JPH0997860A

JPH0997860A - 半導体装置

Info

Publication number: JPH0997860A
Application number: JP8117508A
Authority: JP
Inventors: Kazuhiko Terajima; 寺嶋　　一彦
Original assignee: Citizen Watch Co Ltd
Current assignee: Citizen Watch Co Ltd
Priority date: 1995-06-12
Filing date: 1996-05-13
Publication date: 1997-04-08
Anticipated expiration: 2016-05-13
Also published as: JP3847839B2

Abstract

(57)【要約】【課題】半導体チップと配線基板間にせん断力が生じ
ても半導体チップを接着剤樹脂組成物を用いて直接樹脂
基板または樹脂絶縁膜に接着する構造で接着力を高めて
いるため剥離することがない半導体装置を提供。【解決手段】絶縁基板１上に半導体チップ８の各電極
を電気的に接続するための接続電極４と、この接続電極
と樹脂基板裏面に配置するハンダボール端子１２を接続
するための電気的経路と、この電気的経路を保護するた
めの樹脂絶縁膜６と、半導体チップを接着剤を用いて樹
脂基板上に直接固着するための接続電極と電気的経路と
樹脂絶縁膜の開口部１４を有する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は半導体装置の構造に
関し、より詳しくは半導体チップを樹脂基板の上面に実
装し、この樹脂基板にマザーボードと接続するためのハ
ンダボール端子を備え、さらに半導体チップを樹脂封止
した構造を有するプラスチックボールグリッドアレイの
構造に関する。

【０００２】

【従来の技術】一般的に、半導体チップは半導体パッケ
ージに封止して使用する。この半導体パッケージの役割
は半導体チップ各電極とマザーボードとの電気的接続
と、半導体チップの保護と、半導体チップの放熱などで
ある。

【０００３】この半導体パッケージの一種であるプラス
チック・ボール・グリッド・アレイ（以下ＰＢＧＡと記
載する）は樹脂基板上に半導体チップを実装し、マザー
ボードと接続するためのハンダボール端子を有し、さら
に半導体チップの周囲を樹脂で封止した構造をもつ。

【０００４】このＰＢＧＡは半導体パッケージの小型化
と電気特性と実装歩留まりの点で他に比らべて有利な構
造を備えており、携帯型電話やポケットベルなどの携帯
型通信機器の分野で採用されている。

【０００５】以下図面に基づいて従来の技術におけるＰ
ＢＧＡについて説明する。図１１は従来のＰＢＧＡ１３
の構造を示す断面図であり、図１２は樹脂基板１上の銅
パターンを示す平面図である。

【０００６】図１１に示す樹脂基板１は、その平面形状
がほぼ四角形で、板厚が０．２ｍｍ程度の樹脂材料から
なる。樹脂基板１の材料としてはエポキシ樹脂やポリイ
ミド樹脂などの樹脂材料があげられるが、望ましくはガ
ラス繊維を含浸したエポキシ樹脂である。

【０００７】この樹脂基板１のおもて面と裏面とに厚さ
１８μｍ程度の銅箔層を設け、さらに複数のスルーホー
ル２を切削ドリルなどの穴あけ手段により設ける。スル
ーホール２の壁面を含む基板面を洗浄し、樹脂基板１の
全面に無電界メッキ処理およびび電界メッキ処理により
銅メッキ層を設ける。この銅メッキ層はスルーホール２
内まで施してある。

【０００８】さらに、前述のようにおもて面と裏面に銅
うす膜層を設ける樹脂基板１にエッチングマスクパター
ンとエッチング液を用てエッチング処理を行う。このエ
ッチング処理により、図７に示すように樹脂基板１おも
て面に半導体チップ８を固着するためのダイパターン３
を銅うす膜層として設ける。

【０００９】さらに樹脂基板１のおもて面に半導体チッ
プ８の各電極と電気的に接続するための接続電極４を銅
うす膜層として設ける。さらに樹脂基板１のおもて面に
半導体チップ８の電源系電極と電気的に接続するための
電源系接続電極４ａを銅うす膜層として設ける。

【００１０】そのうえ樹脂基板１のおもて面に接続電極
４とスルーホール２を電気的に接続するための電気的経
路を、銅うす膜層として設ける。そのうえ樹脂基板１の
おもて面に電源系接続電極４ａとスルーホール２を電気
的に接続するための電気的経路を銅うす膜層として設け
る。そのうえ樹脂基板１のおもて面に電源系接続電極４
ａとダイパターン３を電気的に接続するための電気的経
路を、銅うす膜層として設ける。

【００１１】さらに図１１に示す樹脂基板１の裏面に、
ハンダボール端子１２をハンダ付けするためのパッド電
極５を銅うす膜層として設ける。そのうえ樹脂基板１の
裏面にパッド電極５とスルーホール２を電気的に接続す
るための図示しない電気回路を銅うす膜層として設け
る。

【００１２】また、前述のようにエッチング処理した樹
脂基板１のおもて面と裏面に電気的経路を保護するため
の樹脂絶縁膜６を設ける。

【００１３】樹脂基板１のおもて面の樹脂絶縁膜６は中
央にほぼ四角形の開口部を有しており、ダイパターン３
と接続電極４と電源系接続電極４ａは露出している。さ
らに樹脂基板１の裏面の樹脂絶縁膜６はパッド電極５と
同数の開口部を有しており、パッド電極５の部分は露出
している。この樹脂絶縁膜６の材料として望ましいのは
エポキシ樹脂である。

【００１４】以上説明したように、図１１に示す配線基
板７はおもて面にダイパターン３と接続電極４と電源系
接続電極４ａと樹脂絶縁膜６を有している。さらに配線
基板７は裏面にパッド電極５と樹脂絶縁膜６を有してい
る。

【００１５】また配線基板７は接続電極４と裏面のパッ
ド電極５とをスルーホール２を介して電気的に接続す
る。さらに配線基板７は電源系接続電極４ａと裏面のパ
ッド電極５とをスルーホール２を介して電気的に接続す
る。さらに配線基板７はダイパターン３と電源系接続電
極４ａとを電気的に接続する。

【００１６】さらに、配線基板７のおもて面と裏面の樹
脂絶縁膜６から露出しているそれぞれの銅うす膜層の表
面に、２μｍ〜５μｍ程度のＮｉメッキ層をもうけ、そ
の上層に０．５μｍ程度の導通性の優れる金（Ａｕ）メ
ッキ層を設ける。

【００１７】さらに、半導体チップ８はダイパターン３
の金（Ａｕ）メッキ層の上に樹脂組成物からなる接着剤
９を用いて固着してある。接着剤９の材料として望まし
いのはエポキシ樹脂である。さらに半導体チップ８の信
号系と電源系の各電極は接続電極４と接続ワイヤー１０
で接続してある。この接続ワイヤー１０の材料として望
ましいのは導通性の優れる金（Ａｕ）ワイヤーである。

【００１８】さらに半導体チップ８の電源系電極のう
ち、グランドまたは電源のいずれか一方は電源系接続電
極４ａと接続ワイヤー１０で接続してある。そのうえ半
導体チップ８の遮光と保護を行うために、半導体チップ
８と接続ワイヤー１０は熱硬化性の封止樹脂１１を用い
たトランスファーモールドにより樹脂封止してある。

【００１９】また配線基板７裏面のパッド電極５にハン
ダボールを供給し、加熱炉で加熱することにより、ハン
ダボール端子１２をハンダ付けしてある。このハンダボ
ール端子１２は、図示しないマザーボード基板の配線パ
ターンと接続するために用いる。図示した従来のＰＢＧ
Ａ１３は以上説明したような構造を有する。

【００２０】なお、ＰＢＧＡ１３は半導体チップ８の各
電極とハンダボール端子１２とを接続ワイヤー１０と配
線基板７を介して電気的に接続している。

【００２１】さらにＰＢＧＡ１３は半導体チップ８の電
源系電極のうち、グランドまたは電源のいずれか一方と
ダイパターン３とを接続ワイヤー１０と配線基板７を介
して電気的に接続している。

【００２２】またＰＢＧＡ１３は接着剤９の材料に導電
性の接着剤を用いることによって、半導体チップ８本体
とダイパターン３とを電気的に接続することができる。

【００２３】

【発明が解決しようとする課題】前述のＰＢＧＡ１３は
ハンダ融点以上に全体加熱することによって、ハンダボ
ール端子１２を溶融してマザーボードの配線パターンと
電気的に接続している。このリフローハンダ付けの際に
ＰＢＧＡ１３の各材料を積層した部分で発生する剥離が
問題となっている。

【００２４】一般的にＰＢＧＡ１３のような表面実装型
の半導体パッケージは、熱膨張係数や弾性率などの材料
特性が異なる種々の材料が積層された構造からなる。

【００２５】とくにに熱膨張係数の材料間の差のため、
リフローハンダ付けの際にＰＢＧＡ１３本体の温度が２
００℃以上に達すると、半導体チップ８下部と配線基板
７の間に剪断力が生じ、積層する材料間の密着力の弱い
界面で剥離が起きる。

【００２６】また、接着剤９のようなエポキシ樹脂やフ
ェノール樹脂を主成分とする接着剤樹脂組成物は被着体
表面の性質により接着強度が変化する。従来のＰＢＧＡ
１３では、接続電極４とパッド電極５の接続抵抗を減ら
すために金（Ａｕ）メッキ処理を行い、その表層に金
（Ａｕ）メッキ層を設けている。このとき同時にダイパ
ターン３表層に金（Ａｕ）メッキ層が形成される。

【００２７】ダイパターン３上に金メッキ層を有する場
合は、金（Ａｕ）表面が不活性であるためとくに接着剤
９との接着強度が低下する。このため、従来のＰＢＧＡ
１３ではダイパターン３と接着剤９の界面で容易に剥離
が発生する。

【００２８】またＰＢＧＡ１３を構成する材料は、その
ほとんどがエポキシ樹脂等の樹脂材料である。この樹脂
材料の水分を吸収透過しやすい性質のため、ＰＢＧＡ１
３はとくに高温多湿の条件下でなくとも容易に吸湿す
る。

【００２９】このＰＢＧＡ１３が吸湿した場合、半導体
チップ８下部で発生した剥離は、内部の水分がリフロー
ハンダ付けの際に前述の剥離箇所に吹き出すことで剥離
がさらに拡大する。

【００３０】さらに接着剤９とダイパターン３との界面
に微細な気泡がある場合も、リフローハンダ付け処理の
ときに前述と同様な現象が起きて、半導体チップ８下部
で剥離を発生する。

【００３１】またさらに、ＰＢＧＡ１３内部で樹脂材料
と金属材料を積層する箇所は、樹脂材料と金属材料の界
面に水分が溜まりやすくこの傾向はさらに拡大する。

【００３２】この半導体チップ８下部の剥離により、配
線基板７がマザーボード側に膨れ、ＰＢＧＡ１３内部の
電気的経路が断線するなどの故障が発生し、半導体装置
の信頼性を損なう致命的な問題がある。

【００３３】そこで本発明の目的は、上記課題を解決し
て、半導体チップの剥離が無く、耐湿性に優れた半導体
装置を提供することである。

【００３４】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明の半導体装置においては、下記記載の構造を
採用する。

【００３５】本発明の半導体装置は、樹脂基板上に実装
する半導体チップの各電極を接続するための接続電極
と、マザーボードと接続するためのハンダボール端子
と、この接続電極とハンダボール端子を接続するための
電気的経路と、電気的経路を保護するための樹脂絶縁膜
と、半導体チップを接着剤を用いて樹脂基板上に直接固
着すためのほぼ四角形で半導体チップより大きい接続電
極と電気的経路と樹脂絶縁膜の開口部を有することを特
徴とする。

【００３６】本発明の半導体装置は、樹脂基板上に実装
する半導体チップの各電極を接続するための接続電極
と、マザーボードと接続するためのハンダボール端子
と、この接続電極とハンダボール端子を接続するための
電気的経路と、電気的経路を保護するための樹脂絶縁膜
と、半導体チップを導電性接着剤を用いて樹脂基板上に
直接固着すためのほぼ四角形で半導体チップより大きい
接続電極と電気的経路と樹脂絶縁膜の開口部を有し、半
導体チップ本体と電気的に接続するために半導体チップ
の電源系電極と接続する電源系接続電極を半導体チップ
下まで延長することを特徴とする。

【００３７】本発明の半導体装置は、樹脂基板上に実装
する半導体チップの各電極を接続するための接続電極
と、マザーボードと接続するためのハンダボール端子
と、この接続電極とハンダボール端子を接続するための
電気的経路と、電気的経路を保護するための樹脂絶縁膜
と、半導体チップを導電性接着剤を用いて樹脂基板上に
直接固着すためのほぼ四角形で半導体チップより大きい
接続電極と電気的経路と樹脂絶縁膜の開口部を有し、半
導体チップ本体と電気的に接続するために半導体チップ
の周囲を取り囲むように電源系パターンを設け、電源系
パターンと半導体チップ本体を電気的に接続するために
電源系パターンの一部を半導体チップ下まで延長するこ
とを特徴とする。

【００３８】本発明の半導体装置は、樹脂基板上に実装
する半導体チップの各電極を接続するための接続電極
と、マザーボードと接続するためのハンダボール端子
と、この接続電極とハンダボール端子を接続するための
電気的経路と、電気的経路を保護するための樹脂絶縁膜
と、半導体チップを導電性接着剤を用いて樹脂基板上に
直接固着すためのほぼ四角形で半導体チップより大きい
接続電極と電気的経路と樹脂絶縁膜の開口部を有し、半
導体チップ本体と電気的に接続するために半導体チップ
の周囲を取り囲むように電源系パターンを設け、電源系
パターンと半導体チップ本体を導電性接着剤を用いて電
気的に接続することを特徴とする。

【００３９】本発明の半導体装置は、樹脂基板上に実装
する半導体チップの各電極を接続するための接続電極
と、マザーボードと接続するためのハンダボール端子
と、この接続電極とハンダボール端子を接続するための
電気的経路と、電気的経路を保護するための樹脂絶縁膜
と、半導体チップを導電性接着剤を用いて樹脂基板上に
直接固着すためのほぼ四角形で半導体チップより大きい
接続電極と電気的経路と樹脂絶縁膜の開口部と、この開
口部に半導体チップより発生する熱を樹脂基板の裏面に
導くための独立したサーマルビアホールと、サーマルビ
アホールによって導かれた熱をマザーボードに逃がすた
めの放熱用端子を有することを特徴とする。

【００４０】本発明の半導体装置は、樹脂基板上に実装
する半導体チップの各電極を接続するための接続電極
と、マザーボードと接続するためのハンダボール端子
と、この接続電極とハンダボール端子を接続するための
電気的経路と、電気的経路を保護するための樹脂絶縁膜
と、半導体チップを導電性接着剤を用いて樹脂基板上に
直接固着すためのほぼ四角形で半導体チップより大きい
接続電極と電気的経路と樹脂絶縁膜の開口部と、この開
口部に半導体チップより発生する熱を樹脂基板の裏面に
導くための独立したサーマルビアホールと、サーマルビ
アホールによって導かれた熱をマザーボードに逃がすた
めの放熱用端子を有し、半導体チップ本体と電気的に接
続するために半導体チップの電源系電極と接続する電源
系接続電極を半導体チップ下まで延長することを特徴と
する。

【００４１】本発明の半導体装置は、樹脂基板上に実装
する半導体チップの各電極を接続するための接続電極
と、マザーボードと接続するためのハンダボール端子
と、この接続電極とハンダボール端子を接続するための
電気的経路と、電気的経路を保護するための樹脂絶縁膜
と、半導体チップを導電性接着剤を用いて樹脂基板上に
直接固着すためのほぼ四角形で半導体チップより大きい
接続電極と電気的経路と樹脂絶縁膜の開口部と、この開
口部に半導体チップより発生する熱を樹脂基板の裏面に
導くための独立したサーマルビアホールと、サーマルビ
アホールによって導かれた熱をマザーボードに逃がすた
めの放熱用端子を有し、半導体チップ本体と電気的に接
続するために半導体チップの周囲を取り囲むように電源
系パターンを設け、電源系パターンと半導体チップ本体
を電気的に接続するために電源系パターンの一部を半導
体チップ下まで延長することを特徴とする。

【００４２】本発明の半導体装置は、樹脂基板上に実装
する半導体チップの各電極を接続するための接続電極
と、マザーボードと接続するためのハンダボール端子
と、この接続電極とハンダボール端子を接続するための
電気的経路と、電気的経路を保護するための樹脂絶縁膜
と、半導体チップを導電性接着剤を用いて樹脂基板上に
直接固着すためのほぼ四角形で半導体チップより大きい
接続電極と電気的経路と樹脂絶縁膜の開口部と、この開
口部に半導体チップより発生する熱を樹脂基板の裏面に
導くための独立したサーマルビアホールと、サーマルビ
アホールによって導かれた熱をマザーボードに逃がすた
めの放熱用端子を有し、半導体チップ本体と電気的に接
続するために半導体チップの周囲を取り囲むように電源
系パターンを設け、電源系パターンと半導体チップ本体
を導電性接着剤を用いて電気的に接続することを特徴と
する。

【００４３】本発明の半導体装置は、樹脂基板上に実装
する半導体チップの各電極を接続するための接続電極
と、マザーボードと接続するためのハンダボール端子
と、この接続電極とハンダボール端子を接続するための
電気的経路と、電気的経路を保護するための樹脂絶縁膜
と、半導体チップを接着剤を用いて樹脂基板上に設けた
樹脂絶縁膜に直接固着すためのほぼ四角形で半導体チッ
プより大きい接続電極と電気的経路の開口部を有するこ
とを特徴とする。

【００４４】本発明の半導体装置は、樹脂基板上に実装
する半導体チップの各電極を接続するための接続電極
と、マザーボードと接続するためのハンダボール端子
と、この接続電極とハンダボール端子を接続するための
電気的経路と、電気的経路を保護するための樹脂絶縁膜
と、半導体チップを導電性接着剤を用いて樹脂基板上に
設けた樹脂絶縁膜に直接固着すためのほぼ四角形で半導
体チップより大きい接続電極と電気的経路の開口部を有
し、半導体チップ本体と電気的に接続するために半導体
チップの周囲を取り囲むように電源系パターンを設け、
電源系パターンと半導体チップ本体を導電性接着剤を用
いて電気的に接続することを特徴とする。

【００４５】本発明の半導体装置は、樹脂基板上に実装
する半導体チップの各電極を接続するための接続電極
と、マザーボードと接続するためのハンダボール端子
と、この接続電極とハンダボール端子を接続するための
電気的経路と、電気的経路を保護するための樹脂絶縁膜
と、半導体チップを接着剤を用いて樹脂基板上に設けた
樹脂絶縁膜に直接固着すためのほぼ四角形で半導体チッ
プより大きい接続電極と電気的経路の開口部を有し、こ
の開口部に半導体チップより発生する熱を樹脂基板の裏
面に導くための独立したサーマルビアホールと、サーマ
ルビアホールによって導かれた熱をマザーボードに逃が
すための放熱用端子を有することを特徴とする。

【００４６】本発明の半導体装置は、樹脂基板上に実装
する半導体チップの各電極を接続するための接続電極
と、マザーボードと接続するためのハンダボール端子
と、この接続電極とハンダボール端子を接続するための
電気的経路と、電気的経路を保護するための樹脂絶縁膜
と、半導体チップを導電性接着剤を用いて樹脂基板上に
設けた樹脂絶縁膜に直接固着すためのほぼ四角形で半導
体チップより大きい接続電極と電気的経路の開口部を有
し、この開口部に半導体チップより発生する熱を樹脂基
板の裏面に導くための独立したサーマルビアホールと、
サーマルビアホールによって導かれた熱をマザーボード
に逃がすための放熱用端子を有し、半導体チップ本体と
電気的に接続するために半導体チップの周囲を取り囲む
ように電源系パターンを設け、電源系パターンと半導体
チップ本体を導電性接着剤を用いて電気的に接続するこ
とを特徴とする。

【００４７】本発明の半導体装置は、樹脂基板上に電気
的経路やダイパターンなどの銅うす膜層からなるパター
ンに開口部を設けている。したがって、本発明の半導体
装置は、この開口部で半導体チップを接着剤樹脂組成物
を用いて直接樹脂基板に固着することが可能な構造を有
する。

【００４８】このような構造を採用することによって、
本発明の半導体装置は、樹脂を主成分とする接着剤と密
着性が非常に良好な樹脂基板との接着が可能になる。

【００４９】したがって、本発明の半導体装置は、前述
のように加熱により半導体チップと配線基板間に剪断力
が生じても半導体チップを接着剤樹脂組成物を用いて直
接樹脂基板に接着することで接着力を高めているため、
剥離することがない。

【００５０】さらに、半導体チップ下部と配線基板間に
金属うす膜層が積層されないため、前述のようにＰＢＧ
Ａ内に吸湿した水分が半導体チップの下部に溜まること
がない。したがって、接着剤樹脂組成物と樹脂基板界面
に気泡が存在しても、気泡に水分が吹き出して剥離を生
じることがない。

【００５１】さらに、本発明の半導体装置は、半導体チ
ップの電源系電極と接続する電源系接続電極を半導体チ
ップ下まで延長する構造を有する。この延長した電源系
接続電極と半導体チップとを導電性の接着剤を用いて電
気的に接続して半導体チップ本体の電位を電源系と同じ
にすることにより、ノイズを低減することができる。

【００５２】さらに半導体チップで発生した熱は、導電
性の接着剤と延長した接続電極とハンダボール端子にい
たる電気的経路によりマザーボードに導き放熱すること
ができる。

【００５３】さらに本発明の半導体装置は半導体チップ
を実装した配線基板上に半導体チップと一定の間隔を開
けて周囲を取り囲むように電源系パターンを有する。こ
の電源系パターンと半導体チップとを導電性の接着剤を
用いて電気的に接続して半導体チップ本体の電位を電源
系と同じにすることにより、ノイズを低減することがで
きる。

【００５４】さらに半導体チップで発生した熱は、導電
性の接着剤と電源系パターンとハンダボール端子にいた
る電気的経路により、マザーボードに導き放熱すること
ができる。

【００５５】さらにまた、半導体チップの周囲を取り囲
むように電源系パターンを設けているため、電源系電極
の配置が異なる半導体チップを実装する場合もパターン
を変更する必要がない。さらに、この電源系パターンと
複数のハンダボール端子を電気的に接続することで電源
系の電気的容量を容易に確保できる。

【００５６】さらに本発明の半導体装置は、樹脂基板上
に電気的経路やダイパターンなどの銅うす膜層からなる
パターンの開口部にサーマルビアホールを有している。
このサーマルビアホールは壁面に熱伝導性の良好な銅メ
ッキ層を有する。さらにこのサーマルビアホールはパッ
ケージ裏面でハンダボールからなる放熱用端子を有して
いる。

【００５７】したがって、樹脂基板上のパターン開口部
に熱伝導性の良好な接着剤を用いて半導体チップを実装
することができ、半導体チップで発生した熱をマザーボ
ードに導き、効果的に放熱することができる。

【００５８】さらに、本発明の半導体装置においては、
前述のパターンの開口部で半導体チップを接着剤樹脂組
成物を用いて樹脂基板に設ける樹脂絶縁膜に固着する構
造を採用する。

【００５９】この構造によって、本発明は樹脂を主成分
とする接着性が非常に良好な樹脂絶縁膜との接着が可能
になる。

【００６０】さらにこのような構造を採用することによ
って、本発明の半導体装置は樹脂絶縁膜と密着性が非常
に良好な樹脂基板との積層が可能になる。

【００６１】したがって、リフローハンダ付けの加熱に
より半導体チップと配線基板間に剪断力が生じても、半
導体チップ下部が密着性の良好な材料を積層した構造の
ため剥離することがない。

【００６２】さらに半導体チップ下部と配線基板の間に
金属うす膜層が積層されないため半導体パッケージ内に
吸湿した水分が半導体チップ下部に溜まることがない。

【００６３】さらにまた本発明の半導体装置は、半導体
チップを表面の平滑性が良好な樹脂絶縁膜上に接着す
る。このため、接着剤組成物と樹脂基板との界面に気泡
が残りにくい。

【００６４】

【発明の実施の形態】以下、図面に基づいて本発明の半
導体装置を実施するための最良の形態における構造につ
いて説明する。図１は本発明の第１の実施形態における
半導体装置の構造を示す断面図である。また図２は本発
明の第１の実施形態における半導体装置の銅パターン構
造を示す平面図である。以下、図１と図２とを交互に参
照して実施形態を説明する。なお図１と図２において
は、従来技術と同一部材は同一符号を付している。

【００６５】図１に示すように、樹脂基板１の平面形状
はほぼ四角形の平面状であり、板厚が０．２ｍｍ程度の
樹脂材料からなる。樹脂基板１の材料としてはエポキシ
樹脂やポリイミド樹脂等の樹脂材料があげられるが、望
ましくはガラス繊維を含浸したエポキシ樹脂である。

【００６６】この樹脂基板１はおもて面と裏面に厚さ１
８μｍ程度の電気的経路を設けるための銅うす膜層を有
している。さらに樹脂基板１のおもて面と裏面の電気的
経路を接続するための複数のスルーホール２を、切削ド
リルなどの穴あけ手段により設ける。

【００６７】さらに樹脂基板１のおもて面と裏面の電気
的経路を接続するためにスルーホール２の壁面に銅メッ
キ層を設ける。この銅メッキ層は樹脂基板１の全面に施
してある。

【００６８】さらに、このおもて面と裏面とに銅メッキ
層を有する樹脂基板１にエッチングマスクパターンとエ
ッチング液を用てエッチング処理を行う。このエッチン
グ処理により、図２に示したように樹脂基板１おもて面
に半導体チップ８を固着するためのほぼ四角形で半導体
チップ８の外形より１ｍｍ程度大きく開口部１４を設け
る。

【００６９】さらに樹脂基板１おもて面に半導体チップ
８の電源系電極と電気的に接続するための接続電極４を
銅うす膜層として設ける。

【００７０】さらに樹脂基板１おもて面に半導体チップ
８の電源系電極のうち、グランドまたは電源のいずれか
と一方と電気的に接続するための電源系接続電極４ａを
銅うす膜層として設ける。

【００７１】さらにまた、望ましくは電源系接続電極４
ａは、半導体チップ８と導電性接着剤９ａを介して電気
的に接続するために、図１と図２に示すように半導体チ
ップ８下部まで延長する。

【００７２】そのうえ樹脂基板１おもて面に接続電極４
とスルーホール２を電気的に接続するための電気的経路
を銅うす膜層として設ける。そのうえ樹脂基板１おもて
面に電源系接続電極４ａとスルーホール２を電気的に接
続するための電気的経路を銅うす膜層として設ける。

【００７３】さらに樹脂基板１の裏面にハンダボール端
子１２をハンダ付けするためのパッド電極５を銅うす膜
層として設ける。そのうえ樹脂基板１の裏面にパッド電
極５とスルーホール２を電気的に接続するための図示し
ない電気的経路を銅うす膜層として設ける。

【００７４】また、前述のようにエッチング処理した樹
脂基板１のおもて面と裏面に電気的経路を保護するため
の樹脂絶縁膜６を設ける。

【００７５】樹脂基板１おもて面の樹脂絶縁膜６は、そ
の中央にほぼ四角形の開口部を有しており、接続電極４
と電源系接続電極４ａは露出している。さらに樹脂基板
１の裏面の樹脂絶縁膜６はパッド電極５と同数の開口部
を有しており、パッド電極５の部分は露出している。こ
の樹脂絶縁膜６の材料として望ましいのはエポキシ樹脂
である。

【００７６】以上説明したように、配線基板７はおもて
面に開口部１４と接続電極４と電源系接続電極４ａと樹
脂絶縁膜６を有している。

【００７７】さらに配線基板７は、裏面にパッド電極５
と樹脂絶縁膜６を有している。また配線基板７は接続電
極４と裏面のパッド電極５とをスルーホール２を介して
電気的に接続する。

【００７８】さらに配線基板７は、電源系接続電極４ａ
と裏面のパッド電極５とをスルーホール２を介して電気
的に接続する。

【００７９】さらに配線基板７のおもて面と裏面の樹脂
絶縁膜６から露出している各銅うす膜層の表面に、膜厚
２μｍ〜５μｍ程度のニッケルメッキ層を設け、その上
層に導通性の優れた膜厚０．５μｍ程度の金（Ａｕ）メ
ッキ層を設ける。このニッケルメッキ層と金（Ａｕ）メ
ッキ層により銅うす膜層の酸化が防止され、さらに良好
な電気的接続が得られる。

【００８０】さらに半導体チップ８は、開口部１４で導
電性接着剤９ａを用いて樹脂基板１に直接固着してあ
る。半導体チップ８を固着するために樹脂組成物からな
る接着剤９を用いても、本発明の目的である耐湿性の良
好な半導体装置が得られる。

【００８１】半導体チップ８の固着に接着剤９を用いた
場合は電源系接続電極４ａは、半導体チップ８下部まで
延長する必要がない。

【００８２】また半導体チップ８を固着するために導電
性接着剤９ａを用いて、さらに電源系接続電極４ａを半
導体チップ８の下部まで延長することで、良好な耐湿性
に加えて、ノイズが少なく熱放散性の良好な半導体装置
が得られる。したがって、半導体チップ８の固着には導
電性接着剤９ａを用いることが望ましい。

【００８３】導電性接着剤９ａの材料は、良好な導電性
と熱伝導性とを備えるフィラーを含有する樹脂組成物か
らなる。良好な導電性と熱伝導性を備えたフィラーとし
て金（Ａｕ）や銀や銅などの金属微粉末があげられる。
また主成分の樹脂としてはエポキシやフェノールやポリ
イミドやウレタンやアクリルなどがあげられる。このな
かで望ましい材料はエポキシ樹脂を主成分とし、銀微粉
末をフィラーとして含有する導電性接着剤である。

【００８４】さらに半導体チップ８のそれぞれ電極は、
接続電極４とテープ・オートメーイティド・ボンディン
グ（ＴＡＢ）接続やワイヤー接続などの方法で電気的に
接続することができる。接続の手段として望ましいのは
ワイヤーボンディング接続である。

【００８５】本発明の第１の実施形態では図１に示した
ように、接続ワイヤー１０で接続してある。接続ワイヤ
ー１０の材料として望ましいのは導通性に優れた金（Ａ
ｕ）ワイヤーである。

【００８６】さらに半導体チップ８の電源系電極のう
ち、グランドまたは電源のいずれか一方を電源系接続電
極４ａと前述の接続方法で接続することができる。本発
明の第１の実施形態では図１に示したように、接続ワイ
ヤー１０で接続してある。

【００８７】そのうえ半導体チップ８の遮光と保護を行
うために、半導体チップ８と接続ワイヤー１０は熱硬化
性の封止樹脂１１でトランスファーモールドにより樹脂
封止してある。

【００８８】封止樹脂１１の材料は、ガラスやシリカな
どの微粉末を含有した熱硬化性の樹脂組成物である。熱
硬化性の樹脂組成物としてはエポキシ樹脂やシリコン樹
脂があげられるが望ましくはエポキシ樹脂である。

【００８９】また配線基板７裏面のパッド電極５にハン
ダボールを供給し、加熱炉で加熱することによりハンダ
ボール端子１２を設ける。このハンダボール端子１２
は、図示しないマザーボード基板の配線パターンと接続
するために用いる。またハンダボール端子１２の材料と
して望ましいのは、鉛（Ｐｂ）と錫（Ｓｎ）の重量比が
６対４のハンダである。

【００９０】なお、図１に示すように第１の実施形態の
ＰＢＧＡ１３は、半導体チップ８のそれぞれの電極とハ
ンダボール端子１２とを、接続ワイヤー１０と配線基板
７を介して電気的に接続している。

【００９１】さらに第１の実施形態のＰＢＧＡ１３は、
半導体チップ８本体と電源系接続電極４ａとを、導電性
接着剤９ａを介して電気的に接続している。

【００９２】以上説明したように本発明の第１の実施形
態が従来技術のＰＢＧＡと構造上で異なる点は、樹脂基
板１上に銅うす膜層の開口部１４を設けている点であ
る。したがって本発明の半導体装置は、この開口部１４
で半導体チップ８を樹脂組成物からなる導電性接着剤９
ａを用いて直接樹脂基板１に固着する構造を有する。

【００９３】この構造によって、本発明の半導体装置
は、樹脂を主成分とする接着剤９と密着性が非常に良好
な樹脂基板１との接着が可能になっている。

【００９４】銀微粉末を含有しエポキシ樹脂を主成分と
する導電性接着剤９ａを用いて、表面に金（Ａｕ）メッ
キ層を有する従来技術のダイパターン３上に、一辺１０
ｍｍの正方形の半導体チップ８を固着した場合の、２０
０℃におけるダイシェアー強度を測定したところ１７ｋ
ｇｆであった。

【００９５】同様に、銀微粉末を含有しエポキシ樹脂を
主成分とする導電性接着剤９ａを用いて、ガラス繊維を
含浸したエポキシ樹脂からなる樹脂基板１上に、一辺が
１０ｍｍの正方形の半導体チップ８を固着する本発明の
場合、２００℃におけるダイシェアー強度を測定したと
ころ４１ｋｇｆであった。

【００９６】このように本発明の半導体装置では、半導
体チップ８を樹脂組成物からなる導電性接着剤９ａを用
いて直接樹脂基板１に固着することで接着力を高めてい
る。このため、前述のようにＰＢＧＡ１３の加熱により
半導体チップ８と配線基板７との間に剪断力が生じて
も、本発明の半導体装置では剥離することがない。

【００９７】さらに、半導体チップ８下部と配線基板７
の間に金属うす膜層が積層されないため、前述のように
ＰＢＧＡ１３内部に吸湿した水分が半導体チップ８下部
に溜まることがない。

【００９８】したがって導電性接着剤９ａと樹脂基板１
界面に気泡が存在しても、本発明の半導体装置において
は気泡に水分が吹き出して剥離を生じることがない。

【００９９】さらに、本発明の第１の実施形態における
半導体装置は、半導体チップ８の電源系電極と接続する
電源系接続電極４ａを半導体チップ８下まで延長する構
造を有する。

【０１００】この延長した電源系接続電極４ａと半導体
チップ８とを、導電性接着剤９ａを用いて電気的に接続
して半導体チップ８本体の電位を電源系のグランドまた
は電源の電位と同じにすることで、ノイズを低減するこ
とができる。

【０１０１】さらに半導体チップ８で発生した熱も、導
電性接着剤９ａと延長した電源系接続電極４ａとハンダ
ボール端子に至る電気的な経路によりマザーボードに導
くことができる。

【０１０２】つぎに本発明の第２の実施形態における半
導体装置の構造を説明する。図３は本発明の第２の実施
形態における半導体装置の構造を示す断面図である。ま
た図４は本発明の第２の実施形態における半導体装置の
銅パターンを示す平面図である。以下図３と図４とを交
互に参照して説明する。なお図３と図４においては、従
来技術と同一部材は同一符号を付している。

【０１０３】図３に示すように、樹脂基板１は、その平
面形状がほぼ四角形で板厚が０．２ｍｍ程度の樹脂材料
からなる。樹脂基板１の材料としてはエポキシ樹脂やポ
リイミド樹脂等の樹脂材料があげられるが、望ましくは
ガラス繊維を含浸したエポキシ樹脂である。

【０１０４】この樹脂基板１はおもて面と裏面に厚さ１
８μｍ程度の電気的経路を設けるための銅うす膜層を有
している。さらに樹脂基板１のおもて面と裏面の電気的
経路を接続するための複数のスルーホール２を切削ドリ
ルなどの穴あけ手段により設ける。

【０１０５】さらに樹脂基板１の全面に無電界メッキ処
理と電界メッキ処理により銅メッキ層を設ける。この銅
メッキ層はスルーホール２内まで施してある。

【０１０６】さらに、前述のようにおもて面と裏面に銅
うす膜層を設ける樹脂基板１にエッチングマスクパター
ンとエッチング液を用てエッチング処理を行う。このエ
ッチング処理により、図４に示すように樹脂基板１おも
て面に半導体チップ８を固着するための、ほぼ四角形で
半導体チップ８の外形寸法より１ｍｍ程度大きく銅うす
膜層の開口部１４を設ける。

【０１０７】さらに樹脂基板１のおもて面に半導体チッ
プ８の電源系電極のうち、グランドまたは電源のいずれ
か一方と電気的に接続するための電源系パターン３ａと
電源系パターン３ｂを銅うす膜層として設ける。

【０１０８】この電源系パターン３ａは半導体チップ８
を取り囲むように、開口部１４の外にほぼ四角形に設け
る。また電源系パターン３ｂは電源系パターン３ａを取
り囲むようにほぼ四角形に設ける。

【０１０９】さらにそのうえ電源系パターン３ａと電源
系パターン３ｂはスルーホール２を有する。また、望ま
しくは電源系パターン３ａは半導体チップ８と導電性接
着剤９ａを介して電気的に接続するために、図３に示し
たように半導体チップ８の下部まで延長する。

【０１１０】さらに樹脂基板１のおもて面に半導体チッ
プ８の各電極と電気的に接続するための接続電極４を銅
うす膜層として設ける。そのうえ樹脂基板１おもて面に
接続電極４とスルーホール２を電気的に接続するための
電気的経路を銅うす膜層として設ける。

【０１１１】さらに樹脂基板１の裏面にハンダボール端
子１２をハンダ付けするためのパッド電極５を銅うす膜
層として設ける。そのうえ樹脂基板１の裏面にパッド電
極５とスルーホール２を電気的に接続するための図示し
ない電気的経路を銅うす膜層として設ける。

【０１１２】また、前述のようにエッチング処理した樹
脂基板１のおもて面と裏面とに、電気的経路を保護する
ための樹脂絶縁膜６を設ける。

【０１１３】樹脂基板１おもて面の樹脂絶縁膜６は、そ
の中央部にほぼ四角形の開口部を有しており、電源系パ
ターン３ａと電源系パターン３ｂと接続電極４は露出し
ている。さらに樹脂基板１の裏面の樹脂絶縁膜６はパッ
ド電極５と同数の開口部を有しており、パッド電極５の
部分は露出している。この樹脂絶縁膜６の材料として望
ましいのはエポキシ樹脂である。

【０１１４】以上説明したように、本発明の半導体装置
においては、配線基板７はおもて面に開口部１４と接続
電極４と電源パターン３ａと電源系パターン３ｂと樹脂
絶縁膜６を有している。さらに配線基板７は裏面にパッ
ド電極５と樹脂絶縁膜６を有している。

【０１１５】また本発明の半導体装置の配線基板７は、
接続電極４と裏面のパッド電極５とをスルーホール２を
介して電気的に接続する。

【０１１６】さらに本発明の半導体装置の配線基板７は
電源系パターン３ａと裏面のパッド電極５とをスルーホ
ール２を介して電気的に接続する。さらに配線基板７は
電源系パターン３ｂと裏面のパッド電極５とをスルーホ
ール２を介して電気的に接続する。

【０１１７】さらに本発明の半導体装置は、配線基板７
のおもて面と裏面の樹脂絶縁膜６から露出している各銅
うす膜層の表面に、膜厚２μｍ〜５μｍ程度のニッケル
メッキ層を設け、その上層に導通性の優れた膜厚が０．
５μｍ程度の金（Ａｕ）メッキ層を設ける。このニッケ
ルメッキ層と金（Ａｕ）メッキ層により銅うす膜層の酸
化が防止され、さらに良好な電気的接続が得られる。

【０１１８】さらに、本発明の半導体チップ８は開口部
１４で導電性接着剤９ａを用いて樹脂基板１に直接固着
してある。半導体チップ８を固着するために樹脂組成物
からなる接着剤９を用いても、本発明の目的である耐湿
性の良好な半導体装置が得られる。

【０１１９】半導体チップ８の固着に接着剤９を用いた
場合は、電源系パターン３ａは半導体チップ８下部まで
延長する必要が無い。また半導体チップ８を固着するた
めに導電性接着剤９ａを用いて、さらに電源系パターン
３ａを半導体チップ８の下部まで延長することで、良好
な耐湿性に加えて、ノイズが少なく熱放散性の良好な半
導体装置が得られる。

【０１２０】したがって、本発明第２の実施形態の半導
体装置ように、半導体チップ８の固着には導電性接着剤
９ａを用いることが望ましい。

【０１２１】導電性接着剤９ａの材料は、良好な導電性
と熱伝導性とを備えるフィラーを含有した樹脂組成物で
ある。良好な導電性と熱伝導性とを備えたフィラーとし
て、金（Ａｕ）や銀や銅などの金属微粉末があげられ
る。また主成分の樹脂としてはエポキシやフェノールや
ポリイミドやウレタンやアクリルなどがあげられる。こ
のなかで望ましい材料はエポキシ樹脂を主成分とし、銀
微粉末をフィラーとして含有する導電性接着剤である。

【０１２２】さらに、半導体チップ８の各電極は接続電
極４とテープ・オートメイティド・ボンディング（ＴＡ
Ｂ）接続やワイヤー接続などの接続方法で電気的に接続
することができる。このなかで接続の手段として望まし
いのはワイヤーボンディング接続である。

【０１２３】本発明の第２の実施形態における半導体装
置では図３に示したように、接続ワイヤー１０で接続し
てある。接続ワイヤー１０の材料として望ましいのは導
通性に優れた金（Ａｕ）ワイヤーである。

【０１２４】さらに半導体チップ８の電源系電極のう
ち、グランドまたは電源のいずれか一方と電源系パター
ン３ａとを前述の方法で接続することができる。本発明
の第２の実施形態では図３に示したように、接続ワイヤ
ー１０で接続してある。

【０１２５】さらに半導体チップ８の電源系電極のう
ち、グランドまたは電源のいずれか一方と電源系パター
ン３ｂとを前述の方法で接続することができる。本発明
の第２の実施形態では図３に示したように、接続ワイヤ
ー１０で接続してある。

【０１２６】そのうえ半導体チップ８の遮光と保護を行
うために、半導体チップ８と接続ワイヤー１０とは、熱
硬化性の封止樹脂１１でトランスファーモールドにより
樹脂封止してある。封止樹脂１１の材料はガラスやシリ
カなどの微粉末を含有した熱硬化性の樹脂組成物であ
る。熱硬化性の樹脂組成物としてはエポキシ樹脂やシリ
コン樹脂があげられるが望ましくはエポキシ樹脂であ
る。

【０１２７】また配線基板７裏面のパッド電極５にハン
ダボールを供給し、加熱炉で加熱することによりハンダ
ボール端子１２を設ける。このハンダボール端子１２
は、図示しないマザーボード基板の配線パターンと接続
するために用いる。またハンダボール端子１２の材料と
して望ましいのは、鉛（Ｐｂ）と錫（Ｓｎ）の重量比が
６対４のハンダである。

【０１２８】なお、図３に示したように本発明の第２の
実施形態のＰＢＧＡ１３は、半導体チップ８のそれぞれ
の電極とハンダボール端子１２とを、接続ワイヤー１０
と配線基板７を介して電気的に接続している。

【０１２９】さらに本発明の第２の実施形態のＰＢＧＡ
１３は、半導体チップ８本体と電源系パターン３ａとを
導電性接着剤９ａを介して電気的に接続している。

【０１３０】以上説明したように、本発明の第２の実施
形態における半導体装置が従来技術のＰＢＧＡと構造上
で異なる点は、樹脂基板１上に銅うす膜層の開口部１４
を設けている点である。

【０１３１】したがって本発明の第２の実施形態の半導
体装置は、この開口部１４で半導体チップ８を樹脂組成
物からなる導電性接着剤９ａを用いて直接樹脂基板１に
固着する構造を有する。この構造によって、樹脂を主成
分とする接着剤と密着性が非常に良好な樹脂基板１との
接着が可能になっている。

【０１３２】したがって前述のように、ＰＢＧＡ１３の
加熱により半導体チップ８と配線基板７の間に剪断力が
生じても半導体チップ８を樹脂組成物からなる導電性接
着剤９ａを用いて直接樹脂基板１に接着することで、接
着力を高めているため剥離することがない。

【０１３３】さらに本発明の第２の実施形態の半導体装
置は、半導体チップ８下部と配線基板７の間に金属うす
膜層が積層されていないため、前述のようにＰＢＧＡ１
３内部に吸湿した水分が半導体チップ８下部に溜まるこ
とがない。

【０１３４】したがって導電性接着剤９ａと樹脂基板１
の界面に気泡が存在しても、本発明の半導体装置は気泡
に水分が吹き出して剥離を生じることがない。

【０１３５】さらに、本発明の第２の実施形態のＰＢＧ
Ａが第１の実施形態と構造上で異なる点は、半導体チッ
プ８を実装した配線基板７上に半導体チップ８と１ｍｍ
程度の間隔を開けて周囲を取り囲むように電源系パター
ン３ａを有することである。さらにこの電源系パターン
３ａを取り囲むように電源系パターン３ｂを有すること
である。

【０１３６】したがって、電源系電極の配置が異なる半
導体チップを実装する場合もパターンを変更する必要が
ない。さらに本発明は、この電源系パターン３ａと電源
系パターン３ｂに複数のハンダボール端子を電気的に接
続することで電源系の電気的容量を容易に確保すること
ができる。

【０１３７】また本発明の第２の実施形態では、電源系
パターン３ａを半導体チップ８下部まで延長した構造を
有する。この電源パターン３ａと半導体チップ８とを導
電性接着剤９ａを用いて電気的に接続して半導体チップ
８本体の電位を電源系のグランドまたは電源の電位と同
じにすることでノイズが低減できる。

【０１３８】さらに半導体チップ８で発生した熱も導電
性接着剤９ａと電源系パターン３ａとハンダボール端子
に至る電気的経路によりマザーボードに導くことができ
る。

【０１３９】つぎに本発明の第３の実施形態における半
導体装置の構造を図５と図６と図７とを用いて説明す
る。図５は本発明の第３の実施形態における半導体装置
の構造を示す断面図であり、図６は本発明の第３の実施
形態における半導体装置のおもて面を示す平面図であ
り、図７は本発明の第３の実施形態における半導体装置
の裏面を示す平面図である。なお本発明の第３の実施形
態を示す図５と図６と図７においては、第１の実施形態
と第２の実施形態のＰＢＧＡ１３と同一構成要素には同
一符号を付けてある。以下図５と図６と図７とを交互に
参照して説明する。

【０１４０】図５に示すように、樹脂基板１の平面形状
はほぼ四角形であり、板厚が０．２ｍｍ程度の樹脂材料
からなる。樹脂基板１の材料としてはエポキシ樹脂やポ
リイミド樹脂などの樹脂材料があげられるが、望ましく
はガラス繊維を含浸したエポキシ樹脂である。

【０１４１】この樹脂基板１はおもて面と裏面に厚さ１
８μｍ程度の電気的経路を設けるための銅うす膜層を有
しいる。さらに樹脂基板１のおもて面と裏面の電気的経
路を接続するための複数のスルーホール２を切削ドリル
などの穴あけ手段により設ける。

【０１４２】さらに樹脂基板１に設けるスルーホール２
は内壁に、樹脂基板１のおもて面と裏面の電気的経路を
接続するための銅メッキ層を有している。

【０１４３】さらに、おもて面と裏面に銅うす膜層を有
する樹脂基板１にエッチングマスクパターンとエッチン
グ液を用てエッチング処理を行う。このエッチング処理
により、図４に示すように樹脂基板１おもて面に半導体
チップ８を固着するためのほぼ四角形で半導体チップ８
の外形より１ｍｍ程度大きく銅うす膜層の開口部１４を
設ける。

【０１４４】さらにこの開口部１４に、半導体チップ８
から発生する熱をマザーボードに導くための、独立した
サーマルビアホール２ａを設ける。このサーマルビアホ
ール２ａは、壁面に熱伝導性の良好な銅メッキ層を有す
る。

【０１４５】さらに樹脂基板１のおもて面に、半導体チ
ップ８の各電極と電気的に接続するための接続電極４を
銅うす膜層として設ける。

【０１４６】さらに図６に示すように、樹脂基板１のお
もて面に半導体チップ８の電源系電極のうちグランドま
たは電源のいずれか一方と電気的に接続するためのほぼ
四角形の電源系パターン３ｃを銅うす膜層として設け
る。

【０１４７】さらに樹脂基板１のおもて面に、半導体チ
ップ８の電源系電極のうちグランドまたは電源のいずれ
か一方と電気的に接続するためのほぼ四角形の電源系パ
ターン３ｄを銅うす膜層として設ける。

【０１４８】そのうえ樹脂基板１のおもて面に、接続電
極４とスルーホール２とを電気的に接続するための、図
示しない電気的経路を銅うす膜層として設ける。

【０１４９】さらに樹脂基板１の裏面に、ハンダボール
端子１２をハンダ付けするためのパッド電極５を銅うす
膜層として設ける。

【０１５０】そのうえ樹脂基板１の裏面に、パッド電極
５とスルーホール２とを電気的に接続するための、図示
しない電気的経路を銅うす膜層として設ける。

【０１５１】また、図７に示す樹脂基板１の裏面には前
述のエッチング処理により、電源系の電気的容量を確保
するように、複数のハンダボール端子１２を電気的に接
続するための電源系パターン３ａと電源系パターン３ｂ
を銅うす膜層として設ける。

【０１５２】前述のようにエッチング処理した樹脂基板
１のおもて面に、接続電極４と電源系パターン３ｃと電
源系パターン３ｄと開口部１４は露出するようにして電
気的経路を保護するための樹脂絶縁膜６を設ける。

【０１５３】同様に、樹脂基板１裏面のパッド電極５と
サーマルビアホール２は、露出するようにして電気的経
路を保護するための樹脂絶縁膜６を設ける。

【０１５４】さらに電源系パターン３ａと電源系パター
ン３ｂの上の樹脂絶縁膜６にはハンダボール端子１２を
ハンダ付けするための開口部を設けてある。この樹脂絶
縁膜６の材料として望ましいのはエポキシ樹脂である。

【０１５５】以上説明したように、配線基板７はおもて
面に、電源系パターン３ｃと電源系パターン３ｄと接続
電極４と樹脂絶縁膜６と開口部１４を有している。また
開口部１４には、サーマルビアホール２ａを設けてあ
る。

【０１５６】さらに配線基板７は、その裏面にパッド電
極５と電源系パターン３ａと電源系パターン３ｂと樹脂
絶縁膜６とを有している。

【０１５７】また配線基板７は、接続電極４と裏面のパ
ッド電極５とを、スルーホール２を介して電気的に接続
する。

【０１５８】さらに配線基板７は電源系パターン３ｃと
裏面の電源系パターン３ａとを、スルーホール２を介し
て電気的に接続する。

【０１５９】さらに配線基板７は、電源系パターン３ｄ
と裏面の電源系パターン３ｂとをスルーホール２を介し
て電気的に接続する。

【０１６０】また図７に示すように、樹脂基板１裏面の
電源系パターン３ａと電源系パターン３ｂは電源系の電
気的容量を確保するため複数のハンダボール端子を接続
するような銅パターンとなっている。

【０１６１】さらに、配線基板７のおもて面と裏面との
露出しているそれぞれの銅うす膜層の表面に、膜厚が２
μｍ〜５μｍ程度のニッケルメッキ層をもうける。さら
にそのニッケルメッキ層上に導通性の優れた０．５μｍ
程度の膜厚の金（Ａｕ）メッキ層を設ける。

【０１６２】このニッケルメッキ層と金（Ａｕ）メッキ
層により銅うす膜層の酸化を防止することができ、さら
に良好な電気的接続が得られる。

【０１６３】さらに半導体チップ８は、開口部１４で樹
脂基板１に導電性接着剤９ａを用いて直接固着してあ
る。

【０１６４】この導電性接着剤９ａの材料は、良好な導
電性と熱伝導性を備えたフィラーを含有する接着剤樹脂
組成物である。良好な導電性と熱伝導性を備えたフィラ
ーとしては、金や銀や銅などの金属微粉末があげられ
る。また主成分の樹脂は、エポキシやフェノールやポリ
イミドやウレタンやアクリルなどがあげられる。このな
かで望ましい材料はエポキシ樹脂を主成分とし、銀微粉
末を含有する接着剤樹脂組成物である。

【０１６５】さらに半導体チップ８の信号系の各電極は
接続電極４と接続ワイヤー１０を用いて接続してある。
接続ワイヤー１０の材料として望ましいのは導通性に優
れた金（Ａｕ）ワイヤーである。

【０１６６】さらに半導体チップ８の電源系電極は、電
源系パターン３ｃと電源系パターン３ｄと接続ワイヤー
１０を用いて接続してある。また図６に示すよう、電
源系パターン３ｄと導電性接着剤９ａとを接着してあ
る。

【０１６７】そのうえ半導体チップ８の遮光と保護を行
うために、半導体チップ８と接続ワイヤー１０は熱硬化
性の封止樹脂１１でトランスファーモールドにより樹脂
封止してある。封止樹脂１１の材料はガラスやシリカな
どの微粉末を含有した熱硬化性の樹脂組成物である。熱
硬化性の樹脂組成物としてはエポキシ樹脂やシリコン樹
脂があげられるが望ましくはエポキシ樹脂である。

【０１６８】また配線基板７の裏面のパッド電極５と電
源系パターン３ａと電源系パターン３ｂとサーマルビア
ホール２にある樹脂絶縁膜６の開口部に、ハンダボール
を供給して、加熱炉で加熱することによりハンダボール
端子１２と放熱用端子１２ａを設ける。

【０１６９】このハンダボール端子１２と放熱用端子１
２ａは、図示しないマザーボード基板の配線パターンと
接続するために用いる。

【０１７０】またハンダボール端子１２材料として望ま
しいのは、鉛（Ｐｂ）と錫（Ｓｎ）の重量比が６対４の
ハンダである。

【０１７１】なお本発明の第３の実施形態のＰＢＧＡ１
３は、半導体チップ８の各信号系電極とパッド電極５上
のハンダボール端子１２とを接続ワイヤー１０と接続電
極４とスルーホール２を介して電気的に接続している。

【０１７２】さらに本発明の第３の実施形態のＰＢＧＡ
１３は、半導体チップ８の電源系電極のうち、グランド
または電源のいずれか一方と電源系パターン３ａ上のハ
ンダボール端子１２とを接続ワイヤー１０と電源系パタ
ーン３ｃとスルーホール２を介して電気的に接続してい
る。

【０１７３】さらに本発明の第３の実施形態のＰＢＧＡ
１３は、半導体チップ８の電源系電極のうち、グランド
または電源のいずれか一方と電源系パターン３ｂ上のハ
ンダボール端子１２とを接続ワイヤー１０と電源系パタ
ーン３ｄとスルーホール２を介して電気的に接続してい
る。

【０１７４】そのうえ本発明の第３の実施形態のＰＢＧ
Ａ１３は、半導体チップ８本体と電源系パターン３ｄと
を導電性接着剤９ａを介して電気的に接続している。

【０１７５】また、本発明の第３の実施形態のＰＢＧＡ
１３は、半導体チップ８本体と放熱用端子１２ａとを熱
伝導性の良好な導電性接着剤９ａとサーマルビアホール
２ａを介して熱的に接続している。

【０１７６】そのうえ本発明の第３の実施形態のＰＢＧ
Ａ１３は、半導体チップ８本体とハンダボール端子１２
とを導電性接着剤９ａと電源系パターン３ｄとスルーホ
ール２を介して熱的に接続している。

【０１７７】以上説明したように本発明の第３の実施形
態が第１の実施形態と構造上で異なる点は、独立したサ
ーマルビアホールと放熱用端子を有している点である。

【０１７８】したがって樹脂基板上の開口部１４に、熱
伝導性の良好な接着剤を用いて半導体チップ８を実装す
ることで、この半導体チップ８で発生した熱をマザーボ
ードに導き、効果的に放熱することができる。

【０１７９】さらに第３の実施形態が第１の実施形態と
構造上で異なる点は、半導体チップ８を取り囲むように
平面パターン形状がほぼ四角形の電源系パターン３ｃを
設ける点である。

【０１８０】この電源系パターン３ｃと半導体チップ８
とを導電性の接着剤を用いて電気的に接続して、半導体
チップ８本体の電位を電源系と同じにすることでノイズ
が低減することができる。

【０１８１】さらに半導体チップ８からで発生する熱
も、導電性の接着剤と電源系パターンハンダボール端子
に至る電気的経路により、マザーボードに導くことがで
きる。

【０１８２】また本発明の第３の実施形態におけるＰＢ
ＧＡ１３が従来例と構造上で異なる点は、樹脂板１上に
電気的経路やダイパターンなどの銅うす膜層からなるパ
ターンに開口部１４を設けている点である。

【０１８３】したがって本発明の第３の実施形態におけ
る半導体装置は、この開口部１４で半導体チップ８を、
接着剤樹脂組成物を用いて直接樹脂基板に固着する構造
を有する。

【０１８４】このような構造によって、樹脂を主成分と
する接着剤と密着性が非常に良好な樹脂基板との接着が
可能になる。

【０１８５】したがって前述のように、パッケージの加
熱により半導体チップ８と配線基板７の間に剪断力が生
じても、半導体チップ８を接着剤樹脂組成物を用いて直
接樹脂基板に接着することで接着力を高めているため、
本発明の半導体装置においては剥離が発生することはな
い。

【０１８６】さらに、半導体チップ８下部と配線基板７
の間に金属うす膜層が積層されていない。このため、前
述のようにパッケージ内に吸湿した水分が半導体チップ
８下部に溜まることがない。したがって本発明の半導体
装置は、接着剤樹脂組成物と樹脂基板界面に気泡が存在
しても気泡に水分が吹き出して剥離を生じることがな
い。

【０１８７】つぎに本発明の第４の実施形態における半
導体装置の構造を、図８と図９と図１０とを用いて説明
する。図８は本発明の第４の実施形態における半導体装
置を示す断面図である。図９は本発明の第４の実施形態
における半導体装置をおもて面から見た状態を示す平面
図であり、図１０は本発明の第４の実施形態における半
導体装置を裏面から見た状態を示す平面図である。なお
本発明の第４の実施形態を示す図８と図９と図１０にお
いては、第１の実施形態と第２の実施形態と第３の実施
形態のＰＢＧＡ１３と同一構成要素には同一符号を付け
てある。以下、図８と図９と図１０とを交互に参照して
説明する。

【０１８８】図８に示すように、樹脂基板１はほぼ四角
形の平面形状を有し、この樹脂基板１の板厚は０．２ｍ
ｍ程度の樹脂材料からなる。

【０１８９】樹脂基板１の材料としては、エポキシ樹脂
やポリイミド樹脂などの樹脂材料があげられる。そして
樹脂基板１としては、望ましくはガラス繊維を含浸した
エポキシ樹脂を使用する。

【０１９０】この樹脂基板１はおもて面と裏面に厚さ１
８μｍ程度の電気的経路を設けるための銅うす膜層を有
しいる。さらに樹脂基板１のおもて面と裏面の電気的経
路を接続するための複数のスルーホール２を切削ドリル
などの穴あけ手段により設ける。

【０１９１】さらに樹脂基板１に設けるスルーホール２
は内壁に、樹脂基板１のおもて面と裏面の電気的経路を
接続するための銅メッキ層を有している。

【０１９２】さらに、おもて面と裏面に銅うす膜層を有
する樹脂基板１にエッチングマスクパターンとエッチン
グ液を用てエッチング処理を行う。このエッチング処理
により、樹脂基板１おもて面に半導体チップ８を樹脂絶
縁膜６を介して固着するための平面形状がほぼ四角形で
半導体チップ８の外形より１ｍｍ程度大きく銅うす膜層
の開口部１４を設ける。

【０１９３】さらに樹脂基板１おもて面に、半導体チッ
プの各電極と電気的に接続するための接続電極４を銅う
す膜層として設ける。

【０１９４】さらに図９に示すように、樹脂基板１のお
もて面に半導体チップ８の電源系電極のうち、グランド
または電源のいずれか一方と電気的に接続するための電
源系パターン３ｃを銅うす膜層として設ける。

【０１９５】さらに樹脂基板１おもて面に、半導体チッ
プ８の電源系電極のうちグランドまたは電源のいずれか
一方と電気的に接続するための電源系パターン３ｄを銅
うす膜層として設ける。

【０１９６】そのうえ樹脂基板１のおもて面に、接続電
極４とスルーホール２を電気的に接続するための、図示
しない電気的経路を銅うす膜層として設ける。

【０１９７】さらに樹脂基板１の裏面に、ハンダボール
端子１２をハンダ付けするためのパッド電極５を銅うす
膜層として設ける。

【０１９８】そのうえ樹脂基板１の裏面にパッド電極５
とスルーホール２を電気的に接続するための図示しない
電気的経路を銅うす膜層として設ける。

【０１９９】また、図３に示した樹脂基板１の裏面には
前述のエッチング処理により、電源系の電気的容量を確
保するように複数のハンダボール端子１２を電気的に接
続するための電源系パターン３ａと電源系パターン３ｂ
を銅うす膜層として設ける。

【０２００】また、前述のようにエッチング処理した樹
脂基板１のおもて面に、接続電極４と電源系パターン３
ｃと電源系パターン３ｄは露出するようにして、電気的
経路を保護するための樹脂絶縁膜６を設ける。

【０２０１】さらに樹脂基板１うら裏パッド電極５は、
露出するようにして樹脂絶縁膜６を設ける。

【０２０２】そのうえ電源系パターン３ａと電源系パタ
ーン３ｂとの上に設ける樹脂絶縁膜６はハンダボール端
子１２をハンダ付けするための開口部を設ける。この樹
脂絶縁膜６の材料として望ましいのは、エポキシ樹脂で
ある。

【０２０３】以上説明したように、配線基板７は、おも
て面に電源系パターン３ｃと電源系パターン３ｄと接続
電極４と樹脂絶縁膜６とパターン開口部１４を有してい
る。

【０２０４】さらに配線基板７は、裏面にパッド電極５
と電源系パターン３ａと電源系パターン３ｂと樹脂絶縁
膜６を有している。

【０２０５】また配線基板７は、接続電極４と裏面のパ
ッド電極５とを、スルーホール２を介して電気的に接続
する。

【０２０６】さらに配線基板７は、電源系パターン３ｃ
と裏面の電源系パターン３ａとをスルーホール２を介し
て電気的に接続する。

【０２０７】さらに配線基板７は、電源系パターン３ｄ
と裏面の電源系パターン３ｂとをスルーホール２を介し
て電気的に接続する。

【０２０８】さらに配線基板７のおもて面と裏面との露
出している各銅うす膜層の表面に、２μｍ〜５μｍ程度
の膜厚のニッケルメッキ層を設け、そのニッケルメッキ
層上に導通性の優れた０．５μｍ程度の膜厚の金メッキ
層を設ける。

【０２０９】このニッケルメッキ層と金メッキ層とによ
り銅うす膜層の酸化を防止することができ、さらに良好
な電気的接続が得られる。

【０２１０】さらに半導体チップ８は開口部１４に設け
るの樹脂絶縁膜６に、樹脂組成物からなる接着剤９を用
いて直接固着してある。

【０２１１】接着剤９の材料としては、エポキシやフェ
ノールやポリイミドやウレタンやアクリルなどの樹脂を
主成分とする接着剤樹脂組成物があげられる。このなか
で望ましい材料はエポキシ樹脂を主成分とする接着剤樹
脂組成物である。

【０２１２】さらに半導体チップ８の信号系の各電極
は、接続電極４と接続ワイヤー１０で接続してある。接
続ワイヤー１０の材料として望ましいものは導通性に優
れた金（Ａｕ）ワイヤーである。

【０２１３】さらに半導体チップ８の電源系電極は、電
源系パターン３ｃと電源系パターン３ｄと接続ワイヤー
１０で接続してある。

【０２１４】そのうえ半導体チップ８の遮光と保護を行
うために、半導体チップ８と接続ワイヤー１０は熱硬化
性の封止樹脂１１でトランスファーモールドにより樹脂
封止してある。この封止樹脂１１の材料は、ガラスやシ
リカなどの微粉末を含有した熱硬化性の樹脂組成物であ
る。熱硬化性の樹脂組成物としてはエポキシ樹脂やシリ
コン樹脂があげられるが望ましくはエポキシ樹脂であ
る。

【０２１５】さらに配線基板７裏面のパッド電極５と電
源系パターン３ａと電源系パターン３ｂにある樹脂絶縁
膜６の開口部にハンダボールを供給して、加熱炉で加熱
することによりハンダボール端子１２をハンダ付けして
ある。

【０２１６】このハンダボール端子１２は、図示しない
マザーボード基板の配線パターンと接続するために用い
る。またハンダボール端子１２の材料として望ましいの
は、鉛（Ｐｂ）とスズ（Ｓｎ）の重量比が６対４のハン
ダである。

【０２１７】なお、本発明の第４の実施形態のＰＢＧＡ
１３は、半導体チップ８の各信号系電極とパッド電極５
上のハンダボール端子１２とを接続ワイヤー１０と接続
電極４とスルーホール２を介して電気的に接続してい
る。

【０２１８】さらに本発明の第４の実施形態のＰＢＧＡ
１３は、半導体チップ８の電源系電極のうち、グランド
または電源のいずれか一方と電源系パターン３ａ上のハ
ンダボール端子１２とを接続ワイヤー１０と電源系パタ
ーン３ｃとスルーホール２を介して電気的に接続してい
る。

【０２１９】さらに本発明の第４の実施形態のＰＢＧＡ
１３は、半導体チップ８の電源系電極のうち、グランド
または電源のいずれか一方と電源系パターン３ｂ上のハ
ンダボール端子１２とを接続ワイヤー１０と電源系パタ
ーン３ｄとスルーホール２を介して電気的に接続してい
る。

【０２２０】以上説明したように、本発明の第４の実施
形態が第１実施形態と構造上で異なる点は、銅パターン
の開口部１４に設ける樹脂絶縁膜６に接着剤樹脂組成物
を用いて直接固着している点である。

【０２２１】この図８に示すような構造によって、本発
明の半導体装置は、樹脂を主成分とする接着剤と密着性
が非常に良好な樹脂絶縁膜６との接着が可能になる。

【０２２２】さらに半導体チップ８を、表面の平滑性が
良好な樹脂絶縁膜６上に接着するため、本発明の半導体
装置は、接着剤樹脂組成物と樹脂基板１の界面に気泡が
残ることがない。

【０２２３】さらに本発明の第４の実施形態は、銅パタ
ーンの開口部１４で樹脂絶縁膜６を樹脂基板１上に直接
設けるする構造を有する。この構造によって、樹脂絶縁
膜６と密着性が非常に良好な樹脂基板１との積層が可能
になる。

【０２２４】したがって、前述のように加熱により半導
体チップ８と配線基板７の間に剪断力が生じても半導体
チップ８下部は密着性の良好な材料を積層する構造のた
め剥離することがない。

【０２２５】さらに、半導体チップ８下部と配線基板７
の間に金属うす膜層が積層されないため、本発明の半導
体装置においては、前述のようにパッケージ内に吸湿し
た水分が半導体チップ８下部に溜まることがない。

【０２２６】

【発明の効果】以上の説明から明らかなように、本発明
の半導体装置は、樹脂基板上に電気的経路やダイパター
ンなどの銅うす膜層からなるパターンの開口部を設けて
いる。したがって本発明の半導体装置はこの開口部で半
導体チップを接着剤樹脂組成物を用いて直接樹脂基板に
固着することが可能な構造を有する。

【０２２７】このような構造を採用することによって、
本発明の半導体装置は、樹脂を主成分とする接着剤と密
着性が非常に良好な樹脂基板との接着が可能になる。

【０２２８】したがって、本発明の半導体装置は、前述
のように加熱により半導体チップと配線基板間に剪断力
が生じても半導体チップを接着剤樹脂組成物を用いて直
接樹脂基板に接着することで接着力を高めているため剥
離することがない。

【０２２９】さらに、半導体チップ下部と配線基板間に
金属うす膜層が積層されていないため、前述のようにＰ
ＢＧＡ内に吸湿した水分が半導体チップ下部に溜まるこ
とがない。したがって接着剤樹脂組成物と樹脂基板界面
に気泡が存在しても気泡に水分が吹き出して剥離を生じ
ることがない。

【０２３０】さらに、本発明の半導体装置は、半導体チ
ップの電源系電極と接続する電源系接続電極を半導体チ
ップ下まで延長する構造を有する。この延長した電源系
接続電極と半導体チップとを導電性の接着剤を用いて電
気的に接続して半導体チップ本体の電位を電源系と同じ
にすることにより、ノイズを低減することができる。

【０２３１】さらに半導体チップで発生した熱は、導電
性の接着剤と延長した接続電極とハンダボール端子に至
る電気的経路によりマザーボードに導き放熱することが
できる。したがって発熱量の多い半導体チップの実装も
可能である。

【０２３２】さらに本発明の半導体装置は半導体チップ
を実装した配線基板上に半導体チップと一定の間隔を開
けて周囲を取り囲むように電源系パターンを有する。こ
の電源系パターンと半導体チップとを導電性の接着剤を
用いて電気的に接続して半導体チップ本体の電位を電源
系と同じにすることにより、ノイズを低減することがで
きる。

【０２３３】さらに半導体チップで発生した熱は、導電
性の接着剤と電源系パターンとハンダボール端子にいた
る電気的経路により、マザーボードに導き放熱すること
ができる。したがって発熱量の多い半導体チップの実装
も可能である。

【０２３４】さらにまた、半導体チップの周囲を取り囲
むように電源系パターンを設けているため、電源系電極
の配置が異なる半導体チップを実装する場合もパターン
を変更する必要がない。さらに、この電源系パターンと
複数のハンダボール端子を電気的に接続することで電源
系の電気的容量を容易に確保できる。

【０２３５】さらに本発明の半導体装置は、樹脂基板上
に電気的経路やダイパターンなどの銅うす膜層からなる
パターンの開口部に独立したサーマルビアホールを有し
ている。このサーマルビアホールは壁面に熱伝導性の良
好な銅メッキ層を有する。さらにこのサーマルビアホー
ルはパッケージ裏面でハンダボールからなる放熱用端子
を有している。

【０２３６】したがって、樹脂基板上のパターン開口部
に熱伝導性の良好な接着剤を用いて半導体チップを実装
することで、半導体チップで発生した熱をマザーボード
に導き、効果的に放熱することができる。したがって発
熱量の多い半導体チップの実装も可能である。

【０２３７】さらに、本発明の半導体装置においては、
銅パターンの開口部で半導体チップを接着剤樹脂組成物
を用いて樹脂基板に設ける樹脂絶縁膜に固着する構造を
有する。

【０２３８】この構造によって、樹脂を主成分とする接
着性が非常に良好な樹脂絶縁膜との接着が可能になる。

【０２３９】さらにこのような構造を採用することによ
って、樹脂絶縁膜と密着性が非常に良好な樹脂基板との
積層が可能になる。

【０２４０】したがって、リフローハンダ付けの加熱に
より半導体チップと配線基板間に剪断力が生じても、半
導体チップ下部が密着性の良好な材料を積層した構造の
ため剥離することがない。

【０２４１】さらに半導体チップ下部と配線基板の間に
金属うす膜層が積層されないため半導体パッケージ内に
吸湿した水分が半導体チップ下部に溜まることがない。

【０２４２】さらにまた半導体チップを、表面の平滑性
が良好な樹脂絶縁膜上に接着するため、接着剤組成物と
樹脂基板の界面に気泡が残ることがない。したがって耐
湿性の高い半導体装置が得られる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１の実施の形態における半導体装置
を示す断面図である。

【図２】本発明の第１の実施の形態における半導体装置
の銅パターンの平面パターン形状を示す平面図である。

【図３】本発明の第２の実施の形態における半導体装置
を示す断面図である。

【図４】本発明の第２の実施の形態における半導体装置
の銅パターンの平面パターン形状を示す平面図である。

【図５】本発明の第３の実施の形態における半導体装置
を示す断面図である。

【図６】本発明の第３の実施の形態における半導体装置
のおもて面を示す平面図である。

【図７】本発明の第３の実施の形態における半導体装置
のうら面を示す平面図である。

【図８】本発明の第４の実施の形態における半導体装置
を示す断面図である。

【図９】本発明の第４の実施の形態における半導体装置
のおもて面を示す平面図である。

【図１０】本発明の第４の実施の形態における半導体装
置の裏面を示す平面図である。

【図１１】従来技術における半導体装置を示すの断面図
である。

【図１２】従来技術における半導体装置の銅パターンを
示す平面図である。

【符号の説明】

１樹脂基板２スルーホール２ａサーマルビアホール４接続電極６樹脂絶縁膜７配線基板８半導体チップ１３ＰＢＧＡ

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】樹脂基板上に実装する半導体チップの各
電極を接続するための接続電極と、マザーボードと接続
するためのハンダボール端子と、この接続電極とハンダ
ボール端子を接続するための電気的経路と、電気的経路
を保護するための樹脂絶縁膜と、半導体チップを接着剤
を用いて樹脂基板上に直接固着すためのほぼ四角形で半
導体チップより大きい接続電極と電気的経路と樹脂絶縁
膜の開口部を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項２】樹脂基板上に実装する半導体チップの各
電極を接続するための接続電極と、マザーボードと接続
するためのハンダボール端子と、この接続電極とハンダ
ボール端子を接続するための電気的経路と、電気的経路
を保護するための樹脂絶縁膜と、半導体チップを導電性
接着剤を用いて樹脂基板上に直接固着すためのほぼ四角
形で半導体チップより大きい接続電極と電気的経路と樹
脂絶縁膜の開口部を有し、半導体チップ本体と電気的に
接続するために半導体チップの電源系電極と接続する電
源系接続電極を半導体チップ下まで延長することを特徴
とする半導体装置。
【請求項３】樹脂基板上に実装する半導体チップの各
電極を接続するための接続電極と、マザーボードと接続
するためのハンダボール端子と、この接続電極とハンダ
ボール端子を接続するための電気的経路と、電気的経路
を保護するための樹脂絶縁膜と、半導体チップを導電性
接着剤を用いて樹脂基板上に直接固着すためのほぼ四角
形で半導体チップより大きい接続電極と電気的経路と樹
脂絶縁膜の開口部を有し、半導体チップ本体と電気的に
接続するために半導体チップの周囲を取り囲むように電
源系パターンを設け、電源系パターンと半導体チップ本
体を電気的に接続するために電源系パターンの一部を半
導体チップ下まで延長することを特徴とする半導体装
置。
【請求項４】樹脂基板上に実装する半導体チップの各
電極を接続するための接続電極と、マザーボードと接続
するためのハンダボール端子と、この接続電極とハンダ
ボール端子を接続するための電気的経路と、電気的経路
を保護するための樹脂絶縁膜と、半導体チップを導電性
接着剤を用いて樹脂基板上に直接固着すためのほぼ四角
形で半導体チップより大きい接続電極と電気的経路と樹
脂絶縁膜の開口部を有し、半導体チップ本体と電気的に
接続するために半導体チップの周囲を取り囲むように電
源系パターンを設け、電源系パターンと半導体チップ本
体を導電性接着剤を用いて電気的に接続することを特徴
とする半導体装置。
【請求項５】樹脂基板上に実装する半導体チップの各
電極を接続するための接続電極と、マザーボードと接続
するためのハンダボール端子と、この接続電極とハンダ
ボール端子を接続するための電気的経路と、電気的経路
を保護するための樹脂絶縁膜と、半導体チップを導電性
接着剤を用いて樹脂基板上に直接固着すためのほぼ四角
形で半導体チップより大きい接続電極と電気的経路と樹
脂絶縁膜の開口部と、この開口部に半導体チップより発
生する熱を樹脂基板の裏面に導くための独立したサーマ
ルビアホールと、サーマルビアホールによって導かれた
熱をマザーボードに逃がすための放熱用端子を有するこ
とを特徴とする半導体装置。
【請求項６】樹脂基板上に実装する半導体チップの各
電極を接続するための接続電極と、マザーボードと接続
するためのハンダボール端子と、この接続電極とハンダ
ボール端子を接続するための電気的経路と、電気的経路
を保護するための樹脂絶縁膜と、半導体チップを導電性
接着剤を用いて樹脂基板上に直接固着すためのほぼ四角
形で半導体チップより大きい接続電極と電気的経路と樹
脂絶縁膜の開口部と、この開口部に半導体チップより発
生する熱を樹脂基板の裏面に導くための独立したサーマ
ルビアホールと、サーマルビアホールによって導かれた
熱をマザーボードに逃がすための放熱用端子を有し、半
導体チップ本体と電気的に接続するために半導体チップ
の電源系電極と接続する電源系接続電極を半導体チップ
下まで延長することを特徴とする半導体装置。
【請求項７】樹脂基板上に実装する半導体チップの各
電極を接続するための接続電極と、マザーボードと接続
するためのハンダボール端子と、この接続電極とハンダ
ボール端子を接続するための電気的経路と、電気的経路
を保護するための樹脂絶縁膜と、半導体チップを導電性
接着剤を用いて樹脂基板上に直接固着すためのほぼ四角
形で半導体チップより大きい接続電極と電気的経路と樹
脂絶縁膜の開口部と、この開口部に半導体チップより発
生する熱を樹脂基板の裏面に導くための独立したサーマ
ルビアホールと、サーマルビアホールにより導かれた熱
をマザーボードに逃がすための放熱用端子を有し、半導
体チップ本体と電気的に接続するために半導体チップの
周囲を取り囲むように電源系パターンを設け、電源系パ
ターンと半導体チップ本体を電気的に接続するために電
源系パターンの一部を半導体チップ下まで延長すること
を特徴とする半導体装置。
【請求項８】樹脂基板上に実装する半導体チップの各
電極を接続するための接続電極と、マザーボードと接続
するためのハンダボール端子と、この接続電極とハンダ
ボール端子を接続するための電気的経路と、電気的経路
を保護するための樹脂絶縁膜と、半導体チップを導電性
接着剤を用いて樹脂基板上に直接固着すためのほぼ四角
形で半導体チップより大きい接続電極と電気的経路と樹
脂絶縁膜の開口部と、この開口部に半導体チップより発
生する熱を樹脂基板の裏面に導くための独立したサーマ
ルビアホールと、サーマルビアホールにより導かれた熱
をマザーボードに逃がすための放熱用端子を有し、半導
体チップ本体と電気的に接続するために半導体チップの
周囲を取り囲むように電源系パターンを設け、電源系パ
ターンと半導体チップ本体を導電性接着剤を用いて電気
的に接続することを特徴とする半導体装置。
【請求項９】樹脂基板上に実装する半導体チップの各
電極を接続するための接続電極と、マザーボードと接続
するためのハンダボール端子と、この接続電極とハンダ
ボール端子を接続するための電気的経路と、電気的経路
を保護するための樹脂絶縁膜と、半導体チップを接着剤
を用いて樹脂基板上に設けた樹脂絶縁膜に直接固着すた
めのほぼ四角形で半導体チップより大きい接続電極と電
気的経路の開口部を有することを特徴とする半導体装
置。
【請求項１０】樹脂基板上に実装する半導体チップの
各電極を接続するための接続電極と、マザーボードと接
続するためのハンダボール端子と、この接続電極とハン
ダボール端子を接続するための電気的経路と、電気的経
路を保護するための樹脂絶縁膜と、半導体チップを導電
性接着剤を用いて樹脂基板上に設けた樹脂絶縁膜に直接
固着すためのほぼ四角形で半導体チップより大きい接続
電極と電気的経路の開口部を有し、半導体チップ本体と
電気的に接続するために半導体チップの周囲を取り囲む
ように電源系パターンを設け、電源系パターンと半導体
チップ本体を導電性接着剤を用いて電気的に接続するこ
とを特徴とする半導体装置。
【請求項１１】樹脂基板上に実装する半導体チップの
各電極を接続するための接続電極と、マザーボードと接
続するためのハンダボール端子と、この接続電極とハン
ダボール端子を接続するための電気的経路と、電気的経
路を保護するための樹脂絶縁膜と、半導体チップを接着
剤を用いて樹脂基板上に設けた樹脂絶縁膜に直接固着す
ためのほぼ四角形で半導体チップより大きい接続電極と
電気的経路の開口部を有し、この開口部に半導体チップ
より発生する熱を樹脂基板の裏面に導くための独立した
サーマルビアホールと、サーマルビアホールによって導
かれた熱をマザーボードに逃がすための放熱用端子を有
することを特徴とする半導体装置。
【請求項１２】樹脂基板上に実装する半導体チップの
各電極を接続するための接続電極と、マザーボードと接
続するためのハンダボール端子と、この接続電極とハン
ダボール端子を接続するための電気的経路と、電気的経
路を保護するための樹脂絶縁膜と、半導体チップを導電
性接着剤を用いて樹脂基板上に設けた樹脂絶縁膜に直接
固着すためのほぼ四角形で半導体チップより大きい接続
電極と電気的経路の開口部を有し、この開口部に半導体
チップより発生する熱を樹脂基板の裏面に導くための独
立したサーマルビアホールと、サーマルビアホールによ
って導かれた熱をマザーボードに逃がすための放熱用端
子を有し、半導体チップ本体と電気的に接続するために
半導体チップの周囲を取り囲むように電源系パターンを
設け、電源系パターンと半導体チップ本体を導電性接着
剤を用いて電気的に接続することを特徴とする半導体装
置。