JPH10105421A - Aramメモリチップを用いてsimmメモリモジュールを製作し試験する装置 - Google Patents

Aramメモリチップを用いてsimmメモリモジュールを製作し試験する装置

Info

Publication number
JPH10105421A
JPH10105421A JP9210780A JP21078097A JPH10105421A JP H10105421 A JPH10105421 A JP H10105421A JP 9210780 A JP9210780 A JP 9210780A JP 21078097 A JP21078097 A JP 21078097A JP H10105421 A JPH10105421 A JP H10105421A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
memory
module
asic
simm
error
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP9210780A
Other languages
English (en)
Inventor
Pasquale Pistilli
ピスティリ パスカル
Zenzo Maurizio Di
デイ ゼノ マウリジオ
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Texas Instruments Inc
Original Assignee
Texas Instruments Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Texas Instruments Inc filed Critical Texas Instruments Inc
Publication of JPH10105421A publication Critical patent/JPH10105421A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C29/00Checking stores for correct operation ; Subsequent repair; Testing stores during standby or offline operation
    • G11C29/70Masking faults in memories by using spares or by reconfiguring
    • G11C29/88Masking faults in memories by using spares or by reconfiguring with partially good memories
    • GPHYSICS
    • G06COMPUTING OR CALCULATING; COUNTING
    • G06FELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F11/00Error detection; Error correction; Monitoring
    • G06F11/07Responding to the occurrence of a fault, e.g. fault tolerance
    • G06F11/08Error detection or correction by redundancy in data representation, e.g. by using checking codes
    • G06F11/10Adding special bits or symbols to the coded information, e.g. parity check, casting out 9's or 11's
    • G06F11/1008Adding special bits or symbols to the coded information, e.g. parity check, casting out 9's or 11's in individual solid state devices
    • G06F11/1012Adding special bits or symbols to the coded information, e.g. parity check, casting out 9's or 11's in individual solid state devices using codes or arrangements adapted for a specific type of error

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Quality & Reliability (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Techniques For Improving Reliability Of Storages (AREA)
  • For Increasing The Reliability Of Semiconductor Memories (AREA)
  • Detection And Correction Of Errors (AREA)
  • Dram (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 コンピュータなどの要求の厳しいSIMMモ
ジュールに、オーディオDRAMメモリモジュールを低
コストで用いるための装置を提供する。 【解決手段】 コンピュータなどの低故障率応用に用い
るSIMM(単一インライン・メモリモジュール)メモ
リモジュールであって、メモリチップ毎に内部アドレス
バスを持つARAM(オーディオDRAM)と、外部イ
ンターフェース用のASIC(専用集積回路)モジュー
ルを備え、次の故障の種類、すなわち、 A− 1符号語内の1ビットに関係する故障と、 B− 各ビットが異なるメモリチップから来る、1符号
語内の複数ビットに関係する故障と、 C− 単一メモリチップ内で起こる、1符号語内の複数
ビットに関係する故障、を訂正する、SIMMメモリモ
ジュール。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】この発明は広くARAMメモ
リに関し、より詳しくは、優れた性能のメモリを必要と
する任意の応用でこのメモリを用いる装置に関する。
【0002】さらにより詳しくは、この発明は、ARA
Mメモリの故障を処理してたとえばコンピュータなどの
SIMMモジュールを実現するなど、要求の厳しい応用
に用いられるようにする装置に関する。
【0003】
【従来の技術】オーディオDRAMメモリ、いわゆるA
RAMメモリはダイナミックDRAMメモリであって、
ある故障率を持つ。すなわち、ビットが故障する位置は
規則的なまたは不規則的な位置である。ARAMメモリ
は、積分や内挿によって消失した情報を処理すれば、音
声メッセージを再生したときに情報の脱落に気づかない
程度の故障率なので、電話トランスポンダや応答機など
のオーディオの応用に用いられる。
【0004】したがって、ある故障率の限界を超えない
限り、このような応用にこのメモリを用いても問題な
い。しかしたとえば、ある行や列が完全に脱落すれば使
うことはできない。実際のところ、このような情報の欠
落があると積分や内挿を行っても人の耳は適応すること
ができない。したがってこのようなメモリの仕様は、最
大故障率限界を設定するだけでなく、任意の位置の故障
を何らかの方法で発見できることが必要である。
【0005】これらの要求の他に、たとえメモリ位置の
99%が正しく動作しても、全ての故障ビットのアドレ
スがメモリアレー内に無作為に分散しているので、AR
AMメモリをコンピュータの従来の応用に用いることは
できない。
【0006】言い換えると、従来のARAMメモリを用
いるときは、伝送チャンネル、すなわち何らかの形で雑
音に影響されるチャンネル、に用いる訂正装置などによ
り任意の故障ビットを訂正する、訂正装置を設ける必要
がある。全ての故障メモリの問題は、伝送チャンネルの
場合と同じ方法で、メモリを、つまりビット列を訂正す
るなどのメモリの走査手続きを、考えることにより対処
することができる。
【0007】しかし、伝送チャンネルでは主として逐次
列を考えるが、コンピュータ応用では列は逐次ではなく
無作為である。したがって、関連するメモリに無作為に
記憶し検索することのできる情報に対処する、誤り符号
を検討しなければならない。
【0008】ARAMメモリをコンピュータに適用する
という問題を解決するには、まずこのメモリの故障パタ
ーンを分析する必要がある。
【0009】ARAMメモリの例示の集団の故障の形を
分析し、これと共に符号語(8データビットと4冗長ビ
ット)を実現することによってはじめて、誤りを含むデ
ータを訂正する回路を設計することができる。確率論を
用いることにより、完全な語、誤りを1つ、2つ、また
はそれ以上持つ語、の確率を分析することができる。誤
り確率を分析した後で、数学的評価とコスト評価を行
う。しかし一方では、問題を必ず数学的に解決すること
ができても、この解決法はコストがかかりすぎて望まし
くないこともある。
【0010】より特定すると、メモリバンク内の符号語
毎の故障率の種類は次の通りである。 A− 1符号語内の1ビットに関係する故障率。 B− 各ビットが異なるメモリチップから来る、1符号
語内の複数ビットに関係する故障率。 C− 単一メモリチップ内で起こる、1符号語内の複数
ビットに関係する故障率。
【0011】
【発明が解決しようとする課題】上に述べたように、こ
の問題の広い解決法はどちらかというと簡単で、文献に
はいくつかの解決例が示されている。しかしこの問題の
これまでの解決法は、主として大規模メモリ装置の信頼
性を高めようとするものである。さらに、これらの解決
法は費用がかかるので、低コストの応用に用いるには不
適当である。
【0012】特定の観点からは、従来の解決法はコンピ
ュータ(PC)応用のSIMM(単一インライン・メモ
リモジュール)モジュールに用いるには適していない。
この発明の広い目的は、誤り訂正(EC)のために必要
な冗長性を最小にすることと、関係するSIMMメモリ
モジュール内でこのような機能を行うよう設計された専
用集積回路(ASIC)の製造コストを最小にすること
である。
【0013】
【課題を解決するための手段】理想的な解決法は、多段
型の誤り訂正符号(ECC)、すなわち以下に説明する
ように、各段で故障率を1段階づつ減少させ、次の段は
複雑さの小さい環境で動作できるようにした多段手続
き、を採用することである。
【0014】上に示した故障の種類を振り返ると、次の
手続きがある。 ・C型の故障は余り起こらない(数億回に1回)ので、
ASIC内に小さい連想記憶を設けて、全ての故障位置
のアドレス(試験手続き中に識別される)とデータ(動
作中に生成される)を記憶し/検索する。
【0015】・B型の故障への対処は、1語内にm個の
誤りが起こる状態を、それぞれ1つの誤りを含む語がm
個ある状態に変える。特殊な回路をASIC内に設け、
またプリント回路板(PCB)を特殊なレイアウトに設
計して、各メモリチップを専用のアドレスバスに接続す
る。 ・A型の全ての故障は1故障ビットで形成する。これは
たとえばコンパクトなハミング符号(Hamming code)など
の普通の従来の誤り訂正符号(ECC)を適用すること
により訂正することができる。
【0016】もちろん、故障ビットが多くなる可能性も
残る。たとえば2個のメモリを結合すると、各メモリの
故障率は許容できるものであっても、結合することによ
り許容故障率を越える可能性があるからである。
【0017】どちらにしても誤り率は小さくまた誤りは
完全に無作為なので、この発明の基本的な考え方は、2
個のメモリの一方のアドレスをスクランブリングするこ
とである。スクランブリングするすなわち再調整すると
いう意味は、2個のメモリの一方のアドレス領域を他方
に対して線形数理変換を行うことであって、完全に一義
的に、2つの故障ビットのアドレスは一致しない。
【0018】このスクランブリングを行う最も便利な方
法は関係するアドレスに定数を加えることで、これによ
り2重になる誤りは一切なくなり、単一の誤りだけにな
る。
【0019】
【発明の実施の形態】
【実施例】図1と図2を参照して上記を詳細に説明する
と、ASICモジュールは、72ピンSIMMモジュー
ルに取り付けた故障メモリチップ、特にARAM仕様に
従うもの、にインターフェースするよう設計されてい
る。ASICモジュールはメモリにアクセスする度に完
全な語すなわち使用可能な4バイトの中の1バイトを選
択する。
【0020】取り上げたメモリマトリクスすなわちアレ
ーは次の通りである。 ・12個の1Mx 4チップを用いた1Mx32。 ・ 3個の1Mx16チップを用いた1Mx32。 ・ 6個の1Mx16チップを用いた2Mx32。 ・ 2個の1Mx16チップと4個の1Mx 4チップ
を用いた1Mx32。 ・12個の4Mx 4チップを用いた4Mx 4。
【0021】故障データまたはメモリ位置を訂正するの
に2つの解決法が用いられている。 ・第1の解決法はハミング符号に基づくもので、12ビ
ット(8データビットと4奇偶検査ビット)の列の中の
単一故障ビットを訂正する。 ・第2の解決法は、この特定のアドレスで完全に動作す
る行を持つチップを行アドレス毎に選択して、誤りなし
データ語をホストCPUに供給する。誤り訂正や奇偶検
査ビットの生成は行わない。
【0022】上記の2つの手続きには固有の限界があ
る。すなわち、 ・ハミング符号はバイト当たり2個以上の故障ビットを
処理することができない。 ・全てのメモリチップの同じ行アドレスが故障している
ときは、行の冗長によって誤りなしデータを与えること
ができない。
【0023】この発明が提案するASIC回路は、これ
らの限界を克服する2つの独特の機構を持つ。すなわ
ち、 ・行アドレスをスクランブリングして、同じ行アドレス
を持つ複数の行に起こる誤りを分散させる。このアドレ
スのスクランブリングは、試験手続き中に識別した2定
数を用いて行う。 ・前記ASIC内に連想メモリを挿入して、アレー内の
任意の故障メモリと実質的に置き換える。ホストCPU
がこれらのメモリセルの1つを選択すると、ASIC回
路は連想メモリの位置を用いてデータの内部記憶(また
は検索)を行う。
【0024】ECC機能を行うには、メモリアレーへの
アクセスを遅らせて、バイト毎に奇偶検査ビットを計算
する。この遅れを最小にすることが望ましい場合は、こ
れらのメモリセルの最初の書き込みサイクルを前記AS
IC回路により遅延書き込み動作に変える。冗長モード
では、データをオンチップSRAMメモリから取り出し
て、データを誤りなしメモリ位置と授受するための内部
マルチプレクサ機能を設ける。
【0025】入力データ語を4バイトに分割し、これを
6バイト出力語に再構成する。しかし6バイト中の4バ
イトだけが誤りなしメモリ位置に写像される。最初の書
き込みサイクルから遅延書き込みサイクルに変えるの
も、冗長モードで行う。さらに、後で説明するように、
ECC回路を除いたときにメモリの試験を行いまた任意
の故障メモリ位置の識別を行う特殊な機能性を提供す
る。アドレスのスクランブリング定数と連想メモリ位置
は、故障位置写像すなわちいわゆる故障写像に基づい
て、試験手続き中に適切にプログラムする。
【0026】誤り訂正機能について述べると、構成レジ
スタ内に正しい選択ビットをセットすると、関係するA
SIC回路は各書き込みサイクルで各バイト内の4奇偶
検査ビットを計算して36ビットデータ列を生成し、ホ
ストCPUが提供する奇偶検査ビットは全て無視する。
各読み出しサイクルで、奇偶検査ビットを用いてデータ
を訂正する。外部奇偶検査ビットはホストCPUが提供
する。語内の1バイトへのアクセスは、残りのデータビ
ットを壊すことなく、読み出しまたは書き込みモードで
可能である。
【0027】行の冗長機能性は、実現したメモリアレー
で単一符号語にアクセスできないときに用いることがで
きる。この場合は、32ビットの外部データ語をマルチ
プレクサモジュールにより48ビット内部語に変換す
る。データビットをメモリアレーに記憶しまたはメモリ
アレーから取り出すには、誤りなしメモリセルだけを用
いて行う。読み出しモードでは、上記のASIC回路は
オンチップSRAMメモリ(5ビットx512)を用い
て使用可能な6バイトから良い4バイトを選択し、書き
込みモードでは、前記SRAMメモリを用いて4データ
バイトを使用可能な6バイトの中の良い4メモリバイト
に再変換する。
【0028】ARAMメモリを価値のあるDRAMメモ
リに変えたいときは、全ての故障位置を探す(写像試
験)必要がある。この試験動作は工場内で行い、行アド
レスのスクランブリング定数と、連想メモリの位置に記
憶する全てのアドレスを識別して、メモリアレーが完全
に機能するようにする。生成した後、この情報をEEP
ROMメモリを含む外部の不揮発性メモリに記憶する。
【0029】試験時間を短くするために、SIMMモー
ド内で用いるものとは異なる特定のECC法を用いるこ
とができる。この方法を用いることにより、次のことが
可能になる。 ・故障率が特定の範囲内にあるときは誤り信号の発生を
防ぐ。誤りはSIMMレベルでECC符号により訂正す
ることができる。 ・関係する誤りが複数のチップに関連するときだけ試験
プログラムを実行するCPUに割り込み、アドレスのス
クランブリングを行う。 ・複数の誤りが1つのチップの特定のアドレスに関連す
るときは誤り信号を出さず、故障アドレスを自動的に記
録する。
【0030】図3のように、多マイクロプロセッサ構成
を用いる。コンピュータはSIMMモジュールの4つの
符号語アレーを並列に試験する。中にあるASICモジ
ュールは、データパターンを生成しまた読み出したデー
タを分析してその正しさをチェックすることにより、C
PUと内部SIMMバスをインターフェースする。
【0031】実施する試験の流れは次のステップを含
む。すなわち、 ・パラメトリック試験により、コネクタ部と、コネクタ
ピンからはアクセスできない網にアクセスする全ての試
験位置で、短絡回路や開回路を探す。 ・粗い試験レベルで写像を行うことにより、定数と、S
IMMモジュールを動作させる連想メモリのアドレスと
の組み合わせを個別化する。 ・便利な適合度レベルでSIMMモジュールの完全な動
作性試験を行う(ARAMメモリを完全に試験するので
はないことに注意)。 ・写像できない全てのユニットを完全に再分析する。 ・動作性試験に合格しない全てのSIMMモジュールを
さらに写像する。
【0032】この発明のハードウエア部分を要約する
と、前に説明したようにASICモジュールを含むSI
MMモジュールを、次のものを広く含むように設計す
る。すなわち、 ・ECC符号化機能を行う手段。 ・ECC復号機能を行う手段。 ・奇偶性生成機能を行う手段。 ・アドレスのスクランブリング機能を行う手段。 ・異常状態を示す手段。 ・外部ストローブ信号によりスクランブリング機能を行
い、前記スクランブリングや符号化や復号の動作による
全ての遅れを含む正しいタイミングシーケンス(読み出
しおよび書き込み)を実現する手段。
【0033】・不揮発性メモリ(ASICで実現した内
部メモリ、原型作成のための外部メモリ)のデータの読
み出し/書き込みを行う手段。 ・アドレスのスクランブリング機能に用いる定数を正し
く設定する機能を行う手段。 ・オンボードで生成機能を行い、SIMM内のASIC
回路のモジュールをリセットする手段。
【0034】この発明の好ましい実施の形態を説明した
が、この発明の範囲から逸れることなく、当業者は変更
や修正を行うことができる。
【0035】以上の説明に関して更に以下の項を開示す
る。 (1) コンピュータなどの低故障率応用に用いるSI
MM(単一インライン・メモリモジュール)メモリモジ
ュールであって、メモリチップ毎に内部アドレスバスを
持つARAM(オーディオDRAM)と、外部インター
フェース用のASIC(専用集積回路)モジュールを備
え、次の故障の種類、すなわち、 A− 1符号語内の1ビットに関係する故障と、 B− 各ビットが異なるメモリチップから来る、1符号
語内の複数ビットに関係する故障と、 C− 単一メモリチップ内で起こる、1符号語内の複数
ビットに関係する故障、を訂正する、SIMMメモリモ
ジュール。
【0036】(2) 第1項に記載のSIMMメモリモ
ジュールであって、 ・コーダ機能ブロックと、 ・デコーダ機能ブロックと、 ・装置のアドレスバスに接続する、アドレス再調整すな
わちスクランブリング機能ブロックと、 ・連想メモリ機能ブロックと、 ・マルチプレクサ(MUX)機能ブロックと、 ・システムのストローブ信号を受け、内部ストローブ信
号を供給する、タイミング制御機能ブロックとを備え、
前記連想メモリブロックは、前記アドレスのスクランブ
リング機能ブロックと、前記マルチプレクサブロックを
通して前記デコーダブロックとの間に接続する、ことを
特徴とする、SIMMメモリモジュール。
【0037】(3) 第1項に記載のSIMMメモリモ
ジュールであって、 ・ECC符号化機能を行う手段と、 ・ECC復号機能を行う手段と、 ・奇偶性生成機能を行う手段と、 ・アドレスのスクランブリング機能を行う手段と、 ・異常状態を示す手段と、 ・外部ストローブ信号によりスクランブリング機能を行
い、前記スクランブリングや符号化や復号の動作による
全ての遅れを含む正しいタイミングシーケンス(読み出
しおよび書き込み)を実現する手段と、 ・不揮発性メモリ(ASICで実現した内部メモリ、原
型作成のための外部メモリ)のデータの読み出し/書き
込みを行う手段と、 ・アドレスのスクランブリング機能に用いる定数を正し
く設定する機能を行う手段と、 ・オンボードで生成機能を行い、SIMM内のASIC
回路のモジュールをリセットする手段、を広く備えるよ
う構成することを特徴とする、SIMMメモリモジュー
ル。
【0038】(4) 前記項のどれかに記載のSIMM
メモリモジュールであって、1符号語内の1ビットに関
係する種類Aの故障を、たとえばハミング符号などの従
来の誤り訂正符号(ECC)を適用することにより訂正
する手段と、各ビットを異なるメモリチップから得る、
1符号語内の複数のビットに関係する種類Bの故障を、
1符号語内にm個の誤りがある状態からそれぞれ1つの
誤りを含むm個の符号語がある状態に変えることにより
訂正する手段と、同じメモリチップ内で起こる、1符号
語内の複数のビットが関係する種類Cの故障を、前記A
SICモジュール内に連想メモリを設けて、全ての故障
位置に関する、試験手続き中に識別されるアドレスと広
い通常動作のデータを、記憶し/取り出すことにより訂
正する手段を備えることを特徴とする、SIMMメモリ
モジュール。
【0039】(5) 前記第1項−第4項に記載のSI
MMメモリモジュールをコンピュータで試験する装置で
あって、関連するコンピュータは多プロセッサ構成によ
りSIMMモジュールの4つの符号語アレーを試験し、
中にあるASICモジュールは、データパターンを生成
しまた読み出したデータを分析して内部に記憶したデー
タと比べてその正しさをチェックすることにより、CP
UとSIMMモジュールの内部バスをインターフェース
することを特徴とする、SIMMメモリモジュールをコ
ンピュータで試験する装置。
【0040】(6) 第5項に記載の装置であって、前
記ASICモジュールは、データパターン生成機能を行
う手段と、誤りチェック機能を行う手段と、前記CPU
により訂正される任意の誤り条件のフィルタリング機能
を行う手段を備えることを特徴とする、SIMMメモリ
モジュールをコンピュータで試験する装置。
【図面の簡単な説明】
この発明の詳細と利点は、次の図面を参照してこの明細
書を読めば明らかになる。これらの図面に示す好ましい
実施の形態は、例示であって制限的なものではない。
【図1】上述の機能を実現するために各メモリチップと
ASICモジュールが協調して動作するように特に設計
した内部アドレスバスを用いる、この発明のSIMMモ
ジュールの構成を示す図。
【図2】図1のASICモジュールの詳細図。
【図3】この発明のSIMMモジュールを試験するコン
ピュータ試験装置。
【図4】図3の試験装置に用いるASICモジュールの
詳細図。
【図5】この発明で行うアドレスのスクランブリング機
能のブロック図。
【図6】インターフェースASIC回路の異なる実施の
形態の図。
【符号の説明】
ASIC 専用集積回路

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 コンピュータなどの低故障率応用に用い
    るSIMM(単一インライン・メモリモジュール)メモ
    リモジュールであって、メモリチップ毎に内部アドレス
    バスを持つARAM(オーディオDRAM)と、外部イ
    ンターフェース用のASIC(専用集積回路)モジュー
    ルを備え、次の故障の種類、すなわち、 A− 1符号語内の1ビットに関係する故障と、 B− 各ビットが異なるメモリチップから来る、1符号
    語内の複数ビットに関係する故障と、 C− 単一メモリチップ内で起こる、1符号語内の複数
    ビットに関係する故障、を訂正する、SIMMメモリモ
    ジュール。
JP9210780A 1996-08-05 1997-08-05 Aramメモリチップを用いてsimmメモリモジュールを製作し試験する装置 Pending JPH10105421A (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
IT96A000562 1996-07-02
IT96RM000562A IT1284244B1 (it) 1996-08-05 1996-08-05 Sistema per produrre moduli di memoria simm utilizzando chip di memoria aram e per il loro collaudo

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH10105421A true JPH10105421A (ja) 1998-04-24

Family

ID=11404383

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP9210780A Pending JPH10105421A (ja) 1996-08-05 1997-08-05 Aramメモリチップを用いてsimmメモリモジュールを製作し試験する装置

Country Status (7)

Country Link
EP (1) EP0824237B1 (ja)
JP (1) JPH10105421A (ja)
KR (1) KR19980018345A (ja)
DE (1) DE69722868T2 (ja)
IT (1) IT1284244B1 (ja)
SG (1) SG75121A1 (ja)
TW (1) TW505849B (ja)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2000011554A1 (en) 1998-08-19 2000-03-02 Boris Nikolaevich Vilkov A system and method for identification of transformation of memory device addresses
US6393543B1 (en) 1998-11-12 2002-05-21 Acuid Corporation Limited System and a method for transformation of memory device addresses
US7197594B2 (en) * 2003-09-23 2007-03-27 Infineon Technologies Flash Gmbh & Co. Kg Circuit, system and method for encoding data to be stored on a non-volatile memory array

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4485471A (en) * 1982-06-01 1984-11-27 International Business Machines Corporation Method of memory reconfiguration for fault tolerant memory
KR950008676B1 (ko) * 1986-04-23 1995-08-04 가부시기가이샤 히다찌세이사꾸쇼 반도체 메모리 장치 및 그의 결함 구제 방법
IT1261411B (it) * 1993-03-12 1996-05-23 Texas Instruments Italia Spa Metodo e circuiteria per l'uso di memorie aventi locazioni difettose erelativa apparecchiatura di produzione.
WO1996007969A1 (en) * 1994-09-09 1996-03-14 Lai Bosco C S On board error correction apparatus

Also Published As

Publication number Publication date
IT1284244B1 (it) 1998-05-14
DE69722868T2 (de) 2004-05-19
ITRM960562A0 (ja) 1996-08-05
SG75121A1 (en) 2000-09-19
EP0824237B1 (en) 2003-06-18
EP0824237A2 (en) 1998-02-18
ITRM960562A1 (it) 1998-02-05
TW505849B (en) 2002-10-11
KR19980018345A (ko) 1998-06-05
DE69722868D1 (de) 2003-07-24
EP0824237A3 (en) 1999-10-06

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US12111723B2 (en) Memory repair method and apparatus based on error code tracking
US6996766B2 (en) Error detection/correction code which detects and corrects a first failing component and optionally a second failing component
JP5874119B2 (ja) Dramをスタックする方法及び装置
US6018817A (en) Error correcting code retrofit method and apparatus for multiple memory configurations
US6973613B2 (en) Error detection/correction code which detects and corrects component failure and which provides single bit error correction subsequent to component failure
US6976194B2 (en) Memory/Transmission medium failure handling controller and method
US5745508A (en) Error-detection code
US7331010B2 (en) System, method and storage medium for providing fault detection and correction in a memory subsystem
US7149945B2 (en) Systems and methods for providing error correction code testing functionality
EP0668561B1 (en) A flexible ECC/parity bit architecture
US6493843B1 (en) Chipkill for a low end server or workstation
US20030140300A1 (en) (146,130) error correction code utilizing address information
EP0281740B1 (en) Memories and the testing thereof
JP2001005736A (ja) メモリ誤り訂正装置
US20040225944A1 (en) Systems and methods for processing an error correction code word for storage in memory components
US7873895B2 (en) Memory subsystems with fault isolation
US12222829B2 (en) Memory module with dedicated repair devices
US10481973B2 (en) Memory module with dedicated repair devices
KR20020020734A (ko) 컴퓨터 메모리 시스템에서의 멀티-비트 에러 보호를 위한시스템 및 방법
US11928021B2 (en) Systems and methods for address fault detection
JPH10105421A (ja) Aramメモリチップを用いてsimmメモリモジュールを製作し試験する装置
JPH10207786A (ja) メモリシステム
KR20260026784A (ko) 온-칩(on-chip) ecc 스킴을 채용한 구비한 메모리 장치 및 그의 테스트 방법
HK1013342A (en) A flexible ecc/parity bit architecture