発明の各部構成は上記実施の形態に限らず、特許
請求の範囲に記載の技術的範囲内で種々の変形が可能で
あることは勿論である。

【図面の簡単な説明】

【図１】第１実施例におけるバンプ層とパッド層の積層
構造を示す断面図である。

【図２】第２実施例におけるバンプ層とパッド層の積層
構造を示す断面図である。

【図３】第１実施例における製造工程図である。

【図４】第２実施例における製造工程図である。

【図５】複合型薄膜磁気ヘッドの外観を示す斜視図であ
る。

【図６】２つのヘッド素子を記録媒体との対向面から見
た拡大正面図である。

【図７】従来のバンプ層上に形成されるべきパッド層を
示す断面図である。

【図８】スライス工程におけるヘッドブロックの配列状
態を表わす図である。

【図９】溝形成工程におけるレジスト塗布状態を表わす
一部破断斜視図である。

【符号の説明】

(１) 基板 (２) 絶縁層 (11) シード層 (12) バンプ層 (13) パッド層 (14) ターミナル層 (16) 保護層 (19) シード層 (20) バンプ層 (21) パッド層

Claims (5)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 基板上に少なくとも１個のヘッド素子を
   具え、ヘッド素子から引き出された複数条のターミナル
   層の先端部にはバンプ層が積層され、ヘッド素子を覆う
   と共にバンプ層を包囲して保護層が形成され、バンプ層
   上には、外部回路と接続するためのパッド層が積層され
   ている薄膜磁気ヘッドに於いて、パッド層の表面は、保
   護層の表面と同一面に揃えて、或いは保護層の表面より
   も低く形成されていることを特徴とする薄膜磁気ヘッ
   ド。
2. 【請求項２】 前記バンプ層とパッド層の間には、メッ
   キ処理の下地となるシード層が介在している請求項１に
   記載の薄膜磁気ヘッド。
3. 【請求項３】 前記バンプ層の表面には、直接にパッド
   層が積層されている請求項１に記載の薄膜磁気ヘッド。
4. 【請求項４】 基板上に少なくとも１個のヘッド素子を
   形成すると共に、ヘッド素子から伸びる複数条のターミ
   ナル層を形成する第１工程と、該ターミナル層の先端部
   にバンプ層を積層すると共に、該バンプ層を包囲して保
   護層を形成する第２工程と、バンプ層の表面に、メッキ
   処理の下地となるシード層を形成すると共に、該シード
   層の表面に外部回路との接続のためのパッド層を形成す
   る第３工程とから構成される薄膜磁気ヘッドの製造方法
   に於いて、前記第２工程は、 ターミナル層の上面に、メッキによってバンプ層を形成
   する工程と、 ヘッド素子及びバンプ層を覆って保護層を形成する工程
   と、 保護層の表面に平面加工を施して、バンプ層の表面を露
   出させる工程と、 保護層及びバンプ層の表面に対し、選択性を有するエッ
   チングを施して、バンプ層の表面を保護層の表面よりも
   低く加工する工程とを具え、前記第３工程は、 バンプ層及びその周辺の保護層を覆ってメッキ処理の下
   地となるシード層を形成した後、該シード層の表面に、
   バンプ層の表面と重なる領域が開口したレジストフレー
   ムを形成する工程と、 レジストフレームの開口領域にメッキを施して、表面が
   保護層の表面と同一面に揃う厚さ、或いは表面が保護層
   表面よりも低くなる厚さのパッド層を形成する工程と、 レジストフレームを除去した後、シード層の表面にエッ
   チングを施して、パッド層の外周縁よりも外側に拡がる
   シード層部分を除去する工程とを具えている薄膜磁気ヘ
   ッドの製造方法。
5. 【請求項５】 基板上に少なくとも１個のヘッド素子を
   形成すると共に、ヘッド素子から伸びる複数条のターミ
   ナル層を形成する第１工程と、 ターミナル層の上面に、ターミナル層の先端部を開口さ
   せたレジストフレームを形成する第２工程と、 該レジストフレームの開口領域にメッキを施して、表面
   がレジストフレームの表面よりも低くなる厚さのバンプ
   層を形成する第３工程と、 外部回路との接続に用いられるパッド層を形成する工程
   であって、前記レジストフレームの開口領域にメッキを
   施して、前記バンプ層の表面にパッド層を形成する第４
   工程と、 レジストフレームを除去した後、バンプ層及びパッド層
   を覆って保護層を形成する第５工程と、 保護層の表面に平面加工を施して、パッド層の表面を露
   出させる第６工程とを具えている薄膜磁気ヘッドの製造
   方法。